JP3186132B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

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JP3186132B2 JP29763291A JP29763291A JP3186132B2 JP 3186132 B2 JP3186132 B2 JP 3186132B2 JP 29763291 A JP29763291 A JP 29763291A JP 29763291 A JP29763291 A JP 29763291A JP 3186132 B2 JP3186132 B2 JP 3186132B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対する再生ヘッドとして有用な磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド(以下、MRヘッドと称する。)に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ装置
の記録再生用ヘッドは、インダクティブヘッドによる記
録ヘッドと、短波長感度に優れたMRヘッドによる再生
ヘッドとの複合型とされるのが一般的である。かかる磁
気ヘッドとしては、例えばAl2 3 −TiC等よりな
る基板(スライダ)上に、ハードディスクとの対接面、
すなわちABS(エア・ベアリング・サーフェス)面に
臨んでその前方端部間に記録用の磁気ギャップを構成す
る下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアとが所定の間隔
を持って積層されてなる。そして、上記磁気ギャップ内
に少なくとも磁気抵抗効果薄膜(以下、MR薄膜と称す
る。)よりなる磁気抵抗効果感磁部(以下、MR感磁部
と称する。)の一端或いはその一先端電極が上記ABS
面に臨むようにして配置されている。
【0003】また、上記ABS面と反対側には、上記M
R感磁部の他方の電極が上記一電極と略平行に設けられ
ている。そして、上記MR感磁部の略中央部には、この
MR感磁部への通電によって当該MR感磁部に所要の向
きの磁化状態を与え、磁気抵抗効果特性が優れた直線性
と高い感度を示す特性領域で動作するようになすバイア
ス導体が、絶縁膜を介して上記MR感磁部を横切る形で
設けられている。そしてさらに、上記一対の薄膜磁気コ
アの接続部である磁気的結合部を取り囲むようにスパイ
ラル状のヘッド巻線が設けられている。
【0004】このように形成された磁気ヘッドは、下層
薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアを磁気シールドとした
いわゆるシールド型構成のMRヘッドと、下層薄膜磁気
コアと上層薄膜磁気コアにより構成される磁路上にヘッ
ド巻線が巻回されてなるインダクティブヘッドを有し
た、複合型ヘッド構成となっている。そして、この磁気
ヘッドにおける記録は、ヘッド巻線より引き出される端
子部に交流電源からの電流を供給し、前記ABS面に臨
む磁気ギャップより記録情報に基づく磁束を発生させて
行う。一方、再生は、MR感磁部の先端部と後端部に積
層される先端電極と後端電極のそれぞれの端子部に直流
電源から電流を供給しMR感磁部にセンス電流を流すと
ともに、バイアス導体の端子部に直流電流を流して上記
MR感磁部に磁化状態を与えて行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の磁気
ヘッドにおいては、MRヘッドを形成する基板のヘッド
形成面の表面性を確保するために、下層薄膜磁気コアの
下地として膜厚15μm程度のAl2 3 やSiO2
よりなる絶縁膜を上記基板と下層薄膜磁気コアとの間に
介在させるようにしている。
【0006】しかし、これらAl2 3 等による絶縁膜
は、熱伝導性が悪いために放熱効果が低く、MR感磁部
への通電により発生した熱を効率よく逃がすことができ
ない。このため、MR感磁部の温度が上昇し、サーマル
ノイズが発生する。したがって、MR感磁部の電流密度
をある程度以上に上げることができなくなり、再生出力
の低下を余義なくされる。
【0007】また、スライダ材として非導電性の基板を
使用する場合には、メディアにチージした静電気が放電
する際に基板がアースとならないため、MR感磁部に電
荷が落ちて破壊される(これを静電破壊という。)危険
性が高くなる。
【0008】そこで本発明は、上述の技術的課題に鑑み
て提案されたものであって、サーマルノイズの発生を抑
制し、再生出力の大幅な向上を図るとともに、静電破壊
が回避できる信頼性の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に相対向して積層される下層薄
膜磁気コアと上層薄膜磁気コア間に磁気抵抗効果感磁部
を配してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記
基板と下層薄膜磁気コア間に、一端縁が磁気記録媒体対
向面に臨むように金属膜が設けられ、上記金属膜と下層
薄膜磁気コアに接して、厚さ0.2〜2.0μmの絶縁
膜が設けられたことを特徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明においては、基板と下層薄膜磁気コア間
に熱伝導性に優れる金属膜を介在させているので、MR
感磁部へのセンス電流の通電により発生する熱が効率よ
くこの金属膜を通して放熱される。この結果、MR感磁
部の温度上昇が抑制され、サーマルノイズが低減する。
また、MR感磁部へのセンス電流の増加が可能となり、
再生出力が向上する。さらには、上記金属膜がアースと
して機能するため、メディアに帯電した静電気のMR感
磁部への通電が無くなり、静電破壊が回避される。そし
て、金属膜と下層薄膜磁気コアに接して、厚さ0.2〜
2.0μmの絶縁膜を介在させているので、金属膜が拾
うノイズを下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアに通し
難くする。
【0011】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
例は、インダクティブヘッドを構成する一対の薄膜磁気
コア間に再生ヘッドとしてMRヘッドを配した、いわゆ
る1ギャップタイプの記録再生用磁気ヘッドに適用した
例である。
【0012】本実施例の磁気ヘッドにおいては、図1に
示すように、前方端部間に記録用の磁気ギャップgを構
成する下層薄膜磁気コア1と上層薄膜磁気コア2がスラ
イダと称される基板3上に所定の間隔を持って相対向し
て積層形成されている。上記下層薄膜磁気コア1は、上
記基板3上に設けられ、磁気記録媒体、例えばハードデ
ィスクとの対接面となるABS面4にその一端を臨ませ
るようにしてこのABS面4に対して略直交する方向に
延在して設けられている。
【0013】一方、上層薄膜磁気コア2は、上記ABS
面4にその一端を臨ませるようにしてこのABS面4に
対して略直交する方向に延在して設けられ、そのABS
面4に臨む前方端部で上記下層薄膜磁気コア1との間隙
が狭まるように屈曲形成されている。その間隙が狭くな
された前方端部間には、記録用ギャップとして機能する
磁気ギャップgが上記ABS面4に臨んで構成されてい
る。さらに、上層薄膜磁気コア2は、後方端部で上記下
層薄膜磁気コア1と磁気的に接触してバックギャップを
構成するとともに閉磁路を構成している。
【0014】そしてこの磁気ヘッドにおいては、上記磁
気ギャップ内のABS面4から後方に向かって磁気抵抗
効果感磁部であるMR感磁部5が設けられている。MR
感磁部5は、例えば記録用磁気ギャップgのトラック幅
よりも若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その
長手方向が前記ABS面4に対する直交方向となるよう
に設けられている。また、MR感磁部5は、その一端縁
がABS面4に臨むようになされるとともに、後端縁が
相対向する下層薄膜磁気コア1と上層薄膜磁気コア2の
略中途部に至る位置とされている。さらに、上記MR感
磁部5は、基板3上に設けられる下層薄膜磁気コア1と
の絶縁をとるために、第1の絶縁層6aを介して上記下
層薄膜磁気コア1上に設けられている。なお、上記MR
感磁部5は、バルクハウゼンノイズの発生を回避するた
めに、例えばSiO2 等よりなる非磁性の絶縁層を介し
て静磁的に結合する一対のMR薄膜を積層する形とする
とが望ましい。
【0015】上記MR感磁部5の先端部と後端部には、
図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるための一
対の電極7a,7b(以下、ABS面4側に設けられる
電極7aを先端電極7a、後端部に設けられる電極7b
を後端電極7bと称する。)が当該MR感磁部5と電気
的に接続して積層されている。
【0016】先端電極7aは、平面形状が略L字状をな
す配線パターンとして形成され、その一端部が上記MR
感磁部5の先端部に積層されている。そして、その先端
電極7aのうちMR感磁部5上に積層される側のパター
ンの一側縁部が上記ABS面4に露出するようになって
いる。なお、バック側に引き出された配線パターンの端
部は、接地用端子部とされている。
【0017】一方、後端電極7bは、上記先端電極7a
と同様平面略L字状の配線パターンとして形成され、上
記MR感磁部5を挾んで上記先端電極7aとは反対側に
設けられている。そして、その後端電極7bの一端部
は、上記MR感磁部5の後端部に積層されるようになっ
ている。なお、バック側に引き出された配線パターンの
端部は、電流源用端子部とされている。
【0018】そして、上記先端電極7aと後端電極7b
の間には、MR感磁部5への通電によってこのMR感磁
部5に所要の向きの磁化状態を与え、磁気抵抗特性が優
れた直線性と高い感度を示す特性領域で動作するように
なすバイアス導体8が設けられている。バイアス導体8
は、MR感磁部5を横切るかたちで上記電極7a,7b
間に設けられ、その両端部がそれぞれバック側へ引き出
されるようになっている。そのバック側に引き出された
端部が、上記バイアス導体8に電流を通ずるための端子
部とされている。なお、上記バイアス導体8は、MR感
磁部5,両電極7a,7bと絶縁するために第2の絶縁
層6b上に形成されている。
【0019】また、上記後端電極7bの後方には、上記
下層薄膜磁気コア1と上層薄膜磁気コア2の接続部であ
る磁気的結合部9を取り囲むようにしてスパイラル状の
ヘッド巻線10が設けられている。ヘッド巻線10は、
記録時において、下層薄膜磁気コア1と上層薄膜磁気コ
ア2により構成される磁路に記録情報に応じた電流を供
給する役目をするもので、上記両電極7a,7b,MR
感磁部5,上層薄膜磁気コア2との絶縁性を確保するた
めに第3の絶縁層6cによって埋め込まれたかたちとな
っている。また、上記ヘッド巻線10の両端部より引き
出された配線パターンの端部は、このヘッド巻線10に
供給する交流電源からの電流の通電用端子となってい
る。なお、上層薄膜磁気コア2の上には保護膜層11が
設けられ、インダクティブヘッドとMRヘッドを不用意
な外力等から保護するようになっている。
【0020】そして特に、本実施例の磁気ヘッドでは、
下層薄膜磁気コア1の下地膜として基板3と下層薄膜磁
気コア1の間に金属膜12と膜厚の薄い絶縁膜13より
なる積層膜が設けられている。すなわち、基板3上に金
属膜12、絶縁膜13の順に設けられている。上記金属
膜12は、MR感磁部5へのセンス電流の通電によって
発生する熱を効率よく逃がすために設けられるもので、
例えば熱伝導性に優れ、しかも非磁性で腐食し難いTi
やCr等の膜よりなる。かかる金属膜12の膜厚として
は、MRヘッド部の発熱を効率よく放熱するのに必要な
程度あればよく、例えば0.5μm〜10μmの範囲が
好適である。膜厚の下限は、サーマルノイズの発生が生
じない範囲で決められ、上限については膜厚が厚ければ
厚い程放熱効果は高くなるが、厚いと成膜に時間がかか
ること、膜応力が大きくなって剥がれやすくなること、
等から自ずと制限される。
【0021】かかるTi等からなる金属膜12は、従来
より下層薄膜磁気コア1の下地膜として使用されている
Al2 3 やSiO2等の膜に比べて遙に熱伝導性に優
れ、前記MR感磁部5へのセンス電流の通電によって生
ずる発熱をこの金属膜12を通して効率よく放熱するこ
とができる。したがって、MRヘッド部の温度上昇が抑
制され、サーマルノイズを低減することが可能となる。
また、サーマルノイズが減少することから、MR感磁部
5へのセンス電流を増加させることができ、再生出力の
向上が図れる。さらには、上記金属膜12はアースとし
て機能するため、メディアに帯電した静電気をこの金属
膜12を通じてヘッド系以外の部分へ逃がすことがで
き、静電破壊を回避できる。
【0022】一方、下層薄膜磁気コア1と金属膜12の
間に配される絶縁膜13は、下層薄膜磁気コア1を形成
するフレームメッキ後に行われる湿式エッチングによっ
て金属膜12までもがエッチングされるのを防止するた
めに設けられる。この他、絶縁膜13を設ける理由とし
ては、MRヘッド形成面の平坦化研磨を容易なものとな
すため、金属膜12が拾うノイズを薄膜磁気コア1,2
に通し難くするといった意味がある。かかる絶縁膜13
には、従来から下層薄膜磁気コア1の下地膜として用い
られてきたAlやSiO等が使用される。上記
絶縁膜13の膜厚は、放熱の点からいえば薄い方がよ
く、耐湿式エッチングの点からいえば厚い方がよい。そ
こで、両者を満足する値として、0.2μm〜2.0μ
m程度が好ましい。
【0023】ところで、上述の磁気ヘッドを作成するに
は、以下のようして行う。先ず、基板3上に下層薄膜磁
気コア1の下地膜を形成する。すなわち、基板3上にT
i又はCrをメッキ、スパッタ、蒸着等の手法によって
被着し、膜厚が0.5μm〜10μmとなるように金属
膜12を形成する。次に、Al2 3 又はSiO2 を被
着し、膜厚が0.2μm〜2.0μmとなるように絶縁
膜13を形成する。
【0024】この結果、金属膜12と絶縁膜13の積層
膜が形成される。
【0025】次いで、上記絶縁膜13上に下層薄膜磁気
コア1の外形状に応じてレジストによるフレームを形成
した後、パーマロイ等の軟磁性材料をメッキする。そし
て、フレーム外の部分を湿式エッチングにより除去す
る。このとき、金属膜12の上には絶縁膜13が設けら
れているので、エッチング液により当該金属膜12がエ
ッチングされる虞れはない。
【0026】この結果、エッチングによって所定形状の
下層薄膜磁気コア1が形成される。次に、この下層薄膜
磁気コア1の上に第1の絶縁層6aを形成した後、MR
感磁部5を形成し、さらに絶縁層6dを形成した後、そ
の長手方向の両端部に電極接続用の穴開けを行い、その
後それぞれ積層するかたちで先端電極7aと後端電極7
bを形成する。
【0027】次に、第2の絶縁層6bを介してバイアス
導体8を形成するとともに、ヘッド巻線10をスパイラ
ル状に形成する。そして、これらバイアス導体8、ヘッ
ド巻線10を埋め込むかたちで第3の絶縁層6cを形成
した後、この上に上層薄膜磁気コア2を形成する。上層
薄膜磁気コア2は、ABS面4側で第2の絶縁層6bを
介して下層薄膜磁気コア1と対向して記録ギャップを構
成するとともに、バック部で下層薄膜磁気コア1と直接
接触して磁気的結合部9を形成する。
【0028】最後に、上層薄膜磁気コア2を覆って保護
膜層11を形成し、記録再生ヘッドを完成する。
【0029】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の例で
は、本発明をインダクティブヘッドの中にMRヘッドを
配したいわゆる1ギャップタイプの記録再生ヘッドに適
用したが、MRヘッドを一対の薄膜磁気コアでシールド
した構成の再生ヘッドにも適用できる。もちろん、この
場合のヘッドでもその作用効果は同様である。
【0030】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、基板と下層薄
膜磁気コア間に熱伝導性に優れる金属膜を介在させてい
るので、MR感磁部へのセンス電流の通電により発生す
る熱を効率よく放熱させることができる。したがって、
MR感磁部の温度上昇が抑制され、サーマルノイズを低
減することができる。また、MR感磁部へのセンス電流
を増加でき、再生出力を大幅に向上させることができ
る。さらには、上記金属膜がアースとして機能するた
め、メディアに帯電した静電気のMR感磁部への通電が
無くなり、静電破壊を回避することができる。そして、
金属膜と下層薄膜磁気コアに接して、厚さ0.2〜2.
0μmの絶縁膜を介在させているので、金属膜が拾うノ
イズを下層薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアに通し難く
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1・・・第1の薄膜磁気コア 2・・・第2の薄膜磁気コア 3・・・基板 4・・・ABS面 5・・・MR感磁部 7a・・・先端電極 7b・・・後端電極 10・・・ヘッド巻線 12・・・金属膜 13・・・絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 守 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 菅原 扶美 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−242313(JP,A) 特開 昭61−216109(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/39

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に相対向して積層される下層薄膜
    磁気コアと上層薄膜磁気コア間に磁気抵抗効果感磁部を
    配してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 上記基板と下層薄膜磁気コア間に、一端縁が磁気記録媒
    体対向面に臨むように金属膜が設けられ、上記金属膜と
    下層薄膜磁気コアに接して、厚さ0.2〜2.0μmの
    絶縁膜が設けられたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁
    気ヘッド。
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