JPWO2004051762A1 - 電磁変換素子およびｃｐｐ構造磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
電磁変換素子では、電磁変換膜（４７）と、この電磁変換膜（４７）に接続される導体（４４、５１、５２、５４）とを備える。導体（４４、５１、５２、５４）は電磁変換膜（４７）に供給される電流の流通路を形成する。電磁変換膜（４７）は導体（４４、５１）に挟み込まれる。電子冷却素子（５６）は導体（４４、５１）に組み込まれる。例えば導体（４４）は、電子冷却素子（５６）で第１導体片（４４ａ）と第２導体片（４４ｂ）とに完全に分断される。電子冷却素子（５６）には確実に電流は流されることができる。電磁変換素子では比較的に簡単な構造で電磁変換膜（４７）の温度上昇は抑えられることができる。
Description
本発明は、電磁変換膜と、電磁変換膜を挟み込み、電磁変換膜に供給される電流の流通路を形成する１対の導体とを備える電磁変換素子およびＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に関する。
ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気ディスク駆動装置の技術分野では、電子冷却素子すなわちペルチェ素子を組み込んだ磁気ヘッドは広く知られる。ペルチェ素子の冷却効果によれば、磁気ヘッドでは電磁変換膜の温度上昇は抑えられることができる。電磁変換膜に流れるセンス電流の電流値は高められることができる。センス電流の電流値が増大すれば、磁気ヘッドでは記録媒体から漏れ出る信号磁界に対して十分な感度は確保されることができる。
周知の通り、ペルチェ素子の冷却効果を働かせる場合、ペルチェ素子には電流が供給されなければならない。磁気ヘッドにペルチェ素子を組み込むにあたって、ペルチェ素子には電流供給用の配線パターンが形成される。磁気ヘッドの構造は複雑化する。
周知の通り、ペルチェ素子の冷却効果を働かせる場合、ペルチェ素子には電流が供給されなければならない。磁気ヘッドにペルチェ素子を組み込むにあたって、ペルチェ素子には電流供給用の配線パターンが形成される。磁気ヘッドの構造は複雑化する。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、比較的に簡単な構造で磁気抵抗効果膜の温度上昇を抑えることができる電磁変換素子およびＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、電磁変換膜と、電磁変換膜に接続され、電磁変換膜に供給される電流の流通路を形成する導体と、導体に組み込まれる電子冷却素子とを備えることを特徴とする電磁変換素子が提供される。
こういった電磁変換素子では電磁変換膜の電気抵抗に基づき熱が発生する。発生した熱は導体に伝達される。電子冷却素子の働きで導体では熱は吸収され放出される。導体に分散する熱は効率的に放熱されることができる。電磁変換素子では比較的に簡単な構造で電磁変換膜の温度上昇は抑えられることができる。こうした電磁変換素子では電子冷却素子にペルチェ素子が用いられればよい。
導体は、電磁変換膜に接続される第１導体片と、電子冷却素子で第１導体片から分断される第２導体片とを備えればよい。こういった電磁変換素子では、電子冷却素子は導体を第１および第２導体片に完全に分断する。電子冷却素子には確実に電流は流されることができる。電磁変換膜に供給される電流は電子冷却素子の駆動にも利用されることができる。電子冷却素子に固有の配線パターンや電源は省略されることができる。比較的に簡単な構造で電磁変換膜の温度上昇は抑えられることができる。その他、導体は例えば３つ以上の導体片に分断されてもよい。こうした場合には、隣接する導体片同士の間には電子冷却素子が挟み込まれればよい。
電磁変換膜は例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記録媒体駆動装置に利用される磁気抵抗効果膜であってもよい。
以上のような電磁変換素子は例えばＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に適用されてもよい。こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜を挟み込み、磁気抵抗効果膜に供給される電流の流通路を形成する上側電極および下側電極と、上側電極および下側電極の少なくともいずれか一方に組み込まれる電子冷却素子とを備えればよい。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では電子冷却素子にペルチェ素子が用いられればよい。
一般に、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、上側および下側電極が上下シールド層として機能する。シールド層には十分な広がりが要求される。こうした広がりに基づき磁気抵抗効果膜からの熱は上側および下側電極に伝達されやすい。電子冷却素子のペルチェ効果によれば、上側および下側電極に分散する熱は効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では比較的に簡単な構造で磁気抵抗効果膜の温度上昇は抑えられることができる。
以上のようなＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気ディスク駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに搭載されてもよく、磁気テープ駆動装置といったその他の磁気記録媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに搭載されてもよい。
上記目的を達成するために、本発明によれば、電磁変換膜と、電磁変換膜に接続され、電磁変換膜に供給される電流の流通路を形成する導体と、導体に組み込まれる電子冷却素子とを備えることを特徴とする電磁変換素子が提供される。
こういった電磁変換素子では電磁変換膜の電気抵抗に基づき熱が発生する。発生した熱は導体に伝達される。電子冷却素子の働きで導体では熱は吸収され放出される。導体に分散する熱は効率的に放熱されることができる。電磁変換素子では比較的に簡単な構造で電磁変換膜の温度上昇は抑えられることができる。こうした電磁変換素子では電子冷却素子にペルチェ素子が用いられればよい。
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電磁変換膜は例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記録媒体駆動装置に利用される磁気抵抗効果膜であってもよい。
以上のような電磁変換素子は例えばＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に適用されてもよい。こういったＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜を挟み込み、磁気抵抗効果膜に供給される電流の流通路を形成する上側電極および下側電極と、上側電極および下側電極の少なくともいずれか一方に組み込まれる電子冷却素子とを備えればよい。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では電子冷却素子にペルチェ素子が用いられればよい。
一般に、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では、上側および下側電極が上下シールド層として機能する。シールド層には十分な広がりが要求される。こうした広がりに基づき磁気抵抗効果膜からの熱は上側および下側電極に伝達されやすい。電子冷却素子のペルチェ効果によれば、上側および下側電極に分散する熱は効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子では比較的に簡単な構造で磁気抵抗効果膜の温度上昇は抑えられることができる。
以上のようなＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気ディスク駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに搭載されてもよく、磁気テープ駆動装置といったその他の磁気記録媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに搭載されてもよい。
図１は、ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
図２は、一具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
図３は、浮上面で観察される読み出し書き込みヘッドの様子を概略的に示す正面図である。
図４は、図３の４−４線に沿った平面図である。
図５は、図３の５−５線に沿った拡大部分断面図である。
図６は、一具体例に係る磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の構造を概略的に示す拡大正面図である。
図７は、図５に対応し、一変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す拡大部分断面図である。
図８は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
図９は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
図１０は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
図２は、一具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
図３は、浮上面で観察される読み出し書き込みヘッドの様子を概略的に示す正面図である。
図４は、図３の４−４線に沿った平面図である。
図５は、図３の５−５線に沿った拡大部分断面図である。
図６は、一具体例に係る磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の構造を概略的に示す拡大正面図である。
図７は、図５に対応し、一変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す拡大部分断面図である。
図８は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
図９は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
図１０は、図５に対応し、さらに他の変形例に係るＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子の一部を示す部分拡大断面図である。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１７の回転に基づきアクチュエータアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ２１は所望の記録トラックに位置決めされる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
図２は浮上ヘッドスライダ２１の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、平たい直方体に形成されるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体２３を備える。スライダ本体２３の空気流出端にはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４が接合される。ヘッド素子内蔵膜２４には電磁変換素子すなわち読み出し書き込みヘッド２５が埋め込まれる。スライダ本体２３およびヘッド素子内蔵膜２４には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面２６が規定される。
浮上面２６には、スライダ本体２３の空気流入端に沿って延びるフロントレール２８と、スライダ本体２３の空気流出端に隣接して広がるリアレール２９とが形成される。フロントレール２８およびリアレール２９の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）３１、３２が規定される。ＡＢＳ３１、３２の空気流入端は段差３３、３４でレール２８、２９の頂上面に接続される。読み出し書き込みヘッド２５はＡＢＳ３２で前端を露出させる。ただし、ＡＢＳ３２の表面には、読み出し書き込みヘッド２５の前端に覆い被さるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜が形成されてもよい。
磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３５は浮上面２６に受け止められる。このとき、段差３３、３４の働きでＡＢＳ３１、３２には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール２８の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
図３は浮上面２６の様子を詳細に示す。読み出し書き込みヘッド２５は、薄膜磁気ヘッドすなわち誘導書き込みヘッド素子３６とＣＰＰ構造電磁変換素子すなわちＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子３７とを備える。誘導書き込みヘッド素子３６は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。
ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。誘導書き込みヘッド素子３６およびＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、前述のヘッド素子内蔵膜２４の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３８と、下側半層すなわちアンダーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３９との間に挟み込まれる。
誘導書き込みヘッド素子３６は、ＡＢＳ３２で前端を露出させる上部磁極層４１と、同様にＡＢＳ３２で前端を露出させる下部磁極層４２とを備える。上部および下部磁極層４１、４２は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部および下部磁極層４１、４２は協働して誘導書き込みヘッド素子３６の磁性コアを構成する。上部および下部磁極層４１、４２の間には例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製の非磁性ギャップ層４３が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層４３の働きで、上部磁極層４１と下部磁極層４２とを行き交う磁束は浮上面２６から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁界（ギャップ磁界）を形成する。
ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、アルミナ膜３９すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下側電極４４を備える。下側電極４４は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。下側電極４４が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、下側電極４４は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の下部シールド層として機能することができる。下側電極４４の表面には１平坦化面４６が規定される。
平坦化面４６上には電磁変換膜すなわち磁気抵抗効果（ＭＲ）膜４７が積層される。このＭＲ膜４７は、ＡＢＳ３２で露出する前端から平坦化面４６に沿って後方に広がる。下側電極４４は、少なくともＡＢＳ３２で露出する前端でＭＲ膜４７の下側境界面４７ａに接触する。こうしてＭＲ膜４７と下側電極４４との間には電気的接続が確立される。ＭＲ膜４７の詳細は後述される。
同様に、平坦化面４６上では、ＡＢＳ３２に沿って延びる１対の磁区制御ハード膜４８が形成される。磁区制御ハード膜４８は平坦化面４６上でＡＢＳ３２に沿ってＭＲ膜４７を挟み込む。磁区制御ハード膜４８は例えばＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔといった金属材料から形成されればよい。これらの磁区制御ハード膜４８では、周知の通り、ＭＲ膜４７を横切る１方向に沿って磁化は確立されることができる。こうした磁区制御ハード膜４８の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、ＭＲ膜４７内で例えば自由側強磁性層（ｆｒｅｅ ｌａｙｅｒ）の単磁区化は実現されることができる。
平坦化面４６上にはさらに被覆絶縁膜４９が覆い被さる。この被覆絶縁膜４９は下側電極４４との間に磁区制御ハード膜４８を挟み込む。被覆絶縁膜４９中でＭＲ膜４７の頂上面すなわち上側境界面４７ｂはＡＢＳ３２に隣接して露出する。
被覆絶縁層４９の表面には上側電極５１が広がる。上側電極５１は、少なくともＡＢＳ３２で露出する前端でＭＲ膜４７の上側境界面４７ｂに接触する。こうしてＭＲ膜４７と上側電極５１との間には電気的接続が確立される。上側電極５１が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極５１は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の上部シールド層として機能することができる。
上側電極５１の後端は、例えば図４に示されるように、接続端子５２に接続される。接続端子５２は引き出し層５３に接続される。引き出し層５３、接続端子５２および上側電極５１は、ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流の供給路を形成する導体として機能する。同様に、下側電極４４の後端は接続端子５４に接続される。接続端子５４は引き出し層５５に接続される。引き出し層５５、接続端子５４および下側電極Ａ４は、ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流の供給路を形成する導体として機能する。
本発明の一具体例では、図５に示されるように、上側電極５１および下側電極４４に電子冷却素子５６、５６が組み込まれる。このとき、上側電極５１は電子冷却素子５６で第１導体片５１ａと第２導体片５１ｂとに完全に分断される。ＭＲ膜４７の表面には第１導体片５１ａが受け止められる。第２導体片５１ｂの後端には接続端子５２が受け止められる。上側電極５１と同様に、下側電極４４は電子冷却素子５６で第１導体片４４ａと第２導体片４４ｂとに完全に分断される。ＭＲ膜４７の表面には第１導体片４４ａが受け止められる。第２導体片４４ｂの後端には接続端子５４が受け止められる。
電子冷却素子５６は例えばペルチェ素子から構成されればよい。ペルチェ素子には例えばＢｉ２Ｔｅ３／Ｓｂ２Ｔｅ３合金が用いられればよい。こうした合金材料によれば、抵抗率ρは１［ｍΩｃｍ］程度に、ゼーベック係数Ｓは２００［μＶ／Ｋ］程度に、性能指数ＺＴは０．９程度にそれぞれ設定されることができる（Ｇ．Ｍａｈａｎ，Ｂ．Ｓａｌｅｓ，ａｎｄ Ｊ．Ｓｈａｒｐ，Ｐｈｙｓ．Ｔｏｄａｙ ５０，４２（１９９７））。
磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７が磁気ディスク１３の表面に向き合わせられると、ＭＲ膜４７では、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側強磁性層の磁化方向は回転する。こうして自由側強磁性層の磁化方向が回転すると、ＭＲ膜４７の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側電極５１および下側電極４４からＭＲ膜４７にセンス電流が供給されると、上側電極５１および下側電極４４から取り出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じて変化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み取られることができる。
このとき、ＭＲ膜４７では、ＭＲ膜４７の電気抵抗に基づきジュール熱が発生する。ＭＲ膜４７を挟み込む被覆絶縁膜４９はＭＲ膜４７の放熱を妨げる。その一方で、導電材料から構成される上側および下側電極５１、４４には効率的にＭＲ膜４７から熱が伝達される。上側電極５１では、電子冷却素子５６のペルチェ効果に基づきＭＲ膜４７側の端面から接続端子５２側の端面に向かって熱は移動する。同様に、下側電極４４では、電子冷却素子５６のペルチェ効果に基づきＭＲ膜４７側の端面から接続端子５４側の端面に向かって熱は移動する。電子冷却素子５６を構成するペルチェ素子に例えば２［ｍＡ］のセンス電流が供給されると、ペルチェ効果に基づきおよそ２００［μＷ］の熱は吸収される。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、上側および下側電極５１、４４がシールド層として機能すると、シールド層の広がりに基づきＭＲ膜４７からの熱は上側および下側電極５１、４４に伝達されやすい。電子冷却素子５６のペルチェ効果によれば、ジュール熱はＭＲ膜４７から遠ざかる方向に効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構成でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。温度上昇が抑えられると、ＭＲ膜４７ではセンス電流の電流値は高められることができる。ＭＲ膜４７では十分な抵抗変化量は維持されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、磁気ディスク１３から漏れ出る信号磁界に対して十分な感度は確保されることができる。
こういったＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、電子冷却素子５６は上側および下側電極５１、４４を第１および第２導体片に完全に分断する。しかも電子冷却素子５６を構成するペルチェ素子は被覆絶縁膜４９よりも低い抵抗値を有する。電子冷却素子５６には確実にセンス電流は流されることができる。ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流は電子冷却素子５６の駆動にも利用されることができる。電子冷却素子５６に固有の配線パターンや電源は省略されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の製造方法について簡単に説明する。例えば下側電極４４では、周知のエッチング法に基づき、まず下側電極４４を分断する溝が形成される。下側電極４４上には、溝に対応する空隙を区画するレジスト膜が形成されればよい。溝の幅は電子冷却素子５６の厚さに合わせられればよい。次に、こうして形成された溝で電子冷却素子５６は形成される。形成にあたって、例えば周知のスパッタリング法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）が実施されればよい。上側電極５１でも下側電極４４と同様の方法で電子冷却素子５６は形成されればよい。
ここで、ＭＲ膜４７の構造について簡単に説明する。図６はＭＲ膜４７の一具体例を示す。このＭＲ膜４７はいわゆるスピンバルブ膜で構成される。すなわち、ＭＲ膜４７では、Ｔａ下地層５７、自由側強磁性層５８、中間導電層５９、固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅｄ ｌａｙｅｒ）６１、磁化方向拘束層（ｐｉｎｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）すなわち反強磁性層６２および導電保護層６３が順番に重ね合わせられる。反強磁性層６２の働きに応じて固定側強磁性層６１の磁化は１方向に固定される。ここで、自由側強磁性層５８は、例えばＴａ下地層５７の表面に積層されるＮｉＦｅ層５８ａと、ＮｉＦｅ層５８ａの表面に積層されるＣｏＦｅ層５８ｂとで構成されればよい。中間導電層５９は例えばＣｕ層から構成されればよい。固定側強磁性層６１は例えばＣｏＦｅといった強磁性材料から形成されればよい。反強磁性層６２は例えばＩｒＭｎやＰｄＰｔＭｎといった反強磁性合金材料から形成されればよい。導電保護層６３は例えばＡｕ層やＰｔ層から構成されればよい。
その他、ＭＲ膜４７には、いわゆるトンネル接合膜が用いられてもよい。トンネル接合膜では、前述の中間導電層５９に代えて、自由側強磁性層５８と固定側強磁性層６１との間に中間絶縁層が挟み込まれればよい。こういった中間絶縁層は例えばＡｌ２Ｏ３層から構成されればよい。
例えば図７に示されるように、下側電極４４や上側電極５１は、順番に積層される第１導体片４４ａ、５１ａや第２導体片４４ｂ、５１ｂに分断されてもよい。ここでは、下側電極４４の第１導体片４４ａは、ＡＢＳ３２で露出する前端から下地絶縁層の表面に沿って後方に広がる。第１導体片４４ａの後端には接続端子５４が受け止められる。第１導体片４４ａの表面には電子冷却素子５６が積層される。第２導体片４４ｂは電子冷却素子５６の表面に広がる。第２導体片４４ｂの表面にはＭＲ膜４７が受け止められる。その一方で、ＭＲ膜４７の表面には上側電極５１の第１導体片５１ａが受け止められる。
例えば図８に示されるように、電子冷却素子５６は、下側電極４４と接続端子５４の間や、上側電極５１と接続端子５２との間に配置されてもよい。下側電極４４と接続端子５４とは電子冷却素子５６で完全に分断される。上側電極５１と接続端子５２とは電子冷却素子５６で完全に分断される。ここでは、下側電極４４や上側電極５１は本発明の第１導体片に相当する。接続端子５４、５２は本発明の第２導体片に相当する。こういったＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、ＭＲ膜４７から上側および下側電極５１、４４に分散するジュール熱は効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。図８から明らかなように、電子冷却素子５６は下側電極４４や上側電極５１の表面に埋め込まれてもよい。また、図９から明らかなように、電子冷却素子５６は下側電極４４や上側電極５１の表面に形成されてもよい。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、例えば図１０に示されるように、導体には複数の電子冷却素子５６が配置されてもよい。このとき、上側および下側電極５１、４４や接続端子５２、５４、引き出し層５３、５５は電子冷却素子５６で複数の導体片に分断されればよい。例えば３つ以上の導体片に分断されればよい。こういったＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、ＭＲ膜４７から上側および下側電極５１、４４に分散するジュール熱はより効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。
なお、以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、電子冷却素子５６が「組み込まれる」状態には、電子冷却素子５６がＭＲ膜４７と上側および下側電極５１、４４との間に挟まれる状態も含まれる。
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。
アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。
浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１７の回転に基づきアクチュエータアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ２１は所望の記録トラックに位置決めされる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。
図２は浮上ヘッドスライダ２１の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、平たい直方体に形成されるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体２３を備える。スライダ本体２３の空気流出端にはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４が接合される。ヘッド素子内蔵膜２４には電磁変換素子すなわち読み出し書き込みヘッド２５が埋め込まれる。スライダ本体２３およびヘッド素子内蔵膜２４には、磁気ディスク１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面２６が規定される。
浮上面２６には、スライダ本体２３の空気流入端に沿って延びるフロントレール２８と、スライダ本体２３の空気流出端に隣接して広がるリアレール２９とが形成される。フロントレール２８およびリアレール２９の頂上面にはいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）３１、３２が規定される。ＡＢＳ３１、３２の空気流入端は段差３３、３４でレール２８、２９の頂上面に接続される。読み出し書き込みヘッド２５はＡＢＳ３２で前端を露出させる。ただし、ＡＢＳ３２の表面には、読み出し書き込みヘッド２５の前端に覆い被さるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜が形成されてもよい。
磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３５は浮上面２６に受け止められる。このとき、段差３３、３４の働きでＡＢＳ３１、３２には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール２８の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
図３は浮上面２６の様子を詳細に示す。読み出し書き込みヘッド２５は、薄膜磁気ヘッドすなわち誘導書き込みヘッド素子３６とＣＰＰ構造電磁変換素子すなわちＣＰＰ構造磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子３７とを備える。誘導書き込みヘッド素子３６は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。
ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。誘導書き込みヘッド素子３６およびＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、前述のヘッド素子内蔵膜２４の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３８と、下側半層すなわちアンダーコート膜を構成するＡｌ２Ｏ３（アルミナ）膜３９との間に挟み込まれる。
誘導書き込みヘッド素子３６は、ＡＢＳ３２で前端を露出させる上部磁極層４１と、同様にＡＢＳ３２で前端を露出させる下部磁極層４２とを備える。上部および下部磁極層４１、４２は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部および下部磁極層４１、４２は協働して誘導書き込みヘッド素子３６の磁性コアを構成する。上部および下部磁極層４１、４２の間には例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製の非磁性ギャップ層４３が挟み込まれる。周知の通り、導電コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層４３の働きで、上部磁極層４１と下部磁極層４２とを行き交う磁束は浮上面２６から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束が記録磁界（ギャップ磁界）を形成する。
ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７は、アルミナ膜３９すなわち下地絶縁層の表面に沿って広がる下側電極４４を備える。下側電極４４は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。下側電極４４が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、下側電極４４は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の下部シールド層として機能することができる。下側電極４４の表面には１平坦化面４６が規定される。
平坦化面４６上には電磁変換膜すなわち磁気抵抗効果（ＭＲ）膜４７が積層される。このＭＲ膜４７は、ＡＢＳ３２で露出する前端から平坦化面４６に沿って後方に広がる。下側電極４４は、少なくともＡＢＳ３２で露出する前端でＭＲ膜４７の下側境界面４７ａに接触する。こうしてＭＲ膜４７と下側電極４４との間には電気的接続が確立される。ＭＲ膜４７の詳細は後述される。
同様に、平坦化面４６上では、ＡＢＳ３２に沿って延びる１対の磁区制御ハード膜４８が形成される。磁区制御ハード膜４８は平坦化面４６上でＡＢＳ３２に沿ってＭＲ膜４７を挟み込む。磁区制御ハード膜４８は例えばＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔといった金属材料から形成されればよい。これらの磁区制御ハード膜４８では、周知の通り、ＭＲ膜４７を横切る１方向に沿って磁化は確立されることができる。こうした磁区制御ハード膜４８の磁化に基づきバイアス磁界が形成されると、ＭＲ膜４７内で例えば自由側強磁性層（ｆｒｅｅ ｌａｙｅｒ）の単磁区化は実現されることができる。
平坦化面４６上にはさらに被覆絶縁膜４９が覆い被さる。この被覆絶縁膜４９は下側電極４４との間に磁区制御ハード膜４８を挟み込む。被覆絶縁膜４９中でＭＲ膜４７の頂上面すなわち上側境界面４７ｂはＡＢＳ３２に隣接して露出する。
被覆絶縁層４９の表面には上側電極５１が広がる。上側電極５１は、少なくともＡＢＳ３２で露出する前端でＭＲ膜４７の上側境界面４７ｂに接触する。こうしてＭＲ膜４７と上側電極５１との間には電気的接続が確立される。上側電極５１が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極５１は同時にＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の上部シールド層として機能することができる。
上側電極５１の後端は、例えば図４に示されるように、接続端子５２に接続される。接続端子５２は引き出し層５３に接続される。引き出し層５３、接続端子５２および上側電極５１は、ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流の供給路を形成する導体として機能する。同様に、下側電極４４の後端は接続端子５４に接続される。接続端子５４は引き出し層５５に接続される。引き出し層５５、接続端子５４および下側電極Ａ４は、ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流の供給路を形成する導体として機能する。
本発明の一具体例では、図５に示されるように、上側電極５１および下側電極４４に電子冷却素子５６、５６が組み込まれる。このとき、上側電極５１は電子冷却素子５６で第１導体片５１ａと第２導体片５１ｂとに完全に分断される。ＭＲ膜４７の表面には第１導体片５１ａが受け止められる。第２導体片５１ｂの後端には接続端子５２が受け止められる。上側電極５１と同様に、下側電極４４は電子冷却素子５６で第１導体片４４ａと第２導体片４４ｂとに完全に分断される。ＭＲ膜４７の表面には第１導体片４４ａが受け止められる。第２導体片４４ｂの後端には接続端子５４が受け止められる。
電子冷却素子５６は例えばペルチェ素子から構成されればよい。ペルチェ素子には例えばＢｉ２Ｔｅ３／Ｓｂ２Ｔｅ３合金が用いられればよい。こうした合金材料によれば、抵抗率ρは１［ｍΩｃｍ］程度に、ゼーベック係数Ｓは２００［μＶ／Ｋ］程度に、性能指数ＺＴは０．９程度にそれぞれ設定されることができる（Ｇ．Ｍａｈａｎ，Ｂ．Ｓａｌｅｓ，ａｎｄ Ｊ．Ｓｈａｒｐ，Ｐｈｙｓ．Ｔｏｄａｙ ５０，４２（１９９７））。
磁気情報の読み出しにあたってＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７が磁気ディスク１３の表面に向き合わせられると、ＭＲ膜４７では、周知の通り、磁気ディスク１３から作用する磁界の向きに応じて自由側強磁性層の磁化方向は回転する。こうして自由側強磁性層の磁化方向が回転すると、ＭＲ膜４７の電気抵抗は大きく変化する。したがって、上側電極５１および下側電極４４からＭＲ膜４７にセンス電流が供給されると、上側電極５１および下側電極４４から取り出される電気信号のレベルは電気抵抗の変化に応じて変化する。このレベルの変化に応じて２値情報は読み取られることができる。
このとき、ＭＲ膜４７では、ＭＲ膜４７の電気抵抗に基づきジュール熱が発生する。ＭＲ膜４７を挟み込む被覆絶縁膜４９はＭＲ膜４７の放熱を妨げる。その一方で、導電材料から構成される上側および下側電極５１、４４には効率的にＭＲ膜４７から熱が伝達される。上側電極５１では、電子冷却素子５６のペルチェ効果に基づきＭＲ膜４７側の端面から接続端子５２側の端面に向かって熱は移動する。同様に、下側電極４４では、電子冷却素子５６のペルチェ効果に基づきＭＲ膜４７側の端面から接続端子５４側の端面に向かって熱は移動する。電子冷却素子５６を構成するペルチェ素子に例えば２［ｍＡ］のセンス電流が供給されると、ペルチェ効果に基づきおよそ２００［μＷ］の熱は吸収される。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、上側および下側電極５１、４４がシールド層として機能すると、シールド層の広がりに基づきＭＲ膜４７からの熱は上側および下側電極５１、４４に伝達されやすい。電子冷却素子５６のペルチェ効果によれば、ジュール熱はＭＲ膜４７から遠ざかる方向に効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構成でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。温度上昇が抑えられると、ＭＲ膜４７ではセンス電流の電流値は高められることができる。ＭＲ膜４７では十分な抵抗変化量は維持されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、磁気ディスク１３から漏れ出る信号磁界に対して十分な感度は確保されることができる。
こういったＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、電子冷却素子５６は上側および下側電極５１、４４を第１および第２導体片に完全に分断する。しかも電子冷却素子５６を構成するペルチェ素子は被覆絶縁膜４９よりも低い抵抗値を有する。電子冷却素子５６には確実にセンス電流は流されることができる。ＭＲ膜４７に供給されるセンス電流は電子冷却素子５６の駆動にも利用されることができる。電子冷却素子５６に固有の配線パターンや電源は省略されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７の製造方法について簡単に説明する。例えば下側電極４４では、周知のエッチング法に基づき、まず下側電極４４を分断する溝が形成される。下側電極４４上には、溝に対応する空隙を区画するレジスト膜が形成されればよい。溝の幅は電子冷却素子５６の厚さに合わせられればよい。次に、こうして形成された溝で電子冷却素子５６は形成される。形成にあたって、例えば周知のスパッタリング法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）が実施されればよい。上側電極５１でも下側電極４４と同様の方法で電子冷却素子５６は形成されればよい。
ここで、ＭＲ膜４７の構造について簡単に説明する。図６はＭＲ膜４７の一具体例を示す。このＭＲ膜４７はいわゆるスピンバルブ膜で構成される。すなわち、ＭＲ膜４７では、Ｔａ下地層５７、自由側強磁性層５８、中間導電層５９、固定側強磁性層（ｐｉｎｎｅｄ ｌａｙｅｒ）６１、磁化方向拘束層（ｐｉｎｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）すなわち反強磁性層６２および導電保護層６３が順番に重ね合わせられる。反強磁性層６２の働きに応じて固定側強磁性層６１の磁化は１方向に固定される。ここで、自由側強磁性層５８は、例えばＴａ下地層５７の表面に積層されるＮｉＦｅ層５８ａと、ＮｉＦｅ層５８ａの表面に積層されるＣｏＦｅ層５８ｂとで構成されればよい。中間導電層５９は例えばＣｕ層から構成されればよい。固定側強磁性層６１は例えばＣｏＦｅといった強磁性材料から形成されればよい。反強磁性層６２は例えばＩｒＭｎやＰｄＰｔＭｎといった反強磁性合金材料から形成されればよい。導電保護層６３は例えばＡｕ層やＰｔ層から構成されればよい。
その他、ＭＲ膜４７には、いわゆるトンネル接合膜が用いられてもよい。トンネル接合膜では、前述の中間導電層５９に代えて、自由側強磁性層５８と固定側強磁性層６１との間に中間絶縁層が挟み込まれればよい。こういった中間絶縁層は例えばＡｌ２Ｏ３層から構成されればよい。
例えば図７に示されるように、下側電極４４や上側電極５１は、順番に積層される第１導体片４４ａ、５１ａや第２導体片４４ｂ、５１ｂに分断されてもよい。ここでは、下側電極４４の第１導体片４４ａは、ＡＢＳ３２で露出する前端から下地絶縁層の表面に沿って後方に広がる。第１導体片４４ａの後端には接続端子５４が受け止められる。第１導体片４４ａの表面には電子冷却素子５６が積層される。第２導体片４４ｂは電子冷却素子５６の表面に広がる。第２導体片４４ｂの表面にはＭＲ膜４７が受け止められる。その一方で、ＭＲ膜４７の表面には上側電極５１の第１導体片５１ａが受け止められる。
例えば図８に示されるように、電子冷却素子５６は、下側電極４４と接続端子５４の間や、上側電極５１と接続端子５２との間に配置されてもよい。下側電極４４と接続端子５４とは電子冷却素子５６で完全に分断される。上側電極５１と接続端子５２とは電子冷却素子５６で完全に分断される。ここでは、下側電極４４や上側電極５１は本発明の第１導体片に相当する。接続端子５４、５２は本発明の第２導体片に相当する。こういったＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、ＭＲ膜４７から上側および下側電極５１、４４に分散するジュール熱は効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。図８から明らかなように、電子冷却素子５６は下側電極４４や上側電極５１の表面に埋め込まれてもよい。また、図９から明らかなように、電子冷却素子５６は下側電極４４や上側電極５１の表面に形成されてもよい。
以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では、例えば図１０に示されるように、導体には複数の電子冷却素子５６が配置されてもよい。このとき、上側および下側電極５１、４４や接続端子５２、５４、引き出し層５３、５５は電子冷却素子５６で複数の導体片に分断されればよい。例えば３つ以上の導体片に分断されればよい。こういったＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、ＭＲ膜４７から上側および下側電極５１、４４に分散するジュール熱はより効率的に放熱されることができる。ＣＰＰ構造ＭＲ読み取り素子３７では比較的に簡単な構造でＭＲ膜４７の温度上昇は抑えられることができる。
なお、以上のようなＣＰＰ構造ＭＲ膜読み取り素子３７では、電子冷却素子５６が「組み込まれる」状態には、電子冷却素子５６がＭＲ膜４７と上側および下側電極５１、４４との間に挟まれる状態も含まれる。
Claims (9)
- 電磁変換膜と、電磁変換膜に接続され、電磁変換膜に供給される電流の流通路を形成する導体と、導体に組み込まれる電子冷却素子とを備えることを特徴とする電磁変換素子。
- 請求の範囲第１項に記載の電磁変換素子において、前記電子冷却素子はペルチェ素子であることを特徴とする電磁変換素子。
- 請求の範囲第２項に記載の電磁変換素子において、前記導体は、前記電磁変換膜に接続される第１導体片と、前記電子冷却素子で第１導体片から分断される第２導体片とを備えることを特徴とする電磁変換素子。
- 請求の範囲第２項に記載の電磁変換素子において、前記導体は複数の導体片に分断され、隣接する導体片同士の間には電子冷却素子が挟み込まれることを特徴とする電磁変換素子。
- 請求の範囲第１項または第２項に記載の電磁変換素子において、前記電磁変換膜は磁気抵抗効果膜であることを特徴とする電磁変換素子。
- 磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜を挟み込み、磁気抵抗効果膜に供給される電流の流通路を形成する上側電極および下側電極と、上側電極および下側電極の少なくともいずれか一方に組み込まれる電子冷却素子とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
- 請求の範囲第６項に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記電子冷却素子はペルチェ素子であることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
- 請求の範囲第７項に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記導体は、前記電磁変換膜に接続される第１導体片と、前記冷却素子で第１導体片から分断される第２導体片とを備えることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
- 請求の範囲第７項に記載のＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子において、前記導体は複数の導体片に分断され、隣接する導体片同士の間には電子冷却素子が挟み込まれることを特徴とするＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子。
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