JP2007287277A - 磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリ - Google Patents

Abstract

【課題】再生素子の近傍にヒータを配置し、浮上量を調整する磁気ヘッドスライダにおいて、記録電流起因や環境温度起因の熱突出を増加させることなく、ヒータ発熱による熱突出を増加させることが求められている。
【解決手段】磁気ヘッドスライダ１の薄膜ヘッド部分１ｂは、再生素子２、再生素子２の上下に再生素子２を挟むように配置されたヒータ５０、記録素子３、これらを隔てるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁層６０などから構成される。ヒータ５０はＮｉＣｒ等の薄膜抵抗体からなる細線であり、素子形成面１ｃに対して直角の方向に、再生素子２の上下に、再生素子２を挟むように蛇行して配置されている。細線の厚さは０．１μｍ〜０．２μｍであり、幅は１μｍ〜３μｍである。細線の長さは約１００μｍであり、抵抗は約５０Ω〜５００Ωである。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリに係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリに関する。

磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、磁気ヘッド支持機構によって支持されて磁気ディスクの径方向に位置決めされる磁気ヘッドスライダとを有し、磁気ヘッドスライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。前記磁気ヘッドスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクと直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。

従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を設けたスライダを用いれば上記マージンをなくし、スライダとディスクの接触を防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。

特許文献１には、薄膜抵抗体から成るヒータをスライダ基板と再生素子の間に設け、薄膜ヘッド部分の一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、再生素子及び記録素子と磁気記録媒体との距離を調整するスライダ構造が提案されている。図１２に特許文献１に記載されている磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分の断面図を示す。スライダ基板１ａと再生素子２の間にヒータ２２が配置されている。図１３はヒータ２２の平面図である。ヒータ２２はスライダ基板１ａに平行に薄膜抵抗体の細線を蛇行させたものである。
特許文献２には、ヒータ及び記録再生素子の周囲を剛性の小さな樹脂膜で囲むことにより、ヒータ及び記録再生素子の近傍だけを突出変形させるスライダ構造が提案されている。

特開２００５−１３５５０１号公報 特開２００５−０５６４４７号公報

浮上量調整スライダの課題は消費電力である。特に携帯用機器に搭載される磁気ディスク装置では厳しい消費電力の制限がある。ヒータで加熱する熱アクチュエータは、平衡状態に達したスライダの浮上量を保持するのに電力を消費しない圧電アクチュエータおよび静電アクチュエータと違って、装置の動作中、スライダの浮上量調整を行うための電力を必要とする。したがって、供給した電力を効率よく変形量（突出量）に変換できる熱アクチュエータを開発し、消費電力を低減する必要がある。
ヒータによる熱突出量を増やすためには、スライダ基板上に形成される下地絶縁膜を厚くして、ヒータの熱をスライダ基板へ逃げにくくする方法や、特許文献２に記載されているように、ヒータの周囲に柔らかい樹脂膜を形成して熱変形量を大きくする方法が有効である。

しかし、下地絶縁膜の厚膜化は、記録電流による発熱のスライダ基板への放熱性を悪くしてしまうため、記録電流起因の熱突出を増大させてしまうという問題がある。記録電流起因の熱突出とは、記録電流がコイルに流れる時の電磁誘導によって磁極で発生する渦電流損による発熱（鉄損）と記録電流によるコイル発熱（銅損）の和がヘッドの記録再生素子近辺を加熱し、熱膨張させることによるナノメートルオーダの熱突出である。従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。そのため、記録電流起因の熱突出はできるだけ小さく抑える必要があり、下地絶縁膜の厚さはなるべく薄くなるように設計し、記録電流による発熱のスライダ基板への放熱性を良くしている。しかし、下地絶縁膜の薄膜化はヒータの発熱をスライダ基板に放熱しやすくしてしまい、ヒータによる熱突出量を減らしてしまうため、浮上量調整のための消費電力を増加させてしまうという問題がある。

