JPS5850622A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5850622A JPS5850622A JP14714681A JP14714681A JPS5850622A JP S5850622 A JPS5850622 A JP S5850622A JP 14714681 A JP14714681 A JP 14714681A JP 14714681 A JP14714681 A JP 14714681A JP S5850622 A JPS5850622 A JP S5850622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- thin film
- head
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録および再生を行なう薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
に関するものである。
従来の薄膜磁気ヘッドには大別して二つのｆｌ！があっ
た。一つは誘導型薄膜磁気ヘッドでおり、ａスコアの磁
化を利用しており記録、再生の機能をもっている０他は
薄膜磁気抵抗ヘッドであり、磁性薄膜の磁気抵抗効果を
利用しており、再生のみの機能をもっている。第１図お
よび第２図Ｋにこれら従来の薄膜磁気ヘットの所薗構、
ａ１に示す。第１７ｒｚａ４薄膜臼気ヘノ、ドであり、
山は基板、（２）ｅユ薄ＩＮ磁気′＼ツドのコアである
。（：３１および（４）はそｎ−ｔ’ｎコア＋２１１に
構成する下部コア、上部コアである。（５）ハコ１ル導
体でろ９．ヘッド光層でギャップ部（６１を兼ねている
。Ｌｇ はギャップ長を表わす。
た。一つは誘導型薄膜磁気ヘッドでおり、ａスコアの磁
化を利用しており記録、再生の機能をもっている０他は
薄膜磁気抵抗ヘッドであり、磁性薄膜の磁気抵抗効果を
利用しており、再生のみの機能をもっている。第１図お
よび第２図Ｋにこれら従来の薄膜磁気ヘットの所薗構、
ａ１に示す。第１７ｒｚａ４薄膜臼気ヘノ、ドであり、
山は基板、（２）ｅユ薄ＩＮ磁気′＼ツドのコアである
。（：３１および（４）はそｎ−ｔ’ｎコア＋２１１に
構成する下部コア、上部コアである。（５）ハコ１ル導
体でろ９．ヘッド光層でギャップ部（６１を兼ねている
。Ｌｇ はギャップ長を表わす。
第２図に薄膜磁気抵抗ヘッドの断面構造倉示す。
図において、山に基板、（７）および（８１にそれぞれ
下部によび上部シールド膜である。（９）は磁気抵抗効
果を有する磁性薄膜であり、以下磁気抵抗素子と称ｊ。
下部によび上部シールド膜である。（９）は磁気抵抗効
果を有する磁性薄膜であり、以下磁気抵抗素子と称ｊ。
ＯＩは前記昌気抵抗累子（９）にバイアス磁界を印加す
るためのバイアス膜である。Ｑｌｌ、Ｃ１り、Ｃ３は導
電性膜の層間ｔｗｔ気的に絶縁する絶縁膜でるる。
るためのバイアス膜である。Ｑｌｌ、Ｃ１り、Ｃ３は導
電性膜の層間ｔｗｔ気的に絶縁する絶縁膜でるる。
ａ＃ハシールドギャップでおり、Ｌｌｇ はシールドギ
ャップ長の値を表わす。次に動作について述べるが薄膜
磁気ヘッドの原理についてはよく知らｎており、ここで
に簡略Ｖこ述べる。第１図に示す誘導型薄膜ヘッドはコ
１ル導体（５）に流すヘノ電ｆｌＬＫよりコアｔ２１
ｋ磁化し、ギャップ（６１における漏洩磁界により記録
媒体を磁化することにより記録の動作をおこない。再生
に関しては記録媒体よりの信ｑｈが１ｃ Ｌｖコ゛γ（
２）が磁化され、このとき、コイル４不Ｌ５Ｊ ｖｃは
電ｉ訪導ｌ（よシ亀圧が発生し、１８号電圧として取Ｏ
出している。
ャップ長の値を表わす。次に動作について述べるが薄膜
磁気ヘッドの原理についてはよく知らｎており、ここで
に簡略Ｖこ述べる。第１図に示す誘導型薄膜ヘッドはコ
１ル導体（５）に流すヘノ電ｆｌＬＫよりコアｔ２１
ｋ磁化し、ギャップ（６１における漏洩磁界により記録
媒体を磁化することにより記録の動作をおこない。再生
に関しては記録媒体よりの信ｑｈが１ｃ Ｌｖコ゛γ（
２）が磁化され、このとき、コイル４不Ｌ５Ｊ ｖｃは
電ｉ訪導ｌ（よシ亀圧が発生し、１８号電圧として取Ｏ
出している。
第２図に示す薄膜磁気抵抗ヘッドでに記録１）ＩＫより
の信号磁界により磁気抵抗素子（９）の母化万同が変化
し、こ扛にともない磁気抵抗素子（９）の電気抵抗か変
化し、センス電流′に通して信号電圧として取り出し、
再生機能を果している。正負Ｇ）ずれの方向における信
号磁界でもひずみなく、ｎ度よく検出ノるために磁気抵
抗素子＋９１ Ｖｒ−に所定の／＜イアス磁界が与えら
ｎており、 ノイイアス磁界にバイアス
膜（１１に流−ｊ／（イＴス電流により発生させている
。また分解能の向上を図るために下部シールド膜（７）
、上部シーｌレド膜（８）により磁気抵抗素子（９）に
出猟的に７−ルド芒れている。
の信号磁界により磁気抵抗素子（９）の母化万同が変化
し、こ扛にともない磁気抵抗素子（９）の電気抵抗か変
化し、センス電流′に通して信号電圧として取り出し、
再生機能を果している。正負Ｇ）ずれの方向における信
号磁界でもひずみなく、ｎ度よく検出ノるために磁気抵
抗素子＋９１ Ｖｒ−に所定の／＜イアス磁界が与えら
ｎており、 ノイイアス磁界にバイアス
膜（１１に流−ｊ／（イＴス電流により発生させている
。また分解能の向上を図るために下部シールド膜（７）
、上部シーｌレド膜（８）により磁気抵抗素子（９）に
出猟的に７−ルド芒れている。
これら二つの型の薄膜磁気抵抗ヘッドにはそれぞれ％像
かめる。誘導型薄膜磁気ヘッドは単一のヘッドで記録、
再生の動作をおこなうことかできる。しかしコイルのタ
ーン数の制約より再生出力が小さい。−万、薄膜磁気抵
抗ヘッドは再生出力が大きく、かつ再生出力が記録媒体
の移動速度によらないという利点ももっている。しかし
、再生のみの機能であり、記録にできない。配録、再生
の機能を必要とする磁気記録装置に薄膜磁気ヘッドを利
用する場合、記録は誘導形薄膜磁気へノドを用い、再生
は薄ｉｌ！磁気抵抗へノドを利用する方法、記録、再生
とも誘導型薄膜磁気ヘッドを利用スる方法とがわけらｎ
ている。
かめる。誘導型薄膜磁気ヘッドは単一のヘッドで記録、
再生の動作をおこなうことかできる。しかしコイルのタ
ーン数の制約より再生出力が小さい。−万、薄膜磁気抵
抗ヘッドは再生出力が大きく、かつ再生出力が記録媒体
の移動速度によらないという利点ももっている。しかし
、再生のみの機能であり、記録にできない。配録、再生
の機能を必要とする磁気記録装置に薄膜磁気ヘッドを利
用する場合、記録は誘導形薄膜磁気へノドを用い、再生
は薄ｉｌ！磁気抵抗へノドを利用する方法、記録、再生
とも誘導型薄膜磁気ヘッドを利用スる方法とがわけらｎ
ている。
しかし、前者の場合に二つの７Ｒ１＆気ヘツド２必要と
し、記録トラックと再生トラックケ一致させることは容
易でなく、また後者についても薄膜磁気抵抗ヘッドに比
較して再生…力が小さいという問題点がめる。記録密度
の向上をはかつていく上で薄膜磁気ヘッドの狭トラツク
化は不可欠であり、狭トラツク化か進んだ場合記録トラ
ックと再生トラック倉一致させることはますます困難に
なり、また再生出力が小さいと狭トラツク化に比例する
再生出力の低下の影響はきわめて大きいっ従来の薄膜磁
気ヘッドでは以上のべたように再生出力、トラック合せ
の制約のため狭トラツク化に限界かあり、このため薄膜
出猟ヘッドを用いた磁気記録装置にンける記録の高密度
化の上で問題点があった。
し、記録トラックと再生トラックケ一致させることは容
易でなく、また後者についても薄膜磁気抵抗ヘッドに比
較して再生…力が小さいという問題点がめる。記録密度
の向上をはかつていく上で薄膜磁気ヘッドの狭トラツク
化は不可欠であり、狭トラツク化か進んだ場合記録トラ
ックと再生トラック倉一致させることはますます困難に
なり、また再生出力が小さいと狭トラツク化に比例する
再生出力の低下の影響はきわめて大きいっ従来の薄膜磁
気ヘッドでは以上のべたように再生出力、トラック合せ
の制約のため狭トラツク化に限界かあり、このため薄膜
出猟ヘッドを用いた磁気記録装置にンける記録の高密度
化の上で問題点があった。
この発明に上記のような従来の欠点を除去する次めなさ
ｎ７ｔもので、記録シ・よび再生の両機能を持ち、かつ
高密度の記録が行なえる薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的としている・ この発明は薄膜磁気抵抗ヘッドと誘導形薄膜出猟ヘッド
の構造における類似点ｖＣ’；ｆｉ目し、薄膜磁気抵抗
ヘッドの構造を改良したものである。即ち第１図および
第２図の断面構造全比較すると類似点がいくつかある。
ｎ７ｔもので、記録シ・よび再生の両機能を持ち、かつ
高密度の記録が行なえる薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的としている・ この発明は薄膜磁気抵抗ヘッドと誘導形薄膜出猟ヘッド
の構造における類似点ｖＣ’；ｆｉ目し、薄膜磁気抵抗
ヘッドの構造を改良したものである。即ち第１図および
第２図の断面構造全比較すると類似点がいくつかある。
コア＋２１ を構成する下部コア（３）。
上部コア＋４１は磁気ンールドのための下部シーｌレド
膜（７）、上部ノーＩレド膜ｔ８Ｊに対応している。コ
イＩし導体Ｌ５１ Ｋはバイアス膜Ｑ呻が対応している
。ギャップ長（ＬｇＪＫ、ｔ−ｊシールドギャップ長（
Ｌａｇ ）が対応しており、薄膜磁気抵抗ヘッドは誘導
型薄膜磁気ヘッドのコアの間に磁気抵抗素子や絶縁膜を
に妊んだ形状に近い。し〃・シ薄膜磁気抵抗ヘットに記
録ヘッドの機能をもたせることについてはいくつかの問
題点かめる。その最大のものとしてコイル導体＋５１と
バイアス膜０（２）のちがいにある。誘導型薄膜磁気ヘ
ッドでにコイル導体（５１に扼了ヘノ電ｔＭ、に大きく
、コイルの巻数が１巻であるシックルターンヘッドでは
１〜２Ａｉ度σＩピ録電流がコイ１Ｌ’４体（５）Ｋ流
さする。この＾めコイル４ 坏Ｌ５１ ノ＜流容鎗も大
きく設計６ｔ、コイル導体の厚さに２〜４μ・ｍ にな
っている。こｒＬに対しバイアス膜Ｈに磁気抵抗素子（
９）にバイアス磁界を与んるに必要なバイアス電流を流
すためのものでめり、バイアス電流に通常１００〜３０
０ｍＡ と小ざく、このため、バイアスｐｌＡＯＩＪ
ＩＬＩ＃さｉ ［Ｊ、３〜０，５ ｔｔ・ｍ ト小ざい
。薄膜磁気抵抗ヘッドのバイアス唆１１１１＋１ｔコイ
ル導体＋５１の代用とすることに電流容量の点で困難で
あり、またバイアス膜吋の厚みｔ単ＶＣ太きくすること
は薄膜磁気抵抗・＼ラドのシールドギャップ長（Ｌａｇ
）が大きくなり、ヘッドの分解ｔＦ！が低下するとい
う欠点もめる。以下に＃！２明するこの発明の一実施例
にこｎらの問題点をふまえて薄膜磁気抵抗ヘッドに記録
ヘッドとしての機能をもたせたものてめる。以下第３図
にこの発明の一実施例を示″を図において、（１）は基
板である。（９）汀出猟抵抗素子でろり、Ｏｌｌ、 ０
３． （１３は各導体層間？絶縁するための絶縁膜であ
る。Ｏ５に薄膜磁気抵抗へンドの下部シーｌレド膜（７
）と訪４型薄（莫は気−・ラドの下部コア１３）七して
の機能をあわせてもつ、下部磁性層であり、０６１は同
じく上部磁性層である各磁性層ハヘッド後部で直接、積
１＃され、ギャソフ部以外で閉ａ路を形成してい【）こ
ｊもの磁性層を形成する磁性材料はＮｉ −Ｆｅ系合金
膜、 Ｆｅ −Ｓｔ −Ａ／系金合金膜どのように高周
波透磁率、飽和磁束密□″１ 度の大きいものが１ｉｉｉｆｉコア卦よ□び磁気シール
ドとしての機能を果していく上でのぞましい。０７）ハ
コイル導体（５１とバイアス膜（ＩＩの機能を６わせで
４っている導体層でめり、記録ヘッドとしての゛４流容
量を確保しておくために２〜４μ・ｍもしくは七れ以上
の厚さの電気比抵抗の小さい薄膜で形成さｒする。唾た
導体膜（ＩＴＩの膜厚が厚くなることによりギャップ長
ＬＬ）か大きくなり、再生ヘッドとしての分解能が低下
するのを防ぐため、導体膜ｏ７）はギャップ部０ゆより
５ないし２０μ・ｍ程後退させている。このためギャッ
プ長（Ｌ）は磁気抵抗素子（９）。
膜（７）、上部ノーＩレド膜ｔ８Ｊに対応している。コ
イＩし導体Ｌ５１ Ｋはバイアス膜Ｑ呻が対応している
。ギャップ長（ＬｇＪＫ、ｔ−ｊシールドギャップ長（
Ｌａｇ ）が対応しており、薄膜磁気抵抗ヘッドは誘導
型薄膜磁気ヘッドのコアの間に磁気抵抗素子や絶縁膜を
に妊んだ形状に近い。し〃・シ薄膜磁気抵抗ヘットに記
録ヘッドの機能をもたせることについてはいくつかの問
題点かめる。その最大のものとしてコイル導体＋５１と
バイアス膜０（２）のちがいにある。誘導型薄膜磁気ヘ
ッドでにコイル導体（５１に扼了ヘノ電ｔＭ、に大きく
、コイルの巻数が１巻であるシックルターンヘッドでは
１〜２Ａｉ度σＩピ録電流がコイ１Ｌ’４体（５）Ｋ流
さする。この＾めコイル４ 坏Ｌ５１ ノ＜流容鎗も大
きく設計６ｔ、コイル導体の厚さに２〜４μ・ｍ にな
っている。こｒＬに対しバイアス膜Ｈに磁気抵抗素子（
９）にバイアス磁界を与んるに必要なバイアス電流を流
すためのものでめり、バイアス電流に通常１００〜３０
０ｍＡ と小ざく、このため、バイアスｐｌＡＯＩＪ
ＩＬＩ＃さｉ ［Ｊ、３〜０，５ ｔｔ・ｍ ト小ざい
。薄膜磁気抵抗ヘッドのバイアス唆１１１１＋１ｔコイ
ル導体＋５１の代用とすることに電流容量の点で困難で
あり、またバイアス膜吋の厚みｔ単ＶＣ太きくすること
は薄膜磁気抵抗・＼ラドのシールドギャップ長（Ｌａｇ
）が大きくなり、ヘッドの分解ｔＦ！が低下するとい
う欠点もめる。以下に＃！２明するこの発明の一実施例
にこｎらの問題点をふまえて薄膜磁気抵抗ヘッドに記録
ヘッドとしての機能をもたせたものてめる。以下第３図
にこの発明の一実施例を示″を図において、（１）は基
板である。（９）汀出猟抵抗素子でろり、Ｏｌｌ、 ０
