JP4704947B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドに係わり、特に浮上量調整機能を有する薄膜磁気ヘッドに関する。

磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、サスペンションによって支持され、磁気ディスクの径方向に位置決めされる薄膜磁気ヘッドを有し、薄膜磁気ヘッドが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスクに対して磁気情報の読み書きを行う。薄膜磁気ヘッドのスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は接触しないように設計されている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、スライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。

従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境温度差、記録時と再生時との浮上量差、などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。薄膜磁気ヘッド毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を有するスライダを用いれば、上記マージンをなくし、スライダとディスクの接触を防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。特許文献１には、薄膜抵抗体から成るヒータを記録素子と再生素子の近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との距離を調整するスライダ構造が提案されている。

しかしながら、浮上量調整のためにヒータを設けると、記録再生素子内の配線が増加し、ヘッド後端面に配置される端子数も増加する。端子に接続されるサスペンション上の配線数も増加し、各配線の間隔は狭まる。したがって、記録時の記録素子用配線から再生素子用配線へのクロストークが問題となる。特許文献２には、クロストークの問題を解決するために、サスペンション上において、再生素子用配線をヒータ用配線で挟むように配置する構成、また、ヒータ用配線を記録素子用配線と再生素子用配線の間に配置する構成が開示されている。

特開２００４−３４２１５１号公報 特開２００４−１９２７４２号公報

特許文献２に記載されているように、再生素子用配線をヒータ用配線で挟むように配置する構成、また、ヒータ用配線を記録素子用配線と再生素子用配線の間に配置する構成により、記録素子の高周波電流による、またはヒータの電流オンオフによる再生素子へのクロストーク電流の悪影響を回避することができる。しかしながら、再生素子としてＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)素子を用いた場合には、ＴＭＲ素子は電極と磁気シールドが兼用されるため、ヒータ電源からのノイズや電磁誘導によりヒータラインに印加されたノイズがＴＭＲ素子に直接影響し、再生信号へのノイズとなる問題がある。

本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの再生素子に対するヒータからの電磁気的な悪影響を軽減することである。

本発明の代表的な薄膜磁気ヘッドは、スライダと、スライダの空気流出端面に設けられた薄膜ヘッド部とを有し、薄膜ヘッド部は、ヒータと、再生素子と、記録素子と、保護膜と、ヒータと再生素子の間に設けられた電磁シールドとを有する。
再生素子は下部シールド兼下部電極と、上部シールド兼上部電極と、これらの間に配置されたＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)素子とを有し、電磁シールドは下部シールド兼下部電極とヒータの間に設けられる。
さらに本発明の薄膜磁気ヘッドは、薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍にコモン端子が設けられ、薄膜ヘッド部の端面には再生素子用端子と、記録素子用端子と、これらの端子の両脇にヒータ用端子とグランド端子が設けられ、電磁シールド，再生素子及び記録素子のアース用配線はコモン端子に接続され、コモン端子のアース用配線，スライダのアース用配線及びヒータのアース用配線はグランド端子に接続される。

本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの再生素子に対するヒータからの電磁気的な悪影響を軽減することができる。

以下に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、各図面において、同一要素には同一の符号を付し、説明の明確化のため、重複する説明は省略する。
最初に、本発明の理解を容易にするために、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の全体構成を説明する。図７は、ＨＤＤの構成を模式的に示す平面図である。ＨＤＤ１００は、データを記録する記録メディアとしての磁気ディスク１０１を備えている。磁気ディスク１０１は、磁性層が磁化されることによってデータを記憶する不揮発性メモリである。ＨＤＤ１００の各構成要素は、ベース１０２内に収容されている。ベース１０２は、ベース１０２の上部開口を塞ぐカバー（不図示）とガスケット（不図示）を介して固定されることによってディスクエンクロージャを構成し、ＨＤＤ１００の各構成要素を密閉状態で収容することができる。

磁気ディスク１０１は、スピンドルモータ１０３に固定されている。薄膜磁気ヘッド１０５は、ホスト（不図示）との間で入出力されるデータについて、磁気ディスク１０１への書き込み及び／又は読み出しを行うヘッド素子部を供えている。ヘッド素子部は、磁気ディスク１０１への記録データに応じて電気信号を磁界に変換する記録素子及び／又は磁気ディスク１０１からの磁界を電気信号に変換する再生素子と、記録素子及び／又は再生素子がその面上に形成されているスライダとを有している。

アクチュエータ１０６は、薄膜磁気ヘッド１０５を保持し、移動する。アクチュエータ１０６は回動軸１０７に回動自在に保持されており、駆動機構としてのボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１０９によって駆動される。アクチュエータ１０６は、薄膜磁気ヘッド１０５が配置された長手方向におけるその先端部から、サスペンション１１０、アーム１１１、コイルサポート１１２及びフラットコイル１１３の順で結合された各構成部材を備えている。尚、サスペンション１１０の構成については、後で詳述する。ＶＣＭ１０９は、フラットコイル１１３、上側ステータ・マグネット保持板１１４に固定されたステータ・マグネット（不図示）、及び下側ステータ・マグネット保持板に固定されたステータ・マグネット（不図示）から構成されている。

磁気ディスク１０１は、ベース１０２の底面に固定されたスピンドルモータ１０３に一体的に保持され、スピンドルモータ１０３により所定の速度で回転駆動される。磁気ディスク１０１は、図７において、反時計回りに回転する。ＨＤＤ１００の非動作時には、磁気ディスク１０１は静止している。ＶＣＭ１０９は、コントローラ（不図示）からフラットコイル１１３に流される駆動信号に応じて、回動軸１０７を中心としてアクチュエータ１０６をその短手方向において回動する。これによって、アクチュエータ１０６は磁気ディスク１０１の上に薄膜磁気ヘッド１０５を移動する、もしくは、磁気ディスク１０１の外側へ薄膜磁気ヘッド１０５を移動することができる。

磁気ディスク１０１からのデータの読み取り／書き込みのため、アクチュエータ１０６は回転している磁気ディスク１０１表面のデータ領域上空に薄膜磁気ヘッド１０５を移動する。アクチュエータ１０６が回動することによって、薄膜磁気ヘッド１０５が磁気ディスク１０１の表面の半径方向に沿って移動する。これによって、薄膜磁気ヘッド１０５が所望のトラックにアクセスすることができる。薄膜磁気ヘッド１０５とコントローラとの間の信号は、伝送配線であるトレース２０１とＦＰＣ１１７が伝送する。薄膜磁気ヘッド１０５は、磁気ディスク１０１に対向するスライダのＡＢＳ（Air Bearing Surface）と回転している磁気ディスク１０１との間の空気の粘性による圧力が、サスペンション１１０によって磁気ディスク１０１方向に加えられる圧力とバランスすることによって、磁気ディスク１０１上を一定のギャップを置いて浮上する。

磁気ディスク１０１の回転が停止すると、薄膜磁気ヘッド１０５が磁気ディスク１０１表面に接触し、吸着現象によってデータ領域の傷の発生、磁気ディスクの回転不能などの問題が起こるため、磁気ディスク１０１の回転が停止するときには、アクチュエータ１０６は薄膜磁気ヘッド１０５をデータ領域からランプ機構１１５に退避させる。アクチュエータ１０６がランプ機構１１５の方向に回動し、アクチュエータ先端部のタブ１１６がランプ機構１１５表面上を摺動しながら移動し、ランプ機構１１５上のパーキング面に載ることにより、薄膜磁気ヘッド１０５がアンロードされる。ロードのときには、パーキング面に支持されていたタブ１１６がランプ機構１１５から離脱して、薄膜磁気ヘッド１０５は磁気ディスク１０１表面上空に移動する。

尚、上記ＨＤＤはロード・アンロード方式を採用しているが、薄膜磁気ヘッド１０５がデータ書き込み／読み出し処理を行わない場合に、磁気ディスク１０１の内周に配置されているゾーンに退避するＣＳＳ（Contact Start and Stop）方式を採用することもできる。また、上記の説明では、簡単のために磁気ディスク１０１が一枚構成で、片面記憶のＨＤＤを説明しているが、ＨＤＤは、１枚もしくは複数枚の両面記憶磁気ディスクを備えることができる。

次に、図８を参照して薄膜磁気ヘッド１０５をサスペンション１１０に取り付けた状態のヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）の構成を説明する。図８は、磁気ディスクの記録面側からみたＨＧＡの構造を示している。図８に示すように、ＨＧＡ２００は、薄膜磁気ヘッド１０５、サスペンション１１０及び伝送配線であるトレース２０１を備えている。サスペンション１１０は、薄膜磁気ヘッド１０５を磁気ディスク対向面側で保持する可撓性のジンバル１０８と、ジンバル１０８を磁気ディスク対向面側で保持するロードビーム１０９及びマウント・プレート２０６を備えている。図８のＨＧＡ２００は、ロード・アンロード・タイプであって、ロードビーム１０９の先端にランプ機構に退避するためのタブ１１６を備えている。薄膜磁気ヘッド１０５の空気流出端面（タブ側）にはヘッド素子部に接続された複数の端子が形成されており、各端子とトレース２０１の各配線とが半田や金のボール・ボンディングなどを使用して接続されている。

次に、図２を参照して本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッド１０５の構成について説明する。薄膜磁気ヘッド１０５は基板（スライダ）１ａと、薄膜ヘッド部１ｂからなる。スライダ１ａはほぼ直方体形状をしており、空気軸受面５、空気流入端面１１、空気流出端面１２、両側の側面、背面の計６面で構成される。薄膜磁気ヘッド１０５のサイズは、例えば、長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍである。薄膜ヘッド部１ｂの端面１３には、ヘッド素子部に接続された複数の端子１ｃが形成されている。空気軸受面５には、イオンミリング等により微細な段差（ステップ軸受）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。

空気軸受面５の段差は、実質的に平行な３種類の面に分類される。最もディスクに近いレール面６、レール面６より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面７、レール面６より約１μｍ深くなっている深溝面８である。ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受である浅溝面７からレール面６に進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６や浅溝面７から深溝面８へ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。

薄膜磁気ヘッド１０５は、空気流入端側の浮上量が空気流出端側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。したがって、端面１３近傍のレール面６がディスクに最も接近する。端面１３近傍では、レール面６が周囲の浅溝面７、深溝面８に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６が最もディスクに近づくことになる。再生素子２および記録素子３は、レール面６の薄膜ヘッド部１ｂに属する部分に形成されている。ロードビーム１０９から押し付けられる荷重と、空気軸受面５で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、記録素子３および再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の適切な値に保つよう、ステップ軸受の形状が設計されている。なお、上記の薄膜磁気ヘッド１０５は、空気軸受面５が３種類の面から構成される２段ステップ軸受のスライダであるがが、これに限らず４種類以上の平行な面から構成される３段以上のステップ軸受のスライダであっても良い。

次に、図２のＡ−Ａ線断面図である図１を参照して、スライダ１ａの上に形成されている薄膜ヘッド部１ｂの内部の構成を説明する。薄膜ヘッド部１ｂはスライダ１ａ側からアルミナ絶縁膜１５０、ヒータ４、電磁シールド５０、再生素子２、記録素子３、これらを隔てる絶縁膜（アルミナ）１５２、これら全体を覆う保護膜（アルミナ）１５４が積層されて構成されている。ヒータ４はＮｉＣｒ等の薄膜抵抗体であり、アルミナ絶縁膜１５０の上部に配置されている。電磁シールド５０は図３に端面１３側から見た模式図を示すが、ヒータ４を構成する薄膜抵抗体４１及びリード線４２の上部に形成されたパーマロイ等の磁性膜である。勿論、電磁シールド５０を構成する磁性膜の面積がヒータ４の面積よりも大きく、ヒータ全体を覆う大きさの磁性膜を配置してもよい。図１に戻り、再生素子２は、下部シールド兼下部電極２１、ＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)素子２３、上部シールド兼上部電極２４で構成されている。記録素子３は、下部磁極３１と、浮上面側に磁気ギャップ３２を形成し後部で下部磁極３１に磁気的に接続されている上部磁極３３と、下部磁極３１と上部磁極３３の間に層間絶縁膜３４を介して形成されたコイル３５とで構成されている。また、薄膜ヘッド部１ｂには後述するコモン端子Ｃが設けられている。

このタイプの薄膜磁気ヘッド１０５は、ＴＦＣ(Thermal Flying Control)ヘッドと呼ばれ、必要に応じてヒータ４に通電することにより、再生素子２及び記録素子３を覆っている絶縁膜（アルミナ）１５２を加熱して熱膨張させ、再生素子２及び記録素子３を浮上面側に突出させることにより磁気ディスクとの距離（浮上量）を調整することができる。なお、上記の構成例では、ヒータ４及び電磁シールド５０が絶縁膜１５０と再生素子２の間に設けられているが、これに限らず、ヒータ４は再生素子２の近傍であればよく、再生素子２の後部や、再生素子２及び記録素子３の後部に設けられても良く、電磁シールド５０はヒータ４と再生素子２を電磁気的に遮断する位置に設けられていればよい。

上記実施例によれば、ヒータ用電源からの電磁気的なノイズや、リード線４２に電磁誘導により印加されたノイズは電磁シールド５０で遮断されるため、ＴＭＲ素子２３のシールド兼電極２１，２４への影響を軽減することができる。

次に図４〜図６を参照して、上記実施例による薄膜磁気ヘッドの配線構造を説明する。図４は、薄膜磁気ヘッド１０５のヘッド素子部の配線と端子１ｃを浮上面側から模式的に示した図である。端子１ｃの配置は、薄膜ヘッド部１ｂの左側端部から、ヒータ用端子Ｈ−(Heater-)、記録素子用端子Ｗ(Write)、記録素子用端子Ｗ(Write)、再生素子用端子Ｒ−(Read-)、再生素子用端子Ｒ＋(Read+)、ヒータ用端子Ｈ＋(Heater+)である。勿論、ヒータ用端子Ｈ−とヒータ用端子Ｈ＋は左右逆の配置でも良い。また、２個の記録素子用端子Ｗと２個の再生素子用端子Ｒ(-)，Ｒ(+)の配置も左右逆でも良い。

図４において、２個の記録素子用端子Ｗには、コイル３５の両端からの配線ＬＷ１，ＬＷ２が接続されている。再生素子用端子Ｒ−には、ＴＭＲ素子２３の上部シールド兼上部電極２４からのリード配線ＬＥ１が接続され、再生素子用端子Ｒ＋には、ＴＭＲ素子２３の下部シールド兼下部電極２１からのリード配線ＬＥ２が接続されている。ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ配線ＬＨ＋が接続され、ヒータ用端子Ｈ−には、ヒータ配線ＬＨ−が接続されている。

薄膜ヘッド部１ｂのトラック幅方向の中央部近傍にはコモン端子Ｃが設けられており、コモン端子Ｃには、電磁シールド５０のアース用配線ＬＨＳＡと、ＴＭＲ素子２３の上部シールド兼上部電極２４のアース用配線ＬＥＡ１と、下部シールド兼下部電極２１のアース用配線ＬＥＡ２と、上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を有して接続されている。このような接続とすることにより、コモン端子Ｃから見て、左右のリード配線ＬＥ１とＬＥ２のShunt抵抗の差が少なくなるので、磁気ディスク等からの外来ノイズが各アース用配線に乗ったとしても、リード配線ＬＥ１及びＬＥ２へのクロストークノイズは軽減される。

図５は端面１３の両端部に、１個のヒータ用端子Ｈ＋(Heater+)と、１個のグランド端子Ｇ(Ground)を配置する例を浮上面側から模式的に示した図である。端子１ｃの配列は、薄膜ヘッド部１ｂの左側端部から、グランド端子Ｇ(Ground)、記録素子用端子Ｗ(Write)、記録素子用端子Ｗ(Write)、再生素子用端子Ｒ−(Read-)、再生素子用端子Ｒ＋(Read+)、ヒータ用端子Ｈ＋(Heater+)である。２個の記録素子用端子Ｗには、コイル３５の両端からの配線ＬＷ１、ＬＷ２が接続されている。再生素子用端子Ｒ−には、ＴＭＲ素子２３の上部シールド兼上部電極２４からのリード配線ＬＥ１が接続され、再生素子用端子Ｒ＋には、ＴＭＲ素子２３の下部シールド兼下部電極２１からのリード配線ＬＥ２が接続されている。ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ４からのヒータ配線ＬＨ＋が接続されている。勿論、グランド端子Ｇとヒータ用端子Ｈ＋は左右逆の配置でも良い。また、２個の記録素子用端子Ｗと２個の再生素子用端子Ｒ(-)，Ｒ(+)の配置も左右逆でも良い。

薄膜ヘッド部１ｂのトラック幅方向の中央部近傍にはコモン端子Ｃが設けられており、コモン端子Ｃには、電磁シールド５０のアース用配線ＬＨＳＡと、ＴＭＲ素子２３の上部シールド兼上部電極２４のアース用配線ＬＥＡ１と、下部シールド兼下部電極２１のアース用配線ＬＥＡ２と、上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を有して接続されている。

コモン端子Ｃのアース用配線ＬＣＡはグランド端子Ｇに接続され、グランド端子Ｇにはさらに、ヒータ４のアース用配線ＬＨＡが接続され、スライダ１ａのアース用配線ＬＬＡが抵抗５を有して接続されている。このような接続とすることにより、コモン端子Ｃから見て、左右のリード配線ＬＥ１とＬＥ２のShunt抵抗の差が少なくなるので、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａのアース用配線ＬＬＡに乗ったとしても、リード配線ＬＥ１及びＬＥ２へのクロストークノイズは軽減される。

図６は、図５に示した配線構造の変形例である。図５の配線構造との違いは、電磁シールド５０のアース用配線ＬＨＳＡをコモン端子Ｃを経由しないで直接グランド端子Ｇに接続するところにある。このような接続構造でも、コモン端子Ｃから見て、左右のリード配線ＬＥ１とＬＥ２のShunt抵抗の差が少なくなるので、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａのアース用配線ＬＬＡに乗ったとしても、リード配線ＬＥ１及びＬＥ２へのクロストークノイズは軽減される。

なお、図４〜図６に示した配線構造例ではコモン端子Ｃを、薄膜ヘッド部１ｂの中で、ヘッド素子部の上部中央付近に設けているが、薄膜ヘッド部１ｂの端面１３に余裕がある場合には、記録素子用端子Ｗと再生素子用端子Ｒ−の間に設けるようにしてもよい。

以上の説明のとおり、本発明の実施例によれば、ヒータと再生素子（ＴＭＲ素子）の間に電磁シールドを設けるので、ヒータ用電源からの電磁気的なノイズや、リード線に電磁誘導により印加されたノイズは電磁シールドで遮断されるため、ＴＭＲ素子のシールド兼電極への影響を軽減することができる。また、薄膜ヘッド部にコモン端子を設け、各素子からのアース用配線をコモン端子に一旦接続し、コモン端子のアース用配線をグランド端子に接続するので、リード配線の左右でShunt抵抗の差が少なくなる。したがって、磁気ディスク等からのノイズがスライダを介してグランドラインに乗ったとしても、また、外来ノイズが各アース用配線に乗ったとしても、その近傍のリード配線に発生するクロストークノイズを軽減することができる。

本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの薄膜ヘッド部の構成を示す断面図（図２のＡ−Ａ線断面図）である。 本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの全体構成図である。 ヒータと電磁シールドの配置関係を示す模式図である。 薄膜ヘッド部のヘッド素子と端子の配線構造を浮上面側から示す模式図である。 薄膜ヘッド部のヘッド素子と端子の配線構造の他の例を浮上面側から示す模式図である。 薄膜ヘッド部のヘッド素子と端子の配線構造の他の例を浮上面側から示す模式図でである。 本発明の薄膜磁気ヘッドが搭載されるハードディスク・ドライブの平面図である。 本発明の薄膜磁気ヘッドを保持するヘッド・ジンバル・アセンブリの斜視図である。

符号の説明

１ａ…スライダ、１ｂ…薄膜ヘッド部、１ｃ…端子、２…再生素子、３…記録素子、４…ヒータ、５…空気軸受面、６…レール面、７…浅溝面、８深溝面、１１空気流入端面、１２…空気流出端面、１３…薄膜ヘッド部の端面、２１…下部シールド兼下部電極、２３…ＴＭＲ素子、２４…上部シールド兼上部磁極、３１…下部磁極、３２…磁気ギャップ、３３…上部磁極、３４…層間絶縁膜、３５…コイル、５０…電磁シールド、１００…ハードディスク・ドライブ、１０１…磁気ディスク、１０５…薄膜磁気ヘッド、１０８…ジンバル、１０９…ロードビーム、１１０…サスペンション、１５０，１５２…絶縁膜、１５４…保護膜、２００…ヘッド・ジンバル・アセンブリ、２０１…トレース、ＬＷ１、ＬＷ２…コイルの配線、ＬＥ１，ＬＥ２…リード配線、ＬＨ＋，ＬＨ−…ヒータ配線、ＬＨＡ…ヒータのアース用配線、ＬＬＡ…スライダのアース用配線、ＬＥＡ１…上部シールド兼上部磁極のアース用配線、ＬＥＡ２…下部シールド兼下部電極のアース用配線、ＬＷＡ…上下磁極のアース用配線、Ｃ…コモン端子、ＬＣＡ…コモン端子のアース用配線。

Claims (11)

1. スライダと、
   前記スライダの空気流出端面に設けられた薄膜ヘッド部とを有し、
   前記薄膜ヘッド部は、ヒータと、下部シールド兼下部電極と、上部シールド兼上部電極と、該下部シールド兼下部電極と上部シールド兼上部電極の間に配置された再生素子と、記録素子と、保護膜と、前記ヒータと前記再生素子の間に設けられた電磁シールドとを有し、
   前記薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍にコモン端子が設けられ、
   前記電磁シールド、再生素子及び記録素子のアース用配線は前記コモン端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記薄膜磁気ヘッドは、前記スライダの空気流出端面側から、ヒータ、電磁シールド、再生素子、記録素子、保護膜が積層されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記ヒータは薄膜抵抗体と、該薄膜抵抗体の両端から延伸するリード線とを有し、前記電磁シールドは少なくとも前記薄膜抵抗体とリード線を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記電磁シールドを構成する磁性膜の面積は前記ヒータの面積よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記電磁シールドは前記下部シールド兼下部電極と前記ヒータの間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
6. スライダと、
   前記スライダの空気流出端面に積層して設けられ、ヒータと、電磁シールドと、下部シールド兼下部電極と、上部シールド兼上部電極と、該下部シールド兼下部電極と上部シールド兼上部電極の間に配置された再生素子と、記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部と、を有し、
   前記薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍にコモン端子が設けられ、
   前記薄膜ヘッド部の端面に再生素子用端子と、記録素子用端子と、該再生素子用端子と記録素子用端子の両脇にヒータ用端子が設けられ、
   前記電磁シールド、再生素子及び記録素子のアース用配線は前記コモン端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
7. 前記コモン端子が前記薄膜ヘッド部の端面の再生素子用端子と記録素子用端子の間に設けられることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 前記電磁シールドは前記下部シールド兼下部電極と前記ヒータの間に設けられていることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
9. スライダと、
   前記スライダの空気流出端面に積層して設けられ、ヒータと、電磁シールドと、下部シールド兼下部電極と、上部シールド兼上部電極と、該下部シールド兼下部電極と上部シールド兼上部電極の間に配置された再生素子と、記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部と、を有し、
   前記薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍にコモン端子が設けられ、
   前記薄膜ヘッド部の端面に再生素子用端子と、記録素子用端子と、該再生素子用端子と記録素子用端子の両脇にヒータ用端子とグランド端子が設けられ、
   前記電磁シールド、再生素子及び記録素子のアース用配線は前記コモン端子に接続され、該コモン端子のアース用配線、前記スライダのアース用配線及び前記ヒータのアース用配線は前記グランド端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
10. 前記電磁シールドは前記下部シールド兼下部電極と前記ヒータの間に設けられていることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 前記電磁シールドのアース用配線が、前記コモン端子ではなく前記グランド端子に直接接続されていることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。

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