JP2006024289A - 発熱体を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＴＰＴＰ現象を積極的に利用してｄ_ＭＳを調整し、磁気抵抗効果層への熱の伝搬を制限して信号の読み出し能力の維持が可能な薄膜磁気ヘッド、これを備えたＨＧＡ及び磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】 スライダ基板上に設けられたシールド部を有する読み出し磁気ヘッド素子と、これとスライダ基板の反対側の位置に設けられ、磁極部を有する書き込み磁気ヘッド素子と、これらを覆うように形成されたオーバーコート層と、このオーバーコート層内に設けられた、読み出し磁気ヘッド素子又は書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱する発熱体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、このシールド部の中に、シールド部を構成する材料よりも熱伝導率の低い材料から構成され、シールド部をシールド長方向に分離させるスリット部が設けられた薄膜磁気ヘッドが提供される。
【選択図】 図５

Description

本発明は、発熱体を備えた薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置においては、スピンドルモータによって回転させられた磁気ディスクに対して、薄膜磁気ヘッドが信号の書き込み及び読み出しを行う。薄膜磁気ヘッドは、ＨＧＡのサスペンションの先端部に固着されたスライダ基板を本体として、このスライダ基板上に形成された書き込み用の誘導型電磁変換素子と読み出し用の磁気抵抗効果素子とを有する。信号の書き込み又は読み出し時において、薄膜磁気ヘッドは、スイングが可能なアームによって磁気ディスク上の所望の位置に駆動させられる。

薄膜磁気ヘッドは、信号の書き込み又は読み出しに際して、回転する磁気ディスク上において流体力学的に所定の間隙（マグネティックスペーシング（ｄ_ＭＳ））をもって浮上する。薄膜磁気ヘッドは、この浮上状態において、誘電型電磁変換素子から発生する磁界を用いて磁気ディスクに信号の書き込みを行い、磁気抵抗効果素子によって磁気ディスクからの信号磁界を感受して読み出しを行う。

近年、磁気ディスク装置の大容量化及び高記録密度化が進んでおり、これに伴って薄膜磁気ヘッドのトラック幅がより狭小化している。トラック幅が狭くなると、これらの磁気ヘッド素子において書き込み及び読み出し能力が低下してしまう。そこで、この問題を回避すべく、最近の磁気ディスク装置においては、ｄ_ＭＳをより小さくする傾向にある。ここでは、薄膜磁気ヘッドに届く磁気ディスクからの信号磁界がｄ_ＭＳの減少と共に強くなることを利用している。実際には、ｄ_ＭＳの値は１０ｎｍ程度にまで小さくなるように設計されている。

しかしながら、信号の書き込み時には、誘電型電磁変換素子内のコイル層からのジュール熱、及び上下部磁極層からの渦電流損失に伴う熱が発生する。この熱によってオーバーコート層が熱膨張し、磁気ヘッド素子が磁気ディスク表面方向に押し出されるＴＰＴＰ（Thermal Pole Tip Protrusion）現象が生じる。この現象によって、これらの磁気ヘッド素子が面しているヘッド端面が、磁気ディスク表面に向かって湾曲した形で膨出する。その結果、ｄ_ＭＳの設計値が非常に小さい場合には、突出した磁気抵抗効果素子部が磁気ディスク表面に接触し、その際の摩擦熱によって磁気抵抗効果素子の電気抵抗値が変化し、異常信号（サーマルアスペリティ（thermal asperity））が発生してしまうことがある。

このサーマルアスペリティを回避するために、ｄ_ＭＳを制御する方法が提案されている。例えば、特許文献１には、磁気ヘッド素子であるトランスデューサを備えたスライダにおいて、スライダ基板内に、又はスライダ基板とトランスデューサとの間にトランンスデューサに近接して発熱体を設ける方法が開示されている。この発熱体を通電によって発熱させ、保護膜を含むトランスデューサ形成領域とスライダ基板との熱膨張率の差を利用して、トランスデューサを突出させてｄ_ＭＳを制御している。

また、特許文献２には、熱膨張体に通電することによって、書き込み用及び読み出し用の素子を磁気ディスク面に接近させる薄膜磁気ヘッド構造が開示されている。本構造においては、発熱体と熱膨張体とを一対にして配置し、発熱体の熱によって発熱体と対になった熱膨張体を熱膨張させ、その歪力でオーバーコート層を歪ませて書き込み用及び読み出し用の素子を磁気ディスク面に接近させている。

さらに、特許文献３には、磁気ヘッド素子の浮上面とは反対側の位置に設けられた発熱手段を備えた薄膜磁気ヘッドが開示されている。磁気ヘッド素子の動作時に発熱手段が発熱せしめられることにより、磁気ヘッド素子を浮上面方向に突出させ、ｄ_ＭＳを調整している。

米国特許第５，９９１，１１３号明細書 特開２００３−２７２３３５号公報 特開２００３−１６８２７４号公報

しかしながら、このような発熱体及び／又は熱膨張体を具備した薄膜磁気ヘッドにおいては、特に熱に敏感な読み出し用の磁気ヘッド素子において問題が生じていた。

上述したように、磁気ディスク装置の大容量化、高記録密度化に伴い、装置を構成する各素子においても高性能化及び高信頼性が要求されている。特に、読み出し用の磁気抵抗効果素子においては、トラック幅の狭小化及び微小信号磁界を高い分解能で検出すべき要請から、ナノオーダレベルの薄膜が積層され、素子サイズが縮減される一方で、高出力を確保するために、素子に流す電流密度が非常に高くなっている。従って、磁気抵抗効果素子は、通常動作時においてもかなりの高温となっている。さらに、磁気抵抗効果素子の磁界感度の向上に伴って、素子の出力が温度により強く依存するようになっている。従って、信号の読み出し能力を安定的に確保するために、温度制御、特にさらなる温度上昇の抑制が必須の要件となっている。

しかしながら、上記の特許文献１〜３に記載の技術においては、発熱体からの熱が磁気抵抗効果素子内の磁気抵抗効果層にさらなる温度上昇をもたらし、信号の読み出し能力を低下させてしまう問題が生じていた。

すなわち、特許文献１において、発熱体は、スライダ基板内に又はスライダ基板とトランスデューサとの間に設置されているので、発熱体の熱は、スライダ基板側から保護膜を含むトランスデューサ形成領域全体に向けて伝搬する。この際、磁気抵抗効果素子内のシールド層は一般に金属であり、その熱伝導率は絶縁体であるオーバーコート層よりも一般に高い。従って、このシールド層面で受けた熱はシールド層間に挟まれた磁気抵抗効果層に達し易くなっている。また、特許文献２及び３においては、発熱体が磁気抵抗効果素子の近傍に設置されているので、発熱体又は発熱手段の熱が、シールド層を通して磁気抵抗効果層により伝搬し易くなっている。

すなわち、これらの文献に記載された技術では、発熱体又は発熱手段からの熱が磁気抵抗効果層に達するのを防御する手段が採用されていないので、磁気抵抗効果素子自身の発熱量の他に外乱としての熱量が加わり、磁気抵抗効果層の温度が許容限度以上に上昇する場合があり、所望の読み出し能力を得られないという問題が生じていた。

さらに、特許文献１又は３の技術では、発熱体がスライダ基板内に設けられ若しくは発熱体がスライダ基板に接しており、又は発熱手段とスライダ基板との距離が小さくなっている。従って、発熱体からの熱の多くが熱伝導率の比較的高いスライダ基板に吸収されて薄膜磁気ヘッド外に放出される。すなわち、ＴＰＴＰ現象を引き起こすための熱効率が低くなっている。これに対処するために発熱量を増大させると、シールド層を通して磁気抵抗効果層の温度を増大させ、結果として磁気抵抗効果素子の読み出し能力を低下させてしまう。

従って、本発明の目的は、ＴＰＴＰ現象を積極的に利用してｄ_ＭＳを調整することによってサーマルアスペリティを回避しつつ、磁気抵抗効果層への熱の伝搬を制限して信号の読み出し能力を維持することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置を提供することにある。

