JP3843596B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 56
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体からの磁界を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気記録媒体からの磁界を磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と称する。)によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称する。)においては、MR素子が静電気又は何らかの電気的ストレスにより破壊されてしまい、ヘッド性能が劣化してしまうことが問題となっている。なお、MR素子の破壊の原因となる静電気や電気的ストレスは一般にESD/EOSと称される。ESDはElectro Static Dischargeの略、EOSはElectrical Over Stressの略である。
【0003】
そして、このような問題は、ESD/EOSによってMR素子に過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、MR素子が破壊されてしまうことによって生じるものと考えられる。
【0004】
すなわち、MRヘッドは、ウェハプロセス、加工プロセス、組立プロセス等のプロセスを経て作製されるが、これらのプロセスにおいて、外部からの電荷流入があったときに、当該電荷流入によりMR素子に過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、MR素子が破壊されるものと考えられる。
【0005】
なお、ウェハプロセスとは、MRヘッドを構成する素子をウェハ基板上に形成するプロセスのことである。また、加工プロセスとは、MRヘッドを構成する素子が形成されたウェハ基板を切断して個々のMRヘッドに分割するとともに、それらのMRヘッドに対して所定の機械加工を施すプロセスのことである。また、組立プロセスとは、上記機械加工が完了したMRヘッドをヘッドベースにマウントしたり、MRヘッドの端子を所定の配線に接続するなどして、MRヘッドが搭載された磁気ヘッド装置を組み立てるプロセスのことである。
【0006】
また、ESD/EOSによるMR素子の破壊は、上述のような製造プロセス中だけでなく、磁気ヘッド装置にMRヘッドを組み込んだ後においても生じる場合がある。すなわち、例えば、MRヘッドをハードディスク装置に組み込んだときに、磁気ディスクからMRヘッドに電荷が流入し、これにより、MR素子に過電流が流れてしまうような場合がある。そして、このような過電流も、MR素子の破壊を引き起こす要因の一つとなる。
【0007】
そして、このようなESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するために、従来より、MRヘッドのABS(Air Bearing Surface)面をDLC膜(ダイヤモンド状炭素膜)でコーティングする方法や、MRヘッドのABS面をタングステン等の金属膜でコーティングする方法が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ABS面をDLC膜や金属膜でコーティングしても、ESD/EOSによるMR素子の破壊を完全に防ぐことはできない。
【0009】
また、MRヘッドのABS面をコーティングする方法は、磁気ヘッド装置にMRヘッドを組み込んだ後において生じるMR素子の破壊の防止には効果があるが、ABS面のコーティングは、通常、MRヘッドの製造プロセスのうち、最終段階でなされることとなるため、それ以前の工程におけるMR素子の破壊を防止することはできない。
【0010】
更に、ABS面を金属膜でコーティングした場合には、当該金属膜によりMR素子が短絡することとなるので、再生出力が低下してしまうという問題もある。
【0011】
本発明は、以上のような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体からの磁界をMR素子によって検出するMRヘッドにおいて、ABS面をコーティングするような方法によることなく、ESD/EOSによるMR素子の破壊が生じないようにすることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMRヘッドは、感磁部としてMR素子を用いたヘッド素子が基板上に形成されてなり、上記MR素子に対して並列に接続されたコンデンサを備えている。そして、上記基板は導電性を有する材料からなり、当該基板が上記コンデンサを構成する電極のうちの一つとされる。
【0013】
このMRヘッドでは、コンデンサがMR素子に対して並列に接続されているので、外部からの電荷の流入等によりMR素子に高電圧が加わったような場合には、主にコンデンサの側に電流が流れる。したがって、このMRヘッドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、MR素子に過電流が流れるようなことはない。すなわち、このMRヘッドにおいて、MR素子に対して並列に接続されたコンデンサは、MR素子に過電流が流れるのを防止するように作用する。
【0014】
しかも、このMRヘッドでは、ヘッド素子が形成されている基板を、MR素子に過電流が流れるのを防止するためのコンデンサの電極の一つとしている。このように基板をコンデンサの電極として使用した場合には、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定することができる。そして、コンデンサの容量を十分に大きく設定しておけば、MR素子に非常に大きな電圧が加わったとしても、そのときに流れる電荷は殆どコンデンサの側に流入することとなるので、ESD/EOSによるMR素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
【0015】
また、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用するようにした場合には、MRヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、当該コンデンサを形成しておくことが可能となる。このように、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを、ヘッド素子を形成する前の段階で形成しておくようにすれば、MRヘッドの作製中においても、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0017】
<第1の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第1の例を図1及び図2に示す。なお、図1は、第1の例として挙げる磁気ヘッド1Aについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。また、図2は、当該磁気ヘッド1Aの断面図である。
【0018】
この磁気ヘッド1Aは、ハードディスク装置等に用いられる磁気ヘッドであり、導電材料からなる基板2上に、本発明を適用したMRヘッドが形成されてなるとともに、当該MRヘッド上にインダクティブ型磁気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、MRヘッドは、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダクティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作するものである。
【0019】
このMRヘッドは、いわゆるシールド型MRヘッドであり、基板2上に絶縁層3を介して形成された導電膜4と、導電膜4上に絶縁層3を介して形成された第1の磁気シールド5と、第1の磁気シールド5上に絶縁層3を介して形成されたMR素子6と、MR素子6上に絶縁層3を介して形成された第2の磁気シールド7とを備えている。
【0020】
基板2は、Al2O3−TiC等のような導電材料からなる。そして、この基板2は、磁気ヘッド1Aの製造プロセス中、並びにこの磁気ヘッド1Aをハードディスク装置等に組み込んだときに、グランド電位に接地される。
【0021】
絶縁層3は、Al2O3やSiO2等のような絶縁材料からなる。なお、図1及び図2では、絶縁層3の層構造を図示していないが、この磁気ヘッド1Aは、当該磁気ヘッド1Aを構成する各層を基板2上に積層して形成していくので、絶縁層3は実際には複数の層からなる。
【0022】
導電膜4は、Cr,Ti,Ta,W,Mo,Cu又はこれらの合金等のような導電材料からなる。この導電膜4は、絶縁層3を介して基板2に対向しており、この導電膜4と基板2とによってコンデンサが構成される。
【0023】
ここで、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサの容量は、基板2と導電膜4との間の絶縁層3の誘電率をε、基板2と導電膜4との間隔をd、導電膜4の面積をSとしたとき、下記式(1)で表される。
【0024】
C=ε・S/d ・・・(1)
したがって、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサの容量は、基板2と導電膜4との間隔dや、導電膜4の面積Sを変えることにより、自由に設定することができる。
【0025】
なお、ESD/EOSによるMR素子6の破壊を防止するためには、このコンデンサの容量を十分に大きく設定しておくことが好ましい。したがって、基板2と導電膜4との間隔dは、絶縁破壊が生じない程度に、なるべく小さくしたほうが好ましい。また、導電膜4の面積Sは、できるだけ大きくしたほうが好ましい。ここで、導電膜4の面積Sは、最大で基板2の上部平面の面積と同じにまで増やすことが可能である。
【0026】
