JP2008165950A - 磁気ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気ディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】現状の熱式浮上量調整スライダによる熱突出先端部の曲率半径は、最小でも約20mmである。20mmという曲率半径でも、ある程度の振動抑制効果はあるが、より大きな抑制効果を得るためには、10mm以下まで曲率半径を低減する必要である。
【解決手段】スライダ基板1aの素子形成面に、薄膜プロセスにより記録素子2、磁気抵抗効果素子34を備えた再生素子3、2個のヒータ4,40が形成される。ヒータ4,40はスライダ基板1aと再生素子3の間に形成される。ヒータ4は浮上量調整用ヒータであり、磁気抵抗効果素子34を直接加熱して劣化させないように、磁気抵抗効果素子34から離れるように浮上面9から後退した位置に設けられる。ヒータ40は曲面突起形成用ヒータであり、浮上量調整用ヒータ4よりも小型で、浮上量調整用ヒータ4と浮上面9の間に設けられる。
【選択図】図1
【解決手段】スライダ基板1aの素子形成面に、薄膜プロセスにより記録素子2、磁気抵抗効果素子34を備えた再生素子3、2個のヒータ4,40が形成される。ヒータ4,40はスライダ基板1aと再生素子3の間に形成される。ヒータ4は浮上量調整用ヒータであり、磁気抵抗効果素子34を直接加熱して劣化させないように、磁気抵抗効果素子34から離れるように浮上面9から後退した位置に設けられる。ヒータ40は曲面突起形成用ヒータであり、浮上量調整用ヒータ4よりも小型で、浮上量調整用ヒータ4と浮上面9の間に設けられる。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ、磁気ヘッドスライダを支持したヘッドジンバルアセンブリ、およびヘッドジンバルアセンブリを搭載した磁気ディスク装置に関する。
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、記録再生素子を搭載する磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを保持するサスペンションと、サスペンションを回転駆動し、磁気ヘッドスライダを磁気ディスクの半径方向に移動して位置決めするアクチュエータとを有する。サスペンションに保持される磁気ヘッドスライダが、磁気ディスク上を相対的に走行して、磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。前記磁気ヘッドスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとは直接には固体接触しないように設計されている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
しかし、スライダ浮上量が数nmの領域では、ディスク面の表面粗さや潤滑膜の厚さの揺らぎのため、磁気ヘッドスライダの後側の軸受面とディスク面との間に潤滑剤がメニスカスを形成しやすくなる。これは、潤滑剤がスライダ軸受面にも付着し、潤滑膜の厚さの揺らぎによる潤滑膜粗さが数nmに達する場合があるからである。いったん潤滑剤によりスライダ軸受面とディスク面が架橋されると、吸着力が増大して磁気ヘッドスライダがディスク面に接触し、それによって生じる大きな摩擦力のために、磁気ヘッドスライダに不安定な跳躍振動が発生するようになる。
従来この吸着力の影響を低減するために、後側軸受面のヘッドを含む後端中央部の幅を小さくし、接触しやすい軸受面積を小さくする方法が提案されていたが、吸着力の影響を低減する効果は不十分である。
メニスカス力によりスライダ軸受面とディスク面の距離が1nm以下になると、固体面間のファンデルワールス力も生じるようになる。高記録密度化のために磁気ディスク媒体面の粗さを小さくすると、ひとたび潤滑剤のメニスカスによりスライダ軸受面とディスク面が吸着接触して、スライダ軸受面とディスク面間の隙間が小さくなると、たとえ接触面積を小さくしてもファンデルワールス力により著しい吸引力が生じることになる。
このメニスカス吸着力とファンデルワールス力をスライダ軸受の浮上力より十分小さくするためには、磁気ヘッドスライダの後側軸受面のヘッド近傍を、曲率半径の小さい凸曲面に形成し、軸受平面から数ナノメートル突出させ、その頂点近傍に記録再生素子を形成するのが効果的である。凸曲面の頂点近傍に記録再生素子を設置し、ヘッドとディスク面のすきまを10nm以下のすきまで維持する浮上ヘッドスライダにおいては、たとえ凸曲面頂点部とディスク面との間にメニスカスが形成されても、その頂点近傍の合成された曲率半径を特定な値より小さくすれば、メニスカス吸着力とファンデルワールス力を空気軸受の浮上力より小さくすることができ、したがって摩擦力も小さくすることができ、接触跳躍振動を抑圧することができる。また、凸曲面がディスク面に接触した場合にも、凸曲面の最大接触応力を従来の粗さ接触による接触応力より小さくすることができ、しかもスライダ凸曲面とディスク面の間に潤滑剤をメニスカス形成によって保持する機能もあるので、磁気ヘッドスライダ面とディスク面の摩耗耐久性を著しく向上させることができる。メニスカス力やファンデルワールス力による磁気ヘッドスライダのディスク面への接触をなくし、またこれらの力による跳躍振動を抑圧するには、図9に示すように、凸曲面の曲率半径をR=100mm程度以下とするのが良く、R=10mm程度にすれば跳躍振動の大きな抑制効果が期待できる。
また、ナノメートルオーダーの微小な曲面突起を形成する方法としては、熱突出を利用する方法がある。例えば特許文献1に記載されているような、薄膜抵抗体から成る加熱装置(ヒータ)を記録素子と再生素子の近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との距離を調整する熱式浮上量調整スライダを利用する方法である。この浮上量調整のための熱突出を利用すれば、容易に数nmの微小な曲面突起を形成することができる。つまり、現状の熱式浮上量調整スライダでも、浮上量調整時には、ヒータにより記録再生素子近傍を熱突出させているため、凸曲面が形成されていることになる。
しかしながら、現状の熱式浮上量調整スライダによる熱突出先端部の曲率半径は、最小でも約20mmである。20mmという曲率半径でも、ある程度の振動抑制効果はあるが、より大きな抑制効果を得るためには、10mm以下まで曲率半径を低減する必要である。
また、熱式浮上量調整の主目的は、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整することであるため、ヘッド固体毎や使用環境によってヒータへの印加電力が異なり、発熱による突出量も異なることになる。解析結果などから、ヒータに印加する電力の違いにより突出高さが異なると熱突出の曲率半径も異なり、電力が大きく突出量が大きいほど曲率半径は小さくなることがわかったが、現状の浮上量調整用のヒータによる熱突出を利用するだけでは、曲面突起の曲率半径を20mm以下にすることは難しく、また、ヘッドごとに曲面突起の曲率半径にばらつきがあるという問題がある。
また、熱式浮上量調整の主目的は、ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整することであるため、ヘッド固体毎や使用環境によってヒータへの印加電力が異なり、発熱による突出量も異なることになる。解析結果などから、ヒータに印加する電力の違いにより突出高さが異なると熱突出の曲率半径も異なり、電力が大きく突出量が大きいほど曲率半径は小さくなることがわかったが、現状の浮上量調整用のヒータによる熱突出を利用するだけでは、曲面突起の曲率半径を20mm以下にすることは難しく、また、ヘッドごとに曲面突起の曲率半径にばらつきがあるという問題がある。
本発明の目的は、磁気ヘッドスライダの熱突出による曲面突起の曲率半径を小さくすることである。また、磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダの浮上量を低下させた場合の跳躍振動の発生を抑えることである。
上記の課題を解決するために本発明においては、磁気ヘッドスライダに、熱式浮上量調整スライダ本来の目的である浮上量調整用ヒータと、浮上量調整用のヒータよりも浮上面に近い位置に浮上量調整用ヒータよりも小型の曲面突起形成用のヒータを配置することで、2段階の熱突出形状を形成することを特徴とするものである。
上記2段階ヒータの曲面突起形成用のヒータに常に同じ電力を印加しておけば、ヘッド固体毎や使用環境によらず、常に一定の曲面突起を形成することができる。また、曲面突起形成用のヒータは浮上量調整用ヒータと比べて小型にしておけば、熱突出の突出形状が浮上量調整用ヒータの突出形状よりも急峻になり、2段階突出の先端部では曲率半径を小さくできる。
上記2段階ヒータの曲面突起形成用のヒータに常に同じ電力を印加しておけば、ヘッド固体毎や使用環境によらず、常に一定の曲面突起を形成することができる。また、曲面突起形成用のヒータは浮上量調整用ヒータと比べて小型にしておけば、熱突出の突出形状が浮上量調整用ヒータの突出形状よりも急峻になり、2段階突出の先端部では曲率半径を小さくできる。
本発明によれば、磁気ヘッドスライダの熱突出による曲面突起の曲率半径を小さくすることができる。また、磁気ディスク装置において、磁気ヘッドスライダの浮上量を低下させても、跳躍振動の発生を抑えることができる。
本発明に係る磁気ディスク装置の概略構成を図2に示す。磁気ディスク装置100は、ランチボックス型のベース102を有し、ベース102にはスピンドルモータ104と、軸受けユニット110と、VCM磁気回路116が取り付けられている。スピンドルモータ104には、磁気ディスク106が保持され、磁気ディスク106はスピンドルモータ104によって回転駆動される。軸受けユニット110には、ヘッドアーム112とVCMコイル114が支持され、VCMコイル114はVCM磁気回路116の磁界中に置かれる。VCMコイル114とVCM磁気回路116とで、軸受けユニット110を回転させるアクチュエータを構成している。ヘッドアーム112にはロードビーム118が取り付けられ、ロードビーム118にはジンバル120が取り付けられ、ジンバル120には、磁気ヘッドスライダ1が保持されている。ロードビーム118にジンバル120が取り付けられたバネ部材がサスペンションであり、サスペンションに磁気ヘッドスライダ1が取り付けられた構成体がヘッドジンバルアセンブリである。ヘッドジンバルアセンブリは、軸受けユニット110と共に回転し、磁気ヘッドスライダ1を磁気ディスク106の半径方向に移動させる。
磁気ヘッドスライダ1は、ロードビーム118によって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、10nm程度あるいは10nm以下の浮上量で磁気ディスク上を浮上する。磁気ヘッドスライダ1はロードビーム118とともにアクチュエータによって磁気ディスク106の半径方向にシーク動作し、磁気ディスク面全体で記録再生を行う。磁気ヘッドスライダ1は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク106上からランプ機構122に待避する。なお、上記した磁気ディスク装置100は、ロード・アンロード機構を備えた装置であるが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ1が磁気ディスク106の特定の領域で待機する、コンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置であっても良いことは言うまでもない。
図2における磁気ヘッドスライダ(以下、スライダと略す)1を拡大して図3に示す。スライダ1は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体(以下、アルチックと略す)に代表されるセラミック材料のスライダ基板1aと、薄膜磁気ヘッド部分1bとから成る。薄膜磁気ヘッド部分1bは、スライダ基板1aの素子形成面(薄膜形成面)上に薄膜プロセスで形成された磁気記録素子2、磁気再生素子3、2個のヒータ4,40(図4参照)および絶縁体の保護膜16(図4参照)などから成る。磁気再生素子3と磁気記録素子2の積層体が薄膜磁気ヘッドである。
スライダ1は、例えばフェムトと呼ばれるスライダでは、長さ0.85mm、幅0.7mm、厚さ0.23mmのほぼ直方体形状をしており、浮上面9、空気流入端面12、空気流出端面14、両側の側面、背面の計6面から構成される。浮上面9にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差(ステップ軸受け)が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受けの役目を果たしている。浮上面9には前記のように段差が設けられ、実質的に平行な3種類の面に分類される。最もディスクに近い浮上パッド5(5a、5b、5c)、浮上パッド5より約100nm乃至200nm深いステップ軸受け面である浅溝面7(7a,7b,7c)、浮上パッド5より約1μm深くなっている深溝面8の3種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受けである浅溝面7bから浮上パッド5b,5cへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力が生じる。一方、浮上パッド5b,5c及び浅溝面7bから深溝面8へ空気流が進入する際には、流路の拡大によって負の空気圧力が生じる。なお、図3においては段差及び溝の深さを強調して示してある。
スライダ1は空気流入端12側の浮上量が、空気流出端側14の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上パッド(以下、素子設置面という)5aがディスクに最も接近する。流出端近傍では、素子設置面5aが周囲の浅溝面7a、深溝面8に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、素子設置面5aが最もディスクに近づくことになる。磁気記録素子2および磁気再生素子3は、素子設置面5aの薄膜ヘッド部分1bに属する部分に形成されている。ロードビーム118から押し付けられる荷重と、浮上面9で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録素子2および磁気再生素子3からディスクまでの距離を10nm程度の適切な値に保つよう、浮上面9の形状が設計されている。
また、浮上面9で最もディスク106と接触する可能性の高い素子設置面5aには、ディスクとの短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、また記録素子2および再生素子3の腐食を防ぐため、厚さ数nmの炭素保護膜が形成されている。
なお、上記したスライダ1は、浮上面9が実質的に平行な3種類の面5、7、8から形成される2段ステップ軸受けのスライダであるが、4種類以上の平行な面から形成される3段以上のステップ軸受けのスライダであっても良い。
また、浮上面9で最もディスク106と接触する可能性の高い素子設置面5aには、ディスクとの短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、また記録素子2および再生素子3の腐食を防ぐため、厚さ数nmの炭素保護膜が形成されている。
なお、上記したスライダ1は、浮上面9が実質的に平行な3種類の面5、7、8から形成される2段ステップ軸受けのスライダであるが、4種類以上の平行な面から形成される3段以上のステップ軸受けのスライダであっても良い。
図3に示したスライダ1の、記録再生素子が形成された薄膜磁気ヘッド部分1bの断面拡大図(A−A線断面図)を図4に示す。薄膜磁気ヘッド部分1bは、アルチック基板1a上に、メッキ、スパッタリング、研磨などの薄膜プロセスを用いて形成された、下部磁気シールド32、磁気抵抗効果素子34、上部磁気シールド36からなり、磁界の変化を検出する磁気抵抗型の再生素子3と、磁極22、ライトコイル24からなり、ライトコイル24を流れる電流で磁極22間に磁界を発生して磁気情報を記録するインダクティブ型の記録素子2と、再生素子3と記録素子2の近傍を加熱する薄膜抵抗体からなる2個のヒータ4,40と、これらの素子全体を覆うアルミナ(Al2O3)等の保護膜16によって構成される。ヒータ4及びヒータ40は、スライダ基板1aと下部磁気シールド32の間に形成されている。ヒータ4は浮上量調整用ヒータであり、磁気抵抗効果素子34を直接加熱して劣化させないように、磁気抵抗効果素子34から離れるように浮上面9から後退した位置に設けられる。ヒータ40は曲面突起形成用ヒータであり、浮上量調整用ヒータ4よりも小型で、浮上量調整用ヒータ4と浮上面9の間に設けられる。
図1に、浮上量調整用ヒータ4及び曲面突起形成用ヒータ40を、流出端側から見た図(図4のB−B断面図)を示す。浮上量調整用ヒータ4は、材質がニッケルクロム(NiCr)、厚さが約0.12μm、幅が約2μmの薄膜抵抗体の細線を、奥行き約20μm、幅約20μmの領域に蛇行させたものであり、間隙はアルミナ(Al2O3)で埋めてある。抵抗値は約450Ωである。曲面突起形成用ヒータ40は、浮上量調整用ヒータ4の面積の1/2以下の面積になるように、浮上量調整用ヒータ4と同じ材料で形成した薄膜抵抗体であり、材質がニッケルクロム(NiCr)、厚さが約0.12μm、幅が約1μmの細線を、奥行き約10μm、幅約10μmの領域に蛇行させたものである。抵抗値は約100Ωである。
図5を参照して上記ヒータ構造による熱突出を詳細に説明する。図5は、図1と同じように、ヒータを、流出端側から見た図である。上記ヒータ構造の特徴は、図5に示すように、浮上量調整用ヒータ4よりも浮上面9に近い位置に、薄膜形成面上の面積が浮上量調整用ヒータ4よりも小さい曲面突起形成用ヒータ40を形成することである。図5に示すような2つのヒータを用いた2段階の加熱構造にし、浮上量調整用ヒータ4と浮上面9との距離D1よりも、曲面突起形成用ヒータ40と浮上面9との距離D2を小さくし、さらに、曲面突起形成用ヒータ40の薄膜形成面上の面積を浮上量調整用ヒータ4の薄膜形成面上の面積よりも小さくすることで、浮上量調整用ヒータ4による突出形状50の頂点付近に浮上量調整用ヒータ4による突出形状50よりも小さく急峻な曲面突起形成用ヒータ40による曲面突起52を形成する2段階の突出形状とすることが可能になる。D2とD1の関係は、D2<1/3D1であることが望ましい。その結果、2段階の突出形状の頂点の曲率半径は、接触跳躍振動の抑制に求められる10mm以下にすることが可能となる。また、熱式浮上量調整本来の目的である浮上量調整用のヒータ4による突出は、ヘッド固体毎や使用環境の変化によって、それらを補正するためのヒータへの印加電力が異なるために、突出量及び曲率半径がヘッド固体毎や使用環境によって異なるが、曲面突起形成用ヒータ40にはヘッド固体毎や使用環境によらず、常に同じ電力を印加しておけば、曲面突起形成用ヒータ40による突出52の頂点の曲率半径は常に同じ値を保つことができる。
2種類のヒータを制御するためには、通常は2系統4配線が必要であり、スライダ1の素子形成面の保護膜16上に形成する端子数を、現状の6端子から8端子に増加する必要がある。端子数が多くなると、空気流出端面14上への実装が困難になる。図6は浮上量調整ヒータ用グランド線42と曲面突起形成ヒータ用グランド線44を接続して1つのグランド線に集約し、7端子とした配線構造を流出端側から見た図である。記録素子2、再生素子3及びヒータ4,40のリード線を外部に電気的に接続するために、空気流出端面14上に記録素子用端子60、再生素子用端子62、浮上量調整ヒータ用端子64、曲面突起形成ヒータ用端子66およびヒータ用グランド端子68が形成されている。このように、グランド線を共有化することで、2種類のヒータを制御する場合でも、1個の端子増加で済ますことができる。図7は、浮上量調整ヒータ用グランド線42と曲面突起形成ヒータ用グランド線44を1つのグランド線に集約するのは図6の場合と同じであるが、共有化したグランド線をグランドに接続されているスライダ1のアルチック基板1bに接続して、アルチック基板1bを介してグランドに接続することで、ヒータ4,40のグランド用端子68を省略するものであり、これによれば、現状と同じ6端子の配線構造が可能となる。
なお、上記実施例では、厚さ0.23mmのフェムトスライダを例に説明したが、スライダの厚みが0.1mmにまで薄くなった場合でも、一辺80μm程度の大きさの端子であれば、7端子をスライダの流出端面に形成することは可能である。
図8は、6端子を実装したスライダ1をジンバル120に保持したヘッドジンバルアセンブリの模式図である。ロードビーム118とジンバル120には、プリアンプに一端が接続された配線が積層されており、この配線の他端が、上記したスライダ1の空気流出端面14に形成された各端子にはんだ付け等により接続されている。
1…磁気ヘッドスライダ、1a…スライダ基板、1b…薄膜磁気ヘッド部分、2…記録素子、3…再生素子、4…浮上量調整用ヒータ、5a…浮上パッド(素子設置面)、5b,5c…浮上パッド、7a,7b,7c…浅溝面、8…深溝面、9…浮上面、12…空気流入端面、14…空気流出端面、16…保護膜、22…磁極、24…ライトコイル、32…下部磁気シールド膜、34…磁気抵抗効果素子、36…上部磁気シールド膜、40…曲面突起形成用ヒータ、42…浮上量調整ヒータ用グランド配線、44…曲面突起形成ヒータ用グランド配線、50…浮上量調整用ヒータによる突出形状、52…曲面突起形成用ヒータによる突出形状、60…記録素子用端子、62…再生素子用端子、64…浮上量調整ヒータ用端子、66…曲面突起形成ヒータ用端子、68…ヒータ用グランド端子、100…磁気ディスク装置、102…ベース、104…スピンドルモータ、106…磁気ディスク、110…軸受けユニット、112…ヘッドアーム、114…VCMコイル、116…VCM磁気回路、118…ロードビーム、120…ジンバル、122…ランプ機構。
Claims (16)
- ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第1ヒータと、
該第1ヒータと前記浮上面との間に形成された、第1ヒータよりも小型の第2ヒータと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。 - 前記第2ヒータは、前記第1ヒータよりも面積が小さいことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第2ヒータの面積は、前記第1ヒータの面積の1/2以下であることを特徴とする請求項2記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第1及び第2ヒータは、前記スライダ基板と前記薄膜磁気ヘッドの間に形成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を備えた再生素子と、記録素子とを有し、前記第1ヒータは、前記スライダ基板と前記再生素子の間で、かつ、前記浮上面から後退した位置に配置されていることを特徴とする請求項4記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第2ヒータの発熱による前記浮上面の突出部の曲率半径が約10mm以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第1及び第2ヒータは、蛇行する薄膜抵抗体で構成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第1ヒータのグランド配線と前記第2ヒータのグランド配線は、互いに接続されて1つのグランド配線に集約されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 前記第1ヒータのグランド配線と前記第2ヒータのグランド配線は、互いに接続されて1つのグランド配線に集約され、該集約されたグランド配線が前記基板に接続されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドスライダ。
- 磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを保持するジンバルと、該ジンバルを支持し、前記磁気ヘッドスライダに荷重を与えるロードビームとを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、前記磁気ヘッドスライダが、
ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第1ヒータと、
該第1ヒータと前記浮上面との間に形成された、第1ヒータよりも小型の第2ヒータとを備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 前記薄膜磁気ヘッドのリード線と前記第1及び第2ヒータのリード線にそれぞれ接続された配線が、前記ジンバルと前記ロードビームの上に積層されていることを特徴とする請求項10記載のヘッドジンバルアセンブリ。
- 前記第1ヒータのグランド線と前記第2ヒータのグランド線が互いに接続されて1つのグランド線に集約され、該集約されたグランド線が前記配線に接続されていることを特徴とする請求項10記載のヘッドジンバルアセンブリ。
- 前記第1ヒータのグランド線と前記第2ヒータのグランド線が互いに接続されて1つのグランド線に集約され、該集約されたグランド線が前記基板に接続されていることを特徴とする請求項10記載のヘッドジンバルアセンブリ。
- 磁気ディスクと、該磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記磁気ディスクに対して磁気記録及び再生を行う磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを保持するサスペンションと、該サスペンションを支持して前記磁気ディスクの半径方向に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、
前記磁気ヘッドスライダが、
ほぼ直方体形状を成し、浮上面と素子形成面とを有するスライダ基板と、
該スライダ基板の素子形成面に形成された薄膜磁気ヘッドと、
前記スライダ基板の素子形成面であって、前記薄膜磁気ヘッドの近傍で、かつ、前記浮上面から後退した位置に形成された第1ヒータと、
該第1ヒータと前記浮上面との間に形成された、第1ヒータよりも小型の第2ヒータとを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 前記第1ヒータへの印加電力を制御することにより、前記磁気ヘッドスライダの浮上量を調整し、前記第2ヒータへの印加電力は一定に維持することを特徴とする請求項14記載の磁気ディスク装置。
- 前記第2ヒータの発熱による前記浮上面の突出部の曲率半径が約10mm以下であることを特徴とする請求項15記載の磁気ディスク装置。
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JP (1) | JP2008165950A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129222A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド・スライダ及び磁気ディスク・ドライブ |
JP2012089225A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 第1の熱的浮上高さ制御要素と第2の熱的浮上高さ制御要素として構成可能な埋込型接触センサ要素とを有する磁気記録ヘッド |
US8351157B2 (en) | 2010-07-06 | 2013-01-08 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having temperature detection mechanism, head gimbals assembly, head arm assembly and magnetic disk device |
US8634167B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-01-21 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head with self compensating dual thermal fly height control |
US9852755B2 (en) | 2016-04-28 | 2017-12-26 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, head gimbals assembly, head arm assembly, and magnetic disk unit |
US9852751B2 (en) | 2016-03-14 | 2017-12-26 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, head gimbals assembly, head arm assembly, and magnetic disk unit with improved air bearing surface |
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2007
- 2007-01-05 JP JP2007000636A patent/JP2008165950A/ja active Pending
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