JP3130811B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ効果）を利用した薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気
記録装置における情報信号の記録再生用として好適な磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
Ｒ効果）を利用した薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気
記録装置における情報信号の記録再生用として好適な磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】記録密度の向上に伴って、ヘッド出力を
大きく確保するためには、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド（以下「ＭＲ効果型ヘッド」と略す）のセンス電流密
度を大きくすることが必要となっている。従来より１×
１０７〔Ａ／ｃｍ２〕程度の電流密度に比べて、電流密
度が２×１０７〔Ａ／ｃｍ２〕，或いは３×１０７〔Ａ
／ｃｍ２〕以上大きくなると、磁気抵抗効果素子の温度
上昇による焼き切れ、或いはマイグレーション劣化等が
顕著となることが知られている。
大きく確保するためには、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド（以下「ＭＲ効果型ヘッド」と略す）のセンス電流密
度を大きくすることが必要となっている。従来より１×
１０７〔Ａ／ｃｍ２〕程度の電流密度に比べて、電流密
度が２×１０７〔Ａ／ｃｍ２〕，或いは３×１０７〔Ａ
／ｃｍ２〕以上大きくなると、磁気抵抗効果素子の温度
上昇による焼き切れ、或いはマイグレーション劣化等が
顕著となることが知られている。
【０００３】図５に示すように、ＭＲ効果型ヘッド５１
は、媒体磁界を感磁する中央領域５１Ａや、この中央領
域５１Ａに縦バイアスや電流を供給するための端部領域
５１Ｂ，５１Ｃ等からなり、これらを電気的に接続する
際に接触抵抗の発生は免れない。
は、媒体磁界を感磁する中央領域５１Ａや、この中央領
域５１Ａに縦バイアスや電流を供給するための端部領域
５１Ｂ，５１Ｃ等からなり、これらを電気的に接続する
際に接触抵抗の発生は免れない。
【０００４】従来は、センス電流密度が比較的小さいと
いうこともあって、この接触抵抗の管理は不十分であっ
た。一方、実際にセンス電流密度を大きくしたＭＲ効果
型ヘッド５１において通電試験を行ったところ、時間経
過とともにヘッドの抵抗が上昇していくことが確認さ
れ、故障ヘッド（ここでは初期の抵抗値に対して、その
値の１０％が変動した場合とする）が増大する現象が観
測された。
いうこともあって、この接触抵抗の管理は不十分であっ
た。一方、実際にセンス電流密度を大きくしたＭＲ効果
型ヘッド５１において通電試験を行ったところ、時間経
過とともにヘッドの抵抗が上昇していくことが確認さ
れ、故障ヘッド（ここでは初期の抵抗値に対して、その
値の１０％が変動した場合とする）が増大する現象が観
測された。
【０００５】特開平７−３２０２３６号公報，および特
開平４−２７１００１号公報においても、ＭＲ効果型ヘ
ッドに関しては、そのヘッド部の温度上昇について、そ
の抵抗値を明かすことなく問題提起がなされている。
開平４−２７１００１号公報においても、ＭＲ効果型ヘ
ッドに関しては、そのヘッド部の温度上昇について、そ
の抵抗値を明かすことなく問題提起がなされている。
【０００６】また、実際に通電加速試験を行ったとこ
ろ、ＭＲ効果型ヘッド５１の素子部の異常のみではな
く、シールド部までも異常の発生することが確認され
た。即ち、上記従来のＭＲ効果型ヘッド５１において
は、ＭＲ素子部の温度上昇が周辺部のシールド部等の温
度上昇をきたし、これが異常動作の原因となることが想
定されている。しかしながら、そのための対策（熱を効
率よく放散すること等）については、従来何ら特別な配
慮は成されていなかった。
ろ、ＭＲ効果型ヘッド５１の素子部の異常のみではな
く、シールド部までも異常の発生することが確認され
た。即ち、上記従来のＭＲ効果型ヘッド５１において
は、ＭＲ素子部の温度上昇が周辺部のシールド部等の温
度上昇をきたし、これが異常動作の原因となることが想
定されている。しかしながら、そのための対策（熱を効
率よく放散すること等）については、従来何ら特別な配
慮は成されていなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、磁気記録の高
密度化が進むにつれて、記録波長や記録トラック幅は減
少し、磁気ヘッドの再生出力もそれとともに低下する傾
向がある。ＭＲ効果型ヘッドの再生出力を高めるには、
いろいろな方法が考えられる。例えば最も確実な方法
は、ＭＲ素子部に流すセンス電流値を増大することであ
る。センス電流を増加すればそれにほぼ比例してＭＲ効
果型ヘッドの出力も増大する。
密度化が進むにつれて、記録波長や記録トラック幅は減
少し、磁気ヘッドの再生出力もそれとともに低下する傾
向がある。ＭＲ効果型ヘッドの再生出力を高めるには、
いろいろな方法が考えられる。例えば最も確実な方法
は、ＭＲ素子部に流すセンス電流値を増大することであ
る。センス電流を増加すればそれにほぼ比例してＭＲ効
果型ヘッドの出力も増大する。
【０００８】しかし、その反面、ＭＲ素子部にて発生す
るジュール熱も増加するので、当該ＭＲ素子部の温度も
大幅に上昇する。このＭＲ素子部の温度が高くなり過ぎ
ると、ある点から出力は逆に低下することが一般に知ら
れている。このため、センス電流値を増大しても温度上
昇は極力抑えることが重要となる。
るジュール熱も増加するので、当該ＭＲ素子部の温度も
大幅に上昇する。このＭＲ素子部の温度が高くなり過ぎ
ると、ある点から出力は逆に低下することが一般に知ら
れている。このため、センス電流値を増大しても温度上
昇は極力抑えることが重要となる。
【０００９】これと同時に、温度上昇で問題となるの
が、上記ＭＲ効果型ヘッドの通電寿命である。ＭＲ効果
型ヘッドの通電寿命は、主としてセンス電流密度と素子
温度によって決まるが、温度に対しては非常に敏感で、
指数関数的に変化し、温度上昇によって大幅に低下す
る。
が、上記ＭＲ効果型ヘッドの通電寿命である。ＭＲ効果
型ヘッドの通電寿命は、主としてセンス電流密度と素子
温度によって決まるが、温度に対しては非常に敏感で、
指数関数的に変化し、温度上昇によって大幅に低下す
る。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに電流の増加による高出力化が可能で，
且つ低ノイズ化された耐久性ある磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドを提供することを、その目的とする。
を改善し、とくに電流の増加による高出力化が可能で，
且つ低ノイズ化された耐久性ある磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドを提供することを、その目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ためには、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのセンス電流
及びこれに併設された書き込み用のコイル電流によって
発生するジュール熱を効率よく放散させ、ヘッド全体の
温度上昇，或いは素子部の温度上昇を充分に抑制すれば
良い。
ためには、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのセンス電流
及びこれに併設された書き込み用のコイル電流によって
発生するジュール熱を効率よく放散させ、ヘッド全体の
温度上昇，或いは素子部の温度上昇を充分に抑制すれば
良い。
【００１２】また、この温度上昇をもたらす要因につい
て検討した結果、全体的には、次に示すように、ＭＲ素
子部の抵抗を所定値以内に設定しておくことが、有効で
あることを確認することができた。以下その為の手法を
列記する。
て検討した結果、全体的には、次に示すように、ＭＲ素
子部の抵抗を所定値以内に設定しておくことが、有効で
あることを確認することができた。以下その為の手法を
列記する。
【００１３】まず、基板上に、絶縁膜，下シールド，第
１のギャップ層，薄膜状の磁気抵抗効果素子部（ＭＲ素
子部），磁区制御層，電極膜，第２のギャップ層，上シ
ールドが所定のパターンで順次積層されてなる磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前述した電極膜の接触
抵抗も含めたＭＲ素子部，磁区制御層及び電極膜全体の
通電抵抗値が、膜比抵抗から算出した算出抵抗値に対し
て１．２倍以内に設定されていることが、重要である。
１のギャップ層，薄膜状の磁気抵抗効果素子部（ＭＲ素
子部），磁区制御層，電極膜，第２のギャップ層，上シ
ールドが所定のパターンで順次積層されてなる磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前述した電極膜の接触
抵抗も含めたＭＲ素子部，磁区制御層及び電極膜全体の
通電抵抗値が、膜比抵抗から算出した算出抵抗値に対し
て１．２倍以内に設定されていることが、重要である。
【００１４】また、構造的には、前述した薄膜状のＭＲ
素子部と磁区制御層との間に、ポリシリコン層を１０
〔ｎｍ〕以下で積層し、当該ＭＲ素子部と磁区制御層と
の共晶化を作製すると、良好な結果を得ることができ
る。これと同様に、前述した磁区制御層と電極膜との間
に、ポリシリコン層を１０〔ｎｍ〕以下で積層し、該磁
区制御層と電極膜との共晶化を作製してもよい。
素子部と磁区制御層との間に、ポリシリコン層を１０
〔ｎｍ〕以下で積層し、当該ＭＲ素子部と磁区制御層と
の共晶化を作製すると、良好な結果を得ることができ
る。これと同様に、前述した磁区制御層と電極膜との間
に、ポリシリコン層を１０〔ｎｍ〕以下で積層し、該磁
区制御層と電極膜との共晶化を作製してもよい。
【００１５】更に、他の手法としては、前述した下シー
ルド上に、熱伝導性の良好な高熱伝導層を設けても、良
好な結果を得ることができる。この場合、高熱伝導層
は、スパッタＮｉＦｅ膜で，スパッタＣｕ膜で，或いは
ポリシリコン層で形成してもよい。
ルド上に、熱伝導性の良好な高熱伝導層を設けても、良
好な結果を得ることができる。この場合、高熱伝導層
は、スパッタＮｉＦｅ膜で，スパッタＣｕ膜で，或いは
ポリシリコン層で形成してもよい。
【００１６】ここで、従来技術による磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドで故障の多い薄膜磁気ヘッドについて分析
すると、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの通電抵抗が大
きい試料に故障が多いことが観測された。そこで、図２
に示すように設計抵抗値に対する実ヘッドの抵抗の増加
率に対して個々の素子についての通電試験から、その寿
命測定を行ってみた。その結果、装置保証（５年）を満
足するための抵抗増加率は、設計抵抗値に対して２０％
増大以内であることが確認された。
膜磁気ヘッドで故障の多い薄膜磁気ヘッドについて分析
すると、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの通電抵抗が大
きい試料に故障が多いことが観測された。そこで、図２
に示すように設計抵抗値に対する実ヘッドの抵抗の増加
率に対して個々の素子についての通電試験から、その寿
命測定を行ってみた。その結果、装置保証（５年）を満
足するための抵抗増加率は、設計抵抗値に対して２０％
増大以内であることが確認された。
【００１７】接触抵抗を小さくするため、接合部に表面
エネルギーの大きい（ぬれ性の良い）ポリシリコン層を
形成し接触抵抗を小さくする。また、故障ヘッドの分析
を行った結果から、通電を行っていないシールド部分が
消失、欠落していることが分かり、温度上昇によるシー
ルド部の異常であることを確認することができた。
エネルギーの大きい（ぬれ性の良い）ポリシリコン層を
形成し接触抵抗を小さくする。また、故障ヘッドの分析
を行った結果から、通電を行っていないシールド部分が
消失、欠落していることが分かり、温度上昇によるシー
ルド部の異常であることを確認することができた。
【００１８】このシールド部は、結晶欠陥の多いめっき
ＮｉＦｅ膜で構成されていることから熱伝導性が悪く、
ＭＲ素子部の温度上昇、更には、各層の消失，欠落につ
ながった。そこで、シールド部のＭＲ素子部に近い部分
を結晶性の良好なスパッタ層、或いは熱伝導性の良好な
層とすることにより、素子温度の上昇、更には層の消
失，欠落を抑制することが可能となった。
ＮｉＦｅ膜で構成されていることから熱伝導性が悪く、
ＭＲ素子部の温度上昇、更には、各層の消失，欠落につ
ながった。そこで、シールド部のＭＲ素子部に近い部分
を結晶性の良好なスパッタ層、或いは熱伝導性の良好な
層とすることにより、素子温度の上昇、更には層の消
失，欠落を抑制することが可能となった。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従って説明する。
に従って説明する。
【００２０】図１に、本発明に関連する技術を示す。こ
の図１において、磁気抵抗効果型ヘッドは、Ａｌ２ Ｏ
３ ・ＴｉＣ等のセラミクスからなる基板上１にアルミ
ナ等をスパッタ法により成膜して絶縁膜２を構成する。
その後、めっきＮｉＦｅ膜で構成されるシールド層（下
シールド）３を積層し、更に、その上にアルミナ膜から
成る第１のギャップ層４を積層してこれを絶縁層とす
る。
の図１において、磁気抵抗効果型ヘッドは、Ａｌ２ Ｏ
３ ・ＴｉＣ等のセラミクスからなる基板上１にアルミ
ナ等をスパッタ法により成膜して絶縁膜２を構成する。
その後、めっきＮｉＦｅ膜で構成されるシールド層（下
シールド）３を積層し、更に、その上にアルミナ膜から
成る第１のギャップ層４を積層してこれを絶縁層とす
る。
【００２１】次に、ＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果膜
と，この磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するため
のＣｏＺｒＭｏ等からなるソフトバイアス膜と，Ｔａ等
からなる中間層とにより成る磁気抵抗効果素子部（ＭＲ
素子部）５を形成した後、所定の形状に加工する。
と，この磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するため
のＣｏＺｒＭｏ等からなるソフトバイアス膜と，Ｔａ等
からなる中間層とにより成る磁気抵抗効果素子部（ＭＲ
素子部）５を形成した後、所定の形状に加工する。
【００２２】また、磁気抵抗効果型ヘッドでは、通常、
磁壁の移動や消滅に起因して生じるノイズ（バルクハウ
ゼンノイズ）の発生が問題となることが知られている。
このため、この図１においても、これを抑えるための手
法を採用している。即ち、磁区制御層６を、ＭＲ素子部
５のトラック部を除いたそれ以外の部分に、例えばリフ
トオフ法で形成する。同時に、ＭＲ素子部５の磁気抵抗
効果膜にセンス電流を流すための電極膜７も形成する。
磁壁の移動や消滅に起因して生じるノイズ（バルクハウ
ゼンノイズ）の発生が問題となることが知られている。
このため、この図１においても、これを抑えるための手
法を採用している。即ち、磁区制御層６を、ＭＲ素子部
５のトラック部を除いたそれ以外の部分に、例えばリフ
トオフ法で形成する。同時に、ＭＲ素子部５の磁気抵抗
効果膜にセンス電流を流すための電極膜７も形成する。
【００２３】この電極膜７は、例えばＡｕ等で形成し、
更に、アルミナ膜によって絶縁層としての第２のギャッ
プ層８を積層した。最後に、めっきＮｉＦｅ層からなる
共通ポールとして機能する上シールド９を積層し、アル
ミナ等からなる第３のギャップ層１０を介してめっきＮ
ｉＦｅからなる書き込み磁極１１，保護膜１２を順次積
層して所定の形状に加工し、これによって、磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド１３を得る。
更に、アルミナ膜によって絶縁層としての第２のギャッ
プ層８を積層した。最後に、めっきＮｉＦｅ層からなる
共通ポールとして機能する上シールド９を積層し、アル
ミナ等からなる第３のギャップ層１０を介してめっきＮ
ｉＦｅからなる書き込み磁極１１，保護膜１２を順次積
層して所定の形状に加工し、これによって、磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド１３を得る。
【００２４】そして、この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド１３を読み取り用のヘッドとしての耐久性を検討する
ため、そこで、図２に示すように設計抵抗値に対する実
際上のヘッドの抵抗の増加率に対して個々の素子につい
ての通電試験から、その寿命測定を行った。この結果か
ら装置保証（５年）を満足する為の抵抗増加率は、予め
算定した設計抵抗値に対して２０％以内であることが確
認された。
ド１３を読み取り用のヘッドとしての耐久性を検討する
ため、そこで、図２に示すように設計抵抗値に対する実
際上のヘッドの抵抗の増加率に対して個々の素子につい
ての通電試験から、その寿命測定を行った。この結果か
ら装置保証（５年）を満足する為の抵抗増加率は、予め
算定した設計抵抗値に対して２０％以内であることが確
認された。
【００２５】この結果より、前述したＭＲ素子部５の全
抵抗値は、接触抵抗も含めて設計値の１．２倍以内（２
０％以内）の上昇を許容し得る範囲であれば、例えば、
４×１０７〔Ａ／ｃｍ２〕の一定電流で、装置寿命５年
を達成し得ることを確認することができた。
抵抗値は、接触抵抗も含めて設計値の１．２倍以内（２
０％以内）の上昇を許容し得る範囲であれば、例えば、
４×１０７〔Ａ／ｃｍ２〕の一定電流で、装置寿命５年
を達成し得ることを確認することができた。
【００２６】（第１の実施形態）図３に、本発明の第１
の実施形態を示す。この図３に示す第１の実施形態は、
前述した図１において、抵抗値増加を抑制するため、Ｍ
Ｒ素子部５と磁区制御層（交換結合膜）６との接合部
に、表面エネルギーの大きい（ぬれ性の良い）ポリシリ
コン層１３を数〔ｎｍ〕（例えば膜厚１０〔ｎｍ〕以
下）で成膜し、当該ＭＲ素子部５と磁区制御層（交換結
合膜）６と間の共晶化を図った点に特徴を備えている。
その他の構成は前述した図１の構成と同一となってい
る。
の実施形態を示す。この図３に示す第１の実施形態は、
前述した図１において、抵抗値増加を抑制するため、Ｍ
Ｒ素子部５と磁区制御層（交換結合膜）６との接合部
に、表面エネルギーの大きい（ぬれ性の良い）ポリシリ
コン層１３を数〔ｎｍ〕（例えば膜厚１０〔ｎｍ〕以
下）で成膜し、当該ＭＲ素子部５と磁区制御層（交換結
合膜）６と間の共晶化を図った点に特徴を備えている。
その他の構成は前述した図１の構成と同一となってい
る。
【００２７】このようにしても、前述した図１と同一の
作用効果を有するほか、とくに当該箇所の接触抵抗のば
らつきによる抵抗値の増大が抑えられ、信頼性の高い磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
作用効果を有するほか、とくに当該箇所の接触抵抗のば
らつきによる抵抗値の増大が抑えられ、信頼性の高い磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２８】ここで、上記第１の実施形態では、ＭＲ素
子部５と磁区制御層６との間にポリシリコン層１３を設
けた場合を説明したが、第２の実施の形態として、これ
に代えて、前述した磁区制御層６と電極膜７との間にポ
リシリコン層を設けてもよい。或いは、ＭＲ素子部５と
磁区制御層６との間，および磁区制御層６と電極膜７と
の間の各々に、ポリシリコン層を設けてもよい。このよ
うにしても、上述した図１と同等の作用効果を得ること
ができる。
子部５と磁区制御層６との間にポリシリコン層１３を設
けた場合を説明したが、第２の実施の形態として、これ
に代えて、前述した磁区制御層６と電極膜７との間にポ
リシリコン層を設けてもよい。或いは、ＭＲ素子部５と
磁区制御層６との間，および磁区制御層６と電極膜７と
の間の各々に、ポリシリコン層を設けてもよい。このよ
うにしても、上述した図１と同等の作用効果を得ること
ができる。
【００２９】（第３の実施形態）図４に本発明の第３の
実施形態を示す。この図４に示す第３の実施形態は、前
述した図１に示す第１の実施形態において、下シールド
３と第１のギャップ層４との間に、スパッタＮｉＦｅ膜
から成る膜厚数１０〔ｎｍ〕の高熱伝導層１４を設けた
点に特徴を備えている。その他の構成は前述した図１と
同一となっている。
実施形態を示す。この図４に示す第３の実施形態は、前
述した図１に示す第１の実施形態において、下シールド
３と第１のギャップ層４との間に、スパッタＮｉＦｅ膜
から成る膜厚数１０〔ｎｍ〕の高熱伝導層１４を設けた
点に特徴を備えている。その他の構成は前述した図１と
同一となっている。
【００３０】このようにしても、前述した図１と同等の
作用効果を得ることができるほか、とくに、本実施形態
では、ＭＲ素子部の通電に伴う発熱が高熱伝導層１４を
介して他の部材に容易に伝達されて放散されるため、そ
の温度上昇が有効に抑制され、上下各シールド９，３の
熱劣化が抑制され、かかる点において信頼性の高い磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
作用効果を得ることができるほか、とくに、本実施形態
では、ＭＲ素子部の通電に伴う発熱が高熱伝導層１４を
介して他の部材に容易に伝達されて放散されるため、そ
の温度上昇が有効に抑制され、上下各シールド９，３の
熱劣化が抑制され、かかる点において信頼性の高い磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００３１】ここで、高熱伝導層１４としては、上述し
たスパッタＮｉＦｅ膜ではなく、スパッタＣｕ膜にして
も、或いはポリシリコン（ポリＳｉ）層としてもよい。
このようにしても、前述したスパッタＮｉＦｅ膜の場合
と同等に機能する高熱伝導層１４を得ることができる。
たスパッタＮｉＦｅ膜ではなく、スパッタＣｕ膜にして
も、或いはポリシリコン（ポリＳｉ）層としてもよい。
このようにしても、前述したスパッタＮｉＦｅ膜の場合
と同等に機能する高熱伝導層１４を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、信号時
速検出用の磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、
電流の増加による高出力化が可能となり、温度上昇の抑
制がなされたことから低ノイズ化され且つ通電寿命の大
幅な増大を図ることができ、かかる点において耐久性の
大きい且つ信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。
速検出用の磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、
電流の増加による高出力化が可能となり、温度上昇の抑
制がなされたことから低ノイズ化され且つ通電寿命の大
幅な増大を図ることができ、かかる点において耐久性の
大きい且つ信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関連する技術を示す説明図である。
【図２】図１の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの抵抗値
の増加と寿命との検討結果を示す説明図で、図２（Ａ）
は抵抗増加率と寿命との関係を示す図、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）からスポット的に三点を取り出してまとめた場
合の図表である。
の増加と寿命との検討結果を示す説明図で、図２（Ａ）
は抵抗増加率と寿命との関係を示す図、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）からスポット的に三点を取り出してまとめた場
合の図表である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す説明図である。
【図４】本発明の第３の実施形態を示す説明図である。
【図５】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの一般的な概略
構成を示す説明図である。
構成を示す説明図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 下シールド ４ 第１のギャップ層 ５ 磁気抵抗効果素子部（ＭＲ素子部） ６ 磁区制御層（交換結合膜） ７ 電極膜 ８ 第２のギャップ層 ９ 上シールド １０ 第３のギャップ層 １２ 保護膜 １３ ポリシリコン（ポリＳｉ）層 １４ 高熱伝導層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−210829（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−73418（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−114717（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307010（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−195647（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−205224（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、絶縁膜，下シールド，第１の
ギャップ層，薄膜状の磁気抵抗効果素子部，磁区制御
層，電極膜，第２のギャップ層、上シールドが所定のパ
ターンで順次積層されてなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記電極膜の接触抵抗も含めた前記磁気
抵抗効果素子部、磁区制御層及び電極膜全体の通電抵抗
値を、膜比抵抗から算出した算出抵抗値に対して１．２
倍以内に設定し、かつ、前記薄膜状の磁気抵抗効果素子
部と磁区制御層との間に、ポリシリコン層を１０〔ｎ
ｍ〕以下で積層し、当該磁気抵抗効果素子部と磁区制御
層との共晶化を作製したことを特徴とする磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に、絶縁膜，下シールド，第１の
ギャップ層，薄膜状の磁気抵抗効果素子部，磁区制御
層，電極膜，第２のギャップ層、上シールドが所定のパ
ターンで順次積層されてなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記電極膜の接触抵抗も含めた前記磁気
抵抗効果素子部、磁区制御層及び電極膜全体の通電抵抗
値を、膜比抵抗から算出した算出抵抗値に対して１．２
倍以内に設定し、かつ、前記磁区制御層と電極膜との間
に、ポリシリコン層を１０〔ｎｍ〕以下で積層し、当該
磁区制御層と電極膜との共晶化を作製したことを特徴と
する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記請求項１または請求項２記載の磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、前記下シールドの層上に、
熱伝導性の良好な高熱伝導層を設けたことを特徴とする
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記高熱伝導層を、スパッタＮｉＦｅ膜
で形成したことを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記高熱伝導層を、スパッタＣｕ膜で形
成したことを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記高熱伝導層を、ポリシリコン層で形
成したことを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド。
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|---|---|---|---|
| JP08317925A JP3130811B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US08/972,924 US5958612A (en) | 1996-11-28 | 1997-11-18 | Magnetoresistive read transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08317925A JP3130811B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10162321A JPH10162321A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3130811B2 true JP3130811B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=18093574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08317925A Expired - Fee Related JP3130811B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5958612A (ja) |
| JP (1) | JP3130811B2 (ja) |
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| JP2002521777A (ja) * | 1998-07-21 | 2002-07-16 | シーゲート テクノロジー，インコーポレイテッド | 磁気抵抗性記録ヘッドのセンサ温度の低減 |
| JP2000276716A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置 |
| US6636395B1 (en) * | 1999-06-03 | 2003-10-21 | Tdk Corporation | Magnetic transducer and thin film magnetic head using the same |
| US6762910B1 (en) * | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
| US6700752B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-03-02 | Seagate Technology Llc | Non-magnetic metallic layer in a reader gap of a disc drive |
| US7009818B1 (en) * | 2002-12-30 | 2006-03-07 | Storage Technology Corporation | Thin film magnetic head having improved thermal characteristics, and method of manufacturing |
| US7719802B2 (en) * | 2003-09-23 | 2010-05-18 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor with electrically defined active area dimensions |
| KR100668327B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브 헤드 및 그 제조 방법 |
| US9024632B2 (en) | 2011-05-30 | 2015-05-05 | Denso Corporation | Magnetic sensor with a plurality of heater portions to fix the direction of magnetization of a pinned magnetic layer |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH05205224A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| JPH06195647A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JPH0773418A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JPH07114717A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH07210829A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JPH07307010A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| JPH07320236A (ja) * | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
-
1996
- 1996-11-28 JP JP08317925A patent/JP3130811B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-18 US US08/972,924 patent/US5958612A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5958612A (en) | 1999-09-28 |
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