JP2003272335A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

磁気ディスク装置

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JP2003272335A
JP2003272335A JP2002069139A JP2002069139A JP2003272335A JP 2003272335 A JP2003272335 A JP 2003272335A JP 2002069139 A JP2002069139 A JP 2002069139A JP 2002069139 A JP2002069139 A JP 2002069139A JP 2003272335 A JP2003272335 A JP 2003272335A
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disk
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Miki Takahashi
幹 高橋
Atsushi Ito
淳 伊藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 サーマルアスペリティの発生を抑制しつつ、
高精度の記録再生が可能な磁気ディスク装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 磁気ヘッド40は、スライダ42および
このスライダに設けられたヘッド部44を備えている。
スライダおよびヘッドは、それぞれ磁気ディスク表面に
対向するディスク対向面50、52を有し、ヘッド部の
ディスク対向面は、スライダのディスク対向面よりも磁
気ディスク表面から離れて位置している。ヘッド部は、
ディスク対向面に少なくも一部が露出して設けられた記
録素子46および再生素子48と、記録、再生素子の近
傍に配設されディスク対向面が上記磁気ディスク表面に
接近する方向に熱膨張可能な熱膨張体54a、54b
と、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、磁気ディスク装置は、ケース内
に配設された磁気ディスクと、磁気ディスクを支持およ
び回転駆動するスピンドルモータと、磁気ディスクに対
して情報のリード/ライトを行う磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを磁気ディスクに対して移動自在に支持したキャリ
ッジアッセンブリと、を備えている。キャリッジアッセ
ンブリは、回動自在に支持されたアームと、アームから
延出したサスペンションとを備え、このサスペンション
に延出端に磁気ヘッドが支持されている。そして、磁気
ヘッドは、サスペンションに取り付けられたスライダ、
およびスライダに設けられたヘッド部を有し、ヘッド部
は、リード用の再生素子、ライト用の記録素子を含んで
構成されている。
【0003】磁気ディスク装置の動作時、スライダは、
サスペンションにより、回転する磁気ディスクの磁気記
録層に対し接触した状態あるいは僅かに浮上した状態に
支持され、また、磁気ヘッドの記録素子および再生素子
は、磁気記録層と所望の隙間、すなわち、磁気スページ
ングをもって保持される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような浮上式また
は接触記録式のスライダを備えた磁気ディスク装置で
は、磁気ディスクに対して信号記録を行う際、磁気ヘッ
ドの記録素子が発熱する。そのため、磁気ヘッドの記
録、再生素子近傍部分が磁気ディスク側に熱膨張する。
そして、この熱膨張量が大きい場合、磁気ヘッドが突き
出して磁気ディスク表面に接触した際に生じる熱によっ
て再生素子(MK素子)の抵抗が変化し異常信号(サー
マルアスペリティ)が発生する。磁気ヘッドが磁気ディ
スク表面に接触すると、異常信号の発生あるいは磁気ヘ
ッドの偏磨耗といった問題が生じる。近年、磁気ディス
クの高密度化に伴い、磁気ヘッドの浮上量が小さくな
り、サーマルアスペリティーが発生し易い。
【0005】そこで、従来、このようなサーマルアスペ
リティの発生を防止するため、磁気ディスク表面に対
し、磁気ヘッドを熱膨張時の突き出し量よりも離して配
置する、あるいは、磁気ヘッドが突き出しても記録再生
素子部近傍が磁気ディスク表面に接触しないようにスラ
イダの浮上高さを大きくする、といった対策がとられて
きた。
【0006】しかしながら、上記いずれの方法において
も、磁気ヘッドの熱膨張がない時、記録、再生素子と磁
気ディスク磁性膜との隙間が大きく、記録情報を高精度
に再生することが困難となる。
【0007】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、サーマルアスペリティの発生を抑制し
つつ、高精度の記録再生が可能な磁気ディスク装置を提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の態様に係る磁気ディスク装置は、磁気記
録層を有した磁気ディスクと、磁気ディスク表面に対抗
するディスク対向面を有したスライダと、上記スライダ
に設けられ、上記スライダのディスク対向面よりも上記
磁気ディスク表面から離れて位置したディスク対向面、
このディスク対向面に少なくとも一部が露出して設けら
れた上記磁気ディスクの磁気記録層に対し情報の記録再
生を行う記録素子および再生素子、ならびに上記記録素
子、再生素子の近傍に配設された上記ディスク対向面が
上記磁気ディスク表面に接近する方向に熱膨張可能な熱
膨張体を有したヘッド部と、を備えた磁気ヘッドと、上
記熱膨張体を加熱する発熱体と、上記磁気ヘッドのディ
スク対向面と磁気ディスク表面との隙間を検出する隙間
検出部と、上記隙間検出部により検出された隙間に応じ
て上記発熱体の発熱量を調整し、上記磁気ヘッドのディ
スク対向面と磁気ディスク表面との隙間を所望の値に制
御する隙間制御部と、を具備したことを特徴としてい
る。
【0009】また、この発明の他の態様に係る磁気ディ
スク装置は、磁気記録層を有した磁気ディスクと、磁気
ディスク表面に対抗するディスク対向面を有したスライ
ダと、上記スライダに設けられ、上記スライダのディス
ク対向面よりも上記磁気ディスク表面から離れて位置し
たディスク対向面、このディスク対向面に少なくとも一
部が露出して設けられた上記磁気ディスクの磁気記録層
に対し情報の記録再生を行う記録素子および再生素子、
ならびに上記記録素子、再生素子の近傍に配設された上
記ディスク対向面が上記磁気ディスク表面に接近する方
向に熱膨張可能な熱膨張体を有したヘッド部と、を備え
た磁気ヘッドと、上記熱膨張体を加熱する発熱体と、上
記磁気ヘッド近傍の温度に応じて上記発熱体の発熱量を
調整し、上記磁気ヘッドのディスク対向面と磁気ディス
ク表面との隙間を所望の値に制御する隙間制御部と、を
具備したことを特徴としている。
【0010】この発明の更に他の態様に係る磁気ディス
ク装置は、磁気記録層を有した磁気ディスクと、磁気デ
ィスク表面に対抗するディスク対向面を有したスライダ
と、上記スライダに設けられ、上記スライダのディスク
対向面よりも上記磁気ディスク表面から離れて位置した
ディスク対向面、このディスク対向面に少なくとも一部
が露出して設けられた上記磁気ディスクの磁気記録層に
対し情報の記録再生を行う記録素子および再生素子、な
らびに上記記録素子、再生素子の近傍に配設された上記
ディスク対向面が上記磁気ディスク表面に接近する方向
に熱膨張可能な熱膨張体を有したヘッド部と、を備えた
磁気ヘッドと、上記熱膨張体を加熱する発熱体と、上記
磁気ヘッドと上記磁気ディスクとの接触検知情報に応じ
て上記発熱体の発熱量を調整し、上記磁気ヘッドのディ
スク対向面と磁気ディスク表面との隙間を所望の値に制
御する隙間制御部と、を備えたことを特徴としている。
【0011】上記のように構成された磁気ディスク装置
によれば、ヘッド部のディスク対向面と磁気ディスク表
面との隙間、異常再生信号の有無、あるいは、ヘッド部
の温度に応じて熱膨張体を膨張させることにより、記
録、再生素子が磁気ディスク表面側に突き出すため、そ
の隙間(磁気スペーシング)を制御することができる。
よって、スライダのディスク対向面とヘッド部のディス
ク対向面とのレベルの差、つまり、段差の範囲内で磁気
スペーシングを最小に調整しつつ、磁気ヘッドと磁気デ
ィスク表面との接触に起因する異常信号の発生や偏磨耗
を抑制することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、この発
明に係る磁気ディスク装置をハードディスクドライブ
(以下、HDDと称する)に適用した実施の形態につい
て詳細に説明する。図1に示すように、HDDは、上面
の開口した矩形箱状のケース12と、複数のねじにより
ケースにねじ止めされケースの上端開口を閉塞する図示
しないトップカバーと、を有している。
【0013】ケース12内には、磁気記録媒体としての
2枚の磁気ディスク16(一方のみ図示する)、磁気デ
ィスクを支持および回転させる駆動手段としてのスピン