ヒータの周囲に柔らかい樹脂膜を形成する方法は、樹脂膜近傍の変形を容易にしているため、熱アクチュエータによる熱突出を増大させるのと同時に、記録電流起因や環境温度起因の熱突出も増大させてしまうという問題がある。環境温度起因の熱突出とは、記録再生素子を構成する磁気シールドや磁極などの金属材料や樹脂材料と、それ以外の部分のセラミックス材料との線膨張係数差が原因で、環境温度の上昇によって起こるナノメートルオーダの局所的な熱突出である。

上記のような理由から、記録電流起因や環境温度起因の熱突出を増加させることなく、熱アクチュエータによる熱突出を増加させることができるヒータの構造が求められている。また、単純に熱変形による突出量を大きくするだけでは、突出により新たに生じる空気圧力によってスライダが浮き上がるため、ストロークをそれほど大きくすることはできない。そのため、熱突出形状はできるだけ急峻になることも求められている。
本発明の目的は、ヒータ発熱による突出量は大きく、記録電流発熱による突出量は小さい磁気ヘッドスライダを提供することである。
本発明の他の目的は、熱突出によるスライダの浮き上がりが小さい磁気ヘッドスライダを提供することである。
本発明のさらに他の目的は、ヒータ発熱による突出量は大きく、記録電流発熱による突出量は小さい磁気ヘッドスライダを保持するヘッドジンバルアセンブリを提供することである。

本発明の磁気ヘッドスライダは、
スライダと、
スライダの素子形成面に形成された再生素子と、
再生素子の上部に形成された記録素子と、
再生素子の近傍に形成され、記録素子が積層される方向に蛇行する薄膜抵抗体の細線からなるヒータと、を有するものである。

前記再生素子の上下は、薄膜抵抗体の細線に挟まれているのが望ましい。

前記ヒータは、スライダの素子形成面と再生素子の間に形成されていても良い。

また、前記ヒータは、再生素子と記録素子の間に形成されていても良い。

本発明のヘッドジンバルアセンブリは、磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを保持する可撓性のジンバルと、ジンバルを支持し、磁気ヘッドスライダに荷重を与えるロードビームとを有し、
磁気ヘッドスライダが、スライダと、スライダの素子形成面に形成された再生素子と、再生素子の上部に形成された記録素子と、再生素子の近傍に形成され、記録素子が積層される方向に蛇行する薄膜抵抗体の細線からなるヒータと、を有するものである。

本発明によれば、浮上量調整機能を有する磁気ヘッドスライダにおいて、ヒータ発熱による突出量は大きく、記録電流発熱による突出量は小さくすることができる。また、熱突出によるスライダの浮き上がりを小さくすることができる。

本発明の実施形態に係わる磁気ヘッドスライダおよびヘッドジンバルアセンブリについて、図面を用いて以下説明する。なお、異なる図面で同じ番号は同じ構成部品を示している。
まず図２を参照して本発明の磁気ヘッドスライダが搭載される磁気ディスク装置の概略構成を説明する。磁気ディスク装置１０は、磁気情報が格納されスピンドルモータによって回転する磁気ディスク１３と、記録再生素子を搭載しサスペンション１５によって支持および径方向位置決めされる磁気ヘッドスライダ１を有し、磁気ヘッドスライダ１が相対的に磁気ディスク１３上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。磁気ヘッドスライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスク１３と直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置１０の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダ１と磁気ディスク１３の距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。近年、スライダ浮上量は１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下まで縮められている。

磁気ヘッドスライダ１は、サスペンション１５を構成する板ばね状のロードビームに取り付けられた薄板状のジンバルに取り付けられており（この構成をヘッドジンバルアセンブリという）、ロードビームによって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、サスペンション１５とともにボイスコイルモータ１６によって磁気ディスク１３の径方向にシーク動作し、磁気ディスク面全体で記録再生を行う。磁気ヘッドスライダ１は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク１３上からランプ１４上に待避する。なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気ディスク１３のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置であっても良い。

