CN100399422C - 具有加热器的薄膜磁头、磁头万向组件、及磁盘驱动装置 - Google Patents

Abstract

根据本发明的薄膜磁头包括：衬底；至少一个磁头部件，形成在该衬底上；多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在该衬底上，以覆盖该至少一个磁头部件；以及至少一个加热部件，至少在该至少一个磁头部件的操作期间，被加热，该至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且在该多层覆盖涂层中，距离衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数小于该多层覆盖涂层中，最靠近该衬底的覆盖涂层的热膨胀系数。

Description

具有加热器的薄膜磁头、磁头万向组件、及磁盘驱动装置

优先权要求

该专利申请要求2004年6月4日提交的第2004-167266号日本专利申请和2005年3月31提交的第2005-102637号日本专利申请的优先权，在此包含第2004-167266号和第2005-102637号日本专利申请的内容供参考。

技术领域

本发明涉及一种在多层覆盖涂层中具有加热器的薄膜磁头、具有薄膜磁头的磁头万向组件(HGA)以及具有HGA的磁盘驱动装置。

背景技术

在磁盘驱动装置上，薄膜磁头对利用主轴马达旋转的磁盘写数据/从该磁盘读取数据。薄膜磁头具有形成在滑块衬底上的感应写磁头部件和磁致电阻(MR)效应读磁头部件，该滑块衬底固定在HGA的悬臂(suspension)的端部。在写和读信号期间，利用摆臂将薄膜磁头驱动到磁盘上的要求位置。

在写或者读信号时，利用流体动力学方法，使薄膜磁头在旋转磁盘上以预定磁隙(d_MS)飞行(fly)。当在磁盘上飞行时，薄膜磁头利用感应写磁头部件(element)产生的磁场将信号写入磁盘，而利用MR效应部件，通过检测对应于从磁盘产生的信号的磁场，读信号。

最近几年，随着磁盘驱动装置的数据存储容量和密度的提高，薄膜磁头的磁道宽度越来越细。当磁道宽度减小时，磁头部件的读、写性能就降低。为了避免产生这种问题，最新的磁盘驱动装置有减小d_MS的趋势。这利用了随着d_MS的减小，对应于从磁盘到达薄膜磁头的信号的磁场增加的事实。实际上，所设计的d_MS的值将降低到10nm数量级。

然而，在写信号期间，出现了位于感应性写磁头部件内线圈层产生的焦耳热量和上磁极层和下磁极层的涡流损耗产生的热量。该热量产生TPTP(热致磁极尖凸出(Thermal Pole Tip Protrusion))现象，在这种现象中，热量使覆盖涂层膨胀，因此，磁头部件向磁盘表面凸出。在这种情况下，与被这些磁头部件的边缘达到的空气支承面(airbearing surface)同一侧的磁头端面(磁极尖凹槽(PTR，Pole TipRecess)表面)以对磁盘表面弯曲的形状膨胀。因此，在d_MS的设计值非常小时，凸出的MR效应部件可能接触磁盘表面，而且这种接触产生的摩擦热量可能导致MR效应部件的电阻值发生变化，因此，产生异常信号(热粗糙(thermal asperity))。

为了避免出现这种热粗糙，开发了在磁头部件附近设置加热器以确实产生TPTP现象并控制d_MS的方法(例如，第5,991,113号美国专利和第2003/99054号以及第2003/174430号美国专利申请)。所有这些方法均是通过施加电流使加热器产生热量，该热量使覆盖涂层和磁头部件膨胀，因此，肯定使它们更靠近磁盘表面。利用电流量控制d_MS值。

在此，设置了这种加热器的薄膜磁头很可能因为覆盖涂层的膨胀而导致碰撞。实际上，当加热器产生的热量确实产生TPTP现象时，相对于磁头部件，对着滑块衬底的覆盖涂层的PTR表面的膨胀比靠近该磁头部件的PTR表面的膨胀大，而且，特别是PTR表面上靠近后沿的部分的膨胀可能最大。因此，尽管确保作为磁头部件的端部到磁盘表面的距离的d_MS在预定值之内，但是靠近后沿的PTR表面的膨胀部分可能接触磁盘表面，导致碰撞，因此，导致损坏磁盘表面和薄膜磁头。

为了避免发生这种损坏，有一种方法，进一步对靠近PTR避免后沿的部分开凹槽。此外，作为另一种方法，例如，第04-366408A号日本专利公开描述了一种其PTR表面包括凹痕(dent)的薄膜磁头。利用该凹痕，即使在加热时，这种薄膜磁头仍可以防止靠近后沿的部分的膨胀比位于磁头部件附近的PTR表面的膨胀大。这样可以防止发生碰撞。

然而，即使采用对靠近PTR表面后沿的部分进一步开凹槽的方法，仍难以根据加热加热器的状态，充分抑制靠近后沿的部分确实产生的膨胀。此外，第04-366408A号日本专利公开描述的薄膜磁头的制造方法在预定加热条件下，对磁头部件进行抛光，因此，PTR表面变得平坦了，或者利用机械方法将它研磨到或者将它蚀刻到对应于因为热膨胀产生的膨胀量的深度。因此，根据该制造方法，被处理的部分相当微小，而且研磨量或者蚀刻量也非常微小，因此，产生大的处理偏差是不可避免的。因此，一个磁头与另一个磁头之间处理的PTR表面的膨胀形状各不相同，因此，产生了难以稳定避免发生碰撞的问题。此外，在形成整个薄膜磁头后，以非常高的精度进行诸如抛光的处理，这样显著增加了进行制造的工时。存在的另一个问题是，处理过程产生的细屑等可能粘附到PTR表面上，从而对磁头的工作产生不利影响。

此外，仅对PTR表面进行处理不能达到在产生TPTP现象的过程中利用加热器产生的热量改善PTR表面膨胀度，即，热效率，的预期。实际上，根据处理量及其位置，存在与执行使PTR表面形状具有预定膨胀量的处理之前的表面相比，需要额外进行加热的情况。因此，当热效率不够高时，需要提高加热器产生的热量，以产生预定TPTP现象。因此，增加了从加热器传播到MR效应部件的热量，从而降低了其高温取决于输出的MR效应部件的读取性能。

