JP2500970B2 - 磁気抵抗素子およびオ―プン・ヨ―クを集積した磁気記録ヘッド - Google Patents

磁気抵抗素子およびオ―プン・ヨ―クを集積した磁気記録ヘッド

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JP2500970B2
JP2500970B2 JP3327633A JP32763391A JP2500970B2 JP 2500970 B2 JP2500970 B2 JP 2500970B2 JP 3327633 A JP3327633 A JP 3327633A JP 32763391 A JP32763391 A JP 32763391A JP 2500970 B2 JP2500970 B2 JP 2500970B2
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    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体への書込
みおよび同媒体からの読取り用磁気ヘッドに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】誘導形ヘッドを書込みに用い、磁気抵抗
（ＭＲ）素子を読み取りに用いる薄膜磁気ヘッドの従来
技術には多くの設計がなされている。これらの設計の多
くはＭＲ素子がエヤー・ベアリング表面（ＡＢＳ）に位
置し、読取りギャップから数ミクロン離れた書込みギャ
ップを持つ別の書込み構造が備わっている。その結果、
回転式アクチュエータを用いるトラック密度は、アクチ
ュエータの角度と共に読取り書込みの位置決めの誤動作
により制限を受ける。
【０００３】したがって、読取り書込みギャップが記録
ヘッドの同じ場所に存在するように組み込んだ設計を提
供することが望ましい。ＭＲ素子をＡＢＳの位置に置く
ことが望ましくない理由は、ＭＲ素子に負荷をかけてい
る時、ヘッドと磁気ディスクが接触すると信号発生用電
気素子を劣化させることになるからである。ＭＲ素子が
ＡＢＳから離れて位置する集積ヘッドの設計も知られて
いる。例えば、米国特許４，３００，１７７が示すＭＲ
素子はヨークの１つの脚中にギャップを横断して存在す
るか（図１）またはヨークを横断して磁路中に存在する
（図２，図３）。
【０００４】同一譲受人の米国特許４，６９８，７１１
では、読取り書込み動作が単一極に集積されている垂直
ツイン・トラック書取／書込ヘッドを記録している。Ｍ
Ｒ素子が書込み動作に対し磁束路中に存在するように書
込みヘッドの主極の一つを使ってＭＲ素子に磁束を導い
ている。
【０００５】同一譲受人の米国特許４，５６６，０５０
には、磁気ヨークが３つの脚を持ち、そのＭＲ素子は磁
気ヨークの中心脚の２つの部分の間に挟まれている、手
持磁気読取り用ＭＲ読取りヘッドが示されている。ＭＲ
素子の面が磁気変換に対し傾いても、外側脚と中心脚の
うちの唯一つが記録した磁気変換を読取る位置に存在す
るように、磁気ヨークの外側の脚は間隔を離して取りつ
けてある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、読取
り、書込みの双方の効率が５０パーセント以上になるよ
うに各種素子の磁気抵抗を選んで薄膜磁気ヘッドの設計
がなされていない。したがって問題は、もしＭＲ素子が
変換ギャップを効果的に回避するならば、ＭＲ素子の磁
気抵抗が低下し読取り効率がよくなり、書込み効率が高
くなるに相違ないと言うことである。
【０００７】従って、本発明は読取り及び書込み回路が
実質的に独立しているため、各回路が高い効率となるよ
うに設計されうる集積化された薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、集積化
された誘導書込み、磁気抵抗（ＭＲ）読取り薄膜磁気ヘ
ッドは、外部脚と中心脚とを有するオープン磁気ヨーク
を有する。この外部脚は、その一端が重ね合わされて、
極片間で変換ギャップを有する極片を構成する。また、
中心脚は対称形の磁気ヨーク構造を生むように、一端に
おいて極片間において位置され、また他端において外部
脚に結合されている。中心脚において開孔部があり、Ｍ
Ｒ素子はこの開孔部を横切るように連絡されている。各
外部脚には巻き線が備わっており、その方向は、等しく
エネルギーを与えると、生ずる結束が各外部脚の中では
等しくかつ反対方向となり、極片間の変換ギャップにお
いて付加的であり、中心脚では正味の磁束は生まれない
ように巻かれる。読取り動作では、変換ギャップにおい
て読み取られる磁界に反応し、磁化はＭＲ要素中におい
て回転される。
【０００９】
【実施例】本発明を図１に示す磁気ディスクファイルに
おいて具体化されたものとして説明する。少くとも一つ
の硬い回転磁気ディスク１１は回転軸上に支持され、デ
ィスク・ドライブ・モータ（図示せず）により回転す
る。各ディスク上の磁気記録媒体はディスク１１に示す
ように同心円のデータ・トラックｄの環状パターン形を
とっている。
【００１０】ディスクが回転するに従い、スライダは内
外に向って半径方向に移動し、データを含むディスク表
面の異なった部分にヘッドが到達できるようになってい
る。各スライダ１３は一つ以上の読取り／書込みヘッド
１０を支持し、サスペンション１７によりアクチュエー
タ・アーム１５に取りつけられている。サスペンション
１７は僅かにスプリング力を備え、それによりディスク
表面に対しスライダ１３はバイアスをかけられている。
各アクチュエータ・アーム１５はアクチュエータ手段１
９に取り付けてある。図１に概略的に示したアクチュエ
ータ手段１９は回転アクチュエータで、本技術で知られ
ているようにピボット点２１の廻りに制御によりアクチ
ュエータ・アーム１５を移動できるようになっている。
それによりスライダ１３とそれに取り付けてある読取り
／書込みヘッド１０は磁気記録媒体上のデータ・トラッ
クの選ばれた一つに移動できるのである。
【００１１】ディスク・ファイルの運転中、ディスクの
回転によりスライダ１３とディスク表面の間にエヤー・
ベヤリングを生成する。このエヤー・ベヤリングは宙づ
りの僅かなスプリング力とバランスを保ち、スライダ１
３を運転中ディスク表面から離れた状態で支持すること
になる。
【００１２】典型的ディスク・ファイルについての前述
の説明と図１の付属説明は代表例としてのみのもので、
ディスク・ファイルには多数のディスクおよびアクチュ
エータを含み、各アクチュエータは多数のスライダを支
持することが可能なことは明らかである。
【００１３】図面の図２において、本発明に従えば、薄
膜磁気ヘッド１０は第１極１２、第２極１４、および第
２極１４と隣接する磁気ヨーク１６を有している。コイ
ル１８と２０の対は磁気ヨーク１６の周囲に螺旋状に巻
かれており、その配置は低磁気抵抗の磁気回路により、
コイル１８，２０により与えられる超磁力電位の殆どを
書込みギャップ２２を横切って、第１極１２と第２極１
４の間に現われるように置かれている。これらの素子
は、磁気ヨーク１６の２つの脚の間で磁束洩れが比較的
低い薄膜磁気書込みヘッドを提供し、その結果書込みは
高効率で達成することが可能である。
【００１４】磁束ガイド２４は第１極１２と第２極１４
の間のギャップ２２の中心に位置し、コイル１８，２０
との間で磁気ヨーク１６の中心に沿った比較的低い磁気
抵抗路を形成し、書込みギャップ２２の反対側にあるヨ
ーク１６の末端２６上のヨーク１６の中心部まで延びて
いる。磁束ガイド２４には、書込みギャップ２２から離
れた位置にギャップ２８が設けられ、磁束ガイド２４中
の信号磁束がＭＲ素子３０に入ってＭＲ素子３０中で磁
化を著しく回転するようにギャップ２８を横断して磁気
抵抗（ＭＲ）素子が位置している。
【００１５】動作中、薄膜磁気ヘッド１０は例えば磁気
ディスクまたはテープを含む磁気記録媒体１１に密接に
接近した位置に置かれる。磁気ヘッド１０のエヤー・ベ
ヤリング（ＡＢＳ）３４と磁気記録媒体１１の間の距離
は、磁気ヘッド１０と磁気記録媒体１１の間の相対運動
中に形成されるエヤー・ベヤリングにより例えば数ミク
ロンの間隙に保持される。ＡＢＳ３４（図３）における
磁気ヘッド１０の構造は第１極と書込み変換ギャップ２
２により分離された第２極１４を有している。図の実施
例では、書込みギャップ２２は第一，第二ギャップ絶縁
層３６，３８、磁束ガイド２４および第三ギャップ絶縁
層４０により形成されている。
【００１６】磁束ガイド２４の下部２４ｌはＡＢＳ３４
からギャップ２８まで延び、磁束ガイド２４の上部はギ
ャップ２８から磁気ヨーク１６の末端２６まで延びてい
る。磁束ガイドの２４ｌと２４ｕの部分は平行の側面を
持った状態で図２に双方とも示している。しかしなが
ら、下部２４ｌ′の部分（図５）はギャップ２８での幅
ＷからＡＢＳ／３４で幅を狭くしてＴに絞り、狭いトラ
ック用に使い易くされている。更に磁束ガイド２４ｌと
２４ｕは双方とも図３および図４では単一層の磁性材を
含むように示されている。しかし、磁束ガイド部２４
ｌ、２４ｕは図６に示すように薄膜多層構造を含んでも
よい。磁束ガイド部２４ｌおよび２４ｗはまた強磁性材
２７が非磁性材２９の周囲を囲む密閉磁束構造（図７）
を含んでもよい。磁気ヨーク脚１６ｒおよび１６ｌもま
た希望により薄膜多層構造または磁束密閉構造とするこ
とも出来る。
【００１７】ＭＲ素子３０（図２，図３）は、ＭＲ素子
中の電流の方向がＡＢＳ３４に対し実質上平行になるよ
うに磁束ガイド２４に対し垂直であり、またＭＲ素子は
第２ギャップ絶縁層３８により磁束ガイド２４から分離
されている。通電導線４２，４４はＭＲ素子と電気的接
触をしており、読込み制御回路４６は導線４２，４４と
横断的に接続されている。ＭＲ素子３０は単一層を有し
ているように示されているが、例えばバイアスした層の
ように別の層を有してもよい。更に必要ならば、ＭＲ素
子には２つ以上の導線を備えることもできる。
【００１８】図２に示した実施例では、ＭＲ素子および
通電導線４２，４４は、ＭＲ素子３０を通る電流が磁束
ガイド２４に対し実質垂直に流れるように配置されてい
る。この配置は多くの応用に適している。しかし、トラ
ック幅が狭くなるにつれて、図８に示した実施例は益々
望ましいものとなる。この実施例では、ＭＲ素子６４は
磁束ガイド２４″に沿った方向に延ばされている。通電
導線６６および６８はＭＲ素子６４中を流れる電流が磁
束ガイド２４″に対し実質平行になるように配置されて
いる。この配置は狭いトラックに応用すると抵抗力が大
きい。
【００１９】磁気ヨーク１６はオープン・ヨークと定義
されている。その理由は二つの脚１６ｌと１６ｒはその
殆ど大部分が、磁気ヘッド１０が使われている時トラッ
クの方向と交る方向に動かされるからである。好適な実
施例では、磁気ヨーク１６の対向する１６ｌと１６ｒ間
の距離は、磁気ヨーク１６の大部分の長さに亘って書込
みギャップの１００倍以上ある。コイル１８と２０はそ
れぞれ磁気ヨーク１６脚１６ｌと１６ｒの周囲に螺旋状
に巻いてある。
【００２０】コイル１８と２０のそれぞれには２つの通
電導線４８，５０および５２，５４がついており、磁気
ヨーク１６の脚１６ｌと１６ｒ上のコイル１８と２０の
巻き方は反対である。書込み制御回路５６を通電導線４
８および５４と接続し、また通電導線５０と５２を接続
することにより、書込み電流は磁気ヨーク１６の脚１６
ｌ内に矢印５８の方向に磁束を生成し、また磁気ヨーク
１６の脚１６ｒ内には矢印６０の方向に磁束を生成す
る。この磁束は第１極１２と第２極１４の間に実質的起
磁力電位差を発生しそれにより効果的書込みプロセスが
行なわれる。この書込みプロセスでは、磁気ヨーク１６
の対称性により磁束ガイド２４中には書込み磁束は流れ
ない。したがって書込みプロセスによる読取りヘッドの
乱れは最少となる。同じ動作は図９に示すようにコイル
１８と２０を接続するために導線４７を置き、内部で二
つのコイルを接続することにより実施できる。
【００２１】読込み操作では、読取り制御回路からの感
知電流は通電導線４２，４４を通ってＭＲ素子３０へ流
れる。感知電流の大きさは、ＭＲ素子３０の抵抗対磁束
特性カーブの直線部に対しＭＲ素子３０がバイアスがか
けられるようにバイアス提供レベルに選ばれる。代りの
方法として、ＭＲ素子３０のバイアスはコイル１８およ
び２０中の低レベルの大きさに選んだ電流による方法も
可能である。図１０に示した実施例では、ＭＲ素子のバ
イアスはコイル１８および２０内の低レベルの大きさに
選んだ電流によってかけることができる。第１の電源４
９は端子４８と５０に接続し、第２の電源５３は端子５
２と５４に接続する。書込み動作の間、電源４９および
５３は電流Ｉを発生し、その結果磁気ヨークの中に脚中
には正味の磁束は生じない。読み取り動作の間、電源４
９は電流ｉを発生し、電源５３は電流−ｉで発生する。
したがって磁気ガイド２４が位置する磁気ヨーク１６の
中心脚中には結果として磁束は加算されることになる。
このバイアス技術に用いられる電流ｉのレベルは十分小
さいので、前に記録されたデータは乱されない。事前に
記録媒体１１中に記録されたデータによりＭＲ素子２８
の抵抗を変化し、それにより発生する信号は従来からＭ
Ｒ感知で行なわれているように読取り制御回路４６によ
り感知される。
【００２２】薄膜磁気ヘッドの実施例の代替法として現
在の望ましい実施例を図１１に示す。この実施例では、
基本的なヘッド構造は図２の実施例と同一である。しか
し、磁気ヨーク１６′の後部仕切６２は図１１中の矢印
で示す如くゆるい軸線方向を伴った逆Ｖ字形をしてい
る。このゆるい軸線の方向は、磁気ヨーク１６′および
磁束ガイド２４′を形成する磁性材の取付け過程で矢印
の方向に適当な磁界をかけることにより達成される。コ
イルに関する同様のバリエーションは図２の実施例に関
して前述した様に行うことができる。
【００２３】薄膜磁気ヘッド１０は、本技術で知られて
いる適当なデポジション及びパターニング技術を用いて
造られる。コイルの底層が先に取付けられる。その次に
アルミナまたは硬焼きのレジストのような誘導材を使っ
て絶縁層を形成する。この層はヨーク構造からコイルを
電気的に絶縁する。第１の極１２を含み直線脚１６ｒに
延びる磁気ヨークの部分が次に取付けられ、次に他のヘ
ッド部品を取り付けるための平面を提供するために絶縁
層７０が取り付けられる。磁束ガイド２４、ＭＲ層３
０、通電導線は磁気ヨークの残りの部分を取り付ける前
に、適当な絶縁層とともに取り付けられる。スロート位
置の起点を決めるため、絶縁層にはコイル１８，２０の
絶縁用硬焼きレジストおよびマウンド７２（図４）を含
めている。アルミナのような適切な形にした誘電性絶縁
材を用いてもよい。
【００２４】磁気ヨーク１６の残りが次に取り付けられ
る。この中には第２極１４および脚１６ｌ、後部仕切２
６、および第１極１２まで延びたすでに取り付けられて
いる磁性材の層と直接接して取り付ける脚１６ｒが含ま
れる。適切な絶縁材を取り付けた後、底部コイル層と電
気的接触をするためにトップのコイル層を取り付けるこ
とが出来るように、かつ磁気ヨーク１６ｌ脚の廻りに螺
旋状に巻いたコイル１８と磁気ヨーク１６ｒ脚の廻りに
螺旋状に巻いたコイル２０とを作ることが出来るように
底部コイル層までバイアスはオープン状態になってい
る。
【００２５】
【発明の効果】前述の手段を実施することにより書込み
動作では磁気ヨークの対称性のため中心脚を流れる磁束
は殆どないので、書き込みプロセスによる読取りヘッド
の乱れは最小限に押えられる。読取り動作中中心脚中の
信号磁束はＭＲ素子中の磁化を著しく回転させる。読取
り、書込みの回路は実質上独立しているので、各回路は
高効率になるように設計ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す磁気ディスクファイル
の簡単な正面図。
【図２】本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの正面
図。
【図３】図２の３−３線に沿う断面図。
【図４】図２の４−４線に沿う断面図。
【図５】磁束ガイドの他の実施例を示す正面図。
【図６】磁束ガイドの他の実施例を示す斜視図。
【図７】磁束ガイドの他の実施例を示す斜視図。
【図８】磁気抵抗素子の他の実施例を示す正面図。
【図９】別のコイルの実施例を示す薄膜磁気ヘッドの正
面図。
【図１０】コイルの更に別の実施例を示す薄膜磁気ヘッ
ドの正面図。
【図１１】本発明を具体化した薄膜磁気ヘッドの別の実
施例の正面図。
【符号の説明】
１０ 書込みヘッド １１ 磁気記録媒体 １２ 第１極 １３ スライダ １４ 第２極 １５ アクチュエータ・アーム １６ 磁気ヨーク １７ サスペンション １８ コイル １９ アクチュエータ手段 ２０ コイル ２１ ピボット点 ２２ 書込みギャップ ２４ 磁束ガイド ２６ 末端（後部仕切） ２７ 強磁性材 ２８ ギャップ（ＭＲ素子） ２９ 非磁性材 ３０ ＭＲ素子 ３４ エヤー・ベアリング ３６ 第一ギャップ絶縁層 ３８ 第二ギャップ絶縁層 ４０ 第三ギャップ絶縁層 ４２ 通電導線 ４４ 通電導線 ４６ 読込み制御回路４６ ４７ 導線 ４８ 通電導線（端子） ４９ 第一の電源 ５０ 通電導線（端子） ５２ 通電導線（端子） ５３ 第２の電源 ５４ 通電導線（端子） ５６ 書込み制御回路 ５８ 矢印方向 ６０ 矢印方向 ６２ 後部仕切 ６４ ＭＲ素子 ６６ 通電導線 ６８ 通電導線 ７２ マウンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルボミール、タラス、ロマンキウ アメリカ合衆国ニューヨーク州、ブライ アークリフ、マナー、ダン、レーン、７ (72)発明者 メイソン、ラマー、ウイリアムズ、ザ、 サード アメリカ合衆国カリフォルニア州、サン ノゼ、バーガス、コート、5826 (56)参考文献 特開 昭62−291713（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−74207（ＪＰ，Ｕ)

Claims (23)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】誘導書込み、磁気抵抗読取り用の集積薄膜
    磁気ヘッドにおいて、 外部脚および中心脚を有し、前記外部脚は、一端で重ね
    合って向き合い、極片間において変換ギャップを有する
    極片を形成し、前記中心脚は開口部を有しかつ前記一端
    で前記極片間に位置しかつ他端において前記外部脚と連
    結して対称形のヨーク構造を形成するオープン磁気ヨー
    クと、 前記中心脚中の前記開口部を横断して連結された磁気抵
    抗素子と、 前記外部脚の各々の上に巻線があり、前記巻線を等しく
    活性化した時に生ずる磁束が前記外部脚の各々の中で等
    しく、方向が反対方向になるような方向に巻かれた巻線
    と、を含むことを特徴とする集積誘導書込み、磁気抵抗
    読取り薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】請求項１記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記磁気抵抗素子が前記磁気ヨークの前記中心脚に
    対し、実質的に垂直の方向に引き延ばされていることを
    特徴とする集積薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】請求項１記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記磁気抵抗素子が前記磁気ヨークの前記中心脚に
    対し、実質的に平行の方向に引き延ばされていることを
    特徴とする集積薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】請求項１記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記磁気ヨークが前記変換ギャップに対し反対方向
    に後部仕切りを有することを特徴とする集積薄膜磁気ヘ
    ッド。
  5. 【請求項５】請求項４記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記後部仕切りが逆Ｖ字形をしていることを特徴と
    する集積薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】請求項５記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記磁気ヨークが前記磁気ヨークの前記中心脚に対
    し、実質的に垂直な方向にゆるやかな軸線を持っている
    ことを特徴とする集積薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】請求項１記載の集積薄膜磁気ヘッドにおい
    て、前記磁気ヨークの前記外部脚が少なくとも変換ギャ
    ップの長さの１００倍の距離だけ離れていることを特徴
    とする集積薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】請求項１記載の磁気読取り／書込みヘッド
    において、前記磁気ヨーク脚が分岐し始めるスロート位
    置の起点を非磁性スペーサ部が決めることを特徴とする
    集積薄膜磁気読取り／書込みヘッド。
  9. 【請求項９】請求項１記載の磁気読取り／書込みヘッド
    において、前記磁気ヨークの少なくとも一部が、強磁性
    材層が非磁性材層により一つ置きに分離される薄膜多層
    構造を含むことを特徴とする集積磁気読取り／書込みヘ
    ッド。
  10. 【請求項１０】請求項１記載の磁気読取り／書込みヘッ
    ドにおいて、前記磁気ヨークの少なくとも一部が非磁性
    材のすべての側面で密閉された強磁性材を含むことを特
    徴とする磁気読取り／書込みヘッド。
  11. 【請求項１１】磁気記録システムにおいて、 データを記録するための複数のトラックを有する磁気記
    録媒体と、前記磁気ヘッドと前記磁気記録構成部との間
    で相対的運動を行う間、前記磁気記録媒体に対し密接に
    接近した位置に保持される集積薄膜磁気ヘッドであって
    外部脚および中心脚を有するオープン磁気ヨークであっ
    て、前記外部脚が一端で重ね合って向き合った極片を形
    成し、前記極片間に変換ギャップを有し、 前記中心脚が開口部を有しかつ前記極片間に位置し、か
    つ他端において前記外部脚と連結して対称形のヨーク構
    造を形成するオープン磁気ヨークと、 前記中心脚中の前記開口部を横断して連結された磁気抵
    抗素子と、 前記外部脚の各々の上の巻線であって、前記巻線を等し
    く活性化した時に生ずる磁束が前記外部脚の各々の中で
    等しく、方向が反対方向になるような方向に巻かれた巻
    線とを含む集積薄膜磁気ヘッドと、 前記媒体上にある選択されたトラック上に前記ヘッドを
    移動させるための前記磁気ヘッドに連結されたアクチュ
    エータ手段と、 データを表現する磁気パターンが前記変換ギャップに隣
    接した領域内にある前記磁気記録媒体上に記録されるよ
    うに、前記磁気ヨーク中の結果的に得られる磁束が前記
    極片間の前記変換ギャップにおいて加えられるように、
    前記巻線の各々の中に予め決められたレベルの電流信号
    を生成する書込みサイクルに対応して操作できる手段
    と、 前記変換ギャップにおいて、読込まれつつある事前に記
    録された磁界に対応して、前記磁気抵抗素子中で磁化を
    回転する読込みサイクルに対応して操作できる手段と、
    を含むことを特徴とする磁気記録システム。
  12. 【請求項１２】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気抵抗素子が前記磁気ヨークの前記中心脚に対し、
    実質的に垂直方向に引き延ばされていることを特徴とす
    るシステム。
  13. 【請求項１３】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記抵抗素子が前記磁気ヨークの前記中心脚に対し、実質
    的に平行の方向に延ばされていることを特徴とするシス
    テム。
  14. 【請求項１４】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークが前記変換ギャップに対し反対方向に後部
    仕切りを有することを特徴とするシステム。
  15. 【請求項１５】請求項１４記載のシステムにおいて、前
    記後部仕切りが逆Ｖ字形の形状であることを特徴とする
    システム。
  16. 【請求項１６】請求項１５記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークが前記磁気ヨークの前記中心脚に対し、実
    質的に垂直な方向にゆるやかな軸線を持っていることを
    特徴とするシステム。
  17. 【請求項１７】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークの前記外部脚が少なくとも変換ギャップの
    長さの１００倍の距離だけ離れていることを特徴とする
    システム。
  18. 【請求項１８】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記アクチュエータ手段が更に回転アクチュエータを含む
    ことを特徴とするシステム。
  19. 【請求項１９】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークが分岐し始めるスロート位置の起点を非磁
    性スペーサ部が決めることを特徴とするシステム。
  20. 【請求項２０】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークの少なくとも一部が、強磁性材層が非磁性
    材層により一つ置きに分離される薄膜多層構造を含むこ
    とを特徴とするシステム。
  21. 【請求項２１】請求項１１記載のシステムにおいて、前
    記磁気ヨークの少なくとも一部が非磁性材のすべての側
    面で密閉されている強磁性材を含むことを特徴とするシ
    ステム。
  22. 【請求項２２】請求項１１記載のシステムにおいて、外
    部脚上の巻線が反対向きに感知するように巻かれている
    ことを特徴とするシステム。
  23. 【請求項２３】請求項２２記載のシステムにおいて、読
    込みサイクルに対応して操作可能な手段が、結果的に生
    ずる磁束が前記磁気ヨークの前記中心脚内で加えられる
    ように前記巻線に対し反対極のバイアス電流ｉを結合す
    るための手段を含むことを特徴とするシステム。
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