図３にヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）の構成を示す。ＨＧＡ４は、磁気ヘッドスライダ１と、サスペンション１５及びサスペンションに配線されたトレース４２を備えている。サスペンション１５は、磁気ヘッドスライダ１を磁気ディスク対向面側で保持する可撓性のジンバル４３と、ジンバル４３を磁気ディスク対向面側で支持し、磁気ヘッドスライダ１にディスク方向への荷重を与えるロードビーム４１とを有し、ロードビーム４１の一端にはマウントプレート４４を備えている。図３のＨＧＡ４は、ロード・アンロード・タイプであって、ロードビーム４１の先端にランプ１４に退避するためのタブ４５を備えている。磁気ヘッドスライダ１の空気流出端面（タブ側）にはヘッド素子部に接続された複数の端子が形成されており、各端子とトレース４２の各配線とが半田や金のボール・ボンディングなどを使用して接続されている。

図４に第１の実施例による磁気ヘッドスライダ１の全体構成を示す。磁気ヘッドスライダ１は、アルミナ・炭化チタン焼結体（アルチック：Ａｌ_２０_３・ＴｉＣ）の基板（スライダ）１ａと、スライダ１ａの素子形成面１ｃに形成された薄膜ヘッド部分１ｂからなる。ウエハ状態で、スパッタリング、めっき、研磨などの工程を繰り返して、薄膜ヘッド部分１ｂを基板１ａの素子形成面１ｃ上に形成した後に、ダイシングによってウエハからバー状のブロックに切断し、所定の加工を施した後、ブロックから磁気ヘッドスライダ１を多数切り出す。磁気ヘッドスライダ１は例えば長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、空気軸受面５、空気流入端面１１、空気流出端面１２、両側の側面、背面の計６面から構成される。なお、スライダの寸法は前記以外に、更に小型で長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍのもの等がある。

空気軸受面５にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。なお、図では段差は強調して描かれている。段差は、実質的に平行な３種類の面に分類される。最もディスクに近いレール面６（６ａ，６ｂ）、レール面６より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面７（７ａ，７ｂ）、レール面６より約１μｍ深くなっている深溝面８の３種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、空気流入端面１１側のステップ軸受である浅溝面７ｂからレール面６ｂへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６ｂや浅溝面７ｂから深溝面８へ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。

磁気ヘッドスライダ１は、空気流入端面１１側の浮上量が空気流出端面１２側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍のレール面６ａがディスクに最も接近する。流出端近傍では、レール面６ａが周囲の浅溝面７ａ、深溝面８に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６ａが最もディスクに近づくことになる。記録素子３および再生素子２は、レール面６ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。ロードビーム４１から押し付けられる荷重と、空気軸受面５で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、記録素子３および再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の適切な値に保つよう、ステップ軸受の形状が設計されている。なお、ここでは空気軸受面５が実質的に平行な３種類の面６、７、８から形成される二段ステップ軸受の磁気ヘッドスライダについて説明したが、４種類以上の平行な面から形成される三段以上のステップ軸受の磁気ヘッドスライダであっても良い。

図１は磁気ヘッドスライダ１の、薄膜ヘッド部分１ｂの断面図である。図５は薄膜ヘッド部分１ｂを浮上面５から見た構成図である。図１及び図５に示すように、磁気ヘッドスライダ１のアルチック基板１ａの素子形成面１ｃ上に形成された薄膜ヘッド部分１ｂは、再生素子２、再生素子２の上下に再生素子２を挟むように配置されたヒータ５０、記録素子３、これらを隔てるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁層６０、およびそれぞれの素子への電気配線膜（図示せず）などから構成される。再生素子２は、下部磁気シールド２１と、ギャップ層２２と、ギャップ層２２の中に形成された磁気抵抗効果素子２３と、上部磁気シールド２４とで構成されている。磁気抵抗効果素子２３は、ＧＭＲ(Giant Magnetoresistive)素子やＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)素子などである。記録素子３は、下部磁極３１と、浮上面側に磁気ギャップ３２を形成し後部で下部磁極３１に磁気的に接続されている上部磁極３３と、下部磁極３１と上部磁極３３の間に層間絶縁層３４を介して形成されたコイル３５とで構成されている。ヒータ５０はＮｉＣｒ等の薄膜抵抗体からなる細線であり、素子形成面１ｃに対して直角の方向（記録素子３が積層される方向）に、再生素子２の上下に、再生素子２を挟むように蛇行して形成されている。この例では、素子形成面１ｃと再生素子２の間と、再生素子２と記録素子３の間で、それぞれ一回折り返されている構成である。細線の厚さは０．１μｍ〜０．２μｍであり、幅は１μｍ〜３μｍである。細線の長さは約１００μｍであり、抵抗は約５０Ω〜５００Ωである。なお、図１及び図５は、素子構造をわかりやすくするために、スライダ長手方向（図１のＸ方向）の寸法を拡大して描いてある。