本発明について説明する前に、明細書において用いられる用語の定義を以下に行う。まず、ＰＴＲ（Pole Tip Recession）面は、磁気ヘッド素子が面しているヘッド端面とする。動作時には、磁気ディスクに対向する面となる。読み出し磁気ヘッド素子が有するシールド部のシールド長Ｌ_ｓｈは、シールド部においてＰＴＲ面に面している端及びＰＴＲ面とは反対側の端の間の距離とする。また、このシールド部が上下部シールド層から構成される場合、各シールド層のシールド長ＵＬ_ｓｈ及びＬＬ_ｓｈも同様に、各シールド層においてＰＴＲ面に面している端及びＰＴＲ面とは反対側の端の間の距離とする。書き込み磁気ヘッド素子が有する磁極部のポール長Ｌ_ｐは、磁極部のＰＴＲ面に面している端及びＰＴＲ面とは反対側の端の間の距離とする。また、この磁極部が上下部磁極層から構成される場合、各磁極層のポール長ＵＬ_ｐ及びＬＬ_ｐも同様に、各磁極層においてＰＴＲ面に面している端及びＰＴＲ面とは反対側の端の間の距離とする。

さらに、本発明においては、後述するように磁気ヘッド素子部を覆うオーバーコート層内に発熱体が設けられているが、ＰＴＲ面からこの発熱体までの距離Ｄ_ｈは、ＰＴＲ面から発熱体のＰＴＲ面側の端までの距離とする。さらに、本発明の実施形態として、後述するようにシールド部にスリット部が設けられているが、ＰＴＲ面からスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔは、ＰＴＲ面からスリット部のＰＴＲ面側の端までの距離とする。ここでシールド部が、上下部シールド層から構成される場合、上下部シールド層にそれぞれ設けられた各スリット部の距離ＬＤ_ｓｌｉｔ及びＵＤ_ｓｌｉｔも同様に、ＰＴＲ面から各スリット部のＰＴＲ面側の端までの距離とする。

本発明によれば、スライダ基板と、このスライダ基板上に設けられたシールド部を有する少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子と、この少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子のスライダ基板とは反対側の位置に設けられ、磁極部を有する少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子と、この少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子及び少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子を覆うようにスライダ基板上に形成されたオーバーコート層と、このオーバーコート層内に設けられており、少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる少なくとも１つの発熱体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、このシールド部内に、このシールド部を構成する材料よりも熱伝導率の低い材料から構成されていてシールド部をシールド長方向に分離させる少なくとも１つのスリット部が設けられている薄膜磁気ヘッドが提供される。

設けられているスリット部は、シールド部を構成する材料、例えばＮｉＦｅ等の金属材料よりも、熱伝導率の低い材料、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料から構成されている。従って、シールド部が発熱体から受け取った熱の伝導が、このスリット部分で抵抗を受けることになる。その結果、発熱体から読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬が抑制され、磁気抵抗効果素子の信号の読み出し能力が維持される。さらに、スリット部によって分離されたシールド部のうちＰＴＲ面から遠い方にある部分は、書き込み磁気ヘッド素子からのジュール熱及び渦電流損失に伴う熱等を受け取って、放熱板の役割を果たす。その結果、書き込み磁気ヘッド素子の自ら発する熱量によるＴＰＴＰ現象が抑制される。これによって、発熱体を用いて積極的にＴＰＴＰ現象を引き起こしてｄ_ＭＳを制御する際の調整マージンを大きくとることができる。

ＰＴＲ面からスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが、ＰＴＲ面から少なくとも１つの発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下であることが好ましい。

スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが、発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下の値であるので、発熱体のスライダ基板と対向する面と、スリット部によって分離されたシールド部のうち磁気抵抗効果素子側の部分におけるスライダ基板とは反対側の面とは、重なり合って対向する部分を有さない。さらに、発熱体は、ＰＴＲ面に面した磁気抵抗効果層からは所定の距離以上離隔している。従って、発熱体からの熱を受け取るのは、主に、スリット部によって分離されたシールド部のうちＰＴＲ面から遠い方の部分であるから、ＰＴＲ面側の部分には熱が伝搬しにくくなる。その結果、発熱体から読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬が抑制され、磁気抵抗効果素子の信号の読み出し能力が維持される。

ＰＴＲ面からスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが、磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上であることが好ましい。

スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上の値であるので、スリット部によって分離されたシールド部のうちＰＴＲ面側（すなわち磁気抵抗効果素子側）の部分が、書き込み磁気ヘッド素子から発生する磁界、その他の外部からの磁界を磁気抵抗効果層に達する手前で有効に遮蔽することができる。

シールド部が、下部シールド層と、この下部シールド層の基板側とは反対側に積層された上部シールド層とを備えており、少なくとも１つのスリット部が、この下部シールド層及び上部シールド層のそれぞれに設けられていることが好ましい。

ＰＴＲ面から下部シールド層及び上部シールド層のそれぞれに設けられたスリット部までの距離ＬＤ_ｓｌｉｔ及びＵＤ_ｓｌｉｔが等しいことがさらに好ましい。これにより、スリット部の位置に応じた熱伝導に対する抵抗効果を確実に発揮させることができる。

本発明によれば、スライダ基板と、このスライダ基板上に設けられたシールド部を有する少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子と、この少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子のスライダ基板とは反対側の位置に設けられ、磁極部を有する少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子と、この少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子及びこの少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子を覆うようにスライダ基板上に形成されたオーバーコート層と、このオーバーコート層内に設けられており、少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる少なくとも１つの発熱体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、シールド部のシールド長Ｌ_ｓｈが、ＰＴＲ面から少なくとも１つの発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下である薄膜磁気ヘッドが提供される。

シールド部のシールド長Ｌ_ｓｈが発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下の値であるので、発熱体のスライダ基板と対向する面と、シールド部のスライダ基板とは反対側の面とは、重なり合って対向する部分を有さない。さらに、発熱体は、ＰＴＲ面に面した磁気抵抗効果層からは所定の距離以上離隔している。その結果、発熱体から読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬が抑制され、磁気抵抗効果素子の信号の読み出し能力が維持される。

シールド部のシールド長Ｌ_ｓｈが、磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上であることが好ましい。

シールド長Ｌ_ｓｈがポール長Ｌ_ｐ以上の値であるので、シールド部が、書き込み磁気ヘッド素子から発生する磁界、その他の外部からの磁界を磁気抵抗効果層に達する手前で遮蔽する効果を十分に発揮することができる。

以上のようにシールド長Ｌ_ｓｈを規定することによって、発熱体によって高い熱効率でＴＰＴＰ現象を引き起こしてｄ_ＭＳを調整しつつ、従来、回避又は制御することができなかった読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬を制限して薄膜磁気ヘッドの読み出し能力を維持することができる。

シールド部が、下部シールド層と、この下部シールド層のスライダ基板とは反対側に積層された上部シールド層とを備えており、シールド長Ｌ_ｓｈが、下部シールド長ＬＬ_ｓｈと上部シールド長ＵＬ_ｓｈとのうち、小さくない方に等しいことが好ましい。

磁極部が、下部磁極層と、この下部磁極層と磁気的に接続されており下部磁極層のスライダ基板とは反対側に積層された上部磁極層とを備えており、ポール長Ｌ_ｐが、下部磁極層におけるポール長ＬＬ_ｐであることが好ましい。

少なくとも１つの発熱体が、少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子のスライダ基板とは反対側の位置に設けられていることが好ましい。

発熱体がこの位置に設けられることによって、発熱体とスライダ基板との間で所定の距離が確保される。従って、発熱体からの熱量のうちスライダ基板に吸収されて薄膜磁気ヘッド外に放出されてしまう分が低減される。すなわち、発熱体からの熱が、より効率良くＴＰＴＰ現象を引き起こすために使用可能となる。その結果、磁気ヘッド素子の所定の突出量を得るために必要とされる発熱体への通電量がより少なくて済む。これにより磁気抵抗効果層に伝搬する熱量も低減することができ、その温度上昇が防止されるので、磁気抵抗効果素子の信号の読み出し能力が維持される。

少なくとも１つの発熱体が、少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子のＰＴＲ面とは反対側の位置に設けられていることも好ましい。

