JP2693276B2 - 磁気抵抗センサ及び磁気抵抗読み出し素子 - Google Patents
磁気抵抗センサ及び磁気抵抗読み出し素子Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗センサに関する
ものである。さらに詳細にいえば、本発明は４端子より
少ない端子を有する磁気抵抗センサに関するものであ
る。
ものである。さらに詳細にいえば、本発明は４端子より
少ない端子を有する磁気抵抗センサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術および問題点】磁気記憶装置において、磁
気的に符号化された情報を検出するのに磁気抵抗センサ
が用いられる。磁界が変動すると、磁気抵抗センサの抵
抗率が変調される。抵抗値のこの変化は、磁気抵抗セン
サにセンス電流を流し、そして磁気抵抗センサの両端の
電圧降下を測定することによって、検出することができ
る。このようにしてえられた電圧信号を用いて、磁気デ
ィスクのような磁気記憶媒体から情報を再生することが
できる。
気的に符号化された情報を検出するのに磁気抵抗センサ
が用いられる。磁界が変動すると、磁気抵抗センサの抵
抗率が変調される。抵抗値のこの変化は、磁気抵抗セン
サにセンス電流を流し、そして磁気抵抗センサの両端の
電圧降下を測定することによって、検出することができ
る。このようにしてえられた電圧信号を用いて、磁気デ
ィスクのような磁気記憶媒体から情報を再生することが
できる。
【０００３】実際上の磁気抵抗センサは、典型的な場合
には、強磁性金属合金、例えば、ニッケル鉄合金（Ｎｉ
80Ｆｅ20）を用いて作成される。このニッケル鉄合金は
基板またはウエハの上に薄膜状に沈着される。磁気記憶
媒体の中の磁界が変化すると磁気抵抗センサの磁化が変
化し、それによって、センサの抵抗値が変化する。
には、強磁性金属合金、例えば、ニッケル鉄合金（Ｎｉ
80Ｆｅ20）を用いて作成される。このニッケル鉄合金は
基板またはウエハの上に薄膜状に沈着される。磁気記憶
媒体の中の磁界が変化すると磁気抵抗センサの磁化が変
化し、それによって、センサの抵抗値が変化する。
【０００４】このヘッドを用いて記憶されている情報を
読み出すためには、磁気抵抗センサに対し４個の電気接
続線を用いることが必要である。このうち、２個の接続
線はセンサに電流を流すのに用いられ、そして他の２個
の接続線はヘッドの活性領域の両端の電圧の変化を検出
するのに用いられる。この電圧の変化は、磁気抵抗セン
サの近傍に磁界が存在することによって、その活性領域
の抵抗値が変化することにより生ずる。磁気抵抗センサ
に検出回路が接続され、それにより、磁気抵抗センサの
抵抗値の変化が監視され、磁気記憶媒体に記憶された情
報を表す出力をうることができる。
読み出すためには、磁気抵抗センサに対し４個の電気接
続線を用いることが必要である。このうち、２個の接続
線はセンサに電流を流すのに用いられ、そして他の２個
の接続線はヘッドの活性領域の両端の電圧の変化を検出
するのに用いられる。この電圧の変化は、磁気抵抗セン
サの近傍に磁界が存在することによって、その活性領域
の抵抗値が変化することにより生ずる。磁気抵抗センサ
に検出回路が接続され、それにより、磁気抵抗センサの
抵抗値の変化が監視され、磁気記憶媒体に記憶された情
報を表す出力をうることができる。
【０００５】どのような磁気抵抗センサを設計するさい
にも、最も重要な目標はバルクハウゼン雑音のない装置
を開発することである。このことは、モウリほか名の名
称「磁気抵抗ヘッド」の米国特許第４，５３５，３７５
号（１９８５年８月１３日）に開示されている「ハンマ
頭」設計を用いて達成される。この特許は本発明に取り
入れられている。モウリほか名のこの特許の磁気抵抗ヘ
ッドは、タップ付「理髪店のあめんぼ柱」状アレイを用
いる。
にも、最も重要な目標はバルクハウゼン雑音のない装置
を開発することである。このことは、モウリほか名の名
称「磁気抵抗ヘッド」の米国特許第４，５３５，３７５
号（１９８５年８月１３日）に開示されている「ハンマ
頭」設計を用いて達成される。この特許は本発明に取り
入れられている。モウリほか名のこの特許の磁気抵抗ヘ
ッドは、タップ付「理髪店のあめんぼ柱」状アレイを用
いる。
【０００６】理髪店の「あめんぼ」柱状アレイは、中央
の単一磁区領域を安定化するために、縦磁界を生じ、そ
れにより、バルクハウゼン雑音によって信号が劣化する
可能性はなくなる。この構造体により、再現性がありか
つ安定な磁気抵抗センサがえられる。「ハンマ頭」状磁
気抵抗センサを動作させるのに、４個の電気接続線が必
要である。さらに、集積化された誘導的書き込み／磁気
抵抗読み出しヘッドは、書き込みコイルのために少なく
ともさらに２個の導線を必要とする。したがって、「ハ
ンマ頭」設計を用いた集積化された誘導的書き込み／磁
気抵抗読み出しヘッドは、最低６個の電気接続線が必要
である。
の単一磁区領域を安定化するために、縦磁界を生じ、そ
れにより、バルクハウゼン雑音によって信号が劣化する
可能性はなくなる。この構造体により、再現性がありか
つ安定な磁気抵抗センサがえられる。「ハンマ頭」状磁