図１３に示した従来のヒータ構造との違いは、従来のヒータ２２がスライダ幅方向（図１２のＹ方向）に蛇行する構造なのに対して、本実施例のヒータ５０は、スライダ基板１ａの素子形成面１ｃに対して直角の方向であるスライダ長手方向（図１のＸ方向）に蛇行する構造になっていることである。アルチック基板１ａの素子形成面１ｃに対して直角の方向に細線を蛇行させ、スライダ幅方向に関してヒータ領域の寸法を狭くすることにより、熱伝導率の高いアルチック基板１ａと対向するヒータ５０の面積が従来のヒータ構造に対して極端に小さくなり、ヒータ５０の熱がアルチック基板１ａに逃げにくくなる。この結果、ヒータ５０の熱が再生素子近傍に集中し、熱突出量が増加する。また、ヒータ５０の発熱領域が小さくなり、突出形状が急峻になる。突出形状が急峻になると、突出により新たに生じる空気圧力の増加を抑えることができるため、突出によるスライダの浮き上がりを小さくすることができる。その結果、突出量の浮上変化効率が従来のヒータ構造と比べて向上するため、低消費電力化が可能となる。

図６、図７に、ヒータに５０ｍＷの電力を与えた際のスライダの熱変形を、有限要素法を用いて解析し、従来のヒータ構造と実施例によるヒータ構造を比較した結果を示す。二つのヒータ構造で解析条件を同一とするために、浮上面５からヒータ２２，５０の中心位置までの距離Ｄ１を同じ距離にして解析を行った。図６は記録再生素子近傍のスライダ長手方向の変形形状を示し、横軸に空気流出端からの再生素子位置の距離をとり、縦軸に記録再生素子近傍の突出量をとったものである。図７は記録再生素子近傍の磁気ディスク径方向の変形形状を示し、横軸にスライダ幅方向の中心からの再生素子位置の距離をとり、縦軸に記録再生素子近傍の突出量をとったものである。図６、図７の解析結果より、本実施例のヒータ構造の方が、突出量が大きくなることが確認できる。また、突出量の最大値で突出形状を規格化し、突出形状を比較した結果を図８、図９に示す。図８、図９より、本実施例のヒータ構造の方がアルチック部分の変形量が小さく、突出形状が急峻になっていることが確認できる。

図１０は、本発明の第２の実施例による磁気ヘッドスライダ１の、薄膜ヘッド部分１ｂの断面図である。スライダの基本構成は第１の実施例と同じである。本実施例では、ヒータ５０は、スライダ長手方向に関して上部磁気シールド２４と下部磁極３１の間で、スライダ長手方向（図１０のＸ方向）に蛇行する構造になっている。この構造によれば、実施例１と同様の効果が得られる他に、ヒータ５０の構造を簡素化することができる。

図１１は、本発明の第３の実施例による磁気ヘッドスライダ１の、薄膜ヘッド部分１ｂの断面図である。スライダの基本構成は第１の実施例と同じである。本実施例では、ヒータ５０は、スライダ長手方向に関してスライダ基板１ａと下部磁気シールド２１の間で、スライダ長手方向（図１１のＸ方向）に蛇行する構造になっている。この構造でも実施例１と同様の効果が得られ、かつヒータ５０の構造を簡素化することができる。

第１の実施例による磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分の断面図である。 本発明の磁気ヘッドスライダを搭載する磁気ディスク装置の上面図である。 本発明のヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。 第１の実施例による磁気ヘッドスライダの斜視図である。 第１の実施例による磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分を浮上面から見た図である。 第１の実施例の突出量増加効果を示す図である。 第１の実施例の突出量増加効果を示す図である。 第１の実施例の突出量を急峻にする効果を示す図である。 第１の実施例の突出量を急峻にする効果を示す図である。 第２の実施例による磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分の断面図である。 第３の実施例による磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分の断面図である。 従来の磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部分の断面図である。 従来の磁気ヘッドスライダのヒータ構造を示す平面図である。

