JP2001056914A

JP2001056914A - 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2001056914A
Application number: JP2000073927A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Nakamoto; 一広中本; Hiroyuki Hoshiya; 裕之星屋; Takashi Kawabe; 隆川邉; Hiromasa Takahashi; 宏昌高橋; Hisashi Kimura; 久志木村; Katsuro Watanabe; 克朗渡辺; Chiaki Ishikawa; 千明石川; Ko Totsuka; 香戸塚
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-06-09
Filing date: 2000-03-13
Publication date: 2001-02-27

Abstract

(57)【要約】【課題】シールド間隔を狭くした場合にも磁気抵抗効
果膜と磁気シールド層の短絡による特性劣化を少なく
し、高い記録密度の磁気記録再生装置を実現する。【解決手段】上部シールド層１５と、下部シールド層
１３と、これらの間に配置された磁気抵抗効果膜１４と
を有する。各シールド層の一方または双方を、強磁性金
属と絶縁性材料との混合膜、もしくは複数層の強磁性金
属層と複数層の絶縁性材料層とを交互に積層して形成し
た不連続積層膜、からなる高抵抗膜を有する構成とし、
短絡による特性劣化を少なくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高記録密度の磁気
記録再生装置に関するものである。また、このような磁
気記録再生装置を安定して提供することができる磁気ヘ
ッドに関し、特に、一対の磁気シールド層の間に磁気抵
抗効果膜を配置した再生ヘッドを有する磁気ヘッドに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置のような磁気記録再生
装置は、情報を磁気的に記録する媒体と、情報を媒体に
記録あるいは再生するための記録ヘッドと再生ヘッドと
を備える磁気ヘッドと、磁気ヘッドからの出力信号に基
づいて情報を再生するとともに入力された信号に基づい
て情報を記録する記録再生動作制御回路と、媒体を回転
または移動させる機構と、記録再生ヘッドの媒体に対す
る位置を決定する位置決め機構などを備えている。

【０００３】記録ヘッドを構成する記録素子は、磁束を
発生させるコイルと、磁束を集める一対の磁気コアと、
磁界を発生させるため一対の磁気コアの間に配置された
記録ギャップとを備えている。磁気コアには、Ｎｉ₈₀Ｆ
ｅ₂₀、Ｆｅ₅₅Ｎｉ₄₅などのニッケルと鉄の合金膜や、コ
バルトベースの合金膜、もしくはそれらを２層程度積層
した膜が一般的に用いられている。各コアの膜厚は、１
から４μｍ程度の厚さに設定されることが多い。記録動
作は、前記コイルに記録電流を流すことで作られる磁界
を、媒体に印加することで行なわれる。

【０００４】再生ヘッドを構成する再生素子は、一対の
磁気シールド層と、一対の磁気シールド層の間にあって
各シールド層からあらかじめ決められた距離を隔てて配
置された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電気的に
接合する一対の電極とを備えている。磁気抵抗効果膜
は、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ膜（anisotro
pic magneto-registive layer）と、巨大磁気抵抗効果
を利用したＧＭＲ膜(giant magneto-registive layer)
とに大別できる。ＡＭＲ膜は、例えば厚さ５から３０
ｎｍ程度のＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀膜などで構成される。ＧＭＲ
膜は、前記媒体から漏洩する磁界によりその磁化方向が
変化する、厚さが２から１０ｎｍ程度の第一の強磁性膜
と、その磁化方向がおおむね固定された、厚さが１から
５ｎｍ程度の第二の強磁性膜と、第一の強磁性膜と第二
の強磁性膜との間に挿入された、厚さが１から４ｎｍ程
度の非磁性導体膜と、を有する積層膜で構成される。
ＧＭＲ膜はＡＭＲ膜に比べて小さな磁界でも高い電気抵
抗の変化が得られる、つまり高感度なため、磁気ディス
ク装置の高記録密度化に有利である。磁気ディスク装置
では、検知電流を印加することで、これら磁気抵抗効果
膜の電気抵抗の変化を、出力信号として検出する。一対
の磁気シールド層は、媒体から漏洩する磁界の変化を高
分解能で検出するために存在する。一対のシールド層の
間隔を狭くするほど分解能を高くすることができるた
め、今後の磁気記録再生装置の高記録密度化に対応し
て、シールド間隔は益々狭くしていく傾向にある。磁気
シールド層は、他に、検知電流を流すことで磁気抵抗効
果膜から発生した熱を、外部に放出する役割も担ってい
る。磁気シールド層には、Ｎｉ₈₀Ｆｅ₂₀膜やこれをベ
ースとした合金膜が用いられることが多い。また基板側
のシールド層（下部シールド層）には、この他に、セン
ダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）や、コバルトベースの非晶
質などの合金膜が用いられることもある。各シールド層
の膜厚は、一般的に１から４μｍ程度の厚さに設定され
ている。

【０００５】記録素子と再生素子とを同一基板上に形成
した記録ヘッドと再生ヘッドとを複合した磁気ヘッドを
用いる場合には、記録素子のギャップ位置と再生素子の
磁気抵抗効果膜との位置ずれ幅を少なくするため、記録
素子を構成する一対の磁気コアのうち再生素子に近い側
の下部コアと、再生素子を構成する一対の磁気シールド
層のうち記録素子に近い側の上部シールド層とは兼用し
ていることが多い。このような兼用型の記録ヘッドと再
生ヘッドとを複合した磁気ヘッドの場合、再生動作時の
ノイズ抑制を目的として、兼用となっている上部シール
ド層の中に、１μｍより小さいようなサブミクロン膜厚
のアルミナなど非磁性膜を一層挿入し、１から数μｍ厚
の強磁性金属膜、サブミクロン厚の非磁性膜、１から数
μｍ厚の強磁性金属膜、を順次積層した構成をとる場合
もある。

【０００６】以上のように、記録素子の磁気コアおよび
再生素子の磁気シールド層は、いずれの場合にも金属膜
を主体として形成されるのが一般的である。この場合、
磁気ディスク装置の高密度化に対応してシールド間隔を
狭くすると、静電気によるダメージなどで、一方または
両方のシールド層と、磁気抵抗効果膜または磁気抵抗効
果膜に接合された電極との間の絶縁が破られ、再生信号
振幅の大幅な減少（振幅がほぼゼロになる場合も多い）
やノイズの増加が起こる確率が高くなり、磁気ディスク
装置の誤動作や、記録再生ヘッドの歩留まり低下の原因
となる。記録再生ヘッドが静電気によるダメージを受け
るのは，記録再生ヘッドの製作中に限ったことではな
い。例えば，記録再生ヘッドを磁気ディスク装置に組み
込む作業など，人が記録再生ヘッドに接触する工程で
は，静電気の管理が十分でない場合，記録再生ヘッドに
ダメージを与える可能性があることは良く知られてい
る。また，記録再生ヘッドを磁気ディスク装置に組み込
んだ後でも，例えば磁気ディスク装置の筐体（電気的グ
ランドであることが多い）に帯電した人などが接触する
と，グランド電位が変動することで記録再生ヘッド内に
電位差が生じ，ダメージを与えることもある。

【０００７】ヘッドの受ける静電気ダメージは，その原
因によって大きく２つに分けて考えることができる。ひ
とつは，磁気抵抗効果膜に接続された一対の電極の間
に，静電気によって異常電圧が印加された場合で，磁気
抵抗効果膜が電流によって発生した熱によって破壊，も
しくは溶断することがある。もうひとつは，磁気抵抗効
果膜を挟むように配置されたシールド層の一方または両
方と、磁気抵抗効果膜または磁気抵抗効果膜に接合され
た電極との間に，静電気によって異常電圧が印加された
場合で，シールド層と磁気抵抗効果膜もしくは電極の間
に起きる放電によって，磁気抵抗効果膜が熱で破壊もし
くは溶断することや，シールド層と磁気抵抗効果膜とが
電気的に短絡することがある。

【０００８】いずれの場合にも記録再生ヘッドはもはや
正常には動作せず，特にシールド間隔を１００ｎｍより
も狭くした場合には、後者の、シールド層と磁気抵抗効
果膜もしくは電極の間に起きる放電によるダメージを受
ける確率が急激に高くなる。よってこれを解決すること
が，磁気ディスク装置の安定動作や，記録再生ヘッドの
歩留まり向上の観点から望まれていた。

【０００９】これを解決する一つの方法として、例えば
特開平５−２６６４３７号公報には、少なくとも一方の
磁気シールド層の磁気抵抗効果膜側の表面に、絶縁性磁
性層（ＮｉＺｎフェライト材を例示）を配置することが
提案されている。

【００１０】高い電気抵抗率を持つ磁性薄膜に関して
は、例えばＣｏ−Ａｌ−ＯやＦｅ−Ｓｉ−Ｏなどが１０
から１０⁵μΩ・ｍ程度の高い電気抵抗率を持つことが
知られている。

【００１１】また、特開平１１−８６２３４号あるいは
特開平８−１４７６３４号には、磁気シールド層として
強磁性金属層と絶縁性材料層との連続積層膜を用いるこ
と、あるいは強磁性金属層と絶縁性化合物層との混合膜
を用いることが記載されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】特開平５−２６６４３
７号公報に開示されているＮｉＺｎフェライト材は、バ
ルクでは、高い透磁率と高い電気抵抗率を持つことで良
く知られた材料である。しかしながら、磁気シールド層
として要求される高透磁率を薄膜で実現するためには、
一般に用いられるスパッタ膜の場合、５００から１００
０℃程度の高温熱処理が必要である。よってこの膜を特
に上部シールド層に用いた場合、上記熱処理の過程で磁
気抵抗膜の特性が劣化し、ヘッドとして正常に動作しな
いことが多い。特に３００℃程度で劣化の始まるＧＭＲ
膜の場合、その影響は非常に大きい。

【００１３】また、特開平１１−８６２３４号あるいは
特開平８−１４７６３４号における磁気シールド層で
は、材料、製造条件等の選択により３００℃以下の温度
での熱処理によりシールド層の製造が可能となるが、高
々２００μΩ・ｍ（０．００２ｍΩ・ｍ）程度の抵抗
率しか得られない。これは、磁気シールド層の構造に起
因していると考えられる。つまり、強磁性金属の連続膜
と絶縁性化合物の連続膜とが順次積層された構造である
ために抵抗率を十分に上げられなくなっていると考えら
れる。

【００１４】そこで、本発明の目的は、磁気記録再生装
置の高記録密度化に対応してシールド間隔を狭くした場
合にも、磁気抵抗効果膜と磁気シールド層の短絡による
特性劣化を少なくすることで、高い安定性を持った記録
再生ヘッドを提供し、磁気記録再生装置の誤動作を少な
くすることにある。

【００１５】また本発明の目的は、高温熱処理を行なう
ことなく、高出力の記録再生ヘッドを高い歩留まりで提
供し、高い記録密度の磁気記録再生装置を実現すること
にある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、一対の磁気シールド層と、一対の磁気シールド層の
間に配置された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電
気的に接合する一対の電極と、を備えた記録再生ヘッド
において、一対の磁気シールド層のうち少なくと一方を
複数層の強磁性金属層と複数層の絶縁性材料層とを交互
に積層して形成した不連続積層膜とする。

【００１７】上記磁気シールド層を構成する不連続積層
膜は、最適化を行なうことで、磁気シールド層として十
分な透磁率と、電気的に十分な抵抗率とを併せ持つよう
に設定することができる。

【００１８】ここで、図１１に、磁気シールド層の透磁
率を１０，１００，５００と変えた場合の、一対の磁気
シールド間の中心からの距離ｘと磁界Ｈｙとの関係を表
す波形図を示す。磁気シールド層の透磁率１０の場合、
波形が広がっており、シールド効果が小さい。一方、磁
気シールド層の透磁率１００以上の場合、十分なシール
ド効果が得られていることがわかる。

【００１９】つまり、透磁率は、再生波形の幅を狭く保
つため、１００またはそれ以上が良く、５００以上が望
ましい。

【００２０】次に、電気抵抗率についてであるが、ＧＭ
Ｒ膜を流れる電流と磁気シールド層を流れる電流との比
率は、ＧＭＲ膜の電気抵抗率と磁気シールド層の電気抵
抗率との比率で決まる。通常、ＧＭＲ膜については、Ｇ
ＭＲ膜のうち再生出力に影響する第一，第二の強磁性層
と非磁性導体層の合計の膜厚はおよそ10ｎｍで，ＧＭ
Ｒ膜の素子高さａ(浮上面の奥行き方向の幅)が0.2μ
ｍ，トラック幅ｂが0.3μｍである。磁気シールド層に
ついては、磁気シールド層の厚さは100ｎｍ，電流が流
れる部分の磁気シールド層の高さはＧＭＲ膜の素子高さ
ａの約10倍（2μｍ）で，幅はＧＭＲ膜のトラック幅ｂ
と等しい（0.3μｍ）。以上からＧＭＲ膜：シールド
の体積比は1：100（10×ａ×ｂ：１００×１０ａ×ｂ）
である。また、一般に、磁気シールド層と磁気抵抗効果
膜または電極との間の絶縁が破られた場合にも検知電流
が磁気シールド層に分流することを防止するためには磁
気シールド層に流れる電流を磁気抵抗効果膜に流れる電
流の1/10以下にすることが望まれている。従って、ＧＭ
Ｒ膜の100倍の体積を有する磁気シールド層に流れる電
流を1/10以下にするには，磁気シールド層の電気抵抗率
をＧＭＲ膜の電気抵抗率の1000倍以上にしなければなら
ない。よって、磁気シールド層と磁気抵抗効果膜または
電極との間の絶縁が破られた場合にも検知電流が磁気シ
ールド層に分流することを防止するため、磁気シールド
層の電気抵抗率は、磁気抵抗効果膜の電気抵抗率（およ
そ０．２から０．３μΩ・ｍ）の１０００倍であるおよ
そ０．１ｍΩ・ｍ、またはそれ以上とすることが望まし
い。

【００２１】この不連続積層膜は、成膜条件によっても
異なるが、強磁性金属層と絶縁性材料層との各層の厚さ
を０．５から５ｎｍ程度に設定することで、上記良好な
特性が得られることが多い。図２（ａ）に示すように、
強磁性金属層６１の膜厚６１１を５ｎｍ程度以下とする
ことで，強磁性金属層は面内方向に一様に広がった連続
膜とはならず島状に形成され，絶縁性材料６２はその間
を埋めるように形成される。結果として，強磁性金属層
６１，絶縁性材料層６２ともに面内の２次元的な配列
（層構造）を保ちながら各層は不連続である，という不
連続積層膜が得られる。このような構成とすることによ
り、１００以上という良好な透磁率を保ちながら、０．
１ｍΩ・ｍ以上という高抵抗率を有する磁気シールドに
適した膜を実現できる。一方，強磁性金属層を薄くしす
ぎた場合，形成される島が小さくなり，自己反磁界効果
で外部磁界に対して磁化しにくくなる，即ち透磁率が低
くなる。これを防ぐため，強磁性金属層の膜厚６１１を
０．５ｎｍ程度以上とすることが望ましい。絶縁性材料
層の膜厚６２１が厚い場合には，強磁性金属層の積層膜
全体に占める割合が低くなり，飽和磁化量は低くなる。
結果として透磁率が低くなる。また，絶縁性材料層の膜
厚６２１が薄すぎると，強磁性金属層６１が十分に分離
されず，抵抗率が低くなる。十分な透磁率と抵抗率とを
満足するため，絶縁性材料層の膜厚６２１は０．５から
５ｎｍ程度であることが望ましい。連続積層膜と不連続
積層膜との最も大きな違いは，その抵抗率にある。強磁
性金属層を厚くし連続膜とした場合には，抵抗率はバル
クの抵抗率のオーダーに近い０．１から１μΩ・ｍ程
度、あるいは特開平１１−８６２３４号あるいは特開平
８−１４７６３４号に開示されているように高々２００
μΩ・ｍ（０．００２ｍΩ・ｍ）程度まである。しか
し、本発明のように不連続積層膜とすることにより０．
１ｍΩ・ｍという連続積層膜とした場合と比較して桁の
違う高い値を得ることが出来る。よって、抵抗率の観点
から，連続積層膜ではなく，不連続積層膜が要求され
る。

【００２２】また、強磁性金属の層６１と絶縁材料の層
６２との各層ともに面内の２次元的な配列（層構造）を
保ちながら面内で不連続な構造を得るために、不連続積
層膜を作る際には２５０℃以下程度の低温熱処理が必要
である。これは、３００℃以上のような高温熱処理を行
うと強磁性金属の層６１と絶縁材料の層６２との各層の
配列が崩れてしまうためである。従って、不連続積層膜
を有する磁気シールド層を用いた場合には、製造過程で
高温熱処理を行なう必要がないので、ＧＭＲ膜の熱劣化
を避けることができた。その結果、狭シールド間隔かつ
高出力の記録再生ヘッドを安定して得ることができた。

【００２３】また、磁気シールド層として、強磁性金
属と絶縁性材料との混合膜を用いることも可能である。
混合膜を用いる場合は、強磁性金属が多いと透磁率が上
がるが抵抗率は下がり、絶縁性材料が多いと抵抗率は上
がるが透磁率は下がるというトレードオフの関係がある
ため、不連続積層膜と比較して強磁性金属と絶縁性材料
の材料の組み合わせの自由度が制限される。磁気シール
ド層として所望の透磁率及び抵抗率を得るためには不連
続積層膜を用いる方が有効である。

【００２４】なお、磁気シールド層として混合膜を用い
る場合は，その中に含まれる強磁性金属と絶縁性材料と
の割合を，１：２から３：１程度に設定することで，上
記良好な特性が得られる。ここで混合膜とは，強磁性金
属と絶縁性材料とを同時に基板上に堆積させるなどの方
法により，これらが３次元的に混ざり合っている状態の
膜を指し，強磁性金属，絶縁性材料ともに粒子状になっ
ており，もしくは粒子状の強磁性金属を絶縁性材料が取
り囲み，互いの粒子を分離しあう構成となっている。強
磁性金属の割合が多い場合には，強磁性金属の粒子が十
分に分離されず，抵抗率が低くなる。強磁性金属の割合
が低い場合には，飽和磁化量が低くなり，結果として透
磁率が低くなる。０．１ｍΩ・ｍという抵抗率と１００
以上という透磁率とを共に満足させるためには上記割合
が望ましい。

【００２５】上記複数層の強磁性金属層と複数層の絶縁
性材料層とを交互に積層して形成した不連続積層膜もし
くは強磁性金属と絶縁性材料との混合膜を磁気シールド
層として用いる場合は，基板に近い側の下部シールド
層，記録素子側に近い側の上部シールド層の双方に用い
ることが望ましいが，片方のみに適用することもでき
る。この場合，磁気抵抗効果膜と下部シールド層との間
に挿入された下部ギャップ膜，磁気抵抗効果膜と上部シ
ールド層との間に挿入された上部ギャップ膜のうち，よ
り薄いギャップ膜に接するシールド層に，上記シールド
層を適応することが望ましい。ギャップ膜はアルミナや
酸化シリコンなどの絶縁性材料で形成されることが多い
が，薄いギャップ膜の方が絶縁破壊する可能性が高いか
らである。上下のギャップ膜厚がおよそ等しい場合，電
極を形成した側（上部であることが多い）のシールド層
に上記シールド層を適応することが望ましい。電極とシ
ールド層の間にあるギャップ膜は薄くなっていることが
多く，絶縁破壊しやすいからである。

【００２６】磁気シールド層に含まれる強磁性金属は、
ニッケルベースの合金とすることもできる。飽和磁化量
は，コバルトベースの合金もしくは鉄ベースの合金程度
に大きくすることは困難だが，保磁力を低く抑えること
が比較的容易であり，結果として高い透磁率を得ること
ができるからである。有力な例としては，Ｎｉ₈₀Ｆｅ₂₀
を挙げることができる。飽和磁化量は１．０テスラ程度
ではあるが，保磁力は１００Ａ／ｍ程度と十分低い。ま
た磁歪も１×１０^-7程度と十分低く抑えることができる
ので有利である。

【００２７】磁気シールド層に含まれる絶縁性材料は、
アルミまたはシリコンの酸化物、窒化物、炭化物、ほう
化物、もしくは窒化ほう素の中から適当に選択し、もし
くは組み合わせて用いることができる。

【００２８】以上のような強磁性金属、絶縁材料を選択
することにより、混合膜の形成において３００℃を超え
る高温熱処理は必要ない。なお、混合膜を形成する際に
は、磁気抵抗効果膜の破壊を防止するために、高温熱処
理の必要ない強磁性金属、絶縁材料を選択する必要があ
る。

【００２９】従って、磁気シールド層を形成するにあた
り、３００℃を超える高温熱処理は必要ないので、磁気
抵抗効果膜としてはＡＭＲ膜だけでなく、高温熱処理に
弱いが高感度なＧＭＲ膜も用いることもできる。

【００３０】さらに、不連続積層膜を形成するために
強磁性金属膜と絶縁性材料膜の薄膜を多数回積層して厚
さ数μｍの磁気シールド層を形成することは可能ではあ
るが、これは工業的には必ずしも容易ではない。しかし
強磁性金属膜と絶縁性材料膜の積層数を少なくすると、
磁気シールド層の膜厚が薄くなるので放熱の効率は低く
なる。この場合、放熱効率を高くするため、比較的薄
い、即ち強磁性金属膜と絶縁性材料膜の積層数を少なく
して形成した磁気シールド層を、別な厚い放熱層と組み
合わせて積層させることが有効である。また、磁気シー
ルド層として混合膜を用いた場合にも、放熱効率を高く
するため、磁気シールド層を別な放熱層と積層させるこ
とが有効である。

【００３１】放熱層としては、熱伝導率の高い材料（金
属、半導体）を用いることができるが、再生波形の安定
性を確保するためには、例えばＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀膜やこれを
ベースとした合金膜、またはセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ）や、コバルトベースの非晶質など、従来磁気シー
ルド層として一般的に用いられている軟磁性の金属を用
い、厚さを１から数μｍ程度に設定することが望まし
い。ヘッドに一様で大きな外部磁界が印加された場合、
軟磁性金属からなる厚い放熱層もともに磁化される（磁
束が流入する）ため、比較的薄い磁気シールド層が磁気
的に飽和するのを防止することができるからである。放
熱層を金属で構成した場合には、磁気シールド層と放熱
層との間の電気的短絡を防止するため、所定の厚みの絶
縁膜を挿入することができる。この膜厚は薄いほど放熱
効率は高くできるが、絶縁性が低くなる。これら双方を
満足するように膜厚は設定され、１０から５００ｎｍ程
度が望ましい。

【００３２】磁気シールド層に含まれる強磁性金属は、
コバルトベースの合金もしくは鉄ベースの合金とするこ
とができる。高い飽和磁化量を持つコバルトベースの合
金もしくは鉄ベースの合金を用いることで、シールド層
の透磁率を高くすることができるからである。磁気シー
ルド層の保磁力を低く抑えるため、前記合金はニッケル
や銅などを含むこともできる。有力な例としては，Ｃｏ
₉₀Ｆｅ₁₀を挙げることができる。飽和磁化量は１．８テ
スラ程度と大きく，保磁力も数百Ａ／ｍ程度と低い。ま
た，シールド層の磁歪が大きいと，ヘッドを構成した際
に再生波形の変動などの不安定性が問題となる場合があ
るが，これに対しても，磁歪を１０^-7台と低く抑えるこ
とができるので有利である。

【００３３】

【発明の実施の形態】[実施例１]図１は、本発明の一実
施例である記録再生ヘッドの媒体対向面を示す図であ
る。本記録再生ヘッドは、基板上に再生素子１０と記録
素子２０とを順次積層して作製したものである。

【００３４】再生素子１０は、基板上に形成されたＮｉ
₈₀Ｆｅ₂₀からなる厚さ２μｍの下部放熱層１１と、下部
放熱層１１に接するように積層されたＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ
₂からなる厚さ１００ｎｍの絶縁膜１２と、絶縁膜１２
に接するように積層された厚さ１．５ｎｍのＣｏ₉₀Ｆｅ
₁₀層と厚さ１ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃層とを交互に積層した厚さ
１００ｎｍの不連続積層膜からなる下部シールド層１３
と、下部シールド層１３上に積層された磁気抵抗効果膜
１４と、磁気抵抗効果膜１４に電気的に接合する一対の
電極（図示されていない）と、磁気抵抗効果膜１４上に
積層された厚さ１．５ｎｍのＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀層と厚さ１ｎ
ｍのＡｌ₂Ｏ₃層とを交互に積層した厚さ１００ｎｍの不
連続積層膜からなる上部シールド層１５と、上部シール
ド層１５に接するように積層されたＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂
からなる厚さ１００ｎｍの絶縁膜１６と、絶縁膜１６に
接するように積層されたＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀からなる厚さ２μ
ｍの上部放熱層１７と、を有している。再生時の分解能
を決めるシールド間隔（上部シールド層１５と下部シー
ルド層１３との間隔）は、８０ｎｍとした。下部シール
ド層１３と磁気抵抗効果膜１４との間に下部ギャップ６
１、上部シールド層１５と磁気抵抗効果膜１４との間に
上部ギャップ６２が形成されている。再生ギャップであ
るこの上部ギャップ６２および下部ギャップ６１は、Ａ
ｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂からなる絶縁膜で形成した。また、磁
気抵抗効果膜１４の両端には電極６４，６５が形成され
ている。

【００３５】記録素子２０は、厚さ３μｍのＮｉ₈₀Ｆｅ
₂₀と厚さ０.５μｍの高飽和磁束密度膜２１との積層膜
で構成された上部コア２２と、前記上部放熱層１７とこ
れに接するように積層された厚さ０.５μｍの高飽和磁
束密度膜２１との積層膜で構成された下部コア２３と、
これらの間に配置されたＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂からなる厚
さ０.２μｍの記録ギャップ２４と、磁束を発生させる
ためのコイル（図示されていない）と、を有している。
高飽和磁束密度膜としては、Ｆｅ₅₅Ｎｉ₄₅やＣｏ₆₅Ｆｅ
₂₅Ｎｉ₁₀を用いることができる。

【００３６】本実施例では，上部シールド層１５と下部
シールド層１３共に，Ｃｏ₉₀Ｆｅ_１０層とＡｌ_２Ｏ₃層
とを交互に積層した不連続積層膜を２５０℃の磁界中熱
処理を行って形成した。図２（ａ）には，その断面の状
態を模式的に示す。強磁性金属であるＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀層の
膜厚を１．５ｎｍ程度としたことで，Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀層６
１は面内方向に一様に広がった連続膜とはならず，島状
に形成され，絶縁性材料であるＡｌ₂Ｏ₃層６２は，その
間を埋めるように形成することができた。結果として，
各層ともに面内の２次元的な配列（層構造）を保ちなが
ら面内で不連続である，という不連続積層膜を得ること
ができた。本不連続積層膜の抵抗率は０．１ｍΩ・ｍを
上回る十分高い数値を示し，透磁率は３００程度と満足
できる値を示した。ここでは強磁性金属の例としてＣｏ
₉₀Ｆｅ₁₀層を用いたが，代りにＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀を用いるこ
ともできる。

【００３７】また各磁気シールド層を、例えばＣｏ₉₀Ｆ
ｅ₁₀とＡｌ₂Ｏ₃との混合膜や，ＦｅとＳｉＯ₂の混合
膜、Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜で形成することも可能である。Ｃ
ｏ₉₀Ｆｅ₁₀とＡｌ₂Ｏ₃との混合膜は，例えばＣｏ₉₀Ｆｅ
₁₀とＡｌ₂Ｏ₃とを同時にスパッタすることで形成するこ
とできる。ＦｅとＳｉＯ₂の混合膜の場合も，同様な手
段で作製できる。この時得られた混合膜の断面の状態
を，図２（ｂ）に模式的に示す。Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀からなる
強磁性金属６１が粒子状になって３次元的に分散してお
り，これをＡｌ₂Ｏ₃からなる絶縁性材料６２が取り囲む
という構成を実現することができた。Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜
は，酸素雰囲気中でＣｏとＡｌをスパッタすることで得
ることができる。ＣｏとＡｌが酸化されながら基板に堆
積し，図２（ｂ）と同様な膜状態を得ることができる。

【００３８】磁気抵抗効果膜１４には、ＡＭＲ膜、ＧＭ
Ｒ膜、もしくはその他磁気抵抗効果を示す膜のいずれも
適用可能である。そこで次に、ＡＭＲ膜、ＧＭＲ膜を用
いて素子を形成した例を示す。図３（ａ）、（ｂ）は、
それぞれの膜を用いた再生素子における媒体対向面の、
磁気抵抗効果膜１４付近を拡大した図である。なお上下
シールド層は図示されていない。ＡＭＲ素子は、厚さ
が１５ｎｍのＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀膜からなるＡＭＲ膜３１と、
厚さが５ｎｍのＴａからなる分離層３２と、厚さが１５
ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜からなるソフトバイアス膜３３と
の積層膜を、所定の幅になるように一括して両サイドを
切り落として作製した。この両側に、ＡＭＲ膜３１を磁
区制御するため、ＣｏＰｔＣｒ膜とＣｒ下地膜とからな
る磁区制御層３５を配置した。ＡＭＲ膜３１と電気的に
接合するための電極３６は、磁区制御層３５の上に積層
した。

【００３９】ＧＭＲ素子は、厚さが２ｎｍのＮｉ₈₀Ｆｅ
₂₀膜と厚さが０．５ｎｍのＣｏ膜とを積層した第一の強
磁性膜４１と、厚さが２ｎｍのＣｕからなる非磁性導体
膜４２と、厚さが２ｎｍのＣｏ膜と厚さが０．８ｎｍの
Ｒｕ膜と厚さが１ｎｍのＣｏ膜とを積層した第二の強磁
性膜４３と、第二の強磁性膜４３の磁化方向を固定する
ための厚さが１０ｎｍのＭｎ₅₀Ｐｔ₅₀膜からなる反強磁
性膜４４と、からなるＧＭＲ積層膜を、所定の幅になる
ように一括して両サイドを切り落として作製した。第二
の強磁性膜４３の磁化方向は、媒体対向面（紙面）を指
すように、反強磁性膜４４によって一方向の磁気異方性
が付加されている。またＡＭＲ素子同様に、磁区制御層
４５と電極４６とをＧＭＲ膜の両隣に配置した。なお図
３（ｂ）には、反強磁性膜４４を上側に配置した場合を
示したが、ＧＭＲ積層膜の積層順序を反転させて、基板
側から、反強磁性膜、第二の強磁性膜、非磁性導体膜、
第一の強磁性膜を順次積層した構成とすることも可能で
ある。また、反強磁性膜、第二の強磁性膜、非磁性導体
膜、第一の強磁性膜、非磁性導体膜、第二の強磁性膜、
反強磁性膜を順次積層した構成とすることも可能であ
る。

【００４０】次に，金属製シールド層を持つ記録再生ヘ
ッドを用いた場合に，どの場所で静電破壊(放電)が起こ
りやすいのかを，図４を用いて示す。図４は従来の記録
再生ヘッドの媒体対向面のうち，磁気抵抗効果膜１４付
近を拡大した図である。磁気抵抗効果膜１４には一対の
電極５１，５１’が接続されており，上部シールド層５
４，下部シールド層５５から，それぞれあらかじめ決め
られた距離の位置に配置されている。磁気抵抗効果膜１
４と上部シールド層５４との間には上部ギャップ膜５２
が，下部シールド層５５との間には下部ギャップ膜５３
が挿入されている。各ギャップ膜は，絶縁膜によって構
成されている。シールド間隔（Ａ−Ａ’における上部シ
ールド層５４と下部シールド層５５との距離）を８０ｎ
ｍとし，上記ＧＭＲ膜を用いてその第一の強磁性層を各
シールド層から等間隔の位置に配置した場合，上部ギャ
ップ膜５２，下部ギャップ膜５３の膜厚はそれぞれ約２
０ｎｍ，３５ｎｍとなる。この程度の厚さで欠陥の極め
て少ない絶縁膜を，工業的に得るのは困難である。よっ
て，静電気によってシールド層と磁気抵抗効果膜１４と
の間にわずか３０Ｖ程度の電圧が印加された場合，例え
ばＡ−Ａ’もしくはＢ−Ｂ’で，上部シールド層５４と
磁気抵抗効果膜１４もしくは電極５１，ないしは下部シ
ールド層５５と磁気抵抗効果膜１４もしくは電極５１と
の間で絶縁破壊（放電）が起こることがある。すると金
属製のシールド層と磁気抵抗効果膜１４とが電気的に短
絡するので，ヘッドとして正常に動作しなくなる。

【００４１】ところが本実施例では，一対のシールド層
５４，５５を抵抗率の高い不連続積層膜，もしくは混合
膜で形成して磁気シールド層１３，１５としたため，仮
に図１における各磁気シールド層１３，１５と磁気抵抗
効果膜１４とが電気的に短絡した場合にも，シールド層
の抵抗率が高いため，上部ギャップ膜５２，または下部
ギャップ膜５３に印加される電圧が低くなり，絶縁破壊
が起こる確率も低くできる。よって、シールド間隔が８
０ｎｍと相当狭いにもかかわらず、磁気抵抗効果膜と磁
気シールド層の短絡による特性劣化は認められず、高い
安定性を持った記録再生ヘッドを得ることができた。

【００４２】また、強磁性金属の層と絶縁材料の層との
各層ともに面内の２次元的な配列（層構造）を保ちなが
ら面内で不連続な構造を得るために、不連続積層膜を作
る際には２５０℃以下程度の低温熱処理が必要である。
従って、本実施例では高温熱処理を行なう必要がないの
で、ＧＭＲ膜の熱劣化を避けることができた。その結
果、狭シールド間隔かつ高出力の記録再生ヘッドを安定
して得ることができた。

【００４３】[実施例２]実施例１では、上下磁気シール
ド層ともに膜厚１００ｎｍとした場合の例を示したが、
図５に示すように、下部シールド層１３を厚さ１．５ｎ
ｍのＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀層と厚さ１ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃層とを交互
に積層した厚さ１μｍの積層膜で形成することも可能で
ある。その他の部分は実施例１と同じとした。この場
合、磁気シールド層を形成する際の積層数が多くなるた
め、形成過程が多少煩雑になるが、放熱効率を高くする
ことができるので、磁気シールド層を別な放熱層と積層
する必要は、必ずしもない。詳細は省略するが、この厚
さ１μｍの積層膜を上部シールド層に用いても良い。

【００４４】[実施例３]図６に示すように、セラミック
基板１の上に、例えば厚さ５００ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃からな
る絶縁膜２を形成し、絶縁膜２に接するように厚さ１．
５ｎｍのＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀層と厚さ１ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃層とを
交互に積層した厚さ３００ｎｍ程度の下部シールド層１
３を積層することも可能である。その他の部分は実施例
１と同じとした。この場合、検知電流を流すことで磁気
抵抗効果膜１４から発生した熱は、上部放熱層１７とと
もにセラミック基板１（下部放熱層１１と同様な役目を
果たす）を通して拡散してゆく。よって温度上昇は、上
記実施例と同様に低く抑えられる。本実施例の場合、セ
ラミック基板１の微少な凹凸が、磁気抵抗効果膜１４の
磁気特性を劣化させる場合がある。よって、セラミック
基板１もしくは絶縁膜２の表面を平滑化処理した方が良
い特性を得られる場合がある。

【００４５】[実施例４]磁気シールド層として用いる強
磁性金属と絶縁性材料との混合膜、もしくは複数層の強
磁性金属層と複数層の絶縁性材料層とを交互に積層して
形成した積層膜は、材料の選定や膜形成条件によって、
抵抗率を１ｍΩ・ｍもしくはそれ以上に設定することが
できる。その場合（望ましくは抵抗率が１０ｍΩ・ｍ程
度の場合）、図７に示すように、膜厚１００ｎｍもしく
はそれ以上の各シールド層１３、１５と、各放熱層１
１、１７は直接積層する構成をとることができる。この
場合、放熱効率が高くなるので有利となる。

【００４６】[実施例５]上記各実施例において、上部放
熱層の中に厚さ０.１から１μｍ程度の例えばＡｌ₂Ｏ₃
やＴａなどからなる非磁性膜を挿入することができる。
図８には、実施例４で示した記録再生ヘッドに、非磁性
膜１８を挿入した場合を示す。このような構成をとるこ
とで、再生動作時のノイズや、再生波形の変動を抑制す
ることができる場合がある。

【００４７】[実施例６]上記各実施例において、各磁気
シールド層１３、１５と接するように磁区制御層１９を
配置することができる。具体的には、磁気シールド層と
積層面の一部または全体が接するように積層して配置す
ること、パターニングされた磁気シールド層の両隣に接
するように配置すること、が可能である。図９には、実
施例１で示した記録再生ヘッドに、磁区制御層１９を積
層して配置した場合を示す。磁区制御層１９としては、
膜厚ができるだけ薄く、抵抗率ができるだけ高い反強磁
性膜、永久磁石膜、もしくは異方性磁界の大きな軟磁性
膜が良い。磁区制御層１９の膜厚は２０ｎｍ以下程度が
望ましく、抵抗率は１μΩ・ｍ以上程度が望ましい。様
々な材料が適応可能であるが、ＭｎＰｔやＣｒＭｎＰｔ
はその一例である。このような構成をとることで、再生
動作時のノイズや、再生波形の変動をより厳密に抑制す
ることができる。

【００４８】[実施例７]上記実施例に示した各記録再生
ヘッドを用いることで、より記録密度の高い磁気記録再
生装置を実現することができる。図１０には、一実施例
である磁気記録再生装置の概略を示す。磁気記録再生装
置は、情報を磁気的に記録するための磁気記録媒体１０
１と、これを回転させるモーター１０２と、磁気記録媒
体１０１に信号を記録再生するための記録再生ヘッド１
０３と、これを支えるばねなどの弾性体でできたサスペ
ンション１０４と、記録再生ヘッド１０３の位置決めを
行なうアクチュエータ１０５と、記録再生信号を処理す
る回路１０６などを有している。記録再生ヘッド１０３
を構成する各磁気シールド層１３、１５を、上記実施例
の構成とし、さらに磁気抵抗効果膜１４を上記ＧＭＲ膜
としたため、狭シールド間隔かつ高出力の記録再生ヘッ
ドを安定して提供することができ、また記録再生ヘッド
を静電破壊させることなく安定して装置に組み込むこと
ができた。その結果，高い記録密度の磁気記録再生装置
を安定して実現することができた。

【００４９】また、上記磁気記録再生装置を複数台組み
合わせることで、ディスクアレイ装置を組むことができ
る。この場合、複数の磁気記録再生装置を同時に扱うた
め、情報の処理能力が速くでき、また装置の信頼性を高
めることができる。

【００５０】上述したように、本発明によれば、十分な
透磁率と十分な抵抗率とを併せ持つ混合膜もしくは積層
膜を磁気シールド層として用いたため、磁気記録再生装
置の高記録密度化に対応して記録再生ヘッドのシールド
間隔を狭くした場合にも、磁気抵抗効果膜と磁気シール
ド層の短絡による特性劣化を少なくできる。よって、高
い安定性を持った記録再生ヘッドを提供することがで
き、磁気記録再生装置の誤動作を少なくすることができ
る。更に，記録再生ヘッドを磁気記録再生装置に組み込
む際，もしくは組み込んだ後に，記録再生ヘッドが受け
る静電気ダメージの可能性を低減することができ，磁気
記録再生装置をより安定して動作させることができる。

【００５１】また、ヘッド作製時に高温熱処理の必要が
ないので、高温熱処理に弱いが高感度なＧＭＲ膜を用い
ることができる。よって、狭シールド間隔かつ高出力の
記録再生ヘッドを安定して提供することができ、高い記
録密度の磁気記録再生装置を実現することができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明により、シールド間隔を狭くした
場合にも磁気抵抗効果膜と磁気シールドとの短絡による
磁気ヘッドの特性劣化を防ぐことができる。このため、
高い記録密度の磁気記録再生装置を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図２】本発明の記録再生ヘッドの磁気シールド層に含
まれる，不連続積層膜および混合膜の膜構成を示す断面
の概略図である。

【図３】本発明の一実施例である記録再生ヘッドの媒体
対向面図のうち、磁気抵抗効果膜付近を拡大して示した
図である。

【図４】従来の記録再生ヘッドの媒体対向面図のうち、
磁気抵抗効果膜付近を拡大して示した図である。

【図５】本発明の実施例２における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図６】本発明の実施例３における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図７】本発明の実施例４における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図８】本発明の実施例５における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図９】本発明の実施例６における記録再生ヘッドの媒
体対向面図である。

【図１０】本発明の実施例７における磁気記録再生装置
の概略図である。

【図１１】磁気シールド層の透磁率を変えた場合のシー
ルド効果を表す図。

【符号の説明】

２…絶縁膜、１０…再生素子、１１…下部放熱層、１２
…絶縁膜、１３…下部シールド層、１４…磁気抵抗効果
膜、１５…上部シールド層、１６…絶縁膜、１７…上部
放熱層、１８…非磁性膜、１９…磁区制御膜、２０…記
録素子、２１…高飽和磁束密度膜、２２…上部コア、２
３…下部コア、２４…記録ギャップ、５１…電極，５２
…上部ギャップ膜，５３…下部ギャップ膜，５４…上部
シールド層，５５…下部シールド層，６１…強磁性金
属，６２…絶縁性材料，１０１…磁気記録媒体、１０２
…モーター、１０３…記録再生ヘッド、１０４…サスペ
ンション、１０５…アクチュエータ、１０６…信号処理
回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ (72)発明者川邉隆東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者高橋宏昌東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者木村久志東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者渡辺克朗東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者石川千明東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者戸塚香東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 5D034 BA04 BA08 BA15 BB08 BB09 BB12 CA08 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AA10 AC00 AC05 BA12 BA16 CB02 CB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シ
ールド層の間に形成された一対のギャップ膜と、該一対
のギャップ膜の間に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁
気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極とを備えた
磁気ヘッドにおいて、前記一対の磁気シールド層のうち
少なくとも一方の、少なくともギャップ膜側に、強磁性
金属を含む層と絶縁性材料を含む層とから形成される不
連続積層膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記強磁性金属はコバルトを含む合金，ニ
ッケルを含む合金もしくは鉄を含む合金からなり、前記
絶縁性材料はアルミまたはシリコンの酸化物、アルミま
たはシリコンの窒化物、アルミまたはシリコンの炭化
物、アルミまたはシリコンのほう化物もしくは窒化ほう
素を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記強磁性金属はコバルトと鉄を含む合金
からなり、前記絶縁性材料はアルミの酸化物を含むこと
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記不連続積層膜から構成される磁気シー
ルド層の電気抵抗率は、０．１ｍΩ・ｍ以上であること
を特徴とする請求項１乃至３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記不連続積層膜から構成される磁気シー
ルド層の透磁率は、１００以上であることを特徴とする
請求項１乃至４記載の磁気ヘッド。
【請求項６】一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シ
ールド層の間に形成された一対のギャップ膜と、該一対
のギャップ膜の間に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁
気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極とを備えた
磁気ヘッドにおいて、前記一対の磁気シールド層のうち
少なくとも一方の、少なくともギャップ膜側に、強磁性
金属と絶縁性材料とを有する混合膜であることを特徴と
する磁気ヘッド。
【請求項７】前記強磁性金属はコバルトと鉄を含む合金
からなり、前記絶縁性材料はアルミの酸化物を含むこと
を特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。
【請求項８】前記強磁性金属はコバルトを含む合金，ニ
ッケルを含む合金もしくは鉄を含む合金からなり、前記
絶縁性材料はアルミまたはシリコンの酸化物、アルミま
たはシリコンの窒化物、アルミまたはシリコンの炭化
物、アルミまたはシリコンのほう化物もしくは窒化ほう
素を含むことを特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。
【請求項９】前記不連続積層膜から構成される磁気シー
ルド層の電気抵抗率は、０．１ｍΩ・ｍ以上であること
を特徴とする請求項６乃至８記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】前記不連続積層膜から構成される磁気シ
ールド層の透磁率は、１００以上であることを特徴とす
る請求項６乃至９記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】前記磁気抵抗効果膜が、第一の強磁性
膜、非磁性導体膜、第二の強磁性膜、反強磁性膜の順に
形成された積層膜で構成されたことを特徴とする請求項
１乃至１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】前記磁気抵抗効果膜が、外部磁界により
その磁化方向が変化する第一の強磁性膜と、外部磁界に
対してその磁化方向がおおむね固定された第二の強磁性
膜と、前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜との間
に形成された非磁性導体膜とを有する積層膜で構成され
たことを特徴とする請求項１乃至１０に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項１３】一対の磁気シールド層と、該一対の磁気
シールド層の間に形成された一対のギャップ膜、該一対
のギャップ膜の間に形成された、第一の強磁性膜、非磁
性導体膜、第二の強磁性膜、反強磁性膜の順に形成され
た積層膜で構成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
果膜に電気的に接合する一対の電極とを備え、前記一対
の磁気シールド層のうち少なくとも一方の、少なくとも
ギャップ膜側に、強磁性金属を含む層と絶縁性材料を含
む層とから形成される不連続積層膜を有する磁気ヘッド
及び情報を磁気的に記録する磁気記録媒体を備えたこと
を特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１４】情報を磁気的に記録する磁気記録媒体
と、一対の磁気シールド層、該一対の磁気シールド層の
間に形成された一対のギャップ膜、該一対のギャップ膜
の間に形成された、前記磁気記録媒体からの漏洩磁界に
よりその磁化方向が変化する第一の強磁性膜と、前記磁
気記録媒体からの漏洩磁界に対してその磁化方向がおお
むね固定された第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜
と前記第二の強磁性膜との間に形成された非磁性導体膜
とを有する積層膜で構成された磁気抵抗効果膜及び該磁
気抵抗効果膜に電気的に接合する一対の電極を備え、前
記一対の磁気シールド層のうち少なくとも一方の、少な
くともギャップ膜側に、強磁性金属を含む層と絶縁性材
料を含む層から形成される不連続積層膜を有する磁気ヘ
ッドとを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。