JP2011129222A - 磁気ヘッド・スライダ及び磁気ディスク・ドライブ - Google Patents

Abstract

【課題】接触センサ素子を有する磁気ヘッド・スライダにおいて、記録素子、再生素子、そして、接触センサ素子の全ての素子の浮上量を効果的に低減する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、磁気ヘッド・スライダ１は、記録素子２と再生素子３とに加え、接触センサ素子を有する。さらに、磁気ヘッド・スライダ１は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４とを有する。第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。
【選択図】図７

Description

本発明は、磁気ディスク・ドライブの高記録密度化を実現するための磁気ヘッド・スライダ及びその磁気ヘッド・スライダを搭載した磁気ディスク・ドライブに関する。

磁気ディスク・ドライブは、回転する磁気ディスクと、磁気ヘッド・スライダと、磁気ヘッド・スライダを保持し、回転駆動することで磁気ヘッド・スライダを磁気ディスクの半径方向に移動して位置決めするアクチュエータとを有する。磁気ヘッド・スライダは、スライダと、その上に形成され、記録再生素子を含む磁気ヘッド素子部とを有する。アクチュエータに保持される磁気ヘッド・スライダが、磁気ディスク上を相対的に飛行して、磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。

磁気ヘッド・スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとは直接には固体接触しないように設計されている。磁気ディスク・ドライブの高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクの距離、すなわち浮上量を縮め、記録密度を上げることが有効である。

近年、磁気ヘッド素子部内部に形成された薄膜抵抗体からなる加熱装置（ヒータ素子）によってその磁気ヘッド・スライダの浮上量を調整する、浮上量調整型スライダが実用化されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、磁気ヘッド・スライダ個体毎に浮上量を縮めることができ、また、使用環境に応じて磁気ヘッド・スライダの浮上量を調整することができる。浮上量調整型スライダは、磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクの接触は防ぎつつ記録再生素子の浮上量を縮めることを実現する。

特開２００８−１１２５４５

浮上量調整機能を利用して磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクとの接触を検知することで、浮上量の個体差を知ることができる。磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクの接触を感度よく検知するためには、磁気ヘッド・スライダ内部における磁気ディスクとの接触点近くに、接触による摩擦熱を感知する薄膜抵抗体からなる接触センサ素子を組み込みことが有効である。この接触センサ素子により、高感度に接触検知を行うことができる。

磁気ヘッド・スライダ内部に組み込まれた接触センサ素子を有効に利用するためには、接触センサ素子の位置が、常に磁気ヘッド・スライダの最下点近くであることが重要である。しかし、磁気ヘッド・スライダにおいては、磁気ヘッド素子部の温度に変化があると、記録素子および再生素子の近傍が熱変形する。このように、磁気ヘッド素子部（磁気ヘッド・スライダ）の最下点は、その使用状況によって、変化しうる。

磁気ヘッド素子部の温度変化による熱変形には二種類あり、一つは、記録電流による熱膨張である。具体的には、記録電流がコイルに流れると、電磁誘導によって磁極で渦電流損が発生し、発熱（鉄損）が起きる。さらに、記録電流によって、コイルが発熱する（銅損）。これら発熱の和が、磁気ヘッド素子部の記録再生素子近辺を加熱し、熱膨張させることにより、ナノ・メートルオーダの熱突出が起きる。

もう一つは、環境温度の上昇によって起こる熱膨張である。記録再生素子近辺の磁気シールドや磁極の金属材料や樹脂材料と、それ以外の部分のセラミックス材料との間には、線膨張係数の相違が存在する。この線膨張係数差が原因で、環境温度の上昇によって、ナノ・メートルオーダの局所的な熱突出が起こる。

さらに、磁気ヘッド・スライダ（磁気ヘッド素子部）の最下点は、浮上面を形成する際にできる記録再生素子部近傍の浮上面の加工段差形状の個体差にも、大きく影響される。このため、磁気ヘッド・スライダ毎に、その最下点が異なる可能性がある。

上述のように、使用環境や磁気ヘッド・スライダ毎に磁気ヘッド・スライダの最下点が異なる場合、接触センサ素子が磁気ヘッド・スライダの最下点から離れた場所に位置する状況が起こり、接触センサ素子が磁気ヘッド・スライダと磁気ディスクの接触を感度良く検知できない可能性がある。

また、近年の磁気ヘッド・スライダは、記録特性が重要視されている。そのため、ヒータ素子による浮上量調整時には、記録素子が最下点の近くとなり、記録素子位置の磁気スペーシング（浮上量）を極力小さくすることが求められている。しかし、浮上量調整用のヒータ素子を、記録素子を最下点にすることを優先して設計すると、再生素子位置の浮上量が大きくなり、再生素子位置の磁気スペーシング（浮上量）が大きくなってしまう難点がある。現状では、一つの浮上量調整用ヒータ素子で、記録素子と再生素子の両方を磁気ヘッド・スライダの最下点近くにすることは困難である。

したがって、記録素子、再生素子、そして、接触センサ素子の全てを磁気ヘッド・スライダの最下点近くにすることができる技術が望まれる。

本発明の一態様は、スライダ基板と、前記スライダ基板上の磁気ヘッド素子積層体と、を有する磁気ヘッド・スライダである、前記磁気ヘッド素子積層体は、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子よりも上層に形成されている記録磁極と、磁気抵抗効果素子及び前記記録磁極よりも浮上面から遠い位置に形成されている第１薄膜抵抗ヒータ素子と、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近い第２薄膜抵抗ヒータ素子と、前記第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており前記第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い薄膜抵抗接触センサ素子とを有する。この構成により、記録磁極、磁気抵抗効果素子、そして、接触センサ素子と磁気ディスクとの距離を効果的に低減することができる。

好ましい構成において、前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子よりも下層に形成されている。これにより、第２薄膜抵抗ヒータ素子からの熱により磁気抵抗効果素子を効率的に膨張させることができる。
前記第１薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子と前記記録磁極との間の層に形成されていることが好ましい。これにより、第１薄膜抵抗ヒータ素子により記録磁極を効率的に膨張させることができる共に、磁気抵抗効果素子にも適切に第１薄膜抵抗ヒータ素子からの熱を与えることができる。

好ましい構成において、前記薄膜抵抗接触センサ素子は、積層方向において、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも前記記録磁極に近い位置にある。これにより、記録磁極と共に薄膜抵抗接触センサ素子の浮上量を小さくすることができ、高感度に接触を感知することができる。

前記薄膜抵抗接触センサ素子は、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さいことが好ましい。これにより、薄膜抵抗接触センサ素子が高感度に接触を感知することができる。さらに、前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さいことが好ましい。この第２薄膜抵抗ヒータ素子により、磁気抵抗効果素子を含む部分の局所的な熱膨張をより適切に引き起こすことができる。

好ましい構成において、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子のグランドは共通である。これにより、浮上量制御を適切に行いつつ、磁気ヘッド・スライダの端子数を低減することができる。
好ましい構成において、前記薄膜抵抗接触センサ素子の入出力線は、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子から独立である。これにより、薄膜抵抗接触センサ素子の感度の低下を防ぐことができる。

本発明の他の態様の磁気ディスク・ドライブは、磁気ディスクにアクセスする磁気ヘッド・スライダと、前記磁気ディスク上で浮上する前記磁気ヘッド・スライダを支持し、前記磁気ディスク上で前記磁気ヘッド・スライダを移動するヘッド移動機構と、前記磁気ヘッド・スライダに電力を供給する電力供給回路と、前記電力供給回路を制御するコントローラを有する。前記磁気ヘッド・スライダは、スライダ基板とそのスライダ基板上に形成されている磁気ヘッド素子積層体とを有する。前記磁気ヘッド素子積層体は、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子よりも上層に形成されている記録磁極と、磁気抵抗効果素子及び前記記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている第１薄膜抵抗ヒータ素子と、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面に近い、第２薄膜抵抗ヒータ素子と、前記第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、前記第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い、薄膜抵抗接触センサ素子を有する。前記コントローラは、前記電力供給回路により、前記前記第２ヒータ素子に前記第１ヒータ素子よりも小さい電力を供給する。これにより、記録磁極、磁気抵抗効果素子、そして、接触センサ素子と磁気ディスクとの距離を効果的に低減することができる。

本発明によれば、接触センサ素子を有する磁気ヘッド・スライダにおいて、磁気記録素子、磁気再生素子、そして、接触センサ素子の浮上量を効果的に低減することができる。

本実施形態おいて、磁気ディスク・ドライブの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態における、磁気ヘッド・スライダの斜視図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 本発明の実施形態における第１のヒータ素子構造を示す断面図である。 本発明の実施形態における第２のヒータ素子構造を示す断面図である。 本発明の実施形態における接触センサ素子構造を示す断面図である。 本発明の実施形態におけるヒータ素による浮上面突出形状を示す図である。 本発明の実施形態に係る磁気ヘッド・スライダにおいて、９端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る磁気ヘッド・スライダにおいて、８端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る磁気ヘッド・スライダにおいて、７端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を並列接続した場合の８端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を直列接続した場合の８端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を並列接続した場合の７端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を直列接続した場合の７端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を並列接続した場合の６端子の配線構造を示す図である。 本発明の実施形態において、二つのヒータ素子を直列接続した場合の６端子の配線構造を示す図である。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。以下においては、磁気ディスク・ドライブの一例であるハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）を例として、本発明の実施形態を説明する。

本実施形態に係るＨＤＤ１００の概略構成を図１に示す。ＨＤＤ１００は、筐体１０２を有し、筐体１０２にはスピンドル・モータ１０４、軸受けユニット１１０、そしてＶＣＭ磁気回路１１６が取り付けられている。スピンドル・モータ１０４には、磁気ディスク１０６が固定され、磁気ディスク１０６はスピンドル・モータ１０４によって回転駆動される。軸受けユニット１１０には、ヘッド・アーム１１２とＶＣＭコイルが支持され、ＶＣＭコイルはＶＣＭ磁気回路１１６の磁界中に置かれる。

ヘッド・アーム１１２の先にはサスペンション１１８が取り付けられ、サスペンション１１８は、磁気ヘッド・スライダ１を支持している。サスペンション１１８と磁気ヘッド・スライダ１とのアセンブリを、ヘッド・ジンバル・アセンブリと呼ぶ。サスペンション１１８、ヘッド・アーム１１２、軸受けユニット１１０そしてＶＣＭコイルが、アクチュエータ１６０を構成している。アクチュエータ１６０は、磁気ヘッド・スライダ１の移動機構の一例である。アクチュエータ１６０と磁気ヘッド・スライダ１とのアセンブリを、ヘッド・スタック・アセンブリと呼ぶ。

アクチュエータ１６０は、軸受けユニット１１０において回動し、磁気ヘッド・スライダ１を磁気ディスク１０６の半径方向に移動させる。磁気ヘッド・スライダ１は、サスペンション１１８によって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下の浮上量で磁気ディスク１０６上を浮上する。

磁気ヘッド・スライダ１は回動するアクチュエータ１６０によって磁気ディスク１０６の半径方向に移動し（シーク動作）、磁気ディスク１０６に対してアクセスする。アクセスは、記録と再生の上位概念である。アクチュエータ１６０は、ＨＤＤ１００の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク１０６上からランプ１２２に待避する。そのとき、磁気ヘッド・スライダ１は、磁気ディスク１０６の外側に位置する。上記ＨＤＤ１００は、ランプ・ロード・アンロード方式のＨＤＤであるが、磁気ヘッド・スライダ１が磁気ディスク１０６の特定の領域で待機する、コンタクト・スタート・ストップ方式のＨＤＤに本発明を適用することができる。

筐体１０２外側に固定された回路基板上に、各回路が実装されている。モータ・ドライバ・ユニット５２２は、ＨＤＣ５２３からの制御データに従って、スピンドル・１０４とＶＣＭ磁気回路１１６を駆動する。ヘッドＩＣであるアーム・エレクトロニクス（ＡＥ）５１３はＩＣであって、好ましくは、筐体１０２内に配置されている。ＡＥ５１３は、ＨＤＣ５２３からの制御データに従って複数のヘッド・スライダ１の中から磁気ディスク１０６にアクセス（リードもしくはライト）するヘッド・スライダ１を選択し、リード／ライト信号の増幅を行う。

また、ＡＥ５１３は、ＨＤＣ５２３からの制御データに従って選択したヘッド・スライダ１２のヒータ素子へ電力を供給し、その電力量を調整する電力供給調整回路として機能する。また、ＡＥ５１３は、接触センサ素子を使用して、ヘッド・スライダ１と磁気ディスク１０６との間の接触をモニタし、接触を検知する接触検知機能を有している。接触センサが接触を検知すると、ＡＥ５１３がそれをＨＤＣ５２３に通知する。

ＲＷチャネル５２１は、リード処理において、ＡＥ５１３から供給されたリード信号からデータを抽出し、デコード処理を行う。デコード処理されたデータは、ＨＤＣ５２３に供給される。また、ライト処理において、ＨＤＣ５２３から供給されたライト・データをコード変調し、さらに、コード変調されたデータをライト信号に変換してＡＥ５１３に供給する。

コントローラであるＨＤＣ５２３は、ＭＰＵとハードウェア論理回路とで構成されている。ＨＤＣ５２３は、リード／ライト処理制御、コマンド実行順序の管理、サーボ信号を使用したヘッド・ポジショニング制御（サーボ制御）、ホストとの間のインターフェイス制御、ディフェクト管理、エラー対応処理など、データ処理に関する必要な処理及びＨＤＤ１００の全体制御を実行する。ＨＤＣ５２３は、ＡＥ５１３の制御レジスタに制御データを格納することでＡＥ５１３を制御する。ＲＡＭ５２４は、ＨＤＣ５２３のファームウェアの他、ユーザ・データを一時的に格納するセクタ・バッファとして機能する。

図２は、図１における磁気ヘッド・スライダ１の構造を模式的に示す図である。磁気ヘッド・スライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（以下、アルチックと略す）に代表されるセラミック材料のスライダ基板１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂとから成る。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、スライダ基板１ａの素子形成面（薄膜形成面）上に薄膜プロセスで形成された磁気ヘッド素子積層体である。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、磁気記録素子２、磁気再生素子３、２つの薄膜抵抗ヒータ素子（図３の薄膜抵抗ヒータ素子４、４０を参照）、接触センサ素子（図３の接触センサ素子４１を参照）、および、絶縁体の保護膜（図３の保護膜１６を参照）などから成る。

磁気ヘッド・スライダ１は、例えばフェムトと呼ばれる磁気ヘッド・スライダ１では、長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面９、空気流入端面１２、空気流出端面１４、両側の側面、背面の計６面から構成される。浮上面９にはイオン・ミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受け）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受けの役目を果たしている。

浮上面９には前記のように段差が設けられ、実質的に平行な３種類の面に分類される。最もディスクに近い浮上パッド５ａ、５ｂ、５ｃ、浮上パッド５より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受け面である浅溝面７ａ、７ｂ、浮上パッド５より約１μｍ深くなっている深溝面８の３種類である。磁気ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受けである浅溝面７ｂから浮上パッド５ｂ、５ｃへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力が生じる。一方、浮上パッド５ｂ、５ｃ及び浅溝面７ｂから深溝面８へ空気流が進入する際には、流路の拡大によって負の空気圧力が生じる。なお、図２においては段差及び溝の深さを強調して示してある。

磁気ヘッド・スライダ１は空気流入端１２側の浮上量が、空気流出端１４側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上パッド（以下、素子設置面という）５ａがディスクに最も接近する。流出端近傍では、素子設置面５ａが周囲の浅溝面７ａ、深溝面８に対して突出しているので、スライダ・ピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、素子設置面５ａが最も磁気１０６ディスクに近づくことになる。

磁気記録素子２および磁気再生素子３は、素子設置面５ａの薄膜ヘッド部分１ｂ内に形成されている。サスペンション１１８から押し付けられる荷重と、浮上面９で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録素子２および磁気再生素子３からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の適切な値に保つよう、浮上面９の形状が設計されている。浮上面９で最も磁気ディスク１０６と接触する可能性の高い素子設置面５ａには、ディスクとの短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、また記録素子２および再生素子３の腐食を防ぐため、厚さ数ｎｍの炭素保護膜が形成されている。

なお、上述の磁気ヘッド・スライダ１は、浮上面９が実質的に平行な高さ（深さ）が異なる３種類の面（パッド面、浅溝面、深溝面）から形成される２段ステップ軸受けのスライダであるが、４種類以上の平行な面から形成される３段以上のステップ軸受けのスライダであっても良い。

図２に示した磁気ヘッド・スライダ１の、記録再生素子２、３が形成された薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図（Ａ−Ａ線断面図）を図３に示す。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、アルチック基板１ａ上に、メッキ、スパッタリング、研磨などの薄膜プロセスを用いて形成される。アルチック基板１ａ上に、最下層から順に各層が形成される。したがって、一つの層に対して、アルチック基板１ａに近い層は下層であり、アルチック基板１ａから遠い層は上層である。上述のように、薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、空気流出端１４に形成されている。従って、下層側が空気流入側（リーディング側）であり、上層側が空気流出側（トレーリング側）である。

薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、磁界の変化を検出する磁気抵抗型の磁気再生素子３、磁気情報を記録するインダクティブ型の磁気記録素子２、その周囲の保護膜１６を有する。磁気記録素子２は、磁気再生素子３よりも上層に形成されている。つまり、磁気再生素子３は、磁気記録素子２よりも、アルチック基板１ａに近い位置にある。さらに、磁気記録素子２の最下層が磁気再生素子３の最上層よりも上層側にある。保護膜１６は、一般に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）である。

以下において、素子とアルチック基板１ａとの距離は、その素子の積層方向における中心位置からアルチック基板１ａまでの距離で定義する。なお、図３に示す磁気記録素子２は、垂直磁気記録素子であるが、本発明を、面内記録素子を有する磁気ヘッド・スライダに適用することができる。磁気記録素子２の一部の素子と磁気再生素子３の一部の素子とが共通でもよい。共通部品は、双方の素子の一部である。

磁気再生素子３は、下層から上層に向かって積層されている、下部磁気シールド３２、磁気抵抗効果素子３４、そして、上部磁気シールド３６を有している。本構成例においては、磁気再生素子３は、これら３つの素子から構成されている。磁気再生素子３は、磁気ディスク１０６からの磁界により変化する磁気抵抗効果素子３４の抵抗値をセンスすることで、磁気ディスク１０６上の磁気情報を読み出す。磁気抵抗効果素子３４の積層構造として様々なものが知られているが、本発明はいずれの構造の磁気抵抗効果素子及びいずれの構造の再生素子を有する磁気ヘッド・スライダにも適用することができる。

下部磁気シールド３２、磁気抵抗効果素子３４、そして、上部磁気シールド３６のそれぞれは、保護膜１６の浮上面９まで達している。磁気データの読み出しにおいては、磁気抵抗効果素子３４の磁気スペーシングを小さくすることが重要である。そのため、磁気抵抗効果素子３４は保護膜１６の浮上面９まで達している（浮上面９から露出している）ことが好ましい。本明細書において、素子の磁気スペーシングは、その素子の浮上面側の端面から、磁気ディスク１０６の磁気記録層の表面までの距離である。素子の浮上面９からの距離は、その素子の浮上方向における中心から浮上面９までの距離である。

磁気抵抗効果素子３４へのノイズ混入を防ぐため、磁気シールド３２、３６の浮上方向における寸法は、図３の好ましい構成例のように、磁気抵抗効果素子３４よりも大きいことが好ましい。この構成において、磁気シールド３２、３６の浮上面９からの距離は、磁気抵抗効果素子３４よりも大きい。

磁気記録素子２は、下層から上層に向かって積層されている、下部磁極２３、ライト・コイル２４、記録磁極である主磁極２５、そして上部磁極２２を有している。上記順序は、各素子の最下面の順序に従っている。本構成例においては、記録素子２は、これらの構成要素からなる。本発明は、他のコイル構造や磁気磁極形状を有する記録素子が実装された磁気ヘッド・スライダに適用することができる。

本例においては、下部磁極２３は、磁気再生素子３の上部磁気シールド３６よりも上層に形成されている。主磁極２５は、下部磁極２３よりも上層に形成されており、積層方向において主磁極２５を挟むように、ライト・コイル２４が形成されている。主磁極２５は上部磁極２２と結合している。磁気データの記録においては、主磁極２５の磁気スペーシングを小さくすることが重要である。

そのため、主磁極２５は保護膜１６の浮上面９まで達している（露出している）ことが好ましい。磁気記録素子２は、ライト・コイル２４を流れる電流により、主磁極２５から磁界を発生させて、磁気ディスク１０６の磁気記録層に磁気データを記録する。主磁極２５からの記録磁界は、磁気ディスク１０６の磁気記録層を通り、下部磁極２３に戻る。

薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、さらに、接触センサ素子４１を有している。接触センサ素子４１は薄膜抵抗体からなり、接触による摩擦熱を感知する。ＡＥ５１３はその抵抗変化をモニタすることで、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク１０６との接触を検知する。保護膜１６は、磁気記録素子２、磁気再生素子３、薄膜抵抗ヒータ素子４、４０そして接触センサ素子４１の全体を覆い、これらを互いに絶縁している。

ヘッド・ディスク接触を高感度に検知するため、接触センサ素子４１は、保護膜１６の浮上面９にできるだけ近い位置に形成されていることが好ましい。好ましい本構成において、接触センサ素子４１（のディスク側端）は浮上面９に達している（浮上面９から露出している）。また、接触センサ素子４１は、再生素子３の磁気抵抗効果素子３４よりも、
主磁極２５に近い位置に形成されていることが好ましい。現在のＨＤＤ設計においては、磁気ヘッド・スライダ１における記録特性の改善がより重要であるからである。

そのため、接触センサ素子４１は主磁極２５近傍において、できるだけ主磁極２５の近くに位置していることが好ましい。図３に例示する好ましい構成において、接触センサ素子４１は、主磁極２５のすぐ下層にあり、積層方向において、下層のライト・コイル２４と主磁極２５との間にある。

さらに、薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、二つの浮上量調整用ヒータ素子を有している４、４０。二つのヒータ素子４、４０はそれぞれ薄膜抵抗体からなり、一つは第１薄膜抵抗ヒータ素子４であり、もう一つは第２薄膜抵抗ヒータ素子４０である。薄膜抵抗ヒータ素子４、４０からの熱により薄膜磁気ヘッド部分１ｂの一部が膨張、突出し、薄膜磁気ヘッド部分１ｂ内の素子と磁気ディスク１０６との間の距離（磁気スペーシング）を小さくすることができる。

また、薄膜磁気ヘッド部分１ｂが二つの浮上量調整用ヒータ素子４、４０を有することで、薄膜磁気ヘッド部分１ｂの適切な浮上面プロファイルを得ることができる。なお、本発明は、三つ以上の浮上量調整用ヒータ素子を有する磁気ヘッド・スライダにも適用することができる。構成及び制御のシンプリシティの点からは、実装される浮上量調整用ヒータ素子は二つであることが好ましい。

好ましい構成において、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とは、浮上量調整において異なる役割を担う。第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、磁気記録素子２（主磁極２５）および磁気再生素子３（磁気抵抗効果素子３４）の両方のための浮上量調整用ヒータ素子として機能する。第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、主に、磁気再生素子３（磁気抵抗効果素子）のための浮上量調整用ヒータ素子として機能する。第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、その機能のため、主磁極２５よりも磁気抵抗効果素子３４に近い位置に形成されている。

磁気再生素子３は磁気記録素子２よりも下層に形成されており、アルチック基板１ａにより近い位置に形成されている。アルチック基板１ａの膨張率は、薄膜磁気ヘッド部分１ｂよりも小さい。また、アルチック基板１ａの放熱性は薄膜磁気ヘッド部分１ｂよりも良く、熱が拡散する。そのため、ヒータ素子からの熱による膨張量は、アルチック基板１ａに近い磁気再生素子３が、アルチック基板１ａから遠い磁気記録素子２よりも小さくなりやすい。そのため、第１薄膜抵抗ヒータ素子４に加えて、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０を設けることで、より確実に磁気再生素子３（磁気抵抗効果素子３４）を最下点近くに位置させることができる。

上述のように、第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、磁気記録素子２と磁気再生素子３の双方をその熱により突出させる。第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、磁気抵抗効果素子３４及び主磁極２５よりも浮上面９から遠い位置にある。ヒータ素子４からの熱は浮上面９から放熱されるため、上記位置に第１薄膜抵抗ヒータ素子４を形成することで、効果的に磁気抵抗効果素子３４及び主磁極２５の突出量を制御することができる。

また、磁気記録素子２は、主に第１薄膜抵抗ヒータ素子４からの熱で突出するため、第１薄膜抵抗ヒータ素子４によるストロークは、典型的に、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０によるストロークよりも大きなストロークが要求される。第１薄膜抵抗ヒータ素子４は磁気記録素子２および磁気再生素子３の両方のための大ストローク浮上量調整用ヒータ素子であり、第１薄膜抵抗ヒータ素子４の発熱量は、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の発熱量よりも大きい。

第１薄膜抵抗ヒータ素子４が、磁気抵抗効果素子３４及び主磁極２５よりも浮上面９から後退した位置に形成されていることで、磁気抵抗効果素子３４の第１薄膜抵抗ヒータ素子４からの直接熱による劣化を避けることができる。上述のように、浮上面９からの素子の距離は、素子の中心位置（浮上面の法線方向における中心位置）を基準として定義される。

さらに、図３に例示するように、第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、積層方向において、磁気抵抗効果素子３４と主磁極２５との間に位置していることが好ましい。ヒータ素子の熱による熱膨張は、一般に、ヒータ素子の下層側よりも上層側が大きい。磁気抵抗効果素子３４と主磁極２５との間にある第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、磁気記録素子２を効果的に突出させることができると共に、再生素子３にも適切な熱を与えることができる。

第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、上述のように、再生素子３の突出制御を主な機能とするヒータ素子である。したがって、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４よりも下層に位置し、第１薄膜抵抗ヒータ素子４より磁気抵抗効果素子３４に近い位置にある。また、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４よりも浮上面９の近い位置にある。これにより、効果的に、再生素子３の局所的な膨張を実現することができる。

図３に例示するように、好ましくは、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、磁気抵抗効果素子３４よりも下層に形成されており、さらに、磁気シールド３２（磁気再生素子３）よりも下層に形成されていることが好ましい。第２薄膜抵抗ヒータ素子４０により、その上層側部分の膨張率が下層側よりも大きいため、スライダ基板１ａと下部磁気シールド３２との間にある第２薄膜抵抗ヒータ素子４０からの熱により、効率的に磁気再生素子３（磁気抵抗効果素子３４）を磁気ディスク１０６に近づけることができる。

第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、主に、磁気再生素子３の局所的な熱膨張を目的とする浮上量調整用ヒータ素子である。熱膨張の対象範囲を、第１薄膜抵抗ヒータ素子４よりも小さくするため、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０のサイズは第１薄膜抵抗ヒータ素子４のサイズよりも小さいことが好ましい。好ましくは、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の面積は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４の面積の１／２以下である。小型の薄膜抵抗ヒータ素子４０を磁気再生素子３の近くに配置することで、磁気再生素子３の突出を正確に制御することができる。

浮上面９のプロファイル制御は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４により大きな熱膨張（ストローク）を起こし、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０により局所的な小さい熱膨張（ストローク）を起こすことが好ましい。ＨＤＣ５２３は、ＡＥ５１３を制御することで、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とに電力を供給する。浮上量制御においては、ＨＤＣ５２３は、ＡＥ５１３により、第１薄膜抵抗ヒータ素子４に対して、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０よりも大きな電力を与える。このような二つの薄膜抵抗ヒータ素子４、４０により、主磁極２５及び磁気抵抗効果素子３４の双方を、最下点近くに位置させることができる。

接触センサ素子４１は、磁気ヘッド１と磁気ディスク１０６との接触を感知するためのセンサ素子である。そのため、典型的には、接触センサ素子４１は、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０よりも小さい薄膜抵抗で構成される。好ましくは、接触センサ素子４１の面積は第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の面積１／２以下である。これにより、接触センサ素子４１の接触感知感度を上げることができる。上述のように、接触センサ素子４１は浮上面９近くに設けられることが重要であり、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０より浮上面９の近くに設けられる。接触センサ素子４１は、主磁極２５の近くに配置することが重要であり、好ましくは、第１薄膜抵抗ヒータ素子４よりも、積層方向において、主磁極２５に近い層に形成される。

以下において、第１薄膜抵抗ヒータ素子４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０、そして接触センサ素子４１の好ましい構造の例を説明する。これらは構造例であって、本発明はこれらに限定されない。図４に、第１薄膜抵抗ヒータ素子４を、流出端側から見た図（図３のＢ−Ｂ断面図）を示す。図４の構成例において、浮上量調整用第１薄膜抵抗ヒータ素子４は、材質がニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、厚さが約０．１μｍ、幅が約２μｍの薄膜抵抗体の細線で形成されている。

細線は、奥行きＬ１が約１５μｍ、幅Ｗ１が約１５μｍの領域で蛇行している。細線の間隙は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）で埋めてある。抵抗値は約１００Ωである。第１薄膜抵抗ヒータ素子４の浮上面９からの距離は、Ｄ１で示されている。この構成における第１薄膜抵抗ヒータ素子４の面積はＷ１×Ｌ１で表わされ、その面積が大きいほど広い範囲に熱を与えることができる。

図５に、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０を、流出端側から見た図（図３のＣ−Ｃ断面図）を示す。この構成例において、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は第１薄膜抵抗ヒータ素子４と同じ材料で形成した薄膜抵抗体である。第２薄膜抵抗ヒータ素子４０は、材質がニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、厚さが約０．１μｍ、幅が約１μｍの細線で構成されている。細線は、奥行Ｌ２が約５μｍ、幅Ｗ２が約５μｍの領域で蛇行し、その抵抗値は約２０から１００Ωである。

第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の浮上面９からの距離は、Ｄ２で示されている。この構成における第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の面積はＷ２×Ｌ２で表わされる。なお、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とは、例示した形状と異なる形状を有していてもよい。例えば、一方もしくは双方は、蛇行していない細い直線状のヒータ素子であってもよい。

図６に、接触センサ素子４１を、流出端側から見た図（図３のＥ−Ｅ断面図）を示す。本構成例において、接触センサ素子４１は、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０の面積よりも小さい面積を有するように、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）などの材料で形成した薄膜抵抗体である。その厚さが約０．０３μｍ、幅Ｗ３が約１μｍ、奥行きＬ３が約０．１μｍのサイズである。抵抗値は約３０から２００Ωである。接触センサ素子４１の浮上面９からの距離は、Ｄ３で示されている。その面積は、Ｗ３×Ｌ３で表わされる。

図７を参照して上述の第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０による薄膜磁気ヘッド部分１ｂの熱突出を詳細に説明する。図７は、図３と同様に、図２に示した磁気ヘッド・スライダ１のＡ−Ａ切断線における断面図であり、記録再生素子３が形成されている薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図である。図３と異なり、図７は、二つのヒータ素子４、４０からの熱により膨張している薄膜磁気ヘッド部分１ｂ（及びスライダ基板１ａの一部）の断面形状を模式的に示している。

磁気記録素子２、磁気再生素子３の両方に対する浮上量調整用の第１薄膜抵抗ヒータ素子４による熱突出形状５０は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４の薄膜形成面上の面積が大きくその熱が磁気記録素子２および磁気再生素子３全体に伝わる。このため、磁気記録素子２および磁気再生素子３に全体に広がるような突出形状であり、第１薄膜抵抗ヒータ素子４による突出のピークは磁気記録素子２の近傍（好ましくは主磁極２５）になる。

それに対し、磁気再生素子３用の第２薄膜抵抗ヒータ素子４０による突出形状は、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０が第１薄膜抵抗ヒータ素子４よりも小さく、浮上面に近い位置に形成されている。そのため、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０からの熱が伝わる範囲が磁気再生素子３の周辺のみであり、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０による熱突出は磁気再生素子３の周辺に限定される。

そのため、第１薄膜抵抗ヒータ素子４によって、磁気記録素子３周辺（好ましくは主磁極２５）が最下点になり、このとき、第１薄膜抵抗ヒータ素子４によって磁気再生素子３の周辺もある程度最下点に近い状態になっている。第１薄膜抵抗ヒータ素子４に電力を加えた状態で、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０にも電力を加えることにより、磁気再生素子３の周辺（好ましくは磁気抵抗効果素子３４）も記録素子２と同等レベルまで最下点に近づけることが可能である。

また、三つの薄膜抵抗体の中で最も小さく、最も浮上面近くに形成されている接触センサ素子４１は、薄膜積層方向に関して、磁気記録素子２の主磁極２５近傍に形成されているため、第１薄膜抵抗ヒータ素子４によって主磁極２５が最下点になればそれと同時に接触センサ素子４１も最下点に近い状態になるため、磁気ヘッド・スライダ１と磁気ディスク１０６の接触を感度良く検知することができる。

３種類の薄膜抵抗体を制御するためには、通常は３系統６配線が必要であり、磁気ヘッド・スライダ１の素子形成面の保護膜１６上に形成する端子数を、現状の６端子から１０端子に増加する必要がある。端子数が多くなると、空気流出端面１４上への実装が困難になる。

図８は第１薄膜抵抗ヒータ素子４のグランド線４２と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０のグランド線４４とを接続して１つのグランド線に集約した配線構造を、流出端側から見た図である。接触センサ素子４１用の二つのリード線は、薄膜抵抗ヒータ素子のリード線とは別であり、独立している。図８の例においては、接触センサ素子４１につながる一つのリード線４３はグランド線である。接触センサ素子４１の信号はディファレンシャル伝送してもよい。

磁気記録素子２、磁気再生素子３及び第１薄膜抵抗ヒータ素子４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０、接触センサ素子４１のリード線を外部に電気的に接続するために、空気流出端面１４上に磁気記録素子用端子６０、磁気再生素子用端子６２、第１薄膜抵抗ヒータ素子４用端子６４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０用端子６６、接触センサ素子用端子６７、７５、およびヒータ素子用グランド端子６８が形成されている。このように、ヒータ素子用のグランド線を共有化することで、端子数を低減できる。グランド線を共通化しても、他方の線を独立にして個別の信号を与えることで、二つのヒータ素子４、４０を独立に制御することができる。また、接触センサ素子４１の入出力線（２本のリード線）をヒータ素子の入出力線から独立させることで、より正確な接触検知を行なうことができる。

図９は第１薄膜抵抗ヒータ素子４のグランド線４２、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０のグランド線４４、そして接触センサ素子４１用のグラント線４３を接続して１つのグランド線に集約し、８端子とした配線構造を流出端側から見た図である。磁気記録素子２、磁気再生素子３、第１薄膜抵抗ヒータ素子４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０、そして、接触センサ素子４１のリード線を外部に電気的に接続するために、空気流出端面１４上に磁気記録素子用端子６０、磁気再生素子用端子６２、第１薄膜抵抗ヒータ素子４用端子６４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０用端子６６、接触センサ素子用端子６７およびグランド端子６８が形成されている。このように、グランド線を共有化することで、３種類の薄膜抵抗体を制御する場合でも、２個の端子増加で済ますことができる。

図１０の示す配線構造は、図８の構造と同様に、第１薄膜抵抗ヒータ素子４のグランド線４２、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０のグランド線４４、そして、接触センサ素子用のグランド線４３を接続して１つのグランド線に集約する。さらに、本配線構造は、共有化したグランド線をグランドに接続されているアルチック基板１ｂに接続して、アルチック基板１ｂを介してグランドに接続する。これにより、第１薄膜抵抗ヒータ素子４、第２薄膜抵抗ヒータ素子４０、そして接触センサ素子４１用のグランド端子６８を省略する。これによれば、現状の６端子よりもひとつ端子が増えるだけの７端子の配線構造が可能となる。

また、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とを並列もしくは直列に接続し、浮上量調整用の回路を一系統にすれば、図１１、図１２に示すように、接触センサ素子４１のための２端子６７、６８、磁気記録素子用の２端子６０、そして磁気再生素子用の２端子６２の、合計８端子とすることができる。図１１において第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とは並列に接続され、図１２においてそれらは直列に接続されている。このような構成においては、二つのヒータ素子からの発熱量比が所望の値となるように、それらの抵抗値を設計する。この点は、以下の構成において同様である。

さらに、図１３、１４に示すように、浮上量調整用（第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０）のグランドと接触センサ素子４１のグランドとを共通化することで、７端子の配線構造を構成することができる。図１３において第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とは並列に接続され、図１４においてそれらは直列に接続されている。

あるいは、図１５、１６に示すように、浮上量調整用（第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０）のグランドと接触センサ素子４１のグランドと共通化し、さらに、その共通化した線をアルチックのスライダ基板１ａを介してグランドに接続することで、さらに端子数を少なくすることができる。この配線構造の端子数は、現状と同じの６端子である。図１５において第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４０とは並列に接続され、図１６においてそれらは直列に接続されている。

上記実施例では、厚さ０．２３ｍｍのフェムトスライダを例に説明したが、スライダの厚みが０．１ｍｍにまで薄くなった場合でも、一辺８０μｍ程度の大きさの端子であれば、８端子をスライダの流出端面に形成することは可能である。

以上の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。例えば、本発明をＨＤＤと異なる磁気ディスク・ドライブに適用することができる。磁気ヘッド・スライダを移動する移動機構は、上記アクチュエータに限定されず、直線状にヘッド・スライダを移動する機構のように他の構造の移動機構を使用することができる。

１…磁気ヘッド・スライダ、１ａ…スライダ基板、１ｂ…薄膜磁気ヘッド部分
２…記録素子、３…再生素子、４…第１薄膜抵抗ヒータ素子
５ａ…浮上パッド（素子設置面）、５ｂ、５ｃ…浮上パッド
７ａ、７ｂ…浅溝面、８…深溝面、９…浮上面、１２…空気流入端面
１４…空気流出端面、１６…保護膜、２２…上部磁極、２３…下部磁極
２４…ライト・コイル、３２…下部磁気シールド膜、３４…磁気抵抗効果素子
３６…上部磁気シールド膜、４０…第２薄膜抵抗ヒータ素子
４１…薄膜抵抗接触センサ素子、４２…第１薄膜抵抗ヒータ素子用グランド配線
４３…接触センサ素子用グランド配線、４４…第２薄膜抵抗ヒータ素子用グランド配線
５０…薄膜抵抗ヒータ素子による突出形状
５２…再生素子用の薄膜抵抗ヒータ素子による突出形状、６０…記録素子用端子
６２…再生素子用端子、６４…薄膜抵抗ヒータ素子用端子
６６…再生素子用薄膜抵抗ヒータ素子用端子、６７…接触センサ素子用端子
６８…薄膜抵抗ヒータ素子用グランド端子、６９…薄膜抵抗ヒータ素子用端子
７０…薄膜抵抗ヒータ素子用グランド端子、１００…ハードディスク・ドライブ
１０２…ベース、１０４…スピンドル・モータ、１０６…磁気ディスク
１１０…軸受けユニット、１１２…ヘッド・アーム、１１６…ＶＣＭ磁気回路
１１８…サスペンション、１２２…ランプ、１６０…アクチュエータ
５１３…アーム・エレクトロニクス、５２１…リード・ライト・チャネル
５２２…モータ・ドライバ・ユニット、５２３…ハードディスク・コントローラ
５２４…ＲＡＭ

Claims (15)

1. スライダ基板と、前記スライダ基板上の磁気ヘッド素子積層体と、を有する磁気ヘッド・スライダであって、前記磁気ヘッド素子積層体は、
   磁気抵抗効果素子と、
   前記磁気抵抗効果素子よりも上層に形成されている記録磁極と、
   磁気抵抗効果素子及び前記記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている第１薄膜抵抗ヒータ素子と、
   前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近い、第２薄膜抵抗ヒータ素子と、
   前記第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、前記第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い、薄膜抵抗接触センサ素子と、
   を有する、磁気ヘッド・スライダ。
2. 前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子よりも下層に形成されている、
   請求項１に記載の磁気ヘッド・スライダ。
3. 前記第１薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子と前記記録磁極との間の層に形成されている、
   請求項１に記載の磁気ヘッド・スライダ。
4. 前記薄膜抵抗接触センサ素子は、積層方向において、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも前記記録磁極に近い位置にある、
   請求項１に記載の磁気ヘッド・スライダ。
5. 前記薄膜抵抗接触センサ素子は、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さい、
   請求項１に記載の磁気ヘッド・スライダ。
6. 前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さい、
   請求項５に記載の磁気ヘッド・スライダ。
7. 前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子のグランドは共通である、
   請求項１に記載の磁気ヘッド・スライダ。
8. 前記薄膜抵抗接触センサ素子の入出力線は、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子から独立である、
   請求項７に記載の磁気ヘッド・スライダ。
9. 磁気ディスクにアクセスする磁気ヘッド・スライダと、
   前記磁気ディスク上で浮上する前記磁気ヘッド・スライダを支持し、前記磁気ディスク上で前記磁気ヘッド・スライダを移動する、ヘッド移動機構と、
   前記磁気ヘッド・スライダに電力を供給する、電力供給回路と、
   前記電力供給回路を制御する、コントローラと、を有し、
   前記磁気ヘッド・スライダは、スライダ基板とそのスライダ基板上に形成されている磁気ヘッド素子積層体とを有し、
   前記磁気ヘッド素子積層体は、
   磁気抵抗効果素子と、
   前記磁気抵抗効果素子よりも上層に形成されている記録磁極と、
   磁気抵抗効果素子及び前記記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている第１薄膜抵抗ヒータ素子と、
   前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面に近い、第２薄膜抵抗ヒータ素子と、
   前記第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、前記第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い、薄膜抵抗接触センサ素子と、を有し、
   前記コントローラは、前記電力供給回路により、前記前記第２ヒータ素子に前記第１ヒータ素子よりも小さい電力を供給する、
   磁気ディスク・ドライブ。
10. 前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子よりも下層に形成されている、
    請求項９に記載の磁気ディスク・ドライブ。
11. 前記第１薄膜抵抗ヒータ素子は、前記磁気抵抗効果素子と前記記録磁極との間の層に形成されている、
    請求項９に記載の磁気ディスク・ドライブ。
12. 前記薄膜抵抗接触センサ素子は、積層方向において、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも前記記録磁極に近い位置にある、
    請求項９に記載の磁気ディスク・ドライブ。
13. 前記薄膜抵抗接触センサ素子は、前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さい、
    請求項９に記載の磁気ディスク・ドライブ。
14. 前記第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも小さい、
    請求項１３に記載の磁気ヘッド・スライダ。
15. 前記第１及び第２薄膜抵抗ヒータ素子のグランドは共通である、
    請求項９に記載の磁気ディスク・ドライブ。

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