ドルモータ18、磁気ディスクに対して情報の書き込
み、読み出しを行なう複数の磁気ヘッド、これらの磁気
ヘッドを磁気ディスク16に対して移動自在に支持した
キャリッジアッセンブリ22、キャリッジアッセンブリ
を回動および位置決めするボイスコイルモータ(以下V
CMと称する)24、磁気ヘッドが磁気ディスクの最外
周に移動した際、磁気ヘッドを磁気ディスクから離間し
た退避位置に保持するランプロード機構25、およびヘ
ッドIC等を有する基板ユニット21等が収納されてい
る。
【0014】また、ケース12の底壁外面には、基板ユ
ニット21を介してスピンドルモータ18、VCM2
4、および磁気ヘッドの動作を制御する図示しないプリ
ント回路基板がねじ止めされている。
【0015】各磁気ディスク16は、直径65mm
(2.5インチ)に形成され、上面および下面に磁気記
録層を有している。そして、2枚の磁気ディスク16
は、スピンドルモータ18の図示しないハブの外周に嵌
合されているとともに、クランプばね17によって固定
保持されている。これにより、2枚の磁気ディスク16
は所定の隙間を置いて互いに同軸的に積層配置されてい
る。そして、スピンドルモータ18を駆動することによ
り、2枚の磁気ディスク16は一体的に所定の速度で回
転される。
【0016】キャリッジアッセンブリ22は、ケース1
2の底壁上に固定された軸受部26と、軸受部から延出
した複数のアーム32と、を備えている。これらのアー
ム32は、磁気ディスク16の表面と平行に、かつ、互
いに所定の間隔を置いて位置しているとともに、軸受部
26から同一の方向へ延出している。また、キャリッジ
アッセンブリ22は、弾性変形可能な細長い板状のサス
ペンション38を備えている。サスペンション38は、
板ばねにより構成され、その基端がスポット溶接あるい
は接着によりアーム32の先端に固定され、アームから
延出している。なお、各サスペンション38は対応する
アーム32と一体に形成されていてもよい。
【0017】図2に示すように、各磁気ヘッド40は、
ほぼ矩形状のスライダ42とこのスライダに設けられた
形成された記録再生用のMR(磁気抵抗)型のヘッド部
44とを有し、サスペンション38の先端部に設けられ
たジンバルばね41に固定されている。また、各磁気ヘ
ッド40は、サスペンション38に形成されたディンプ
ル43を介して磁気ディスク側に押し付ける荷重が付加
されている。
【0018】一方、図1に示すように、キャリッジアッ
センブリ22は、軸受部26からアーム32と反対の方
向へ延出した支持枠45を有し、この支持枠により、V
CM24の一部を構成するボイスコイル47が支持され
ている。支持枠45は、合成樹脂によりボイスコイル4
7の外周に一体的に成形されている。ボイスコイル47
は、ケース12上に固定された一対のヨーク49間に位
置し、これらのヨーク、および一方のヨークに固定され
た図示しない磁石とともにVCM24を構成している。
そして、ボイスコイル47に通電することにより、軸受
部26の回りでキャリッジアッセンブリ22が回動し、
磁気ヘッド40は磁気ディスク16の所望のトラック上
に移動および位置決めされる。
【0019】ランプロード機構25は、ケース12の底
壁に設けられているとともに磁気ディスク16の外側に
配置されたランプ51と、各サスペンション38の先端
から延出したタブ53と、を備えている。キャリッジア
ッセンブリ22が、磁気ディスク16の外側の退避位置
まで回動する際、各タブ53は、ランプ51に形成され
たランプ面と係合し、その後、ランプ面の傾斜によって
引き上げられ、磁気ヘッドのアンロード動作を行う。
【0020】次に、磁気ヘッド40の構成について詳細
に説明する。図2および図3に示すように、磁気ヘッド
40は、アルミナとチタンカーバイドとの混合物である
アルチックからなるスライダ42と、アルミナからなる
ヘッド部44と、を備えている。そして、ヘッド部44
は、チタン、鉄、アルミ等からなる記録素子46および
再生素子48が半導体技術により形成されている。
【0021】スライダ42はほぼ角柱状に形成され、磁
気ディスク16の表面に対向するほぼ平坦なディスク対
向面50を有している。同様に、ヘッド部44は、磁気
ディスク16の表面に対向するほぼ平坦なディスク対向
面52を有し、このディスク対向面52はスライダ42
のディスク対向面50よりも磁気ディスク表面から離れ
て位置し、段差Rを持って形成されている。この段差R
は、例えば、5nm程度に設定されている。
【0022】ヘッド部44において、記録素子46およ
び再生素子48は、互いに隣接して、かつ、その一端が