なお、導電膜4の面積Sを基板2の上部平面の面積と同じにした場合には、磁気ヘッド1Aの側面から導電膜2が露呈することとなる。しかし、磁気ヘッド1Aの側面での短絡を防止するという観点から、磁気ヘッド1Aの側面からは、導電膜2が露呈していないことが好ましい。したがって、導電膜4は、磁気ヘッド1Aの側面から外部に露呈しない範囲で、当該導電膜4の面積Sをできるだけ大きくすることが好ましい。
【0027】
そして、導電膜4上には、絶縁層3を介して第1の磁気シールド5が形成されている。第1の磁気シールド5は、MR素子6の下層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。そして、この第1の磁気シールド5上に、絶縁層3を介してMR素子6が形成されている。
【0028】
MR素子6は、外部磁界の大きさによって抵抗値が変化する素子であり、例えば、Ta膜,NiFeNb膜,Ta膜,NiFe膜,Ta膜がスパッタリング法により、この順に積層されてなる。MR素子6をこのような構成とした場合、磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であるNiFe膜が感磁部となる。また、NiFeNb膜が、NiFe膜に対して垂直バイアス磁界を印加するための軟磁性膜(いわゆるSoft Adjacent Layer)となる。なお、MR素子6の構成は、上記の例に限るものではなく、システムの要求等に応じて適切なものを用いるようにすればよく、例えば、いわゆる巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto-Resistance effect)を示すようなMR素子を用いるようにしてもよい。
【0029】
このMR素子6は、略矩形状に形成されてなり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するようになされている。そして、このMR素子6の両端には、当該MR素子6に対して水平バイアス磁界を印加するための永久磁石膜8,9がそれぞれ配されている。
【0030】
永久磁石膜8,9は、MR素子6に対して水平バイアス磁界を印加して、当該MR素子6の動作の安定化を図るためのものである。この永久磁石膜8,9の材料としは、保磁力が大きい硬質磁性材が好ましく、具体的には、CoNiPtやCoCrPt等が好適である。
【0031】
また、MR素子6の一端に接するように配された永久磁石膜8には、第1の導体10が接続されており、同様に、MR素子6の他端に接するように配された永久磁石膜9には、第2の導体11が接続されている。これらの導体10,11は、MR素子6に対して、センス電流を供給するためのものであり、例えば、Cr,Ti,Ta,W,Mo,Cu又はこれらの合金等からなる。
【0032】
ここで、第1の導体10は、永久磁石膜8に接続されている側の端部は絶縁層3に埋設するように形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように形成されている。そして、外部に露呈している部分が、このMRヘッドの第1の外部接続用端子となる。そして、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、この第1の外部接続用端子から第1の導体10を介して、MR素子6にセンス電流が供給されることとなる。
【0033】
同様に、第2の導体11も、永久磁石膜9に接続されている側の端部は絶縁層3に埋設するように形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように形成されている。そして、外部に露呈している部分が、このMRヘッドの第2の外部接続用端子となる。この第2の外部接続用端子は、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、グランド電位に接地される。
【0034】
また、第1の導体10の下層には、絶縁層3が形成されているが、当該絶縁層3には開口部が形成されており、第1の導体10は、当該開口部を通して導電膜4に接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、導電膜4は、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、第2の導体11は導電膜4に接続されてはいない。
【0035】
そして、以上のように形成されたMR素子6、永久磁石膜8,9及び導体10,11の上には、絶縁層3を介して第2の磁気シールド7が形成されている。第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。なお、第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、このMRヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねている。
【0036】
以上のようなMRヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第2の磁気シールド7及び上層コア12によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル13とを備えている。
【0037】
上層コア12は、第2の磁気シールド12と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。ここで、第2の磁気シールド7及び上層コア12は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第2の磁気シールド7及び上層コア12が互いに接するように形成されている。ここで、第2の磁気シールド7及び上層コア12の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第2の磁気シールド7及び上層コア12が所定の間隙t1をもって離間するように形成されている。
【0038】
すなわち、この磁気ヘッド1Aにおいて、第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第2の磁気シールド7と上層コア12によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして、磁気記録媒体対向面における第2の磁気シールド7と上層コア12との間隙t1が、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。
【0039】
また、第2の磁気シールド7上には、絶縁層3に埋設された薄膜コイル13が形成されている。ここで、薄膜コイル13は、第2の磁気シールド7及び上層コア12からなる磁気コアを巻回するように形成されている。なお、図示していないが、この薄膜コイル13の両端部は、外部に露呈するようになされている。そして、薄膜コイル13の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル12に記録電流が供給されることとなる。
【0040】
以上のような磁気ヘッド1Aでは、基板2と導電膜4とから構成されるコンデンサが、MR素子6に過電流が流れるのを防止するように作用する。以下、このことについて、上記MRヘッドの等価回路である図3を参照しながら説明する。
【0041】
なお、図3中の点線Aの部分は、MR素子6の破壊の原因となる電荷流入源を表している。すなわち、ここでは、MR素子6の破壊の原因となる電荷流入源を、直流電源Eと抵抗Rとによってモデル化している。
【0042】
図3に示すように、MR素子6の一端は外部回路に接続され、このMRヘッドの駆動時には、外部回路からMR素子6にセンス電流Isが供給される。なお、外部回路に接続されるのは、MR素子6の端部のうち、第1の導体10が接続された側であり、第1の外部接続用端子が外部回路に接続される。そして、MR素子6の他端は、第2の導体11を介してグランド電位に接地される。すなわち、第2の外部接続用端子はグランド電位に接続される。
【0043】
そして、このMRヘッドでは、MR素子6の第1の導体10が接続された側に、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1が、MR素子6に対して並列に接続されている。ここで、コンデンサC1のMR素子6に接続されている側は、導電体4に相当する。一方、MR素子6と接続されていない側は、基板2に相当し、グランド電位に接地される。なお、図3中の抵抗R1は、MR素子6と導電膜4との間の抵抗(すなわち第1の導体10の抵抗)を示している。
【0044】
なお、実際には、MR素子6の部分にも寄生容量が生じるが、当該寄生容量は、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の容量に比べて非常に小さいので、ここでは無視する。
【0045】
このMRヘッドにおいて、図3中の点線Aで示した電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コンデンサC1の側に流れる電流I1は下記式(2)で表され、MR素子6の側に流れる電流I2は下記式(3)で表される。なお、下記式(2)及び式(3)では、MR素子6の抵抗値をRmr、抵抗R1の抵抗値をR1、コンデンサC1の容量をC1とし、また、電荷流入源となる直流電源Eの電圧値をE、直流電源EとMR素子6との間の抵抗Rの抵抗値をRとしている。
【0046】
【数1】
【0047】
上記式(1)及び式(2)に示すように、コンデンサC1の側に流れる電流I1、及びMR素子6の側に流れる電流I2は、ある時定数を持って変化する。具体的には、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コンデンサC1の側に流れる電流I1、及びMR素子6の側に流れる電流I2は、図4に示すように変化する。
【0048】
図4から分かるように、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、始めのうちは、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の側に電流が流れ、MR素子6の側に電流は殆ど流れない。
【0049】
そして、ESD/EOSによるMR素子の破壊は、瞬間的に高い電圧が印加された場合に生じるものなので、実際には直流電源Eはある時定数を持つ電源となる。したがって、コンデンサC1が十分な容量も持っており、コンデンサC1の側が十分に大きな時定数を持っていれば、MR素子6の側には殆ど電流が流れないこととなる。
【0050】
そして、上記MRヘッドでは、上述したように、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の容量を、基板2と導電膜4との間隔dや、導電膜4の面積Sを変えることにより、自由に設定することができる。そこで、外部からの電荷の流入に対して、コンデンサC1の側が十分に大きな時定数を持つように、コンデンサC1の容量を設定しておけば、外部から電荷の流入があったとしても、MR素子6の側には殆ど電流が流れなくなり、MR素子6が破壊されてしまうようなことはなくなる。
【0051】
なお、コンデンサC1に蓄積された電荷がMR素子6に流入すると、当該電荷の進入によってMR素子6が破壊されてしまうようなことも考えられる。しかし、実際には、MR素子6とコンデンサC1との間には抵抗R1が存在しており、当該抵抗R1によって電力が消費されるので、コンデンサC1に蓄積された電荷がMR素子6に大きなダメージを与えてしまうようなことはない。
【0052】
以上のように、上記MRヘッドでは、外部から電荷が流入したときに、当該電荷が基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1に蓄積されるので、MR素子6が破壊されてしまうようなことはない。
【0053】
しかも、上記磁気ヘッド1Aでは、MRヘッドを基板2上に形成するにあたって、MR素子6を形成する前に、導電膜4を形成することとなるので、外部からの電荷の流入があったときに電流を逃がす経路が、MR素子6を形成する前から存在することとなる。したがって、上記磁気ヘッド1Aでは、当該磁気ヘッド1Aの製造プロセス全体にわたって、ESD/EOSによるMR素子6の破壊を回避することができる。
【0054】
<第2の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第2の例を図5に示す。なお、図5は、第2の例として挙げる磁気ヘッド1Bについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。なお、図5並びに後掲する図6乃至図11では、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aと同様な部材については、図1及び図2と同じ符号を付している。そして、以下の説明において、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部材については、説明を省略する。
【0055】
図5に示した磁気ヘッド1Bでは、第1の導体10の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が第1の磁気シールド5に接続されている。なお、図5では、第1の導体10と第1の磁気シールド5とが接続されている部分を円B1で囲って示している。
【0056】
この磁気ヘッド1Bでは、導電膜4、第1の磁気シールド5及びMR素子6が、同電位とされるので、ESD/EOSによるMR素子6の破壊に対する耐性をより高めることができる。
【0057】
<第3の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第3の例を図6乃至図8に示す。なお、図6は、第3の例として挙げる磁気ヘッド1Cについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。また、図7は、当該磁気ヘッド1Cについて、第1の導体10を通る平面で切断した断面図である。また、図8は、当該磁気ヘッド1Cについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。
【0058】
図6乃至図8に示した磁気ヘッド1Cは、基板2上に絶縁層3を介して形成された第1の導電膜4aと、第1の導電膜4a上に絶縁層3を介して形成された第2の導電膜4bとを備えており、第2の導電膜4b上に絶縁層3を介して第1の磁気シールド5が形成されている。換言すれば、この磁気ヘッド1Cは、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aにおける導電膜4の代わりに、第1の導電膜4a及び第2の導電膜4bを備えている。
【0059】
この磁気ヘッド1Cでは、図6及び図7に示すように、第1の導体10の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が第1の導電膜4aに接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、第1の導電膜4aは、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、第2の導体11は第1の導電膜4aに接続されてはいない。
【0060】
また、図8に示すように、第2の導体11の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が第2の導電膜4bに接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、第2の導電膜4bは、MR素子6の他端に電気的に接続されている。なお、第1の導体10は第2の導電膜4bに接続されてはいない。
【0061】
この磁気ヘッド1Cでは、基板2と第1の導電膜4aとによってコンデンサが構成されるとともに、第1の導電膜4aと第2の電電膜4bとによってもコンデンサが構成される。ここで、基板2と第1の導電膜4aとによって構成されるコンデンサの容量をCaとし、第1の導電膜4aと第2の電電膜4bとによって構成されるコンデンサの容量Cbとする。
【0062】
この場合、回路的には、これら2つのコンデンサが並列に接続することになり、それら全体としての容量Cは、C=Ca+Cbとなる。したがって、この磁気ヘッド1Cでは、上記磁気ヘッド1A,1Bに比べて、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの容量を大きくすることができる。すなわち、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを構成するために、2枚の導電膜4a,4bを用いるようにすることで、ESD/EOSによるMR素子の破壊をより生じ難くすることができる。
【0063】
<第4の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第4の例を図9に示す。なお、図9は、第4の例として挙げる磁気ヘッド1Dについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。なお、図9では、図6乃至図8に示した磁気ヘッド1Cと同様な部材については、図6乃至図8と同じ符号を付している。そして、以下の説明において、図6及び図8に示した磁気ヘッド1Cと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部材については、説明を省略する。
【0064】
図9に示した磁気ヘッド1Dでは、第2の導体11の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が第1の磁気シールド5に接続されている。なお、図9では、第2の導体11と第1の磁気シールド5とが接続されている部分を円B2で囲って示している。
【0065】
この磁気ヘッド1Dでは、第2の導電膜4b、第1の磁気シールド5及びMR素子6が、同電位とされるので、ESD/EOSによるMR素子6の破壊に対する耐性をより高めることができる。
【0066】
<第5の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第5の例を図10及び図11に示す。なお、図10は、第5の例として挙げる磁気ヘッド1Eについて、第1の導体10を通る平面で切断した断面図である。また、図11は、当該磁気ヘッド1Eについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。
【0067】
この磁気ヘッド1Eは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に、絶縁層3aを介して導電膜4cが形成され、更に当該導電膜4cの上に絶縁層3bが形成されてなる。
【0068】
この磁気ヘッド1Eでは、図10に示すように、第1の導体10上に絶縁層3が形成されるとともに、当該絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が外部に露呈するようになされている。そして、この部分が第1の外部接続用端子とされている。また、図11に示すように、第2の導体11上に絶縁層3が形成されるとともに、当該絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が外部に露呈するようになされている。そして、この部分が第2の外部接続用端子とされている。
【0069】
そして、この磁気ヘッド1Eでは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に絶縁層3aを介して形成された導電膜4cが、図10に示すように、第1の導体10に接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、導電膜4cは、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、図11に示すように、第2の導体11は導電膜4cに接続されてはいない。
【0070】
この磁気ヘッド1Eでは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に絶縁層3aを介して形成された導電膜4cと基板2とによって、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサが構成される。このような構成は、基板2が厚く、基板2の上部平面の面積よりも、磁気記録媒体対向面の反対側の面の面積のほうが大きい場合に、特に好適である。
【0071】
以上、本発明の実施の形態として、5つの例を挙げたが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。すなわち、本発明に係るMRヘッドは、ヘッド素子が形成される基板を、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として用いることを特徴としており、その他の構成については特に限定されるものではない。したがって、例えば、基板の下部平面側(すなわちヘッド素子が形成されない側)に、絶縁層を介して導電膜を形成することにより、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを構成するようにしてもよい。
【0072】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係るMRヘッドでは、MR素子に対してコンデンサを並列に接続しているので、外部からの電荷の流入等によりMR素子に高電圧が加わったような場合には、コンデンサに電荷が流入する。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、MR素子に過電流が流れるようなことはない。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊が生じ難い。
【0073】
しかも、本発明に係るMRヘッドでは、上記コンデンサを構成する電極として基板を用いているので、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定することが可能である。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの容量を十分に大きく設定することが可能であり、ESD/EOSによるMR素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
【0074】
更に、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用するようにしてるので、MRヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを形成しておくことが可能となる。したがって、本発明よれば、MRヘッドの作製中におけるMR素子の破壊も防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの一例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図2】図1に示した磁気ヘッドについて、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図3】図1に示した磁気ヘッドに備えられたMRヘッドの等価回路を示す図である。
【図4】基板と導電膜とから構成されるコンデンサの側に流れる電流I1と、MR素子の側に流れる電流I2とについて、外部から電荷が流入してきたときの経時変化を示す図である。
【図5】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図6】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図7】図6に示した磁気ヘッドについて、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図8】図6に示した磁気ヘッドについて、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図9】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図10】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図11】図10に示した磁気ヘッドについて、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【符号の説明】
1 磁気ヘッド、 2 基板、 3 絶縁層、 4 導電膜、 5 第1の磁気シールド、 6 MR素子、 7 第2の磁気シールド、 8,9 永久磁石膜、 10 第1の導体、 11 第2の導体、 12 上層コア、 13 薄膜コイル
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体からの磁界を磁気抵抗効果素子によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気記録媒体からの磁界を磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と称する。)によって検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称する。)においては、MR素子が静電気又は何らかの電気的ストレスにより破壊されてしまい、ヘッド性能が劣化してしまうことが問題となっている。なお、MR素子の破壊の原因となる静電気や電気的ストレスは一般にESD/EOSと称される。ESDはElectro Static Dischargeの略、EOSはElectrical Over Stressの略である。
【0003】
そして、このような問題は、ESD/EOSによってMR素子に過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、MR素子が破壊されてしまうことによって生じるものと考えられる。
【0004】
すなわち、MRヘッドは、ウェハプロセス、加工プロセス、組立プロセス等のプロセスを経て作製されるが、これらのプロセスにおいて、外部からの電荷流入があったときに、当該電荷流入によりMR素子に過電流が流れ、この過電流による発熱や当該過電流により発生する磁場の影響で、MR素子が破壊されるものと考えられる。
【0005】
なお、ウェハプロセスとは、MRヘッドを構成する素子をウェハ基板上に形成するプロセスのことである。また、加工プロセスとは、MRヘッドを構成する素子が形成されたウェハ基板を切断して個々のMRヘッドに分割するとともに、それらのMRヘッドに対して所定の機械加工を施すプロセスのことである。また、組立プロセスとは、上記機械加工が完了したMRヘッドをヘッドベースにマウントしたり、MRヘッドの端子を所定の配線に接続するなどして、MRヘッドが搭載された磁気ヘッド装置を組み立てるプロセスのことである。
【0006】
また、ESD/EOSによるMR素子の破壊は、上述のような製造プロセス中だけでなく、磁気ヘッド装置にMRヘッドを組み込んだ後においても生じる場合がある。すなわち、例えば、MRヘッドをハードディスク装置に組み込んだときに、磁気ディスクからMRヘッドに電荷が流入し、これにより、MR素子に過電流が流れてしまうような場合がある。そして、このような過電流も、MR素子の破壊を引き起こす要因の一つとなる。
【0007】
そして、このようなESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するために、従来より、MRヘッドのABS(Air Bearing Surface)面をDLC膜(ダイヤモンド状炭素膜)でコーティングする方法や、MRヘッドのABS面をタングステン等の金属膜でコーティングする方法が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ABS面をDLC膜や金属膜でコーティングしても、ESD/EOSによるMR素子の破壊を完全に防ぐことはできない。
【0009】
また、MRヘッドのABS面をコーティングする方法は、磁気ヘッド装置にMRヘッドを組み込んだ後において生じるMR素子の破壊の防止には効果があるが、ABS面のコーティングは、通常、MRヘッドの製造プロセスのうち、最終段階でなされることとなるため、それ以前の工程におけるMR素子の破壊を防止することはできない。
【0010】
更に、ABS面を金属膜でコーティングした場合には、当該金属膜によりMR素子が短絡することとなるので、再生出力が低下してしまうという問題もある。
【0011】
本発明は、以上のような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体からの磁界をMR素子によって検出するMRヘッドにおいて、ABS面をコーティングするような方法によることなく、ESD/EOSによるMR素子の破壊が生じないようにすることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMRヘッドは、感磁部としてMR素子を用いたヘッド素子が基板上に形成されてなり、上記MR素子に対して並列に接続されたコンデンサを備えている。そして、上記基板は導電性を有する材料からなり、当該基板が上記コンデンサを構成する電極のうちの一つとされる。
【0013】
このMRヘッドでは、コンデンサがMR素子に対して並列に接続されているので、外部からの電荷の流入等によりMR素子に高電圧が加わったような場合には、主にコンデンサの側に電流が流れる。したがって、このMRヘッドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、MR素子に過電流が流れるようなことはない。すなわち、このMRヘッドにおいて、MR素子に対して並列に接続されたコンデンサは、MR素子に過電流が流れるのを防止するように作用する。
【0014】
しかも、このMRヘッドでは、ヘッド素子が形成されている基板を、MR素子に過電流が流れるのを防止するためのコンデンサの電極の一つとしている。このように基板をコンデンサの電極として使用した場合には、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定することができる。そして、コンデンサの容量を十分に大きく設定しておけば、MR素子に非常に大きな電圧が加わったとしても、そのときに流れる電荷は殆どコンデンサの側に流入することとなるので、ESD/EOSによるMR素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
【0015】
また、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用するようにした場合には、MRヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、当該コンデンサを形成しておくことが可能となる。このように、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを、ヘッド素子を形成する前の段階で形成しておくようにすれば、MRヘッドの作製中においても、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0017】
<第1の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第1の例を図1及び図2に示す。なお、図1は、第1の例として挙げる磁気ヘッド1Aについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。また、図2は、当該磁気ヘッド1Aの断面図である。
【0018】
この磁気ヘッド1Aは、ハードディスク装置等に用いられる磁気ヘッドであり、導電材料からなる基板2上に、本発明を適用したMRヘッドが形成されてなるとともに、当該MRヘッド上にインダクティブ型磁気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、MRヘッドは、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダクティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作するものである。
【0019】
このMRヘッドは、いわゆるシールド型MRヘッドであり、基板2上に絶縁層3を介して形成された導電膜4と、導電膜4上に絶縁層3を介して形成された第1の磁気シールド5と、第1の磁気シールド5上に絶縁層3を介して形成されたMR素子6と、MR素子6上に絶縁層3を介して形成された第2の磁気シールド7とを備えている。
【0020】
基板2は、Al2O3−TiC等のような導電材料からなる。そして、この基板2は、磁気ヘッド1Aの製造プロセス中、並びにこの磁気ヘッド1Aをハードディスク装置等に組み込んだときに、グランド電位に接地される。
【0021】
絶縁層3は、Al2O3やSiO2等のような絶縁材料からなる。なお、図1及び図2では、絶縁層3の層構造を図示していないが、この磁気ヘッド1Aは、当該磁気ヘッド1Aを構成する各層を基板2上に積層して形成していくので、絶縁層3は実際には複数の層からなる。
【0022】
導電膜4は、Cr,Ti,Ta,W,Mo,Cu又はこれらの合金等のような導電材料からなる。この導電膜4は、絶縁層3を介して基板2に対向しており、この導電膜4と基板2とによってコンデンサが構成される。
【0023】
ここで、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサの容量は、基板2と導電膜4との間の絶縁層3の誘電率をε、基板2と導電膜4との間隔をd、導電膜4の面積をSとしたとき、下記式(1)で表される。
【0024】
C=ε・S/d ・・・(1)
したがって、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサの容量は、基板2と導電膜4との間隔dや、導電膜4の面積Sを変えることにより、自由に設定することができる。
【0025】
なお、ESD/EOSによるMR素子6の破壊を防止するためには、このコンデンサの容量を十分に大きく設定しておくことが好ましい。したがって、基板2と導電膜4との間隔dは、絶縁破壊が生じない程度に、なるべく小さくしたほうが好ましい。また、導電膜4の面積Sは、できるだけ大きくしたほうが好ましい。ここで、導電膜4の面積Sは、最大で基板2の上部平面の面積と同じにまで増やすことが可能である。
【0026】
なお、導電膜4の面積Sを基板2の上部平面の面積と同じにした場合には、磁気ヘッド1Aの側面から導電膜2が露呈することとなる。しかし、磁気ヘッド1Aの側面での短絡を防止するという観点から、磁気ヘッド1Aの側面からは、導電膜2が露呈していないことが好ましい。したがって、導電膜4は、磁気ヘッド1Aの側面から外部に露呈しない範囲で、当該導電膜4の面積Sをできるだけ大きくすることが好ましい。
【0027】
そして、導電膜4上には、絶縁層3を介して第1の磁気シールド5が形成されている。第1の磁気シールド5は、MR素子6の下層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。そして、この第1の磁気シールド5上に、絶縁層3を介してMR素子6が形成されている。
【0028】
MR素子6は、外部磁界の大きさによって抵抗値が変化する素子であり、例えば、Ta膜,NiFeNb膜,Ta膜,NiFe膜,Ta膜がスパッタリング法により、この順に積層されてなる。MR素子6をこのような構成とした場合、磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であるNiFe膜が感磁部となる。また、NiFeNb膜が、NiFe膜に対して垂直バイアス磁界を印加するための軟磁性膜(いわゆるSoft Adjacent Layer)となる。なお、MR素子6の構成は、上記の例に限るものではなく、システムの要求等に応じて適切なものを用いるようにすればよく、例えば、いわゆる巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto-Resistance effect)を示すようなMR素子を用いるようにしてもよい。
【0029】
このMR素子6は、略矩形状に形成されてなり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するようになされている。そして、このMR素子6の両端には、当該MR素子6に対して水平バイアス磁界を印加するための永久磁石膜8,9がそれぞれ配されている。
【0030】
永久磁石膜8,9は、MR素子6に対して水平バイアス磁界を印加して、当該MR素子6の動作の安定化を図るためのものである。この永久磁石膜8,9の材料としは、保磁力が大きい硬質磁性材が好ましく、具体的には、CoNiPtやCoCrPt等が好適である。
【0031】
また、MR素子6の一端に接するように配された永久磁石膜8には、第1の導体10が接続されており、同様に、MR素子6の他端に接するように配された永久磁石膜9には、第2の導体11が接続されている。これらの導体10,11は、MR素子6に対して、センス電流を供給するためのものであり、例えば、Cr,Ti,Ta,W,Mo,Cu又はこれらの合金等からなる。
【0032】
ここで、第1の導体10は、永久磁石膜8に接続されている側の端部は絶縁層3に埋設するように形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように形成されている。そして、外部に露呈している部分が、このMRヘッドの第1の外部接続用端子となる。そして、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、この第1の外部接続用端子から第1の導体10を介して、MR素子6にセンス電流が供給されることとなる。
【0033】
同様に、第2の導体11も、永久磁石膜9に接続されている側の端部は絶縁層3に埋設するように形成されているが、他方の端部は外部に露呈するように形成されている。そして、外部に露呈している部分が、このMRヘッドの第2の外部接続用端子となる。この第2の外部接続用端子は、磁気記録媒体からの磁気信号の再生時には、グランド電位に接地される。
【0034】
また、第1の導体10の下層には、絶縁層3が形成されているが、当該絶縁層3には開口部が形成されており、第1の導体10は、当該開口部を通して導電膜4に接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、導電膜4は、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、第2の導体11は導電膜4に接続されてはいない。
【0035】
そして、以上のように形成されたMR素子6、永久磁石膜8,9及び導体10,11の上には、絶縁層3を介して第2の磁気シールド7が形成されている。第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。なお、第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、このMRヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねている。
【0036】
以上のようなMRヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第2の磁気シールド7及び上層コア12によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル13とを備えている。
【0037】
上層コア12は、第2の磁気シールド12と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ni−Fe等のような軟磁性材からなる。ここで、第2の磁気シールド7及び上層コア12は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第2の磁気シールド7及び上層コア12が互いに接するように形成されている。ここで、第2の磁気シールド7及び上層コア12の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第2の磁気シールド7及び上層コア12が所定の間隙t1をもって離間するように形成されている。
【0038】
すなわち、この磁気ヘッド1Aにおいて、第2の磁気シールド7は、MR素子6の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第2の磁気シールド7と上層コア12によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして、磁気記録媒体対向面における第2の磁気シールド7と上層コア12との間隙t1が、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。
【0039】
また、第2の磁気シールド7上には、絶縁層3に埋設された薄膜コイル13が形成されている。ここで、薄膜コイル13は、第2の磁気シールド7及び上層コア12からなる磁気コアを巻回するように形成されている。なお、図示していないが、この薄膜コイル13の両端部は、外部に露呈するようになされている。そして、薄膜コイル13の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル12に記録電流が供給されることとなる。
【0040】
以上のような磁気ヘッド1Aでは、基板2と導電膜4とから構成されるコンデンサが、MR素子6に過電流が流れるのを防止するように作用する。以下、このことについて、上記MRヘッドの等価回路である図3を参照しながら説明する。
【0041】
なお、図3中の点線Aの部分は、MR素子6の破壊の原因となる電荷流入源を表している。すなわち、ここでは、MR素子6の破壊の原因となる電荷流入源を、直流電源Eと抵抗Rとによってモデル化している。
【0042】
図3に示すように、MR素子6の一端は外部回路に接続され、このMRヘッドの駆動時には、外部回路からMR素子6にセンス電流Isが供給される。なお、外部回路に接続されるのは、MR素子6の端部のうち、第1の導体10が接続された側であり、第1の外部接続用端子が外部回路に接続される。そして、MR素子6の他端は、第2の導体11を介してグランド電位に接地される。すなわち、第2の外部接続用端子はグランド電位に接続される。
【0043】
そして、このMRヘッドでは、MR素子6の第1の導体10が接続された側に、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1が、MR素子6に対して並列に接続されている。ここで、コンデンサC1のMR素子6に接続されている側は、導電体4に相当する。一方、MR素子6と接続されていない側は、基板2に相当し、グランド電位に接地される。なお、図3中の抵抗R1は、MR素子6と導電膜4との間の抵抗(すなわち第1の導体10の抵抗)を示している。
【0044】
なお、実際には、MR素子6の部分にも寄生容量が生じるが、当該寄生容量は、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の容量に比べて非常に小さいので、ここでは無視する。
【0045】
このMRヘッドにおいて、図3中の点線Aで示した電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コンデンサC1の側に流れる電流I1は下記式(2)で表され、MR素子6の側に流れる電流I2は下記式(3)で表される。なお、下記式(2)及び式(3)では、MR素子6の抵抗値をRmr、抵抗R1の抵抗値をR1、コンデンサC1の容量をC1とし、また、電荷流入源となる直流電源Eの電圧値をE、直流電源EとMR素子6との間の抵抗Rの抵抗値をRとしている。
【0046】
【数1】
【0047】
上記式(1)及び式(2)に示すように、コンデンサC1の側に流れる電流I1、及びMR素子6の側に流れる電流I2は、ある時定数を持って変化する。具体的には、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、コンデンサC1の側に流れる電流I1、及びMR素子6の側に流れる電流I2は、図4に示すように変化する。
【0048】
図4から分かるように、電荷流入源から電荷が流入してきたとき、始めのうちは、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の側に電流が流れ、MR素子6の側に電流は殆ど流れない。
【0049】
そして、ESD/EOSによるMR素子の破壊は、瞬間的に高い電圧が印加された場合に生じるものなので、実際には直流電源Eはある時定数を持つ電源となる。したがって、コンデンサC1が十分な容量も持っており、コンデンサC1の側が十分に大きな時定数を持っていれば、MR素子6の側には殆ど電流が流れないこととなる。
【0050】
そして、上記MRヘッドでは、上述したように、基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1の容量を、基板2と導電膜4との間隔dや、導電膜4の面積Sを変えることにより、自由に設定することができる。そこで、外部からの電荷の流入に対して、コンデンサC1の側が十分に大きな時定数を持つように、コンデンサC1の容量を設定しておけば、外部から電荷の流入があったとしても、MR素子6の側には殆ど電流が流れなくなり、MR素子6が破壊されてしまうようなことはなくなる。
【0051】
なお、コンデンサC1に蓄積された電荷がMR素子6に流入すると、当該電荷の進入によってMR素子6が破壊されてしまうようなことも考えられる。しかし、実際には、MR素子6とコンデンサC1との間には抵抗R1が存在しており、当該抵抗R1によって電力が消費されるので、コンデンサC1に蓄積された電荷がMR素子6に大きなダメージを与えてしまうようなことはない。
【0052】
以上のように、上記MRヘッドでは、外部から電荷が流入したときに、当該電荷が基板2と導電膜4とによって構成されるコンデンサC1に蓄積されるので、MR素子6が破壊されてしまうようなことはない。
【0053】
しかも、上記磁気ヘッド1Aでは、MRヘッドを基板2上に形成するにあたって、MR素子6を形成する前に、導電膜4を形成することとなるので、外部からの電荷の流入があったときに電流を逃がす経路が、MR素子6を形成する前から存在することとなる。したがって、上記磁気ヘッド1Aでは、当該磁気ヘッド1Aの製造プロセス全体にわたって、ESD/EOSによるMR素子6の破壊を回避することができる。
【0054】
<第2の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第2の例を図5に示す。なお、図5は、第2の例として挙げる磁気ヘッド1Bについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。なお、図5並びに後掲する図6乃至図11では、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aと同様な部材については、図1及び図2と同じ符号を付している。そして、以下の説明において、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部材については、説明を省略する。
【0055】
図5に示した磁気ヘッド1Bでは、第1の導体10の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が第1の磁気シールド5に接続されている。なお、図5では、第1の導体10と第1の磁気シールド5とが接続されている部分を円B1で囲って示している。
【0056】
この磁気ヘッド1Bでは、導電膜4、第1の磁気シールド5及びMR素子6が、同電位とされるので、ESD/EOSによるMR素子6の破壊に対する耐性をより高めることができる。
【0057】
<第3の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第3の例を図6乃至図8に示す。なお、図6は、第3の例として挙げる磁気ヘッド1Cについて、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図である。また、図7は、当該磁気ヘッド1Cについて、第1の導体10を通る平面で切断した断面図である。また、図8は、当該磁気ヘッド1Cについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。
【0058】
図6乃至図8に示した磁気ヘッド1Cは、基板2上に絶縁層3を介して形成された第1の導電膜4aと、第1の導電膜4a上に絶縁層3を介して形成された第2の導電膜4bとを備えており、第2の導電膜4b上に絶縁層3を介して第1の磁気シールド5が形成されている。換言すれば、この磁気ヘッド1Cは、図1及び図2に示した磁気ヘッド1Aにおける導電膜4の代わりに、第1の導電膜4a及び第2の導電膜4bを備えている。
【0059】
この磁気ヘッド1Cでは、図6及び図7に示すように、第1の導体10の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が第1の導電膜4aに接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、第1の導電膜4aは、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、第2の導体11は第1の導電膜4aに接続されてはいない。
【0060】
また、図8に示すように、第2の導体11の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が第2の導電膜4bに接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、第2の導電膜4bは、MR素子6の他端に電気的に接続されている。なお、第1の導体10は第2の導電膜4bに接続されてはいない。
【0061】
この磁気ヘッド1Cでは、基板2と第1の導電膜4aとによってコンデンサが構成されるとともに、第1の導電膜4aと第2の電電膜4bとによってもコンデンサが構成される。ここで、基板2と第1の導電膜4aとによって構成されるコンデンサの容量をCaとし、第1の導電膜4aと第2の電電膜4bとによって構成されるコンデンサの容量Cbとする。
