JPH10247307A - 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気ヘッド及び磁気記憶装置Info
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- JPH10247307A JPH10247307A JP9048709A JP4870997A JPH10247307A JP H10247307 A JPH10247307 A JP H10247307A JP 9048709 A JP9048709 A JP 9048709A JP 4870997 A JP4870997 A JP 4870997A JP H10247307 A JPH10247307 A JP H10247307A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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-
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- G11B5/00813—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドに関し、磁
気抵抗効果素子の静電破壊と、その上下の非磁性絶縁層
の静電破壊を防止すること。 【解決手段】下地層２上に形成された第一の磁気シール
ド層11と、第一の磁気シールド層11上に形成された第一
の非磁性絶縁層12と、第一の非磁性絶縁層13上に形成さ
れた磁気抵抗効果素子13と、第一の非磁性絶縁層13上に
おいて、磁気抵抗効果素子13の両側に接続された第一及
び第二のリード16,17 と、第一及び第二のリード16,17
と磁気抵抗効果素子13を覆う第二の非磁性絶縁層14と、
磁気抵抗効果素子13の上方にあって第二の非磁性絶縁層
14上に形成された第二の磁気シールド層15と、第一の非
磁性絶縁層12と第二の非磁性絶縁層14のうちの少なくと
も一方に埋め込まれて、第一のリード16と第一の磁気シ
ールド11又は第一のリード16と第二の磁気シールド15を
電気的に接続する抵抗素子18(19)とを含む。
気抵抗効果素子の静電破壊と、その上下の非磁性絶縁層
の静電破壊を防止すること。 【解決手段】下地層２上に形成された第一の磁気シール
ド層11と、第一の磁気シールド層11上に形成された第一
の非磁性絶縁層12と、第一の非磁性絶縁層13上に形成さ
れた磁気抵抗効果素子13と、第一の非磁性絶縁層13上に
おいて、磁気抵抗効果素子13の両側に接続された第一及
び第二のリード16,17 と、第一及び第二のリード16,17
と磁気抵抗効果素子13を覆う第二の非磁性絶縁層14と、
磁気抵抗効果素子13の上方にあって第二の非磁性絶縁層
14上に形成された第二の磁気シールド層15と、第一の非
磁性絶縁層12と第二の非磁性絶縁層14のうちの少なくと
も一方に埋め込まれて、第一のリード16と第一の磁気シ
ールド11又は第一のリード16と第二の磁気シールド15を
電気的に接続する抵抗素子18(19)とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドと磁気
記憶装置に関し、より詳しくは、磁気抵抗効果を利用す
る磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを備える磁気記憶装置
に関する。
記憶装置に関し、より詳しくは、磁気抵抗効果を利用す
る磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを備える磁気記憶装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置においては、磁気ヘッ
ドによって磁気ディスクに磁気情報を書込み、或いは磁
気ディスクの磁気情報を読み出している。磁気ディスク
装置内に配置される磁気ヘッドは、例えば図１３に示す
ように、ヘッド基板101 上に磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッ
ド110 と誘導型ヘッド120 の双方を形成した構造を有し
ている。この構造では、誘導型ヘッド120 は磁気情報の
記録に用いられ、ＭＲヘッド110 は磁気ディスクからの
磁気情報の再生に使用される。
ドによって磁気ディスクに磁気情報を書込み、或いは磁
気ディスクの磁気情報を読み出している。磁気ディスク
装置内に配置される磁気ヘッドは、例えば図１３に示す
ように、ヘッド基板101 上に磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッ
ド110 と誘導型ヘッド120 の双方を形成した構造を有し
ている。この構造では、誘導型ヘッド120 は磁気情報の
記録に用いられ、ＭＲヘッド110 は磁気ディスクからの
磁気情報の再生に使用される。
【０００３】そのようなＭＲヘッド110 は、例えば図１
４(a),(b) 及び図１５に示すような構造のものが採用さ
れている。図１４(a) は非磁性絶縁層を除いたＭＲヘッ
ドの各層の平面的な配置関係を示し、図１４(b) は非磁
性絶縁層を除いたＭＲヘッドの層構造を示している。図
１５は、ＭＲヘッドの端面を示し、そのうち破線で囲ま
れた部分は、図１４(b) の破線で囲まれた部分に対応す
る。
４(a),(b) 及び図１５に示すような構造のものが採用さ
れている。図１４(a) は非磁性絶縁層を除いたＭＲヘッ
ドの各層の平面的な配置関係を示し、図１４(b) は非磁
性絶縁層を除いたＭＲヘッドの層構造を示している。図
１５は、ＭＲヘッドの端面を示し、そのうち破線で囲ま
れた部分は、図１４(b) の破線で囲まれた部分に対応す
る。
【０００４】それらの図において、ヘッド基板101 上に
は絶縁性の基板保護層102 が形成され、さらに基板保護
膜102 の上には下側の磁気シールド層111 、下側の非磁
性層112 、磁気抵抗効果素子113 、上側の非磁性層114
、上側の磁気シールド層115が形成されている。また、
その磁気抵抗効果素子113 は、例えば軟質磁性層113a、
磁気分離層113b、NiFeよりなる磁気抵抗効果層113cの三
層構造を有し、その三層構造の両側方には第１及び第２
の硬質磁性層118 ，119 が形成されている。第１及び第
２の硬質磁性層118 ，119 は、双方ともに第１の硬質磁
性層118 から第２の硬質磁性層119 へ向く方向に磁化さ
れている。下側の非磁性絶縁層112 層と上側の非磁性層
114 の間において、磁気抵抗効果素子113 の両端には第
一及び第二のリード116 ，117 が接続されている。
は絶縁性の基板保護層102 が形成され、さらに基板保護
膜102 の上には下側の磁気シールド層111 、下側の非磁
性層112 、磁気抵抗効果素子113 、上側の非磁性層114
、上側の磁気シールド層115が形成されている。また、
その磁気抵抗効果素子113 は、例えば軟質磁性層113a、
磁気分離層113b、NiFeよりなる磁気抵抗効果層113cの三
層構造を有し、その三層構造の両側方には第１及び第２
の硬質磁性層118 ，119 が形成されている。第１及び第
２の硬質磁性層118 ，119 は、双方ともに第１の硬質磁
性層118 から第２の硬質磁性層119 へ向く方向に磁化さ
れている。下側の非磁性絶縁層112 層と上側の非磁性層
114 の間において、磁気抵抗効果素子113 の両端には第
一及び第二のリード116 ，117 が接続されている。
【０００５】このような磁気抵抗効果ヘッド110 におい
ては、第一及び第二のリード116 ，117 を通して磁気抵
抗効果素子113 にセンス電流（定電流）を流すととも
に、外部磁界による磁化方向の変化によって生じた抵抗
変化を第一及び第二のリード116 ，117 を通して信号処
理回路（不図示）に伝達することになる。その抵抗変化
は、第一及び第二のリード116 ，117 間の電圧の変化と
して表れる。
ては、第一及び第二のリード116 ，117 を通して磁気抵
抗効果素子113 にセンス電流（定電流）を流すととも
に、外部磁界による磁化方向の変化によって生じた抵抗
変化を第一及び第二のリード116 ，117 を通して信号処
理回路（不図示）に伝達することになる。その抵抗変化
は、第一及び第二のリード116 ，117 間の電圧の変化と
して表れる。
【０００６】したがって、磁気抵抗効果素子113 の両端
の第一及び第二のリード116 ，117は、磁気抵抗効果素
子113 にセンス電流を流す機能と、検出した電圧を印加
する機能を有している。ところで、リード116 ，117
は、磁気抵抗効果素子に比べて面積及び膜厚ともに十分
に大きく、しかも電気抵抗率は小さい。したがって、２
つのリード116 ，117 と、磁気抵抗効果素子113 の電気
抵抗の総和は、ほぼ磁気抵抗効果素子113の抵抗値によ
って決定され、約２０〜４０Ωとなっている。
の第一及び第二のリード116 ，117は、磁気抵抗効果素
子113 にセンス電流を流す機能と、検出した電圧を印加
する機能を有している。ところで、リード116 ，117
は、磁気抵抗効果素子に比べて面積及び膜厚ともに十分
に大きく、しかも電気抵抗率は小さい。したがって、２
つのリード116 ，117 と、磁気抵抗効果素子113 の電気
抵抗の総和は、ほぼ磁気抵抗効果素子113の抵抗値によ
って決定され、約２０〜４０Ωとなっている。
【０００７】なお、図１３中符号105 は、磁気ディスク
を示している。
を示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のような構造の磁
気抵抗効果磁気ヘッドは、磁気ディスク装置に装着され
る前の状態で静電気によって破壊されるという問題があ
る。これは次のような理由による。まず、第一のリード
116 に大きな静電気が印加されると、図１４の矢印で示
すように、静電気は電位差のある第一のリード116 から
第二のリード117 に向けて移動する。この場合、静電気
は磁気抵抗効果素子113 を電気経路として移動するの
で、２つのリード116 ，117 に比べて抵抗が大きい磁気
抵抗効果素子113 は、静電気によって破壊され易い。
気抵抗効果磁気ヘッドは、磁気ディスク装置に装着され
る前の状態で静電気によって破壊されるという問題があ
る。これは次のような理由による。まず、第一のリード
116 に大きな静電気が印加されると、図１４の矢印で示
すように、静電気は電位差のある第一のリード116 から
第二のリード117 に向けて移動する。この場合、静電気
は磁気抵抗効果素子113 を電気経路として移動するの
で、２つのリード116 ，117 に比べて抵抗が大きい磁気
抵抗効果素子113 は、静電気によって破壊され易い。
【０００９】また、第一及び第二のリード116 ，117 と
上側及び下側の磁気シールド層111，115 が電極とな
り、下側及び上側の非磁性絶縁層112 ，114 が誘電体と
なって、それらにより寄生コンデンサが形成される。そ
して、その寄生コンデンサの許容値よりも大きな静電気
がそれらの電極間に蓄積されると、静電気の放電によっ
て下側及び上側の非磁性絶縁層112 ，114 が絶縁破壊さ
れることもある。その静電気の放電の方向は図１５の矢
印で示されている。
上側及び下側の磁気シールド層111，115 が電極とな
り、下側及び上側の非磁性絶縁層112 ，114 が誘電体と
なって、それらにより寄生コンデンサが形成される。そ
して、その寄生コンデンサの許容値よりも大きな静電気
がそれらの電極間に蓄積されると、静電気の放電によっ
て下側及び上側の非磁性絶縁層112 ，114 が絶縁破壊さ
れることもある。その静電気の放電の方向は図１５の矢
印で示されている。
【００１０】このように第一及び第二のリード116 ，11
7 に静電気が侵入するのは、磁気ヘッドの外部に露出し
て配置された電極パッド（不図示）に静電気が印加し、
さらに静電気は、電極パッドに接続された配線を通して
第一及び第二のリード116 ，117 に移動するからであ
る。なお、特開平６−２４３４３４号公報の図に見られ
るように、磁気抵抗効果磁気ヘッドのうち磁気抵抗効果
素子が露出する端面の全体に抵抗膜を塗布し、これによ
りリードと下側及び上側の磁気シールド層を互いに抵抗
膜を介して接続することも考えられる。しかし、このよ
うな構造によれば、リードに蓄積された静電気は必ず磁
気抵抗効果素子を通って抵抗膜に放電されることになる
ので、放電の際に磁気抵抗効果素子が破壊されるおそれ
があるので好ましくない。
7 に静電気が侵入するのは、磁気ヘッドの外部に露出し
て配置された電極パッド（不図示）に静電気が印加し、
さらに静電気は、電極パッドに接続された配線を通して
第一及び第二のリード116 ，117 に移動するからであ
る。なお、特開平６−２４３４３４号公報の図に見られ
るように、磁気抵抗効果磁気ヘッドのうち磁気抵抗効果
素子が露出する端面の全体に抵抗膜を塗布し、これによ
りリードと下側及び上側の磁気シールド層を互いに抵抗
膜を介して接続することも考えられる。しかし、このよ
うな構造によれば、リードに蓄積された静電気は必ず磁
気抵抗効果素子を通って抵抗膜に放電されることになる
ので、放電の際に磁気抵抗効果素子が破壊されるおそれ
があるので好ましくない。
【００１１】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、磁気抵抗効果素子の静電破壊と、その上
下の非磁性絶縁層の静電破壊を防止する磁気ヘッドと、
このような磁気ヘッドを有する磁気記憶装置を提供する
ことを目的とする。
ものであって、磁気抵抗効果素子の静電破壊と、その上
下の非磁性絶縁層の静電破壊を防止する磁気ヘッドと、
このような磁気ヘッドを有する磁気記憶装置を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
（手段）上記した課題は、図２、図３及び図４に例示す
るように、下地層２上に形成された第一の磁気シールド
層１１と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成され
た第一の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層
１２上に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一
の非磁性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子
１３の両側に接続された第一及び第二のリード１６，１
７と、前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気
抵抗効果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前
記磁気抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁
性絶縁層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５
と、前記第一の非磁性絶縁層１２と前記第二の非磁性絶
縁層１４のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記
第一のリード１６と前記第一の磁気シールド１１又は前
記第一のリード１６と前記第二の磁気シールド１５を電
気的に接続する抵抗素子１８（１９）とを有することを
特徴とする磁気ヘッドによって解決する。
るように、下地層２上に形成された第一の磁気シールド
層１１と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成され
た第一の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層
１２上に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一
の非磁性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子
１３の両側に接続された第一及び第二のリード１６，１
７と、前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気
抵抗効果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前
記磁気抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁
性絶縁層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５
と、前記第一の非磁性絶縁層１２と前記第二の非磁性絶
縁層１４のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記
第一のリード１６と前記第一の磁気シールド１１又は前
記第一のリード１６と前記第二の磁気シールド１５を電
気的に接続する抵抗素子１８（１９）とを有することを
特徴とする磁気ヘッドによって解決する。
【００１３】上記した課題は、図１０、図１１に例示す
るように、下地層２上に形成された第一の磁気シールド
層１１と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成され
た第一の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層
１２上に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一
の非磁性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子
１３の両側に接続された第一及び第二のリード１６，１
７と、前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気
抵抗効果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前
記磁気抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁
性絶縁層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５
と、前記第一の非磁性絶縁層１２と前記第二の非磁性絶
縁層１４のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記
第一の磁気シールド１１又は前記第二の磁気シールド１
５の少なくとも一方に前記第一のリード１６と第二のリ
ード１７の双方を別々に電気的に接続する複数の抵抗素
子１８，４１（１９，４２）と、前記第一のリード１６
に電気的に接続される第一の電極パッド３１と、 前記
第二のリード１７に電気的に接続される第二の電極パッ
ド３２とを有することを特徴とする磁気ヘッドによって
解決する。
るように、下地層２上に形成された第一の磁気シールド
層１１と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成され
た第一の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層
１２上に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一
の非磁性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子
１３の両側に接続された第一及び第二のリード１６，１
７と、前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気
抵抗効果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前
記磁気抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁
性絶縁層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５
と、前記第一の非磁性絶縁層１２と前記第二の非磁性絶
縁層１４のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記
第一の磁気シールド１１又は前記第二の磁気シールド１
５の少なくとも一方に前記第一のリード１６と第二のリ
ード１７の双方を別々に電気的に接続する複数の抵抗素
子１８，４１（１９，４２）と、前記第一のリード１６
に電気的に接続される第一の電極パッド３１と、 前記
第二のリード１７に電気的に接続される第二の電極パッ
ド３２とを有することを特徴とする磁気ヘッドによって
解決する。
【００１４】この磁気ヘッドにおいて、複数の前記抵抗
素子１８，４１を介して前記第一のリード１６、前記第
一の磁気シールド層１１、前記第二のリード１７を通る
経路の電気抵抗値、又は、複数の前記抵抗素子（１９，
４２）を介して前記第一のリード１６、前記第二の磁気
シールド層１５、前記第二のリード１７を通る経路の電
気抵抗値は、前記第一のリード１６、前記磁気抵抗効果
素子１３、前記第二のリード１７を通る経路の電気抵抗
の１００倍以上であることを特徴とする。
素子１８，４１を介して前記第一のリード１６、前記第
一の磁気シールド層１１、前記第二のリード１７を通る
経路の電気抵抗値、又は、複数の前記抵抗素子（１９，
４２）を介して前記第一のリード１６、前記第二の磁気
シールド層１５、前記第二のリード１７を通る経路の電
気抵抗値は、前記第一のリード１６、前記磁気抵抗効果
素子１３、前記第二のリード１７を通る経路の電気抵抗
の１００倍以上であることを特徴とする。
【００１５】上記した課題は、図１２に例示するよう
に、下地層２上に形成された第一の磁気シールド層１１
と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成された第一
の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層１２上
に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一の非磁
性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子１３の
両側に接続された第一及び第二のリード１６，１７と、
前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気抵抗効
果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前記磁気
抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁性絶縁
層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５と、前
記第一のリード１６に電気的に接続される第一の電極パ
ッド３１と、前記第二のリード１６に電気的に接続され
る第二の電極パッド３２と、前記第一の電極パッド３１
と前記第二の電極パッド３２の間に形成されて、前記第
一の電極パッド３１と前記第二の電極パッド３２を電気
的に接続する抵抗素子４３とを有することを特徴とする
磁気ヘッドにより解決する。
に、下地層２上に形成された第一の磁気シールド層１１
と、前記第一の磁気シールド層１１上に形成された第一
の非磁性絶縁層１２と、前記第一の非磁性絶縁層１２上
に形成された磁気抵抗効果素子１３と、前記第一の非磁
性絶縁層１２上において、前記磁気抵抗効果素子１３の
両側に接続された第一及び第二のリード１６，１７と、
前記第一及び第二のリード１６，１７と前記磁気抵抗効
果素子１３を覆う第二の非磁性絶縁層１４と、前記磁気
抵抗効果素子１３の上方にあって前記第二の非磁性絶縁
層１４上に形成された第二の磁気シールド層１５と、前
記第一のリード１６に電気的に接続される第一の電極パ
ッド３１と、前記第二のリード１６に電気的に接続され
る第二の電極パッド３２と、前記第一の電極パッド３１
と前記第二の電極パッド３２の間に形成されて、前記第
一の電極パッド３１と前記第二の電極パッド３２を電気
的に接続する抵抗素子４３とを有することを特徴とする
磁気ヘッドにより解決する。
【００１６】この磁気ヘッドにおいて、前記第一の電極
パッド３１と前記抵抗素子４３と前記第二の電極パッド
３２を通る経路の電気抵抗値は、前記第一のリード１
６、前記磁気抵抗効果素子１３、前記第二のリード１７
を通る経路の電気抵抗の１００倍以上であることを特徴
とする。また、図７〜図９に例示するように、上記した
いずれかの磁気ヘッド１０と、前記磁気ヘッド１０に対
向して配置される磁気記録媒体３７とを有することを特
徴とする磁気記憶装置によって解決する。
パッド３１と前記抵抗素子４３と前記第二の電極パッド
３２を通る経路の電気抵抗値は、前記第一のリード１
６、前記磁気抵抗効果素子１３、前記第二のリード１７
を通る経路の電気抵抗の１００倍以上であることを特徴
とする。また、図７〜図９に例示するように、上記した
いずれかの磁気ヘッド１０と、前記磁気ヘッド１０に対
向して配置される磁気記録媒体３７とを有することを特
徴とする磁気記憶装置によって解決する。
【００１７】（作用）次に、本発明の作用について説明
する。本発明によれば、磁気抵抗効果素子に接続される
リードと磁気シールド層の間の非磁性絶縁層に静電破壊
防止用抵抗素子を埋め込み、これによりリードと磁気シ
ールド層を静電破壊防止用抵抗素子を介して電気的に接
続している。
する。本発明によれば、磁気抵抗効果素子に接続される
リードと磁気シールド層の間の非磁性絶縁層に静電破壊
防止用抵抗素子を埋め込み、これによりリードと磁気シ
ールド層を静電破壊防止用抵抗素子を介して電気的に接
続している。
【００１８】したがって、リードに蓄積する静電気が、
リードと磁気シールドの間に形成される寄生コンデンサ
の許容値よりも大きくなると、その静電気は静電破壊防
止用抵抗素子を通して磁気シールド層に放電されること
になる。この結果、非磁性絶縁層の絶縁破壊は防止さ
れ、ひいては磁気ヘッドの静電破壊が防止される。ま
た、別の本発明によれば、磁気抵抗効果素子に接続され
る一対のリードと、一対のリードに対向する磁気シール
ド層と、一対のリードと磁気シールド層の間に形成され
る非磁性絶縁層を有する磁気ヘッドにおいて、非磁性絶
縁層に複数の静電破壊防止用抵抗素子を埋め込み、これ
によって、磁気シールド層と静電破壊防止用抵抗素子を
介して一方のリードと他方のリードを電気的に接続する
ようにしている。
リードと磁気シールドの間に形成される寄生コンデンサ
の許容値よりも大きくなると、その静電気は静電破壊防
止用抵抗素子を通して磁気シールド層に放電されること
になる。この結果、非磁性絶縁層の絶縁破壊は防止さ
れ、ひいては磁気ヘッドの静電破壊が防止される。ま
た、別の本発明によれば、磁気抵抗効果素子に接続され
る一対のリードと、一対のリードに対向する磁気シール
ド層と、一対のリードと磁気シールド層の間に形成され
る非磁性絶縁層を有する磁気ヘッドにおいて、非磁性絶
縁層に複数の静電破壊防止用抵抗素子を埋め込み、これ
によって、磁気シールド層と静電破壊防止用抵抗素子を
介して一方のリードと他方のリードを電気的に接続する
ようにしている。
【００１９】そして、一方のリードに繋がる外部の第一
の電極パッドに大きな静電気が印加されると、その静電
気は一方のリード、磁気シールド層、静電破壊防止用抵
抗素子を介して他方のリード及び第二の電気パッドに移
動することになる。２つのリードの先端には磁気抵抗効
果素子が接続されるが、第一の電極パッドから第二の電
極パッドに至る電気経路は２つ存在し、磁気抵抗効果素
子を通る電気経路よりも静電破壊防止用抵抗素子、磁気
シールド層を通る電気経路の方が距離が短いので、静電
気は、磁気抵抗効果素子を通らないことになる。この場
合、静電破壊防止用抵抗素子を含む電気経路の抵抗値
は、磁気抵抗効果素子を含む電気経路の抵抗値の例えば
１００倍程度に大きく設定するのが好ましい。
の電極パッドに大きな静電気が印加されると、その静電
気は一方のリード、磁気シールド層、静電破壊防止用抵
抗素子を介して他方のリード及び第二の電気パッドに移
動することになる。２つのリードの先端には磁気抵抗効
果素子が接続されるが、第一の電極パッドから第二の電
極パッドに至る電気経路は２つ存在し、磁気抵抗効果素
子を通る電気経路よりも静電破壊防止用抵抗素子、磁気
シールド層を通る電気経路の方が距離が短いので、静電
気は、磁気抵抗効果素子を通らないことになる。この場
合、静電破壊防止用抵抗素子を含む電気経路の抵抗値
は、磁気抵抗効果素子を含む電気経路の抵抗値の例えば
１００倍程度に大きく設定するのが好ましい。
【００２０】また、静電気は、抵抗値の大小よりも距離
の短い経路を移動し易いという性質があるので、磁気抵
抗効果素子を通過しにくくなり、これにより磁気抵抗効
果素子の静電破壊が防止される。なお、静電破壊防止用
抵抗素子の抵抗値をそのような大きさに設定しても、リ
ードを通して磁気抵抗効果素子に流されるセンス電流の
減少率は多くても１％程度なので、実用上の問題はな
い。
の短い経路を移動し易いという性質があるので、磁気抵
抗効果素子を通過しにくくなり、これにより磁気抵抗効
果素子の静電破壊が防止される。なお、静電破壊防止用
抵抗素子の抵抗値をそのような大きさに設定しても、リ
ードを通して磁気抵抗効果素子に流されるセンス電流の
減少率は多くても１％程度なので、実用上の問題はな
い。
【００２１】そのような構造においても、リードから磁
気シールド層に静電気が放電されることがあるが、その
静電気は、静電破壊防止用抵抗素子を通して磁気シール
ド層に放出されるので、リードと磁気シールド層の間の
非磁性絶縁層は静電破壊されない。さらに別の発明によ
れば、磁気抵抗効果素子を横方向に挟む２つのリードの
各々から電気的に外部に引き出される２つの電極パッド
の間に静電破壊防止用抵抗素子を接続している。一方の
電極パッドに印加された静電気は、距離の短い経路にあ
る電極パッド相互間の静電破壊防止用抵抗素子を通して
他方の電極パッドに移動するため、磁気抵抗効果素子を
通ることはない。
気シールド層に静電気が放電されることがあるが、その
静電気は、静電破壊防止用抵抗素子を通して磁気シール
ド層に放出されるので、リードと磁気シールド層の間の
非磁性絶縁層は静電破壊されない。さらに別の発明によ
れば、磁気抵抗効果素子を横方向に挟む２つのリードの
各々から電気的に外部に引き出される２つの電極パッド
の間に静電破壊防止用抵抗素子を接続している。一方の
電極パッドに印加された静電気は、距離の短い経路にあ
る電極パッド相互間の静電破壊防止用抵抗素子を通して
他方の電極パッドに移動するため、磁気抵抗効果素子を
通ることはない。
【００２２】この場合にも、静電破壊防止用抵抗素子の
抵抗値を、磁気抵抗効果素子を含む電気経路の抵抗値の
例えば１００倍と大きくすると、センス電流供給時に静
電破壊防止用抵抗素子を通る電流は磁気抵抗効果素子に
流される電流の多くても１％程度であり、実用上の問題
はない。
抵抗値を、磁気抵抗効果素子を含む電気経路の抵抗値の
例えば１００倍と大きくすると、センス電流供給時に静
電破壊防止用抵抗素子を通る電流は磁気抵抗効果素子に
流される電流の多くても１％程度であり、実用上の問題
はない。
【００２３】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の磁気ヘッドの一
例を示す斜視断面図、図２は磁気ヘッドの断面図であ
る。
を図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の磁気ヘッドの一
例を示す斜視断面図、図２は磁気ヘッドの断面図であ
る。
【００２４】図１、２において、ヘッド基板１上には、
Al2O3 よりなる基板保護層２を介して再生専用の磁気抵
抗効果（ＭＲ）ヘッド１０と記録用の誘導型磁気ヘッド
２０が順に形成されている。ＭＲヘッド１０は、基板保
護層２上に順に形成されたNiFeよりなる下側の磁気シー
ルド層１１、Al2O3 よりなる下側の非磁性絶縁層１２、
磁気抵抗効果素子１３、Al2O3 りなる上側の非磁性絶縁
層１４及びNiFeよりなる上側の磁気シールド層１５を有
している。上側の非磁性絶縁層１２は１００〜１５０nm
の厚さ、下側の非磁性絶縁層１４は１００〜１５０nmの
厚さに形成されている。
Al2O3 よりなる基板保護層２を介して再生専用の磁気抵
抗効果（ＭＲ）ヘッド１０と記録用の誘導型磁気ヘッド
２０が順に形成されている。ＭＲヘッド１０は、基板保
護層２上に順に形成されたNiFeよりなる下側の磁気シー
ルド層１１、Al2O3 よりなる下側の非磁性絶縁層１２、
磁気抵抗効果素子１３、Al2O3 りなる上側の非磁性絶縁
層１４及びNiFeよりなる上側の磁気シールド層１５を有
している。上側の非磁性絶縁層１２は１００〜１５０nm
の厚さ、下側の非磁性絶縁層１４は１００〜１５０nmの
厚さに形成されている。
【００２５】上側の磁気シールド層１５は、図３に示す
ように、磁気抵抗効果素子１３の上とその周辺に広がっ
て形成されており、下側の磁気シールド層１１の一部に
対向している。また、下側の非磁性絶縁層１２と上側の
非磁性絶縁層１３の間では、図１〜図４に示すように、
磁気抵抗効果素子１３の両端に金（Au）よりなる第一及
び第二のリード１６，１７が接続され、第一及び第二の
リード１６，１７は上側の磁気シールド層１５の下から
その外部にはみ出して下側の磁気シールド層１１の上ま
で延びる大きさに形成されている。
ように、磁気抵抗効果素子１３の上とその周辺に広がっ
て形成されており、下側の磁気シールド層１１の一部に
対向している。また、下側の非磁性絶縁層１２と上側の
非磁性絶縁層１３の間では、図１〜図４に示すように、
磁気抵抗効果素子１３の両端に金（Au）よりなる第一及
び第二のリード１６，１７が接続され、第一及び第二の
リード１６，１７は上側の磁気シールド層１５の下から
その外部にはみ出して下側の磁気シールド層１１の上ま
で延びる大きさに形成されている。
【００２６】また、第一のリード１６の下には、１００
μｍ2 程度の第一の開口１２ａが下側の非磁性絶縁層１
２にが形成され、その第一の開口１２ａ内には抵抗値１
００ｋΩ〜数ＭΩの第一の抵抗素子１８が充填されてい
る。この結果、下側の磁気シールド層１１と第１のリー
ド１６が第一の抵抗素子１８を介して電気的に接続され
る。図３では、第一の開口１２ａは、上側の磁気シール
ド層１５が重ならない領域内に形成されている。
μｍ2 程度の第一の開口１２ａが下側の非磁性絶縁層１
２にが形成され、その第一の開口１２ａ内には抵抗値１
００ｋΩ〜数ＭΩの第一の抵抗素子１８が充填されてい
る。この結果、下側の磁気シールド層１１と第１のリー
ド１６が第一の抵抗素子１８を介して電気的に接続され
る。図３では、第一の開口１２ａは、上側の磁気シール
ド層１５が重ならない領域内に形成されている。
【００２７】また、上側の非磁性絶縁層１４のうち磁気
抵抗効果素子１３から離れた領域には第二の開口１４ａ
が形成され、その第二の開口１４ａには、抵抗値１００
ｋΩ〜数ＭΩの第二の抵抗素子１９が充填され、これに
より上側の磁気シールド層１５と第一のリード１６が電
気的に接続されている。第一及び第二の抵抗素子１８，
１９は、第一及び第二の開口１２ａ，１４ａ内の各々に
導電材を充填して形成される。その導電材として、ニク
ロム、コンスタンタン、マンガン等の電気抵抗が大きな
材料を用いる。また、その材料は、第一及び上側の非磁
性絶縁層１２，１４の抵抗率よりも小さいものが選択さ
れる。
抵抗効果素子１３から離れた領域には第二の開口１４ａ
が形成され、その第二の開口１４ａには、抵抗値１００
ｋΩ〜数ＭΩの第二の抵抗素子１９が充填され、これに
より上側の磁気シールド層１５と第一のリード１６が電
気的に接続されている。第一及び第二の抵抗素子１８，
１９は、第一及び第二の開口１２ａ，１４ａ内の各々に
導電材を充填して形成される。その導電材として、ニク
ロム、コンスタンタン、マンガン等の電気抵抗が大きな
材料を用いる。また、その材料は、第一及び上側の非磁
性絶縁層１２，１４の抵抗率よりも小さいものが選択さ
れる。
【００２８】第二の開口１４ａの中に上側の磁気シール
ド層１５の一部を充填してその一部を第二の抵抗素子１
９として使用してもよく、この場合には第二の開口１４
ａの開口面積を調整することによって抵抗値を設定す
る。このような構造の磁気抵抗効果磁気ヘッド１０にお
いては、第１のリード１６と第一の磁気シールド１１と
第一の非磁性磁性層１２によって１つの寄生コンデンサ
Ｃ1 が構成され、第１のリード１６に蓄積された静電気
は次のようにして放電される。
ド層１５の一部を充填してその一部を第二の抵抗素子１
９として使用してもよく、この場合には第二の開口１４
ａの開口面積を調整することによって抵抗値を設定す
る。このような構造の磁気抵抗効果磁気ヘッド１０にお
いては、第１のリード１６と第一の磁気シールド１１と
第一の非磁性磁性層１２によって１つの寄生コンデンサ
Ｃ1 が構成され、第１のリード１６に蓄積された静電気
は次のようにして放電される。
【００２９】まず、第１のリード１６に蓄積した静電気
が寄生コンデンサＣ1 の蓄積容量よりも大きくなると、
静電気は局部的に抵抗値の低い第一の抵抗素子１８を通
して第一の磁気シールド１１に放電され、第一の非磁性
層１２内を通らない。これと同様にして、上側の磁気シ
ールド層１５と第一のリード１６の間には寄生コンデン
サＣ2 が形成され、その蓄積容量を越える静電気が第一
のリード１６に蓄積する場合には、静電気は第二の抵抗
素子１９を通して上側の磁気シールド層１５に放電され
る。
が寄生コンデンサＣ1 の蓄積容量よりも大きくなると、
静電気は局部的に抵抗値の低い第一の抵抗素子１８を通
して第一の磁気シールド１１に放電され、第一の非磁性
層１２内を通らない。これと同様にして、上側の磁気シ
ールド層１５と第一のリード１６の間には寄生コンデン
サＣ2 が形成され、その蓄積容量を越える静電気が第一
のリード１６に蓄積する場合には、静電気は第二の抵抗
素子１９を通して上側の磁気シールド層１５に放電され
る。
【００３０】このように、静電気を第一又は第二の抵抗
素子１８，１９を介して放電するとすることによって、
下側の非磁性絶縁層１２と上側の非磁性絶縁層１４の絶
縁破壊は防止されることになる。ところで、第一のリー
ド１８と下側の磁気シールド層１１の間の抵抗値は、第
一のリード１８と第二のリード１９の間の磁気抵抗効果
素子１３の抵抗値に比べて１００倍以上も大きいので、
磁気抵抗効果素子１３に流されるセンス電流は小さくな
らず、外部信号磁界に対する電気抵抗の変化率は小さく
ならない。また、第一のリード１８と上側の磁気シール
ド層１４の間でも同様な結果が得られる。これにより、
静電気以外の電流が第一及び上側の磁気シールド層１
２，１４に流れ込むことはない。
素子１８，１９を介して放電するとすることによって、
下側の非磁性絶縁層１２と上側の非磁性絶縁層１４の絶
縁破壊は防止されることになる。ところで、第一のリー
ド１８と下側の磁気シールド層１１の間の抵抗値は、第
一のリード１８と第二のリード１９の間の磁気抵抗効果
素子１３の抵抗値に比べて１００倍以上も大きいので、
磁気抵抗効果素子１３に流されるセンス電流は小さくな
らず、外部信号磁界に対する電気抵抗の変化率は小さく
ならない。また、第一のリード１８と上側の磁気シール
ド層１４の間でも同様な結果が得られる。これにより、
静電気以外の電流が第一及び上側の磁気シールド層１
２，１４に流れ込むことはない。
【００３１】したがって、上記した構造を採用すること
によって、磁気抵抗効果磁気ヘッドの信号磁界検出に実
質的に支障をきたすことはない。次に、第一の抵抗素子
１８を第二の開口１２ａ内に形成する工程について簡単
に説明する。まず、図５(a) に示す状態にする工程を説
明する。
によって、磁気抵抗効果磁気ヘッドの信号磁界検出に実
質的に支障をきたすことはない。次に、第一の抵抗素子
１８を第二の開口１２ａ内に形成する工程について簡単
に説明する。まず、図５(a) に示す状態にする工程を説
明する。
【００３２】略六角形の下側の磁気シールド層１１の上
に下側の非磁性絶縁層１２を形成した後に、下側の非磁
性絶縁層１２の上にフォトレジスト３を塗布する。次
に、そのフォトレジスト３を露光、現像してリードを形
成しようとする領域の一部に窓３ａを形成する。続い
て、図５(b) に示すように、窓３ａを通して下側の非磁
性絶縁層１２をエッチングすることにより、下側の非磁
性絶縁層１２に第一の開口１２ａを形成する。
に下側の非磁性絶縁層１２を形成した後に、下側の非磁
性絶縁層１２の上にフォトレジスト３を塗布する。次
に、そのフォトレジスト３を露光、現像してリードを形
成しようとする領域の一部に窓３ａを形成する。続い
て、図５(b) に示すように、窓３ａを通して下側の非磁
性絶縁層１２をエッチングすることにより、下側の非磁
性絶縁層１２に第一の開口１２ａを形成する。
【００３３】ついで、図５(c) に示すように、フォトレ
ジスト３の上と窓３ａの中にタングステン、タンタル等
の電気抵抗材の膜１８ａをスパッタ等により形成する。
続いて、フォトレジスト３を溶剤によって除去すると、
電気抵抗材の膜１８ａは第一の開口１２ａ内にのみ残
る。そして、図６(c) に示すように、第一の開口１２ａ
内の電気抵抗材の膜１８ａは、第一の抵抗素子１８とし
て使用される。
ジスト３の上と窓３ａの中にタングステン、タンタル等
の電気抵抗材の膜１８ａをスパッタ等により形成する。
続いて、フォトレジスト３を溶剤によって除去すると、
電気抵抗材の膜１８ａは第一の開口１２ａ内にのみ残
る。そして、図６(c) に示すように、第一の開口１２ａ
内の電気抵抗材の膜１８ａは、第一の抵抗素子１８とし
て使用される。
【００３４】なお、第二の開口１４ａ内に第二の抵抗素
子１９を形成する場合にも、それと同様な工程を経て形
成される。ところで、磁気抵抗効果素子１３には、磁化
方向と電流方向のなす角度に依存する電気抵抗の変化を
検出する異方性磁気抵抗効果型や、２つの磁性層の各磁
化方向の相対角度に依存する電気抵抗の変化を検出する
スピンバルブ磁気抵抗効果型などがある。
子１９を形成する場合にも、それと同様な工程を経て形
成される。ところで、磁気抵抗効果素子１３には、磁化
方向と電流方向のなす角度に依存する電気抵抗の変化を
検出する異方性磁気抵抗効果型や、２つの磁性層の各磁
化方向の相対角度に依存する電気抵抗の変化を検出する
スピンバルブ磁気抵抗効果型などがある。
【００３５】異方性磁気抵抗効果素子は、例えば図６
(a) に示すような構造を有している。図６(a) におい
て、ニッケル鉄クロム（NiFeCr）よりなるＳＡＬ（soft
adjacent layer ）層１３ａとタンタル（Ta）、タング
ステン（Ｗ）などよりなる磁気分離層１３ｂと、ニッケ
ル鉄（NiFe）よりなる磁気抵抗効果層（ＭＲ）層１３ｃ
の三層構造から構成され、その両端にはコバルト鉄（Co
Fe）よりなる２つの硬質磁性層１３ｄが接続されてい
る。２つの硬質磁性層１３ｄは、ＭＲ層１３ｃの一端か
ら他端に向く方向に磁化されている。また、それらの硬
質磁性層１３ｄには、それぞれ第一のリード１６と第二
のリード１７が接続されている。
(a) に示すような構造を有している。図６(a) におい
て、ニッケル鉄クロム（NiFeCr）よりなるＳＡＬ（soft
adjacent layer ）層１３ａとタンタル（Ta）、タング
ステン（Ｗ）などよりなる磁気分離層１３ｂと、ニッケ
ル鉄（NiFe）よりなる磁気抵抗効果層（ＭＲ）層１３ｃ
の三層構造から構成され、その両端にはコバルト鉄（Co
Fe）よりなる２つの硬質磁性層１３ｄが接続されてい
る。２つの硬質磁性層１３ｄは、ＭＲ層１３ｃの一端か
ら他端に向く方向に磁化されている。また、それらの硬
質磁性層１３ｄには、それぞれ第一のリード１６と第二
のリード１７が接続されている。
【００３６】一方、スピンバルブ素子は、図６(b) に示
すように、NiFeよりなる２つの軟質磁性層１３ｅ，１３
ｇを銅製の磁気分離層１３ｆで分離した構造を有し、上
側の軟質磁性層１３ｇにはFeMnよりなる磁区制御層１３
ｈが接続されている。上側の軟質磁性層１３ｇは、磁区
制御層１３ｈとの交換結合によって磁区制御層１３ｈの
一端から他端に向く方向に磁化されている。また、磁区
制御層１３ｈは、タンタルなどの保護膜１３ｉによって
覆われ、その両端近くには第一及び第二のリード１６、
１７が接続されている。
すように、NiFeよりなる２つの軟質磁性層１３ｅ，１３
ｇを銅製の磁気分離層１３ｆで分離した構造を有し、上
側の軟質磁性層１３ｇにはFeMnよりなる磁区制御層１３
ｈが接続されている。上側の軟質磁性層１３ｇは、磁区
制御層１３ｈとの交換結合によって磁区制御層１３ｈの
一端から他端に向く方向に磁化されている。また、磁区
制御層１３ｈは、タンタルなどの保護膜１３ｉによって
覆われ、その両端近くには第一及び第二のリード１６、
１７が接続されている。
【００３７】そのような磁気抵抗効果素子１３は、高さ
が２．０μｍ以下、リード間の長さが３μｍ以下と微小
に加工されている。以上のような構造の磁気抵抗効果ヘ
ッド１０の上に形成される誘導型磁気ヘッド２０は、図
１、図２に示すように、上側の磁気シールド層１５を第
一の磁極層として使用している。そして、上側の磁気シ
ールド層１５の上には絶縁層２１が形成され、その絶縁
層２１の中には渦巻状のコイル２２が貫通している。さ
らに、絶縁層２１の上には第二の磁極層２３が形成さ
れ、その一部は渦巻コイル２２のほぼ中央の隙間を通っ
て上側の磁気シールド層１５に接続している。また、第
二の磁性層２３は、磁気抵抗効果素子１３の上方では非
磁性ギャップ層２４を挟んで上側の磁気シールド層１５
から一定の間隔で離れている。
が２．０μｍ以下、リード間の長さが３μｍ以下と微小
に加工されている。以上のような構造の磁気抵抗効果ヘ
ッド１０の上に形成される誘導型磁気ヘッド２０は、図
１、図２に示すように、上側の磁気シールド層１５を第
一の磁極層として使用している。そして、上側の磁気シ
ールド層１５の上には絶縁層２１が形成され、その絶縁
層２１の中には渦巻状のコイル２２が貫通している。さ
らに、絶縁層２１の上には第二の磁極層２３が形成さ
れ、その一部は渦巻コイル２２のほぼ中央の隙間を通っ
て上側の磁気シールド層１５に接続している。また、第
二の磁性層２３は、磁気抵抗効果素子１３の上方では非
磁性ギャップ層２４を挟んで上側の磁気シールド層１５
から一定の間隔で離れている。
【００３８】以上のようなＭＲ磁気ヘッド１０と誘導型
磁気ヘッド２０が形成されたヘッド基板１は、図７に示
すような形状に加工されてヘッドスライダ１ａとなる。
ヘッドスライダ１ａは、複数の空気軸受け面１ｂを有し
ている。そしてＭＲ磁気ヘッド１０と誘導型磁気ヘッド
２０は空気軸受け面１ｂの後端面に形成されている。そ
の後端面には、その他に第一から第四の電極パッド３１
〜３４が形成され、ＭＲヘッド１０の第一、第二のリー
ド１６，１７はそれぞれ配線を介して第１、第２の電極
パッド３１，３２に電気的に接続され、誘導型磁気ヘッ
ド２０の渦巻コイル２２の両端はそれぞれ配線を介して
第３、第４の電極パッド３３，３４に電気的に接続され
ている。
磁気ヘッド２０が形成されたヘッド基板１は、図７に示
すような形状に加工されてヘッドスライダ１ａとなる。
ヘッドスライダ１ａは、複数の空気軸受け面１ｂを有し
ている。そしてＭＲ磁気ヘッド１０と誘導型磁気ヘッド
２０は空気軸受け面１ｂの後端面に形成されている。そ
の後端面には、その他に第一から第四の電極パッド３１
〜３４が形成され、ＭＲヘッド１０の第一、第二のリー
ド１６，１７はそれぞれ配線を介して第１、第２の電極
パッド３１，３２に電気的に接続され、誘導型磁気ヘッ
ド２０の渦巻コイル２２の両端はそれぞれ配線を介して
第３、第４の電極パッド３３，３４に電気的に接続され
ている。
【００３９】そのようなヘッドスライダ１ａは、図８に
示すようなアーム３５の先端に固定され、そのアーム３
５は図９に示すような磁気ディスク装置３０のアクチュ
エータ３６に取り付けられており、アクチュエータ３６
の横への移動によってアーム３５が磁気ディスク３７上
を移動するように構成されている。また、アーム３５の
先端のヘッドスライダ１ａ上の第１〜第４の電極パッド
３１〜３４はアーム３５の上に配置された配線シート３
５ｓ上を通って半導体集積回路装置３８に電気的に接続
されている。
示すようなアーム３５の先端に固定され、そのアーム３
５は図９に示すような磁気ディスク装置３０のアクチュ
エータ３６に取り付けられており、アクチュエータ３６
の横への移動によってアーム３５が磁気ディスク３７上
を移動するように構成されている。また、アーム３５の
先端のヘッドスライダ１ａ上の第１〜第４の電極パッド
３１〜３４はアーム３５の上に配置された配線シート３
５ｓ上を通って半導体集積回路装置３８に電気的に接続
されている。
【００４０】なお、図３では、第１のリード１６の上と
下に２つの抵抗素子１８，１９を配置したが、そのうち
の一方を省略しても、非磁性絶縁層１２，１４の静電破
壊は防止される。 （第２の実施の形態）第１実施形態の構造は、第１の電
極パッド３１を介して少しずつリード１６に静電気が蓄
積する場合の非磁性絶縁層の静電破壊を防止するもので
ある。
下に２つの抵抗素子１８，１９を配置したが、そのうち
の一方を省略しても、非磁性絶縁層１２，１４の静電破
壊は防止される。 （第２の実施の形態）第１実施形態の構造は、第１の電
極パッド３１を介して少しずつリード１６に静電気が蓄
積する場合の非磁性絶縁層の静電破壊を防止するもので
ある。
【００４１】しかし、第１又は第２の電極パッド３１，
３２に１度に印加される静電気が大きい場合には、第１
のリード１６から第２のリード１７へ静電気が移動する
現象が生じ、その静電気の移動の際に磁気抵抗効果素子
１３が破壊されるおそれがある。そのような静電気によ
る磁気抵抗効果素子１３の破壊を防止するために、図１
０、図１１に示すような構造を採用する。
３２に１度に印加される静電気が大きい場合には、第１
のリード１６から第２のリード１７へ静電気が移動する
現象が生じ、その静電気の移動の際に磁気抵抗効果素子
１３が破壊されるおそれがある。そのような静電気によ
る磁気抵抗効果素子１３の破壊を防止するために、図１
０、図１１に示すような構造を採用する。
【００４２】それらの図では、第１の実施形態と同じ
く、第一のリード１６の上下の位置のみならず、第二の
リード１７の上下にも静電破壊防止用抵抗素子を形成し
た例を示している。即ち、図１０、図１１に示すよう
に、第二のリード１７と下側の磁気シールド層１１の間
の下側の非磁性絶縁層１２には第三の開口１２ｂが形成
され、その第三の開口１２ｂ内には第三の抵抗素子４１
が充填されている。これにより、第二のリード１７と下
側の磁気シールド層１１は、第三の抵抗素子４１を介し
て電気的に接続される。
く、第一のリード１６の上下の位置のみならず、第二の
リード１７の上下にも静電破壊防止用抵抗素子を形成し
た例を示している。即ち、図１０、図１１に示すよう
に、第二のリード１７と下側の磁気シールド層１１の間
の下側の非磁性絶縁層１２には第三の開口１２ｂが形成
され、その第三の開口１２ｂ内には第三の抵抗素子４１
が充填されている。これにより、第二のリード１７と下
側の磁気シールド層１１は、第三の抵抗素子４１を介し
て電気的に接続される。
【００４３】また、第二のリード１７と上側の磁気シー
ルド層１５の間の上側の非磁性絶縁層１４には第四の開
口１４ｂが形成され、その第四の開口１４ｂ内には第四
の抵抗素子４２が充填されている。これにより、第二の
リード１７と上側の磁気シールド層１５は、第四の抵抗
素子４２を介して電気的に接続される。第三の抵抗素子
４１は、第一の抵抗素子１８と同じ構造を有し、また、
第四の抵抗素子４２は、第三の抵抗素子１９と同じ構造
を有している。
ルド層１５の間の上側の非磁性絶縁層１４には第四の開
口１４ｂが形成され、その第四の開口１４ｂ内には第四
の抵抗素子４２が充填されている。これにより、第二の
リード１７と上側の磁気シールド層１５は、第四の抵抗
素子４２を介して電気的に接続される。第三の抵抗素子
４１は、第一の抵抗素子１８と同じ構造を有し、また、
第四の抵抗素子４２は、第三の抵抗素子１９と同じ構造
を有している。
【００４４】この場合、第一の電極パッド３１、第一の
リード１６、第一の電気抵抗素子１８、下側の磁気シー
ルド層１１、第三の電気抵抗素子４１、第二のリード１
７、第二の電極パッド３２を通る第一の電気経路Ｓ1 の
距離Ｌ1 は、第一の電極パッド３２、第一のリード１
６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１７、第二の
電極パッド３２を通る第二の電気経路Ｓ2 の距離Ｌ2 よ
りも短くなっている。しかも、第一の電気経路Ｓ1 の抵
抗値Ｒ1 は、第二の電気経路Ｓ2 の抵抗値Ｒ2 に比べて
約１００倍以上の値となっている。
リード１６、第一の電気抵抗素子１８、下側の磁気シー
ルド層１１、第三の電気抵抗素子４１、第二のリード１
７、第二の電極パッド３２を通る第一の電気経路Ｓ1 の
距離Ｌ1 は、第一の電極パッド３２、第一のリード１
６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１７、第二の
電極パッド３２を通る第二の電気経路Ｓ2 の距離Ｌ2 よ
りも短くなっている。しかも、第一の電気経路Ｓ1 の抵
抗値Ｒ1 は、第二の電気経路Ｓ2 の抵抗値Ｒ2 に比べて
約１００倍以上の値となっている。
【００４５】また、第一の電極パッド３１、第一のリー
ド１６、第二の電気抵抗素子１９、上側の磁気シールド
層１５、第四の電気抵抗素子４２、第二のリード１７、
第二の電極パッド３２を通る第三の電気経路Ｓ3 の距離
Ｌ1 は、第一の電極パッド３１、第一のリード１６、磁
気抵抗効果素子１３、第二のリード１７、第二の電極パ
ッド３２を通る第二の電気経路Ｓ2 の距離Ｌ2 よりも短
くなっている。しかも、第一の電気経路Ｓ3 の抵抗値Ｒ
3 は、第二の電気経路Ｓ2 の抵抗値Ｒ2 に比べて約１０
０倍以上の値となっている。
ド１６、第二の電気抵抗素子１９、上側の磁気シールド
層１５、第四の電気抵抗素子４２、第二のリード１７、
第二の電極パッド３２を通る第三の電気経路Ｓ3 の距離
Ｌ1 は、第一の電極パッド３１、第一のリード１６、磁
気抵抗効果素子１３、第二のリード１７、第二の電極パ
ッド３２を通る第二の電気経路Ｓ2 の距離Ｌ2 よりも短
くなっている。しかも、第一の電気経路Ｓ3 の抵抗値Ｒ
3 は、第二の電気経路Ｓ2 の抵抗値Ｒ2 に比べて約１０
０倍以上の値となっている。
【００４６】このような構造のＭＲ磁気ヘッドでは、例
えば第一の電極パッド３１に極めて大きな静電気が印加
される場合には、その静電気は、第一の電気経路Ｓ1 又
は第三の電気経路Ｓ3 を通って第二の電極パッド３２に
放電されることになる。これは、静電気が抵抗の最も小
さい電気経路を通して放電されるのではなく、最も距離
の短い電気経路を通って放電される性質によるものであ
る。しかし、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド
３２の最短距離の電気抵抗が無限大となるような場合に
は、静電気は磁気抵抗効果素子１３を含む電気経路Ｓ2
を通り易くなる。したがって、電気経路Ｓ1 、Ｓ3 の電
気抵抗は大きくても数ＭΩ（メガオーム）となるのが好
ましい。
えば第一の電極パッド３１に極めて大きな静電気が印加
される場合には、その静電気は、第一の電気経路Ｓ1 又
は第三の電気経路Ｓ3 を通って第二の電極パッド３２に
放電されることになる。これは、静電気が抵抗の最も小
さい電気経路を通して放電されるのではなく、最も距離
の短い電気経路を通って放電される性質によるものであ
る。しかし、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド
３２の最短距離の電気抵抗が無限大となるような場合に
は、静電気は磁気抵抗効果素子１３を含む電気経路Ｓ2
を通り易くなる。したがって、電気経路Ｓ1 、Ｓ3 の電
気抵抗は大きくても数ＭΩ（メガオーム）となるのが好
ましい。
【００４７】また、ＭＲ磁気ヘッドを信号の再生に使用
する状態では、第一及び第二のリード１６，１７を通し
てＭＲヘッド１０の磁気抵抗効果素子１３に流れる電流
は例えば８ｍＡ程度であるので、第一、第三の電気経路
Ｓ1 、Ｓ3 の抵抗が余り低いと磁気抵抗効果素子１３に
流れる電流が低くなって、磁気抵抗効果素子１３の磁界
信号検出感度が低下するおそれがある。しかし、第一の
電気経路Ｓ1 又は第三の電気経路Ｓ3 の電気抵抗値を磁
気抵抗効果素子１３の１００倍以上にすると、磁気抵抗
効果素子１３に流れる電流は多くても１％低くなるだけ
なので、磁気抵抗効果素子１３の磁界信号検出感度はほ
とんど低下しないことになる。したがって、磁気抵抗効
果素子１３の効率損失は１％未満となり、実用上は支障
をきたさない。
する状態では、第一及び第二のリード１６，１７を通し
てＭＲヘッド１０の磁気抵抗効果素子１３に流れる電流
は例えば８ｍＡ程度であるので、第一、第三の電気経路
Ｓ1 、Ｓ3 の抵抗が余り低いと磁気抵抗効果素子１３に
流れる電流が低くなって、磁気抵抗効果素子１３の磁界
信号検出感度が低下するおそれがある。しかし、第一の
電気経路Ｓ1 又は第三の電気経路Ｓ3 の電気抵抗値を磁
気抵抗効果素子１３の１００倍以上にすると、磁気抵抗
効果素子１３に流れる電流は多くても１％低くなるだけ
なので、磁気抵抗効果素子１３の磁界信号検出感度はほ
とんど低下しないことになる。したがって、磁気抵抗効
果素子１３の効率損失は１％未満となり、実用上は支障
をきたさない。
【００４８】なお、磁気抵抗効果素子１３の抵抗値は、
２０〜４０Ωであるので、第一の電気経路Ｓ1 、第二の
電極経路Ｓ3 の抵抗値は２０００〜４０００Ω以上とな
るのが好ましい。ところで、このような構造では、下側
と上側の非磁性層１２，１４の絶縁破壊を防止するため
にも有効であることは第１実施形態の説明から明らかで
ある。
２０〜４０Ωであるので、第一の電気経路Ｓ1 、第二の
電極経路Ｓ3 の抵抗値は２０００〜４０００Ω以上とな
るのが好ましい。ところで、このような構造では、下側
と上側の非磁性層１２，１４の絶縁破壊を防止するため
にも有効であることは第１実施形態の説明から明らかで
ある。
【００４９】なお、上記した構造では、下側の非磁性絶
縁層１２又は上側の非磁性絶縁層１４の双方に静電破壊
防止用抵抗素子が埋め込まれた状態になっているが、下
側又は上側のいずれかの静電破壊防止用抵抗素子を省い
てもよい。 （第３の実施の形態）大きな静電気による磁気抵抗効果
素子の破壊を防止するための他の構造として、本発明者
等は図１２に示すような構造を示す。
縁層１２又は上側の非磁性絶縁層１４の双方に静電破壊
防止用抵抗素子が埋め込まれた状態になっているが、下
側又は上側のいずれかの静電破壊防止用抵抗素子を省い
てもよい。 （第３の実施の形態）大きな静電気による磁気抵抗効果
素子の破壊を防止するための他の構造として、本発明者
等は図１２に示すような構造を示す。
【００５０】図１２は、ヘッドスライダ１ａの後端から
見たを示す図である。そのヘッドスライダ１ａの後端に
取付けられた磁気抵抗効果素子１３は、その両側の第一
及び第二のリード１６，１７を介して第一の電極パッド
３１と第二の電極パッド３２に接続されている。また、
第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２は静電破
壊防止用抵抗素子４３を介して接続されている。
見たを示す図である。そのヘッドスライダ１ａの後端に
取付けられた磁気抵抗効果素子１３は、その両側の第一
及び第二のリード１６，１７を介して第一の電極パッド
３１と第二の電極パッド３２に接続されている。また、
第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２は静電破
壊防止用抵抗素子４３を介して接続されている。
【００５１】その静電破壊防止用抵抗素子４３は、第一
のリード１６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１
７を通る電気経路の電気抵抗に比べて１００倍以上の抵
抗値を有している。また、第一の電極パッド３１と第二
の電極パッド３２の間の最短距離Ｌ0 は、第一のリード
１６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１７を通る
経路の距離Ｌ2 よりも短くなっている。
のリード１６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１
７を通る電気経路の電気抵抗に比べて１００倍以上の抵
抗値を有している。また、第一の電極パッド３１と第二
の電極パッド３２の間の最短距離Ｌ0 は、第一のリード
１６、磁気抵抗効果素子１３、第二のリード１７を通る
経路の距離Ｌ2 よりも短くなっている。
【００５２】例えば、第一の電極パッド３１と第二の電
極パッド３２の最短距離Ｌ0 は１００μｍ以下であり、
磁気抵抗効果素子を含む経路の距離Ｌ2 は１５００μｍ
程度であって、距離Ｌ1 の方が距離Ｌ2 よりも短い。そ
して、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２の
最短距離Ｌ0 を有する領域には、幅１．５μｍ、厚さ
０．０２μｍのNiFeよりなる静電破壊防止用抵抗素子４
３が形成されている。NiFeの抵抗率は２０μｍ・cmなの
で、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２の間
の静電破壊防止用抵抗素子４３の抵抗は約２ｋΩとな
る。この抵抗値は、磁気抵抗効果素子１３の抵抗が２Ω
の場合に適用される値である。
極パッド３２の最短距離Ｌ0 は１００μｍ以下であり、
磁気抵抗効果素子を含む経路の距離Ｌ2 は１５００μｍ
程度であって、距離Ｌ1 の方が距離Ｌ2 よりも短い。そ
して、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２の
最短距離Ｌ0 を有する領域には、幅１．５μｍ、厚さ
０．０２μｍのNiFeよりなる静電破壊防止用抵抗素子４
３が形成されている。NiFeの抵抗率は２０μｍ・cmなの
で、第一の電極パッド３１と第二の電極パッド３２の間
の静電破壊防止用抵抗素子４３の抵抗は約２ｋΩとな
る。この抵抗値は、磁気抵抗効果素子１３の抵抗が２Ω
の場合に適用される値である。
【００５３】このような構造のＭＲヘッド１０において
は、例えば第一の電極パッド３１に極めて大きな静電気
が印加される場合には、その静電気は、第一の電極パッ
ド３１と第二の電極パッド３２において最も距離の短い
電気経路にある静電破壊防止用抵抗素子４３を通して第
二の電極パッド３２に放電されることになる。これは、
静電気が、抵抗の最も小さい電気経路で放電されるので
はなく、最も距離の短い電気経路で放電される性質によ
るものである。しかし、その静電破壊防止用抵抗素子４
３が存在せず、第一の電極パッド３１と第二の電極パッ
ド３２の最短距離の電気抵抗が無限大となるような場合
には、静電気は磁気抵抗効果素子１３を含む電気回路を
通り易くなる。したがって、第一の電極パッド３１と第
二の電極パッド３２の最短距離Ｌ0 の領域の静電破壊防
止用抵抗素子４３は大きくても数ＭΩとするのが好まし
い。
は、例えば第一の電極パッド３１に極めて大きな静電気
が印加される場合には、その静電気は、第一の電極パッ
ド３１と第二の電極パッド３２において最も距離の短い
電気経路にある静電破壊防止用抵抗素子４３を通して第
二の電極パッド３２に放電されることになる。これは、
静電気が、抵抗の最も小さい電気経路で放電されるので
はなく、最も距離の短い電気経路で放電される性質によ
るものである。しかし、その静電破壊防止用抵抗素子４
３が存在せず、第一の電極パッド３１と第二の電極パッ
ド３２の最短距離の電気抵抗が無限大となるような場合
には、静電気は磁気抵抗効果素子１３を含む電気回路を
通り易くなる。したがって、第一の電極パッド３１と第
二の電極パッド３２の最短距離Ｌ0 の領域の静電破壊防
止用抵抗素子４３は大きくても数ＭΩとするのが好まし
い。
【００５４】なお、静電破壊防止用抵抗素子４３の材料
としてNiFeよりも抵抗率の大きな材料、例えばタングス
テン、タンタルを使用してもよい。また、静電破壊防止
用抵抗素子４３の膜厚と幅や、第一の電極パッド３１と
第二の電極パッド３２の間の最短距離Ｌ1 は、静電破壊
防止用抵抗素子４３の構成材料や静電破壊防止用抵抗素
子４３の抵抗値によって決定される。
としてNiFeよりも抵抗率の大きな材料、例えばタングス
テン、タンタルを使用してもよい。また、静電破壊防止
用抵抗素子４３の膜厚と幅や、第一の電極パッド３１と
第二の電極パッド３２の間の最短距離Ｌ1 は、静電破壊
防止用抵抗素子４３の構成材料や静電破壊防止用抵抗素
子４３の抵抗値によって決定される。
【００５５】ＭＲヘッド１０を信号再生に使用する状態
では、第一及び第二のリード１６，１７を通してＭＲヘ
ッド１０の磁気抵抗効果素子１３に流れる電流は例えば
８ｍＡ程度であるので、静電破壊防止用抵抗素子４３の
抵抗値が低くすぎると磁気抵抗効果素子１３に流れる電
流が小さくなって、磁気抵抗効果素子１３の磁界検出感
度が低下するおそれがある。しかし、本実施形態では、
静電破壊防止用抵抗素子４３の抵抗値を磁気抵抗効果素
子１３の１００倍以上にしているので、静電破壊防止用
抵抗素子４３が無い場合に比べて磁気抵抗効果素子１３
に流れる電流は多くても１％低くなるだけなので、磁気
抵抗効果素子１３の感度はほとんど低下しないことにな
る。したがって、磁気抵抗効果素子１３の効率損失は１
％未満となり、実用上は支障をきたさない。
では、第一及び第二のリード１６，１７を通してＭＲヘ
ッド１０の磁気抵抗効果素子１３に流れる電流は例えば
８ｍＡ程度であるので、静電破壊防止用抵抗素子４３の
抵抗値が低くすぎると磁気抵抗効果素子１３に流れる電
流が小さくなって、磁気抵抗効果素子１３の磁界検出感
度が低下するおそれがある。しかし、本実施形態では、
静電破壊防止用抵抗素子４３の抵抗値を磁気抵抗効果素
子１３の１００倍以上にしているので、静電破壊防止用
抵抗素子４３が無い場合に比べて磁気抵抗効果素子１３
に流れる電流は多くても１％低くなるだけなので、磁気
抵抗効果素子１３の感度はほとんど低下しないことにな
る。したがって、磁気抵抗効果素子１３の効率損失は１
％未満となり、実用上は支障をきたさない。
【００５６】なお、上記したＭＲヘッドは磁気ディスク
装置に取付けられる場合を説明したが、磁気テープの磁
気信号を再生用に使用する装置に適用してもよい。
装置に取付けられる場合を説明したが、磁気テープの磁
気信号を再生用に使用する装置に適用してもよい。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁気
抵抗効果素子に接続されるリードと磁気シールド層の間
の非磁性絶縁層に静電破壊防止用抵抗素子を埋め込み、
これによりリードと磁気シールド層を静電破壊防止用抵
抗素子を介して電気的に接続しているので、リードに蓄
積された静電気が磁気シールド層に放電する経路は静電
破壊防止用抵抗素子となり、非磁性絶縁層の絶縁破壊を
防止でき、ひいては磁気ヘッドの静電破壊を防止でき
る。
抵抗効果素子に接続されるリードと磁気シールド層の間
の非磁性絶縁層に静電破壊防止用抵抗素子を埋め込み、
これによりリードと磁気シールド層を静電破壊防止用抵
抗素子を介して電気的に接続しているので、リードに蓄
積された静電気が磁気シールド層に放電する経路は静電
破壊防止用抵抗素子となり、非磁性絶縁層の絶縁破壊を
防止でき、ひいては磁気ヘッドの静電破壊を防止でき
る。
【００５８】また、別の本発明によれば、磁気抵抗効果
素子に接続される一対のリードと、一対のリードに対向
する磁気シールド層と、一対のリードと磁気シールド層
の間に形成される非磁性絶縁層を有する磁気ヘッドにお
いて、非磁性絶縁層に複数の静電破壊防止用抵抗素子を
埋め込んで、磁気シールド層と静電破壊防止用抵抗素子
を介して一方のリードと他方のリードを電気的に接続し
たので、一方のリードに繋がる第一の電極パッドに大き
な静電気が印加された場合に、その静電気は一方のリー
ド、磁気シールド層、静電破壊防止用抵抗素子を通して
他方のリード及び第二の電極パッドに移動することにな
り、２つのリードの先端に挟まれた磁気抵抗効果素子へ
の静電気の印加を防止できる。 さらに別の発明によれ
ば、磁気抵抗効果素子に接続される２つのリードのそれ
ぞれに電気的に接続される２つの電極パッドの間に静電
破壊防止用抵抗素子を接続したので、一方の電極パッド
に印加された静電気は、距離の短い経路にある静電破壊
防止用抵抗素子を通して他方に移動するため、磁気抵抗
効果素子を通過することはなく、磁気抵抗効果素子の静
電破壊を防止できる。
素子に接続される一対のリードと、一対のリードに対向
する磁気シールド層と、一対のリードと磁気シールド層
の間に形成される非磁性絶縁層を有する磁気ヘッドにお
いて、非磁性絶縁層に複数の静電破壊防止用抵抗素子を
埋め込んで、磁気シールド層と静電破壊防止用抵抗素子
を介して一方のリードと他方のリードを電気的に接続し
たので、一方のリードに繋がる第一の電極パッドに大き
な静電気が印加された場合に、その静電気は一方のリー
ド、磁気シールド層、静電破壊防止用抵抗素子を通して
他方のリード及び第二の電極パッドに移動することにな
り、２つのリードの先端に挟まれた磁気抵抗効果素子へ
の静電気の印加を防止できる。 さらに別の発明によれ
ば、磁気抵抗効果素子に接続される２つのリードのそれ
ぞれに電気的に接続される２つの電極パッドの間に静電
破壊防止用抵抗素子を接続したので、一方の電極パッド
に印加された静電気は、距離の短い経路にある静電破壊
防止用抵抗素子を通して他方に移動するため、磁気抵抗
効果素子を通過することはなく、磁気抵抗効果素子の静
電破壊を防止できる。
【図１】図１は、本発明の実施形態の磁気抵抗効果ヘッ
ドと誘導型ヘッドの部分断面を示す斜視図である。
ドと誘導型ヘッドの部分断面を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気
抵抗効果ヘッドと誘導型ヘッドの断面図である。
抵抗効果ヘッドと誘導型ヘッドの断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気
抵抗効果ヘッドの非磁性絶縁層を除いた２つの磁気シー
ルド層と２つのリードと磁気抵抗効果素子の配置を示す
平面図である。
抵抗効果ヘッドの非磁性絶縁層を除いた２つの磁気シー
ルド層と２つのリードと磁気抵抗効果素子の配置を示す
平面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気
抵抗効果ヘッドの端面を示すとともに、一方のリードと
２つの磁気シールド層の間の寄生コンデンサと静電破壊
防止用抵抗素子の接続関係を示す図である。
抵抗効果ヘッドの端面を示すとともに、一方のリードと
２つの磁気シールド層の間の寄生コンデンサと静電破壊
防止用抵抗素子の接続関係を示す図である。
【図５】図５(a) 〜(d) は、本発明の第１の実施の形態
に係る磁気抵抗効果ヘッドの製造工程において、非磁性
絶縁層に開口を形成し、その中に静電破壊防止用抵抗素
子を充填する工程を示す断面図である。
に係る磁気抵抗効果ヘッドの製造工程において、非磁性
絶縁層に開口を形成し、その中に静電破壊防止用抵抗素
子を充填する工程を示す断面図である。
【図６】図６(a),(b) は、本発明の第１の実施の形態に
係る磁気抵抗効果素子の具体例を示す正面図である。
係る磁気抵抗効果素子の具体例を示す正面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気
抵抗効果素子が形成されたヘッドスライダを示す斜視図
である。
抵抗効果素子が形成されたヘッドスライダを示す斜視図
である。
【図８】図８は、図７に示すヘッドスライダを装着した
磁気ディスク装置のアームを示す斜視図である。
磁気ディスク装置のアームを示す斜視図である。
【図９】図９は、図７に示すヘッドスライダを装着した
磁気ディスク装置を示す平面図である。
磁気ディスク装置を示す平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る
磁気抵抗効果ヘッドの非磁性絶縁層を除いた２つの磁気
シールド層と２つのリードと磁気抵抗効果素子の配置を
示す平面図である。
磁気抵抗効果ヘッドの非磁性絶縁層を除いた２つの磁気
シールド層と２つのリードと磁気抵抗効果素子の配置を
示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る
磁気抵抗効果ヘッドの端面を示すとともに、一方のリー
ドと２つの磁気シールド層の間の寄生コンデンサと静電
破壊防止用抵抗素子の接続関係を示す図である。
磁気抵抗効果ヘッドの端面を示すとともに、一方のリー
ドと２つの磁気シールド層の間の寄生コンデンサと静電
破壊防止用抵抗素子の接続関係を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る
磁気抵抗効果ヘッドのスライダの端面を示し、誘導型ヘ
ッドを省略した図である。
磁気抵抗効果ヘッドのスライダの端面を示し、誘導型ヘ
ッドを省略した図である。
【図１３】図１３は、従来の記録、再生用の磁気ヘッド
の一部を切り欠いた斜視図である。
の一部を切り欠いた斜視図である。
【図１４】図１４(a) は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの
非磁性絶縁層を除いた２つの磁気シールド層と２つのリ
ードと磁気抵抗効果素子の配置を示す平面図、図１４
(b)は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果素
子、リード、磁気シールド層の配置関係を示す端面図で
ある。
非磁性絶縁層を除いた２つの磁気シールド層と２つのリ
ードと磁気抵抗効果素子の配置を示す平面図、図１４
(b)は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果素
子、リード、磁気シールド層の配置関係を示す端面図で
ある。
【図１５】図１５は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの端面
を示す図である。
を示す図である。
１ ヘッド基板 ２ 基板保護層 １０ 磁気抵抗効果ヘッド（ＭＲヘッド） １１ 下側（第一）の磁気シールド層 １２ 下側（第一）の非磁性絶縁層 １３ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） １４ 上側（第二）の非磁性絶縁層 １５ 上側（第二）の磁気シールド層 １６ 第一のリード １７ 第二のリード １８ 第一の抵抗素子（静電破壊防止用抵抗素子） １９ 第二の抵抗素子（静電破壊防止用抵抗素子） ３１ 第一の磁極パッド ３２ 第二の磁極パッド ３３ 第三の磁極パッド ３４ 第四の磁極パッド ４１ 第三の抵抗素子（静電破壊防止用抵抗素子） ４２ 第四の抵抗素子（静電破壊防止用抵抗素子） ４３ 静電破壊防止用抵抗素子
Claims (6)
- 【請求項１】下地層上に形成された第一の磁気シールド
層と、 前記第一の磁気シールド層上に形成された第一の非磁性
絶縁層と、 前記第一の非磁性絶縁層上に形成された磁気抵抗効果素
子と、 前記第一の非磁性絶縁層上において、前記磁気抵抗効果
素子の両側に接続された第一及び第二のリードと、 前記第一及び第二のリードと前記磁気抵抗効果素子を覆
う第二の非磁性絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子の上方にあって前記第二の非磁性
絶縁層上に形成された第二の磁気シールド層と、 前記第一の非磁性絶縁層と前記第二の非磁性絶縁層のう
ちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記第一のリード
と前記第一の磁気シールド又は前記第一のリードと前記
第二の磁気シールドを電気的に接続する抵抗素子とを有
することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】下地層上に形成された第一の磁気シールド
層と、 前記第一の磁気シールド層上に形成された第一の非磁性
絶縁層と、 前記第一の非磁性絶縁層上に形成された磁気抵抗効果素
子と、 前記第一の非磁性絶縁層上において、前記磁気抵抗効果
素子の両側に接続された第一及び第二のリードと、 前記第一及び第二のリードと前記磁気抵抗効果素子を覆
う第二の非磁性絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子の上方にあって前記第二の非磁性
絶縁層上に形成された第二の磁気シールド層と、 前記第一の非磁性絶縁層と前記第二の非磁性絶縁層のう
ちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記第一の磁気シ
ールド又は前記第二の磁気シールドの少なくとも一方に
前記第一のリードと第二のリードの双方を別々に電気的
に接続する複数の抵抗素子と、 前記第一のリードに電気的に接続される第一の電極パッ
ドと、 前記第二のリードに電気的に接続される第二の電極パッ
ドとを有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】複数の前記抵抗素子を介して前記第一のリ
ード、前記第一の磁気シールド層、前記第二のリードを
通る経路の電気抵抗値、又は、複数の前記抵抗素子を介
して前記第一のリード、前記第二の磁気シールド層、前
記第二のリードを通る経路の電気抵抗値は、前記第一の
リード、前記磁気抵抗効果素子、前記第二のリードを通
る経路の電気抵抗の１００倍以上であることを特徴とす
る請求項２記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】下地層上に形成された第一の磁気シールド
層と、 前記第一の磁気シールド層上に形成された第一の非磁性
絶縁層と、 前記第一の非磁性絶縁層上に形成された磁気抵抗効果素
子と、 前記第一の非磁性絶縁層上において、前記磁気抵抗効果
素子の両側に接続された第一及び第二のリードと、 前記第一及び第二のリードと前記磁気抵抗効果素子を覆
う第二の非磁性絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子の上方にあって前記第二の非磁性
絶縁層上に形成された第二の磁気シールド層と、 前記第一のリードに電気的に接続される第一の電極パッ
ドと、 前記第二のリードに電気的に接続される第二の電極パッ
ドと、 前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッドの間に形
成されて、前記第一の電極パッドと前記第二の電極パッ
ドを電気的に接続する抵抗素子とを有することを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項５】前記第一の電極パッドと前記抵抗素子と前
記第二の電極パッドを通る経路の電気抵抗値は、前記第
一のリード、前記磁気抵抗効果素子、前記第二のリード
を通る経路の電気抵抗の１００倍以上であることを特徴
とする請求項４記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】請求項１項〜５項のいずれかに記載された
磁気ヘッドと、 前記磁気ヘッドに対向して配置される磁気記録媒体とを
有することを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048709A JPH10247307A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
| US08/947,114 US5978181A (en) | 1997-03-04 | 1997-10-08 | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048709A JPH10247307A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247307A true JPH10247307A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12810850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9048709A Pending JPH10247307A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5978181A (ja) |
| JP (1) | JPH10247307A (ja) |
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| US6731547B2 (en) | 2000-07-24 | 2004-05-04 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other |
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- 1997-03-04 JP JP9048709A patent/JPH10247307A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |