JPH07210829A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH07210829A JPH07210829A JP393994A JP393994A JPH07210829A JP H07210829 A JPH07210829 A JP H07210829A JP 393994 A JP393994 A JP 393994A JP 393994 A JP393994 A JP 393994A JP H07210829 A JPH07210829 A JP H07210829A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 センス電流の許容値を大きくすることがで
き、汎用性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信
頼性に優れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの提供を目的と
する。 【構成】 横バイアス層２と、横バイアス層２上に積層
された非磁性層３と、非磁性層３上に積層されたＭＲ効
果層４と、ＭＲ効果層４上に積層された縦バイアス層５
と、ＭＲ効果層４に電気的に接続されたＭＲ効果層４へ
センス電流を供給するリード層６と、リード層６上に積
層された酸化膜絶縁体１等からなる再生感知部７ａを有
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、ＭＲ効果
層４上のリード層６側に非磁性体からなる放熱層８を備
えた構成を有している。
き、汎用性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信
頼性に優れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの提供を目的と
する。 【構成】 横バイアス層２と、横バイアス層２上に積層
された非磁性層３と、非磁性層３上に積層されたＭＲ効
果層４と、ＭＲ効果層４上に積層された縦バイアス層５
と、ＭＲ効果層４に電気的に接続されたＭＲ効果層４へ
センス電流を供給するリード層６と、リード層６上に積
層された酸化膜絶縁体１等からなる再生感知部７ａを有
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、ＭＲ効果
層４上のリード層６側に非磁性体からなる放熱層８を備
えた構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気情報記録装置等にお
いて用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下Ｍ
Ｒ効果型薄膜磁気ヘッドと略す）に関するものである。
いて用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下Ｍ
Ｒ効果型薄膜磁気ヘッドと略す）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク等の磁気記録装置
の小型化，大容量化に伴い、超高密度化を図るために、
磁気抵抗（ＭＲ）効果を使ったＭＲ効果型薄膜磁気ヘッ
ドが用いられるようになった。
の小型化，大容量化に伴い、超高密度化を図るために、
磁気抵抗（ＭＲ）効果を使ったＭＲ効果型薄膜磁気ヘッ
ドが用いられるようになった。
【０００３】以下に従来のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドに
ついて説明する。図７は従来のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッ
ドの再生感知部の要部断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣのセラミック基板（図示せず）上に配置されたＳ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化膜絶縁体、２は酸化膜絶縁
体１の中に形成された軟磁性体からなりＭＲ効果層の高
さ方向にバイアス磁界を印加する横バイアス層、３は横
バイアス層２上に積層された非磁性層、４は非磁性層３
上に形成された磁気抵抗効果を有するＭＲ効果層、５は
ＭＲ効果層４上に積層された反強磁性体，強磁性体等か
らなりＭＲ効果層４の感知幅方向にバイアス磁界を印加
する機構を有する縦バイアス層、６はＭＲ効果層４の一
定感知幅に制御されるように成膜されＭＲ効果層４にセ
ンス電流を供給する機構を有するリード層、７は酸化膜
絶縁体１を介して配置した磁気シールド（図示せず）と
共に磁気記録媒体面と対向する面に露出したピギーバッ
ク構造で構成されたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感
知部である。
ついて説明する。図７は従来のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッ
ドの再生感知部の要部断面図である。１はＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣのセラミック基板（図示せず）上に配置されたＳ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化膜絶縁体、２は酸化膜絶縁
体１の中に形成された軟磁性体からなりＭＲ効果層の高
さ方向にバイアス磁界を印加する横バイアス層、３は横
バイアス層２上に積層された非磁性層、４は非磁性層３
上に形成された磁気抵抗効果を有するＭＲ効果層、５は
ＭＲ効果層４上に積層された反強磁性体，強磁性体等か
らなりＭＲ効果層４の感知幅方向にバイアス磁界を印加
する機構を有する縦バイアス層、６はＭＲ効果層４の一
定感知幅に制御されるように成膜されＭＲ効果層４にセ
ンス電流を供給する機構を有するリード層、７は酸化膜
絶縁体１を介して配置した磁気シールド（図示せず）と
共に磁気記録媒体面と対向する面に露出したピギーバッ
ク構造で構成されたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感
知部である。
【０００４】以上のように構成された従来のＭＲ効果型
薄膜磁気ヘッドについて、以下その再生動作について説
明する。再生感知部７のリード層６からはＭＲ効果層４
に一定のセンス電流が供給されており、対向する磁気記
録媒体（図示せず）に記録された情報の磁束をＭＲ効果
層４の感知部（図示せず）が電気抵抗の変化として正確
に感知する。これをリード層６間の電圧変化として再生
出力し、これを検出することにより再生動作を行ってい
る。
薄膜磁気ヘッドについて、以下その再生動作について説
明する。再生感知部７のリード層６からはＭＲ効果層４
に一定のセンス電流が供給されており、対向する磁気記
録媒体（図示せず）に記録された情報の磁束をＭＲ効果
層４の感知部（図示せず）が電気抵抗の変化として正確
に感知する。これをリード層６間の電圧変化として再生
出力し、これを検出することにより再生動作を行ってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、記録再生動作中はＭＲ効果層にセンス電流
が供給されており、このセンス電流によってＭＲ効果層
内でジュール熱が発生する。更に、ＭＲ効果層上には熱
伝導率の極めて悪い酸化膜絶縁体が積層されているため
に、ＭＲ効果層内で発生するジュール熱の放熱効率が低
くなり、ＭＲ効果層及びその周辺部の温度を上昇させ、
ＭＲ効果層に印加されているバイアス磁界の効果を低下
させたり、ＭＲ効果層の感知部の抵抗を増加させ再生ヘ
ッドの電気特性を劣化させるという問題点を有してい
た。また、高出力を得るために大きいセンス電流を供給
した場合、ＭＲ効果層内の温度が急激に上昇し、これに
伴いＭＲ効果層の感知部の抵抗も急激に上昇する、いわ
ゆる熱暴走を発生させ最終的にはＭＲ効果層及びその周
辺部を溶断させ、再生ヘッドを破壊する可能性があるた
めにセンス電流の許容値を大きくすることができず汎用
性に欠けるという問題点を有していた。
の構成では、記録再生動作中はＭＲ効果層にセンス電流
が供給されており、このセンス電流によってＭＲ効果層
内でジュール熱が発生する。更に、ＭＲ効果層上には熱
伝導率の極めて悪い酸化膜絶縁体が積層されているため
に、ＭＲ効果層内で発生するジュール熱の放熱効率が低
くなり、ＭＲ効果層及びその周辺部の温度を上昇させ、
ＭＲ効果層に印加されているバイアス磁界の効果を低下
させたり、ＭＲ効果層の感知部の抵抗を増加させ再生ヘ
ッドの電気特性を劣化させるという問題点を有してい
た。また、高出力を得るために大きいセンス電流を供給
した場合、ＭＲ効果層内の温度が急激に上昇し、これに
伴いＭＲ効果層の感知部の抵抗も急激に上昇する、いわ
ゆる熱暴走を発生させ最終的にはＭＲ効果層及びその周
辺部を溶断させ、再生ヘッドを破壊する可能性があるた
めにセンス電流の許容値を大きくすることができず汎用
性に欠けるという問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、センス電流の許容値を大きくすることができ、汎用
性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信頼性に優
れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
で、センス電流の許容値を大きくすることができ、汎用
性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信頼性に優
れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッド
は、横バイアス層と、前記横バイアス層上に積層された
中間層と、前記中間層上に積層されたＭＲ効果層と、前
記ＭＲ効果層上に積層された縦バイアス層と、前記ＭＲ
効果層に電気的に接続された前記ＭＲ効果層へセンス電
流を供給するリード層と、前記リード層上に積層された
酸化膜絶縁層等を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
であって、前記ＭＲ効果層上の前記リード層側に非磁性
体からなる放熱層を備えた構成を有しており、請求項２
に記載のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、横バイアス層
と、前記横バイアス層上に積層された中間層と、前記中
間層上に積層されたＭＲ効果層と、前記ＭＲ効果層上に
積層された縦バイアス層と、前記ＭＲ効果層に電気的に
接続された前記ＭＲ効果層へセンス電流を供給するリー
ド層と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等を
有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記Ｍ
Ｒ効果層の感知部上及び前記リード層上に非磁性体から
なる放熱層を備えた構成を有しており、請求項３に記載
のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、横バイアス層と、前記
横バイアス層上に積層された中間層と、前記中間層上に
積層されたＭＲ効果層と、前記ＭＲ効果層上に積層され
た縦バイアス層と、前記ＭＲ効果層に電気的に接続され
た前記ＭＲ効果層へセンス電流を供給するリード層と、
前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等を有する磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記ＭＲ効果層
の感知部上に前記リード層の端部と接した非磁性体から
なる放熱層を備えた構成を有しており、請求項４に記載
のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至３の内い
ずれか１において、前記放熱層が金属又は半導体で形成
されている構成を有している。
に本発明の請求項１に記載のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッド
は、横バイアス層と、前記横バイアス層上に積層された
中間層と、前記中間層上に積層されたＭＲ効果層と、前
記ＭＲ効果層上に積層された縦バイアス層と、前記ＭＲ
効果層に電気的に接続された前記ＭＲ効果層へセンス電
流を供給するリード層と、前記リード層上に積層された
酸化膜絶縁層等を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
であって、前記ＭＲ効果層上の前記リード層側に非磁性
体からなる放熱層を備えた構成を有しており、請求項２
に記載のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、横バイアス層
と、前記横バイアス層上に積層された中間層と、前記中
間層上に積層されたＭＲ効果層と、前記ＭＲ効果層上に
積層された縦バイアス層と、前記ＭＲ効果層に電気的に
接続された前記ＭＲ効果層へセンス電流を供給するリー
ド層と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等を
有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記Ｍ
Ｒ効果層の感知部上及び前記リード層上に非磁性体から
なる放熱層を備えた構成を有しており、請求項３に記載
のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、横バイアス層と、前記
横バイアス層上に積層された中間層と、前記中間層上に
積層されたＭＲ効果層と、前記ＭＲ効果層上に積層され
た縦バイアス層と、前記ＭＲ効果層に電気的に接続され
た前記ＭＲ効果層へセンス電流を供給するリード層と、
前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等を有する磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記ＭＲ効果層
の感知部上に前記リード層の端部と接した非磁性体から
なる放熱層を備えた構成を有しており、請求項４に記載
のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至３の内い
ずれか１において、前記放熱層が金属又は半導体で形成
されている構成を有している。
【０００８】ここで、放熱層としては、バイアス磁界に
影響を与えない非磁性体で、かつ熱伝導率の高い金属又
は半導体が用いられる。金属としては、Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ
等の熱伝導率が高く抵抗率の大きいものが好ましいが他
の金属でも可能である。半導体としては、熱伝導率の高
いＳｉ等が好ましいが他の半導体であってもよい。ま
た、放熱層はＭＲ効果層のリード層側にＭＲ効果層の全
域にわたって形成するのが好ましいがＭＲ効果層の感知
部上及びリード層上又は、ＭＲ効果層の感知部上にリー
ド層の端部と接して形成してもよい。いずれも外部への
伝熱経路であるリード層と接することで放熱効果を大き
くするためである。また、リード層上に形成する放熱層
はリード層上の一部であってもよいし、リード層上の全
域であってもよい。金属や半導体の材料の選定にあたっ
ては放熱層を形成する場所の隣接する層との付着力や電
流経路等により適宜選択すればよい。
影響を与えない非磁性体で、かつ熱伝導率の高い金属又
は半導体が用いられる。金属としては、Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ
等の熱伝導率が高く抵抗率の大きいものが好ましいが他
の金属でも可能である。半導体としては、熱伝導率の高
いＳｉ等が好ましいが他の半導体であってもよい。ま
た、放熱層はＭＲ効果層のリード層側にＭＲ効果層の全
域にわたって形成するのが好ましいがＭＲ効果層の感知
部上及びリード層上又は、ＭＲ効果層の感知部上にリー
ド層の端部と接して形成してもよい。いずれも外部への
伝熱経路であるリード層と接することで放熱効果を大き
くするためである。また、リード層上に形成する放熱層
はリード層上の一部であってもよいし、リード層上の全
域であってもよい。金属や半導体の材料の選定にあたっ
ては放熱層を形成する場所の隣接する層との付着力や電
流経路等により適宜選択すればよい。
【０００９】
【作用】この構成によって、ＭＲ効果層上に積層形成さ
れた放熱層が高い熱伝導率を有しているためにＭＲ効果
層内で発生した熱をＭＲ効果層の上部からも容易に放熱
することができるためにＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの放
熱効率を向上させて、センス電流の許容値を大きくする
ことができる。また、センス電流を大きくできるので再
生時のＳＮ比を向上させることができる。
れた放熱層が高い熱伝導率を有しているためにＭＲ効果
層内で発生した熱をＭＲ効果層の上部からも容易に放熱
することができるためにＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの放
熱効率を向上させて、センス電流の許容値を大きくする
ことができる。また、センス電流を大きくできるので再
生時のＳＮ比を向上させることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】（実施例１）図１は本発明の第１実施例に
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。１は酸化膜絶縁体、２は横バイアス層、３
は非磁性層、４はＭＲ効果層、５は縦バイアス層、６は
リード層であり、これらは従来例と同様なもので同一の
符号を付し説明を省略する。８はＭＲ効果層４上の全域
に積層された非磁性体である金属、例えばＴａの薄膜か
らなる放熱層、７ａはＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生
感知部であり、これらは酸化膜絶縁体１を介して配置し
た磁気シールド（図示せず）と共に磁気ディスク媒体面
と対向の面に露出したピギーバック構造で構成されてい
る。
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。１は酸化膜絶縁体、２は横バイアス層、３
は非磁性層、４はＭＲ効果層、５は縦バイアス層、６は
リード層であり、これらは従来例と同様なもので同一の
符号を付し説明を省略する。８はＭＲ効果層４上の全域
に積層された非磁性体である金属、例えばＴａの薄膜か
らなる放熱層、７ａはＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生
感知部であり、これらは酸化膜絶縁体１を介して配置し
た磁気シールド（図示せず）と共に磁気ディスク媒体面
と対向の面に露出したピギーバック構造で構成されてい
る。
【００１２】ここで、放熱層８にＴａを用いたがＭｏや
Ｗ等であってもよい。以上のように構成されたＭＲ効果
型薄膜磁気ヘッドについて、以下その動作について説明
する。図２は本発明の第１実施例におけるＭＲ効果型薄
膜磁気ヘッドのＭＲ効果層の放熱状態を示す図である。
再生感知部７ａの動作中はリード層６から放熱層８を介
してＭＲ効果層４に一定のセンス電流が供給されてい
る。そして、対向する磁気記録媒体（図示せず）に記録
された情報の磁束をＭＲ効果層４の感知部（図示せず）
が電気抵抗の変化として再生出力し、これを検知するこ
とにより再生動作を行っている。今、図２において、セ
ンス電流をリード層６から放熱層８を介してＭＲ効果層
４に供給した場合、ＭＲ効果層４内の感知部の中央部を
中心にジュール熱Ｑが発生する。発生したジュール熱Ｑ
は放熱層８を介して酸化膜絶縁体１中の伝熱経路Ｒ１、
放熱層８を介してリード層６への伝熱経路Ｒ２、更に非
磁性層３及び横バイアス層２中の伝熱経路Ｒ３を伝熱の
経路として周辺部へ伝熱する。このとき、ＭＲ効果層４
上に一面に形成された放熱層８は酸化膜絶縁体１に比べ
熱伝導率が高いためにＭＲ効果層４内のジュール熱Ｑが
放熱層８を介してリード層６に伝熱する放熱量が大きく
なるのでＭＲ効果層４内の感知部周辺の温度上昇が抑制
される。
Ｗ等であってもよい。以上のように構成されたＭＲ効果
型薄膜磁気ヘッドについて、以下その動作について説明
する。図２は本発明の第１実施例におけるＭＲ効果型薄
膜磁気ヘッドのＭＲ効果層の放熱状態を示す図である。
再生感知部７ａの動作中はリード層６から放熱層８を介
してＭＲ効果層４に一定のセンス電流が供給されてい
る。そして、対向する磁気記録媒体（図示せず）に記録
された情報の磁束をＭＲ効果層４の感知部（図示せず）
が電気抵抗の変化として再生出力し、これを検知するこ
とにより再生動作を行っている。今、図２において、セ
ンス電流をリード層６から放熱層８を介してＭＲ効果層
４に供給した場合、ＭＲ効果層４内の感知部の中央部を
中心にジュール熱Ｑが発生する。発生したジュール熱Ｑ
は放熱層８を介して酸化膜絶縁体１中の伝熱経路Ｒ１、
放熱層８を介してリード層６への伝熱経路Ｒ２、更に非
磁性層３及び横バイアス層２中の伝熱経路Ｒ３を伝熱の
経路として周辺部へ伝熱する。このとき、ＭＲ効果層４
上に一面に形成された放熱層８は酸化膜絶縁体１に比べ
熱伝導率が高いためにＭＲ効果層４内のジュール熱Ｑが
放熱層８を介してリード層６に伝熱する放熱量が大きく
なるのでＭＲ効果層４内の感知部周辺の温度上昇が抑制
される。
【００１３】以上のように動作する本発明の第１実施例
におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドと、従来のＭＲ効果
型薄膜磁気ヘッドについて、性能比較試験を行った。以
下にその結果について説明する。
におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドと、従来のＭＲ効果
型薄膜磁気ヘッドについて、性能比較試験を行った。以
下にその結果について説明する。
【００１４】（実験例）本発明の第１実施例におけるＭ
Ｒ効果型薄膜磁気ヘッドを用いてセンス電流の上昇に伴
うＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの抵抗値の変化、及びそれ
らか推定される温度上昇関係を図３及び図４に示す。図
３は実験例におけるセンス電流と直流抵抗の関係を示す
図であり、図４は実験例におけるセンス電流と温度の関
係を示す図である。
Ｒ効果型薄膜磁気ヘッドを用いてセンス電流の上昇に伴
うＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの抵抗値の変化、及びそれ
らか推定される温度上昇関係を図３及び図４に示す。図
３は実験例におけるセンス電流と直流抵抗の関係を示す
図であり、図４は実験例におけるセンス電流と温度の関
係を示す図である。
【００１５】（比較例）比較例として、従来のＭＲ効果
型薄膜磁気ヘッドについて実験例と同様にセンス電流と
ＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの抵抗値の関係及び温度上昇
について測定し、その結果を図３及び図４に示す。
型薄膜磁気ヘッドについて実験例と同様にセンス電流と
ＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの抵抗値の関係及び温度上昇
について測定し、その結果を図３及び図４に示す。
【００１６】この図３及び図４から明らかなように本実
験例のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドはＭＲ効果層のリード
層側に放熱層を積層形成することによりＭＲ効果層の放
熱効果が著しく改善されていることがわかった。
験例のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドはＭＲ効果層のリード
層側に放熱層を積層形成することによりＭＲ効果層の放
熱効果が著しく改善されていることがわかった。
【００１７】以上のように本実施例によれば、熱伝導率
が高くかつ非磁性体であるＴａをＭＲ効果層上の全域に
放熱層を形成することによりＭＲ効果層内のジュール熱
の放熱効果を高めることができるので、ＭＲ効果層周辺
の温度上昇を抑えることができる。また、ＭＲ効果層上
の全域に積層形成し特殊な形状を必要としないので、製
造が容易である。
が高くかつ非磁性体であるＴａをＭＲ効果層上の全域に
放熱層を形成することによりＭＲ効果層内のジュール熱
の放熱効果を高めることができるので、ＭＲ効果層周辺
の温度上昇を抑えることができる。また、ＭＲ効果層上
の全域に積層形成し特殊な形状を必要としないので、製
造が容易である。
【００１８】（実施例２）図５は本発明の第２実施例に
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。実施例１と異なるのは、非磁性体である半
導体、例えばＳｉからなる放熱層９をＭＲ効果層４の感
知部上と、リード層６上の一部に形成した点である。７
ｂは本発明の第２実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘ
ッドの再生感知部である。
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。実施例１と異なるのは、非磁性体である半
導体、例えばＳｉからなる放熱層９をＭＲ効果層４の感
知部上と、リード層６上の一部に形成した点である。７
ｂは本発明の第２実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘ
ッドの再生感知部である。
【００１９】以上のように構成された本発明の第２実施
例について、以下その再生動作を説明する。再生感知部
７ｂの動作中は実施例１と同様にリード層６からＭＲ効
果層４からのセンス電流が供給されており、ＭＲ効果層
４の感知部が磁束の変化を電気抵抗の変化として再生出
力し、再生動作を行っている。このセンス電流によるＭ
Ｒ効果層４内で発生したジュール熱ＱはＭＲ効果層４自
身を介してリード層６への伝熱経路や非磁性層３及び横
バイアス層２を介して周辺部へ伝熱する他、主に放熱層
９を介してリード層６に伝熱するためにＭＲ効果層４内
の感知部周辺の温度上昇が抑えられる。
例について、以下その再生動作を説明する。再生感知部
７ｂの動作中は実施例１と同様にリード層６からＭＲ効
果層４からのセンス電流が供給されており、ＭＲ効果層
４の感知部が磁束の変化を電気抵抗の変化として再生出
力し、再生動作を行っている。このセンス電流によるＭ
Ｒ効果層４内で発生したジュール熱ＱはＭＲ効果層４自
身を介してリード層６への伝熱経路や非磁性層３及び横
バイアス層２を介して周辺部へ伝熱する他、主に放熱層
９を介してリード層６に伝熱するためにＭＲ効果層４内
の感知部周辺の温度上昇が抑えられる。
【００２０】以上のように本実施例によれば、放熱層９
にＳｉを用いることで厚みの制約をあまり受けないＭＲ
効果層４の感知部上及びリード層６上の一部に膜厚の厚
い放熱層を形成することができＭＲ効果層４内のジュー
ル熱の放熱効果を高めＭＲ効果層４周辺の温度上昇を抑
えることができる。
にＳｉを用いることで厚みの制約をあまり受けないＭＲ
効果層４の感知部上及びリード層６上の一部に膜厚の厚
い放熱層を形成することができＭＲ効果層４内のジュー
ル熱の放熱効果を高めＭＲ効果層４周辺の温度上昇を抑
えることができる。
【００２１】尚、本実施例においては放熱層をＭＲ効果
層の感知部上及びリード層上の一部に形成したがＭＲ効
果層の感知部上及びリード層上の全域に形成してもよ
い。
層の感知部上及びリード層上の一部に形成したがＭＲ効
果層の感知部上及びリード層上の全域に形成してもよ
い。
【００２２】（実施例３）図６は本発明の第３実施例に
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。実施例１と異なるのは熱伝導率の優れたＷ
からなる放熱層１０をＭＲ効果層４の感知部上にリード
層６の端部と接して積層形成した点である。７ｃは本発
明の第２実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再
生感知部である。
おけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部の要部断
面図である。実施例１と異なるのは熱伝導率の優れたＷ
からなる放熱層１０をＭＲ効果層４の感知部上にリード
層６の端部と接して積層形成した点である。７ｃは本発
明の第２実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再
生感知部である。
【００２３】以上のように構成されたＭＲ効果型薄膜磁
気ヘッドについて、以下その動作について説明する。実
施例１，２と同様に再生感知部７ｃの動作中はリード層
６からＭＲ効果層４にセンス電流が供給され、ＭＲ効果
層４の感知部が磁束の変化を電気抵抗の変化として再生
出力するが、この時、センス電流によるＭＲ効果層４内
で発生したジュール熱Ｑは主に、放熱層１０を介してリ
ード層６に伝熱するためにＭＲ効果層４内の感知部周辺
の温度上昇が抑えられる。
気ヘッドについて、以下その動作について説明する。実
施例１，２と同様に再生感知部７ｃの動作中はリード層
６からＭＲ効果層４にセンス電流が供給され、ＭＲ効果
層４の感知部が磁束の変化を電気抵抗の変化として再生
出力するが、この時、センス電流によるＭＲ効果層４内
で発生したジュール熱Ｑは主に、放熱層１０を介してリ
ード層６に伝熱するためにＭＲ効果層４内の感知部周辺
の温度上昇が抑えられる。
【００２４】以上のように本実施例によれば、放熱層１
０として熱伝導率の優れたＷをＭＲ効果層４の感知部上
にリード層６の端部を接して積層することにより、セン
ス電流によるＭＲ効果層４内で発生したジュール熱Ｑを
主にこの放熱層１０を介して、リード層６や酸化絶縁体
に伝熱するためにＭＲ効果層４内の感知部周辺の温度上
昇を抑えることができる。
０として熱伝導率の優れたＷをＭＲ効果層４の感知部上
にリード層６の端部を接して積層することにより、セン
ス電流によるＭＲ効果層４内で発生したジュール熱Ｑを
主にこの放熱層１０を介して、リード層６や酸化絶縁体
に伝熱するためにＭＲ効果層４内の感知部周辺の温度上
昇を抑えることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、ＭＲ効果層の感
知部上に非磁性体からなる金属又は半導体の放熱層を成
膜することにより、ＭＲ効果層の感知部の伝熱効率を大
きく向上させることができる。従って、ＭＲ効果層内の
感知部で発生するセンス電流によるジュール熱の放熱効
果が著しく改善されＭＲ効果層の温度上昇が抑制される
ので、センス電流の許容値を大きくすることができ、汎
用性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信頼性に
優れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドを実現できるものであ
る。
知部上に非磁性体からなる金属又は半導体の放熱層を成
膜することにより、ＭＲ効果層の感知部の伝熱効率を大
きく向上させることができる。従って、ＭＲ効果層内の
感知部で発生するセンス電流によるジュール熱の放熱効
果が著しく改善されＭＲ効果層の温度上昇が抑制される
ので、センス電流の許容値を大きくすることができ、汎
用性に優れ、ＳＮ比を向上させることができる信頼性に
優れたＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドを実現できるものであ
る。
【図１】本発明の第１実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
【図２】本発明の第１実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁
気ヘッドのＭＲ効果層の放熱状態を示す図
気ヘッドのＭＲ効果層の放熱状態を示す図
【図３】実験例におけるセンス電流と直流抵抗の関係を
示す図
示す図
【図４】実験例におけるセンス電流と温度の関係を示す
図
図
【図５】本発明の第２実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
【図６】本発明の第３実施例におけるＭＲ効果型薄膜磁
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
気ヘッドの再生感知部の要部断面図
【図７】従来のＭＲ効果型薄膜磁気ヘッドの再生感知部
の要部断面図
の要部断面図
１ 酸化膜絶縁体 ２ 横バイアス層 ３ 非磁性層 ４ ＭＲ効果層 ５ 縦バイアス層 ６ リード層 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ 再生感知部 ８，９，１０ 放熱層
Claims (4)
- 【請求項１】横バイアス層と、前記横バイアス層上に積
層された非磁性層と、前記非磁性層上に積層された磁気
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層上に積層された縦バ
イアス層と、前記磁気抵抗効果層に電気的に接続された
前記磁気抵抗効果層へセンス電流を供給するリード層
と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等からな
る再生感知部を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドで
あって、前記磁気抵抗効果層の前記リード層側に非磁性
体からなる放熱層を備えたことを特徴とする磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】横バイアス層と、前記横バイアス層上に積
層された非磁性層と、前記非磁性層上に積層された磁気
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層上に積層された縦バ
イアス層と、前記磁気抵抗効果層に電気的に接続された
前記磁気抵抗効果層へセンス電流を供給するリード層
と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等からな
る再生感知部を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドで
あって、前記磁気抵抗効果層の感知部上及び前記リード
層上に非磁性体からなる放熱層を備えたことを特徴とす
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】横バイアス層と、前記横バイアス層上に積
層された非磁性層と、前記非磁性層上に積層された磁気
抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層上に積層された縦バ
イアス層と、前記磁気抵抗効果層に電気的に接続された
前記磁気抵抗効果層へセンス電流を供給するリード層
と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等からな
る再生感知部を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドで
あって、前記磁気抵抗効果層の感知部上に前記リード層
の端部と接した非磁性体からなる放熱層を備えたことを
特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記放熱層が金属又は半導体であることを
特徴とする請求項１乃至３の内いずれか１に記載の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393994A JPH07210829A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP393994A JPH07210829A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07210829A true JPH07210829A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11571105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP393994A Pending JPH07210829A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07210829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958612A (en) * | 1996-11-28 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| US6731461B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP393994A patent/JPH07210829A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958612A (en) * | 1996-11-28 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| US6731461B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
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