気抵抗センサを動作させるのに、４個の電気接続線が必
要である。さらに、集積化された誘導的書き込み／磁気
抵抗読み出しヘッドは、書き込みコイルのために少なく
ともさらに２個の導線を必要とする。したがって、「ハ
ンマ頭」設計を用いた集積化された誘導的書き込み／磁
気抵抗読み出しヘッドは、最低６個の電気接続線が必要
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁気抵抗素子に対して
必要である接続線の数がより少なく、しかし一方、セン
サの単一磁区安定性が保持される磁気抵抗ヘッドがえら
れるならば、その信頼性がより高くかつ製造コストが安
くなり、そして磁気抵抗ヘッドの分野に対し重要な進展
がもたらされるであろう。
必要である接続線の数がより少なく、しかし一方、セン
サの単一磁区安定性が保持される磁気抵抗ヘッドがえら
れるならば、その信頼性がより高くかつ製造コストが安
くなり、そして磁気抵抗ヘッドの分野に対し重要な進展
がもたらされるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明により、バルクハ
ウゼン雑音のない磁気抵抗センサがえられる。バルクハ
ウゼン雑音をなくすることは、磁気抵抗素子の活性領域
の中の単一磁区磁化状態を安定化させることによりえら
れる。本発明の磁気抵抗センサは磁気抵抗素子に対し２
個の電気接続線のみを用いる。
ウゼン雑音のない磁気抵抗センサがえられる。バルクハ
ウゼン雑音をなくすることは、磁気抵抗素子の活性領域
の中の単一磁区磁化状態を安定化させることによりえら
れる。本発明の磁気抵抗センサは磁気抵抗素子に対し２
個の電気接続線のみを用いる。
【０００９】本発明により、磁気抵抗センサの磁区パタ
ーンの安定性または再現性を損なうことなく、２個の電
気接続線のみを必要とする磁気抵抗センサがえられる。
本発明では、センス電流が磁気抵抗センサの両端にある
端子に供給される。電圧センス端子が磁気抵抗素子の活
性領域に接続される。端部端子と、これらの端部端子の
間に配置された電圧センス端子との間に、ブロッキング
・コンデンサ、すなわち、分離コンデンサがそなえられ
る。本発明では、一定の大きさを有する磁気抵抗センサ
のうちのウイング領域の下にある隣接するトラックは、
中央領域の下のトラックによる信号に対し、コヒーレン
トな雑音信号を与えないであろう。中央領域の下のトラ
ックによる信号に対しては、この構成は何の影響も与え
ない。分離コンデンサにより、理髪店の「あめんぼ」柱
状アレイの全体にわたって、センス電流を加えることが
できる。それにより、理髪店の「あめんぼ」柱状アレイ
の安定化効果は失われない。本発明により、高度の安定
化設計がえられると共に、オフ・トラック特性がえられ
る。
ーンの安定性または再現性を損なうことなく、２個の電
気接続線のみを必要とする磁気抵抗センサがえられる。
本発明では、センス電流が磁気抵抗センサの両端にある
端子に供給される。電圧センス端子が磁気抵抗素子の活
性領域に接続される。端部端子と、これらの端部端子の
間に配置された電圧センス端子との間に、ブロッキング
・コンデンサ、すなわち、分離コンデンサがそなえられ
る。本発明では、一定の大きさを有する磁気抵抗センサ
のうちのウイング領域の下にある隣接するトラックは、
中央領域の下のトラックによる信号に対し、コヒーレン
トな雑音信号を与えないであろう。中央領域の下のトラ
ックによる信号に対しては、この構成は何の影響も与え
ない。分離コンデンサにより、理髪店の「あめんぼ」柱
状アレイの全体にわたって、センス電流を加えることが
できる。それにより、理髪店の「あめんぼ」柱状アレイ
の安定化効果は失われない。本発明により、高度の安定
化設計がえられると共に、オフ・トラック特性がえられ
る。
【００１０】本発明により、分離コンデンサを用いるこ
とによって、理髪店の「あめんぼ」柱状アレイの全長に
わたって、直流センス電流を流すことができる。さら
に、これらのコンデンサは、理髪店の「あめんぼ」柱状
アレイによって発生する縦安定化磁界を変えることはな
い。けれども、磁気的に記憶された情報からえられるデ
ータ信号は交流信号であり、そしてこの交流信号は分離
コンデンサによって阻止されることはない。したがっ
て、本発明により作成された磁気抵抗センサの端子を、
直流センス電流と交流データ信号との両方が流れる。コ
ンデンサの静電容量値が大きくなれば、交流データ信号
の減衰は小さくなる。本発明により、４端子磁気抵抗セ
ンサ設計の利点がえられ、かつ、１対の端子のみを使用
する、磁気抵抗センサがえられる。
とによって、理髪店の「あめんぼ」柱状アレイの全長に
わたって、直流センス電流を流すことができる。さら
に、これらのコンデンサは、理髪店の「あめんぼ」柱状
アレイによって発生する縦安定化磁界を変えることはな
い。けれども、磁気的に記憶された情報からえられるデ
ータ信号は交流信号であり、そしてこの交流信号は分離
コンデンサによって阻止されることはない。したがっ
て、本発明により作成された磁気抵抗センサの端子を、
直流センス電流と交流データ信号との両方が流れる。コ
ンデンサの静電容量値が大きくなれば、交流データ信号
の減衰は小さくなる。本発明により、４端子磁気抵抗セ
ンサ設計の利点がえられ、かつ、１対の端子のみを使用
する、磁気抵抗センサがえられる。
【００１１】
【実施例】図１は磁気記憶装置１０の平面図である。磁
気記憶装置１０は磁気記憶ディスク１２と腕１４とを有
する。
気記憶装置１０は磁気記憶ディスク１２と腕１４とを有
する。
【００１２】磁気記憶装置１２はデータ・トラック１８
とデータ・セクタ２０に分割されたディスク表面１６を
有する。データ・トラック１８はディスク表面１６の円
周方向に配置され、そしてデータ・セクタ２０は磁気記
憶ディスク１２の回転中心３０から半径方向に配置され
る。
とデータ・セクタ２０に分割されたディスク表面１６を
有する。データ・トラック１８はディスク表面１６の円
周方向に配置され、そしてデータ・セクタ２０は磁気記
憶ディスク１２の回転中心３０から半径方向に配置され
る。
【００１３】腕１４は支持腕２２と可撓腕２４とを有す
る。可撓腕２４はその先端に滑動子２６を有する。滑動
子２６は磁気抵抗センサ（図１には示されていない）を
有する。
る。可撓腕２４はその先端に滑動子２６を有する。滑動
子２６は磁気抵抗センサ（図１には示されていない）を
有する。
【００１４】腕１４は回転軸２８のまわりに回転するこ
とができ、それにより、滑動子２６はディスク１２の表
面を横断して移動することができる。磁気ディスク１２
は回転軸３０のまわりに回転する。磁気ディスク１２が
回転する時、滑動子２６は磁気ディスク１２の表面１６
からわずかに「浮き上がる」。腕１４が回転軸２８のま
わりに回転することにより、滑動子２６はディスク表面
１６の上で隣接するトラック１８の間を移動する。
とができ、それにより、滑動子２６はディスク１２の表
面を横断して移動することができる。磁気ディスク１２
は回転軸３０のまわりに回転する。磁気ディスク１２が
回転する時、滑動子２６は磁気ディスク１２の表面１６
からわずかに「浮き上がる」。腕１４が回転軸２８のま
わりに回転することにより、滑動子２６はディスク表面
１６の上で隣接するトラック１８の間を移動する。
【００１５】図２は、可撓腕２４と滑動子２６の立体図
である。滑動子２６はレール３２および３４を有する。
レール３２および３４により、滑動子２６の空気力学的
性質がえられる。滑動子２６はまた、本発明による磁気
抵抗センサ３６（第３図をみよ）を有する。磁気抵抗ヘ
ッド３６は導電線３８に接続される。
である。滑動子２６はレール３２および３４を有する。
レール３２および３４により、滑動子２６の空気力学的
性質がえられる。滑動子２６はまた、本発明による磁気
抵抗センサ３６（第３図をみよ）を有する。磁気抵抗ヘ
ッド３６は導電線３８に接続される。
【００１６】図３および図４は滑動子２６の立体図であ
る。磁気抵抗ヘッド３６は、本発明による４個の電気的
接続線を有する。そのうちの２個の電気的接続線は書き
込みコイルとして用いられ、そして残りの２個の電気的
接続線は、本発明により、磁気的に記憶された情報を読
み出すのに用いられる。
る。磁気抵抗ヘッド３６は、本発明による４個の電気的
接続線を有する。そのうちの２個の電気的接続線は書き
込みコイルとして用いられ、そして残りの２個の電気的
接続線は、本発明により、磁気的に記憶された情報を読
み出すのに用いられる。
【００１７】第５図は磁気センサ４０の図面である。磁
気センサ４０は、磁気抵抗ヘッド３６の一部分を構成す
る。磁気抵抗センサ４０は磁気抵抗素子４２を有する。
磁気抵抗センサ４０は、図面に示されているように、磁
気ディスク表面１６のデータ・トラック１８に対向して
配置される。磁気抵抗素子４２は第１端部４４と、第２
端部４６と、中央の活性領域４８とを有する。磁気抵抗
素子４２の長さ方向に沿って等電位ストリップ５０、５
２、５４、５６、５８、６０、６２、６４および６６が
配置される。ストリップ５０、５２、５４、５６、５
８、６０、６２、６４および６６は、磁気抵抗素子４２
に対し、一定の角度（例えば、角度６８）を有して配置
される。磁気抵抗センサ４０は、端子７０および７２
と、コンデンサ７４および７６を有する。コンデンサ７
４は、導電体７８を通して等電位素子５６に接続され、
および導電体８０を通して等電位ストリップ５０に接続
される。コンデンサ７６は、導電体８２を通して等電位
素子６２に接続され、および導電体８４を通して等電位
素子６６に接続される。端子７０および７２は、それぞ
れ、等電位素子５０および６６に接続される。
気センサ４０は、磁気抵抗ヘッド３６の一部分を構成す
る。磁気抵抗センサ４０は磁気抵抗素子４２を有する。
磁気抵抗センサ４０は、図面に示されているように、磁
気ディスク表面１６のデータ・トラック１８に対向して
配置される。磁気抵抗素子４２は第１端部４４と、第２
端部４６と、中央の活性領域４８とを有する。磁気抵抗
素子４２の長さ方向に沿って等電位ストリップ５０、５
２、５４、５６、５８、６０、６２、６４および６６が
配置される。ストリップ５０、５２、５４、５６、５
８、６０、６２、６４および６６は、磁気抵抗素子４２
に対し、一定の角度（例えば、角度６８）を有して配置
される。磁気抵抗センサ４０は、端子７０および７２
と、コンデンサ７４および７６を有する。コンデンサ７
４は、導電体７８を通して等電位素子５６に接続され、
および導電体８０を通して等電位ストリップ５０に接続
される。コンデンサ７６は、導電体８２を通して等電位
素子６２に接続され、および導電体８４を通して等電位
素子６６に接続される。端子７０および７２は、それぞ
れ、等電位素子５０および６６に接続される。
【００１８】データ・センス回路８６が、磁気抵抗セン
サ４０の端子７０および７２に接続される。データ・セ
ンス回路８６は、電流源８８および電圧センサ９０を有
する。電流源８８は、端子７０とアース９２との間に接
続される。電圧センサ９０は、端子７０と端子７２とア
ース９２に電気的に接続される。電圧センサ９０は、磁
気抵抗センサ４０の端子７０と端子７２との間の電位差
を測定する。
サ４０の端子７０および７２に接続される。データ・セ
ンス回路８６は、電流源８８および電圧センサ９０を有
する。電流源８８は、端子７０とアース９２との間に接
続される。電圧センサ９０は、端子７０と端子７２とア
ース９２に電気的に接続される。電圧センサ９０は、磁
気抵抗センサ４０の端子７０と端子７２との間の電位差
を測定する。
【００１９】電流源８８によって駆動されることによ
り、電流が磁気抵抗素子４２の中を等電位素子５０から
等電位素子６６へ向けて流れる。この電流は、等電位素
子５０、５２、５４、５６、５８、６０、６２、６４お
よび６６のおのおのに、これらの素子の端部に垂直の方
向に、流出しそして流入するであろう。
り、電流が磁気抵抗素子４２の中を等電位素子５０から
等電位素子６６へ向けて流れる。この電流は、等電位素
子５０、５２、５４、５６、５８、６０、６２、６４お
よび６６のおのおのに、これらの素子の端部に垂直の方
向に、流出しそして流入するであろう。
【００２０】ブロッキング・コンデンサ７４および７６
は、電流源８８からの直流電流を阻止する。したがっ
て、直流電流は素子５０を通って磁気抵抗センサ４０に
流入し、そして素子６６を通って、磁気抵抗センサ４０
から流出する。データ・トラツク１８は、磁気的に符号
化された情報を有する。この情報は、磁気抵抗センサ４
０の中央（活性）領域４８に、磁界を生ずる。磁気抵抗
センサ４０が磁気ディスク表面１６の上を移動する時、
中央活性領域４８を通り抜ける磁界が変化する。この通
り抜ける磁界が変化すると、磁気抵抗センサ４０の中央
領域４８の抵抗値が変化し、したがって、活性素子４８
の両端の電圧降下が変化する。このことにより、等電位
ストリップ５６と等電位ストリップ６２との間の電圧降
下が変化する。この変化する電圧降下は、ストリップ５
６とストリップ６２との間に交流信号を生ずる。ブロッ
キング・コンデンサ７４および７６は電流源８８から供
給される直流センス電流を阻止するが、ストリップ５６
および６２からの交流データ信号は流れることができ
る。端子７０と端子７２との間に接続された電圧センサ
９０は、ストリップ５６とストリップ６２との間の交流
データ信号を検出する。このデータ信号は、磁気ディス
ク表面１６のデータ・トラック１８に記録されている磁
気的に符号化された情報を表す。
は、電流源８８からの直流電流を阻止する。したがっ
て、直流電流は素子５０を通って磁気抵抗センサ４０に
流入し、そして素子６６を通って、磁気抵抗センサ４０
から流出する。データ・トラツク１８は、磁気的に符号
化された情報を有する。この情報は、磁気抵抗センサ４
０の中央（活性）領域４８に、磁界を生ずる。磁気抵抗
センサ４０が磁気ディスク表面１６の上を移動する時、
中央活性領域４８を通り抜ける磁界が変化する。この通
り抜ける磁界が変化すると、磁気抵抗センサ４０の中央
領域４８の抵抗値が変化し、したがって、活性素子４８
の両端の電圧降下が変化する。このことにより、等電位
ストリップ５６と等電位ストリップ６２との間の電圧降
下が変化する。この変化する電圧降下は、ストリップ５
６とストリップ６２との間に交流信号を生ずる。ブロッ
キング・コンデンサ７４および７６は電流源８８から供
給される直流センス電流を阻止するが、ストリップ５６
および６２からの交流データ信号は流れることができ
る。端子７０と端子７２との間に接続された電圧センサ
９０は、ストリップ５６とストリップ６２との間の交流
データ信号を検出する。このデータ信号は、磁気ディス
ク表面１６のデータ・トラック１８に記録されている磁
気的に符号化された情報を表す。
【００２１】図５に示された本発明の実施例では、ブロ
ッキング・コンデンサ７４および７６は、磁気抵抗セン
サ４０を有するウエハの上に直接に製造される。また、
導電体７８、８０、８２および８４も、ウエハの上に直
接に製造される。端子７０および７２により接合用パッ
ドがえられ、それらにより、磁気抵抗センサ４０への接
続を行なうことができる。本発明により、電流源８８か
らのセンス電流は理髪店の「あめんぼう」柱状の磁気抵
抗センサ４０の全体を流れ、それにより、バルクハウゼ
ン雑音を消すために「ハンマの頭」状構造体による最大
の利点がえられる。ブロッキング・コンデンサ７４およ
び７６により、磁気的に符号化されたデータが検出され
る活性領域が小さくなり、「ウイング」領域（活性領域
４０の両側の２つの領域）によって拾い上げられた偽信
号は、電圧センス素子９０によって検出された交流電圧
信号に寄与することはない。磁気抵抗センサ４０のウイ
ング領域によって拾い上げられた信号は、ストリップ５
０とストリップ５６との間、またはストリップ６２とス
トリップ６６との間の抵抗値の変化の原因となる。けれ
ども、これらの抵抗値の変化によって発生する交流信号
は、いずれも、ブロッキング・コンデンサ７４および７
６によって電気的に短絡される。
ッキング・コンデンサ７４および７６は、磁気抵抗セン
サ４０を有するウエハの上に直接に製造される。また、
導電体７８、８０、８２および８４も、ウエハの上に直
接に製造される。端子７０および７２により接合用パッ
ドがえられ、それらにより、磁気抵抗センサ４０への接
続を行なうことができる。本発明により、電流源８８か
らのセンス電流は理髪店の「あめんぼう」柱状の磁気抵
抗センサ４０の全体を流れ、それにより、バルクハウゼ
ン雑音を消すために「ハンマの頭」状構造体による最大
の利点がえられる。ブロッキング・コンデンサ７４およ
び７６により、磁気的に符号化されたデータが検出され
る活性領域が小さくなり、「ウイング」領域（活性領域
４０の両側の２つの領域）によって拾い上げられた偽信
号は、電圧センス素子９０によって検出された交流電圧
信号に寄与することはない。磁気抵抗センサ４０のウイ
ング領域によって拾い上げられた信号は、ストリップ５
０とストリップ５６との間、またはストリップ６２とス
トリップ６６との間の抵抗値の変化の原因となる。けれ
ども、これらの抵抗値の変化によって発生する交流信号
は、いずれも、ブロッキング・コンデンサ７４および７
６によって電気的に短絡される。
【００２２】図６は本発明に従って作成された磁気抵抗
センサ９４のまた別の実施例である。図６では、磁気抵
抗素子４２の活性領域９６は、磁気ディスク表面１６の
データ・トラツク１８の上に位置している。ブロッキン
グ・コンデンサ９８が、ストリップ５０とストリップ６
２との間に接続される。ブロッキング・コンデンサ９８
は、導電体１００を通してストリップ５０に接続され、
および導電体１０２を通してストリップ６２に接続され
る。素子６６は導電体１０４を通して端子７２に接続さ
れる。
センサ９４のまた別の実施例である。図６では、磁気抵
抗素子４２の活性領域９６は、磁気ディスク表面１６の
データ・トラツク１８の上に位置している。ブロッキン
グ・コンデンサ９８が、ストリップ５０とストリップ６
２との間に接続される。ブロッキング・コンデンサ９８
は、導電体１００を通してストリップ５０に接続され、
および導電体１０２を通してストリップ６２に接続され
る。素子６６は導電体１０４を通して端子７２に接続さ
れる。
【００２３】図６の磁気抵抗センサ９４では、活性領域
９６は磁気抵抗素子４２の端部４６の方向へ移動してい
る。この構成の場合、１個のブロッキング・コンデンサ
９８だけを用いることができる。電流源８８により、ス
トリップ５０とストリップ６６との間の磁気抵抗素子４
２の全長にわたって、センス電流が流れる。けれども、
ブロッキング・コンデンサ９８により、ストリップ６２
とストリップ６６との間に生ずるすべての交流信号は端
子７０を通る。端子７０と端子７２との間に接続された
電圧センサ９０は、端子７０と端子７２との間に生じた
すべての交流信号、すなわち、ストリップ６２とストリ
ップ６６との間に生じたすべての交流信号を検出する。
ブロッキング・コンデンサ９８は、直流電流が導電体１
０２を通ってストリップ６２に流れ込むのを防止する。
９６は磁気抵抗素子４２の端部４６の方向へ移動してい
る。この構成の場合、１個のブロッキング・コンデンサ
９８だけを用いることができる。電流源８８により、ス
トリップ５０とストリップ６６との間の磁気抵抗素子４
２の全長にわたって、センス電流が流れる。けれども、
ブロッキング・コンデンサ９８により、ストリップ６２
とストリップ６６との間に生ずるすべての交流信号は端
子７０を通る。端子７０と端子７２との間に接続された
電圧センサ９０は、端子７０と端子７２との間に生じた
すべての交流信号、すなわち、ストリップ６２とストリ
ップ６６との間に生じたすべての交流信号を検出する。
ブロッキング・コンデンサ９８は、直流電流が導電体１
０２を通ってストリップ６２に流れ込むのを防止する。
【００２４】ブロッキング・コンデンサ９８と導電体１
００、１０２および１０４は、磁気抵抗センサ９４をそ
なえているウエハの上に、直接に製造されることが好ま
しい。第６図に示されている磁気抵抗センサ９４は理髪
店の「あめんぼ」柱状の利点を有し、かつ、２個の端子
だけを必要とする。
００、１０２および１０４は、磁気抵抗センサ９４をそ
なえているウエハの上に、直接に製造されることが好ま
しい。第６図に示されている磁気抵抗センサ９４は理髪
店の「あめんぼ」柱状の利点を有し、かつ、２個の端子
だけを必要とする。
【００２５】コンデンサを選定するさいに、より大きな
コンデンサを用いることにより、オフ・トラック交流デ
ータ読み出し信号に対し、より大きな減衰がえられる。
これらのコンデンサは単一極フィルタの働きを有する。
コンデンサの大きさを選定するさいに、データ信号の周
波数を考慮しなければならない。典型的な場合には、
０．１マイクロファラドのコンデンサで十分であるはず
である。
コンデンサを用いることにより、オフ・トラック交流デ
ータ読み出し信号に対し、より大きな減衰がえられる。
これらのコンデンサは単一極フィルタの働きを有する。
コンデンサの大きさを選定するさいに、データ信号の周
波数を考慮しなければならない。典型的な場合には、
０．１マイクロファラドのコンデンサで十分であるはず
である。
【００２６】本発明により、バルクハウゼン雑音を小さ
くするために、理髪店の「あめんぼ」柱状素子を用いか
つ２個の電気接続線だけで動作する、「ハンマ頭」状磁
気抵抗ヘッドがえられる。本発明では、２つの異なる信
号路をうるために、ブロッキング・コンデンサが用いら
れる。１つの信号路は、理髪店の「あめんぼ」柱状アレ
イの全長を直流センス電流が流れる信号路であり、そし
てもう１つの信号路は、磁気抵抗素子の活性領域の中で
生ずる交流データ信号が流れる信号路である。これらの
ブロッキング・コンデンサは、磁気抵抗センサをそなえ
ているウエハの上に直接に製造される。本発明に従って
作成された磁気抵抗ヘッドには２個の端子だけが用いら
れているから、本発明により、より容易に製造すること
ができ、かつ、信頼性のより高いヘッドをうることがで
きる。
くするために、理髪店の「あめんぼ」柱状素子を用いか
つ２個の電気接続線だけで動作する、「ハンマ頭」状磁
気抵抗ヘッドがえられる。本発明では、２つの異なる信
号路をうるために、ブロッキング・コンデンサが用いら
れる。１つの信号路は、理髪店の「あめんぼ」柱状アレ
イの全長を直流センス電流が流れる信号路であり、そし
てもう１つの信号路は、磁気抵抗素子の活性領域の中で
生ずる交流データ信号が流れる信号路である。これらの
ブロッキング・コンデンサは、磁気抵抗センサをそなえ
ているウエハの上に直接に製造される。本発明に従って
作成された磁気抵抗ヘッドには２個の端子だけが用いら
れているから、本発明により、より容易に製造すること
ができ、かつ、信頼性のより高いヘッドをうることがで
きる。
【００２７】本発明は好ましい実施例に基づいて説明さ
れたけれども、当業者にとっては、本発明の範囲内で、
形式および細部について種々の変更のなしうることがわ
かるであろう。例えば、理髪店の「あめんぼ」柱状磁気
抵抗素子を用いた「ハンマ頭」状磁気抵抗ヘッドが使用
されたが、本発明は、磁気抵抗ヘッドを動作させるのに
必要な端子の数を減らすのが好ましい、磁気抵抗ヘッド
のどの設計にも適用することができる。さらに、コンデ
ンサを用いる場合が示されたけれども、本発明により任
意の形式のフイルタ回路またはフイルタ装置を用いるこ
とができる。
れたけれども、当業者にとっては、本発明の範囲内で、
形式および細部について種々の変更のなしうることがわ
かるであろう。例えば、理髪店の「あめんぼ」柱状磁気
抵抗素子を用いた「ハンマ頭」状磁気抵抗ヘッドが使用
されたが、本発明は、磁気抵抗ヘッドを動作させるのに
必要な端子の数を減らすのが好ましい、磁気抵抗ヘッド
のどの設計にも適用することができる。さらに、コンデ
ンサを用いる場合が示されたけれども、本発明により任
意の形式のフイルタ回路またはフイルタ装置を用いるこ
とができる。
【図１】支持腕と磁気記憶ディスクの平面図。
【図２】可撓腕と滑動子の平面図。
【図３】滑動子の立体図。
【図４】第３図の滑動子に取り付けられた磁気抵抗ヘッ
ドの立体図。
ドの立体図。
【図５】本発明によって作成された磁気抵抗ヘッドの第
１実施例の図面。
１実施例の図面。
【図６】本発明により作成された磁気抵抗ヘッドの第２
実施例の図面。
実施例の図面。
４２ 磁気抵抗ストリップ ４４ 第１端部 ４６ 第２端部 ５０ 第１導電パッド ６６ 第２導電パッド 52,54,56,58,60,62,64 導電ストリップ ７４ 第１コンデンサ ７６ 第２コンデンサ ７０，７２ 電気端子 ５６ 第１導電ストリップ ６２ 第２導電ストリップ ４８ 活性領域 ９８ コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 相互に対向した第１端部および第２端部
を有する細長い磁気抵抗ストリップと、前記磁気抵抗ストリップの 前記第１端部および前記第２
端部にそれぞれ電気的に結合された第１端子および第２
端子と、 前記第１端部と前記第２端部との間において前記磁気抵
抗ストリップに取り付けられかつ相互に間隔をもって配
置された複数個の導電性等電位ストリップであって、バイアス電流がこれらの等電位ストリップを通って流れ
ると前記磁気抵抗ストリップ内にバイアス磁界を発生し
て前記磁気抵抗ストリップの磁区構造を安定にする複数
個の導電性等電位ストリップと、 前記複数個の等電位ストリップの一つである 第１等電位
ストリップと前記第１端子との間に接続された第１コン
デンサと、前記複数個の等電位ストリップの一つである 第２等電位
ストリップと前記第２端子との間に接続された第２コン
デンサであって、前記第２等電位ストリップは、前記第１等電位ストリッ
プよりも前記細長い磁気抵抗ストリップの前記第１端部
から遠く離れた位置に配置されている、第２コンデンサ
とを含み、 前記複数個の等電位ストリップのうちの前記第１等電位
ストリップと前記第２等電位ストリップとが前記細長い
磁気抵抗ストリップの活性領域を定める、 磁気記憶媒体
上の磁界を検出する磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】 磁気抵抗材料の細長いストリップと、 バイアス用電流源に接続するために前記細長いストリッ
プの相互に対向した端部に取り付けられた第１端部端子
および第２端部端子と、 前記端部端子の間の前記細長いストリップの表面に取り
付けられ、かつ、前記端子が前記バイアス用電流源に接
続されると前記細長い磁気抵抗ストリップの磁区構造を
安定化するバイアス磁界を発生するための電流を流す複
数個の平行な導電性ストリップと、 第１導電性ストリップと第２導電性ストリップとの間の
読み出し素子のセンス部分と、 前記第１端部端子を前記第１導電性ストリップに結合す
る第１コンデンサと、 前記第２端部端子を前記第２導電性ストリップに結合す
る第２コンデンサと、を有する磁気抵抗読み出し素子。 - 【請求項３】 磁気記憶媒体上に記憶された情報を検出
するための活性領域と前記活性領域に隣接したウイング
領域とを有する細長い磁気抵抗素子と、 前記細長い磁気抵抗素子の相互に対向した端部に電気的
に結合され、前記磁気抵抗素を流れるセンス電流を供給
する第１端子および第２端子と、 前記細長い磁気抵抗素子の前記ウイング領域で発生する
交流信号を、前記活性領域と前記第１端子との間の前記
ウイング領域の両端間で電気的に短絡するために前記細
長い磁気抵抗素子に接続された装置とを含み、これにより、前記細長い磁気抵抗素子の前記活性領域
は、前記センス電流によって作られる電圧を、検出され
た情報に応答して変調し、これにより前記第１端子と第
２端子に現われる交流情報信号を発生する、 磁気抵抗センサ。 - 【請求項４】 請求項３において、前記細長い磁気抵抗
素子が第２ウイング領域を有し、かつ、前記活性領域が
前記ウイング領域と前記第２ウイング領域との間にあ
り、また、前記第２ウイング領域は前記活性領域と前記
第２端子との間に位置する、 磁気抵抗センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/563,990 US5065094A (en) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | Two terminal magnetoresistive sensor having DC blocking capacitor |
| US563990 | 1990-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124422A JPH06124422A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2693276B2 true JP2693276B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=24252715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020040A Expired - Fee Related JP2693276B2 (ja) | 1990-08-07 | 1991-02-13 | 磁気抵抗センサ及び磁気抵抗読み出し素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065094A (ja) |
| EP (1) | EP0470687B1 (ja) |
| JP (1) | JP2693276B2 (ja) |
| DE (1) | DE69129347T2 (ja) |
| HK (1) | HK1009356A1 (ja) |
| MY (1) | MY106391A (ja) |
| SG (1) | SG47740A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0478256B1 (en) * | 1990-09-27 | 1997-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic head |
| US5420736A (en) * | 1994-04-15 | 1995-05-30 | International Business Machines Corporation | MR read transducer with thermal noise cancellation |
| US5696445A (en) * | 1994-09-26 | 1997-12-09 | Phase Metrics | Method and apparatus for testing the resistive properties of magneto resistive materials using a time variable magnetic field |
| US5587857A (en) * | 1994-10-18 | 1996-12-24 | International Business Machines Corporation | Silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
| JPH0991623A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-04-04 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5654854A (en) * | 1995-11-30 | 1997-08-05 | Quantum Corporation | Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state |
| JP2000099924A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 磁気再生ヘッド |
| ES2219360T3 (es) | 1999-07-09 | 2004-12-01 | Ortho-Mcneil Pharmaceutical, Inc. | Formulaciones liquidas farmaceuticas de sabor enmascarado. |
| CN100346492C (zh) * | 2005-05-20 | 2007-10-31 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 磁敏传感器阵列及其制造方法 |
| US9159344B2 (en) | 2013-05-08 | 2015-10-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive read circuit comprising an AC coupled sense amplifier for amplifying a read signal |
| US9047917B1 (en) | 2013-11-26 | 2015-06-02 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive slider with sense amplifier for coupling to a preamp through a supply/bias line and a read signal line |
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|---|---|---|---|---|
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| DE2615539C2 (de) * | 1975-04-14 | 1986-01-16 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven | Magnetkopf mit magnetoresistivem Element |
| NL168981C (nl) * | 1975-04-15 | 1982-05-17 | Philips Nv | Magnetoweerstand leeskop. |
| US4190871A (en) * | 1975-06-13 | 1980-02-26 | U.S. Philips Corporation | Magnetic converter having a magnetoresistive element |
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-
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- 1990-08-07 US US07/563,990 patent/US5065094A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3020040A patent/JP2693276B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-15 SG SG1996004126A patent/SG47740A1/en unknown
- 1991-03-15 DE DE69129347T patent/DE69129347T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-15 EP EP91302259A patent/EP0470687B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-20 MY MYPI91000463A patent/MY106391A/en unknown
-
1998
- 1998-08-19 HK HK98109999A patent/HK1009356A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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