JP2006252755A - 磁気ヘッドデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この磁気ヘッドデバイスは、接地された基体20と積層膜パターン12Aとの間に短絡機構3を設け、記録ヘッドにおける磁極層18、下部シールド層10および上部シールド層8の各々と基体20とを電気的に接続し、かつ、それら相互間のキャパシタンスC28〜C30が全て等しくなるように調整したものである。これにより、製造時や使用時に発生して積層膜パターン12Aや磁極層18、下部シールド層10、上部シールド層8などに蓄積された静電荷を徐々に放出させることができ、結果としてESD破壊を抑制することができる。その上、記録ヘッドによって生ずるノイズおよびクロストークによる積層膜パターン12Aの動作への影響も防止することができる。
【選択図】図3
Description
(1)上部シールド層8と基体20との間、および下部シールド層10と基体20との間に20kΩの抵抗体を介して短絡路を設けたが、キャパシタンス29〜30が不均衡である場合。
(2)短絡路を全く設けなかった場合。
(3)下部シールド層10と基体20との間にのみ20kΩの抵抗体を介して短絡路を設けたが、キャパシタンス29〜30が不均衡である場合。
(4)新たに5番目のターミナルパッドを設け、基体20とそのターミナルパッドとを20kΩの抵抗体を介して接続することにより短絡路を形成した場合。
(5)上部シールド層8と基体20との間、および下部シールド層10と基体20との間に20kΩの抵抗体を介して短絡路を設けると共に、キャパシタンス29〜30が均一である場合(本発明)。
Claims (17)
- 基体を用意する第1のステップと、
前記基体上に、誘電体に取り囲まれたCPP−GMR型の再生センサまたはTMR型の再生センサと、磁極層を含んで前記再生センサの近傍に配置された誘導型記録ヘッドと、前記再生センサを積層方向において挟むように隣接配置された第1および第2のシールド層とを形成すると共に、前記磁極層、第1のシールド層および第2のシールド層のうちの少なくとも1つと前記基体とを電気的に接続し、かつ、前記磁極層と前記第1のシールド層との間の第1のキャパシタンスと、前記第1のシールド層と前記第2のシールド層との間の第2のキャパシタンスと、前記第2のシールド層と前記基体との間の第3のキャパシタンスとが互いに等しくなるように調整された抵抗性かつ容量性の短絡機構を形成する第2のステップと、
コモンモード・リジェクション(CMR)回路構成を有するリードバック・プリアンプを用意し、前記再生センサの出力端子と、前記リードバック・プリアンプの入力端子とを接続する第3のステップと
を含むことを特徴とする磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記短絡機構を形成するステップでは、
前記磁極層と前記基体とを直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続すると共に、前記第1のシールド層または第2のシールド層のいずれか一方と前記基体との間を1kΩ以上100kΩ以下の抵抗値を示すように高抵抗接続する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記短絡機構を形成するステップでは、
前記磁極層と前記基体とを直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記短絡機構を形成するステップでは、
前記第1のシールド層および前記基体、ならびに前記第2のシールド層および前記基体の双方について、1kΩ以上100kΩ以下の互いに等しい抵抗値を示すようにそれぞれ高抵抗接続すると共に、前記磁極層および前記基体を直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 積層面内において互いに等しい面積を有するように前記第1のシールド層、第2のシールド層および磁極層を形成すると共に、同一の誘電体材料を用い、かつ互いに等しい厚さとなるように、前記基体と前記第2のシールド層とを分離する第1の誘電体層と、前記第1のシールド層と前記第2のシールド層とを分離する第2の誘電体層と、前記第1のシールド層と前記磁極層とを分離する第3の誘電体層とを形成する
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第1のシールド層、第2のシールド層および磁極層における積層面内における各面積とそれらを分離する各誘電体層の厚さとの比を等しくする
ことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第2のステップは、
基体上に第1の誘電体層を形成する工程と、
前記第1の誘電体層の上に前記第1のシールド層を選択的に形成する工程と、
前記第1のシールド層の周囲を埋めるように第2の誘電体層を形成する工程と、
前記第1および第2の誘電体層を貫通して前記基体と接続され、かつ、自らの上面が前記第2の誘電体層の上面および第2のシールド層の上面と共に第1の共平面をなす第1のビアホールを形成する工程と、
前記第1の共平面の上に、磁気抵抗効果膜と導電性リード層とを順に積層してパターニングすることにより互いに独立して配置される第1から第3の積層膜パターンを選択的に形成する工程と、
前記第1の共平面および第1から第3の積層膜パターンを覆うように第3の誘電体層を形成する工程と、
前記第3の誘電体層を平坦化処理することにより前記第1から第3の積層膜パターンの上面を含む第2の共平面を形成する工程と、
前記第2の積層膜パターン上に第1の導電性メタライズ層を選択的に形成すると共に前記第3の誘電体層上に第2の導電性メタライズ層を選択的に形成する工程と、
前記第3の誘電体層ならびに前記第1および第2の導電性メタライズ層を覆うように第4の誘電体層を形成する工程と、
前記第4の誘電体層上の前記第1のシールド層に対応する領域に、前記第4の誘電体層を貫通して前記第2の導電性メタライズ層および第1の積層膜パターンにおける各々の上面と接続されるように第2のシールド層を形成する工程と、
前記第2のシールド層の周囲を埋めるように第5の誘電体層を形成する工程と、
前記第5の誘電体層を貫通して前記第3の積層膜パターンと電気的に接続され、かつ、自らの上面が前記第5の誘電体層の上面および第2のシールド層の上面と共に第3の共平面をなす第2のビアホールを形成する工程と、
少なくとも前記第2のシールド層を覆うように第6の誘電体層を形成する工程と、
前記第6の誘電体層上における前記第2のシールド層に対応する領域に磁極層を選択的に形成する工程と、
前記第6の誘電体層を貫通して前記第2のビアホールの上面と接し、かつ、自らの上面が前記磁極層の上面と共に第4の共平面をなす接続層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第1の導電性メタライズ層または前記第2の導電性メタライズ層と前記第3の積層膜パターンとを電気的に接続する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第3の積層膜パターンを、前記第1の導電性メタライズ層および第2の導電性メタライズ層の双方と互いに等しい抵抗を示すように電気的に接続する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項7に記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第1のシールド層または前記第2のシールド層と前記基体との間の抵抗値が1kΩ以上100kΩ以下の抵抗値を示すように、前記第1の導電性メタライズ層または前記第2の導電性メタライズ層と前記第3の積層膜パターンとを電気的に接続する高抵抗リード層を形成する
ことを特徴とする請求項8に記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 前記第1のシールド層と前記基体との間の抵抗値および前記第2のシールド層と前記基体との間の抵抗値が1kΩ以上100kΩ以下の範囲で互いに等しくなるように、前記第1の導電性メタライズ層と前記第3の積層膜パターンとを電気的に接続する第1の高抵抗リード層、および前記第2の導電性メタライズ層と前記第3の積層膜パターンとを電気的に接続する第2の高抵抗リード層をそれぞれ形成する
ことを特徴とする請求項9記載の磁気ヘッドデバイスの製造方法。 - 接地された基体上に、
周囲を誘電体に取り囲まれたCPP−GMR型の再生センサまたはTMR型の再生センサと、
磁極層を含んで前記再生センサの近傍に配置された誘導型記録ヘッドと、
前記再生センサを積層方向において挟むように隣接配置された第1および第2のシールド層と、
前記基体と、前記磁極層、第1のシールド層および第2のシールド層のうちの少なくとも1つとを電気的に接続し、かつ、前記磁極層と前記第1のシールド層との間の第1のキャパシタンスと、前記第1のシールド層と前記第2のシールド層との間の第2のキャパシタンスと、前記第2のシールド層と前記基体との間の第3のキャパシタンスとが互いに等しくなるように調整された抵抗性かつ容量性の短絡機構と、
コモンモード・リジェクション(CMR)回路構成を有し、前記再生センサの出力端子と接続された入力端子を有するリードバック・プリアンプと
を備えたことを特徴とする磁気ヘッドデバイス。 - 前記短絡機構は、前記磁極層と前記基体とを直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続すると共に、前記第1のシールド層または第2のシールド層のうちのいずれか一方と前記基体とを1kΩ以上100kΩ以下の抵抗値を示すように高抵抗接続するものである
ことを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドデバイス。 - 前記短絡機構は、前記磁極層と前記基体とを直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続するものである
ことを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドデバイス。 - 前記短絡機構は、
前記第1のシールド層および第2のシールド層の各々と前記基体とを1kΩ以上100kΩ以下の互いに等しい抵抗値を示すようにそれぞれ高抵抗接続すると共に、前記磁極層と前記基体とを直接接続または100Ω以下の抵抗値を示すように低抵抗接続するものである
ことを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドデバイス。 - 前記第1のシールド層、第2のシールド層および磁極層は互いに等しい平面積を有し、
前記基体と前記第2のシールド層とを分離する第1の誘電体層、前記第1のシールド層と前記第2のシールド層とを分離する第2の誘電体層、前記第1のシールド層と前記磁極層とを分離する第3の誘電体層は、全て同一の誘電体材料からなり、かつ互いに等しい厚さを有する
ことを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドデバイス。 - 前記第2のシールド層の形成面積と前記第1の誘電体層の厚さとの比、前記第1のシールド層の形成面積と前記第2の誘電体層の厚さとの比、および前記磁極層の形成面積と前記第3の誘電体層の厚さとの比は、互いに等しい
ことを特徴とする請求項12に記載の磁気ヘッドデバイス。
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