ディスク対向面52に露出した状態で設けられている。
記録素子46および再生素子48は、キャリッジアッセ
ンブリ22に設けられた配線を介してヘッドIC60、
制御部62に接続されている。そして、書込み信号は、
制御部62およびヘッドICを介して記録素子46に入
力され、再生素子48の読取出力は、ヘッドICを介し
て制御部62へ送られる。
【0023】また、ヘッド部44内において、記録素子
46の近傍には温度検知部68が設けられている。この
温度検知部68は、再生素子48および記録素子46近
傍の温度を検知して制御部62に入力する。
【0024】ヘッド部44内には、第1および第2熱膨
張体54a、54b、並びにこれらの熱膨張体をそれぞ
れ加熱する第1および第2発熱コイル56a、56bが
設けられている。第1および第2熱膨張体54a、54
bは、磁気ディスク16の回転方向Cに対して、記録素
子46および再生素子48の上流側および下流側に設け
られている。また、第1および第2熱膨張体54a、5
4bは、ディスク対向面52から僅かに離れて設けられ
ているとともに、磁気ディスク表面に接近する方向に熱
膨張可能に形成されている。これらの第1および第2熱
膨張体54a、54bは、例えば、ヘッド部44を形成
する際に用いるレジスト層によって構成されている。
【0025】発熱体として機能する第1および第2発熱
コイル56a、56bは、ディスク対向面52と反対側
で第1および第2熱膨張体54a、54bにそれぞれ隣
接して設けられている。また、第1および第2発熱コイ
ル56a、56bは、キャリッジアッセンブリ22に設
けられた配線を介して電源64および制御部62に電気
的に接続されている。そして、第1および第2発熱コイ
ル56a、56bは、制御部62による制御のもとで、
電源64から電流が供給される。なお、後述するよう
に、制御部62は、この発明における隙間検出部、隙間
制御部、通電制御部、および変換部を構成している。
【0026】一方、磁気ディスク16の表面は磁気記録
層66および保護膜層67が積層形成されている。そし
て、浮上型の磁気ヘッドにおいては、スライダ42は回
転する磁気ディスク16の表面に対しディスク対向面5
0が隙間Sを保って常に浮上し、接触型の磁気ヘッドで
は、スライダ42と磁気ディスク表面との隙間Sは0と
なる。また、再生素子48と磁気記録層66との隙間が
磁気スペーシングMsとなる。
【0027】上記のように構成されたHDDにおいて、
磁気ヘッド40のヘッド部44は、環境温度の上昇ある
いは記録動作時における記録素子46からの発熱により
膨張し、そのディスク対応面52が磁気ディスク16側
に突き出す。図4は、HDDの動作条件内で最大の突き
出しが生じたときの磁気ヘッド40を示している。ここ
で最大の突き出しとは、保証温度上限値における記録、
素子部近傍の突き出しAと信号記録時の温度上昇に伴う
記録、素子部近傍の突き出しBとの和で表される。
【0028】温度上昇に伴う最大突き出し量をHとする
と、接触型の磁気ヘッドでは、スライダ42とヘッド部
44との段差Rの深さをR>Hとすることにより、ヘッ
ド部44が突き出した状態で磁気ディスク16の表面に
接触することはない。また、浮上型の磁気ヘッドでは、
後述する隙間検出により、段差Rを再生素子48と磁気
記録層66との隙間以下に抑えれば良い。
【0029】前述したように段差Rを設定した場合、情
報読取時、つまり、情報再生時にはヘッド部44の突き
出しが環境温度による突き出しのみとなるため、磁気ス
ペーシングMsが大きくなくなり過ぎ、再生素子480
の再生出力が低下してしまう。また、信号記録時におい
ても、記録電流および環境温度の条件如何ではさらに磁
気スペーシングMsを小さくできる余地がある。
【0030】そこで、本実施の形態によれば、磁気ディ
スク16に対する情報の再生および記録動作開始時、ヘ
ッド部44に設けられた第1および第2発熱コイル56
a、56bに通電して第1および第2熱膨張体54a、
54bを選択的に膨張させ、ヘッド部のディスク対向面
52の突き出し量を調整することにより、磁気スペーシ
ングMsを最適に値、例えば、12〜15nmに調整し
ている。
【0031】図5(a)は、第1および第2発熱コイル
56a、56bに同時に通電して第1および第2熱膨張
体54a、54bを膨張させヘッド部44のディスク対
向面52を突き出させた状態を示している。突き出した
ディスク対向面52は、図5(b)に示す第1発熱コイ
ル56aのみに通電して得られるディスク対向面52の
突き出しと、図5(c)に示す第2発熱コイル56bの
みに通電して得られるディスク対向面52の突き出した
との和に相当している。
【0032】ディスク対向面52の突き出し量の調整、
つまり、磁気スペーシングMsの調整は以下の動作によ
り行う。磁気ディスク16に対して情報の記録、再生を
行う際、まず、温度検知部68で再生素子48および記
録素子46近傍の温度を検知し、制御部62へ入力す
る。制御部62は、情報再生時に予め測定された第1お
よび第2熱膨張体54a、54bの膨張に伴うディスク
対向面52の突き出し量と第1および第2発熱コイル5
6a、56bへの通電量との関係、並びに第1および第
2発熱コイル56a、56bへの通電量と温度検知部6
8近傍の温度との関係を保持している。そして、制御部
62は、これらの関係に基づいて、入力された温度を第
1および第2熱膨張体54a、54bの膨張に伴うディ
スク対向面52の突き出し量、すなわち磁気スペーシン
グMsに変換し、予め設定されている基準レベルと比較
する。
【0033】そして、制御部62は、温度情報を変換し
て得られた磁気スペーシングが基準レベルより大きい場
合、電源64から第1および第2発熱コイル56a、5
6bに通電して発熱させ、第1および第2熱膨張体54
a、54bを膨張させる。これにより、ヘッド部44の
ディスク対向面52が磁気ディスク表面側に突き出し、
磁気スペーシングMsを低減する。
【0034】逆に、温度情報を変換して得られた磁気ス
ペーシングが基準レベルより小さい場合、制御部62
は、電源64から第1および第2発熱コイル56a、5
6bに通電量を低減して発熱量を低くし、第1および第
2熱膨張体54a、54bの膨張量を低減させる。これ
により、ヘッド部44のディスク対向面52の突き出し
量が低減し、磁気スペーシングMsを増大する。
【0035】このように、制御部62は、温度情報を変
換して得られた磁気スペーシングが基準レベルと一致す
るように、すなわち磁気スペーシングMsが最適値とな
るように、第1および第2発熱コイル56a、56bへ
の通電量を調整して第1および第2熱膨張体54a、5
4bの膨張量を制御する。そして、上記のようにして磁
気ヘッド40の磁気スペーシングMsを最適値に調整し
た後、磁気ディスク16に対して所望の記録および再生
動作を行う。
【0036】なお、情報記録動作中には記録素子46が
発熱しディスク対向面52の突き出し量が増加するた
め、情報記録時に予め測定された第1および第2熱膨張
体54a、54bの膨張に伴うディスク対向面52の突
き出し量と第1および第2発熱コイル56a、56bへ
の通電量との関係、並びに第1および第2発熱コイル5
6a、56bへの通電量と温度検知部68近傍の温度と
の関係を用い、発熱コイル56a、56bへの通電量を
制御し、磁気スペーシングMsを最適値に維持する。
【0037】ここで、上記の実施形態では、上記温度検
知部68は再生素子48および記録素子46近傍に配置
され温度を検知するとしたが、上記制御部62が有する
温度検知部における検出温度と磁気ヘッド40の磁気ス
ペーシングMsとの関係を互いに変換できれば、再生素
子48および記録素子46の近傍以外に配置することも
可能である。
【0038】また、上述したディスク対向面52の突き
出し量の調整、つまり、磁気スペーシングMsの調整は
以下の形態によって実施してもよい。磁気ディスク16
に対して情報の記録、再生を行う際、まず制御部62は
第1および第2発熱コイル56a、56bに対してある
値の通電を行う。次に、再生素子48で読み取る再生信
号のうち磁気ヘッド40と磁気ディスク16との接触に
伴う異常信号(サーマルアスペリティ)の有無を検出す
る。
【0039】ここで、異常信号が検出されると、制御部
62は、磁気ヘッド40と磁気ディスク16とが接触し
ていると判断し、第1および第2発熱コイル56a、5
6bに対してある値の通電量を低減する。それに伴い第
1および第2熱膨張体54a、54bの膨張量が低減
し、磁気ヘッド40と磁気ディスク16との隙間が増大
する。逆に、異常信号が検出されない場合、制御部62
は、第1および第2発熱コイル56a、56bに対して
ある値の通電量を増加する。それに伴い第1および第2
熱膨張体54a、54bの膨張量が増大し、磁気ヘッド
40と磁気ディスク16との隙間を減少させる。
【0040】このように、制御部62は、異常再生信号
の有無を検知して得られる接触検知情報に基づき、磁気
スペーシングMsが最適値となるように、第1および第
2発熱コイル56a、56bへの通電量を調整して第1
および第2熱膨張体54a、54bの膨張量を制御す
る。そして、上記のようにして磁気ヘッド40の磁気ス
ペーシングMsを最適値に調整した後、磁気ディスク1
6に対して所望の記録および再生動作を行う。
【0041】更に、ディスク対向面52の突き出し量の
調整、つまり、磁気スペーシングMsの調整については以
下の形態により行うことも可能である。すなわち、磁気
ディスク16に対して情報の記録、再生を行う際、ま
ず、再生素子48により磁気ディスク16の記録層66
から情報を読み取り、その再生信号を制御部62へ入力
する。すると、制御部62は、入力された再生信号の出
力レベルを予め設定されている基準レベルと比較する。
【0042】ここで、再生信号の出力レベルは、磁気ス
ペーシングMsと相対関係を有し、磁気スペーシングM
sが小さいと大きく、逆に、磁気スペーシングMsが大
きくなると小さくなる。従って、制御部62は、再生信
号の出力レベルにより磁気スペーシングを検出すること
ができる。そして、制御部62は、再生信号の出力レベ
ルを基準レベルと比較し、基準レベルよりも低い場合に
は、電源64から第1および第2発熱コイル56a、5
6bに通電して発熱させ、第1および第2熱膨張体54
a、54bを膨張させる。これにより、ヘッド部44の
ディスク対向面52が磁気ディスク表面側に突き出し、
磁気スペーシングMsを低減する。
【0043】逆に、再生信号の出力レベルが基準レベル
よりも高い場合、制御部62は、電源64から第1およ
び第2発熱コイル56a、56bへの通電量を低減して
発熱量を低くし、第1および第2熱膨張体54a、54
bを膨張量を低減する。これにより、ディスク対向面5
2の突き出し量が低減し、磁気スペーシングMsを増大
する。
【0044】このように、制御部62は、再生信号の出
力レベルが基準レベルと一致するように、すなわち、磁
気スペーシングMsが最適値となるように、第1および
第2発熱コイル56a、56bへの通電量を調整して第
1および第2発熱コイルの発熱量および第1および第2
熱膨張体の膨張量を制御する。そして、上記のようにし
て磁気ヘッド40の磁気スペーシングMsを最適値に調
整した後、磁気ディスク16に対して所望の記録および
再生動作を行う。なお、情報記録動作中、記録素子46
が発熱しディスク対向面52の突き出し量が増加するた
め、制御部62は、再生素子48の出力レベルに応じて
第1および第2発熱コイル56a、56bへの通電量を
制御し、磁気スペーシングMsを最適値に維持する。
【0045】以上のように、上記構成の磁気ヘッドおよ
びこれを備えたHDDによれば、記録、再生素子46、
48の流出端側および流入端側に設けた第1および第2
発熱コイル56a、56bに通電して発熱させ、第1お
よび第2熱膨張体54a、54bを熱膨張させることに
より、磁気スペーシングMsを最適値に制御することが
できる。よって、スライダ42のディスク対向面50と
ヘッド部44のディスク対向面52と段差Rの範囲内で
磁気スペーシングMsを最小に調整しつつ、磁気ヘッド
と磁気ディスク表面との接触に起因する異常信号の発生
や偏磨耗を抑制することができる。従って、磁気ディス
クに対して、高い精度で情報の記録再生を行うことがで
きる。
【0046】なお、この発明は、上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、上記実施の形態では、第1および第2
熱膨張体の両方を同時に熱膨張させることで磁気スペー
シングの調整する構成としたが、いずれか一方の熱膨張
体を選択的に膨張させて磁気スペーシングを調整する構
成としてもよい。また、磁気スペーシングの調整は、情
報の再生時にのみ行う構成としてもよい。更に、熱膨張
体および発熱コイルの設置数は、2組に限らず、ヘッド
部44の構造、熱膨張の形態等に応じて、1組でもよ
く、あるいは3組以上としてもよい。発熱体は、発熱コ
イルに限らず、電熱変換素子等を用いることも可能であ
る。
【0047】一方、上述した実施の形態において、発熱
体はヘッド部内に組み込む構成としたが、この発熱体5
6は、図6に示すように、サスペンション38上、ある
いは、図7に示すように、アーム32上に設けてもよ
く、更に、キャリッジアッセンブリ22上の他の部分に
設けても良い。
【0048】更に、上述した実施の形態では、磁気ヘッ
ドの再生素子および記録素子近傍の温度に基づいてヘッ
ド部の突出量を調整する構成、異常再生信号の有無に基
づいてヘッド部の突出量を調整する構成、および再生信
号の出力レベルに基づいてヘッド部の突出量を調整する
構成についてそれぞれ説明したが、これらの構成の内の
2つ、あるいは全部を組合わせてヘッド部の突出量を調
整する構成としても良い。
【0049】
【発明の効果】以上の詳述したように、本発明によれ
ば、記録、再生素子と磁気ディスク表面との隙間を動作
モードに応じて変化させ、サーマルアスペリティの発生
を抑制しつつ高精度の記録再生が可能な磁気ディスク装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係るHDDの平面図。
【図2】上記HDDにおける磁気ヘッド部分を拡大して
示す側面図。
【図3】上記磁気ヘッドを拡大して示す断面図。
【図4】上記磁気ヘッドのヘッド部が環境温度および記
録素子の発熱により膨張した状態を模式的に示す断面
図。
【図5】上記磁気ヘッドの第1および第2熱膨張体を膨
張させた状態、並びに、一方の熱膨張体のみを膨張させ
た状態をそれぞれ模式的に示す断面図。
【図6】この発明の他の実施の形態に係るHDDを示す
平面図。
【図7】この発明の更に他の実施の形態に係るHDDを
示す平面図。
【符号の説明】 12…ケース 16…磁気ディスク 18…スピンドルモータ 22…キャリッジアッセンブリ 26…軸受部 32…アーム 38…サスペンション 40…磁気ヘッド 42…スライダ 44…ヘッド部 46…記録素子 48…再生素子 50、52…ディスク対向面 54a…第1熱膨張体 54b…第2熱膨張体 56a…第1発熱コイル 56b…第2発熱コイル 62…制御部 64…電源 66…磁気記録層

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気記録層を有した磁気ディスクと、 磁気ディスク表面に対抗するディスク対向面を有したス
    ライダと、上記スライダに設けられ、上記スライダのデ
    ィスク対向面よりも上記磁気ディスク表面から離れて位
    置したディスク対向面、このディスク対向面に少なくと
    も一部が露出して設けられた上記磁気ディスクの磁気記
    録層に対し情報の記録再生を行う記録素子および再生素
    子、ならびに上記記録素子、再生素子の近傍に配設され
    た上記ディスク対向面が上記磁気ディスク表面に接近す
    る方向に熱膨張可能な熱膨張体を有したヘッド部と、を
    備えた磁気ヘッドと、 上記熱膨張体を加熱する発熱体と、 上記磁気ヘッドのディスク対向面と磁気ディスク表面と
    の隙間を検出する隙間検出部と、 上記隙間検出部により検出された隙間に応じて上記発熱
    体の発熱量を調整し、上記磁気ヘッドのディスク対向面
    と磁気ディスク表面との隙間を所望の値に制御する隙間
    制御部と、 を具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
  2. 【請求項2】上記発熱体は、上記熱膨張体に隣接して上
    記ヘッド部に設けられていることを特徴とする請求項1
    に記載の磁気ディスク装置
  3. 【請求項3】上記磁気ヘッドを上記ディスクに対して移
    動自在に指示したキャリッジアッセンブリを備え、 上記キャリッジアッセンブリは、軸受部により支持され
    たアームと、アームから延出しているとともにその延出
    端に上記磁気ヘッドが支持されたサスペンションと、を
    備え、 上記発熱体は、上記キャリッジアッセンブリ上に設けら
    れていることを特徴とする請求項1に記載の磁気ディス
    ク装置。
  4. 【請求項4】上記発熱体は発熱コイルを有し、上記隙間
    制御部は、上記発熱コイルに電流を供給する電源と、上
    記発熱コイルへの通電量を調整する通電制御部と、を備
    えていることを特徴とする請求項2又は3に記載の磁気
    ディスク装置。
  5. 【請求項5】上記隙間制御部は、上記再生素子で読み取
    る再生信号強度より上記磁気ヘッドと磁気ディスクの隙
    間を検知する隙間検知部と、上記隙間情報に応じて上記
    発熱コイルへの通電量を制御する通電制御部と、を備え
    ていることを特徴とする請求項4に記載の磁気ディスク
    装置。
  6. 【請求項6】磁気記録層を有した磁気ディスクと、 磁気ディスク表面に対抗するディスク対向面を有したス
    ライダと、上記スライダに設けられ、上記スライダのデ
    ィスク対向面よりも上記磁気ディスク表面から離れて位
    置したディスク対向面、このディスク対向面に少なくと
    も一部が露出して設けられた上記磁気ディスクの磁気記
    録層に対し情報の記録再生を行う記録素子および再生素
    子、ならびに上記記録素子、再生素子の近傍に配設され
    た上記ディスク対向面が上記磁気ディスク表面に接近す
    る方向に熱膨張可能な熱膨張体を有したヘッド部と、を
    備えた磁気ヘッドと、 上記熱膨張体を加熱する発熱体と、 上記磁気ヘッド近傍の温度に応じて上記発熱体の発熱量
    を調整し、上記磁気ヘッドのディスク対向面と磁気ディ
    スク表面との隙間を所望の値に制御する隙間制御部と、 を具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
  7. 【請求項7】上記発熱体は、上記熱膨張体に隣接して上
    記ヘッド部に設けられていることを特徴とする請求項6
    に記載の磁気ディスク装置
  8. 【請求項8】上記磁気ヘッドを上記ディスクに対して移
    動自在に指示したキャリッジアッセンブリを備え、 上記キャリッジアッセンブリは、軸受部により支持され
    たアームと、アームから延出しているとともにその延出
    端に上記磁気ヘッドが支持されたサスペンションと、を
    備え、 上記発熱体は、上記キャリッジアッセンブリ上に設けら
    れていることを特徴とする請求項6に記載の磁気ディス
    ク装置。
  9. 【請求項9】上記発熱体は発熱コイルを有し、上記隙間
    制御部は、上記発熱コイルに電流を供給する電源と、上
    記発熱コイルへの通電量を調整する通電制御部と、を備
    えていることを特徴とする請求項7又は8に記載の磁気
    ディスク装置。
  10. 【請求項10】上記隙間制御部は、上記磁気ヘッドもし
    くはキャリッジアッセンブリに設けられた温度検知部
    と、上記温度検知部により検知された温度情報を上記磁
    気ヘッドのディスク対向面と磁気ディスク表面との隙間
    情報に変換する変換部と、上記変換情報に応じて上記発
    熱コイルへの通電量を制御する通電制御部と、を備えて
    いることを特徴とする請求項9に記載の磁気ディスク装
    置。
  11. 【請求項11】磁気記録層を有した磁気ディスクと、 磁気ディスク表面に対抗するディスク対向面を有したス
    ライダと、上記スライダに設けられ、上記スライダのデ
    ィスク対向面よりも上記磁気ディスク表面から離れて位
    置したディスク対向面、このディスク対向面に少なくと
    も一部が露出して設けられた上記磁気ディスクの磁気記
    録層に対し情報の記録再生を行う記録素子および再生素
    子、ならびに上記記録素子、再生素子の近傍に配設され
    た上記ディスク対向面が上記磁気ディスク表面に接近す
    る方向に熱膨張可能な熱膨張体を有したヘッド部と、を
    備えた磁気ヘッドと、 上記熱膨張体を加熱する発熱体と、 上記磁気ヘッドと上記磁気ディスクとの接触検知情報に
    応じて上記発熱体の発熱量を調整し、上記磁気ヘッドの
    ディスク対向面と磁気ディスク表面との隙間を所望の値
    に制御する隙間制御部と、 を具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
  12. 【請求項12】上記発熱体は、上記熱膨張体に隣接して
    上記ヘッド部に設けられていることを特徴とする請求項
    11に記載の磁気ディスク装置
  13. 【請求項13】上記磁気ヘッドを上記ディスクに対して
    移動自在に指示したキャリッジアッセンブリを備え、 上記キャリッジアッセンブリは、軸受部により支持され
    たアームと、アームから延出しているとともにその延出
    端に上記磁気ヘッドが支持されたサスペンションと、を
    備え、 上記発熱体は、上記キャリッジアッセンブリ上に設けら
    れていることを特徴とする請求項11に記載の磁気ディ
    スク装置。
  14. 【請求項14】上記発熱体は発熱コイルを有し、上記隙
    間制御部は、上記発熱コイルに電流を供給する電源と、
    上記発熱コイルへの通電量を調整する通電制御部と、を
    備えていることを特徴とする請求項12又は13のいず
    れかに記載の磁気ディスク装置。
  15. 【請求項15】上記隙間制御部は、上記再生素子で読み
    取る再生信号のうち上記磁気ヘッドと磁気ディスクとの
    接触に起因する異常信号を判別する接触検知部と、上記
    接触検知情報に応じて上記発熱コイルへの通電量を制御
    する通電制御部と、を備えていることを特徴とする請求
    項14に記載の磁気ディスク装置。
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