JP2785413B2 - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
- Publication number
- JP2785413B2 JP2785413B2 JP2579990A JP2579990A JP2785413B2 JP 2785413 B2 JP2785413 B2 JP 2785413B2 JP 2579990 A JP2579990 A JP 2579990A JP 2579990 A JP2579990 A JP 2579990A JP 2785413 B2 JP2785413 B2 JP 2785413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- electrode
- disk
- thin film
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気又は磁化により磁気抵抗が変化する現
象、所謂磁気抵抗効果を利用したMR（磁気抵抗効果）型
薄膜ヘッドに関する。
象、所謂磁気抵抗効果を利用したMR（磁気抵抗効果）型
薄膜ヘッドに関する。
本発明は、磁気抵抗効果素子、即ちMR素子をヘッド面
に対し垂直方向に配置すると共に、上記MR素子の両端か
ら導出された電極のうち、一方の電極をヘッド面に露出
させ、他方の電極をヘッド面に露出させないで構成され
てなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、ヘッド面に
露出した上記一方の電極を接地電位に接続して構成する
ことにより、MR素子の電極とディスク面間に生じる電位
差変動を小さくして、薄膜ヘッドの電気的破壊を防止す
るようにしたものである。
に対し垂直方向に配置すると共に、上記MR素子の両端か
ら導出された電極のうち、一方の電極をヘッド面に露出
させ、他方の電極をヘッド面に露出させないで構成され
てなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、ヘッド面に
露出した上記一方の電極を接地電位に接続して構成する
ことにより、MR素子の電極とディスク面間に生じる電位
差変動を小さくして、薄膜ヘッドの電気的破壊を防止す
るようにしたものである。
従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、第４図に示すよ
うに、MR素子（21）をその長手方向をヘッド（摺動）面
ａと平行方向に配置し、MR素子（21）の両端から電極
（22a）及び（22b）を取出すように構成されてなる。こ
のとき、上記２つの電極（22a）及び（22b）は、ヘッド
面ａに露出することとなる。従って、この従来の薄膜ヘ
ッドにおいては、記録媒体、特にハードディスク装置に
おける例えばスパッタで形成されたディスク上の磁気記
録媒体（23）に対し、両端の電極（22a）及び（22b）が
同時に導電性を有する磁気記録媒体（23）の一主面（以
後、単にディスク面と記す）ｂに触れることとなる。両
端の電極（23a）及び（22b）がディスク面ｂに触れると
MR素子（21）における電気抵抗変化とは別に電極（22
a）及び（22）間において電気抵抗変化が生じることと
なり、それが大きなノイズの発生の原因になる。
うに、MR素子（21）をその長手方向をヘッド（摺動）面
ａと平行方向に配置し、MR素子（21）の両端から電極
（22a）及び（22b）を取出すように構成されてなる。こ
のとき、上記２つの電極（22a）及び（22b）は、ヘッド
面ａに露出することとなる。従って、この従来の薄膜ヘ
ッドにおいては、記録媒体、特にハードディスク装置に
おける例えばスパッタで形成されたディスク上の磁気記
録媒体（23）に対し、両端の電極（22a）及び（22b）が
同時に導電性を有する磁気記録媒体（23）の一主面（以
後、単にディスク面と記す）ｂに触れることとなる。両
端の電極（23a）及び（22b）がディスク面ｂに触れると
MR素子（21）における電気抵抗変化とは別に電極（22
a）及び（22）間において電気抵抗変化が生じることと
なり、それが大きなノイズの発生の原因になる。
そこで、この問題を解決するために、第５図に示すよ
うに、MR素子（21）をその長手方向をヘッド面ａに対し
垂直方向に配置すると共に、MR素子（21）の両端から導
出された２つの電極（22a）及び（22b）のうち、一方の
電極（22a）をヘッド面ａに露出させ、他方の電極（22
b）をヘッド面ａに露出させないように構成した薄膜ヘ
ッドが提案されている。この場合、第６図に示すよう
に、電極（22a）及び（22b）は、MR素子（21）と異な
り、その厚みが厚く、導電率の高い金属材料を用いるた
め、一方の電極（22a）がディスク面ｂに接触したとし
ても、電極（22a）及び（22b）間の電気抵抗変化は無視
できるほど小さく、大きなノイズの発生の要因とはなら
ない。また、この提案例においては、MR素子（21）を非
磁性の中間層（24）を介して２層の磁性体膜（21a）及
び（21b）で構成しているため、バルクハウゼンノイ
ズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実に回避
することができる。
うに、MR素子（21）をその長手方向をヘッド面ａに対し
垂直方向に配置すると共に、MR素子（21）の両端から導
出された２つの電極（22a）及び（22b）のうち、一方の
電極（22a）をヘッド面ａに露出させ、他方の電極（22
b）をヘッド面ａに露出させないように構成した薄膜ヘ
ッドが提案されている。この場合、第６図に示すよう
に、電極（22a）及び（22b）は、MR素子（21）と異な
り、その厚みが厚く、導電率の高い金属材料を用いるた
め、一方の電極（22a）がディスク面ｂに接触したとし
ても、電極（22a）及び（22b）間の電気抵抗変化は無視
できるほど小さく、大きなノイズの発生の要因とはなら
ない。また、この提案例においては、MR素子（21）を非
磁性の中間層（24）を介して２層の磁性体膜（21a）及
び（21b）で構成しているため、バルクハウゼンノイ
ズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実に回避
することができる。
一般に、実際のハードディスク装置の駆動時において
は、ディスク面ｂとヘッド面ａは接したり、離間したり
する。特に、ディスクが回転している時、ヘッド面ａは
ディスク面ｂに対しわずかに離間した状態となってい
る。
は、ディスク面ｂとヘッド面ａは接したり、離間したり
する。特に、ディスクが回転している時、ヘッド面ａは
ディスク面ｂに対しわずかに離間した状態となってい
る。
ところが、第５図で志江す提案例に係る薄膜ヘッドに
おいては、MR素子（21）に一定の電流が供給されること
から、ディスク面ｂとヘッド面ａ、特に一方の電極（22
a）との間に電位差が生じることになる。ディスク面ｂ
と一方の電極（22a）間に電位差が生じると、上記の如
く、ヘッド面ａがディスク面ｂに近接した時、又はヘッ
ド面ａがディスク面ｂに接触した時、瞬時に電極（22
a）に向って大電流が流れてディスク面ｂとヘッド面ａ
間に放電が生じ、この放電によりMR素子（21）や一方の
電極（22a）が電気的に破壊され、ヘッドとしての機能
を失うという不都合がある。
おいては、MR素子（21）に一定の電流が供給されること
から、ディスク面ｂとヘッド面ａ、特に一方の電極（22
a）との間に電位差が生じることになる。ディスク面ｂ
と一方の電極（22a）間に電位差が生じると、上記の如
く、ヘッド面ａがディスク面ｂに近接した時、又はヘッ
ド面ａがディスク面ｂに接触した時、瞬時に電極（22
a）に向って大電流が流れてディスク面ｂとヘッド面ａ
間に放電が生じ、この放電によりMR素子（21）や一方の
電極（22a）が電気的に破壊され、ヘッドとしての機能
を失うという不都合がある。
本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その
目的とするところは、MR素子の電極とディスク面間に生
じる電位差変動を小さくすることができ、それらの電気
的破壊を防止することができる磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドを提供することにある。
目的とするところは、MR素子の電極とディスク面間に生
じる電位差変動を小さくすることができ、それらの電気
的破壊を防止することができる磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドを提供することにある。
本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、MR素子（１）
をヘッド面ａに対し垂直方向に配置すると共に、MR素子
（１）の両端から導出する２つの電極（2a）及び（2b）
のうち、一方の電極（2a）をヘッド面ａに露出させ、他
方の電極（2b）をヘッド面ａに露出させないで構成され
てなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（Ａ）において、ヘッ
ド面ａに露出した一方の電極（2a）を接地電位Vssに接
続して構成する。
をヘッド面ａに対し垂直方向に配置すると共に、MR素子
（１）の両端から導出する２つの電極（2a）及び（2b）
のうち、一方の電極（2a）をヘッド面ａに露出させ、他
方の電極（2b）をヘッド面ａに露出させないで構成され
てなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（Ａ）において、ヘッ
ド面ａに露出した一方の電極（2a）を接地電位Vssに接
続して構成する。
上述の本発明の構成によれば、ヘッド面ａに露出した
一方の電極（2a）に接地電位Vssを供給するようにした
ので、ヘッド面ａに露出した一方の電極（2a）とディス
ク面ｂの電位差変動を小さくすることができる。従っ
て、ヘッド面ａとディスク面ｂとが接触あるいは近接し
た状態にあっても、ヘッド面ａとディスク面ｂ間に放電
は生じなくなる。即ち、一方の電極（2a）に瞬時に大電
流が流れるということがないため、MR素子（１）及び一
方の電極（2a）の電気的破壊並びに薄膜ヘッド（Ａ）の
放電破壊を防止することができる。
一方の電極（2a）に接地電位Vssを供給するようにした
ので、ヘッド面ａに露出した一方の電極（2a）とディス
ク面ｂの電位差変動を小さくすることができる。従っ
て、ヘッド面ａとディスク面ｂとが接触あるいは近接し
た状態にあっても、ヘッド面ａとディスク面ｂ間に放電
は生じなくなる。即ち、一方の電極（2a）に瞬時に大電
流が流れるということがないため、MR素子（１）及び一
方の電極（2a）の電気的破壊並びに薄膜ヘッド（Ａ）の
放電破壊を防止することができる。
以下、第１図〜第３図を参照しながら本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
第１図は、本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
（Ａ）を示す構成図、第２図はその断面図である。
（Ａ）を示す構成図、第２図はその断面図である。
この薄膜ヘッド（Ａ）は、図示する如く、MR素子
（１）をその長手方向をヘッド面ａに対し垂直方向に配
置すると共に、MR素子（１）の両端から導出する２つの
電極（2a）及び（2b）のうち、一方の電極（2a）をヘッ
ド面ａに露出させて、該電極（2a）をディスク面ｂに対
向させるようになし、他方の電極（2b）をヘッド面ａに
露出させないように構成し、更に他方の電極（2b）をア
ンプ部（３）に接続すると共に、一方の電極（2a）をデ
ィスク面ｂと同様に接地電位Vssに接続してなる。そし
て、アンプ部（３）内の定電流源（４）によってMR素子
（１）に一定の電流ｉを流すことにより、ディスク面ｂ
の磁化状態に基づくMR素子（１）の電気抵抗変化を電極
（2a）及び（2b）間の電圧変化に変換し、この電圧変化
をアンプ部（３）内の増幅器（５）を介して出力端子φ
outより薄膜ヘッド（Ａ）の出力信号Ｓとして取出すよ
うになされている。また、本例のMR素子（１）は、第２
図に示すように、非磁性の中間層（８）を介して２層の
磁性体膜（1a）及び（1b）で構成することにより、バル
クハウゼンノイズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発
生を確実に回避するようになされている。更に本例にお
いては、MR素子（１）の両側に該MR素子（１）を挟むよ
うに絶縁層（６）を介して軟磁性層（7a）及び（7b）を
配してなる。この軟磁性層（7a）及び（7b）は、MR素子
（１）を磁気的にシールドして薄膜ヘッド（Ａ）の分解
能を向上させるためのものである。
（１）をその長手方向をヘッド面ａに対し垂直方向に配
置すると共に、MR素子（１）の両端から導出する２つの
電極（2a）及び（2b）のうち、一方の電極（2a）をヘッ
ド面ａに露出させて、該電極（2a）をディスク面ｂに対
向させるようになし、他方の電極（2b）をヘッド面ａに
露出させないように構成し、更に他方の電極（2b）をア
ンプ部（３）に接続すると共に、一方の電極（2a）をデ
ィスク面ｂと同様に接地電位Vssに接続してなる。そし
て、アンプ部（３）内の定電流源（４）によってMR素子
（１）に一定の電流ｉを流すことにより、ディスク面ｂ
の磁化状態に基づくMR素子（１）の電気抵抗変化を電極
（2a）及び（2b）間の電圧変化に変換し、この電圧変化
をアンプ部（３）内の増幅器（５）を介して出力端子φ
outより薄膜ヘッド（Ａ）の出力信号Ｓとして取出すよ
うになされている。また、本例のMR素子（１）は、第２
図に示すように、非磁性の中間層（８）を介して２層の
磁性体膜（1a）及び（1b）で構成することにより、バル
クハウゼンノイズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発
生を確実に回避するようになされている。更に本例にお
いては、MR素子（１）の両側に該MR素子（１）を挟むよ
うに絶縁層（６）を介して軟磁性層（7a）及び（7b）を
配してなる。この軟磁性層（7a）及び（7b）は、MR素子
（１）を磁気的にシールドして薄膜ヘッド（Ａ）の分解
能を向上させるためのものである。
上述の如く、本例によれば、MR素子（１）の両端から
導出する２つの電極（2a）及び（2b）のうち、ヘッド面
ａに露出した一方の電極（2a）に接地電位Vssを接続す
るようにしたので、該電極（2a）とディスク面ｂとの電
位差変動を小さくすことができ、ヘッド面ａとディスク
面ｂとが接触あるいは近接した状態にあっても、ヘッド
面ａとディスク面ｂ間には放電は生じなくなる。従っ
て、上記の状態にあっても、電極（2a）に対し瞬時に大
電流が流れるということがなくなるため、MR素子（１）
及び電極（2a）の電気的破壊並びに薄膜ヘッド（Ａ）の
放電破壊を防止することができ、薄膜ヘッド（Ａ）の高
信頼性化を図ることができる。
導出する２つの電極（2a）及び（2b）のうち、ヘッド面
ａに露出した一方の電極（2a）に接地電位Vssを接続す
るようにしたので、該電極（2a）とディスク面ｂとの電
位差変動を小さくすことができ、ヘッド面ａとディスク
面ｂとが接触あるいは近接した状態にあっても、ヘッド
面ａとディスク面ｂ間には放電は生じなくなる。従っ
て、上記の状態にあっても、電極（2a）に対し瞬時に大
電流が流れるということがなくなるため、MR素子（１）
及び電極（2a）の電気的破壊並びに薄膜ヘッド（Ａ）の
放電破壊を防止することができ、薄膜ヘッド（Ａ）の高
信頼性化を図ることができる。
ところで、第３図に示すように、ハードディスク装置
の駆動時において、通常ディスク（11）は、回転する軸
（12）を介してディスク（11）の金属ケース（13）に、
ある程度の導電性をもたせることにより、ディスク面ｂ
が高電位にならないようにしている。しかし、回転する
軸（12）を介しての導電性が不充分な時に、ディスク面
ｂでのある程度の電位変動はどうしてもまぬがれない。
そこで本例においては、ヘッド面ａに露出した電極（2
a）を接地電位Vssにし、更にディスク回転系（14）の接
地電位Vssと共通に接続する。即ち、通常、ディスク（1
1）及び回転軸（12）を含むディスク回転系（14）の接
地電位Vssは金属ケース（13）を介して供給されるた
め、電極（2a）の接地電位Vssも金属ケース（13）を介
して供給されるように配線する。このようにすれば、ヘ
ッド面ａに露出した電極（2a）とディスク面ｂの電位差
変動をより小さくすることができる。
の駆動時において、通常ディスク（11）は、回転する軸
（12）を介してディスク（11）の金属ケース（13）に、
ある程度の導電性をもたせることにより、ディスク面ｂ
が高電位にならないようにしている。しかし、回転する
軸（12）を介しての導電性が不充分な時に、ディスク面
ｂでのある程度の電位変動はどうしてもまぬがれない。
そこで本例においては、ヘッド面ａに露出した電極（2
a）を接地電位Vssにし、更にディスク回転系（14）の接
地電位Vssと共通に接続する。即ち、通常、ディスク（1
1）及び回転軸（12）を含むディスク回転系（14）の接
地電位Vssは金属ケース（13）を介して供給されるた
め、電極（2a）の接地電位Vssも金属ケース（13）を介
して供給されるように配線する。このようにすれば、ヘ
ッド面ａに露出した電極（2a）とディスク面ｂの電位差
変動をより小さくすることができる。
本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、MR素子の
両端から導出する電極のうち、ヘッド面に露出した電極
を接地電位に接続して構成するようにしたので、MR素子
の電極とディスク面間に生じる電位差変動を小さくする
ことができ、MR素子及び電極の電気的破壊並びに薄膜ヘ
ッドの放電破壊を防止することができる。
両端から導出する電極のうち、ヘッド面に露出した電極
を接地電位に接続して構成するようにしたので、MR素子
の電極とディスク面間に生じる電位差変動を小さくする
ことができ、MR素子及び電極の電気的破壊並びに薄膜ヘ
ッドの放電破壊を防止することができる。
第１図は本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを示
す構成図、第２図はその断面図、第３図は本例に係るハ
ードディスク装置を示す模式的構成図、第４図は従来例
を示す構成図、第５図は提案例を示す構成図、第６図は
提案例に係るMR素子と電極の構成を示す斜視図である。 （Ａ）は磁気抵抗効果型薄膜ヘッド、（１）はMR素子、
（2a）及び（2b）は電極、（３）はアンプ部、ａはヘッ
ド面、ｂはディスク面である。
す構成図、第２図はその断面図、第３図は本例に係るハ
ードディスク装置を示す模式的構成図、第４図は従来例
を示す構成図、第５図は提案例を示す構成図、第６図は
提案例に係るMR素子と電極の構成を示す斜視図である。 （Ａ）は磁気抵抗効果型薄膜ヘッド、（１）はMR素子、
（2a）及び（2b）は電極、（３）はアンプ部、ａはヘッ
ド面、ｂはディスク面である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 憲男 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 柴田 拓二 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−116915（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (1)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子をヘッド面に対し垂直方
向に配置すると共に、上記磁気抵抗効果素子の両端から
導出された電極のうち、一方の電極をヘッド面に露出さ
せ、他方の電極をヘッド面に露出させないで構成されて
なる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、 ヘッド面に露出した上記一方の電極を接地電位に接続し
てなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2579990A JP2785413B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
| US08/295,229 US5424890A (en) | 1990-02-05 | 1994-08-24 | Magnetoresistance effect type thin film head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2579990A JP2785413B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342533A JPH05342533A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2785413B2 true JP2785413B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=12175899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2579990A Expired - Fee Related JP2785413B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785413B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3384651B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2003-03-10 | 富士通株式会社 | 電源制御回路及び記憶装置 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2579990A patent/JP2785413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05342533A (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5247413A (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head with noise reducing electrode | |
| US5084794A (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| JP3638522B2 (ja) | 電荷クランプを有する遮蔽磁気抵抗ヘッド | |
| US3813692A (en) | Internally biased magnetoresistive magnetic transducer | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| EP0457278B1 (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head | |
| US5424890A (en) | Magnetoresistance effect type thin film head | |
| JPH07192227A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2785413B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JP2002100009A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| US5661620A (en) | Magneto-resistance effect magnetic head | |
| JPS62137713A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP3186132B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH11259824A (ja) | 磁気記録再生装置及びそれに用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS6326450B2 (ja) | ||
| JP3609104B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH08203039A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子 | |
| JP3040892B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06203337A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2672105B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0729123A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3109162B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドを有するハードディスクドライブ装置 | |
| JPS62159318A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気センサ− | |
| JPS5850622A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0554340A (ja) | 複合型磁気ヘツド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |