JP4750584B2 - 磁気ヘッドスライダ - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するためのスライダ構造に係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った浮上量調整スライダに関する。

磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子を搭載しサスペンションによって支持されたスライダを有し、スライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気記録再生素子により磁気ディスクに対して磁気情報の読み書きを行う。スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化とそれによる装置の大容量化、あるいは小型化を実現するためには、磁気記録再生素子と磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。

従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差等による浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を有するスライダを実現すれば上記マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ磁気記録再生素子と磁気ディスクの距離を大幅に縮めることができる。

特許文献１には、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部磁極の間に薄膜抵抗体を設け、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部を熱膨張により突出させ、磁極先端部と磁気ディスク面との間隙を小さくする技術が記載されている。特許文献２には、ヒータの発熱部のシート抵抗をリード部のシート抵抗より高くすることにより、リード部よりも発熱部の発熱量を大きくする技術が記載されている。

特開平５−２０６３５号公報 特開２００４−３３５０６９号公報

薄膜磁気ヘッドにおけるヒータの発熱部及びリード部は、薄膜形成プロセスにより形成される。一般的には、発熱部を形成し、次に発熱部の導通部にリード部の一端が重なるようにリード部を形成する。このとき、それぞれのパターンの重ね合わせによっては接触抵抗など抵抗値を変動させる要因が有る。発熱部の導通部とリード部の重なるところで接触抵抗が増大しリード部の抵抗が増加すると、リード部での熱損失が増大するため、発熱部で所定の発熱量が得られなくなる。このことは、想定した浮上量の低減効果が得られないことを意味する。上記従来の技術では、パターンの重ね合わせに起因する接触抵抗の変化に対する考慮がなされていない。

本発明の目的は、スライダの浮上量を調整するために設けたヒータの、リード部の抵抗変化を少なくすることである。

上記目的を達成するために、本発明の代表的な磁気ヘッドスライダは、スライダの空気流出端面に形成された磁気ヘッドとヒータとを有し、ヒータは、発熱部と、発熱部の両端から延伸する端子部と、端子部に対して約５０％以上の重なり率を有するリード部とを備えるものである。

前記ヒータのリード部は、前記端子部の上部または下部に設けられ、下部に配置される部材の短手方向のエッジから上部に配置される部材のエッジまでの寸法が前記端子部及びリード部の膜厚よりも大きく設定されることが望ましい。

前記磁気ヘッドは再生素子と、再生素子の両端部に接続された電極を有し、前記ヒータは磁気ヘッドの下部又は上部に配置され、ヒータのリード部は発熱部に向かって絞られた形状をなし、リード部の前記磁気ヘッドの電極と重なっている部分の短手方向の最も広い部分の幅が最も狭い部分の幅の２０倍以下とすることが望ましい。

本発明によれば、浮上量調整機能を有する磁気ヘッドスライダにおいて、ヒータのリード部の抵抗変化を少なくすることができる。

本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダおよびこれを用いた磁気ディスク装置について、図面を用いて以下に説明する。
図２に磁気ディスク装置５０の構成を示す。ベース５１に固定されたスピンドルモータの回転軸５２に磁気ディスク５３が装着され、回転駆動される。ピボット５４にアクチュエータ・アーム５５が軸支され、アクチュエータ・アーム５５の一端にはサスペンション５６が取り付けられ、他端には、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５７を構成するコイル（図示せず）が取り付けられている。サスペンション５６の先端には磁気ヘッドスライダ１が取り付けられている。ベース５１にはランプ機構５８が設けられており、磁気ディスク５３の外周側に位置している。ランプ機構５８は磁気ヘッドスライダ１のアンロード時に、リフトタブ５９が乗り上げるスロープが形成されている。

ＶＣＭ５７のコイルに通電することによりアクチュエータ・アーム５５に回転トルクが発生し、アクチュエータ・アーム５５に取り付けられているサスペンション５６が磁気ディスク５３の半径方向に移動される。この回転動作によりサスペンション５６の先端に取り付けられている磁気ヘッドスライダ１が、磁気ディスク５３の半径方向位置の任意のトラックに位置付けされ、データの記録、再生を行う。磁気ヘッドスライダ１のアンロード時には、リフトタブ５９がランプ機構５８のスロープに乗り上げるように移動され、ロード時は、ランプ機構５８に待機中の状態から、磁気ディスク５３の記録面にロードされる。

磁気ヘッドスライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスク５３と直接は固体接触しないようになっている。磁気ヘッドスライダ１の浮上量は１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下である。なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気ディスク５３のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも良い。また磁気記録方式は、面内記録でも垂直記録でもどちらでも良い。

図３に磁気ヘッドスライダ１の拡大図を示す。磁気ヘッドスライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体に代表されるセラミック材料の基板部分（スライダ）１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂからなる。スライダ１ａは、長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面６、空気流入端面７、空気流出端面８、両側の側面、背面の計６面から構成される（ピコ・スライダと呼ばれる）。スライダの寸法は、質量低減による位置決め精度の向上や低コスト化等のため、長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍとすることもできる（フェムト・スライダと呼ばれる）。浮上面６にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差で構成されるステップ軸受が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。

浮上面６には、実質的に平行な３種類の段差が形成されている。最もディスクに近いレール面６ａ、レール面６ａより約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面６ｂ、レール面６ａより約１μｍ深くなっている深溝面６ｃの３種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、空気流入端面７側のステップ軸受面である浅溝面６ｂからレール面６ａへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６ａや浅溝面６ｂから深溝面６ｃへ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。なお、図３では溝の深さを強調して示してある。

磁気ヘッドスライダ１は空気流入端面７側の浮上量が空気流出端面８側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上面がディスクに最も接近する。流出端近傍では、レール面６ａが周囲の浅溝面６ｂ、深溝面６ｃに対して突出しているので、スライダのピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６ａが最もディスクに近づくことになる。磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子２は、レール面６ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。サスペンションから押し付けられる荷重と、浮上面６で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面６の形状が設計されている。なお、ここでは浮上面６が実質的に平行な３種類の面６ａ、６ｂ、６ｃから構成される二段ステップ軸受浮上面のスライダについて説明したが、４種類以上の平行な面から構成されるステップ軸受浮上面のスライダでも良い。

図３に示した磁気ヘッドスライダ１を空気流出端面８側から見た図を図４に示し、磁気記録再生素子２が形成された薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図として図４のＸ−Ｘ線断面を図５に示し、発熱抵抗体用中継端子３０の断面拡大図として図４のＹ−Ｙ線断面を図６に示す。ヒータ（発熱抵抗体）１１を空気流出端面８側から見た図として図５のＺ−Ｚ線断面を図１Ａに示す。図１Ａ、図４、図５、図６を用いて本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダ１の薄膜磁気ヘッド部分１ｂの構成を説明する。図５に示すように、薄膜磁気ヘッド部分１ｂには基板部分（スライダ）１ａ上に薄膜プロセスを用いて磁気再生素子２ｂと磁気記録素子２ａとからなる磁気記録再生素子２が形成されている。また、薄膜磁気ヘッド部分１ｂの一部を加熱して熱膨張により突出させ、磁気記録再生素子２の浮上量を調整するためのヒータ（発熱抵抗体）１１が基板部分１ａと磁気再生素子２ｂとの間に形成されている。そして、発熱抵抗体１１および磁気記録再生素子２を覆うように硬質保護膜３１が形成されている。

磁気ヘッドスライダ１の浮上量調整の応答速度をできるだけ早くし、発熱抵抗体１１の発熱による磁気再生素子２ｂへの影響を少なくするためには、発熱抵抗体１１を基板部分（スライダ）１ａと磁気再生素子２ｂとの間に設け、発熱抵抗体１１の先端部は磁気再生素子２ｂから後退した位置に配置するのが良い。

図４を参照するに、磁気ヘッドスライダ１の空気流出端面８には、磁気記録素子２ａと導通接触して形成された引き出し線３ａ（図４では２本のうち１本だけが見えている）を外部に電気的に接続するための記録用中継端子４、磁気再生素子２ｂの電極と導通接触して形成された引き出し線３ｂを外部に電気的に接続するための再生用中継端子５、発熱抵抗体１１と導通接触して形成されたスタッド１７（図６参照）を外部に電気的に接続するための発熱抵抗体用中継端子３０が形成されている。なお、磁気記録再生素子２、引き出し線３ａ、３ｂの上部には硬質保護膜３１が形成されているが、硬質保護膜３１は透明であるため、図４では磁気記録再生素子２、引き出し線３ａ、３ｂが空気流出端面８に見えている。

次に製造工程に従って磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子２およびヒータ（発熱抵抗体）１１の構成を説明する。図５に示すように、基板部分（スライダ）１ａ上にアルミナ等からなる下地絶縁膜９を形成し、下地絶縁膜９上に金属膜の薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体１１を形成する。図１Ａに発熱抵抗体１１を空気流出端面８側から見た構成を示すが、発熱抵抗体１１は金属膜の薄膜抵抗体を蛇行させて形成した発熱部１１ａと、発熱部１１ａから延伸する端子部１１ｂと、端子部１１ｂの上に積層されたリード部１１ｃとで構成されている。発熱抵抗体１１については後で詳細に説明する。

続いて、図５に示すように、発熱抵抗体１１の上部にアルミナ等からなる絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に下部シールド膜１８を形成し、ＣＭＰ加工により下部シールド膜１８の上面を平坦化する。平坦化した下部シールド膜１８の上にアルミナ等からなる下部ギャップ膜１９を形成し、さらに、磁気センサである磁気抵抗効果型素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）２０と、ＭＲ素子２０の磁気信号を電気信号として引き出すための一対の電極２１（図１１参照）を形成する。続いて、アルミナ等からなる上部ギャップ膜２２、上部シールド膜２３を形成し、ＣＭＰ加工により上部シールド膜２３の上面を平坦化する。平坦化した上部シールド膜２３の上にアルミナ等からなる上部シールド絶縁膜２４を形成する。これで発熱抵抗体１１および磁気再生素子２ｂの形成が終了する。

次に、磁気記録素子２ａの構成について説明する。上部シールド絶縁膜２４上に下部磁極２５を形成し、その上にアルミナ等から成る磁気ギャップ膜２６を形成する。磁気ギャップ２６上に磁界を発生させるための電流を流すコイル２８及び、コイル１８を包む有機絶縁膜２９を形成する。続いてバック・ギャップ部で下部磁極２５と磁気的に接続された上部磁極２７を形成する。次に、以上の素子群を保護絶縁するためのアルミナ等からなる硬質保護膜３１を、成膜した素子全体を覆うように形成する。続いて、図４に示すように、硬質保護膜３１上にコイル２８へ電流を外部より供給するための記録用中継端子４と、磁気信号を外部へ伝達するための再生用中継端子５を形成し、同時に、発熱抵抗体１１へ電流を外部から供給するための発熱抵抗体用中継端子３０を形成する。

発熱抵抗体用中継端子３０は、図６に示すようにスタッド１７上に形成する。スタッド１７は、リード部１１ｃの端子部上に銅をめっきして形成する。スタッド１７を形成するための開口は、各絶縁膜の形成時に形成しておく。記録用中継端子４および再生用中継端子５もそれぞれ引き出し線３ａ，３ｂの端子部にスタッドを形成し、その上に形成する。

次に、図１Ａに示す発熱抵抗体１１の形成方法を説明する。発熱抵抗体１１は薄膜プロセスを用いて形成する。発熱部１１ａ、端子部１１ｂの材料には、ＮｉＣｒ，ＮｉＦｅ等の金属材料が適しており、厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍが好適である。また、発熱部１１ａと端子部１１ｂとで材料を変えても構わない。リード部１１ｃには比抵抗が発熱部１１ａより小さいＣｕ，Ａｕ等の金属材料が適しており、厚さは１５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好適である。本実施例では、発熱部１１ａと端子部１１ｂの材質はＮｉＣｒとし、厚さは約１５０ｎｍとした。発熱部１１ａは、幅が約４．５μｍの細線を、奥行き約６０μｍ、幅約６０μｍの領域に蛇行させ、間隙はアルミナで埋めて形成した。発熱部１１ａと端子部１１ｂの抵抗値は３００〜６００Ωが好適であり、本実施例では約５００Ωとした。リード部１１ｃの材質はＣｕとし、厚さは約２００ｎｍとした。リード部１１ｃの抵抗値は３〜６０Ωが好適であり、本実施例では約５Ωとした。

発熱抵抗体１１からの発熱で浮上量を制御するため、発熱部１１ａ及び端子部１１ｂとリード部１１ｃの抵抗値を高精度に制御する必要がある。リード部１１ｃでの熱損失を極力低減するためにリード部１１ｃの抵抗値を発熱部１１ａ及び端子部１１ｂに比べて低くすることは大変重要であり、目安として1／5以下、望ましくは1／５０以下である。特に発熱部１１ａ及び端子部１１ｂと、リード部１１ｃは別の工程で作成するため、端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なるところで接触抵抗が大きくなると、リード部１１ｃの抵抗が増加して熱損失を増大させるため、発熱部１１ａで所定の発熱量が得られなくなる。このことは、想定した浮上量の低減が不可能になり、薄膜磁気ヘッドとして機能を果たさないことにつながる。図１Ｂに従来のヒータにおける端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なり部分の平面イメージを示すが、重なり率はリード部１１ｃの面積の約１０％である。本実施例では、図１Ａに示すように発熱抵抗体１１の端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なり率は、端子部１１ｂの面積の約９０％である（リード部１１ｃの面積に対しては１００％である）。なお、本実施例では、先に発熱部１１ａと端子部１１ｂを形成し、端子部１１ｂの上にリード部１１ｃを形成したが、これは逆でも良く、リード部１１ｃを先に形成し、端子部１１ｂがリード部１１ｃに重なるように発熱部１１ａと端子部１１ｂを後で形成しても良い。

発明者等は、端子部１１ｂとリード部１１ｃの接触抵抗を低減するために、端子部１１ｂとリード部１１ｃのリードパターンとしての重なっている面積に着目した。このパラメータと発熱抵抗体１１の抵抗との関係を調査した結果を図７に示す。横軸は端子部１１ｂの面積に対するリード部１１ｃの重なり部分の割合であり、縦軸は発熱抵抗体１１の抵抗変化率である。図７の結果より、端子部１１ｂとリード部１１ｃのリードパターンとしての重なっている部分の面積を端子部１１ｃの５０％以上とすることで、重なり部分における接触抵抗の変化（増加）による発熱抵抗体１１の抵抗変化（増加）、すなわちリード部１１ｃの抵抗変化（増加）を防止できることがわかる。

以上の説明のとおり、上記実施例によれば、発熱抵抗体のリード部の抵抗値の増加を防止することができる。したがって、リード部での熱損失を低減することができるので、発熱部で所定の発熱量を得ることができ、スライダの想定した浮上量の低減効果を得ることができる。

上記実施例で説明したように、発熱抵抗体１１の発熱部１１ａ及び端子部１１ｂと、リード部１１ｃは別の工程で作成するが、端子部１１ｂの上部に形成するリード部１１ｃのパターンを正確に形成することが重要である。リード部１１ｃのパターンが正確でないと、リード部１１ｃの抵抗値に影響を与えることになり、多くの場合、抵抗値は増加する。図８Ａ及び図８Ｂを参照して発熱抵抗体１１のリードパターンについて説明する。図９に端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なり部分の平面イメージの中で特に発熱部１１ａ周辺の重なり状態を示す。図８Ａ及び図８Ｂは図９のＡ−Ａ線方向から見たリフトオフの工程図で、図８Ａは端子部１１ｂに重なるリード部１１ｃのパターンが正常な場合を示し、図８Ｂは異常な場合を示している。

図８Ａを参照するに、端子部１１ｂの両端部にリフトオフ用の第１のレジストパターンＰ１を形成し、第１のレジストパターンＰ１の上に第１のレジストパターンＰ１より大きな第２のレジストパターンＰ２を形成して、きのこ形状のリフトオフ用レジストパターンＰを形成する。続いて導通部１１ｂ及びリフトオフ用レジストパターンＰの上にスパッタリング等によりリード部１１ｃとなる金属膜を成膜する。この後、剥離液を用いてリフトオフ用レジストパターンＰ及びその上の金属膜１１ｃを除去するわけであるが、リフトオフ用レジストパターンＰがきのこ形状をしているため、リード部１１ｃの端部とリフトオフ用レジストパターンＰの間に隙間ｇが形成されており、この隙間ｇから剥離液が浸入し、リフトオフ用レジストパターンＰとその上の金属膜１１ｃが除去される。このとき、リード部１１ｃの端部に崩れ等はなくパターンは正常である。

一方、図８Ｂは、第１のレジストパターンＰ１のアンダーカットの終点が端子部１１ｂのエッジに近い場合であるが、この場合には下側のレジストが流れて第２のレジストパターンＰ２を形成した段階でリフトオフ用レジストパターンＰはきのこ形状にならない。このような形状のリフトオフ用レジストパターンＰでは、リード部１１ｃの端部とリフトオフ用レジストパターンＰの間に隙間ｇが形成されないためリフトオフができず、成膜後のリード部１１ｃの端部が崩れた異常なパターンとなる。

発明者等は端子部１１ｂ上にリード部１１ｃを正常なパターンで形成するために、端子部１１ｂのリード部１１ｃが重なっていない部分の端部からの寸法（望ましくは最も狭い部分の寸法）と、端子部１１ｂ及びリード部１１ｃの膜厚との関係に着目した。図９に端子部１１ｂのリード部１１ｃが重なっていない部分の端部からの寸法ｄを示す。このパラメータｄとパターン形成可能率の関係を調査した結果を図１０に示す。図１０は横軸に端子部１１ｂのリード部１１ｃが重なっていない部分の中で最も狭い部分の寸法ｄを取り、縦軸にパターン異常率を取ったものである。図１０の結果より、端子部１１ｂのリード部１１ｃが重なっていない部分の最も狭い寸法ｄを、端子部１１ｂの膜厚１５０ｎｍ、リード部１１ｃの膜厚２００ｎｍよりも広くすることで、リード部１１ｃのパターン形成可能率をほぼ１００％にできることがわかった。なお、上記の説明は、端子部１１ｂ上にリード部１１ｃを形成した場合についてであるが、リード部１１ｃの上に端子部１１ｂを形成する場合でも同じである。

このように、薄膜抵抗体の端子部及びリード部のパターンを正確に形成することにより、上記実施例で説明した発熱抵抗体のリード部の抵抗値の増加を防止することができる効果を確実に得ることができる。

また、図１Ｃに示すように、薄膜抵抗体１１の端子部１１ｂとリード部１１ｃの積層体の上部にＭＲ素子２０の一対の電極２１が形成されるが、リード部１１ｃと電極２１との間にはアルミナ等の誘電体が設けられているので、静電容量をもつ構成となっている。薄膜抵抗体１１の発熱部１１ａ及びリード部１１ｃでの発熱の影響により静電容量が増加することが考えられる。静電容量が増加し静電気の帯電量が増加した場合、その放電によりＭＲ素子が損傷する恐れがある。発明者等は、静電容量の増加を抑えるために、リード部１１ｃのパターン形状に着目した。その結果、リード部１１ｃのパターンが発熱部１１ａに向かって絞られた形状になっていて、リード部１１ｃとＭＲ素子の電極２１が重なっている最も広い部分のパターン幅W1を、発熱部近傍のパターン幅W2に対して２０倍以下とすることで、薄膜抵抗体１１の発熱部１１ａ及びリード部１１ｃでの発熱の影響によるリード部１１ｃとＭＲ素子の電極２１との間の静電容量の増加を防止できることがわかった。

また、電極２１の幅を、リード部１１ｃと重なっている部分では狭く、リード部１１ｃと重なっていない奥行き方向に向かって広くすることにより、すなわち、リード部１１ｃと電極２１の重なっている部分における電極２１の最も広い部分の幅を、リード部１１ｃの後ろでリード部１１ｃと重なっていない部分における電極２１の最も狭い部分の幅よりも狭くすることによって、電極２１の抵抗値を増加させずに、発熱部１１ａ及びリード部１１ｃでの発熱の影響によるリード部１１ｃと電極２１との間の静電容量の増加を抑えることができる。

実施例による磁気ヘッドスライダのヒータの構成を示す平面図である。 従来の磁気ヘッドスライダのヒータの構成を示す平面図である。 実施例による磁気ヘッドスライダのヒータのリード部とＭＲ素子の電極との重なり部分の平面図である。 実施例による磁気ヘッドスライダを搭載する磁気ディスク装置の上面図である。 実施例による磁気ヘッドスライダの斜視図である。 図３の磁気ヘッドスライダを空気流出端面側から見た図である。 図４のＸ−Ｘ線断面図である。 図４のＹ−Ｙ線断面である。 ヒータの端子部とリード部の重なっている面積の割合と発熱抵抗体の抵抗値との関係を調査した結果を示したグラフである。 実施例の磁気ヘッドスライダにおけるヒータの端子部とリード部の形成方法を示す図である。 リード部の形状が異常な場合を示す図である。 ヒータの発熱部周辺の端子部とリード部の重なり部分の平面イメージを示す図である。 ヒータの端子部とリード部の重なっていない部分の最も狭い寸法と、端子部とリード部の膜厚との関係と、パターン異常率の関係を調査した結果を示すグラフである。

符号の説明

１…磁気ヘッドスライダ、
１ａ…スライダ、
１ｂ…薄膜磁気ヘッド部分、
２…磁気ヘッド（記録再生素子）、
２ａ…磁気記録素子、
２ｂ…磁気再生素子、
３ａ…記録用引き出し線、
３ｂ…再生用引き出し線、
４…記録用中継端子、
５…再生用中継端子、
６…浮上面、
６ａ…レール面、
６ｂ…浅溝面、
６ｃ…深溝面、
７…空気流入端面、
８…空気流出端面、
１１…ヒータ（発熱抵抗体）、
１１ａ…発熱部、
１１ｂ…端子部、
１１ｃ…リード部、
２０…ＭＲ素子、
２１…電極、
３０…発熱抵抗体用中継端子。

Claims (10)

1. スライダと、
   該スライダの空気流出端面に形成された磁気ヘッドと、
   該磁気ヘッドの近傍に設けられ、発熱部と、該発熱部の両端から延伸する端子部と、該端子部に対して約５０％以上の重なり率を有するリード部とを備えるヒータと、を有し、
   前記端子部と前記リード部が重なっていない部分における前記端子部の端部と前記リード部の端部までの距離が、前記端子部の膜厚より大きく、かつ前記リード部の膜厚よりも大きいことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
2. 前記リード部の抵抗値は、前記発熱部と端子部の抵抗値の１／５以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
3. 前記発熱部と端子部の抵抗値は約３００〜６００Ωであり、前記リード部の抵抗値は約３〜６０Ωであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
4. 前記端子部の膜厚は約１００〜２００ｎｍであり、前記リード部の膜厚は約１５０〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
5. 前記発熱部と端子部はＮｉＣｒ又はＮｉＦｅからなり、前記リード部はＣｕ又はＡｕからなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
6. 前記リード部は、前記端子部の上に設けられることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
7. 前記端子部の端部から前記リード部の端部までの距離が２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
8. 前記リード部は、前記端子部の下に設けられることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
9. 前記磁気ヘッドは再生素子と該再生素子の両端部に接続された電極を有し、前記ヒータは前記磁気ヘッドの下部又は上部に配置され、該ヒータのリード部は発熱部に向かって絞られた形状をなし、該リード部と前記磁気ヘッドの電極と重なっている部分の前記磁気ヘッド電極の最も広い部分の幅が、該リード部の後ろで該リード部と重なっていない部分の前記磁気ヘッド電極の最も狭い幅に比べて、狭いことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
10. 前記磁気ヘッドは再生素子と該再生素子の両端部に接続された電極を有し、前記ヒータは前記磁気ヘッドの下部又は上部に配置され、該ヒータのリード部は発熱部に向かって絞られた形状をなし、該リード部と前記磁気ヘッドの電極と重なっている部分の短手方向の最も広い部分の幅が最も狭い部分の幅の２０倍以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
    

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