发明内容

因此，本发明的目的是提供：一种薄膜磁头，具有加热器，通过以高热效率控制PTR表面的膨胀形状，同时抑制制造偏差，可以将d_MS减小到小数值，而且可以可靠、稳定避免靠近后沿的各部分与磁盘表面发生碰撞；一种设置了这种薄膜磁头的HGA；以及一种设置了这种HGA的磁盘驱动装置。

本发明提供的薄膜磁头包括：衬底；至少一个磁头部件，形成在该衬底上；多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在该衬底上，以覆盖该至少一个磁头部件；以及至少一个加热部件，至少在该至少一个磁头部件的操作期间，被加热，该至少一个加热部件设置在该多层覆盖涂层中，而且在多层覆盖涂层中，距离该衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数小于多层覆盖涂层中最靠近该衬底的覆盖涂层的热膨胀系数。

由于加热器设置在多层覆盖涂层中，所以加热器产生的热量有效加热每层覆盖涂层。此外，距离该滑块衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数小于多层覆盖涂层中，最靠近该滑块衬底的覆盖涂层的热膨胀系数。因此，在加热器对多层覆盖涂层提供预定数量的热量时，可以使距离滑块衬底最远的覆盖涂层，即，包括靠近后沿的各部分的覆盖涂层向磁盘表面方向的膨胀小于最靠近该滑块衬底的覆盖涂层的膨胀。

此外，随着最靠近滑块衬底的覆盖涂层的膨胀，达到PTR表面的磁头部件部分向磁盘表面方向凸出。该覆盖涂层的热膨胀系数比包括靠近后沿的各部分的覆盖涂层的热膨胀系数大，因此，其膨胀比具有均匀热膨胀系数的传统覆盖涂层的膨胀大。在出现TPTP现象时，这样就改善了热效率。

尽管改善了热效率，但是也减少了送到加热器的功率。这样可以减少到达MR效应部件的热量，因为减少了总热量，因此，可以防止因为MR效应部件的温度升高，而降低读性能。这样还可以改善薄膜磁头和磁盘驱动装置的可靠性。

此外，由于仅形成多层覆盖涂层，所以不需要对靠近磁头部件的PTR表面进行诸如非常高精度抛光的任何处理。因此，可以减少制造工时的增加，而且还可以显著减小磁头之间特性的偏差。这样可以降低薄膜磁头的制造成本。

利用上述装置可以在抑制制造偏差的情况下，以高热效率控制PTR表面的膨胀，因此，可以稳定、可靠避免靠近后沿的各部分与磁盘表面发生碰撞，同时将d_MS抑制为小数值，在传统技术中，这是难以实现的。

优选任何覆盖涂层的热膨胀系数均等于或者大于与所述任何覆盖涂层的一个层表面相邻的覆盖涂层的热膨胀系数，所述任何覆盖涂层的一个层表面与所述任何覆盖涂层的另一个层表面相比更远离衬底。在这种情况下，随着距滑块衬底的距离的增大，覆盖涂层的热膨胀系数分别顺序、单调降低。因此，在加热器对多层覆盖涂层提供预定数量的热量时，可以将任意覆盖涂层在向磁盘表面方向的膨胀设置为不超过比该任意覆盖涂层更靠近滑块衬底的覆盖涂层的膨胀。此外，可以将靠近后沿的各部分的膨胀量降低到最小。因此，可以更可靠、有效避免靠近后沿的各部分与磁盘表面发生碰撞。

在多层覆盖涂层中，从衬底侧开始，以热膨胀系数的降低顺序层叠覆盖涂层。在这种情况下，随着距滑块衬底的距离的增大，覆盖涂层的热膨胀系数分别顺序降低。因此，在加热器对多层覆盖涂层提供预定数量的热量时，随着距滑块衬底的距离的增大，各覆盖涂层向磁盘表面方向的膨胀减小，而且靠近后沿的各部分的膨胀量达到最小。因此，可以更可靠、有效避免靠近后沿的各部分与磁盘表面发生碰撞。

覆盖涂层分别由从包括MgO、Al₂O₃、Mo、W、AlN、SiC、W-Cu、SiO₂、Si、Si₃N₄、SiAlON、AlTiO₄、BN以及ZrW₂O₈的组中选择的一种材料分别形成。在该组中，以热膨胀系数降低的顺序排列各种材料。因此，可以这样选择材料，即一个覆盖涂层的热膨胀系数大于与所述覆盖涂层的一个层表面相邻的覆盖涂层的热膨胀系数，所述覆盖涂层的所述一个层表面与所述任何覆盖涂层的另一个层表面相比更远离滑块衬底。因此，可以避免上述原因引起的碰撞。

多层覆盖涂层优选由两层覆盖涂层构成。此外，多层覆盖涂层还优选由三层覆盖涂层构成。

至少一个加热部件优选设置在多层覆盖涂层中最靠近衬底的覆盖涂层中。在此，该至少一个加热部件更优选设置在关于该至少一个磁头部件与空气支承面相对的位置。

此外，该至少一个加热部件优选设置在多层覆盖涂层中第二靠近衬底的覆盖涂层中。此外，该至少一个加热部件设置在多层覆盖涂层中第三靠近衬底的覆盖涂层中。

该至少一个磁头部件优选包括平面电流(current in plane(CIP))，巨大磁致电阻(GMR)效应读磁头部件、垂直于平面的电流(currentperpendicular to plane(CPP))GMR效应部件或者隧道磁致电阻(TMR)效应读磁头部件。CIP-GMR效应部件、CPP-GMR效应部件以及TMR效应部件具有非常高的磁场灵敏度，但是其输出主要取决于温度。将这些部件用作根据本发明的薄膜磁头的读磁头部件，可以防止因为热粗糙和加热器产生的热量而导致读性能降低，稳定避免发生碰撞，而且，可以有效利用这些部件的高磁场灵敏度。

本发明还提供了一种HGA，该HGA包括：上述薄膜磁头；迹线导体，用于将信号送到薄膜磁头的该至少一个磁头部件/从薄膜磁头的该至少一个磁头部件发送信号；引线导线，用于将电流送到薄膜磁头的该至少一个加热部件；以及支承机构，用于支承薄膜磁头。

本发明还提供了一种磁盘驱动装置，该磁盘驱动装置包括至少一个上述HGA和用于控制送到该至少一个加热部件的电流的电流控制装置。

该电流控制装置优选是至少在该至少一个磁头部件操作期间，用于将电流送到该至少一个加热部件的控制装置。

该电流控制装置包括用于控制该至少一个加热部件的信号系统，而且独立于用于控制该至少一个磁头部件的操作的信号系统的操作，该信号系统控制送到该至少一个加热部件的电流。因此，提供独立于用于控制该至少一个磁头部件的操作的信号系统的操作，控制加热器的信号系统，不仅可以将电流施加到与记录/再现操作有关的加热器，而且可以实现各种电流施加方式。

该电流控制装置优选包括检测装置，该检测装置检测包括在来自该至少一个磁头部件的再现数据信号内的声发射分量(AE，acousticemission)，然后，优选根据检测装置检测的AE分量，该电流控制装置控制送到该至少一个加热部件的电流。通过监测AE分量，可以得知薄膜磁头与磁盘表面的接触程度/频率。因此，通过根据该AE检测量控制送到加热器的电流并调节TPTP现象，可以避免薄膜磁头与磁盘表面发生碰撞。

该电流控制装置优选包括温度检测装置，该温度检测装置检测磁盘驱动装置内部的温度，然后，优选根据温度检测装置检测的温度的程度，该电流控制装置控制送到该至少一个加热部件的电流。d_MS的值通常受磁盘驱动装置内的温度的影响。因此，通过根据该检测温度，控制送到加热器的电流，可以使d_MS保持恒定，而且可以获得稳定写特性/读特性。

根据下面对附图所示的本发明优选实施例所做的说明，本发明的其它目的和优点显而易见。

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的磁盘驱动装置的主要部件的构造的原理透射图；

图2是示出根据图1所示实施例的HGA整体的透射图；

图3是安装在根据图1所示实施例的HGA的端部的薄膜磁头的透射图；

图4是示出根据本发明实施例的薄膜磁头的原理结构的剖视图；

图5是示出从滑块衬底的部件形成面一侧观看的根据图4所示实施例的薄膜磁头的原理结构的平面图；

图6a至6b是示出根据图4所示实施例的薄膜磁头的结构的沿图5所示线A-A的剖视图；

图7是示出覆盖涂层互相未充分粘合在一起情况下的对应措施的剖视图；

图8是示出根据图4所示实施例的薄膜磁头的加热器的结构的平面图；

图9是示出加热器的电极垫结构的沿图5所示线C-C的剖视图；

图10a至10e是示出根据图4所示实施例的薄膜磁头的制造过程的工艺流程图；

图11是示出根据图1所示实施例的磁盘驱动装置的记录/再现电路的电路结构的方框图；

图12是示出根据图1所示实施例的磁盘驱动装置的加热器控制电路的结构的方框图；以及

图13a是用于确定距滑块衬底的部件形成面的距离d_MS和PTR表面上的测量点的膨胀量d_PRO的原理图，而图13b是示出在根据图4所示实施例的薄膜磁头的预定加热条件下D_SL与d_PRO之间的关系的曲线图。

具体实施方式

图1是示出根据本发明实施例的磁盘驱动装置的主要部件的构造的原理透射图，图2是示出HGA整体的透射图，图3是安装在HGA的端部的薄膜磁头(滑块)的透射图。

在图1中，参考编号10表示多个绕主轴马达的转轴11旋转的磁盘，12表示用于使薄膜磁头(滑块)定位到磁道上的组件托架装置(assembly carriage device)，13表示用于控制薄膜磁头的读/写操作和加热操作的记录与再现电路。

组件托架装置12设置了多个驱动臂14。这些驱动臂14通过音圈电机(VCM)15绕支承枢轴(pivot bearing axis)16旋转，而且沿该轴16的方向层叠。HGA 17分别设置在每个驱动臂14的端部。以对着每个磁盘10的表面的方式，对每个HGA 17分别设置滑块。磁盘10、驱动臂14、HGA 17以及薄膜磁头(滑块)的数量可仅分别是1。

如图2所示，通过将具有磁头部件的滑块21固定到悬臂20的端部，然后，使接线部件25的一端电连接到滑块21的信号电极，构造HGA。

悬臂20主要由负载梁(load beam)22、利用弹性固定支承在该负载梁22上的挠性件(flexture)23、设置在负载梁22的基体上的基板24以及设置在挠性件23上的接线部件25构成，该接线部件25由迹线导体(trace conductor)和电连接到其两端的连接垫(pad)构成。

显然，本发明的悬臂结构并不局限于此上述结构。尽管该图未示出，但是它还可以在悬臂20的某个中间位置安装磁头驱动IC芯片。

如图3所示，对根据该实施例的滑块设置：写磁头部件和读磁头部件30；4个信号电极31，连接到写磁头部件和读磁头部件30；以及2个驱动电极32，用于流过通过加热器的电流，图3未示出该加热器，它们全部形成在部件形成面33的一侧上。参考编号34表示滑块的空气支承面。信号电极的数量和位置并不局限于图3所示的情况。在图3中，有6个信号电极，但是也可以设置5个电极和连接到该滑块衬底的地线。

图4是示出根据本发明实施例的薄膜磁头的原理结构的剖视图。该图未示出在PTR表面上靠近后沿的位置形成的凹槽面，但是可以形成预定凹槽面。

在该图中，滑块衬底40具有空气支承面50，而且在写操作或者读操作期间，利用流体动力学方法，它在旋转磁盘52上方以预定间距飞行。在将滑块衬底40的空气支承面设置在底部时，在滑块衬底40的一个侧面(部件形成面)上形成读MR效应部件42和感应写磁头部件44、构成覆盖这些部件的多层覆盖涂层的第一覆盖涂层(overcoatlayer)47、第二覆盖涂层48以及第三覆盖涂层49。

MR效应部件42包括MR层42以及设置在位于该MR层中间位置的下屏蔽(shield)层42a和上屏蔽层42f。MR层42c包括多层CIP-GMR层、多层CPP-GMR层或者多层TMR层，它以非常高的灵敏度检测对应于该信号的磁场。下屏蔽层42a和上屏蔽层42f是磁性层，而且用于屏蔽对MR层42c产生噪声的外部磁场。感应写磁头部件44包括下磁极(pole)层44a、上磁极层44f以及线圈层44c。下磁极层44a和上磁极层44f是用于将线圈层44c产生的磁通量会聚并引导到其上写入了数据的磁盘表面52的磁路。

对着磁盘表面52的MR效应部件42和感应写磁头部件44的端部延伸到PTR表面51。对PTR表面51设置诸如类金刚石碳(DLC)的涂层，作为保护膜。在此，在磁头部件操作期间，位于磁头部件的端部附近的PTR表面与磁盘表面52之间的距离是d_MS。

在第一覆盖涂层47上形成加热器46，而且该加热器46位于第二覆盖涂层48中。在形成在第一覆盖涂层47上的第二覆盖涂层48上形成第三覆盖涂层49。

该多层覆盖涂层可以由两层或者三层以上构成。任何覆盖涂层的热膨胀系数均等于或者大于与所述任何覆盖涂层的一个层表面相邻的覆盖涂层的热膨胀系数，所述任何覆盖涂层的一个层表面与该任何覆盖涂层的另一个层表面相比更远离滑块衬底，而且以每层覆盖涂层的热膨胀系数从滑块衬底侧开始顺序、单调降低的方式，选择每层的材料。如下所述，这样可以抑制因为TPTP现象引起的靠近后沿部分的膨胀，这种膨胀可能导致碰撞。

此外，不必如图4所示定位加热器46，而且，例如，可以将该加热器46定位到第一覆盖涂层47中或者定位在加热器46不接触第一覆盖涂层47的第二覆盖涂层48中。加热器46还可以位于第三覆盖涂层或者后续覆盖涂层中。

接着，将更详细说明根据图4所示实施例的薄膜磁头的结构。图5是示出从滑块衬底的部件形成面一侧观看的图4所示实施例的薄膜磁头的平面图，图6a是沿线A-A的剖视图，而图6b是沿线B-B的剖视图。为了简化视图，图6a和图6b中的线圈的匝数似乎比图5所示的匝数少。该线圈可以是双层线圈或螺旋形线圈。图5和图6a还利用原理图示出加热器46的结构，因为后面将详细说明加热器46。

在这些图中，参考编号40表示由例如AlTiC(Al₂O₃-TiC)等构成的滑块衬底，41表示由例如层叠在滑块衬底40上的Al₂O₃构成、厚度约为0.05μm至10μm的绝缘层，42a表示由例如层叠在绝缘层41上的NiFe、NiFeCo、CoFe、FeN或者FeZrN构成、厚度约为0.3μm至3μm的下屏蔽层，42b表示由例如层叠在下屏蔽层42a上的Al₂O₃或者DLC构成、厚度约为0.005μm至0.5μm的下屏蔽间隙层，42c表示由例如层叠在下屏蔽间隙层42b上的多层CPP-GMR层或者多层TMR层构成的MR层，42d表示由例如Cu构成、设置了连接到MR层42c的两端的磁偏置层的部件引线导体层，42e表示由例如层叠在MR层42c和部件引线导体层42d上的Al₂O₃或者DLC构成、厚度约为0.005μm至0.5μm的上屏蔽间隙层，以及42f表示由例如层叠在上屏蔽间隙层42e上的NiFe、NiFeCo、CoFe、FeN或者FeZrN构成、厚度约为0.3μm至4μm的上屏蔽层。作为上屏蔽层42f与下屏蔽层42a之间的距离的再现间隙长度约为0.03μm至1μm。

参考编号43表示由例如层叠在上屏蔽层42f上的Al₂O₃构成、厚度约为0.1μm至2.0μm的绝缘层，44a表示由例如层叠在绝缘层43上的NiFe、NiFeCo、CoFe、FeN或者FeZrN构成、厚度约为0.3μm至3μm的下磁极层，44b表示由例如层叠在下磁极层44a上的Al₂O₃或者DLC构成、厚度(等于记录间隙长度)约为0.03μm至0.5μm的磁性间隙层，44c表示由例如层叠在磁性间隙层44b上的Cu构成、厚度约为0.5μm至3μm的线圈层，44d表示由例如覆盖线圈层44c的热熟化(cured)抗蚀剂构成、厚度约为0.1μm至5μm的线圈绝缘层，44e表示由例如电连接到线圈层44c的一端的Cu或者NiFe构成的线圈引线导体层，以及44f表示由NiFe、NiFeCo、CoFe、FeN或者FeZrN构成、厚度约为0.5μm至5μm的与下磁极层44a一起用作磁极和磁轭的上磁极层。不必设置绝缘层43。

参考编号47表示由例如覆盖所形成的MR效应部件42和感应写磁头部件44的Al₂O₃构成的第一覆盖涂层，46表示形成在第一覆盖涂层47上的加热器。参考编号48表示由例如覆盖整个加热器46的AlN构成的第二覆盖涂层。参考编号49表示例如由形成在第二覆盖涂层48上的Si构成的第三覆盖涂层。

在此，第一覆盖涂层优选由从包括MgO、Al₂O₃、Mo、W、AlN、SiC、W-Cu、SiO₂、Si、Si₃N₄、SiAlON、AlTiO₄、BN以及ZrW₂O₈的组中选择的一种第一材料形成，而第二覆盖涂层优选由其热膨胀系数比第一材料的热膨胀系数小的一种第二材料形成，第三覆盖涂层优选由其热膨胀系数比第二材料的热膨胀系数小的一种第三材料形成。

表1示出上述组中的各种材料的热膨胀系数。

表1

材料	热膨胀系数(×10<sup>-6</sup>/℃)
		MgO	13
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>	6.9至8
		Mo	3.7至5.3
W	4.5
		AlN	3.8至4.5
SiC	3.7至4.5
		W-Cu	4
SiO<sub>2</sub>	3.5至4.3
		Si	3.6
Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>	3至3.6
		SiAlON	2.5
AlTiO<sub>4</sub>	0.8
		BN	-1.0至-2
ZrW<sub>2</sub>O<sub>8</sub>	-8至-5

如上所述，可以将各种材料用于各覆盖涂层。在此，将说明覆盖涂层之间的粘合糟糕情况下的对应措施。例如，当第一覆盖涂层47由Al₂O₃构成，而第二覆盖涂层由AlN构成时，实际上，这两层之间的粘合不好。图7是示出覆盖涂层之间的粘合不够好情况下的对应措施的剖视图。

根据该图，由AlN构成的第二覆盖涂层48的端部没有达到对着PTR表面51的磁头端面53。与关于第一覆盖涂层47的情况相同，覆盖该第二覆盖涂层48的辅助粘合层54也由Al₂O₃构成，而且在磁头端面53侧面的端部，它与第一覆盖涂层47粘合在一起。该粘合非常好，因为这两者由同一种材料构成。因此，设置该辅助粘合层54有助于第一覆盖涂层与第二覆盖涂层粘合在一起，而且可以防止脱落。在图7所示的覆盖涂层的方式中，加热器46优选设置在第一覆盖涂层47中，如该图所示。

图8示出根据图4所示实施例的薄膜磁头的加热器46的结构，图9是示出加热器46的电极垫结构的、沿图5所示线C-C的剖视图。

根据图8，加热器46包括：发热部分46a，包括蜿蜒进入该层内部的一个导线；引线电极46b和46c，连接到发热部分46a的两端，而且该加热器46构成预定长度的电流通路。

更具体地说，发热部分46a包括：上行(up-line)导线部分66，被形成，以以方波形从预定开始点60蜿蜒延伸到反转点61；下行导线部分67，被形成，以沿该上行导线部分66从反转点61蜿蜒返回到靠近开始点60的端点62；连接部分74，用于将开始点60和引线电极46c连接在一起；以及连接部分75，用于将端点62与引线电极46b连接在一起。将为了互相沿着对方延伸形成的上行导线部分66与下行导线部分67之间的距离70设置得比上行导线部分66的互相对着的各部分之间的距离72和下行导线部分67的互相对着的各部分之间的距离73短。

发热部分46a的厚度约为100nm至5000nm，而且由例如含有NiCu的材料构成。NiCu中的Ni含量例如约为15至60原子百分比(atomic％)，而且优选为25至45原子百分比。此外，作为该NiCu的添加剂，可以含有元素Ta、Al、Mn、Cr、Fe、Mo、Co、Rh、Si、Ir、Pt、Ti、Nb、Zr以及Hf至少之一。这种添加剂的含量优选为5原子百分比或者更少。

此外，发热部分46a还可以由含有NiCr的材料构成。在这种情况下，NiCr内的Ni的含量约为55至90原子百分比，而且优选为70至85原子百分比。此外，作为该NiCr的添加剂，还可以含有元素Ta、Al、Mn、Cu、Fe、Mo、Co、Rh、Si、Ir、Pt、Ti、Nb、Zr以及Hf至少之一。这种添加剂的含量优选为5原子百分比或者更少。

此外，发热部分46a还可以仅由Ta或者含有Ta的材料构成。在此，作为该Ta的添加剂，还可以包括元素Al、Mn、Cu、Fe、Mo、Co、Rh、Si、Ir、Pt、Ti、Nb、Zr以及Hf至少之一。这种添加剂的含量优选为5原子百分比或者更少。

引线电极46b和46c由与发热部分46a的材料相同的材料构成。

参考图9，在引线电极46b和46c上分别形成具有导电性的基底电极膜80b和80c。在该基底电极膜80b和80c上分别设置向上延伸的凸块(bump)81b和81c，该凸块81b和81c是利用基底电极膜80b和80c通过进行电解电镀形成的作为电极。基底电极膜80b和80c以及凸块81b和81c由诸如Cu的导电材料构成。基底电极膜80b和80c的厚度约为10nm至200nm，而凸块81b和81c的厚度约为5μm至30μm。

凸块81b和81c的顶端从第三覆盖涂层49露出，而且在该顶端上设置加热器46的垫(pad)82b和82c。通过该垫82b和82c，将电流送到加热器46。同样，MR效应部件42和感应写磁头部件44连接到信号端电极31(图3)，但是为了简化视图，未示出这些部件的连接结构。

图10a至10e是示出根据图4所示实施例的薄膜磁头的制造过程的工艺流程图，而且示出沿图5中的线A-A的剖视图。

下面将参考该图简要说明根据该实施例的薄膜磁头的制造过程。首先，如图10a所示，利用例如溅射技术，使绝缘层41层叠在衬底40上。然后，利用例如电镀技术，在绝缘层41上形成下屏蔽层42a。接着，利用例如溅射技术，形成下屏蔽间隙层42b、MR层42c、设置了磁偏置层的部件引线导体层42d以及上屏蔽间隙层42e。接着，利用例如电镀技术，形成上屏蔽层42f。接着，利用例如溅射技术和化学机械抛光(CMP)技术，从PTR表面侧观看，在这些层的后面，形成平面化层47a。利用上面的处理过程完成形成MR效应部件42。

接着，如图10b所示，利用例如溅射技术，在上屏蔽层42f上形成绝缘层43、下磁极层44a和磁性间隙层44b，而利用例如溅射技术和CMP技术，从PTR表面观看，在这些层的后面形成平面化层47b。接着，根据众所周知的方法，利用光刻法和干蚀刻法，形成线圈层44c，然后，在磁性间隙层44b上形成线圈绝缘层44d和上磁极层44f，以覆盖线圈层44c。利用上述处理过程，完成形成感应写磁头部件44。此外，在作为下一个处理过程，准备形成加热器46的过程中，利用例如溅射技术和CMP技术，形成平坦覆盖涂层47c(图10c)。在此，平面化层47a和47b以及覆盖涂层47c构成第一覆盖涂层47。

接着，如图10d所示，利用例如溅射技术，在覆盖涂层47c上的预定位置，形成发热部分46a和引线电极46b和46c。接着，如图10e所示，利用例如溅射技术和CMP技术，形成覆盖加热器46的第二平坦覆盖涂层48。此外，利用例如溅射技术和CMP技术，在第二覆盖涂层48上形成第三平坦覆盖涂层49。

如上所述，利用CMP技术等，分别使各覆盖涂层的顶层的表面平坦。然而，例如，当由硬度高、抛光率低的AlN形成第二覆盖涂层时，即使在对该层的上表面应用CMP时，仍难以形成足够平坦的表面。因此，难以使该第二覆盖涂层作为顶层。作为这种情况的措施，例如，通过形成AlN作为第二覆盖涂层，在其上形成Al₂O₃膜，然后，对该层的上表面应用CMP，因此，可以使该上表面平坦。作为另一种方式，还可以形成AlN作为第二覆盖涂层，利用CMP使该层的上表面平坦到某种程度，然后，在该平坦表面上形成由Al₂O₃构成的层。

图11是示出根据图1所示实施例的磁盘驱动装置的记录/再现电路的电路结构的方框图。此外，图12是示出根据图1所示实施例的磁盘驱动装置的加热器控制电路的结构的方框图。

在图11中，参考编号90表示记录/再现控制LSI，而且它包括热粗糙(TA)检测电路90a。参考编号91表示写门，它从记录/再现控制LSI 90接收记录数据，92表示写电路，93表示ROM，它存储用于控制送到加热器的电流值的表等，95表示恒流电路，它将检测电流送到MR效应部件42，96表示放大器，它对MR效应部件42的输出电压进行放大，97表示解调器电路，它将再现数据输出到记录/再现控制LSI 90，98表示温度检测器，99表示加热器46的控制电路。

将记录/再现控制LSI 90输出的记录数据送到写门91。仅在记录/再现控制LSI 90输出的记录控制信号指示写操作时，写门91才将记录数据送到写电路92。根据该记录数据，写电路92将写电路送到线圈层44c，然后，利用感应写磁头部件44，将该数据记录到磁盘10(图1)上。

仅在记录/再现控制LSI 90输出的再现控制信号指示读操作时，才将恒流从恒流电路95送到MR层42c。放大器96对该MR效应部件42再现的信号进行放大，解调器电路97对它进行解调，然后，将获得的再现数据输出到记录/再现控制LSI 90。

根据该实施例的加热器控制电路99具有图12所示的结构。即，由直流(DC)恒压电路99a、开关晶体管99b以及可变电阻器99c构成的串联电路连接到加热器46的发热部分46a。将记录/再现控制LSI90输出的加热器接通/断开信号送到开关晶体管99b。此外，D/A变换器(数模变换器)99d将记录/再现控制LSI 90输出的加热器电流控制信号变换为模拟信号，然后，将它送到可变电阻器99c。

当加热器接通/断开信号是接通操作指示时，开关晶体管99b导通，因此，电流流入加热器46的发热部分46a。可变电阻器99c将这种情况的电流值控制为对应于被变换为模拟信号的加热器电流控制信号的值。

因此，通过分别提供加热器接通/断开信号和独立于记录/再现操作控制信号系统的加热器电流控制信号系统，不仅可以将电流施加到与记录/再现操作有关的加热器，而且可以实现更多样化的电流施加方式。

在实际操作过程中，对应于预定电流施加方式的电流流入加热器46的发热部分46a。利用该电流，加热器46本身及其外围均被加热，而且发生热膨胀，导致感应写磁头部件44和MR效应部件42在向着PTR表面51的方向稍许凸出(protrude)。这样仅在写操作和读操作期间使d_MS减小。因此，仅在磁头部件工作期间减小d_MS可以对因为磁道宽度的减小引起的写性能和/或者读性能的降低进行补偿，而且可以对因为缩减记录位引起的对应于各信号的磁场的减弱进行处理，而不显著提高滑块撞击磁盘表面的概率。利用用于控制流过发热部分46a的电流的加热器电流控制信号，可以精确调节该d_MS值。

显然，记录/再现电路13的电路结构并不局限于图11和图12所示的电路结构。还可以利用记录控制信号和再现控制信号之外的信号规定写操作和读操作。此外，最好至少在写操作和读操作期间，使加热器46产生热量，但是也可以在写操作或者读操作期间，使加热器46产生热量，或者在连续执行写操作和读操作的预定时段内，使加热器46连续产生热量。此外，不仅DC可以用作，而且AC或者脉冲电流等也可以用作流入加热器46的电流。

下面将说明加热器46的电流施加方式的实施例。

首先，说明送到用于控制d_MS的加热器的功率的初始设置。各薄膜磁头的d_MS值通常发生变化。因此，利用TA检测电路90a检测位于磁盘最内磁道上的记录数据的AE分量，对加热器46供电(energize)以达到使AE超过基准范围的电流量，然后，确定极限电流量。将该电流量记录在ROM 93内。使用最内磁道的原因是，在最内径上，寻道期间的d_MS最小，因此最内磁道上的AE分量可以用作该电流量的上限基准。然后，利用记录在ROM 93上的公用“电流与TPTP凸出量的关系”表设置对应于要求的d_MS的电流量。

接着，说明磁盘驱动装置正常操作期间的功率供应。首先，利用以如上所述设置的电流量供电的加热器46，执行写和读。在此，当产生的AE量在基准范围内时，继续该操作。当产生的AE量超过该基准范围时，使该电流减小预定单位，并持续监测所产生的AE量。此后，重复该循环。在这种情况下，如果即使在重复了预定次数之后，所产生的AE量仍超过该基准范围，则磁头的飞行状态可能不稳定，也可以将它看作是发生碰撞的信号，因此，将停止操作的标记通知主CPU。

然后，将说明d_MS的温度补偿。由于滑块利用流体动力学飞行，所以该装置内部的温度影响d_MS。此外，构成背景的该装置内部的温度还对因为TPTP现象引起的磁头部件的凸出量产生影响。因此，将基于温度检测器98(例如，电阻式传感器)的特性的“该装置内部的温度与d_MS变化关系”表以及TPTP凸出量存储到ROM 93内，利用温度检测器98监测该温度。根据该装置内部的温度，参考该表调节电流量，从而确保特定d_MS。

接着，将说明根据其它因素补偿d_MS。因为大气压的改变或者外部振动，也使d_MS值发生波动。然而，在磁盘驱动装置内，通常没有气压传感器或者振动传感器。因此，首先根据该装置内部的温度调节d_MS值。进行了该调节之后，如果所产生的AE量仍超过基准范围，则认为这是因为大气压的变化或者振动等引起的d_MS变化，因此，使送到加热器的电流减小第一预定量。此时，如果所产生的AE量仍超过该基准范围，则使该电流减小第二预定量。此后，重复该循环。在这种情况下，如果即使在重复了预定次数之后，所产生的AE量仍超过该基准范围，则认为这归因于磁头的不稳定飞行状态，或者这是碰撞的信号，然后，将停止操作的标记等通知主CPU。

此外，d_MS值还根据磁盘的位置波动。这是因为，即使转数相同，在内径侧与外径侧之间，磁盘运动速度也不相同。因此，可以对送到加热器的电流进行微调，并根据磁盘上的记录/再现位置的半径，使d_MS稳定，从而实现恒定d_MS。

此外，在用于诸如车辆导航的车载装置上时，可以考虑到强振动方式(频繁AE方式)，将电流施加设置为节省方式，然后，取足够大的d_MS。

下面将说明对于加热器46产生的PTR表面的膨胀量和膨胀形状，多层覆盖涂层中每层的热膨胀系数。

在图4中，加热器46位于由第一至第三覆盖涂层47、48和49构成的多层覆盖涂层中，它对每层覆盖涂层提供热量。因此，每层覆盖涂层分别累积热量，因此，热膨胀对应于温度升高的量。该热膨胀导致MR效应部件42和感应写磁头部件44以及这些覆盖涂层在向着磁盘表面52的方向凸出，而且导致PTR表面51膨胀。在这种情况下，由于在一层与另一层之间覆盖涂层的热膨胀系数不同，所以PTR表面的膨胀量根据距滑块衬底的部件形成面的距离发生变化。通过在热平衡条件下，组合每层覆盖涂层的厚度和热膨胀系数，可以确定PTR表面膨胀量的分布。

图13a示出确定距滑块衬底40的部件形成面的距离d_MS和图4所示实施例的薄膜磁头的PTR表面上的膨胀测量点M的膨胀量d_PRO。此外，图13b示出预定加热条件下的D_SL与d_PRO之间关系的曲线图。

在图13a中，d_SL被定义为膨胀的PTR表面内的点M距滑块衬底40的部件形成面的距离。此外，d_PRO被定义为点M相对于膨胀之前的PTR面的膨胀量。在此，膨胀的PTR表面可能导致碰撞的PTR表面的范围延伸到边缘E，该边缘E是凹槽开始点，也是距部件形成面的距离D_E的点。因此，可能的d_SL值的范围是0≤d_SL≤D_E。

在图13b中，曲线a示出仅采用一个由厚度为32.0μm的Al₂O₃(热膨胀系数：6.9至8.0×10^-6/℃)构成的覆盖涂层的传统技术的情况。曲线b示出其中厚度为17.0μm的Al₂O₃用作第一覆盖涂层，而其热膨胀系数比Al₂O₃的热膨胀系数小的、厚度为15.0μm的AlN(3.8至4.5×10^-6/℃)用作第二覆盖涂层的情况。此外，曲线c示出其中厚度为17.0μm的Al₂O₃、厚度为5.0μm的AlN以及其热膨胀系数比Al₂O₃和AlN的热膨胀系数小、厚度为10.0μm的Si(3.6×10^-6/℃)分别用作第一、第二和第三覆盖涂层的情况。此外，曲线d示出其热膨胀系数比Al₂O₃的热膨胀系数大、厚度为17.0μm的MgO(13×10^-6/℃)用作第一覆盖涂层，而厚度为15.0μm的AlN用作第二覆盖涂层。总之，多层覆盖涂层的总厚度为32.0μm。此外，热膨胀系数以第一、第二和第三覆盖涂层的顺序降低。d_PRO示出模拟值。在这种情况下，加热器位于第二覆盖涂层中它接触第一覆盖涂层的位置。将D_E设置为17.0μm。

对于曲线a，d_PRO与d_SL一起增大。因此，在边缘E，PTR表面的膨胀最大。相反，在曲线b上，与曲线a的情况相同，d_PRO与d_SL一起增大，但是在d_SL 14μm附近这种增大达到峰值，然后，d_PRO稳定在约为13.3nm的值。因此，与曲线a相比，当考虑到凹槽面时，在对应于最大碰撞概率的边缘E，该膨胀被减小2.8nm。即，利用这种双层结构中的覆盖涂层可以降低在边缘E与磁盘表面发生碰撞的概率。

此外，在曲线c上，与曲线a的情况相同，d_PRO与d_SL一起增大，但是在d_SL接近9μm时，增大速率开始降低。然后，在d_SL接近13μm时，d_PRO达到约为11.1nm的峰值。在边缘E，d_PRO进一步降低到约为9.4nm。因此，与曲线a相比，在峰值位置，膨胀减小5.0nm，而在边缘E，膨胀减小6.7nm。即，利用具有这种三层结构的覆盖涂层可以改变PTR表面的膨胀形状，实现了边缘E从峰值开始凹陷的形状，因此，可以降低碰撞概率。

此外，在曲线d上，与曲线a的情况相同，d_PRO与d_SL一起增大，但是增大速率比曲线a、b和c的增大速率高。因此，在d_SL接近11μm时达到峰值，然后，稳定在约为13.0nm的值。因此，与曲线a相比，在边缘E，膨胀被抑制了3.1nm。在此获得的PTR表面的膨胀形状与该双层结构中的曲线b的膨胀形状明显不同。这样，改变多层覆盖涂层中每层的热膨胀系数可以改变PTR表面的膨胀形状。

如上所述，利用上述多层覆盖涂层可以将膨胀的PTR表面设置为预定形状，而且可以实现在靠近后沿的区域内几乎没有凸出的形状。这样可以可靠降低靠近后沿的区域与磁盘表面发生碰撞的概率。利用形成每层覆盖涂层的材料的热膨胀系数和每层覆盖涂层的厚度作为参数，可以自由设计该膨胀形状，因此，可以选择最佳条件，以在将d_MS抑制为小数值时，避免发生碰撞。

在上述实施例中，多层覆盖涂层的层数是2或者3，但是，显然，即使在层数为4或者更多时，同样可以获得可靠、稳定防碰撞特性。即，如果以从滑块衬底侧开始每层覆盖涂层的热膨胀系数单调降低的方式，分别选择4层或者更多层覆盖涂层的材料，则可以抑制因为可能导致碰撞的TPTP现象引起的靠近后沿的区域的膨胀。

此外，通过在形成覆盖涂层期间连续改变溅射条件，也可以形成覆盖涂层，其中，随着距滑块衬底的部件形成面的距离的增大，热膨胀系数连续减小，或者热膨胀系数是层厚方向坐标的单调减小函数。该实施例与其中多层覆盖涂层的厚度固定，而将覆盖涂层的层数设置为相当大的数的情况等效。

上述所有实施例仅作为例子，而不用于限定，而且在不脱离本发明实质范围的情况下，可以构造许多大不相同的变换例和修改例。因此，仅如同所附权利要求及其等同所做的限定，确定本发明。

Claims (31)

1.一种薄膜磁头，包括：

衬底；

至少一个磁头部件，形成在所述衬底上；

多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在所述衬底上，以覆盖所述至少一个磁头部件；以及

至少一个加热部件，至少在所述至少一个磁头部件的操作期间被加热，

所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且

从所述衬底侧开始，以热膨胀系数的降低顺序层叠所述覆盖涂层，使得距离所述衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数最小。

2.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中每一所述覆盖涂层由从包括MgO、Al₂O₃、Mo、W、AlN、SiC、W-Cu、SiO₂、Si、Si₃N₄、SiAlON、AlTiO₄、BN以及ZrW₂O₈的组中选择的一种材料形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述多层覆盖涂层由两层覆盖涂层构成。

4.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述多层覆盖涂层由三层覆盖涂层构成。

5.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中最靠近所述衬底的覆盖涂层中。

6.根据权利要求5所述的薄膜磁头，其中所述至少一个加热部件设置在所述至少一个磁头部件的空气支承面的相对侧。

7.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第二靠近所述衬底的覆盖涂层中。

8.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第三靠近所述衬底的覆盖涂层中。

9.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述至少一个磁头部件包括巨大磁致电阻效应读磁头部件或者隧道磁致电阻效应读磁头部件。

10.一种设置了薄膜磁头的磁头万向组件，该薄膜磁头包括：

衬底；

至少一个磁头部件，形成在所述衬底上；

多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在所述衬底上，以覆盖所述至少一个磁头部件；以及

至少一个加热部件，至少在所述至少一个磁头部件的操作期间被加热，

所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且

从所述衬底侧开始，以热膨胀系数的降低顺序层叠所述覆盖涂层，使得距离所述衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数最小，

所述磁头万向组件包括：

迹线导体，用于将信号送到所述薄膜磁头的所述至少一个磁头部件/从所述薄膜磁头的所述至少一个磁头部件发送信号；

引线导线，用于将电流送到所述薄膜磁头的所述至少一个加热部件；以及

支承机构，用于支承所述薄膜磁头。

11.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中每一所述覆盖涂层由从包括MgO、Al₂O₃、Mo、W、AlN、SiC、W-Cu、SiO₂、Si、Si₃N₄、SiAlON、AlTiO₄、BN以及ZrW₂O₈的组中选择的一种材料构成。

12.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述多层覆盖涂层由两层覆盖涂层构成。

13.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述多层覆盖涂层由三层覆盖涂层构成。

14.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中最靠近所述衬底的覆盖涂层中。

15.根据权利要求14所述的磁头万向组件，其中所述至少一个加热部件设置在所述至少一个磁头部件的空气支承面的相对侧。

16.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第二靠近所述衬底的覆盖涂层中。

17.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第三靠近所述衬底的覆盖涂层中。

18.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中所述至少一个磁头部件包括巨大磁致电阻效应读磁头部件或者隧道磁致电阻效应读磁头部件。

19.一种至少设置了一个磁头万向组件的磁盘驱动装置，该磁头万向组件设置了薄膜磁头，该薄膜磁头包括：

衬底；

至少一个磁头部件，形成在所述衬底上；

多层覆盖涂层，由多个覆盖涂层构成，形成在所述衬底上，以覆盖所述至少一个磁头部件；以及

至少一个加热部件，至少在所述至少一个磁头部件的操作期间被加热，

所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中，而且

从所述衬底侧开始，以热膨胀系数的降低顺序层叠所述覆盖涂层，使得距离所述衬底最远的覆盖涂层的热膨胀系数最小，

所述磁头万向组件包括：

迹线导体，用于将信号送到所述薄膜磁头的所述至少一个磁头部件/从所述薄膜磁头的所述至少一个磁头部件发送信号；

引线导线，用于将电流送到所述薄膜磁头的所述至少一个加热部件；以及

支承机构，用于支承所述薄膜磁头，

所述磁盘驱动装置包括用于控制送到所述至少一个加热部件的电流的电流控制装置。

20.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中每一所述覆盖涂层由从包括MgO、Al₂O₃、Mo、W、AlN、SiC、W-Cu、SiO₂、Si、Si₃N₄、SiAlON、AlTiO₄、BN以及ZrW₂O₈的组中选择的一种材料构成。

21.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述多层覆盖涂层由两层覆盖涂层构成。

22.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述多层覆盖涂层由三层覆盖涂层构成。

23.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中最靠近所述衬底的覆盖涂层中。

24.根据权利要求23所述的磁盘驱动装置，其中所述至少一个加热部件设置在所述至少一个磁头部件的空气支承面的相对侧。

25.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第二靠近所述衬底的覆盖涂层上。

26.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述至少一个加热部件设置在所述多层覆盖涂层中第三靠近所述衬底的覆盖涂层中。

27.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述至少一个磁头部件包括巨大磁致电阻效应读磁头部件或者隧道磁致电阻效应读磁头部件。

28.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述电流控制装置是至少在所述至少一个磁头部件操作期间，用于将电流送到所述至少一个加热部件的控制装置。

29.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述电流控制装置包括用于控制所述至少一个加热部件的信号系统，所述信号系统独立于用于控制所述至少一个磁头部件的操作的信号系统的操作，控制送到所述至少一个加热部件的电流。

30.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述电流控制装置包括检测装置，该检测装置检测包括在来自所述至少一个磁头部件的再现数据信号内的声发射分量，然后，根据所述检测装置检测的声发射分量，所述电流控制装置控制送到所述至少一个加热部件的电流。

31.根据权利要求19所述的磁盘驱动装置，其中所述电流控制装置包括温度检测装置，该温度检测装置检测所述磁盘驱动装置内部的温度，然后，根据所述温度检测装置检测的所述温度的程度，所述电流控制装置控制送到所述至少一个加热部件的电流。

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