JPH0785422A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0785422A JPH0785422A JP23202793A JP23202793A JPH0785422A JP H0785422 A JPH0785422 A JP H0785422A JP 23202793 A JP23202793 A JP 23202793A JP 23202793 A JP23202793 A JP 23202793A JP H0785422 A JPH0785422 A JP H0785422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- head
- magnetoresistive effect
- thin film
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 116
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 45
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 29
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 29
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 端子サイドから飛び込む静電気によりＭＲ素
子の静電破壊を防止する。 【構成】 スライダー２上にＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを積層した複合型磁気ヘッドにおいて、インダ
クティブヘッドのコイル部１２とＭＲヘッドのＭＲ素子
４又はそれに接続される導体部が、体積抵抗率１０3 〜
１０9 Ωｃｍの物質１３で短絡されると共に、上記ＭＲ
ヘッドのＭＲ素子４に接続される一対の端子間１５ａ，
１５ｂに、２つのダイオード１８，１９を設ける。
子の静電破壊を防止する。 【構成】 スライダー２上にＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを積層した複合型磁気ヘッドにおいて、インダ
クティブヘッドのコイル部１２とＭＲヘッドのＭＲ素子
４又はそれに接続される導体部が、体積抵抗率１０3 〜
１０9 Ωｃｍの物質１３で短絡されると共に、上記ＭＲ
ヘッドのＭＲ素子４に接続される一対の端子間１５ａ，
１５ｂに、２つのダイオード１８，１９を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
し、特に静電破壊対策に関する。
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
し、特に静電破壊対策に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録密度の向上を達成するため
に、ハードディスク・ドライブ装置の記録再生ヘッドと
して、誘導型薄膜磁気ヘッド（以下、インダクティブヘ
ッドと称する。）による記録ヘッドと、短波長感度に優
れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
する。）による再生ヘッドを同一の基板（スライダー）
上に積層した，いわゆる複合型磁気ヘッドの実用化が検
討されるようになってきた。
に、ハードディスク・ドライブ装置の記録再生ヘッドと
して、誘導型薄膜磁気ヘッド（以下、インダクティブヘ
ッドと称する。）による記録ヘッドと、短波長感度に優
れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
する。）による再生ヘッドを同一の基板（スライダー）
上に積層した，いわゆる複合型磁気ヘッドの実用化が検
討されるようになってきた。
【０００３】その実用化のために乗り越えなければなら
ない技術的問題として、静電破壊の問題が挙げられる。
静電破壊は、大別すると２つの種類に区別される。１つ
は、ドライブ実装状態において、ハードディスクからの
電荷の飛び込みによるものである。
ない技術的問題として、静電破壊の問題が挙げられる。
静電破壊は、大別すると２つの種類に区別される。１つ
は、ドライブ実装状態において、ハードディスクからの
電荷の飛び込みによるものである。
【０００４】すなわち、ハードディスクの表面は、空気
流等によって表面電位が上昇し、静電気（電荷）が蓄積
された状態となっている。このため、磁気ヘッドが動作
開始時（スタート時）又は停止時（ストップ時）にハー
ドディスクに対して近接ないしは接触すると、接地状態
にある磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）の
端部との間に放電が生じ、この放電による大きな電流が
ＭＲ素子に流れる。つまり、ハードディスク上に蓄積さ
れた電荷がヘッドに飛び込んできて、ＭＲ素子に流れる
ことになる。この結果、高感度化のためにその膜厚をサ
ブミクロン以下とされたＭＲ素子が、かかる放電電流に
よって破壊され、ヘッド出力が得られなくなる現象が発
生する。
流等によって表面電位が上昇し、静電気（電荷）が蓄積
された状態となっている。このため、磁気ヘッドが動作
開始時（スタート時）又は停止時（ストップ時）にハー
ドディスクに対して近接ないしは接触すると、接地状態
にある磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）の
端部との間に放電が生じ、この放電による大きな電流が
ＭＲ素子に流れる。つまり、ハードディスク上に蓄積さ
れた電荷がヘッドに飛び込んできて、ＭＲ素子に流れる
ことになる。この結果、高感度化のためにその膜厚をサ
ブミクロン以下とされたＭＲ素子が、かかる放電電流に
よって破壊され、ヘッド出力が得られなくなる現象が発
生する。
【０００５】これについては、本願出願人によって従来
から種々の検討がなされている。例えば、その一例とし
て特開平４−２１９１６号公報に開示するように、ＭＲ
素子を挟み込む一対の導電体の一方とＭＲ素子の先端電
極とを電気的に接続すると共に、容量の大きい導電体と
容量の小さい導電体とを各々独立に接地電位に接続する
構造とする。
から種々の検討がなされている。例えば、その一例とし
て特開平４−２１９１６号公報に開示するように、ＭＲ
素子を挟み込む一対の導電体の一方とＭＲ素子の先端電
極とを電気的に接続すると共に、容量の大きい導電体と
容量の小さい導電体とを各々独立に接地電位に接続する
構造とする。
【０００６】かかる構造とすることにより、磁気ヘッド
がハードディスクに接触したとき、ディスク表面上の帯
電電荷は、ほとんど大容量の導電体を通して接地電位に
排出される。また、仮にＭＲ素子部に電荷が飛び込んで
も、電荷は先端電極と電気的に接続されている導電体を
通じて接地電位に排出されることになる。したがって、
いずれの場合でもディスク上の帯電電荷は、ＭＲ素子の
回路に流れることがなく、ＭＲ素子の破壊を回避するこ
とができる。
がハードディスクに接触したとき、ディスク表面上の帯
電電荷は、ほとんど大容量の導電体を通して接地電位に
排出される。また、仮にＭＲ素子部に電荷が飛び込んで
も、電荷は先端電極と電気的に接続されている導電体を
通じて接地電位に排出されることになる。したがって、
いずれの場合でもディスク上の帯電電荷は、ＭＲ素子の
回路に流れることがなく、ＭＲ素子の破壊を回避するこ
とができる。
【０００７】もう１つは、磁気ヘッドを評価する際（電
磁変換特性等）又はドライブ組立の際に、端子サイドか
ら電荷が飛び込むことによる静電破壊である。そのうち
の一方は、記録コイルとＭＲ素子又はそれに接続する導
体部（配線等）の絶縁を破壊し、他方はＭＲ素子に静電
気が放電され、当該ＭＲ素子自体が溶断される。かかる
事態はドライブ組立前に生じることから、磁気ヘッドの
製造歩留まりに大きな影響を与えることになる。したが
って、その対策が早急に臨まれる。
磁変換特性等）又はドライブ組立の際に、端子サイドか
ら電荷が飛び込むことによる静電破壊である。そのうち
の一方は、記録コイルとＭＲ素子又はそれに接続する導
体部（配線等）の絶縁を破壊し、他方はＭＲ素子に静電
気が放電され、当該ＭＲ素子自体が溶断される。かかる
事態はドライブ組立前に生じることから、磁気ヘッドの
製造歩留まりに大きな影響を与えることになる。したが
って、その対策が早急に臨まれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上述
の技術的な課題に鑑みて提案されたものであって、端子
サイドからの飛び込みによる静電破壊を回避し、記録再
生特性に優れた信頼性の高い複合型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
の技術的な課題に鑑みて提案されたものであって、端子
サイドからの飛び込みによる静電破壊を回避し、記録再
生特性に優れた信頼性の高い複合型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に磁気記録媒体との対接面に臨
んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気
ヘッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、上
記誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子又はそれに接続される導体
部を、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡
させることにより、上述の課題を解決する。
めに、本発明は、基板上に磁気記録媒体との対接面に臨
んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気
ヘッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、上
記誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの磁気抵抗効果素子又はそれに接続される導体
部を、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡
させることにより、上述の課題を解決する。
【００１０】また本発明は、基板上に磁気記録媒体との
対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗
効果型磁気ヘッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導
型薄膜磁気ヘッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドに
おいて、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果
素子に接続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上
のダイオードを設けることにより、上述の課題を解決す
る。
対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗
効果型磁気ヘッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導
型薄膜磁気ヘッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドに
おいて、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果
素子に接続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上
のダイオードを設けることにより、上述の課題を解決す
る。
【００１１】さらに発明は、誘導型薄膜磁気ヘッドのコ
イル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子
又はそれに接続される導体部を体積抵抗率１０3 〜１０
9 Ωｃｍの物質で短絡させると共に、上記磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に接続される一対の端
子間に、少なくとも１つ以上のダイオードを設けること
により、上述の課題を解決する。
イル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子
又はそれに接続される導体部を体積抵抗率１０3 〜１０
9 Ωｃｍの物質で短絡させると共に、上記磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に接続される一対の端
子間に、少なくとも１つ以上のダイオードを設けること
により、上述の課題を解決する。
【００１２】
【作用】本発明においては、誘導型薄膜磁気ヘッドのコ
イル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子
又はそれに接続される導体部が、体積抵抗率１０3 〜１
０9 Ωｃｍなる物質で短絡されているので、端子サイド
から静電気が飛び込んだとしても、かかる大きな抵抗に
より静電気による電流が静電破壊に至らない小さなもの
となされ、その小電流がゆっくりと（長い時間をかけて
の意である。）ＭＲ素子へと流れることになる。したが
って、ＭＲ素子の静電破壊が回避される。
イル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子
又はそれに接続される導体部が、体積抵抗率１０3 〜１
０9 Ωｃｍなる物質で短絡されているので、端子サイド
から静電気が飛び込んだとしても、かかる大きな抵抗に
より静電気による電流が静電破壊に至らない小さなもの
となされ、その小電流がゆっくりと（長い時間をかけて
の意である。）ＭＲ素子へと流れることになる。したが
って、ＭＲ素子の静電破壊が回避される。
【００１３】また、本発明においては、磁気抵抗効果素
子に接続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上の
ダイオードが設けられているので、このＭＲ端子より静
電気が飛び込んだとしても、その静電気電圧が大きいた
めダイオードの抵抗は小さくなり、端子側からの静電気
放電をダイオードの所で流してしまうことになり、当該
ＭＲ素子へ達することはない。したがって、ＭＲ素子の
静電破壊が未然に回避される。
子に接続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上の
ダイオードが設けられているので、このＭＲ端子より静
電気が飛び込んだとしても、その静電気電圧が大きいた
めダイオードの抵抗は小さくなり、端子側からの静電気
放電をダイオードの所で流してしまうことになり、当該
ＭＲ素子へ達することはない。したがって、ＭＲ素子の
静電破壊が未然に回避される。
【００１４】また、本発明においては、誘導型薄膜磁気
ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子又はそれに接続される導体部を体積抵抗率１
０3〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡すると共に、磁気抵
抗効果素子に接続される一対の端子間に少なくとも１つ
以上のダイオードを設けているので、端子サイドから静
電気が飛び込むことによるＭＲ素子の静電破壊が確実に
回避せしめられる。
ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子又はそれに接続される導体部を体積抵抗率１
０3〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡すると共に、磁気抵
抗効果素子に接続される一対の端子間に少なくとも１つ
以上のダイオードを設けているので、端子サイドから静
電気が飛び込むことによるＭＲ素子の静電破壊が確実に
回避せしめられる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。実施例１ 本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１に示すように、ハ
ードディスクとの対接面となるＡＢＳ（エア・ベアリン
グ・サーフエス）面１に再生用磁気ギャップｇ 1 を臨ま
せるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャッ
プｇ2 を臨ませるインダクティブヘッドをＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ基板からなるスライダ２の一側面上に積層形成し
た，いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘッド構成と
されている。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。実施例１ 本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１に示すように、ハ
ードディスクとの対接面となるＡＢＳ（エア・ベアリン
グ・サーフエス）面１に再生用磁気ギャップｇ 1 を臨ま
せるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に記録用磁気ギャッ
プｇ2 を臨ませるインダクティブヘッドをＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ基板からなるスライダ２の一側面上に積層形成し
た，いわゆる２ギャップタイプの記録再生ヘッド構成と
されている。
【００１６】ＭＲヘッドは、先端部と後端部にそれぞれ
定電流源からのセンス電流を通ずるための一対の電極３
ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ面１側に設けられる電極３ａを
先端電極３ａ、後端側に設けられる電極３ｂを後端電極
３ｂと称する。）が積層されたＭＲ素子４を有してな
る。
定電流源からのセンス電流を通ずるための一対の電極３
ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ面１側に設けられる電極３ａを
先端電極３ａ、後端側に設けられる電極３ｂを後端電極
３ｂと称する。）が積層されたＭＲ素子４を有してな
る。
【００１７】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ
面１に対して垂直となるように設けられるとともに、そ
の一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。
また、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。
面１に対して垂直となるように設けられるとともに、そ
の一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。
また、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。
【００１８】なお、ＭＲ薄膜は、例えばパーマロイ等の
強磁性体薄膜からなり、高感度化を図るため、その膜厚
が数百オングストローム程度とされる。
強磁性体薄膜からなり、高感度化を図るため、その膜厚
が数百オングストローム程度とされる。
【００１９】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流して、上記ＭＲ素子４にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する。また、この先端電極３ａ
は、再生用磁気ギャップｇ1 のギャップ膜として機能す
るようになっている。
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流して、上記ＭＲ素子４にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する。また、この先端電極３ａ
は、再生用磁気ギャップｇ1 のギャップ膜として機能す
るようになっている。
【００２０】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端
部に直接積層して設けられ、このＭＲ素子４と電気的に
接続するようになされている。
部に直接積層して設けられ、このＭＲ素子４と電気的に
接続するようになされている。
【００２１】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上
記ＭＲ素子４を非磁性且つ絶縁性を有する膜５を介して
パーマロイ等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア６と
第２の薄膜磁気コア７とで挟み込んだ、いわゆるシール
ド型構成となっている。シールド型構成をとるのは、こ
の種の一体型ヘッドでは短波長再生を要求されたり、再
生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形と同じも
のを信号処理上求められるからである。
記ＭＲ素子４を非磁性且つ絶縁性を有する膜５を介して
パーマロイ等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア６と
第２の薄膜磁気コア７とで挟み込んだ、いわゆるシール
ド型構成となっている。シールド型構成をとるのは、こ
の種の一体型ヘッドでは短波長再生を要求されたり、再
生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形と同じも
のを信号処理上求められるからである。
【００２２】ＭＲ素子４の下側に設けられる第１の薄膜
磁気コア６は、上記スライダ２との間に絶縁層８を介し
て上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、こ
のＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在するようにし
て設けられている。
磁気コア６は、上記スライダ２との間に絶縁層８を介し
て上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、こ
のＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在するようにし
て設けられている。
【００２３】一方、これに対向して設けられる他方の第
２の薄膜磁気コア７は、先の第１の薄膜磁気コア６と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、
このＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在して設けら
れている。そして、そのＡＢＳ面１側において、この第
２の薄膜磁気コア７は先端電極３ａと電気的に接続され
るようになっている。
２の薄膜磁気コア７は、先の第１の薄膜磁気コア６と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、
このＡＢＳ面１に対し垂直にバック側へ延在して設けら
れている。そして、そのＡＢＳ面１側において、この第
２の薄膜磁気コア７は先端電極３ａと電気的に接続され
るようになっている。
【００２４】一方、インダクティブヘッドは、磁気シー
ルドとして機能する第２の薄膜磁気コア７を閉磁路を構
成する一方の薄膜磁気コアとし、この薄膜磁気コア７に
対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによって上
記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成するようになっている。
ルドとして機能する第２の薄膜磁気コア７を閉磁路を構
成する一方の薄膜磁気コアとし、この薄膜磁気コア７に
対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによって上
記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成するようになっている。
【００２５】すなわち、第２の薄膜磁気コア７に対向し
て積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１
に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア７側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成すると共に、後方端部で上記第２の薄膜
磁気コア７と磁気的に接触するようになっている。
て積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１
に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア７側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成すると共に、後方端部で上記第２の薄膜
磁気コア７と磁気的に接触するようになっている。
【００２６】なお、記録用磁気ギャップｇ2 は、ＡＢＳ
面１側における第２の薄膜磁気コア７と第３の薄膜磁気
コア９間の間隔が狭くなされた部分に配されるギャップ
膜１０の厚みによってそのギャップ長が決定されてい
る。かかるギャップ膜１０は、第２の薄膜磁気コア７上
であって、上記ＡＢＳ面１より第２の薄膜磁気コア７と
第３の薄膜磁気コア９との磁気的結合部１１に至る範囲
に形成されている。
面１側における第２の薄膜磁気コア７と第３の薄膜磁気
コア９間の間隔が狭くなされた部分に配されるギャップ
膜１０の厚みによってそのギャップ長が決定されてい
る。かかるギャップ膜１０は、第２の薄膜磁気コア７上
であって、上記ＡＢＳ面１より第２の薄膜磁気コア７と
第３の薄膜磁気コア９との磁気的結合部１１に至る範囲
に形成されている。
【００２７】そして、上記第３の薄膜磁気コア９と第２
の薄膜磁気コア７の接続部分である磁気的結合部１１に
は、この磁気的結合部１１を取り囲むようにしてスパイ
ラル状の記録コイル１２が設けられている。かかる記録
コイル１２は、上記第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜
磁気コア７間に設けられる中間層１３によって埋め込ま
れ（平坦化され）ている。そして、上記第３の薄膜磁気
コア９の上には、上記スライダ２上に積層されるＭＲヘ
ッドとインダクティブヘッドを保護するための保護層１
４が形成されている。
の薄膜磁気コア７の接続部分である磁気的結合部１１に
は、この磁気的結合部１１を取り囲むようにしてスパイ
ラル状の記録コイル１２が設けられている。かかる記録
コイル１２は、上記第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜
磁気コア７間に設けられる中間層１３によって埋め込ま
れ（平坦化され）ている。そして、上記第３の薄膜磁気
コア９の上には、上記スライダ２上に積層されるＭＲヘ
ッドとインダクティブヘッドを保護するための保護層１
４が形成されている。
【００２８】そして特に、本実施例の複合型磁気ヘッド
においては、端子サイドから静電気が飛び込むことによ
る各素子の静電破壊を防止するために、記録コイル１２
を平坦化する中間層１３を、絶縁材でない体積抵抗率１
０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって構成している。つ
まり、記録コイル１２とＭＲ素子４又はそれに接続され
る導体部（配線等）が、この体積抵抗率１０3 〜１０9
Ωｃｍなる物質によって各素子間が短絡（ショート）さ
れるようになされている。かかる物質としては、静電気
により溶断せず、且つ静電破壊しない材料、例えばカー
ボン含有樹脂等が挙げられる。
においては、端子サイドから静電気が飛び込むことによ
る各素子の静電破壊を防止するために、記録コイル１２
を平坦化する中間層１３を、絶縁材でない体積抵抗率１
０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって構成している。つ
まり、記録コイル１２とＭＲ素子４又はそれに接続され
る導体部（配線等）が、この体積抵抗率１０3 〜１０9
Ωｃｍなる物質によって各素子間が短絡（ショート）さ
れるようになされている。かかる物質としては、静電気
により溶断せず、且つ静電破壊しない材料、例えばカー
ボン含有樹脂等が挙げられる。
【００２９】上記体積抵抗率が１０3 Ωｃｍ未満である
と、使用時のリーク電流値が大きくなってしまい、逆に
１０9 Ωｃｍを越えると絶縁物質と変わらなくなる。し
たがって、上記体積抵抗率は上記の範囲であることが望
ましい。
と、使用時のリーク電流値が大きくなってしまい、逆に
１０9 Ωｃｍを越えると絶縁物質と変わらなくなる。し
たがって、上記体積抵抗率は上記の範囲であることが望
ましい。
【００３０】また、かかる範囲の体積抵抗率を持つ物質
は、通常の使用状態においてはコイル抵抗、ＭＲ抵抗に
比べて実用上無限大の抵抗を持つが、静電気が放電した
ときには各素子（記録コイル１２，ＭＲ素子４）間を実
質的にショートする機能を持つ。
は、通常の使用状態においてはコイル抵抗、ＭＲ抵抗に
比べて実用上無限大の抵抗を持つが、静電気が放電した
ときには各素子（記録コイル１２，ＭＲ素子４）間を実
質的にショートする機能を持つ。
【００３１】ところで、静電気で流れる電流は、（１）
式及び図２からわかるように、抵抗Ｒを安定に且つ大き
くしておけば、流れる電流Ｉの大きさを小さくすること
ができ、且つ安定に放電を行うことが可能となる。
式及び図２からわかるように、抵抗Ｒを安定に且つ大き
くしておけば、流れる電流Ｉの大きさを小さくすること
ができ、且つ安定に放電を行うことが可能となる。
【００３２】
【数１】
【００３３】通常、高い電圧が短時間に流れると静電破
壊が生じるが、上述のように体積抵抗率１０3 〜１０9
Ωｃｍなる物質を介在させて抵抗を大きくすれば、ゆっ
くりと（長時間で）電流が流れることになり、静電破壊
が防止される。したがって、ヘッドの評価の際やドライ
ブ組立の際に、仮に端子サイドから静電気が飛び込んだ
としても、記録コイル１２とＭＲ素子４又はそれに接続
される導体部が静電破壊されることはない。実際に、Ｍ
Ｒ抵抗，コイル抵抗は、１０〜３０Ω程度あり、本発明
の材料・構造による素子間抵抗は、測定電圧５Ｖ程度で
は１ＭΩ以上となり、実使用時はリーク電流は無視でき
るが、静電気に対しては有効となる。
壊が生じるが、上述のように体積抵抗率１０3 〜１０9
Ωｃｍなる物質を介在させて抵抗を大きくすれば、ゆっ
くりと（長時間で）電流が流れることになり、静電破壊
が防止される。したがって、ヘッドの評価の際やドライ
ブ組立の際に、仮に端子サイドから静電気が飛び込んだ
としても、記録コイル１２とＭＲ素子４又はそれに接続
される導体部が静電破壊されることはない。実際に、Ｍ
Ｒ抵抗，コイル抵抗は、１０〜３０Ω程度あり、本発明
の材料・構造による素子間抵抗は、測定電圧５Ｖ程度で
は１ＭΩ以上となり、実使用時はリーク電流は無視でき
るが、静電気に対しては有効となる。
【００３４】なお、上述の実施例では、体積抵抗率１０
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質を中間層１３に介在させるよ
うにしたが、例えば図３及び図４に示すように、該体積
抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる層１７をプロセス始め
にコートして、ＭＲ素子４に接続されるＭＲ端子１５
ａ，１５ｂと記録コイル１２に接続されるコイル端子１
６ａ，１６ｂとを短絡させるようにしてもよい。このよ
うに構成すれば、先の実施例と同様に端子サイドからの
電荷の飛び込みによる静電破壊を回避することができ
る。
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質を中間層１３に介在させるよ
うにしたが、例えば図３及び図４に示すように、該体積
抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる層１７をプロセス始め
にコートして、ＭＲ素子４に接続されるＭＲ端子１５
ａ，１５ｂと記録コイル１２に接続されるコイル端子１
６ａ，１６ｂとを短絡させるようにしてもよい。このよ
うに構成すれば、先の実施例と同様に端子サイドからの
電荷の飛び込みによる静電破壊を回避することができ
る。
【００３５】実施例２ 本実施例の複合型磁気ヘッドは、端子サイドから飛び込
んできた静電気によるＭＲ素子４の静電破壊を回避する
ために、ＭＲ素子４に接続される端子間に２つのダイオ
ードを設けた例である。なお、本実施例では、本発明に
係わる発明をよりわかりやすくするために、インダクテ
ィブヘッドの図示及びその説明は省略する。また、先の
実施例１の複合型磁気ヘッドと同一の部材には同一の符
号を付し、その説明は省略するものとする。
んできた静電気によるＭＲ素子４の静電破壊を回避する
ために、ＭＲ素子４に接続される端子間に２つのダイオ
ードを設けた例である。なお、本実施例では、本発明に
係わる発明をよりわかりやすくするために、インダクテ
ィブヘッドの図示及びその説明は省略する。また、先の
実施例１の複合型磁気ヘッドと同一の部材には同一の符
号を付し、その説明は省略するものとする。
【００３６】本実施例では、図５及び図６に示すよう
に、第１の薄膜磁気コア６と第２の薄膜磁気コア７とに
よって挟み込まれたＭＲ素子４に接続される一対のＭＲ
端子１５ａ，１５ｂ間に、アノードとカソードがそれぞ
れ互い違いに且つ並列となるように一対のダイオード１
８，１９が電気的に接続されている。
に、第１の薄膜磁気コア６と第２の薄膜磁気コア７とに
よって挟み込まれたＭＲ素子４に接続される一対のＭＲ
端子１５ａ，１５ｂ間に、アノードとカソードがそれぞ
れ互い違いに且つ並列となるように一対のダイオード１
８，１９が電気的に接続されている。
【００３７】通常、ドライブ実装状態でＭＲ素子４の動
作電圧は、０．１〜０．４Ｖ程度であるので、ダイオー
ド１８，１９を流れる電流は、ほぼ零となり、実使用状
況下では悪影響を与えることはない。しかし、静電気が
放電されるや、その静電気電圧が大きいため、ダイオー
ド１８，１９の抵抗は小さくなり、端子側からの静電気
放電をダイオード１８，１９のところで流してしまい、
ＭＲ素子４に達しなくしてしまう。したがって、ヘッド
の評価の際やドライブ組立の際に、ＭＲ端子１５ａ，１
５ｂに静電気が飛び込んだとしても、かかるダイオード
１８，１９によって当該ＭＲ素子４の静電破壊が防止さ
れる。
作電圧は、０．１〜０．４Ｖ程度であるので、ダイオー
ド１８，１９を流れる電流は、ほぼ零となり、実使用状
況下では悪影響を与えることはない。しかし、静電気が
放電されるや、その静電気電圧が大きいため、ダイオー
ド１８，１９の抵抗は小さくなり、端子側からの静電気
放電をダイオード１８，１９のところで流してしまい、
ＭＲ素子４に達しなくしてしまう。したがって、ヘッド
の評価の際やドライブ組立の際に、ＭＲ端子１５ａ，１
５ｂに静電気が飛び込んだとしても、かかるダイオード
１８，１９によって当該ＭＲ素子４の静電破壊が防止さ
れる。
【００３８】通常、ＭＲ素子４間に静電気が放電された
場合は、ＭＲ素子４の膜厚が数１０ｎｍと非常に薄く、
断面積も小さいために、瞬時にしてジュール熱による発
熱でＭＲ素子４が溶断を起こす。しかし、本実施例で
は、ＭＲ端子間にダイオード１８，１９を接続している
ので、静電気がゆっくりと流れることになり、ＭＲ素子
４の静電破壊が回避される。なお、記録コイル１２は、
断面積が大きいので静電気によるジュール熱によって溶
断しないため、当該記録コイル１２の端子間にダイオー
ド１８，１９を設ける必要はない。
場合は、ＭＲ素子４の膜厚が数１０ｎｍと非常に薄く、
断面積も小さいために、瞬時にしてジュール熱による発
熱でＭＲ素子４が溶断を起こす。しかし、本実施例で
は、ＭＲ端子間にダイオード１８，１９を接続している
ので、静電気がゆっくりと流れることになり、ＭＲ素子
４の静電破壊が回避される。なお、記録コイル１２は、
断面積が大きいので静電気によるジュール熱によって溶
断しないため、当該記録コイル１２の端子間にダイオー
ド１８，１９を設ける必要はない。
【００３９】ところで、ダイオード１８，１９は、ヘッ
ド素子の内部に形成するのが理想であるが、プロセスの
親和性からは経済的負担の大きなものになってしまう。
また、各端子間に同様な処置をするのが望ましいが、ヘ
ッド自体の小型化に対し、問題となる。そのため、ＭＲ
素子４の端子１５ａ，１５ｂだけにダイオード１８，１
９を２つ並列に接続することが信頼性を挙げ、且つ安価
に達成する最良の方法である。
ド素子の内部に形成するのが理想であるが、プロセスの
親和性からは経済的負担の大きなものになってしまう。
また、各端子間に同様な処置をするのが望ましいが、ヘ
ッド自体の小型化に対し、問題となる。そのため、ＭＲ
素子４の端子１５ａ，１５ｂだけにダイオード１８，１
９を２つ並列に接続することが信頼性を挙げ、且つ安価
に達成する最良の方法である。
【００４０】実施例３ 本実施例の複合型磁気ヘッドは、端子サイドからの静電
気の飛び込みによる各素子の静電破壊を回避するため
に、実施例１と実施例２の構造を組み合わせた構成とし
たものである。
気の飛び込みによる各素子の静電破壊を回避するため
に、実施例１と実施例２の構造を組み合わせた構成とし
たものである。
【００４１】すなわち、図７に示すように、記録コイル
１２とＭＲ素子４又はそれに接続される導体部が、体積
抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって各素子間
が短絡されると共に、ＭＲ端子１５ａ，１５ｂ間に２つ
のダイオード１８，１９が接続された構造とされてい
る。図７では、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物
質による抵抗（本例では１ＭΩ以上）を符号２０で示
す。なお、先の実施例１と実施例２の磁気ヘッドと同一
の部材については同一の符号を付しその説明は省略す
る。
１２とＭＲ素子４又はそれに接続される導体部が、体積
抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって各素子間
が短絡されると共に、ＭＲ端子１５ａ，１５ｂ間に２つ
のダイオード１８，１９が接続された構造とされてい
る。図７では、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物
質による抵抗（本例では１ＭΩ以上）を符号２０で示
す。なお、先の実施例１と実施例２の磁気ヘッドと同一
の部材については同一の符号を付しその説明は省略す
る。
【００４２】図７に示すように、記録コイル１２とＭＲ
素子４又はそれに接続される導体部を、体積抵抗率１０
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって各素子間を短絡し、
且つＭＲ端子１５ａ，１５ｂ間に２つのダイオード１
８，１９を接続しているので、ヘッドの評価の際又はド
ライブ組立の際に静電気が記録コイル端子１６ａ，１６
ｂとＭＲ端子１５ａ，１５ｂ或いはいずれか一方に飛び
込んできた場合においても、先に説明したように各素子
の静電破壊を確実に防止することができる。
素子４又はそれに接続される導体部を、体積抵抗率１０
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質によって各素子間を短絡し、
且つＭＲ端子１５ａ，１５ｂ間に２つのダイオード１
８，１９を接続しているので、ヘッドの評価の際又はド
ライブ組立の際に静電気が記録コイル端子１６ａ，１６
ｂとＭＲ端子１５ａ，１５ｂ或いはいずれか一方に飛び
込んできた場合においても、先に説明したように各素子
の静電破壊を確実に防止することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の複合型磁気ヘッドによれば、インダクティブヘッド
のコイル部とＭＲヘッドのＭＲ素子又はそれに接続され
る導体部が、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質
で短絡されているので、ヘッドの評価の際又はドライブ
組立の際に端子サイドから静電気が飛び込んだとして
も、かかる大きな抵抗により静電気電流が静電破壊に至
らない小さなものとなされ、その小電流がゆっくりとＭ
Ｒ素子へと流れることになり、当該ＭＲ素子の静電破壊
を回避することができる。
明の複合型磁気ヘッドによれば、インダクティブヘッド
のコイル部とＭＲヘッドのＭＲ素子又はそれに接続され
る導体部が、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍなる物質
で短絡されているので、ヘッドの評価の際又はドライブ
組立の際に端子サイドから静電気が飛び込んだとして
も、かかる大きな抵抗により静電気電流が静電破壊に至
らない小さなものとなされ、その小電流がゆっくりとＭ
Ｒ素子へと流れることになり、当該ＭＲ素子の静電破壊
を回避することができる。
【００４４】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、磁気抵抗効果素子に接続される一対の端子間に、少
なくとも１つ以上のダイオードを設けているので、同様
にヘッドの評価の際又はドライブ組立の際にＭＲ端子よ
り静電気が飛び込んだとしても、その静電気電圧が大き
いためダイオードの抵抗は小さくなり、端子側からの静
電気放電をＭＲ素子へ達することなくダイオードの所で
流してしまうことになり、当該ＭＲ素子の静電破壊を回
避できる。
は、磁気抵抗効果素子に接続される一対の端子間に、少
なくとも１つ以上のダイオードを設けているので、同様
にヘッドの評価の際又はドライブ組立の際にＭＲ端子よ
り静電気が飛び込んだとしても、その静電気電圧が大き
いためダイオードの抵抗は小さくなり、端子側からの静
電気放電をＭＲ素子へ達することなくダイオードの所で
流してしまうことになり、当該ＭＲ素子の静電破壊を回
避できる。
【００４５】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、インダクティブヘッドのコイル部とＭＲヘッドのＭ
Ｒ素子又はそれに接続される導体部を、体積抵抗率１０
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡させると共に、ＭＲ素
子に接続されるＭＲ端子間に少なくとも１つ以上のダイ
オードを設けているので、ヘッドの評価の際又はドライ
ブ組立の際にＭＲ端子より静電気が飛び込んだとして
も、記録コイル及びＭＲ素子を静電破壊から確実に回避
させることができる。
は、インダクティブヘッドのコイル部とＭＲヘッドのＭ
Ｒ素子又はそれに接続される導体部を、体積抵抗率１０
3 〜１０9 Ωｃｍなる物質で短絡させると共に、ＭＲ素
子に接続されるＭＲ端子間に少なくとも１つ以上のダイ
オードを設けているので、ヘッドの評価の際又はドライ
ブ組立の際にＭＲ端子より静電気が飛び込んだとして
も、記録コイル及びＭＲ素子を静電破壊から確実に回避
させることができる。
【図１】実施例１の複合型磁気ヘッドの要部拡大断面図
である。
である。
【図２】抵抗が大であるときと小であるときの電流の時
間変化を示す特性図である。
間変化を示す特性図である。
【図３】ＭＲ端子とコイル端子を体積抵抗率１０3 〜１
０9 Ωｃｍなる層で短絡させるようにした実施例１の複
合型磁気ヘッドの斜視図である。
０9 Ωｃｍなる層で短絡させるようにした実施例１の複
合型磁気ヘッドの斜視図である。
【図４】ＭＲ端子とコイル端子を体積抵抗率１０3 〜１
０9 Ωｃｍなる層で短絡させるようにした実施例１の複
合型磁気ヘッドの断面図である。
０9 Ωｃｍなる層で短絡させるようにした実施例１の複
合型磁気ヘッドの断面図である。
【図５】実施例２の複合型磁気ヘッドの断面図である。
【図６】実施例２の複合型磁気ヘッドの正面図である。
【図７】実施例３の複合型磁気ヘッドの断面図である。
１・・・ＡＢＳ面 ２・・・スライダ ３ａ・・・先端電極 ３ｂ・・・後端電極 ４・・・ＭＲ素子 ６・・・第１の薄膜磁気コア ７・・・第２の薄膜磁気コア ９・・・第３の薄膜磁気コア １２・・・記録コイル １３・・・中間層（体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍな
る層） １５ａ，１５ｂ・・・コイル端子 １６ａ，１６ｂ・・・ＭＲ端子 １７，１８・・・ダイオード
る層） １５ａ，１５ｂ・・・コイル端子 １６ａ，１６ｂ・・・ＭＲ端子 １７，１８・・・ダイオード
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に磁気記録媒体との対接面に臨ん
で再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘ
ッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、 上記誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子又はそれに接続される導
体部が、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍの物質で短絡
されていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に磁気記録媒体との対接面に臨ん
で再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘ
ッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に接
続される一対の端子間に、少なくとも１つ以上のダイオ
ードが設けられていることを特徴とする複合型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 基板上に磁気記録媒体との対接面に臨ん
で再生用磁気ギャップを構成する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドと記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘ
ッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、 上記誘導型薄膜磁気ヘッドのコイル部と磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子又はそれに接続される導
体部が、体積抵抗率１０3 〜１０9 Ωｃｍの物質で短絡
されると共に、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子に接続される一対の端子間に、少なくとも１
つ以上のダイオードが設けられていることを特徴とする
複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202793A JPH0785422A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23202793A JPH0785422A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785422A true JPH0785422A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16932823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23202793A Pending JPH0785422A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785422A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169005A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗システム用の電気オーバストレスおよび静電放電の保護 |
| US5812349A (en) * | 1996-02-15 | 1998-09-22 | Tdk Corporation | Magnetic head apparatus including separation features |
| EP0867864A2 (en) * | 1997-03-24 | 1998-09-30 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US5978181A (en) * | 1997-03-04 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
| WO2000079522A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Fujitsu Limited | Element coulissant de tete magnetique et ensemble tete magnetique |
| WO2002060981A1 (fr) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Tableau de verre époxy et dispositif de tête magnétique |
| US6721140B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US6972933B1 (en) | 1998-10-19 | 2005-12-06 | Tdk Corporation | Head suspension assembly |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23202793A patent/JPH0785422A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169005A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗システム用の電気オーバストレスおよび静電放電の保護 |
| US5812349A (en) * | 1996-02-15 | 1998-09-22 | Tdk Corporation | Magnetic head apparatus including separation features |
| US5978181A (en) * | 1997-03-04 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
| EP0867864A2 (en) * | 1997-03-24 | 1998-09-30 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| EP0867864A3 (en) * | 1997-03-24 | 1999-03-17 | TDK Corporation | Magnetic head with spin valve effect magnetoresistive element and its manufacturing method |
| US6972933B1 (en) | 1998-10-19 | 2005-12-06 | Tdk Corporation | Head suspension assembly |
| WO2000079522A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-28 | Fujitsu Limited | Element coulissant de tete magnetique et ensemble tete magnetique |
| US6836391B2 (en) | 1999-06-22 | 2004-12-28 | Fujitsu Limited | Magnetic head slider and magnetic head assembly with short-circuiting switching element |
| US6721140B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| WO2002060981A1 (fr) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Tableau de verre époxy et dispositif de tête magnétique |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5272582A (en) | Magneto-resistance effect magnetic head with static electricity protection | |
| US5805390A (en) | Method of fabricating magnetoresistive effect type magnetic head capable of preventing electrostatic damage | |
| US5978181A (en) | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US5247413A (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head with noise reducing electrode | |
| US6160688A (en) | Magneto-resistive composite head and a magnetic disk device, having grounded magnetic shielding layers | |
| JP3843596B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US5351158A (en) | Magnetoresistance effect thin film head with interconnected electrode structure | |
| JPH09223304A (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| JPH0785422A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| CA2001392A1 (en) | Method and apparatus for preventing parasitic electrical discharges in magnetic disk drives | |
| EP0457278B1 (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head | |
| US6671137B2 (en) | Magnetoresistive head including earth members | |
| US5424890A (en) | Magnetoresistance effect type thin film head | |
| JPS6177114A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP2004206790A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US7102859B2 (en) | Thin-film magnetic head with tunnel magnetoresistive effect element electrically connected in parallel with a resistor element | |
| JPH06243434A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61126618A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜ヘツド | |
| JPH0540920A (ja) | 複合型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JP2000285422A (ja) | ヘッドジンバルアッセンブリーおよびその製造方法 | |
| JPH06168413A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JP2001250207A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2785413B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH05143938A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP2000113417A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |