JP2008059705A - 垂直通電型磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置。 - Google Patents

垂直通電型磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置。 Download PDF

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Abstract

【課題】素子部、ブリード抵抗電気端子及び上下シールド兼電極を通じたアースとなる基板間のインピーダンスを容易に調整できる磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】垂直通電型の磁気抵抗効果素子と、一対の電極９、１０と、一対の電極と検出回路装置を電気的に接続する一対の第１の導電線１１、１２と、一対の第１の導電線と基板１５を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線１３とを配置して構成される磁気ヘッドにおいて、第１または第２の導電線と基板１５の間に接地された電気的シールド層１６を配置して、その間のキャパシタンスを調整し、素子部１、ブリード抵抗電気端子１６及び上下磁気シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスがプラス/マイナス端子でバランスを取れるようにする。
【選択図】図６

Description

本願発明は垂直通電型磁気ヘッド、ヘッドサスペンション組立体、磁気記録装置に関する。さらに詳しくは、垂直通電型磁気ヘッドのインピーダンスを調整する構造に関する。
ハードディスクドライブ（HDD）の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、巨大磁気抵抗効果型（GMR）読み出しヘッド素子を有するGMRヘッドの特性改善が進んでおり、一方では、GMRヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果型（TMR）読み出しヘッド素子を有するTMRヘッドの開発も積極的に行われている。
TMRヘッドと一般的なGMRヘッドとでは、センス電流の流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なGMRヘッドのように、積層面（膜面）に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をCIP（Current In Plane）構造と呼び、TMRヘッドのように膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すヘッド構造をCPP（Current Perpendicular to Plane）構造と呼んでいる。最近は、後者のCPP構造を有するGMRヘッドの開発も行われている。
トンネル磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気ヘッドの構造を図１に示す。図１（ａ）は磁気ヘッドを膜面垂直方向から見た平面図である。素子部１の左右に強磁性層８が配置され、これらが上下シールド層９、１０に挟まれている。また、上部シールド９、下部シールド１０に導電線１１が接続され、その導電線１１にボンディングパッド１２が配置されている。なお、図面において示す符号はすべての図面において共通の符号を用いている。
図１（ａ）のA-A'での断面図を図１（ｂ）に示す。これは、トンネル磁気抵抗効果素子の断面図に該当し、磁界を検知する素子部１は、自由磁性層２と、固定磁性層３と、固定磁性層３を固定する反強磁性層４と、自由磁性層２と固定磁性層３の間の非磁性層５から構成される。固定磁性層３の磁化は反強磁性層４により一定方向に固定されている。自由磁性層２は媒体磁界に応答して磁化角度が変化する。非磁性層５はAl2O3等の絶縁材料からなる。素子部１の両側には縦バイアス磁界を印加するための強磁性層８がAl2O3等の絶縁層６及びＣｒ等の下地層７を介して配置されている。また、素子部１の上下には、磁気シールドと電極を兼ねた導電層９、１０が接合されている。
図２（ａ）のB-B'断面図を図２（ｂ）に示す。ここで、図２（ａ）は図１（ａ）と同じ磁気ヘッドを膜面垂直方向から見た平面図である。上部シールド９は導電線１１ａと、下部シールド１０は導電線１１ｂと接続されている。したがって、外部に設置された検出回路装置から導電体１１ａ、上部シールド９、素子部１０、下部シールド１０、導電体１１ｂの経路で電流が流れ、媒体磁界に応答した抵抗変化を読み取ることができる。
ここで、磁気ディスク１８の表面は保護膜や潤滑膜等の絶縁物で覆われ、スライダ２４の媒体対向面も保護膜で覆われている。このため、磁気ディスク１８の回転で生じる空気流、即ち気体分子の流れにより、又は対向面と磁気ディスク１８との摺動摩擦によって静電気が発生し、この静電気が磁気ディスク１８やスライダ２４に帯電する。スライダ２４は約0.1um以下の微小な隙間をあけて磁気ディスク１８上で浮上又は摺動するため、空気の絶縁耐圧、或いは保護膜や潤滑剤の耐圧を超えたときに、この帯電した静電気が素子部１に向けて放電される。
一方、TMRヘッドやGMRヘッドなどの特に読み出しヘッド素子は、薄層化が進んでおり、その印加電圧に対する絶縁耐力が非常に低い。読み出しヘッド素子の絶縁耐力が低いと、こうした静電放電（ESD）による素子への悪影響や素子破壊が大きな問題となる。
ESDによる磁気抵抗効果型読み出しヘッド素子への悪影響を排除して信頼性を高めるため、磁気抵抗効果膜を間に挟む下部シールド層及び上部シールド層をグランドに導通させた薄膜磁気ヘッドが特開平11-175931号公報に提案されている。
しかしながら、TMRヘッドやCPP構造のGMRヘッドのように、膜面に対して垂直方向にセンス(感知)電流を流す読み出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいては、下部シールド層及び上部シールド層自体が電極を構成しているため、これらをグランドに導通させて読み出しヘッド素子の遮蔽を行うことができない。
そこで、磁気シールドと基板または磁気抵抗効果素子と基板の間に比較的大きな電気抵抗を有するブリード抵抗電気端子を配置する技術が特開平2002-358611に開示されている。このような構造であれば、膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す読み出しヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいても、静電放電（ESD）による素子への悪影響や素子破壊を防ぐことができる。
特開平2002-358611号公報 特開平11-175931号公報 特開平9-63019号公報 特開2004-206790号公報 特開2005-50418号公報
図３（ａ）にブリード抵抗電気端子を有するトンネル磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気ヘッドの概略回路図を、図３（ｂ）に図３（ａ）の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図を示す。ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂは、引出導体線１１ａ、１１ｂを介して上下磁気シールド兼電極９、１０に、接続ストラップ１４を介して基板１５に電気的に接続されている。この基板１５はスライダ２４に加工され、サスペンション２１、アクチュエータアーム２０、筐体２３を介してグランドに導通される。ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂは、その抵抗値R＋、R-を大きくするためにつづら折の構造をしており、絶縁層（図示しない）を挟んで基板と平行に配置されている。このブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂと基板１５の間のキャパシタンスC+、C-は、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂと基板１５の間に挟まれた絶縁層（図示しない）の膜厚が不均一であるため一定値とするのは困難である。
さらに、電極でもある上部シールド９と下部シールド１０の形状が異なる場合もあり、かかる場合にも、素子部１、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ及び上下磁気シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスはプラス（Ｚ＋）/マイナス（Ｚ−）端子でバランスが取れていない。
そのため、電磁波やインジェクション等の外乱ノイズが基板側から進入した際に、素子部１に電圧が誘起され、リード信号にノイズとして観測され、装置のエラーレート上昇を引き起こすこととなる。
一方、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂの構造等により、素子部１、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ及び上下磁気シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスのプラス（Ｚ＋）/マイナス（Ｚ−）端子でのバランス調整も可能であるが、上下磁気シールド兼電極９、１０の構造を変更した場合などに、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂを設計し直す必要があるため、磁気ヘッドの早期開発の妨げとなっている。
したがって、外乱ノイズが基板側から進入した際でも、素子部１に電圧が誘起されないようにするため、素子部１、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ及び上下シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスを容易に調整できる磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置を提供することを目的とする。
そこで、素子部１、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ及び上下シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスを調整することを可能とする以下の構造及び手段を説明する。
接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、一対の電極とを介して磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、一対の第１の導電線と基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線とを配置して構成される磁気ヘッドで、一対の第１の導電線と基板の間または一対の第２の導電線と基板の間の少なくとも一部に電気的シールド層を有し、その電気的シールド層が接地される構造を有していることを特徴とする。
本願発明の磁気ヘッドは一対の第１の導電線と基板の間または一対の第２の導電線と基板の間に配置する接地される構造を有する電気的シールド層の量を変えることで、第１の導電線と基板の間または第２の導電線と基板の間のキャパシタンスC+、C-を調整し、素子部、ブリード抵抗電気端子及び上下磁気シールド兼電極を通じたアースとなる基板間のインピーダンスがプラス（Ｚ＋）/マイナス（Ｚ−）端子でバランスを取れるようにしたものである。
また、本願発明の磁気ヘッドの製造方法では、接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、一対の電極とを介して磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、一対の第１の導電線と基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線とを配置して構成される磁気ヘッドの製造方法で、一対の第１の導電線と基板の間または一対の第２の導電線と基板の間に磁気抵抗効果膜の膜面内において電気的に分離した複数の接地される構造を有する電気的シールド層を形成し、その接地される構造を切断することで、キャパシタンスを調整することを特徴とする。
キャパシタンスC+、C-は接地される構造を有する電気的シールド層の磁気抵抗効果膜の膜面内の面積により変化するため、あらかじめ電気的に分離された複数の接地される構造を有する電気的シールド層を形成しておき、その接地される構造を電気的に切断することで、容易に前記本願発明の磁気ヘッドを製造することができる。
また、その切断方法としてはイオンミリングや集束イオンビーム(FIB）を用いることができる。イオンミリングは読み出しヘッド素子および書き込みヘッド素子の形成工程で一般的に使用されている技術である。
また、この磁気ヘッドの基板とサスペンションを電気的に接合することで、接地される構造を有するヘッドサスペンション組立体を提供することができる。さらに、この磁気ヘッドの基板がサスペンション、アクチュエータアーム、筐体を介して、グランドに導通することで、外乱ノイズに対して安定性の高い磁気記録装置を提供することができる。
本願発明に係る磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置によれば、素子部１、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ及び上下磁気シールド兼電極９、１０を通じたアースとなる基板間のインピーダンスのバランス調整が可能となり、如いては外乱ノイズに起因する措置のエラーレートの低減を図ることができる。また、磁気ヘッドの開発工程を短縮することができる。
以下、添付した図面に基づき本願発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図４に本願発明に係る磁気ヘッドの第１の実施形態の構成を示す。図４（ａ）は電気的シールド層を有する磁気ヘッドの概略回路図、図４（ｂ）は図４（ａ）の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。
本実施例では、接地される基板１５の上に、磁気抵抗効果素子(素子部１)と、その磁気抵抗効果素子(素子部１)の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極９、１０と、その一対の電極９、１０を介して磁気抵抗効果素子(素子部１)から読み込んだ電気信号を検出回路装置２２に伝達するための一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と、その一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と基板１５を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線（ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ）とを配置して構成される磁気ヘッドで、その一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と基板１の間の一部に接地される構造を有する電気的シールド層１６ａ，１６ｂが配置されている場合である。
本願発明の磁気抵抗効果素子はトンネル効果型磁気抵抗効果素子やＣＰＰ−ＧＭＲなどの垂直通電型の磁気抵抗効果素子であり、本実施例ではトンネル効果型磁気抵抗効果素子を用いている。一対の電極９、１０は上下部の磁気シールドも兼ねており、0.5〜2um程度のNiFe、FeN等を用いる。また、第２の導電線であるブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂはつづら折構造をしており、その抵抗は約1MΩ以上である。また、導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ、ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ）はCu等の導電性材料であればよい。
接地された電気的シールド層１６ａ、１６ｂは遮蔽体として機能するため、第１の導電線と基板の間のキャパシタンスC+、C-が減少し、インピーダンスのバランスを調整することができる。これは、(1)キャパシタンスの減少により、キャパシタンスのバラツキ自体が低減すること、(2)キャパシタンスの調整により、直接インピーダンスバランスを良くすることの２つの理由による。なお、本実施例では、プラス側、マイナス側ともに電気的シールド層１６ａ、１６ｂが配置されているが、前記(2)の理由により、いずれか一方にのみ電気的シールド層が配置される場合でもよい。
なお、基板１５は、例えばAl2O3-TiCからなり、磁気抵抗効果素子、導電線などを作成した後に切断され、スライダ２４に加工される。さらに、スライダ２４は、サスペンション２１、アクチュエータアーム２０及び磁気ディスク１８と共に、これらを支持及び格納する筐体２３等を介してグランドに導通している。したがって、電気的シールド層の接地は例えばスライダ２４(基板１５)と電気的に接続することで実現される。
（第２の実施形態）
図５に本願発明に係る磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図を示す。本実施形態では、第１の実施形態における電気的シールド層が、一対の第２の導電線（ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ）と基板１の間の一部にある点で異なるが、それ以外は第１の実施形態と同様である。第２の導電線と基板の間に電気的シールド層を配置した場合でも、第２の導電線と基板の間のキャパシタンスC+、C-が減少して同様の効果が得られるからである。
（第３の実施形態）
図６に本願発明に係る磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図を示す。本実施形態では、第１の実施形態における電気的シールド層が、一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と基板１の間および一対の第２の導電線（ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ）と基板１の間の両方のそれぞれ一部に配置されている点で異なるが、それ以外は第１の実施形態と同様である。第１の導電線と基板の間および第２の導電線と基板の間のキャパシタンスC+、C-が減少して同様の効果が得られるからである。
第１〜３の実施形態に示すように、第１の導電線と第２の導電線の区別なくいずれかの導電線と基板の間に電気的シールド層を有する場合に同様の効果が得られる。
（第４の実施形態）
図７、図８に本願発明に係る磁気ヘッドの製造方法の第４の実施形態を示す。図７は、第４の実施形態における接地される構造の切断前の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。図７に示すように、接地される基板１５の上に、磁気抵抗効果素子(素子部１)と、その磁気抵抗効果素子(素子部１)の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極９、１０と、その一対の電極９、１０を介して磁気抵抗効果素子(素子部１)から読み込んだ電気信号を検出回路装置２２に伝達するための一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と、その一対の第１の導電線（引出導電線１１ａ、１１ｂ、ボンディングパッド１２ａ、１２ｂ）と基板１を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線（ブリード抵抗電気端子１３ａ、１３ｂ）とを配置して構成される磁気ヘッドで、第２の導電線と基板の間に磁気抵抗効果素子の膜面内に複数の電気的シールド層を形成する。
これらの電気的シールド層は電気的に分離されており、それぞれが接地される構造を有している。したがって、各電気的シールド層は遮蔽板として機能するため、第１の導電線と基板または第２の導電線と基板の間のキャパシタンスC+、C-は従来に比べて小さい状態にある。
次に、プラス側の電極のキャパシタンスC+が小さすぎるためインピーダンスのバランスが悪い場合について説明する。プラス側のキャパシタンスを上げるため、プラス側の第１の導電線と基板または第２の導電線と基板の間の複数の電気的シールド層の中のいずれかの接地される構造を電気的に切断する。図８は第４の実施形態における接地切断後の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。
接地から電気的に切断された電気的シールド層は遮蔽板として機能しないため、キャパシタンスC+は大きくなる。このように接地される構造を電気的に切断する量を変えてキャパシタンスを増減することで、インピーダンスのバランス調整を行う。さらに、キャパシタンスの微調整を行うため、複数の電気的シールド層の膜面内での面積を異なる値にしておき、いずれの接地される構造を電気的に切断するかでキャパシタンス調整量を変えることも可能である。なお、接地される構造の電気的な切断には例えばイオンミリングを用いることができる。
第４の実施形態に記載した磁気ヘッドの製造方法においても、第１の導電線と第２の導電線の区別なく、導電線と基板の間に複数の接地される構造を有する電気的シールド層が配置される場合にも同様の効果が得られる。
また、本願発明に係る磁気ヘッド及びその製造方法は、図１（ａ）に示すようなトンネル磁気抵抗効果型（TMR）読み出しヘッド素子に限らず、CPP構造を有するGMRヘッド素子といった垂直通電型の磁気抵抗効果型読み出しヘッド素子からなる磁気ヘッド及びその製造方法についても、共通に適用することができる。
（第５の実施形態）
図９は本願発明の前述した磁気ヘッドを用いた磁気記録装置の平面図である。磁気ディスク１８は、磁気情報を含み、スピンドルモータ１７によって高速で回転する。アクチュエータアーム２０には、可撓性のステンレスで作られたサスペンション２１が取り付けられている。また、アクチュエータアーム２０は、支軸１９により回転自在に筐体２３に固定され、磁気ディスク１８の略半径方向に移動する。これにより、後で説明するスライダが磁気ディスク１８上を移動して、所定のトラック上で情報の記録/再生を行う。アクチュエータアーム２０の側面には、記録/再生信号を検出する検出回路装置２２が固定される。検出回路装置２２は、センス(感知)電流を磁気抵抗効果素子１に通すことにより、そして磁気抵抗効果素子１での電圧変化を測定することによって、その抵抗値の変化を検出し媒体からの情報を復元する。
図１０は本実施形態のサスペンション２１の拡大斜視図である。スライダ２４はサスペンション２１の下でサスペンション２１に取付けられヘッドサスペンション組立体を構成する。高速で磁気ディスク１８が回転することで、空気をスライダ２４と磁気ディスク１８の間に引き込んで、その加圧によりスライダ２４が浮動する。磁気抵抗効果素子１の電極９、１０及び書き込み素子の電極とボンディングパッド２６ａ〜ｄは導電性トレース２５ａ〜ｄにより電気的に接続されている。ボンディングパッド２６ａ〜ｄは、さらにサスペンション２１上およびアクチュエータアーム２０上の絶縁されている導電性トレース２７ａ〜ｄを介して検出回路装置２２に電気的に接続されている。更に、図３から図８に示す基板１５の電気的な接地は、サスペンション２１に基板を電気的に接合することにより、サスペンション２１、アクチュエータアーム２０を介して筐体に電気的に接続することで接地される。
磁気ヘッドを膜面垂直方向から見た概略図及びその磁気ヘッドのA-A'での断面図である。 磁気ヘッドを膜面垂直方向から見た概略図及びその磁気ヘッドのB-B'での断面図である。 ブリード抵抗電気端子を有するトンネル磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気ヘッドの概略回路図及びその磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 第１の実施形態における磁気ヘッドの概略回路図及びその磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 第２の実施形態における磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 第３の実施形態における磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 第４の実施形態における接地される構造の切断前の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 第４の実施形態における接地される構造の切断後の磁気ヘッドを膜面に垂直な方向から見た平面図である。 本願発明の磁気ヘッドを用いた磁気記録装置の平面図である。 サスペンションの拡大斜視図である。
符号の説明
1素子部(磁気抵抗効果素子)
2自由磁性層
3固定磁性層
4反強磁性層
5非磁性層
6絶縁層
7下地層
8強磁性層
9上部シールド兼電極
10下部シールド兼電極
11引出導体線
12ボンディングパッド
13ブリード抵抗電気端子
14接続ストラップ
15基板
16電気的シールド層
17スピンドルモータ
18磁気ディスク
19支軸
20アクチュエータアーム
21サスペンション
22検出回路装置
23筐体
24スライダ
25導電性トレース
26ボンディングパッド
27導電性トレース

Claims (6)

  1. 接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、
    前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、
    前記一対の電極を介して前記磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板の間または前記一対の第２の導電線と前記基板の間の少なくとも一部に接地される構造を有する電気的シールド層と、を配置して構成されることを特徴とする磁気ヘッド。
  2. 接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、
    前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、
    前記一対の電極を介して前記磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板の間または前記一対の第２の導電線と前記基板の間に前記磁気抵抗効果膜の膜面内において電気的に分離した複数の電気的シールド層とを有し、
    前記複数の電気的シールド層のうち少なくとも一つが接地される構造を有することを特徴とする磁気ヘッド。
  3. 接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、
    前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、
    前記一対の電極を介して前記磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線と、
    前記一対の第１の導電線と前記基板の間または前記一対の第２の導電線と前記基板の間に前記磁気抵抗効果膜の膜面内において電気的に分離した複数の接地される構造を有する電気的シールド層とを形成し、
    前記接地される構造を電気的に切断することで、インピーダンスを調整することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  4. 請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法において、
    前記接地される構造の切断をイオンミリングまたは集束イオンビームにより行うことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  5. 接地される基板上に、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、前記一対の電極を介して前記磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、前記一対の第１の導電線と前記基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線と、前記一対の第１の導電線と前記基板の間または前記一対の第２の導電線と前記基板の間の少なくとも一部に接地される構造を有する電気的シールド層と、を配置して構成される磁気ヘッドと、
    前記基板と電気的に接合される、可撓性を有する導電性のサスペンションと、から構成されることを特徴とするヘッドサスペンション組立体。
  6. 磁気ディスクと、
    接地される基板上に、前記磁気ディスクから記録された情報を読取るための磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直な方向に電流を通電するための一対の電極と、前記一対の電極を介して前記磁気抵抗効果素子から読み込んだ電気信号を外部に伝達するための一対の第１の導電線と、前記一対の第１の導電線と前記基板を電気的に接続して静電気を放電するための一対の第２の導電線と、前記一対の第１の導電線と前記基板の間または前記一対の第２の導電線と前記基板の間の少なくとも一部に接地される構造を有する電気的シールド層と、を配置して構成される磁気ヘッドと、
    前記基板と電気的に接合される、可撓性を有する導電性のサスペンションと、
    前記サスペンションの端部を固定し、導電性材料で作られ筐体に電気的に接続されてなる回動自在なアクチュエータアームと、
    前記一対の第１の導電線に電気的に接続され、前記磁気ディスクから前記磁気抵抗効果素子が読み込んだ電気信号を検出する検出回路と、を有する磁気記録装置。
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