JPH07307010A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07307010A JPH07307010A JP9834094A JP9834094A JPH07307010A JP H07307010 A JPH07307010 A JP H07307010A JP 9834094 A JP9834094 A JP 9834094A JP 9834094 A JP9834094 A JP 9834094A JP H07307010 A JPH07307010 A JP H07307010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- head
- magnetic shield
- lower magnetic
- shield film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】信号検出部からヘッドスライダへの熱伝導効率
を改善するために、下部シールド膜を上部シールド膜よ
りも厚くする。また、下部シールド膜とヘッドスライダ
との間に金属膜を配置し、その厚さの和を上部シールド
膜の厚さよりも大きくする。さらに、下部シールド膜ま
たは金属膜を直接ヘッドスライダに接触させ、ヘッドの
熱抵抗を小さくする。 【効果】通電によるＭＲヘッドの温度上昇が抑制され、
長寿命化が実現できる。
を改善するために、下部シールド膜を上部シールド膜よ
りも厚くする。また、下部シールド膜とヘッドスライダ
との間に金属膜を配置し、その厚さの和を上部シールド
膜の厚さよりも大きくする。さらに、下部シールド膜ま
たは金属膜を直接ヘッドスライダに接触させ、ヘッドの
熱抵抗を小さくする。 【効果】通電によるＭＲヘッドの温度上昇が抑制され、
長寿命化が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置、例え
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、信号検出部の発熱を効
率良く逃がして温度上昇を抑制した磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する。
ば、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に搭載される磁
気抵抗効果ヘッドに係り、特に、信号検出部の発熱を効
率良く逃がして温度上昇を抑制した磁気抵抗効果型ヘッ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置の記録密度を増加させるた
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドの信号検出部では、厚さ１〜１００ｎｍ
程度の薄膜パターンに電流密度として数百万アンペア／
cm2 以上の電流を流して使用するため、ジュール発熱に
よる温度上昇が起こり、膜材料の拡散やエレクトロマイ
グレーションが加速されて、ヘッドの信頼性が損なわれ
ることがある。
めに、高感度な再生用磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果
ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略す）が注目されている。
このＭＲヘッドの信号検出部では、厚さ１〜１００ｎｍ
程度の薄膜パターンに電流密度として数百万アンペア／
cm2 以上の電流を流して使用するため、ジュール発熱に
よる温度上昇が起こり、膜材料の拡散やエレクトロマイ
グレーションが加速されて、ヘッドの信頼性が損なわれ
ることがある。
【０００３】このヘッド通電時の温度上昇を抑制する方
法は、これまでに特開昭58−26313号，特開昭59−21052
1号，特開平5−101342 号公報に開示されている。
法は、これまでに特開昭58−26313号，特開昭59−21052
1号，特開平5−101342 号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の公知例のうち、
特開昭58−26313 号及び特開昭59−210521号公報では、
ＭＲヘッドにペルチェ効果素子等の電子冷却手段を設け
て信号検出部を強制冷却し、通電温度上昇を抑制してい
る。しかし、この方法はヘッド構造が複雑になるため、
実際の適用は困難であった。一方、特開平5−101342 号
公報では、２組の導体層を磁気抵抗効果膜の上下両面に
設けて、信号検出部からの放熱効果を増すことにより、
通電温度上昇を抑制している。しかし、この方法では導
体層パターンを２回にわけて形成しなければならず、製
造コストの増加につながる問題があった。
特開昭58−26313 号及び特開昭59−210521号公報では、
ＭＲヘッドにペルチェ効果素子等の電子冷却手段を設け
て信号検出部を強制冷却し、通電温度上昇を抑制してい
る。しかし、この方法はヘッド構造が複雑になるため、
実際の適用は困難であった。一方、特開平5−101342 号
公報では、２組の導体層を磁気抵抗効果膜の上下両面に
設けて、信号検出部からの放熱効果を増すことにより、
通電温度上昇を抑制している。しかし、この方法では導
体層パターンを２回にわけて形成しなければならず、製
造コストの増加につながる問題があった。
【０００５】本発明の目的は、これらの欠点を克服し
て、複雑な製造工程を用いることなく、通電時の温度上
昇抑制を可能とし、高信頼性を実現したＭＲヘッドを提
供することにある。
て、複雑な製造工程を用いることなく、通電時の温度上
昇抑制を可能とし、高信頼性を実現したＭＲヘッドを提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲヘッドは、
少なくとも磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）からなる信号検出
部と、前記信号検出部を挟んでヘッドスライダ側に順に
配置された下部磁気ギャップ膜及び下部磁気シールド膜
と、該信号検出部を挟んでヘッドスライダと反対側に順
に配置された上部磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド
膜とを有し、前記下部磁気シールド膜の厚さが前記上部
磁気シールド膜の厚さよりも大きいことを特徴とする。
ここで、前記上部及び下部磁気シールド膜はいずれも熱
伝導率の大きい金属磁性膜であることが望ましい。ま
た、前記下部磁気シールド膜から前記ヘッドスライダへ
の熱伝導効率を改善するためには、少なくとも信号検出
部に近い位置において、前記下部磁気シールド膜と前記
ヘッドスライダとが直接接していることが望ましい。
少なくとも磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）からなる信号検出
部と、前記信号検出部を挟んでヘッドスライダ側に順に
配置された下部磁気ギャップ膜及び下部磁気シールド膜
と、該信号検出部を挟んでヘッドスライダと反対側に順
に配置された上部磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド
膜とを有し、前記下部磁気シールド膜の厚さが前記上部
磁気シールド膜の厚さよりも大きいことを特徴とする。
ここで、前記上部及び下部磁気シールド膜はいずれも熱
伝導率の大きい金属磁性膜であることが望ましい。ま
た、前記下部磁気シールド膜から前記ヘッドスライダへ
の熱伝導効率を改善するためには、少なくとも信号検出
部に近い位置において、前記下部磁気シールド膜と前記
ヘッドスライダとが直接接していることが望ましい。
【０００７】また、本発明のもう一つのＭＲヘッドは、
少なくともＭＲ膜からなる信号検出部と、前記信号検出
部を挟んでヘッドスライダ側に順に配置された下部磁気
ギャップ膜及び下部磁気シールド膜と、前記信号検出部
を挟んでヘッドスライダと反対側に順に配置された上部
磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド膜とを有し、前記
下部磁気シールド膜と前記ヘッドスライダとの間に少な
くとも１層の金属膜が配置されていることを特徴とす
る。ここで、前記下部磁気シールド膜から前記ヘッドス
ライダへの熱伝導効率を改善するためには、少なくとも
信号検出部に近い位置において、前記下部磁気シールド
膜と金属膜、もしくは前記金属膜と前記ヘッドスライダ
とが直接接していることが望ましい。また、前記下部磁
気シールド膜と前記金属膜の厚さの和が前記上部磁気シ
ールド膜の厚さよりも大きいことが望ましい。また、本
発明で下部磁気シールド膜や金属膜を厚くした場合の表
面粗さの増大を防ぎ、その上部に配置されるＭＲ膜の磁
気特性を改善するためには、前記下部磁気シールド膜と
前記金属膜のいずれか、もしくは両方が非晶質であるこ
とが望ましい。
少なくともＭＲ膜からなる信号検出部と、前記信号検出
部を挟んでヘッドスライダ側に順に配置された下部磁気
ギャップ膜及び下部磁気シールド膜と、前記信号検出部
を挟んでヘッドスライダと反対側に順に配置された上部
磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド膜とを有し、前記
下部磁気シールド膜と前記ヘッドスライダとの間に少な
くとも１層の金属膜が配置されていることを特徴とす
る。ここで、前記下部磁気シールド膜から前記ヘッドス
ライダへの熱伝導効率を改善するためには、少なくとも
信号検出部に近い位置において、前記下部磁気シールド
膜と金属膜、もしくは前記金属膜と前記ヘッドスライダ
とが直接接していることが望ましい。また、前記下部磁
気シールド膜と前記金属膜の厚さの和が前記上部磁気シ
ールド膜の厚さよりも大きいことが望ましい。また、本
発明で下部磁気シールド膜や金属膜を厚くした場合の表
面粗さの増大を防ぎ、その上部に配置されるＭＲ膜の磁
気特性を改善するためには、前記下部磁気シールド膜と
前記金属膜のいずれか、もしくは両方が非晶質であるこ
とが望ましい。
【０００８】
【作用】ＭＲヘッドに通電した時の信号検出部の温度上
昇は、信号検出部で消費される電力と、ヘッド全体の熱
抵抗との積で表わされる。従って、ヘッド電流一定、す
なわち、消費電力一定の条件で温度上昇を抑制するため
には、ヘッドの熱抵抗を小さくする必要がある。ヘッド
の熱抵抗は、発熱部（信号検出部）を取り囲む部分の材
料（熱伝導度）と形状（膜厚やパターン大きさ）で決ま
る。特に、ＭＲヘッドのように微小部分で発熱する場合
には、発熱部に近い場所に熱伝導効率の良い膜を設ける
ことが望ましい。
昇は、信号検出部で消費される電力と、ヘッド全体の熱
抵抗との積で表わされる。従って、ヘッド電流一定、す
なわち、消費電力一定の条件で温度上昇を抑制するため
には、ヘッドの熱抵抗を小さくする必要がある。ヘッド
の熱抵抗は、発熱部（信号検出部）を取り囲む部分の材
料（熱伝導度）と形状（膜厚やパターン大きさ）で決ま
る。特に、ＭＲヘッドのように微小部分で発熱する場合
には、発熱部に近い場所に熱伝導効率の良い膜を設ける
ことが望ましい。
【０００９】通常のＭＲヘッドにおいて信号検出部近く
に配置されるのは、電極導体膜，磁気ギャップ膜，磁気
シールド膜である。このうち磁気ギャップ膜は絶縁膜で
あるから、熱伝導率は小さい。また、電極導体膜は金属
であり良熱伝導体であるが、熱伝導効率を増加させるた
めに電極導体膜厚を増加させると、その上に形成する磁
気ギャップ膜のつきまわりが悪くなって望ましくない。
従って、温度上昇を抑制するには、磁気シールド膜を厚
くするのが最も効果的である。しかし、磁気シールド膜
全体を不必要に厚くすると、記録ヘッドとの位置合わせ
が困難になるなどの問題が生じるため、熱抵抗を低減し
ながら他のヘッド特性を損なわないように、磁気シール
ド膜の配置を最適化する必要がある。
に配置されるのは、電極導体膜，磁気ギャップ膜，磁気
シールド膜である。このうち磁気ギャップ膜は絶縁膜で
あるから、熱伝導率は小さい。また、電極導体膜は金属
であり良熱伝導体であるが、熱伝導効率を増加させるた
めに電極導体膜厚を増加させると、その上に形成する磁
気ギャップ膜のつきまわりが悪くなって望ましくない。
従って、温度上昇を抑制するには、磁気シールド膜を厚
くするのが最も効果的である。しかし、磁気シールド膜
全体を不必要に厚くすると、記録ヘッドとの位置合わせ
が困難になるなどの問題が生じるため、熱抵抗を低減し
ながら他のヘッド特性を損なわないように、磁気シール
ド膜の配置を最適化する必要がある。
【００１０】通常、磁気シールド膜は信号検出部を挟み
込むように設けられており、ＭＲ膜とヘッドスライダと
の間に配置される下部磁気シールド膜と、反対側に配置
される上部磁気シールド膜の二つに分けられる。上部磁
気シールド膜の上部には保護膜や記録ヘッドなどが積層
されてヘッド表面となることが多いが、下部磁気シール
ド膜の下部には熱伝導率の大きいヘッドスライダが存在
するため、上部に比べて下部磁気シールド側に熱を逃が
すように設計することにより、ヘッド全体の熱抵抗を効
率良く低下させることができる。従って、上部に比べて
下部磁気シールド膜の厚さを大きくすれば、位置合わせ
精度等を劣化させずに、熱抵抗の小さいヘッドを実現す
ることができる。
込むように設けられており、ＭＲ膜とヘッドスライダと
の間に配置される下部磁気シールド膜と、反対側に配置
される上部磁気シールド膜の二つに分けられる。上部磁
気シールド膜の上部には保護膜や記録ヘッドなどが積層
されてヘッド表面となることが多いが、下部磁気シール
ド膜の下部には熱伝導率の大きいヘッドスライダが存在
するため、上部に比べて下部磁気シールド側に熱を逃が
すように設計することにより、ヘッド全体の熱抵抗を効
率良く低下させることができる。従って、上部に比べて
下部磁気シールド膜の厚さを大きくすれば、位置合わせ
精度等を劣化させずに、熱抵抗の小さいヘッドを実現す
ることができる。
【００１１】また、通常のＭＲヘッドでは、ヘッドスラ
イダと下部磁気シールド膜との間にアルミナ等の絶縁下
地膜を設ける場合が多い。しかし、この下地膜は熱伝導
率の小さい材料を用いるため、下部磁気シールド膜とヘ
ッドスライダとの間の良好な熱伝導を妨げて、ヘッドの
熱抵抗を増加させてしまう。そこで、少なくとも信号検
出部の近くで、下部磁気シールド膜とヘッドスライダを
直接接触させることにより、スムーズな熱の流れを実現
できる。
イダと下部磁気シールド膜との間にアルミナ等の絶縁下
地膜を設ける場合が多い。しかし、この下地膜は熱伝導
率の小さい材料を用いるため、下部磁気シールド膜とヘ
ッドスライダとの間の良好な熱伝導を妨げて、ヘッドの
熱抵抗を増加させてしまう。そこで、少なくとも信号検
出部の近くで、下部磁気シールド膜とヘッドスライダを
直接接触させることにより、スムーズな熱の流れを実現
できる。
【００１２】一方、シールド膜を不用意に厚くすると、
磁気特性や信頼性が劣化してしまう場合がある。この場
合には、下部磁気シールド膜とヘッドスライダの間に良
熱伝導体の金属膜を挟めば、上記と同様の作用によりヘ
ッドスライダ側への熱伝導が改善されるため、ヘッド熱
抵抗を低減できる。この場合も上記と同様に、下部磁気
シールド膜と金属膜の厚さの和を上部磁気シールド膜の
厚さより大きくすること、及び下部磁気シールド膜と金
属膜、または金属膜とヘッドスライダを信号検出部近く
で直接接触させることにより、ヘッド熱抵抗を小さく抑
えることが可能である。
磁気特性や信頼性が劣化してしまう場合がある。この場
合には、下部磁気シールド膜とヘッドスライダの間に良
熱伝導体の金属膜を挟めば、上記と同様の作用によりヘ
ッドスライダ側への熱伝導が改善されるため、ヘッド熱
抵抗を低減できる。この場合も上記と同様に、下部磁気
シールド膜と金属膜の厚さの和を上部磁気シールド膜の
厚さより大きくすること、及び下部磁気シールド膜と金
属膜、または金属膜とヘッドスライダを信号検出部近く
で直接接触させることにより、ヘッド熱抵抗を小さく抑
えることが可能である。
【００１３】以上のような熱抵抗低減策を適用すれば、
通電時の信号検知部の温度上昇を小さく抑えられる。一
般にＭＲヘッドの寿命は、膜材料の拡散やエレクトロマ
イグレーションによって決定されるため、exp(Ｑ／ｋ
Ｔ）（Ｑ：活性化エネルギ，ｋ：ボルツマン定数，Ｔ：
素子部の絶対温度）に比例すると考えられる。従って、
素子部の温度を低く保つことによりヘッド寿命が増加す
るため、通電によるＭＲヘッドの信頼性劣化を防止する
ことができる。
通電時の信号検知部の温度上昇を小さく抑えられる。一
般にＭＲヘッドの寿命は、膜材料の拡散やエレクトロマ
イグレーションによって決定されるため、exp(Ｑ／ｋ
Ｔ）（Ｑ：活性化エネルギ，ｋ：ボルツマン定数，Ｔ：
素子部の絶対温度）に比例すると考えられる。従って、
素子部の温度を低く保つことによりヘッド寿命が増加す
るため、通電によるＭＲヘッドの信頼性劣化を防止する
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの構造
を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見た図）
である。アルミナＴｉＣ基板１０１の上に、下地膜とし
てのアルミナ膜１０２，下部磁気シールド膜としてのＮ
ｉＦｅ膜１０３（厚さ４μｍ），下部ギャップ膜として
のアルミナ膜１０４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜１０
５，電極膜としてのＡｕ膜１０６，上部ギャップとして
のアルミナ膜１０７，上部磁気シールド膜としてのＮｉ
Ｆｅ膜１０８（厚さ２μｍ），保護膜としてのアルミナ
膜１０９を表わしている。なお、図１中には示さない
が、ＭＲ膜部分の上または下に、バイアスを印加するた
めのシャント膜や永久磁石膜，軟磁性膜等、あるいは磁
区制御のための反強磁性膜や永久磁石膜等が存在してい
る場合でも、本発明の効果は損なわれない。また、この
ＭＲヘッドの上部もしくは下部に、信号記録用の別のヘ
ッドを積層して用いる場合でも、本発明の効果は損なわ
れない。図１で示した構造のＭＲヘッドでは、下部磁気
シールド膜が上部磁気シールド膜より２μｍ厚いため、
上下部シールドとも同じ厚さ２μｍのＭＲヘッドに比べ
て熱抵抗が約１５％減少し、ヘッドの温度上昇を１００
℃から８５℃に抑制することができた。その結果、従来
より２.３ 倍の長寿命化を達成することができた。
る。図１は本発明の一実施例としてのＭＲヘッドの構造
を表わす正面図（磁気記録媒体との対向面から見た図）
である。アルミナＴｉＣ基板１０１の上に、下地膜とし
てのアルミナ膜１０２，下部磁気シールド膜としてのＮ
ｉＦｅ膜１０３（厚さ４μｍ），下部ギャップ膜として
のアルミナ膜１０４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜１０
５，電極膜としてのＡｕ膜１０６，上部ギャップとして
のアルミナ膜１０７，上部磁気シールド膜としてのＮｉ
Ｆｅ膜１０８（厚さ２μｍ），保護膜としてのアルミナ
膜１０９を表わしている。なお、図１中には示さない
が、ＭＲ膜部分の上または下に、バイアスを印加するた
めのシャント膜や永久磁石膜，軟磁性膜等、あるいは磁
区制御のための反強磁性膜や永久磁石膜等が存在してい
る場合でも、本発明の効果は損なわれない。また、この
ＭＲヘッドの上部もしくは下部に、信号記録用の別のヘ
ッドを積層して用いる場合でも、本発明の効果は損なわ
れない。図１で示した構造のＭＲヘッドでは、下部磁気
シールド膜が上部磁気シールド膜より２μｍ厚いため、
上下部シールドとも同じ厚さ２μｍのＭＲヘッドに比べ
て熱抵抗が約１５％減少し、ヘッドの温度上昇を１００
℃から８５℃に抑制することができた。その結果、従来
より２.３ 倍の長寿命化を達成することができた。
【００１５】図２は図１と同様の構造を持つＭＲヘッド
で、上部シールドの厚さを１μｍ及び２μｍとしたとき
の、下部シールド厚さとヘッドの熱抵抗の関係を表わす
グラフである。前述のように、シールド厚さを大きくす
ることによりＭＲヘッドの熱抵抗は減少し、通電温度上
昇を有効に抑制することができる。特に下部シールドを
厚くすれば、温度抑制効果が大きくなる。
で、上部シールドの厚さを１μｍ及び２μｍとしたとき
の、下部シールド厚さとヘッドの熱抵抗の関係を表わす
グラフである。前述のように、シールド厚さを大きくす
ることによりＭＲヘッドの熱抵抗は減少し、通電温度上
昇を有効に抑制することができる。特に下部シールドを
厚くすれば、温度抑制効果が大きくなる。
【００１６】図３は本発明の別の実施例としてのＭＲヘ
ッドの構造を表わす正面図である。アルミナＴｉＣ基板
３０１の上に、良熱伝導膜としてのＣｕ膜（厚さ２μ
ｍ）３０２，下部磁気シールド膜としての非晶質ＣｏＴ
ａＺｒ膜３０３(厚さ１μｍ)，下部ギャップ膜としての
アルミナ膜３０４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜３０５，
電極膜としてのＡｕ膜３０６，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜３０７，上部磁気シールド膜としてのＮｉＦｅ
膜３０８（厚さ１μｍ），保護膜としてのアルミナ膜３
０９を表わしている。図１のヘッドとは異なり下地膜と
してのアルミナ膜がないため、信号検知部で発生した熱
がヘッドスライダに伝わりやすくなり、ヘッドの熱抵抗
をさらに低減できた。
ッドの構造を表わす正面図である。アルミナＴｉＣ基板
３０１の上に、良熱伝導膜としてのＣｕ膜（厚さ２μ
ｍ）３０２，下部磁気シールド膜としての非晶質ＣｏＴ
ａＺｒ膜３０３(厚さ１μｍ)，下部ギャップ膜としての
アルミナ膜３０４，ＭＲ膜としてのＮｉＦｅ膜３０５，
電極膜としてのＡｕ膜３０６，上部ギャップとしてのア
ルミナ膜３０７，上部磁気シールド膜としてのＮｉＦｅ
膜３０８（厚さ１μｍ），保護膜としてのアルミナ膜３
０９を表わしている。図１のヘッドとは異なり下地膜と
してのアルミナ膜がないため、信号検知部で発生した熱
がヘッドスライダに伝わりやすくなり、ヘッドの熱抵抗
をさらに低減できた。
【００１７】図４はこの熱抵抗の低下を表わすグラフで
ある。図３で示したように下部シールドの下に金属膜を
設けて、それらの厚さの和を３μｍとすると、金属膜を
設けない場合に比べて大きく熱抵抗を低減できる。ま
た、下地アルミナを無くすことにより、同様に熱抵抗を
低減できる。この様に、図３に示した構造のヘッドを採
用することにより、通電温度上昇を３０％以上も抑制で
き、従来に比べて約６倍の長寿命化を達成することがで
きた。
ある。図３で示したように下部シールドの下に金属膜を
設けて、それらの厚さの和を３μｍとすると、金属膜を
設けない場合に比べて大きく熱抵抗を低減できる。ま
た、下地アルミナを無くすことにより、同様に熱抵抗を
低減できる。この様に、図３に示した構造のヘッドを採
用することにより、通電温度上昇を３０％以上も抑制で
き、従来に比べて約６倍の長寿命化を達成することがで
きた。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、複雑な構造や製造工程を
用いることなくＭＲヘッドの熱抵抗を低減でき、通電時
の有効な温度上昇抑制が可能となった。これにより、高
い信頼性を有する長寿命のＭＲヘッドが実現できた。
用いることなくＭＲヘッドの熱抵抗を低減でき、通電時
の有効な温度上昇抑制が可能となった。これにより、高
い信頼性を有する長寿命のＭＲヘッドが実現できた。
【図１】本発明の実施例としてのＭＲヘッドの構造を表
わす断面図。
わす断面図。
【図２】本発明の効果を表わすグラフ。
【図３】本発明の実施例としてのＭＲヘッドの構造を表
わす断面図。
わす断面図。
【図４】本発明の効果を表わすグラフ。
１０１…アルミナＴｉＣ基板、１０２，１０４，１０
７，１０９…アルミナ膜、１０３，１０５，１０８…Ｎ
ｉＦｅ膜、１０６…Ａｕ膜。
７，１０９…アルミナ膜、１０３，１０５，１０８…Ｎ
ｉＦｅ膜、１０６…Ａｕ膜。
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜を含む信号検出部と、前記
信号検出部を挟んでヘッドスライダ側に順に配置された
下部磁気ギャップ膜及び下部磁気シールド膜と、前記信
号検出部を挟んで前記ヘッドスライダと反対側に順に配
置された上部磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド膜と
を有し、磁気媒体上に記録された情報を再生する磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、 前記下部磁気シールド膜の厚さが前記上部磁気シールド
膜の厚さよりも大きいことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項２】請求項１において、前記下部磁気シールド
膜と前記ヘッドスライダとが直接接している磁気抵抗効
果ヘッド。 - 【請求項３】磁気抵抗効果膜を含む信号検出部と、前記
信号検出部を挟んでヘッドスライダ側に順に配置された
下部磁気ギャップ膜及び下部磁気シールド膜と、前記信
号検出部を挟んでヘッドスライダと反対側に順に配置さ
れた上部磁気ギャップ膜及び上部磁気シールド膜とを有
し、磁気媒体上に記録された情報を再生する磁気抵抗効
果ヘッドにおいて、 前記下部磁気シールド膜と前記ヘッドスライダとの間に
少なくとも１層の金属膜が配置されていることを特徴と
する磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】請求項３において、前記下部磁気シールド
膜と前記金属膜の厚さの和が前記上部磁気シールド膜の
厚さよりも大きい磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】請求項３において、前記下部磁気シールド
膜と前記金属膜とが直接接している磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項６】請求項３において、前記金属膜と前記ヘッ
ドスライダとが直接接している磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項７】請求項１または３において、前記下部磁気
シールド膜と前記金属膜のいずれか、もしくは両方が非
晶質である磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9834094A JPH07307010A (ja) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9834094A JPH07307010A (ja) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307010A true JPH07307010A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14217180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9834094A Pending JPH07307010A (ja) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958612A (en) * | 1996-11-28 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| US7212382B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-05-01 | Katsuhiko Otomo | Magnetic head including metallic material layer between write head section and read head section |
-
1994
- 1994-05-12 JP JP9834094A patent/JPH07307010A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958612A (en) * | 1996-11-28 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| US7212382B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-05-01 | Katsuhiko Otomo | Magnetic head including metallic material layer between write head section and read head section |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100623812B1 (ko) | 자기저항 기록 헤드에서의 센서 온도 감소 | |
| JP3583649B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置 | |
| US7123442B2 (en) | Thin-film magnetic head and manufacturing method of thin-film magnetic head | |
| JP2004079090A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド | |
| US6963470B2 (en) | Thin film magnetic head having improved heat radiating property | |
| JPH06223331A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3130811B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2010055657A (ja) | Ｃｐｐ構造磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2010049755A (ja) | Ｃｐｐ型磁気抵抗効果ヘッド | |
| US6256171B1 (en) | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same | |
| JPH06274830A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07307010A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0836717A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3186132B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS61242313A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド | |
| JP4018464B2 (ja) | 磁界センサーおよび磁気ディスク装置 | |
| JPH0845026A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2004005775A (ja) | 記録再生分離型ヘッド | |
| JP2008059669A (ja) | ヒータを備えた薄膜磁気ヘッド | |
| JPH10228610A (ja) | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07210829A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06195647A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2000132815A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH07320236A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH03268210A (ja) | 垂直磁気ヘッド |