３． （１３は各導体層間？絶縁するための絶縁膜であ
る。Ｏ５に薄膜磁気抵抗へンドの下部シーｌレド膜（７
）と訪４型薄（莫は気−・ラドの下部コア１３）七して
の機能をあわせてもつ、下部磁性層であり、０６１は同
じく上部磁性層である各磁性層ハヘッド後部で直接、積
１＃され、ギャソフ部以外で閉ａ路を形成してい【）こ
ｊもの磁性層を形成する磁性材料はＮｉ −Ｆｅ系合金
膜、 Ｆｅ −Ｓｔ −Ａ／系金合金膜どのように高周
波透磁率、飽和磁束密□″１ 度の大きいものが１ｉｉｉｆｉコア卦よ□び磁気シール
ドとしての機能を果していく上でのぞましい。０７）ハ
コイル導体（５１とバイアス膜（ＩＩの機能を６わせで
４っている導体層でめり、記録ヘッドとしての゛４流容
量を確保しておくために２〜４μ・ｍもしくは七れ以上
の厚さの電気比抵抗の小さい薄膜で形成さｒする。唾た
導体膜（ＩＴＩの膜厚が厚くなることによりギャップ長
ＬＬ）か大きくなり、再生ヘッドとしての分解能が低下
するのを防ぐため、導体膜ｏ７）はギャップ部０ゆより
５ないし２０μ・ｍ程後退させている。このためギャッ
プ長（Ｌ）は磁気抵抗素子（９）。
絶縁膜０υ、αｚ、０ぶり厚みにより足首る。
次に動作ｒｃつぃて説明する。記録の動作は導体膜Ｑ？
）に流す配録電流に工９下部出性１１（ｌシ、上部磁性
層Ｑ６ｉが田化し、ヘッド先端のギャップ部賭における
漏洩磁界にＬ！７．対向する磁気記録媒体を磁化するこ
とにより、その動作におこなっている。
）に流す配録電流に工９下部出性１１（ｌシ、上部磁性
層Ｑ６ｉが田化し、ヘッド先端のギャップ部賭における
漏洩磁界にＬ！７．対向する磁気記録媒体を磁化するこ
とにより、その動作におこなっている。
再生は紀鎌媒体＝９の信号磁界により磁気抵抗素子（９
１の磁化力向か変１れ、こｆＬにともない磁気抵抗素子
（９２の電気比抵抗が変化し、センス電Ｒｋ通じて信号
電圧とじで取り出している。正負いずｎの方向における
信号磁界をもひすみなく、ｎ度よく検出するために磁気
抵抗素子（９）にはバイアス磁界が与えられるが、バイ
アス磁界は記録に際してにコイルとして利用した導体膜
Ｑηに流すバイアス電ｔＩｔに１９つくられる。分解能
を向上するための磁気シールドは記録に除してはコアと
して利用した下部磁性層Ｑ５１．上部磁性層Ｏｅにより
おこなわれ。
１の磁化力向か変１れ、こｆＬにともない磁気抵抗素子
（９２の電気比抵抗が変化し、センス電Ｒｋ通じて信号
電圧とじで取り出している。正負いずｎの方向における
信号磁界をもひすみなく、ｎ度よく検出するために磁気
抵抗素子（９）にはバイアス磁界が与えられるが、バイ
アス磁界は記録に際してにコイルとして利用した導体膜
Ｑηに流すバイアス電ｔＩｔに１９つくられる。分解能
を向上するための磁気シールドは記録に除してはコアと
して利用した下部磁性層Ｑ５１．上部磁性層Ｏｅにより
おこなわれ。
分解能に直接影響するシールド間の距離（シールドギャ
ップ長；Ｌ）は導体膜αη倉ギャップ部賭より後退させ
ているため、＠気抵抗素子（９）、絶縁膜Ｏυ、 Ｏ３
，（１３の厚みでコントロールすることができる。・ なお、基板…が磁性体でおる場合は第４図に示すように
下部磁性層を省いてもよく、この場合にも上記実施例と
同様の効果を奏する。
ップ長；Ｌ）は導体膜αη倉ギャップ部賭より後退させ
ているため、＠気抵抗素子（９）、絶縁膜Ｏυ、 Ｏ３
，（１３の厚みでコントロールすることができる。・ なお、基板…が磁性体でおる場合は第４図に示すように
下部磁性層を省いてもよく、この場合にも上記実施例と
同様の効果を奏する。
６以上のように、この発明によれば、薄膜磁気抵抗ヘッ
ドのバイアス膜をヘッド先端のギャップ部より５〜２０
μ・ｍ後退させることにＸクギャップ長を小ざくしたま
ま、バイアス膜を厚ぐすることができ、これにより電流
容量音大きくとることができる。この結果、薄膜磁気抵
抗ヘッドを記録ヘッドとしても利用することができ、単
一のヘラきいことから薄膜磁気ヘッドの狭トラツク化が
可能であり、ａ１気記録装置における記録の高密度化が
６易に達成できるという効果がある。
ドのバイアス膜をヘッド先端のギャップ部より５〜２０
μ・ｍ後退させることにＸクギャップ長を小ざくしたま
ま、バイアス膜を厚ぐすることができ、これにより電流
容量音大きくとることができる。この結果、薄膜磁気抵
抗ヘッドを記録ヘッドとしても利用することができ、単
一のヘラきいことから薄膜磁気ヘッドの狭トラツク化が
可能であり、ａ１気記録装置における記録の高密度化が
６易に達成できるという効果がある。
第１図ね従来の誘導形薄膜磁気ヘッドの構造を示す断面
図、第２図に従来σ）薄膜抵抗磁気ヘッドの構造を示１
断面図、第３図にこσノ発明の一実施的を示すｌＦｒ面
図、第４図はこの発明の他の実施例を示す断面図でろる
。 図Ｖこおいて、（９）は磁気抵抗素子、０υ、 ｔ１３
． Ｑ３＋は絶縁膜Ｏｊお工ひＯｅは下部おＬひ下部磁
性層、 （１７）は導体膜でろる。なお図中同一符号は
同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 ５ 第２図 第３図 ゾ 第４図 ＋７
図、第２図に従来σ）薄膜抵抗磁気ヘッドの構造を示１
断面図、第３図にこσノ発明の一実施的を示すｌＦｒ面
図、第４図はこの発明の他の実施例を示す断面図でろる
。 図Ｖこおいて、（９）は磁気抵抗素子、０υ、 ｔ１３
． Ｑ３＋は絶縁膜Ｏｊお工ひＯｅは下部おＬひ下部磁
性層、 （１７）は導体膜でろる。なお図中同一符号は
同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 ５ 第２図 第３図 ゾ 第４図 ＋７
Claims (1)
- 先端面部が面一１こなるよう相対向して設けられた絽１
と第２のｉ性ｌ−と、この第１と第２の磁性層間に絶縁
層全弁して配役された磁気抵抗効果を有する磁性膜、お
よびこの磁性膜にバイアス磁界を与えると共に記録電流
により上記第１と第２の磁性層を磁化し、上記第１と第
２の磁性層の先端における漏洩磁界により記録媒体を磁
化する導体膜とを備え、上記磁性膜と上記第１と第２の
磁性層の上記先端部に配設すると共に上記導体膜を上記
先端部よｐ所定距離後退はせて配設したことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14714681A JPS5850622A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14714681A JPS5850622A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850622A true JPS5850622A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15423619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14714681A Pending JPS5850622A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107006U (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-19 | ||
| US5079662A (en) * | 1988-09-30 | 1992-01-07 | Hitachi, Ltd. | Compound magnetic head having a recording head and a reproducing magnetoresitive head integrated therein |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140112A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-04-03 | Nippon Electric Co | Jikihetsudo |
| JPS5693114A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-28 | Nec Corp | Magnetic resistance effect head |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14714681A patent/JPS5850622A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140112A (ja) * | 1974-09-24 | 1976-04-03 | Nippon Electric Co | Jikihetsudo |
| JPS5693114A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-28 | Nec Corp | Magnetic resistance effect head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107006U (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-19 | ||
| US5079662A (en) * | 1988-09-30 | 1992-01-07 | Hitachi, Ltd. | Compound magnetic head having a recording head and a reproducing magnetoresitive head integrated therein |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5218497A (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith | |
| US5850326A (en) | Narrow track thin film magnetic head suitable for high density recording and reproducing operations and fabrication method thereof wherein an air bearing surface has at least one groove containing a non-magnetic electrically conductive layer | |
| US5883763A (en) | Read/write head having a GMR sensor biased by permanent magnets located between the GMR and the pole shields | |
| JP2563597B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05114119A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS62234218A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| US5097372A (en) | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area | |
| JPH04351706A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002100009A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS5850622A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| EP0372420B1 (en) | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head for use therewith | |
| US5790351A (en) | Magnetoresistive head with conductive underlayer | |
| JPH10154312A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3186132B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| EP0482642A2 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| JPS6141044B2 (ja) | ||
| JP2785413B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH0154766B2 (ja) | ||
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS6050607A (ja) | 垂直磁気記録再生ヘツド | |
| JPS62102411A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH06203332A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| US5870261A (en) | Magnetoresistive head | |
| JPH06223333A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド |