JP2004335069A - 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供する。
【解決手段】 所定のシート抵抗を有する発熱部８１と、発熱部８１と直列に接続され発熱部８１のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有するリード部８８ａ、８８ｂと、を含み通電されることにより発熱するシート状のヒータ８０を設ける。これにより、ヒータ８０が発熱し薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張するので、磁気抵抗効果素子４０や電磁変換素子６０と、記録媒体２と、の距離が低減される。また、発熱部８１のシート抵抗が、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗よりも高いので、リード部８８ａ、８８ｂよりも発熱部８１の方が発熱量が大きくなる。
【選択図】 図５

Description

本発明は、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置に関する。
書込用の電磁変換素子や再生用の磁気抵抗効果素子が設けられた薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置への記録再生時に、記録媒体であるハードディスクから浮上するように構成されている。具体的には、薄膜磁気ヘッドをジンバルに搭載し、該ジンバルを可撓性のサスペンションアームの先端部に取り付けることでヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を構成する。そして、ハードディスクの回転に伴う空気流が薄膜磁気ヘッドの下方に流れることでサスペンションアームが撓み、該ヘッドが浮上する。
そして、ハードディスクの高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの空隙すなわちヘッド浮上量は、２０ｎｍから１５ｎｍ、更には１０ｎｍと極限まで小さくなってきている。
特開平５−２０６３５号公報
さらなる高密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間の距離を従来よりも微少な状態にすることが求められている。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少にすることのできる薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子の少なくとも一方と、所定のシート抵抗を有する発熱部及び上記発熱部と直列に接続され上記発熱部のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有するリード部を有し、通電により発熱するシート状のヒータと、を有する。
本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、薄膜ヘッドの使用時にこのヒータに通電されることによりヒータが発熱し、薄膜磁気ヘッドが熱膨張するので、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、記録媒体と、の距離が低減される。
また、ヒータの発熱部のシート抵抗が、ヒータのリード部のシート抵抗よりも高い。このため、ヒータに通電されるとリード部よりも発熱部の方が発熱量が大きくなる。このため、このリード部を用いて発熱部を薄膜磁気ヘッドの所望の位置に配置することにより、薄膜磁気ヘッドにおいて所望の領域を集中して加熱することができる。これによって、薄膜磁気ヘッドの膨張量を好適に制御できると共に、省エネルギー化が達成できる。
ここで、シート抵抗ＳＲとは、単位長さ×単位幅×厚みｄの正方形のシート状の導体において長さ方向に電流が流れる場合の抵抗であり、導体の比抵抗をρとすると、ρ／ｄで定義される。
また、発熱部やリード部が複数の層からなる積層体となって並列回路が形成される場合には、積層体のシート抵抗ＳＲは、１／（１／（一番目の層のシート抵抗）＋１／（二番目の層のシート抵抗）＋…）で定義される。
なお、シート抵抗がＳＲで幅Ｗ×長さＬのシート状の導体に、長さ方向に電流が流れるとき、この導体の抵抗は、（ＳＲ×Ｌ／Ｗ）となる。
ここで、上記の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記ヒータは、上記リード部から上記発熱部にわたって延在する同一材料の導電性の共通層を有すると共に、上記リード部には、上記共通層に積層された導電性の追加導電層を有することが好ましい。
これによれば、ヒータの共通層を発熱部とリード部とで共通に設けた後、リード部に追加導電層を設けることにより上述の薄膜磁気ヘッドを製造できるので、低コストとなる。
ここで、上記追加導電層のシート抵抗は、上記共通層のシート抵抗よりも低いことが好ましい。
これによれば、共通層と追加導電層とを有するリード部のシート抵抗を発熱部に比べて十分に小さくでき、ヒータにおける発熱をより好適に発熱部に集中させることができる。
また、追加導電層の材料としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ及びこれらの合金の何れかを含むものが例示できる。
また、上記薄膜磁気ヘッドにおけるヒータにおいて、上記リード部と上記発熱部とは同一の導電性材料からなり、上記リード部の厚みは上記発熱部の厚みよりも厚くされていてもよい。
これによれば、通電路のリード部と発熱部とを同一材料で形成し、各々の厚みを代えるだけでよいので、構造が簡素化されて低コストとなる。
また、上述の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記リード部及び上記発熱部はスパッタリングにより形成されていることが好ましい。
これによれば、比較的膜厚の薄いヒータを好適に形成できる。
本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、基台と、上記基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、上記基台を固定するジンバルと、を備え、上記薄膜磁気ヘッドは、所定のシート抵抗を有する発熱部と、上記発熱部と直列に接続され上記発熱部よりも低いシート抵抗を有するリード部と、を有し通電により発熱するシート状のヒータを備える。
本発明に係るハードディスク装置は、基台と、上記基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、上記薄膜磁気ヘッドは、所定のシート抵抗を有する発熱部と、上記発熱部と直列に接続され上記発熱部よりも低いシート抵抗を有するリード部と、を有し通電により発熱するシート状のヒータを有する。
このような、ヘッドジンバルアセンブリやハードディスク装置は、上述の薄膜磁気ヘッドを備えることにより、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、記録媒体と、の距離を低減できると共に、薄膜磁気ヘッドにおいて所望の領域が集中して加熱され、薄膜磁気ヘッドの膨張量を好適に制御できると共に、省エネルギー化が達成できる。
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにヒータを設けるので、ヒータが発熱して薄膜磁気ヘッドが熱膨張し磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と、記録媒体と、の距離が低減される。また、ヒータの発熱部のシート抵抗を、ヒータのリード部のシート抵抗よりも高くするので、ヒータに通電されるとリード部よりも発熱部の方が発熱量が大きくなり、薄膜磁気ヘッドにおいて所望の領域を集中して加熱することができる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図１は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）１５を作動させて、高速回転するハードディスク（記録媒体）２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１０によって磁気情報を記録及び再生するものである。ヘッドジンバルアセンブリ１５は、薄膜磁気ヘッド１０が形成されたヘッドスライダ１１を搭載したジンバル１２と、これが接続されたサスペンションアーム１３とを備え、支軸１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１５を回転させると、ヘッドスライダ１１は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
図２は、ヘッドスライダ１１の拡大斜視図である。ヘッドスライダ１１は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）を主とする基台１１ａ上に、薄膜磁気ヘッド１０が形成されている。同図における手前側の面は、ハードディスク２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド１０には、薄膜磁気ヘッド１０を保護するために、図中破線で示したオーバーコート層２１（詳しくは後述）が設けられている。オーバーコート層２１上には、記録用パッド１８ａ，１８ｂ、再生用パッド１９ａ，１９ｂ、及び、後述するヒータ用パッド８６ａ、８６ｂが取り付けられており、図１に示したサスペンションアーム１３には、各パットに接続される、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けられている。尚、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等のコーティングを施してもよい。
図３は、薄膜磁気ヘッド１０におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直かつトラックラインに垂直な方向の断面図である。図４は、薄膜磁気ヘッド１０におけるヒータ層の平面図であり、図中上側に、エアベアリング面Ｓが位置する。図５は、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面Ｓに平行な断面図であり、図３及び図４のＶ−Ｖ破断線に対応する図である。薄膜磁気ヘッド１０は、基台１１ａ上に形成されており、図３に示すように、基台１１ａ側から順に、磁気抵抗効果素子としてＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子４０を有する再生ヘッド部３０と、誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部６０と、記録ヘッド部６０上に設けられたオーバーコート層２１と、を主として有する複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
基台１１ａは、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなるウエハ状の基板である。そして、この基台１１ａ上には、アルミナ等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３が厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成されている。
再生ヘッド部３０は、アンダーコート層１１３上に設けられており、アンダーコート層１１３側から順に、下部シールド層３２、ＧＭＲ素子４０を含みこのＧＭＲ素子４０を上下から挟む絶縁層３６、及び、上部シールド層３８、が積層されることにより構成されている。ＧＭＲ素子４０は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものであり、多層構造（図示は省略）を有してＡＢＳ面側に露出している。下部シールド層３２及び上部シールド層３８は、不要な外部磁界をＧＭＲ素子４０が感知するのを防止する機能を有し、磁性材料を含む。下部シールド層３２の厚さは約１μｍ〜約３μｍ程度で、上部シールド層の厚さは厚さ約１μｍ〜約４μｍ程度である。また、絶縁層３６の厚みは、約０．０５μｍ〜１．０μｍ程度である。尚、本明細書において、シールド層のように「上部」及び「下部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基台１１ａに近い側であることを意味し、「上部」とは基台１１ａから遠い側であることを意味する。
記録ヘッド部６０は、再生ヘッド部３０上に絶縁層３９を介して形成され、長手記録方式の誘導型磁気変換素子である。尚、絶縁層３９としては厚さ約０．１μｍ〜約２．０μｍ程度のアルミナ等を利用できるが、必ずしも設ける必要はない。そして、記録ヘッド部６０は、絶縁層３９側から順に、軟磁性材料からなる下部磁極６１、非磁性の絶縁材料からなるギャップ層６３を有している。また、ギャップ層６３上には、ＡＢＳ面側に磁極部分層６４ａが、ＡＢＳ面から離れた側に上下２段の薄膜コイル７０を含む絶縁層７２が積層されている。さらに、磁極部分層６４ａ上及び絶縁層７２上には、薄膜コイル７０の一部を下部磁極６１との間に挟むと共に、エアベアリング面Ｓから離れた側で下部磁極６１と磁気的に連結するヨーク部分層６４ｂを有している。そして、下部磁極６１、ギャップ層６３、薄膜コイル７０、絶縁層７２、上部磁極６４が記録ヘッド部６０を構成している。
下部磁極６１は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約３μｍ程度で形成される。
ギャップ層６３は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の非磁性絶縁体あるいは非磁性導電体と非磁性絶縁体との組合せであり、例えば、厚さ約０．０５μｍ〜約０．５μｍ程度に形成される。
磁極部分層６４ａは、ヨーク部分層６４ｂとともに上部磁極６４を構成するものであり、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）の他、(1)鉄及び窒素原子を含む材料、(2)鉄、ジルコニア、及び酸素原子を含む材料、並びに、(3)鉄及びニッケル元素を含む材料等で形成することができる。磁極部分層６４ａの厚みは、例えば約０．５μｍ〜約３．５μｍ程度であり、好ましくは１．０μｍ〜２．０μｍである。
ヨーク部分層６４ｂの材質は磁極部分層６４ａと同様であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約５μｍ程度である。
また、薄膜コイル７０は、Ｃｕ等の導体で、例えば、各厚みは約１μｍ〜約５μｍ程度である。
また、絶縁層７２は、アルミナやレジスト等の絶縁体で、例えば、厚さ約０．１μｍ〜約５μｍ程度である。
そして、薄膜コイル７０に記録電流を流すと、磁極部分層６４ａと下部磁極との間に磁束が発生し、ハードディスク等の記録媒体に情報を記録することができる。
オーバーコート層２１は、薄膜磁気ヘッド１０の記録ヘッド部６０を保護するためのアルミナ等の絶縁材料からなる層であり、記録ヘッド部６０上に厚さ約５．０μｍ〜約３０μｍで設けられている。また、オーバーコート層２１において、ＡＢＳ面と、基台１１ａから一番遠い上面と、によって形成される稜部には、切欠部１００が形成されている。
そして、特に、本実施形態では、図３〜図５に示すように、このオーバーコート層２１中に、導電性材料で形成されたシート状のヒータ８０が設けられている。このヒータ８０は、ＡＢＳ面Ｓから所定距離離間されて、オーバーコート層２１内に上部シールド層３８等と平行に形成されている。
ヒータ８０は、図４及び図５に示すように、比抵抗ρ１及び厚みｄ１で、シート抵抗ＳＲ１＝（ρ１／ｄ１）のシート状の導電性の共通層９９を有している。この共通層９９は、一本のラインを層内で蛇行させた発熱部８１と、発熱部８１の両端に各々接続され後述するリード部８８ａ、８８ｂの下層となるベース部８２ａ，８２ｂと、各ベース部８２ａ、８２ｂの端部に各々接続された矩形形状の引出電極８５ａ，８５ｂと、を有している。
発熱部８１は、図４に示すように、所定の始点１８０から折返点１８１まで矩形波状に蛇行するように形成された上り部１８６と、折返点１８１から始点１８０の近傍の終点１８２まで上り部１８６に沿って蛇行しながら戻るように形成された下り部１８７と、始点１８０とリード部８８ａのベース部８２ｂとを接続する接続部１７０とを有し、終点１８２はリード部８８ａのベース部８２ａと接続されている。また、互いに沿うように形成された上り部１８６と下り部１８７との間隔１９０は、互いに面する上り部１８６同士の間隔１９２や、互いに面する下り部１８７同士の間隔１９３よりも狭くされている。
また、ベース部８２ａ，８２ｂ上には、各々厚みｄ２かつ比抵抗ρ２で、シート抵抗ＳＲ２＝（ρ２／ｄ２）のシート状の材料からなる導電性の追加導電層８３ａ，８３ｂがベース部８２ａ、８２ｂの形状に対応して積層されている。そして、ベース部８２ａ及び追加導電層８３ａが、引出電極８５ａと発熱部８１の一端とを電気的に接続する並列回路としてのリード部８８ａを構成し、ベース部８２ｂ及び追加導電層８３ｂが、引出電極８５ｂと発熱部８１の他端とを電気的に接続する並列回路としてのリード部８８ｂを構成している。また、引出電極８５ａから、リード部８８ａ、発熱部８１、リード部８８ｂ、引出電極８５ｂまでが所定の長さのシート状の通電路を形成するヒータ８０を構成している。
発熱部８１、引出電極８５ａ，８５ｂ、および、リード部８８ａ、８８ｂのベース部８２ａ、８２ｂを形成する共通層９９の厚みｄ１は、例えば、１００〜３００ｎｍ程度であり、また、共通層９９の比抵抗ρ１は、例えば、１５〜２５μΩ・ｃｍである。また、共通層９９の材質としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ及びこれらの合金の何れかを含むことが好ましい。
一方、リード部８８ａ、８８ｂの追加導電層８３ａ，８３ｂの厚みｄ２は、例えば、５０〜２００ｎｍ程度であり、また、追加導電層８３ａ，８３ｂの比抵抗ρ２は、例えば、２〜２５μΩ・ｃｍである。また、追加導電層８３ａ，８３ｂの材質としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ及びこれらの合金の何れかを含むことが好ましい。
ここで、ベース部８２ａ、８２ｂ及び追加導電層８３ａ、８３ｂによる並列回路であるリード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＳＲ３は（１）式のようになる。
Figure 2004335069
 すなわち、ＳＲ２が無限大でない、すなわち、追加導電層８３ａ，８３ｂが導電性材料である限り、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＳＲ３は発熱部８１のシート抵抗ＳＲ１よりも小さくされることが分かる。
また、エアベアリング（ＡＢＳ）面Ｓは、図４中の水平方向かつ図４の紙面に垂直な方向に延びており、ヒータ８０よりも図４中上方に位置している。そして、ヒータ８０の発熱部８１において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和は、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるようにされている。
また、引出電極８５ａ、８５ｂ上には、図３及び図５に示すように、各々導電性の電極膜部材８７ａ、８７ｂが形成されている。電極膜部材８７ａ、８７ｂ上には、この電極膜部材８７ａ、８７ｂを電極として電解メッキにより形成された、上方に伸びるバンプ８４ａ、８４ｂが各々設けられている。電極膜部材８７ａ、８７ｂ及びバンプ８４ａ、８４ｂは、Ｃｕ等の導電材料からなり、電極膜部材８７ａ、８７ｂの厚みは、５０〜４００ｎｍ程度、バンプ８４ａ、８４ｂの厚みは、５〜２０μｍ程度である。
バンプ８４ａ，８４ｂの上端はオーバーコート層２１から露出しており、この露出面にはそれぞれヒータ用パッド８６ａ，８６ｂが各々取り付けられている。そして、ヒータ用パッド８６ａ、８６ｂを介してヒータ８０に電流が供給されることとなる。なお、同様にして、記録ヘッド部６０は記録用パッド１８ａ，１８ｂ（図２参照）と、再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子４０は再生用パッド１９ａ，１９ｂと、各々接続されているが、図３及び図５においては簡単のため図示を省略している。
次に、このような構成の薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドジンバルアセンブリ１５、及びハードディスク装置１の作用を説明する。図６に示すように、ハードディスク２が図中矢印方向に回転すると、空気流によって薄膜磁気ヘッド１０は浮上し、記録ヘッド部６０の上部磁極６４側がハードディスク２に近づくようにうつむく姿勢（前傾姿勢）となる。この際、ヒータ８０に通電すると、当該ヒータ８０から発生する熱によって薄膜磁気ヘッド１０におけるヒータ８０の周囲が熱膨張し、薄膜磁気ヘッド１０及び基台１１ａのＡＢＳ面Ｓが、記録媒体２側に向かって二点鎖線で示すように突出する。これにより、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０とハードディスク２との間隔が低減され、高い再生出力が得られると共に、より高密度の書込等を行うことができる。ここで、ヒータ８０への通電量を制御することにより、突出量を調節でき、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０と記録媒体２との間の距離を制御できる。
また、（１）式から分かるように、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＲＳ３は、発熱部８１のシート抵抗ＲＳ１よりも小さくなっている。このため、ヒータ８０に通電された場合、発熱部８１において集中的に発熱が起きることとなる。このため、発熱部８１及びその近傍を集中して膨張させることができ、突出量の調節がより好適に行われると共に省エネルギー化もできる。
ここで、追加導電層８３ａ，８３ｂのシート抵抗ＳＲ２＝（ρ２／ｄ２）は、ベース層８２ａ、８２ｂを形成する共通層９９のシート抵抗ＳＲ１＝（ρ１／ｄ１）より小さいこと好ましく、これによれば、（１）式からわかるように、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＳＲ３を、発熱部８１のシート抵抗ＳＲ１に比べてより低くでき、発熱をより発熱部８１に集中させることができる。
また、ヒータ８０が、オーバーコート層２１中に設けられると共に、記録ヘッド部６０が、オーバーコート層２１とＧＭＲ素子４０との間に設けられているので、ＧＭＲ素子４０とヒータ８０との間隔は、記録ヘッド部６０とヒータ８０との間隔よりも広くなっている。このため、特に発熱による影響を比較的受けやすいＧＭＲ素子４０が高温による悪影響を受けにくくされ、信頼性を向上できる。
また、薄膜磁気ヘッド１０のオーバーコート層２１には切欠部１００が形成されているので、薄膜磁気ヘッド１０のＡＢＳ面Ｓが熱膨張によりハードディスク２に突出しても、記録媒体２と接触しにくくなっている。なお、この切欠部１００の形状は、本実施形態のような１段の逆Ｌ字状のもの限られず、多段の切欠としてもよいし傾斜面を有する切欠等としてもよい。
さらに、ヒータ８０においては、図４に示すように、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、始点１８０及び終点１８２と、折返点１８１との間において上り部１８６と下り部１８７とから発生する磁界が、互いにうち消し合う。このため、磁界の漏洩が少なくなって記録ヘッド部６０や磁気抵抗効果素子４０に悪影響を及ぼしにくくなる。また、間隔１９０が間隔１９３や間隔１９２よりも狭くされているので、互いに近接するように設けられた上り部１８６と下り部１８７とが、この上り部１８６と下り部１８７とから遠く離された他の上り部１８６と下り部１８７とから磁界の影響を受けにくくされ、通電により発生する磁界がより好適にキャンセルされる。このため、特に、ヒータ８０の最外側で互いに沿うように配置される下り部１８６Ａや上り部１８７Ａからの磁界の漏洩が少なくされる。
また、発熱層８０において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和が、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるようにされているので、発熱層８０自体の膨張により薄膜磁気ヘッドがＡＢＳ面Ｓに対して垂直な方向に膨張しやすくなる。このため、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０を効率よく記録媒体２に向かって突出させられる。
以上説明したように、本実施形態によれば、ハードディスク２との距離を低減でき、さらなる高密度化が可能な薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドジンバルアセンブリ１５及びハードディスク装置１が提供される。
次に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を図７〜図９を参照して説明する。ここで、図７は、薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリング面Ｓに対して垂直かつトラックラインに垂直な方向の断面図であり、図８は、図７の状態での薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面Ｓに平行な断面図でありＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ破断線に対応する図である。尚、公知の製造過程については、説明を簡略化する。
まず、図７及び図８に示すように、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板である基台１１ａに、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３を形成する。
次に、アンダーコート層１１３の上に、例えばめっき法によって、パーマロイ等の磁性材料からなる下部シールド層３２を形成する。さらに、下部シールド層３２上に、公知の手法によってＧＭＲ素子４０と、これを上下左右から挟むＡｌ2Ｏ3等の絶縁層３６を形成する。ＧＭＲ素子４０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。また、このＧＭＲ素子４０は、ＡＢＳ面側に形成される。続いて、絶縁層３６上に、例えばめっき法によって上部シールド層３８をで形成する。以上により、再生ヘッド部３０が得られる。
次に、上部シールド層３８上に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる絶縁層３９を形成する。
次いで、絶縁層３９上に、パーマロイからなる下部磁極６１を例えばスパッタリング法で形成する。次に、下部磁極６１上に例えばスパッタリング法で非磁性絶縁体あるいは非磁性導電体と非磁性絶縁体とを組み合わせたものからなるギャップ層６３を形成する。さらに、ギャップ層６３上に、フォトリソグラフィやドライエッチング等を用いた公知の方法で、２段の薄膜コイル７０を有する絶縁層７２と、上部磁極６４の磁極部分層６４ａと、上部磁極６４のヨーク部分層６４ｂと、を形成する。ここで、薄膜コイル７０の一部が、下部磁極６１と上部磁極６４との間に挟まれるようにこれらを形成する。本実施形態では２段の薄膜コイル７０を形成するが、段数はこれに限られず、また、ヘリカルコイルのようなものを形成してもよい。これにより、記録ヘッド部６０が完成する。
次に、記録ヘッド部６０を覆うように、非磁性のオーバーコート下層２１ａを形成する。そして、オーバーコート下層２１ａ上に、スパッタリングによって比抵抗ρ１で厚みｄ１の導電性材料の層を形成し、引き続きこの層の一部をイオンミリング等によって除去することにより、蛇行する発熱部８１、発熱部８１の両端に各々接続されたリード部８８ａ、８８ｂのベース部８２ａ、８２ｂ、及び、ベース部８２ａ，８２ｂの端部に各々接続された引出電極８５ａ，８５ｂを有する共通層９９を形成する。
さらに、共通層９９の内のベース部８２ａ、８２ｂ上に、スパッタリング等により、比抵抗ρ２で厚みｄ２の導電性材料からなる追加導電層８３ａ，８３ｂを各々形成する。これにより、ベース部８２ａ及び追加導電層８３ａを備えるリード部８８ａが形成され、ベース部８２ｂ及び追加導電層８３ｂを備えるリード部８８ｂが形成されることとなる。また、引出電極８５ａ、８５ｂ、リード部８８ａ、８８ｂ及び発熱部８１を備えるヒータ８０が完成する。
次に、ヒータ８０及び表面に露出するオーバーコート下層２１ａの上層として、Ｃｕ等の導電材料からなるめっき用の電極膜１２０を所定の厚み、例えば、５０〜４００ｎｍ、でスパッタリング等により形成する。
次に、電極膜１２０で引出電極８５ａ，８５ｂに各々接触する部分の上に、電極膜１２０を電極とするめっき法によって上方に伸びるバンプ８４ａ，８４ｂを各々形成する。
次に、図９に示すように、バンプ８４ａ，８４ｂをマスクとして、表面に露出する電極膜１２０を、イオンミリング等により除去する。このとき、バンプ８４ａ，８４ｂの下の電極膜１２０は除去されずに残存し、電極膜部材８７ａ、８７ｂとなる。
その後、スパッタ法等によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料を上層として積層し、例えば、ポリッシング法によってバンプ８４ａ、８４ｂが上面に露出する所望の高さまで絶縁材料をけずり、オーバーコート上層２１ｂとする。その後、バンプ８４ａ，８４ｂの上端部の露出部分にヒータ用パッド８６ａ、８６ｂを配設する。ここで、オーバーコート下層２１ａ及びオーバーコート上層２１ｂがオーバーコート層２１に対応する。なお、図示は省略するが、このとき、図示しない記録用パッドや再生用パッドも形成する。さらに、図示は省略するが、オーバーコート層２１の稜を切削して、切欠部１００を形成する。
以上により、図３〜図５に示した、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０が完成する。
本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜磁気ヘッド１０にヒータ８０が好適に形成される。このような薄膜磁気ヘッド１０は、使用時にヒータ８０に通電されることにより上述のようにヒータ８０が発熱し、薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張するので、薄膜磁気ヘッド１０のＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０と、記録媒体２と、の距離が低減される。
また、上述したようにリード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＲＳ３を、発熱部８１のシート抵抗ＲＳ１よりも小さくしているので、ヒータ８０に通電された場合、発熱部８１において集中的に発熱が起きることとなる。このため、発熱部８１の近傍を集中して膨張させることができ、突出量の調節がより好適に行われると共に省エネルギー化もできる。
また、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０は、比較的複雑な再生ヘッド部３０及び記録ヘッド部６０の形成工程の後に行われる、比較的簡単なオーバーコート層２１を形成する工程においてヒータ８０を形成している。このため、再生ヘッド部３０や記録ヘッド部６０より下の部分、あるいは、記録ヘッド部６０や再生ヘッド部３０と同一の高さの部分にヒータ８０を設けるのに比して、低コストでの製造が可能となる。
また、共通層９９や追加導電層８３ａ，８３ｂをスパッタリングで形成しているので、これらの層の膜厚のバラツキを低減でき、薄膜磁気ヘッド１０毎のヒータ８０の抵抗値のバラツキを低減できる。
続いて、イオンミリング等によって基台１１ａにスライダレールを形成することにより、図２に示したヘッドスライダ１１が得られ、このヘッドスライダ１１をジンバル１２に搭載した後、サスペンションアーム１３に接続することにより図１に示したヘッドジンバルアセンブリ１５が完成する。また、ヘッドジンバルアセンブリ１５を作製した後、ヘッドスライダ１１がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることにより、図１に示したハードディスク装置１が完成する。
次に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示す。
図１０は、第一の変形例に係る薄膜磁気ヘッド１０Ａである。本薄膜磁気ヘッド１０Ａが上述の薄膜磁気ヘッド１０と異なる点は、リード部８８ａ、８８ｂにおいて、追加導電層８３ａ、８３ｂが、各々共通層９９のベース部８２ａ、８２ｂの下に積層されている点である。このような薄膜磁気ヘッド１０Ａは、薄膜磁気ヘッド１０の製造工程において共通層９９を形成する前に追加導電層８３ａ、８３ｂを形成することにより容易に得ることができる。
図１１は、第二の変形例に係る薄膜磁気ヘッド１０Ｂである。本薄膜磁気ヘッド１０Ｂが上述の薄膜磁気ヘッド１０と異なる点は、リード部８８ａ、８８ｂの追加導電層８３ａ、８３ｂがリード部８８ａ、８８ｂのベース層８２ａ、８２ｂと同じ材料からなる、すなわち、リード部８８ａ、８８ｂが発熱部８１と同じ材料のみからなると共に、リード部８８ａ、８８ｂの厚みが発熱部８１の厚みよりも大きくされている点である。このような薄膜磁気ヘッド１０Ｂは、薄膜磁気ヘッド１０の製造工程において（図８参照）、例えば、共通層９９を形成した後にベース部８２ａ、８２ｂ上に共通層９９と同じ材料で追加導電層８３ａ、８３ｂを積層することにより容易に得られる。
図１２は、第三の変形例に係る薄膜磁気ヘッド１０Ｃである。本薄膜磁気ヘッド１０Ｃが上述の薄膜磁気ヘッド１０と異なる点は、リード部８８ａ，８８ｂと発熱部８１との厚みが同一であり、リード部８８ａ、８８ｂは発熱部８１と同じ材料のベース層を有さずに発熱部８１と異なる材料で形成されている点である。ここで、リード部８８ａ、８８ｂの材料の比抵抗ρ２は、発熱部８１の材料の比抵抗ρ１よりも小さくされている。このような薄膜磁気ヘッド１０Ｃは、薄膜磁気ヘッド１０の製造工程において、共通層９９のベース部８２ａ、８２ｂ部分に共通層９９と異なる材料の層を設けることにより容易に得られる。
そして、これらの３つの薄膜磁気ヘッド１０Ａ〜１０Ｃにおいても、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＳＲ３は、発熱部８１のシート抵抗ＳＲ１よりも小さくなっている。このため、上述の薄膜磁気ヘッド１０と同様の作用効果を奏する。
また、特に、薄膜磁気ヘッド１０Ｂにおいては、ヒータ８０を構成する材料の種類が少なくなるので、製造コストが安くなると共に、製造が容易となる。
また、特に、薄膜磁気ヘッド１０Ｃにおいては、ヒータ８０の厚みを薄くできるので、小型化が可能でありまたヒータ８０の設置場所の自由度が上がる。
ここで、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドによって、ヒータ８０の発熱を発熱部８１に集中可能となることを実施例及び比較例によって具体的に示す。ここでは、図１３及び図１４に示すように、発熱部８１と、この発熱部８１の両端に各々設けられたリード８８ａ、８８ｂと、を有するヒータ８０において、ヒータ８０全体の消費電力に占める発熱部８１での消費電力がどうなるかを計算により求めた。
このヒータ８０の発熱部８１は、幅２０μｍ×全長３４０μｍ×厚みｄ１の蛇行する単一材料の通電路とした。また、リード部８８ａ，８８ｂは、厚みｄ１で発熱部８１と同じ材料のベース部８２ａ，８２ｂと、ベース部８２ａ，８２ｂに積層された厚みｄ２の追加導電層８３ａ，８３ｂとを各々有しており、各々のリード部８８ａ、８８ｂは、幅１００μｍ×長さ４００μｍ×厚み（ｄ１＋ｄ２）の通電路とした。
比較例１では、ヒータ８０の発熱部８１及びベース部８２ａ、８２ｂの材料として厚み１５０ｎｍのＮｉＦｅ（比抵抗２３μΩ・ｃｍ）を用い、追加導電層８３ａ，８３ｂを設けなかった。この場合、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗は１．５３Ωとなる。そして、発熱部８１の抵抗は２６．１Ω、リード部８８ａ及びリード部８８ｂの抵抗の和（以後、リード部全体の抵抗）は１２．３Ωとなり、リード部全体と発熱部８１との抵抗の和に占める発熱部８１の抵抗の割合、すなわち、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は６８．０％となる。
一方、実施例１は、追加導電層８３ａ，８３ｂとしてＮｉＦｅを１００ｎｍの厚みで設ける以外は比較例１と同じとし、実施例２は、追加導電層８３ａ、８３ｂとしてＮｉＦｅを２００ｎｍの厚みで設ける以外は比較例１と同じとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は実施例１、２の順で２．３０Ω、１．１５Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．９２Ω、０．６６Ωとなり、発熱部８１の抵抗は順に２６．１Ω、２６．１Ω、リード部全体の抵抗は順に７．４Ω、５．３Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に７８．０％、８３．２％となった。
また、実施例３〜８は、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、ＣｏＦｅ（比抵抗２０μΩ・ｃｍ）を、実施例３〜８の順に、９３，１００，１０８．５，１３１，１６２，２００ｎｍの厚みで設けた以外は実施例１と同様であるとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は実施例３〜８の順に、２．１５，２．００，１．８４，１．５３，１．２３，１．００Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．９０，０．８７，０．８４，０．７７，０．６８，０．６１Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２６．１Ωとなり、リード部全体の抵抗は順に７．２，６．９，６．７，６．１，５．５，４．８Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に７８．４，７９．０，７９．６，８１．０，８２．７，８４．３％となった。
また、実施例９〜１２は、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、Ｍｏ（比抵抗１６．０μΩ・ｃｍ）を、実施例９〜１２の順に、１００，１７３，２００，２５５ｎｍの厚みで設けた以外は実施例１と同様であるとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は順に、１．６０，０．９２，０．８０，０．６３Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．７８，０．５８，０．５３，０．４５Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２６．１Ωとなり、リード部全体の抵抗は順に６．３，４．６，４．２，３．６Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に８０．６，８５．０，８６．１，８８．０％となった。
また、実施例１３〜１４は、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、Ｒｈ（比抵抗１７．５μΩ・ｃｍ）を、実施例１３、１４の順に、１００，２００ｎｍの厚みで設けた以外は実施例１と同様であるとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は順に、１．７５，０．８８Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．８２，０．５６Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２６．１Ωとなり、リード部全体の抵抗は順に６．５，４．５Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に７９．９，８５．４％となった。
また、実施例１５〜１６は、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、Ａｕ（比抵抗３．５μΩ・ｃｍ）を、実施例１５、１６の順に、１００，２００ｎｍの厚みで設けた以外は実施例１と同様であるとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は順に、０．３５，０．１８Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．２８，０．１６Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２６．１Ωとなり、リード部全体の抵抗は順に２．３，１．３Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に９２．０，９５．４％となった。
また、実施例１７〜１８は、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、Ｃｕ（比抵抗３．０μΩ・ｃｍ）を、実施例１７、１８の順に、１００，２００ｎｍの厚みで設けた以外は実施例１と同様であるとした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は順に、０．３０，０．１５Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．２５、０．１４Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２６．１Ωとなり、リード部全体の抵抗は順に２．０，１．１Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は順に９２．９，９６．０％となった。以上の結果を図１５に示す。
これに対して、比較例２は、ヒータ８０の発熱部８１及びベース部８２ａ、８２ｂの材料として厚み１５０ｎｍのＣｏＦｅ（比抵抗２０μΩ・ｃｍ）を用い、追加導電層８３ａ，８３ｂを設けなかった場合である。この場合、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗は１．３３Ωとなる。そして、発熱部の抵抗は２２．７Ω、リード部全体の抵抗は１０．７Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は６８．０％となる。
一方、実施例１９〜２３では、実施例１９〜２３の順に、追加導電層８３ａ，８３ｂとして、ＣｏＦｅ（比抵抗２０μΩ・ｃｍ）、Ｒｈ（比抵抗１７．５μΩ・ｃｍ）、Ｍｏ（比抵抗１６．０μΩ・ｃｍ）、Ａｕ（比抵抗３．５μΩ・ｃｍ）、Ｃｕ（比抵抗３．０μΩ・ｃｍ）、を１００ｎｍの厚みで設けた以外は比較例２と同様とした場合である。追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗は順に２．００，１．７５，１．６０，０．３５，０．３０Ωとなり、リード部のシート抵抗は順に０．８０，０．７６，０．７３，０．２８，０．２４Ωとなり、発熱部８１の抵抗は全て２２．７Ωであり、リード部全体の抵抗は順に６．４，６．１，５．８，２．２，２．０Ωとなり、ヒータ８０の全消費電力における発熱部８１の消費電力は各々７８．０，７８．９，７９．６，９１．１，９２．０％となった。以上の結果を図１６に示す。
これらにより明らかなように、ベース部８２ａ、８２ｂ上に、追加導電層８３ａ、８３ｂを設けてリード部８８ａ，８８ｂのシート抵抗を発熱部８１のシート抵抗よりも小さくすることにより、発熱部８１における消費電力のヒータ８０全体に対する割合を増加させられることが容易に理解される。また、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗ＳＲ３を発熱部８１のシート抵抗ＳＲ１より小さくすればするほど発熱部８１における消費電力のヒータ８０全体に対する割合が増加される。また、追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗ＳＲ２を小さくすればするほどリード部８８ａ，８８ｂのシート抵抗ＳＲ３が下がり、発熱部８１における消費電力のヒータ８０全体に対する割合が増加される。特に、実施例２、７、８、１０〜１２、１４〜１８、２２、２３より分かるように、追加導電層８３ａ、８３ｂのシート抵抗ＳＲ２をベース部８２ａ、８２ｂのシート抵抗ＳＲ１よりも小さくする、すなわち、（ＳＲ２／ＳＲ１）＜１．０とすると、発熱部８１の消費電力の割合を８２％以上とできて効果的である。
以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、ヒータ８０の位置は上記の実施形態に限られず、例えば、アンダーコート層１１３や、絶縁層７２等、任意の位置に設けることができる。また、２つ以上のヒータ８０を有していても良い。また、ヒータ８０のＡＢＳ面Ｓ側からの距離も限定されない。さらに、ヒータ８０の発熱部８１やリード部８８ａ，８８ｂの形態も上記の形態に限定されない。また、上記実施形態において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和が、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるように、ヒータ８０の発熱部８１が形成されているが、この条件を満たさない構成、例えば、ＡＢＳ面Ｓが、図４中の垂直方向かつ図４の紙面に対して垂直な方向に延びて、ヒータ８０よりも図４中左方に位置する構成としても動作は可能である。
また、ヒータ８０の発熱部８１やリード部８８ａ、８８ｂの形態は上記実施形態や変形例に限定されず、要は、リード部のシート抵抗が発熱部のシート抵抗よりも低ければ良い。
また、ヒータ８０に流す電流の量等によっては、ヒータ８０を軟磁性を含むシールド層で覆っても良く、これによれば、ヒータ８０からの磁界が漏洩した場合でも、記録ヘッド部６０や再生ヘッド部３０に悪影響を及ぼすことを防止できる。
さらに、再生ヘッド部３０において、ＧＭＲ素子４０の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Tunnel-type Magneto Resistive）素子、さらに、ＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)−ＧＭＲ素子等の他のＭＲ素子を利用してもよい。また、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式ではなく、垂直記録方式としてもよい。
また、図２においては、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０を含む薄膜磁気ヘッド１０が、スライダ１１の先端部の内、トラックラインと直交するトラック幅方向の一方側の端部に設けられているが、他方側の端部でも、トラック幅方向の中央部に設けられていてもよく、要は、薄膜磁気ヘッド１０が、スライダ１１でＡＢＳ面に臨む位置に設けられていれば良い。
また、図２において、ヒータ用パッド８６ａ，８６ｂは、記録用パッド１８ａ，１８ｂと再生用パッド１９ａ，１９ｂとに挟まれるように配置されているが、これに限られず、任意の配置が可能である。
また、上記実施形態においては、ＧＭＲ素子４０と記録ヘッド部６０とを両方備えているが、いずれか一方を備えていても良い。
さらに、上記の薄膜磁気ヘッド１０Ｃ（図１２参照）において、リード部８８ａ，８８ｂの厚みは発熱部８１の厚みと同一とされているが、発熱部８１とリード部８８ａ，８８ｂとの材料を適切に選択することにより、リード部８８ａ、８８ｂの厚みを発熱部８１の厚みより薄くしつつ、リード部８８ａ、８８ｂのシート抵抗を発熱部８１のシート抵抗よりも低くすることもできる。
本発明に係るハードディスク装置の一実施形態を示す斜視図である。 ヘッドスライダを示す斜視図である。 本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。 本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドのヒータを示す平面図である。 図３の薄膜磁気ヘッドのＶ−Ｖ断面図である。 本実施形態にかかる薄膜磁気ヘッドが熱膨張している様子を示す模式図である。 本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図である。 図８に続いて本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。 薄膜磁気ヘッドの変形例を示す断面図である。 薄膜磁気ヘッドの変形例を示す断面図である。 薄膜磁気ヘッドの変形例を示す図表である。 実施例１に係るヒータを示す平面図である。 図１３のヒータの側面図である。 比較例１及び実施例１〜１８のデータを示す図表である。 比較例２及び実施例１９〜２３のデータを示す図表である。
符号の説明
１…ハードディスク装置、２…ハードディスク（記録媒体）、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…薄膜磁気ヘッド、１１ａ…基台、１２…ジンバル、１５…ヘッドジンバルアセンブリ、２１…オーバーコート層、４０…ＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）、６０…記録ヘッド部（電磁変換素子）、８０…ヒータ、８１…発熱部、８２ａ，８２ｂ…ベース部、８３ａ，８３ｂ…追加導電層、８８ａ，８８ｂ…リード部、９９…共通層。

Claims (8)

  1. 電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子の少なくとも一方と、
    所定のシート抵抗を有する発熱部及び前記発熱部と直列に接続され前記発熱部よりも低いシート抵抗を有するリード部を有し通電により発熱するシート状のヒータと、
    を備える薄膜磁気ヘッド。
  2. 前記ヒータは、前記リード部から前記発熱部にわたって延在する同一材料の導電性の共通層を有すると共に、前記リード部分には、前記共通層に積層された導電性の追加導電層を有する請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 前記追加導電層のシート抵抗は、前記共通層のシート抵抗よりも低い請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 前記追加導電層は、Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ及びこれらの合金の何れかを含む請求項２又は３に記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 前記ヒータにおいて、前記リード部と前記発熱部とは同一材料からなり、前記リード部の厚みは前記発熱部の厚みよりも厚くされた請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 前記リード部及び前記発熱部の少なくとも一方はスパッタリングにより形成された請求項１〜５の何れか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 基台と、前記基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルと、を備え、
    前記薄膜磁気ヘッドは、所定のシート抵抗を有する発熱部と、前記発熱部と直列に接続され前記発熱部よりも低いシート抵抗を有するリード部と、を有し通電により発熱するシート状のヒータを有するヘッドジンバルアセンブリ。
  8. 基台と、前記基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、
    前記薄膜磁気ヘッドは、所定のシート抵抗を有する発熱部と、前記発熱部と直列に接続され前記発熱部よりも低いシート抵抗を有するリード部と、を有し通電により発熱するシート状のヒータを有するハードディスク装置。
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