符号の説明

１…磁気ヘッドスライダ、１ａ…基板（スライダ）、１ｂ…薄膜ヘッド部分、１ｃ…素子形成面、２…再生素子、３…記録素子、４…ヘッドジンバルアセンブリ、５…浮上面、６ａ，６ｂ…レール面、７ａ，７ｂ…浅溝面、８…深溝面、１０…磁気ディスク装置、１１…空気流入端面、１２…空気流出端面、１３…磁気ディスク、１４…ランプ、１５…サスペンション、１６…ボイスコイルモータ、２１…下部磁気シールド、２２…ギャップ層、２３…磁気抵抗効果素子、２４…上部磁気シールド、３１…下部磁極、３２…記録ギャップ、３３…上部磁極、３４…層間絶縁層、３５…コイル、４１…ロードビーム、４２…トレース、４３…ジンバル、４４…マウントプレート、４５…タブ、５０…ヒータ、６０…絶縁層、Ｄ１…浮上面からヒータの中心位置までの距離。

Claims (15)

1. スライダと、
   該スライダの素子形成面に形成された再生素子と、
   該再生素子の上部に形成された記録素子と、
   前記再生素子の近傍に形成され、前記記録素子が積層される方向に蛇行する薄膜抵抗体の細線からなるヒータと、
   を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
2. 前記再生素子の上下が、前記薄膜抵抗体の細線に挟まれていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
3. 前記ヒータが、前記スライダの素子形成面と前記再生素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
4. 前記ヒータが、前記再生素子と前記記録素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
5. 前記薄膜抵抗体の細線は、厚さが０．１μｍ〜０．２μｍであり、幅が１μｍ〜３μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
6. 前記薄膜抵抗体の細線は、厚さが０．１μｍ〜０．２μｍであり、幅が１μｍ〜３μｍであり、長さが約１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
7. 前記薄膜抵抗体の細線は、厚さが０．１μｍ〜０．２μｍであり、幅が１μｍ〜３μｍであり、抵抗が約５０Ω〜５００Ωであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
8. 前記再生素子は、下部磁気シールドと、上部磁気シールドと、該下部磁気シールドと上部磁気シールドの間にギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子とを有し、前記薄膜抵抗体の細線が、前記スライダの素子形成面と前記下部磁気シールドの間と、前記上部磁気シールドと前記記録素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
9. 前記再生素子は、下部磁気シールドと、上部磁気シールドと、該下部磁気シールドと上部磁気シールドの間にギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子とを有し、前記薄膜抵抗体の細線が、前記スライダの素子形成面と前記下部磁気シールドの間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
10. 前記再生素子は、下部磁気シールドと、上部磁気シールドと、該下部磁気シールドと上部磁気シールドの間にギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子とを有し、前記薄膜抵抗体の細線が、前記上部磁気シールドと前記記録素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
11. スライダと、
    該スライダの素子形成面に形成された再生素子と、
    該再生素子の上部に形成された記録素子と、
    前記再生素子の近傍に形成され、前記素子形成面に対して直角の方向に蛇行する薄膜抵抗体の細線からなるヒータと、
    を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
12. 磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを保持する可撓性のジンバルと、該ジンバルを支持し、前記磁気ヘッドスライダに荷重を与えるロードビームとを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、
    前記磁気ヘッドスライダが、スライダと、該スライダの素子形成面に形成された再生素子と、該再生素子の上部に形成された記録素子と、前記再生素子の近傍に形成され、前記記録素子が積層される方向に蛇行する薄膜抵抗体の細線からなるヒータと、を有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
13. 前記再生素子の上下が、前記薄膜抵抗体の細線に挟まれていることを特徴とする請求項１２記載のヘッドジンバルアセンブリ。
14. 前記ヒータが、前記スライダの素子形成面と前記再生素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１２記載のヘッドジンバルアセンブリ。
15. 前記ヒータが、前記再生素子と前記記録素子の間に形成されていることを特徴とする請求項１２記載のヘッドジンバルアセンブリ。

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