発熱体がこの位置に設けられることによって、発熱体は主に、読み出し磁気ヘッド素子及び書き込み磁気ヘッド素子のＰＴＲ面とは反対側のオーバーコート層の領域を加熱することになる。この加熱によってこの領域が大きく膨張し、読み出し磁気ヘッド素子及び書き込み磁気ヘッド素子がＰＴＲ面の方向に効率良く押し出される。その結果、磁気ヘッド素子の所定の突出量を得るために必要とされる発熱体への通電量がより少なくて済む。これにより磁気抵抗効果層に伝搬する熱量も低減することができ、その温度上昇が防止されるので、磁気抵抗効果素子の信号の読み出し能力が維持される。

少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子が、面内通電型（ＣＩＰ（Current In Plain））巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive））素子、垂直通電型（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain））ＧＭＲ素子又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive））素子であることが好ましい。ＣＩＰ-ＧＭＲ素子、ＣＰＰ-ＧＭＲ素子及びＴＭＲ素子はいずれも非常に高い磁界感度を有するが、その出力が温度に強く依存する。これらの素子を、本発明による薄膜磁気ヘッドの読み出し磁気ヘッド素子として用いることによって、温度上昇による読み出し能力の低下を回避しつつ、これらの素子の有する高い磁界感度を有効に利用することができる。

本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドの少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子への信号線と、この薄膜磁気ヘッドの少なくとも１つの発熱体に電流を供給するためのリード線と、薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたＨＧＡが提供される。

本発明によれば、さらにまた、上述したＨＧＡを少なくとも１つ備えており、少なくとも１つの発熱体へ供給する電流を制御する電流制御手段をさらに備えた磁気ディスク装置が提供される。

電流制御手段が、少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び／又は少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に少なくとも１つの発熱体へ電流を供給する制御手段であることが好ましい。

電流制御手段が、発熱体制御信号系を有しており、発熱体制御信号系が少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び／又は少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の動作制御信号系とは独立して、発熱体に供給される電流を制御することがことも好ましい。このように、記録／再生動作制御信号系とは独立して、発熱体制御信号系を設けることによって、記録／再生動作に連動した発熱体への通電のみならず、より多様な通電モードを実現することができる。

電流制御手段が、少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子からの再生データ信号中に含まれているアコースティックエミッション（ＡＥ（Acoustic Emission））成分を検出する検出手段を有しており、この検出手段によって検出されたＡＥ成分の検出量に応じて発熱体に供給される電流を制御することも好ましい。ＡＥ成分をモニタすることにより、薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク表面との接触の程度／頻度を知ることができる。従って、このＡＥ検出量に応じて、発熱体に供給される電流を制御してＴＰＴＰ現象を調整することによって、薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク表面とのクラッシュを回避することができる。

電流制御手段が、磁気ディスク装置内の温度を検出する温度検出手段を有しており、この温度検出手段によって検出された温度に応じて発熱体に供給される電流を制御することも好ましい。一般に、ｄ_ＭＳの値は磁気ディスク装置内の温度の影響を受ける。従って、この検出された温度に応じて発熱体に供給される電流を制御することによって、ｄ_ＭＳ値を一定に保ち、安定した書き込み及び読み出し特性を得ることができる。

本発明の薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置によれば、発熱体によって高い熱効率でＴＰＴＰ現象を引き起こしてｄ_ＭＳを調整しつつ、従来、回避又は制御することができなかった読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬を制限して信号の読み出し能力を維持することができる。

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明による磁気ディスク装置の一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２はＨＧＡ全体を表す斜視図であり、図３はＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッド（スライダ）の斜視図である。

図１において、１０はスピンドルモータの回転軸１１の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（スライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び発熱動作を制御するための記録再生回路をそれぞれ示している。

アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、スライダが、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び薄膜磁気ヘッド（スライダ）は、単数であっても良い。

図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、磁気ヘッド素子を有するスライダ２１を固着し、さらにそのスライダ２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。

サスペンション２０は、ロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。

本発明のＨＧＡにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。

図３に示すように、本実施形態におけるスライダは、互いに積層された書き込み磁気ヘッド素子及び読み出し磁気ヘッド素子３０と、これらの素子に接続された４つの信号端子電極３１と、図３には示されていないヒータに流す電流用の２つの駆動端子電極３２とを、その素子形成面３３上に備えている。３４はスライダの浮上面である。なお、これらの端子電極の数及び位置は、図３の形態に限定されるものではない。図３において端子電極は６つであるが、例えば、電極を５つとした上でグランドをスライダ基板に接地した形態でも良い。

図４は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施形態における概略的な構成を示す図である。

同図において、スライダ基板４０は浮上面５０を有し、書き込み又は読み出し動作時には回転する磁気ディスク表面５２上において流体力学的に所定の間隙をもって浮上している。このスライダ基板４０の浮上面を底面とした際の一つの側面（素子形成面）に、読み出し用の磁気抵抗効果素子４２と、書き込み用の誘電型電磁変換素子４４と、これらの素子を覆うオーバーコート層４７とが形成されている。

磁気抵抗効果素子４２は、磁気抵抗効果層４２ｃと、この層を挟む位置に配置される下部シールド層４２ａ及び上部シールド層４２ｆとを含む。磁気抵抗効果層４２ｃは、ＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で信号磁界を感知する。下部シールド層４２ａ及び上部シールド層４２ｆは磁性層であり、磁気抵抗効果層４２ｃに対して雑音となる外部磁界を遮断する役割を有する。誘電型電磁変換素子４４は、下部磁極層４４ａ、上部磁極層４４ｆ及びコイル層４４ｃを含む。下部磁極層４４ａ及び上部磁極層４４ｆは、コイル層４４ｃから発生した磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク表面５２まで収束させながら導くための磁路である。

磁気抵抗効果素子４２及び誘電型電磁変換素子４４の磁気ディスク表面５２側の端は、ＰＴＲ面５１に達している。ここで、ＰＴＲ面５１には、保護膜としてＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等のコーディングが施されている。なお、磁気ヘッド素子部のＰＴＲ面と磁気ディスク表面との磁気ヘッド素子動作時における距離がｄ_ＭＳとなる。

発熱体４６は、オーバーコート層４７上に形成される。その結果、発熱体４６は、磁気抵抗効果素子４２及び誘電型電磁変換素子４４のスライダ基板４０とは反対側の位置に設けられることになる。さらに、オーバーコート層４８が、発熱体４６を覆ってオーバーコート層４７上に形成される。

本実施形態では、下部シールド層４２ａ及び上部シールド層４２ｆは、それぞれのシールド長ＬＬ_ｓｈ及びＵＬ_ｓｈが等しくなるように形成されている。ここで、これらの値を磁気抵抗効果素子４２におけるシールド長Ｌ_ｓｈ（＝ＬＬ_ｓｈ＝ＵＬ_ｓｈ）とする。また、下部磁極層４４ａのポール長ＬＬ_ｐを誘導型電磁変換素子４４におけるポール長Ｌ_ｐ（＝ＬＬ_ｐ）とする。さらにＰＴＲ面から発熱体４６までの距離をＤ_ｈとすると、後述する理由によって、シールド長Ｌ_ｓｈは、Ｄ_ｈ≧Ｌ_ｓｈ、さらに好ましくはＤ_ｈ≧Ｌ_ｓｈ≧Ｌ_ｐの関係を満たすように設定される。なお、他の態様としてＬＬ_ｓｈ及びＵＬ_ｓｈの値が異なる場合には、大きな値の方をＬ_ｓｈとする。

図５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施形態における概略的な構成を示す図である。

同図に示した第２の実施形態においては、下部シールド層４２ａ及び上部シールド層４２ｆにおいて、これらのシールド層を構成する磁性材料よりも熱伝導率の低い材料、例えば絶縁性材料から構成されていて、これらのシールド層をそれぞれスリット長方向に分離させるスリット部４２ｇが設けられている。このスリット部４２ｇの存在により、発熱体４６から発生する熱は、上下部シールド層４２ｆ及び４２ａを介して磁気抵抗効果層４２ｃに伝搬する際に、このスリット部で抵抗を受ける。これによって、磁気抵抗効果素子４２ｃの温度上昇を抑制することができる。この第２の実施形態は、その他の磁気抵抗効果層４２ｃ、誘電型電磁変換素子４４、発熱体４６及びオーバーコート層４７、４８等に関しては、図４に示された第１の実施形態と同様の構成を有する。

本実施形態では、下部シールド層４２ａに形成されたスリット部及び上部シールド層４２ｆに形成されたスリット部において、ＰＴＲ面からそれぞれのスリット部までの距離ＬＤ_ｓｌｉｔ及びＵＤ_ｓｌｉｔは等しくなっている。ここで、これらの値を、ＰＴＲ面からスリット部４２ｇまでの距離Ｄ_ｓｌｉｔとする。また、図４と同様にポール長Ｌ_ｐを定義し、ＰＴＲ面から発熱体４６までの距離をＤ_ｈとすると、後述する理由によって、距離Ｄ_ｓｌｉｔは、Ｄ_ｈ≧Ｄ_ｓｌｉｔ、さらに好ましくはＤ_ｈ≧Ｄ_ｓｌｉｔ≧Ｌ_ｐの関係を満たすように設定される。

次に、図４及び図５にそれぞれ示された第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成をより詳細に説明する。図６は、これらの実施形態における薄膜磁気ヘッドをスライダ基板の素子形成面側から透視的に見た平面図であり、図７はそのＡ−Ａ線断面図、図８はそのＢ−Ｂ線断面図である。なお、図７におけるコイルの巻き数は図を簡略化するため、図６における巻き数より少なく表されている。コイルは２層、又はヘリカルコイルでもよい。また、図６及び図７において、発熱体４６の構成も、後に詳述するため、簡略的に示されている。

図７において、４０は例えばＡｌＴｉＣ（Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ）等からなるスライダ基板、４１はスライダ基板４０上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３等からなる厚さ約０．０５μｍ〜約１０μｍの絶縁層、４２ａは絶縁層４１上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ約０．３μｍ〜約３μｍの下部シールド層、４２ｂは下部シールド層４２ａ上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＤＬＣ等からなる厚さ約０．００５μｍ〜約０．５μｍの下部シールドギャップ層、４２ｃは下部シールドギャップ層上４２ｂに積層された例えばＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜からなる磁気抵抗効果層、４２ｄは磁気バイアス層を備えており磁気抵抗効果層４２ｃの両端に接続された例えばＣｕ等からなる素子リード導体層、４２ｅは磁気抵抗効果層４２ｃ及び素子リード導体層４２ｄ上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＤＬＣ等からなる厚さ約０．００５μｍ〜約０．５μｍの上部シールドギャップ層、４２ｆは上部シールドギャップ層４２ｅ上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ約０．３μｍ〜約４μｍの上部シールド層をそれぞれ示している。なお、上下部シールド層４２ｆ及び４２ａの間隔である再生ギャップ長は、約０．０３μｍ〜約１μｍである。

ここで、第２の実施形態においては、下部シールド層４２ａ及び上部シールド層４２ｆにおいて、スリット部４２ｇが設けられている。スリット部４２ｇは、それぞれのシールド層に幅約２μｍ〜約１０μｍの間隙が設けられて、下部シールド層４２ａの間隙には下部シールドギャップ層４２ｂと同一の材料が、さらに上部シールド層４２ｆの間隙にはオーバーコート層４７と同一の材料が埋め込まれたものである。この際、これらの間隙を埋める材料は他の材料でも良いが、上下部シールド層４２ｆ及び４２ａを構成する材料よりも熱伝導率の低い材料が選択される。

なお、第１の実施形態においては、スリット部４２ｇは設けられていない。

４３は上部シールド層４２ｆ上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３等からなる厚さ約０．１μｍ〜約２．０μｍの絶縁層、４４ａは絶縁層４３上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ約０．３μｍ〜約３μｍの下部磁極層、４４ｂは下部磁極層４４ａ上に積層された例えばＡｌ_２Ｏ_３又はＤＬＣ等からなる厚さ約０．０３μｍ〜約０．５μｍ（記録ギャップ長に相当）の磁気ギャップ層、４４ｃは磁気ギャップ層４４ｂ上に積層された例えばＣｕ等からなる厚さ約０．５μｍ〜約３μｍのコイル層、４４ｄはコイル層４４ｃを覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ約０．１μｍ〜約５μｍのコイル絶縁層、４４ｅはコイル層４４ｃの一端に電気的に接続された例えばＣｕ又はＮｉＦｅ等からなるコイルリード導体層、４４ｆは下部磁極層４４ａと共に磁極及び磁気ヨークを形成する例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ約０．５μｍ〜約５μｍの上部磁極層、４７は例えばＡｌ_２Ｏ_３等からなるオーバーコート層をそれぞれ示している。なお、絶縁層４３は必ずしも設ける必要はない。

４６は、上部磁極層４４ｆを覆うオーバーコート層４７の上に形成されている発熱体を示している。発熱体４６は、オーバーコート層４７上に形成されているので、必ず、磁気抵抗効果素子４２及び誘電型電磁変換素子４４のスライダ基板とは反対側の位置に設けられることになる。４８は、発熱体４６全体を覆う例えばＡｌ_２Ｏ_３等からなるオーバーコート層を示している。

次いで、図８においては、図７と同一の構成要素が、同じ参照番号を用いて示されている。ただし、同図に示されたＢ−Ｂ線断面には、磁気抵抗効果層４２ｃ、コイルリード導体層４４ｅ、スリット部４２ｇ及び発熱体４６は現れていない。

図９は、第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの発熱体４６の構成を示す図である。また、図１０は、発熱体４６の電極パッド部の構成を示すための図６におけるＣ−Ｃ線断面図である。

図９によると、発熱体４６は、１本のラインを層内で蛇行させた発熱部４６ａと、発熱部４６ａの両端にそれぞれ接続された引き出し電極４６ｂ及び４６ｃとを有しており、所定の長さの通電路となっている。

より具体的には、発熱部４６ａは、所定の始点６０から折り返し点６１まで矩形波状に蛇行するように形成された上り部６６と、折り返し点６１から始点６０の近傍の終点６２まで上り部６６に沿って蛇行しながら戻るように形成された下り部６７と、始点６０と引き出し電極４６ｃとを接続する接続部７４と、終点６２と引き出し電極４６ｂとを接続する７５とを有している。また、互いに沿うように形成された上り部６６と下り部６７との間隔７０は、互いに面する上り部６６同士の間隔７２及び互いに面する下り部８７同士の間隔７３と比較して、狭くなるように設定されている。

発熱部４６ａは、例えば、約１００ｎｍ〜約５０００ｎｍ程度の厚さを有しており、例えば、ＮｉＣｕを含む材料からなる。ここで、ＮｉＣｕにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約１５〜約６０原子％であり、好ましくは２５〜４５原子％である。また、このＮｉＣｕに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。

また、発熱部４６ａは、例えば、ＮｉＣｒを含む材料からなっていてもよい。この場合、ＮｉＣｒにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約５５〜約９０原子％であり、好ましくは７０〜８５原子％である。また、このＮｉＣｒに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。また、引き出し電極４６ｂ及び４６ｃは、発熱部４６ａと同じ材料である。

図１０によれば、引き出し電極４６ｂ及び４６ｃ上には、導電性を有する電極膜部材８０ｂ及び８０ｃがそれぞれ形成されている。この電極膜部材８０ｂ及び８０ｃ上には、この電極膜部材８０ｂ及び８０ｃを電極として電界めっきによって形成された、上方に伸びるバンプ８１ｂ及び８１ｃがそれぞれ設けられている。電極膜部材８０ｂ及び８０ｃ並びにバンプ８１ｂ及び８１ｃは、Ｃｕ等の導電材料等からなる。電極膜部材８０ｂ及び８０ｃの厚みは、約１０ｎｍ〜約２００ｎｍ程度であり、バンプ８１ｂ及び８１ｃの厚みは、約５μｍ〜約３０μｍ程度である。

バンプ８１ｂ及び８１ｃの上端は、オーバーコート層４８から露出しており、これらの上端には、発熱体４６用のパッド８２ｂ及び８２ｃがそれぞれ設けられている。このパッド８２ｂ及び８２ｃを介して、発熱体４６に電流が供給されることになる。なお、同様にして、磁気抵抗効果素子４２及び誘導型電磁変換素子４４は信号端子電極３１（図３）と接続されているが、これらの接続構造は、図の簡略化のため図示されていない。

図１１は、第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図であり、図６のＡ−Ａ線断面を示している。

以下、同図を参照して、これらの実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡単に説明する。まず、図１１（Ａ）に示すように、例えばスパッタリング法によって、基板４０上に絶縁層４１を積層する。次いで、絶縁層４１上に、例えばめっき法によって所定のシールド長Ｌ_ｓｈを有する下部シールド層４２ａを形成する。

ここで、第２の実施形態においては、この下部シールド層４２ａにおいて、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法等を用いた公知の方法によって、ＰＴＲ面５１から下部シールド層４２ａまでの距離Ｄ_ｓｌｉｔの位置に間隙を形成する。この工程は、第１の実施形態では用いられない。

次いで、例えばスパッタリング法等によって、下部シールドギャップ層４２ｂが形成される。第２の実施形態においては、この工程により、上記の形成された間隙に下部シールドギャップ層４２ｂの材料が埋め込まれることによりスリット部４２ｇが形成される。次いで、例えばスパッタリング法等によって、磁気抵抗効果層４２ｃ、磁気バイアス層を備えた素子リード導体層４２ｄ、上部シールドギャップ層４２ｅを形成する。次いで、例えばめっき法によって所定のシールド長Ｌ_ｓｈを有する上部シールド層４２ｆを形成する。

ここで、第２の実施形態においては、この上部シールド層４２ｆにおいて、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法等を用いた公知の方法によって、ＰＴＲ面から上部シールド層４２ｆまでの距離Ｄ_ｓｌｉｔの位置に間隙を形成する。この工程は、第１の実施形態では用いられない。

その後、ＰＴＲ面から見てその後ろ側に平坦化層４７ａを形成する。第２の実施形態においては、この工程により、上記の形成された間隙に平坦化層４７ａの材料が埋め込まれることによりスリット部４２ｇが形成される。以上の工程によって、磁気抵抗効果素子４２の形成が完了する。

次いで、図１１（Ｂ）に示すように、上部シールド層４２ｆの上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層４３、所定のポール長Ｌ_ｐを有する下部磁極層４４ａ、磁気ギャップ層４４ｂを形成すると共に、ＰＴＲ面から見てその後ろ側に平坦化層４７ｂを形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチング法等を用いた公知の方法によって、磁気ギャップ層４４ｂの上にコイル層４４ｃ、コイル層４４ｃを覆うようにコイル絶縁層４４ｄ及び上部磁極層４４ｆを形成する。以上の工程によって、誘導型電磁変換素子４４の形成が完了する。さらに、次工程である発熱体４６の形成に備えて、平坦化したオーバーコート層４７ｃを形成する（図１１（Ｃ））。

次いで、図１１（Ｄ）に示すように、発熱部４６を構成する発熱部４６ａと、引き出し電極４６ｂ及び４６ｃが、例えばスパッタリング法によって、オーバーコート層４７ｃ上において所定の位置に形成される。この位置は、発熱部４６ａのＰＴＲ面５１側の端からＰＴＲ面５１までの距離Ｄ_ｈが所定範囲内の値となるように決定される。最後に、発熱体４６を覆うオーバーコート層４８が形成される（図１１（Ｅ））。

図１２は、図１の実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路１３の回路構成を示すブロック図である。また、図１３は、図１の実施形態における磁気ディスク装置の発熱体制御回路の構成を示すブロック図である。

図１２において、９０は記録再生制御ＬＳＩであり、サーマルアスペリティ（ＴＡ）検出回路９０ａを含む。９１は記録再生制御ＬＳＩ９０から記録データを受け取るライトゲート、９２はライト回路、９３は、発熱体への電流値の制御用テーブル等を格納するＲＯＭ、９５は磁気抵抗効果素子４２へセンス電流を供給する定電流回路、９６は磁気抵抗効果素子４２の出力電圧を増幅する増幅器、９７は記録再生制御ＬＳＩ９０に対して再生データを出力する復調回路、９８は、温度検出器、９９は発熱体４６の制御回路をそれぞれ示している。

記録再生制御ＬＳＩ９０から出力される記録データは、ライトゲート９０に供給される。ライトゲート９０は、記録再生制御ＬＳＩ９０から出力される記録制御信号が書き込み動作を指示するときのみ、記録データをライト回路９２へ供給する。ライト回路９２は、この記録データに従ってコイル層４４ｃに書き込み電流を流し、誘電型電磁変換素子４４により磁気ディスク１０（図１）上に記録を行う。

記録再生制御ＬＳＩ９０から出力される再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、定電流回路９５から磁気抵抗効果層４２ｃに定電流が流れる。この磁気抵抗効果素子４２により再生された信号は増幅器９６で増幅された後、復調回路９７で復調され、得られた再生データが記録再生制御ＬＳＩ９０に出力される。

本実施形態における発熱体制御回路９９は、図１３に示すような構成となっている。すなわち、発熱体４６の発熱部４６ａに、直流定電圧回路９９ａ、スイッチングトランジスタ９９ｂ及び可変抵抗器９９ｃによる直列回路が接続されている。記録再生制御ＬＳＩ９０から出力される発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号は、スイッチングトランジスタ９９ｂに供給される。また、記録再生制御ＬＳＩ９０から出力される発熱体電流値制御信号は、Ｄ／Ａ変換器９９ｄにおいてアナログ信号に変換された後、可変抵抗器９９ｃに供給される。

発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、スイッチングトランジスタ９９ｂがオンとなって電流が発熱体４６の発熱部４６ａに流れる。この際の電流値は、可変抵抗器９９ｃにおいて、アナログに変換された発熱体電流値制御信号に応じた値に制御される。

このように、記録／再生動作制御信号系とは独立して、発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号及び発熱体電流値制御信号系を設けることによって、記録再生動作に連動した発熱体への通電のみならず、より多様な通電モードを実現することができる。

実際の動作においては、発熱体４６の発熱部４６ａに、所定の通電モードに対応した電流が流れる。この電流によって、この発熱体４６の部分及びその周囲が加熱されて熱膨張し、誘電型電磁変換素子４４及び磁気抵抗効果素子４２がＰＴＲ面５１方向にわずかに突出する。これにより、ｄ_ＭＳを書き込み動作時及び読み出し動作時にのみ小さくすることができる。このように、磁気ヘッド素子の動作時にのみｄ_ＭＳを小さくすることにより、磁気ディスク表面にスライダが衝突するクラッシュの確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号書き込み能力及び／又は信号読み出し能力の低下を補い、記録ビットの微小化に伴う信号磁界の微弱化に対応することができる。このｄ_ＭＳ値は、発熱部４６ａに流れる電流を制御する発熱体電流値制御信号により精度良く調整することができる。

なお、記録再生回路１３の回路構成は、図１１及び図１２に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録制御信号及び再生制御信号以外の信号で書き込み動作及び読み出し動作を特定しても良い。また、少なくとも書き込み動作時及び読み出し動作時の両方で発熱体４６を発熱させることが望ましいが、書き込み動作時若しくは読み出し動作時の一方でのみ、又は書き込み動作及び読み出し動作が連続する一定期間内において継続して発熱体４６を発熱させることも可能である。さらに、発熱体４６に通電する電流として、直流だけではなく、交流又はパルス電流等を用いることも可能である。

以下、発熱体４６への通電モードの一実施形態について説明する。

最初に、ｄ_ＭＳを制御する発熱体への供給電力の初期設定について説明する。一般に、個々の薄膜磁気ヘッドのｄ_ＭＳ値はばらつきを示す。そこで、まず磁気ディスクの最内周トラックにおいて再生データ中のＡＥ（Acoustic emission）成分をＴＡ検出回路９０ａによって検出し、基準範囲以上のＡＥ（Acoustic emission）が発生する電流量まで発熱体４６に通電し、限界電流量を決定する。この電流量をＲＯＭ９３に記録しておく。最内周トラックを使用する理由は、シーク時のｄ_ＭＳが最内周において最も小さいため、電流量の上限の基準となるからである。その後、ＲＯＭ９３に記録された一般的な「電流ｖｓＴＰＴＰ突出量」のテーブルを用いて、所望のｄ_ＭＳとなる電流量を設定する。

次いで、磁気ディスク装置の通常運転時における電力供給について説明する。まず、上記の設定された電流量を発熱体４６に通電した状態において、書き込み及び読み出しを行う。ここで、ＡＥの発生量が基準範囲内ならばそのまま動作させる。基準範囲を超える場合、所定の単位だけ電流量を減少させ、引き続きＡＥ発生量をモニタする。以後、このサイクルを繰り返す。この際、所定の繰り返し回数を経てもＡＥ発生量が基準範囲を超えている場合には、ヘッドの浮上状態が不安定であるか、又はクラッシュの前兆であるとして、使用停止等のフラッグをホストＣＰＵに通知する。

次いで、ｄ_ＭＳの温度補償について説明する。スライダは流体力学的に浮上するため、ｄ_ＭＳは装置内部の温度の影響を受ける。さらに、ＴＰＴＰ現象による磁気ヘッド素子の突出量もバックグランドとなる装置内部の温度の影響を受ける。そこで、ＲＯＭ９３に、温度検出器９８（例えば、抵抗型センサ）の特性及びＴＰＴＰ突出量に基づく「装置内部の温度ｖｓｄ_ＭＳ変化」のテーブルを記憶させておき、温度検出器９８によって温度をモニタする。装置内部の温度に対応して、このテーブルを参照して電流量を調整し、一定のｄ_ＭＳを確保する。

次いで、ｄ_ＭＳの他の要因による補償について説明する。ｄ_ＭＳは、装置内の気圧変化又は外的振動によっても変動する。しかしながら、通常、磁気ディスク装置内に気圧センサ又は振動センサは設置されていない。そこで、まず、装置内部の温度に基づいてｄ_ＭＳの調整を行う。この調整後、ＡＥの発生量がなお基準範囲外となる場合、気圧変化又は振動等によるｄ_ＭＳの変動とみなして、第１の所定量だけ発熱体に供給する電流を減少させる。ここで、ＡＥ発生量がなお基準範囲外であれば、第２の所定量だけ電流を減少させる。以後、このサイクルを繰り返す。この際、所定の繰り返し回数を経てもＡＥ発生量が基準範囲を超える場合には、ヘッドの浮上状態が不安定であるか、又はクラッシュの前兆であるとして、使用停止等のフラッグをホストＣＰＵに通知する。

さらにｄ_ＭＳは、磁気ディスク内での位置によっても変動する。これは、同一回転数においても内周側と外周側では媒体移動速度が異なるためである。そこで、磁気ディスク内での記録再生位置の半径に応じて、発熱体に供給される電流を微調整してｄ_ＭＳの一定化を図ることができる。

さらに、カーナビ等、車載用装置等での使用においては、強い振動モード（ＡＥ頻度モード）として、通電を退避モードに設定し、ｄ_ＭＳを十分に大きくする措置をとることができる。

次いで、発熱体４６によって引き起こされたＴＰＴＰ現象に対する、シールド長Ｌ_ｓｈ及びシールド層に設けられたスリット部の位置の影響について説明する。

図４及び図５において、発熱体４６は、通電によって発熱し、オーバーコート層４７及び４８の近傍部分に熱を供給する。その結果、オーバーコート層４７及び４８は熱を蓄積し、その温度分布に合わせて熱膨張する。この熱膨張によって、磁気抵抗効果素子４２及び誘電型電磁変換素子４４が磁気ディスク表面５２方向に押し出され、ＰＴＲ面５１が突出してｄ_ＭＳが小さくなる。この際、ｄ_ＭＳの低下量は、発熱体４６に供給される電流量によって制御可能となる。

ここで、発熱体４６から発生する熱は、上下部シールド層４２ｆ及び４２ａ、並びに上下部磁極層４４ａ及び４４ｆへも、発熱体４６との位置関係に応じた量だけ伝搬する。上述したように、これらの磁極層及びシールド層は一般にＮｉＦｅ等の金属材料で構成されており、その熱伝導率は絶縁材料で構成されているオーバーコート層よりも高い。従って、例えば発熱体４６から伝搬して上下部シールド層４２ｆ及び４２ａで受け止められた熱は、両シールド層の間に挟まれた磁気抵抗効果層４２ｃにより積極的に伝わってしまう。その結果、このような熱量が多くなると磁気抵抗効果層４２ｃの温度を許容限度以上に上昇させ、磁気抵抗効果素子４２の読み出し能力を低下させてしまう。

このような読み出し能力の低下を防止する手段として、図４に示した第１の実施形態においては、発熱体４６の距離Ｄ_ｈに対して、両シールド層のシールド長Ｌ_ｓｈを調整する。すなわち、両シールド層が発熱体４６から受け取る熱量は、両シールド層と発熱体４６との位置関係に応じて変化するので、シールド長Ｌ_ｓｈと発熱体４６の位置を規定しているＤ_ｈとの関係を調整することによって受け取る熱量を制限することができる。

さらに図５に示した第２の実施形態においては、シールド層にスリット部４２ｇを設けて、発熱体４６の位置Ｄ_ｈに対して、ＰＴＲ面からスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔを調整する。すなわち、両シールド層にスリット部４２ｇを設けることによって、シールド層内の熱伝導に抵抗を与え、磁気抵抗効果層４２ｃに達する熱量を制限する。ここで、磁気抵抗効果層４２ｃに伝搬する熱量は、両シールド層に設けられたスリット部４２ｇの位置によって変化するので、スリット部の位置を規定しているＤ_slitと発熱体４６の位置を規定しているＤ_ｈとの関係を調整することによって伝搬する熱量を制限することができる。

図１４は、第１の実施形態における薄膜磁気ヘッドのシールド長Ｌ_ｓｈと、磁気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇の比との関係を示した図である。縦軸は、突出量（ｎｍ）／温度上昇分（℃）であり、シミュレーションによる値である。この値が大きくなるほど、小さな熱供給量で大きな突出が発生しており、ＴＰＴＰ現象の熱効率が高くなっていることになる。ここで、発熱体４６への供給電力は１００ｍＷであり、距離Ｄ_ｈは５０．０μｍである。また、下部磁極層４４ａのポール長Ｌ_ｐは２５．０μｍである。

図１４において、グラフ曲線は、シールド長Ｌ_ｓｈが５０μｍ（＝Ｄ_ｈ）の付近に変曲点を有しており、この点以下のシールド長領域において大きな突出量／温度上昇分が得られている。すなわちシールド長Ｌ_ｓｈが発熱体の距離Ｄ_ｈ以下である場合に、ＴＰＴＰ現象の熱効率が高くなっていることがわかる。この原因を考察すると、シールド長Ｌ_ｓｈが、ＰＴＲ面から発熱体４６までの距離Ｄ_ｈ以下の値である場合、発熱体４６のスライダ基板と対向する面と、上部シールド層のスライダ基板とは反対側の面とは、重なり合って対向する部分を有さない。さらに、発熱体４６は、ＰＴＲ面に面した磁気抵抗効果層４２ｃからは所定の距離以上離隔している。その結果、発熱体４６から磁気抵抗効果層４２ｃへの熱の伝搬が抑制され、磁気抵抗効果素子４２ｃの温度上昇が抑制されることによって、突出量／温度上昇分が大きな値をとることになる。

一方、磁気抵抗効果層４２ｃを誘電型電磁変換素子４４及び磁気ディスク表面５２等の外部より発生する磁界から遮蔽する機能を確保するため、シールドＬ_ｓｈは少なくともＬ_ｐ以上の値としなければならない。シールド長Ｌ_ｓｈが磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上の値であれば、両シールド層が、誘電型電磁変換素子４４及び磁気ディスク表面５２等の外部から発生する磁界を磁気抵抗効果層４２ｃに達する手前で遮蔽する効果を十分に発揮することができる。

以上の結果及び考察により、シールド長Ｌ_ｓｈを、Ｄ_ｈ≧Ｌ_ｓｈの関係を満たす値に設定することにより、両シールド層が十分な熱伝導抑制効果を発揮し、さらにＤ_ｈ≧Ｌ_ｓｈ≧Ｌ_ｐの関係を満たす値に設定することにより、両シールド層が、十分な熱伝導抑制効果及び磁界遮蔽効果を発揮することがわかる。

図１５は、両シールド層にスリット部を設けた第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける、シールド長Ｌ_ｓｈと、磁気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇分の比との関係を示した図である。スリット部を設けない第１の実施形態のグラフ曲線（図１４）を比較として併せて示している。ＰＴＲ面からスリット部４２ｇまでの距離Ｄ_ｓｌｉｔは２５．０μｍである。またスリット部４２ｇの間隙幅は５．０μｍである。ここで、第２の実施形態のシールド長Ｌ_ｓｈは、スリット部４２ｇの間隙分を含めたシールド端間の距離としている。その他の条件は、図１４と同じである。

同図によると、両シールド層にスリット部４２ｇが設けられた構成においては、同じシールド長Ｌ_ｓｈであってスリット部がない構成と比較して、より大きな突出量／温度上昇分が得られている。従って、スリット部４２ｇを設けることによって、ＴＰＴＰ現象の熱効率が高くなっていることがわかる。

ここで、スリット部４２ｇが設けられている場合のグラフ曲線には、スリット部が無い場合のグラフ曲線に見られるような変曲点が存在しない。これは、スリット部が、発熱体よりもＰＴＲ面に近い位置（Ｄ_ｓｌｉｔ＝２５．０μｍ）にあるために、発熱体からの熱の伝搬がこのスリット部において大きく制限されるので、シールド長Ｌ_ｓｈと発熱体４６の距離Ｄ_ｈとの関係における臨界的影響が打ち消されるためと考えられる。逆に見れば、第１の実施形態のグラフ曲線（図１４）の変曲点は、シールド長Ｌ_ｓｈと発熱体４６の距離Ｄ_ｈとの関係における臨界的効果であることが明確となる。

図１６は、両シールド層にスリット部を設けた第２の実施形態における、スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔと、磁気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇分の比との関係を示した図である。スリット部の間隙幅を含めたシールド長Ｌ_ｓｈは１６０μｍである。また、スリット部４２ｇの間隙幅は５．０μｍである。その他の条件は、図１４と同じである。

同図によれば、グラフ曲線は、シールド長Ｌ_ｓｈが、５０μｍ（＝Ｄ_ｈ）の付近に変曲点を有しており、この点以下のシールド長領域において大きな突出量／温度上昇分が得られている。すなわちスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔがＤ_ｈ以下である場合に、ＴＰＴＰ現象の熱効率が高くなっていることがわかる。この原因を考察すると、スリット部の距離Ｄ_ｓｌｉｔが、発熱体の距離Ｄ_ｈ以下の値である場合、発熱体のスライダ基板と対向する面と、スリット部によって分離された両シールド層のうち磁気抵抗効果素子側の部分におけるスライダ基板とは反対側の面とは、重なり合って対向する部分を有さない。さらに、発熱体は、ＰＴＲ面に面した磁気抵抗効果層からは所定の距離以上離隔している。従って、発熱体からの熱を受け取るのは、主にスリット部によって分離された両シールド層のうちＰＴＲ面から遠い方の部分となり、ＰＴＲ面側の部分には熱が伝搬しにくくなる。その結果、発熱体から読み出し用の磁気抵抗効果層への熱の伝搬が抑制され、磁気抵抗効果素子の温度上昇が抑制されることによって、突出量／温度上昇分が大きな値をとることになる。

一方、磁気抵抗効果層を誘電型電磁変換素子４４及び磁気ディスク表面５２等の外部より発生する磁界から保護する機能を確保するため、スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔは少なくともＬ_ｐ以上の値としなければならない。スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上の値であれば、スリット部によって分離された両シールド層のうちＰＴＲ面側（すなわち磁気抵抗効果素子側）の部分が、誘電型電磁変換素子４４及び磁気ディスク表面５２等の外部より発生する磁界を磁気抵抗効果層に達する手前で有効に遮蔽することができる。

以上の結果及び考察により、両スリット層までの距離Ｄ_ｓｌｉｔを、Ｄ_ｈ≧Ｄ_ｓｌｉｔの関係を満たす値に設定することにより、両シールド層が十分な熱伝導抑制効果を発揮し、さらにＤ_ｈ≧Ｄ_ｓｌｉｔ≧Ｌ_ｐの関係を満たす値に設定することにより、両シールド層が、十分な熱伝導抑制効果及び磁界遮蔽効果を発揮することがわかる。

以下に、スリット部が無い第１の実施形態とスリット部が設けられた第２の実施形態とにおける、ＴＰＴＰ現象で見られる効果の相違点について述べる。

図１７は、スリット部が無い第１の実施形態、及びスリット部が設けられた第２の実施形態における典型的な３つの構成を示している。図１７（Ａ）及び（Ｂ）は第１の実施形態に含まれる構成であり、図１７（Ｃ）は第２の実施形態に含まれる構成である。これらの構成の各々において、Ｄ_ｈ＝５０．０μｍ、Ｌ_ｐ＝２５．０μｍであり、何れの構成も、上述したＬ_ｓｈ及びＤ_ｓｌｉｔの条件である、Ｄ_ｈ≧Ｌ_ｓｈ≧Ｌ_ｐ及びＤ_ｈ≧Ｄ_ｓｌｉｔ≧Ｌ_ｐの関係を満たしている。なお、図１７（Ｃ）の構成においては、スリット部の間隙幅を含めたシールド長Ｌ_ｓｈが５０μｍとなっている。

表１に、これらの構成における、誘電型電磁変換素子の自身の発熱による突出量、及び発熱体による磁気抵抗効果素子の突出量／温度上昇分を示している。何れの値もシミュレーション値であり、図１７（Ａ）の構成での値を１００としたときの比率となっている。

ここで、誘電型電磁変換素子の突出量は、発熱体への電力供給はせず、誘電型電磁変換素子のコイル層に周波数３００ＭＨｚの電流４０ｍＡを印加した場合の量である。すなわち、誘電型電磁変換素子自身からの発熱のみによる突出量である。この突出量は、一般に、発熱体による突出量に比べて数分の１程度の大きさであるが、この突出現象の電力投入からの反応時間は、０．１ミリ秒のオーダであり、発熱体による突出現象の反応時間（ミリ秒オーダ）に比べて短い。そのため発熱体への投入電力によってｄ_ＭＳを適時に制御するという目的からすると、この誘電型電磁変換素子の突出量はできるだけ小さい方が良い。さらに、この突出量を小さくすることによって、発熱体によるｄ_ＭＳ制御の際の調整マージンを大きくとることもできる。

表１において、構成Ａでの値を基準に考えると、構成Ｂでは、Ｌ_ｓｈを小さくした分だけ磁気抵抗効果素子の突出量／温度上昇分が大きくなり、発熱体によるＴＰＴＰ現象の熱効率が高くなっている。しかしながら、誘電型電磁変換素子の自身の発熱による突出量も１６％増大している。一方、構成Ａと同一長のシールド層にスリット部を設けた構成Ｃでは、発熱体によるＴＰＴＰ現象の熱効率も良くなり、誘電型電磁変換素子の自身の発熱による突出量は、構成Ｂに比べると抑制されている。従って、制御の目的及び状況に応じて、スリット部が無い第１の実施形態又はスリット部が設けられた第２の実施形態のいずれかを選択することにより、十分な熱効率を有しながら、ｄ_ＭＳの制御において必要なだけの調整マージンと追随性を有する薄膜磁気ヘッドを実現することができる。スリット部を設けることで発熱体の温度が磁気抵抗効果素子に伝わりにくくなり熱効率が良くなる。（磁気抵抗効果素子の温度上昇を抑制できる。）

ここで、スリット部を有する構成Ｃにおいて誘電型電磁変換素子の突出量が抑制される理由として、スリット部によってシールド長方向に分離されたシールド層の部分のうち、ＰＴＲ面とは反対側の部分が、誘電型電磁変換素子の発熱分を吸収するヒートシンクとしての役割を果たすことが考えられる。

従って、このようなスリット部を設けることは、スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔに相当するシールド長Ｌ_ｓｈを有するシールド層と、このシールド層に近接して連なったヒートシンク層とを構成することに等しい。従って、このようなシールド層及び近接するヒートシンク層の構成も、本発明の範囲内に帰属するといえる。

また、１つのシールド層につき、上述の条件を満たす複数個のスリット部を設けた場合においても、上述した十分な熱伝導抑制効果及び磁界遮蔽効果を発揮することは明らかである。

さらに、本発明は、発熱体を備えた長手磁気記録用の薄膜磁気ヘッドだけではなく、発熱体を備えた垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドにおいても実施可能であることは明らかである。すなわち、第１及び第２の実施形態において、誘電型電磁変換素子が垂直磁気記録に対応した構造を有していても、発熱体が発する熱に対するシールド長及びスリット部の効果は上述した内容と全く同様である。さらに、誘電型電磁変換素子自身の発する熱及び磁界に対する効果も同様になることは明らかである。

さらに、以上に述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

本発明による磁気ディスク装置の一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。 図１の実施形態におけるＨＧＡ全体を表す斜視図である。 図１の実施形態におけるＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。 本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施形態における概略的な構成を示す図である。 本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施形態における概略的な構成を示す図である。 第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドをスライダ基板の素子形成面側から透視的に見た平面図である。 第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を示す、図６のＡ−Ａ線での断面図である。 第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を示す、図６のＢ−Ｂ線での断面図である。 第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの発熱体の構成を示す図である。 発熱体の電極パッド部の構成を示す、図６のＣ−Ｃ線での断面図である。 第１及び第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。 図１の実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成を示すブロック図である。 図１の実施形態における磁気ディスク装置の発熱体制御回路の構成を示すブロック図である。 第１の実施形態における薄膜磁気ヘッドのシールド長Ｌ_ｓｈと、磁気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇の比との関係を示した図である。 第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける、シールド長Ｌ_ｓｈと、磁気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇分の比との関係を示した図である。 第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける、スリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔと、気抵抗効果層のＴＰＴＰ現象による突出量及び温度上昇分の比との関係を示した図である。 第１及び第２の実施形態における典型的な３つの構成を示した図である。

符号の説明

１０ 磁気ディスク
１１ スピンドルモータの回転軸
１２ アセンブリキャリッジ装置
１３ 記録再生回路
１４ 駆動アーム
１５ ボイスコイルモータ
１６ ピボットベアリング軸
１７ ＨＧＡ
２０ サスペンション
２１、４０ スライダ基板
２２ ロードビーム
２３ フレクシャ
２４ ベースプレート
２５ 配線部材
３０ 書き込み及び読み出し磁気ヘッド素子
３１ 信号端子電極
３２ 駆動端子電極
３３ 素子形成面
３４、５０ 浮上面
４１、４３、４６ｂ 絶縁層
４２ 磁気抵抗効果素子
４２ａ 下部シールド層
４２ｂ 下部シールドギャップ層
４２ｃ 磁気抵抗効果層
４２ｄ 素子リード導体層
４２ｅ 上部シールドギャップ層
４２ｆ 上部シールド層
４２ｇ スリット部
４４ 誘導型電磁変換素子
４４ａ 下部磁極層
４４ｂ 磁気ギャップ層
４４ｃ コイル層
４４ｄ コイル絶縁層
４４ｅ コイルリード導体層
４４ｆ 上部磁極層
４６ 発熱体
４６ａ 発熱部
４６ｂ、４６ｃ 引き出し電極
４７、４７ｃ、４８ オーバーコート層
４７ａ、４７ｂ 平坦化層
５１ ＰＴＲ面
５１ａ，５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ 突出したＰＴＲ面
５２ 磁気ディスク表面
６０ 始点
６１ 折り返し点
６２ 終点
６６ 上り部
６７ 下り部
７０、７２、７３ 間隔
７４、７５ 接続部
８０ｂ、８０ｃ 電極膜部材
８１ｂ、８１ｃ バンプ
８２ｂ、８２ｃ パッド
９０ 記録再生制御ＬＳＩ
９０ａ ＴＡ検出回路
９１ ライトゲート
９２ ライト回路
９３ ＲＯＭ
９５ 定電流回路
９６ 増幅器
９７ 復調回路
９８ 温度検出器
９９ ヒータ制御回路
９９ａ 直流定電圧回路
９９ｂ スイッチングトランジスタ
９９ｃ 可変抵抗器
９９ｄ Ｄ／Ａ変換器

Claims (18)

1. 基板と、該基板上に設けられたシールド部を有する少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子と、該少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子の前記基板とは反対側の位置に設けられ、磁極部を有する少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子と、該少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子及び前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子を覆うように前記基板上に形成されたオーバーコート層と、該オーバーコート層内に設けられており、前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる少なくとも１つの発熱体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記シールド部内に、前記シールド部を構成する材料よりも熱伝導率の低い材料から構成されていてシールド部をシールド長方向に分離させる少なくとも１つのスリット部が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記シールド部が面しているヘッド端面から前記少なくとも１つのスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが、該ヘッド端面から前記少なくとも１つの発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記シールド部が面しているヘッド端面から前記少なくとも１つのスリット部までの距離Ｄ_ｓｌｉｔが、前記磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記シールド部が、下部シールド層と、該下部シールド層の前記基板側とは反対側に積層された上部シールド層とを備えており、前記少なくとも１つのスリット部が、前記下部シールド層及び該上部シールド層のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記ヘッド端面から前記下部シールド層及び前記上部シールド層のそれぞれに設けられたスリット部までの距離ＬＤ_ｓｌｉｔ及びＵＤ_ｓｌｉｔが等しいことを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 基板と、該基板上に設けられたシールド部を有する少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子と、該少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子の前記基板とは反対側の位置に設けられ、磁極部を有する少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子と、該少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子及び前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子を覆うように前記基板上に形成されたオーバーコート層と、該オーバーコート層内に設けられており、前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる少なくとも１つの発熱体とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記シールド部のシールド長Ｌ_ｓｈが、前記シールド部が面しているヘッド端面から前記少なくとも１つの発熱体までの距離Ｄ_ｈ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
7. 前記シールド長Ｌ_ｓｈが、前記磁極部のポール長Ｌ_ｐ以上であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 前記シールド部が、下部シールド層と、該下部シールド層の前記基板とは反対側に積層された上部シールド層とを備えており、前記シールド長Ｌ_ｓｈが、前記下部シールド層の下部シールド長ＬＬ_ｓｈと該上部シールド層の上部シールド長ＵＬ_ｓｈとのうち、小さくない方に等しいことを特徴とする請求項６又は７に記載の薄膜磁気ヘッド。
9. 前記磁極部が、下部磁極層と、該下部磁極層と磁気的に接続されており前記下部磁極層の前記基板とは反対側に積層された上部磁極層とを備えており、前記磁極部のポール長Ｌ_ｐが、前記下部磁極層におけるポール長ＬＬ_ｐであることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
10. 前記少なくとも１つの発熱体が、前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の前記基板とは反対側の位置に設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 前記少なくとも１つの発熱体が、前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子又は前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の前記シールド部が面しているヘッド端面とは反対側の位置に設けられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子が、巨大磁気抵抗効果素子又はトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 請求項１から１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドの前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子への信号線と、前記薄膜磁気ヘッドの前記少なくとも１つの発熱体に電流を供給するためのリード線と、前記薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
14. 請求項１３に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも１つ備えており、前記少なくとも１つの発熱体へ供給する電流を制御する電流制御手段をさらに備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
15. 前記電流制御手段が、前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び／又は前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に前記少なくとも１つの発熱体へ電流を供給する制御手段であることを特徴とする請求項１４に記載の磁気ディスク装置。
16. 前記電流制御手段が、発熱体制御信号系を有しており、該発熱体制御信号系が前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子及び／又は前記少なくとも１つの書き込み磁気ヘッド素子の動作制御信号系とは独立して、前記発熱体に供給される電流を制御することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の磁気ディスク装置。
17. 前記電流制御手段が、前記少なくとも１つの読み出し磁気ヘッド素子からの再生データ信号中に含まれているアコースティックエミッション成分を検出する検出手段を有しており、該検出手段によって検出された該成分の検出量に応じて前記発熱体に供給される電流を制御することを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
18. 前記電流制御手段が、前記磁気ディスク装置内の温度を検出する温度検出手段を有しており、該温度検出手段によって検出された該温度に応じて前記発熱体に供給される電流を制御することを特徴とする請求項１４から１７のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
    

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