【0062】
この場合、回路的には、これら2つのコンデンサが並列に接続することになり、それら全体としての容量Cは、C=Ca+Cbとなる。したがって、この磁気ヘッド1Cでは、上記磁気ヘッド1A,1Bに比べて、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの容量を大きくすることができる。すなわち、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを構成するために、2枚の導電膜4a,4bを用いるようにすることで、ESD/EOSによるMR素子の破壊をより生じ難くすることができる。
【0063】
<第4の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第4の例を図9に示す。なお、図9は、第4の例として挙げる磁気ヘッド1Dについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。なお、図9では、図6乃至図8に示した磁気ヘッド1Cと同様な部材については、図6乃至図8と同じ符号を付している。そして、以下の説明において、図6及び図8に示した磁気ヘッド1Cと同様な部材であり、図面中に同じ符号を付した部材については、説明を省略する。
【0064】
図9に示した磁気ヘッド1Dでは、第2の導体11の下層に形成された絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が第1の磁気シールド5に接続されている。なお、図9では、第2の導体11と第1の磁気シールド5とが接続されている部分を円B2で囲って示している。
【0065】
この磁気ヘッド1Dでは、第2の導電膜4b、第1の磁気シールド5及びMR素子6が、同電位とされるので、ESD/EOSによるMR素子6の破壊に対する耐性をより高めることができる。
【0066】
<第5の実施の形態>
本発明を適用した磁気ヘッドの第5の例を図10及び図11に示す。なお、図10は、第5の例として挙げる磁気ヘッド1Eについて、第1の導体10を通る平面で切断した断面図である。また、図11は、当該磁気ヘッド1Eについて、第2の導体11を通る平面で切断した断面図である。
【0067】
この磁気ヘッド1Eは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に、絶縁層3aを介して導電膜4cが形成され、更に当該導電膜4cの上に絶縁層3bが形成されてなる。
【0068】
この磁気ヘッド1Eでは、図10に示すように、第1の導体10上に絶縁層3が形成されるとともに、当該絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第1の導体10が外部に露呈するようになされている。そして、この部分が第1の外部接続用端子とされている。また、図11に示すように、第2の導体11上に絶縁層3が形成されるとともに、当該絶縁層3に開口部が形成され、当該開口部を介して、第2の導体11が外部に露呈するようになされている。そして、この部分が第2の外部接続用端子とされている。
【0069】
そして、この磁気ヘッド1Eでは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に絶縁層3aを介して形成された導電膜4cが、図10に示すように、第1の導体10に接続されている。換言すれば、このMRヘッドにおいて、導電膜4cは、MR素子6の一端に電気的に接続されている。なお、図11に示すように、第2の導体11は導電膜4cに接続されてはいない。
【0070】
この磁気ヘッド1Eでは、磁気記録媒体対向面の反対側の面に絶縁層3aを介して形成された導電膜4cと基板2とによって、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサが構成される。このような構成は、基板2が厚く、基板2の上部平面の面積よりも、磁気記録媒体対向面の反対側の面の面積のほうが大きい場合に、特に好適である。
【0071】
以上、本発明の実施の形態として、5つの例を挙げたが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。すなわち、本発明に係るMRヘッドは、ヘッド素子が形成される基板を、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として用いることを特徴としており、その他の構成については特に限定されるものではない。したがって、例えば、基板の下部平面側(すなわちヘッド素子が形成されない側)に、絶縁層を介して導電膜を形成することにより、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを構成するようにしてもよい。
【0072】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係るMRヘッドでは、MR素子に対してコンデンサを並列に接続しているので、外部からの電荷の流入等によりMR素子に高電圧が加わったような場合には、コンデンサに電荷が流入する。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、外部からの電荷の流入等があったとしても、MR素子に過電流が流れるようなことはない。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊が生じ難い。
【0073】
しかも、本発明に係るMRヘッドでは、上記コンデンサを構成する電極として基板を用いているので、当該コンデンサの容量を比較的に自由に設定することが可能である。したがって、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの容量を十分に大きく設定することが可能であり、ESD/EOSによるMR素子の破壊をほぼ確実に防止することができる。
【0074】
更に、本発明に係るMRヘッドでは、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサの電極として基板を使用するようにしてるので、MRヘッドの製造プロセスにおいて、ヘッド素子を形成する前の段階で、ESD/EOSによるMR素子の破壊を防止するためのコンデンサを形成しておくことが可能となる。したがって、本発明よれば、MRヘッドの作製中におけるMR素子の破壊も防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの一例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図2】図1に示した磁気ヘッドについて、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図3】図1に示した磁気ヘッドに備えられたMRヘッドの等価回路を示す図である。
【図4】基板と導電膜とから構成されるコンデンサの側に流れる電流I1と、MR素子の側に流れる電流I2とについて、外部から電荷が流入してきたときの経時変化を示す図である。
【図5】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図6】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、その一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図7】図6に示した磁気ヘッドについて、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図8】図6に示した磁気ヘッドについて、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図9】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図10】本発明を適用したMRヘッドを備えた磁気ヘッドの他の例について、第1の導体を通る平面で切断した断面図である。
【図11】図10に示した磁気ヘッドについて、第2の導体を通る平面で切断した断面図である。
【符号の説明】
1 磁気ヘッド、 2 基板、 3 絶縁層、 4 導電膜、 5 第1の磁気シールド、 6 MR素子、 7 第2の磁気シールド、 8,9 永久磁石膜、 10 第1の導体、 11 第2の導体、 12 上層コア、 13 薄膜コイル
Claims (5)
- 感磁部として磁気抵抗効果素子を用いたヘッド素子が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記磁気抵抗効果素子に対して並列に接続されたコンデンサを備え、
上記基板は導電性を有する材料からなり、当該基板が上記コンデンサを構成する電極のうちの一つとされていること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 上記基板上に絶縁層を介して配された導電膜と、
上記導電膜上に絶縁層を介して配された第1の磁気シールドと、
上記第1の磁気シールド上に絶縁層を介して配された上記磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介して配された第2の磁気シールドとを備え、
上記導電膜は、上記磁気抵抗効果素子の一端に電気的に接続され、
上記コンデンサは、上記基板と上記導電膜とによって構成されていること
を特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 上記第1の磁気シールドと上記導電膜とが電気的に接続されていること
を特徴とする請求項2記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 上記基板上に絶縁層を介して配された第1の導電膜と、
上記第1の導電膜上に絶縁層を介して配された第2の導電膜と、
上記第2の導電膜上に絶縁層を介して配された第1の磁気シールドと、
上記第1の磁気シールド上に絶縁層を介して配された上記磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介して配された第2の磁気シールドとを備え、
上記第1の導電膜は、上記磁気抵抗効果素子の一端に電気的に接続され、
上記コンデンサは、上記基板と上記第1の導電膜と上記第2の導電膜とによって構成されていること
を特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 上記第1の磁気シールドと上記第2の導電膜とが電気的に接続されていること
を特徴とする請求項4記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09645898A JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
US09/285,094 US6331924B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-02 | Magnetoresistive head using a magnetoresistive element as a magnetic detector |
KR1019990012230A KR19990083021A (ko) | 1998-04-08 | 1999-04-07 | 자기 저항 헤드 |
CN99104966A CN1234578A (zh) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 磁阻头 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09645898A JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11296817A JPH11296817A (ja) | 1999-10-29 |
JP3843596B2 true JP3843596B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=14165593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09645898A Expired - Fee Related JP3843596B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6331924B1 (ja) |
JP (1) | JP3843596B2 (ja) |
KR (1) | KR19990083021A (ja) |
CN (1) | CN1234578A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6583971B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-06-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Elimination of electric-pop noise in MR/GMR device |
JP3473835B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2003-12-08 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法 |
US6400534B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-06-04 | International Business Machines Corporation | Resistive shunt ESD and EOS protection for recording heads |
US6704174B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-03-09 | Sony Corporation | Magnetic recording and playback device with ESD protection |
JP2003077240A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | ディスク装置及び同装置におけるヘッドロード制御方法 |
JP3835237B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-10-18 | ソニー株式会社 | ヘッドドラム装置および磁気記録再生装置 |
US6870706B1 (en) * | 2002-08-07 | 2005-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Method for suppressing tribocharge in the assembly of magnetic heads |
US7301732B2 (en) | 2002-08-07 | 2007-11-27 | Headway Technologies, Inc. | GMR head design that suppresses tribocharge during its assembly |
US7206693B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-04-17 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for an integrated GPS receiver and electronic compassing sensor device |
US7239000B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | Semiconductor device and magneto-resistive sensor integration |
US7265543B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-04 | Honeywell International Inc. | Integrated set/reset driver and magneto-resistive sensor |
JP2004326980A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドウェハ及び複合型磁気ヘッドの製造方法 |
US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
KR100668327B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브 헤드 및 그 제조 방법 |
JP4504902B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2010-07-14 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US7420365B2 (en) | 2006-03-15 | 2008-09-02 | Honeywell International Inc. | Single chip MR sensor integrated with an RF transceiver |
US7864489B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
US8934197B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-01-13 | Quantum Corporation | Magnetic media access head with metal coating |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950012334A (ko) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | 윌리엄 티. 엘리스 | 자기 저항 헤드 어셈블리 및 자기 저항 헤드를 정전하 방전으로부터 보호하는 방법 |
US5761009A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Having parastic shield for electrostatic discharge protection |
JPH0944820A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP09645898A patent/JP3843596B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-02 US US09/285,094 patent/US6331924B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-07 KR KR1019990012230A patent/KR19990083021A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-04-08 CN CN99104966A patent/CN1234578A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11296817A (ja) | 1999-10-29 |
KR19990083021A (ko) | 1999-11-25 |
CN1234578A (zh) | 1999-11-10 |
US6331924B1 (en) | 2001-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060807 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |