KR100250551B1

KR100250551B1 - 자기 저항 센서를 사용하는 온도 급변 감소 회로를 가진 디스크 드라이브

Info

Publication number: KR100250551B1
Application number: KR1019970025946A
Authority: KR
Inventors: 하다얄 싱 길
Original assignee: 포만 제프리 엘; 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date: 1996-10-09
Filing date: 1997-06-19
Publication date: 2000-05-01
Also published as: US5737157A; JPH10149516A; JP3628496B2; KR19980032172A; US5793576A; SG53047A1

Abstract

본 발명은 자기저항(magnetoresistive : MR)층에 감지 전류를 공급하는 두개의 리드(lead)와, 소프트 인접 층에(SAL)에 전류를 공급하는 두 개의 리드로 구성된 4개의 리드를 갖는 자기저항(MR) 센서를 구비한 디스크 드라이브를 개시한다. 상기 자기저항(MR)층 및 하드 바이어스(bias)층들은 절연체에 의해 소프트 인접층(SAL)과 전기적으로 절연되어 있다. 자기저항(MR)층 양단에 발생한 전압(온도 급변 및 데이터 필드(field) 때문에 발생하는 전압) 및 소프트 인접층(SAL)에 발생한 전압(온도 급변 때문에 발생하는 전압)이 차동 증폭기의 입력단에 인가되어 온도 급변 신호를 상당히 감소시킨다.

Description

자기 저항 센서를 사용하는 온도 급변 감소 회로를 가진 디스크 드라이브.

본 발명은 자기 매체(magnetic medium)에 기록된 신호를 판독하기 위한 자기저항(magnetoresistive: MR) 판독 센서를 사용하는 직접 접근 저장 장치(directaccess storage device: DASD)에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 본 발명은 온도 급변 효과를 최소화하기 위한 신규한 MR 센서를 갖는 DASD에 관한 것이다.

컴퓨터는 대개 데이터가 기록되고 판독될 수 있는 매체를 갖는 보조 메모리 저장 장치를 포함하고 있다. 회전하는 자기 디스크를 일체로 구성하는 직접 접근 저장 장치(디스크 드라이브)는 디스크 표면상에 자기 형태로 데이터를 저장하는 용도로 통상 사용된다. 데이터는 디스크 표면상에 동심(同芯)이며 방사상으로 이격된 정보 트랙 상에 기록된다. 판독 센서를 포함하는 자기 헤드들은 디스크 표면 상의 트랙으로부터 데이터를 판독하는데 사용된다.

고용량 디스크 드라이브에서는, 보통 MR 헤드라고 하는 자기저항 판독 센서가 널리 사용된다. 그 이유는 자기저항 판독 센서가 박막 필름 유도 헤드보다 더 큰 선밀도로 데이터를 디스크 표면으로부터 판독하는 능력이 있기 때문이다. MR 센서는 MR층에 의해서 감지되는 자속의 세기 및 방향의 함수로서 MR 감지층("MR 소자"라고 한다)의 저항변화를 통해 자계(magnetic field)를 감지한다.

고용량 디스크 드라이브에서 현재 사용되는 MR 센서중 가장 보편적인 것은 비등방성 자기저항(anisotropic magnetoresistive: AMR) 효과를 보여주는 비등방성 자기저항(AMR) 센서이다. AMR 센서에서는, 전자 산란 및 그에 따른 MR층의 저항은 cos²α의 함수(여기서, α는 MR층의 자화 방향 및 MR층 내의 전류 흐름의 방향사이의 각도이다)로 변화한다(도 1). 전자 산란 및 그에 따른 저항은 MR층의 자화가 전류에 평행일 경우에 최대가 되고, MR층의 자화가 전류에 수직일 경우에 최소가 된다. "Magnetoresistive Read Transducer Having Hard Magnetic Bias" 라는 명칭으로 Krounbi 등에게 1991년 5월 21일 허여된 미국 특허 제 5,018,037호에는 AMR 효과에 기초하여 동작하는 MR 센서가 개시되어 있다.

도 1에는, 중앙 영역 (102)에 의해서 분리된 종단 영역 (104 및 106)을 포함하는 종래의 AMR 센서가 나타나 있다. MR층 (110)은 비-자성(non-magnetic)전기전도 스페이서 (115)에 의하여 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL) (120)으로부터 분리되어 있고, 상기 3개의 층들은 모두 중앙 영역 (102) 내에 형성된다. 종단 영역 (104 및 106) 내에 형성된 하드 바이어스층 (130 및 135)는 각각 MR층 (110) 및 SAL (120)에 길이방향 바이어스(longitudinal bias)를 제공한다. 하드 바이어스층 (130 및 135) 위에 형성된 리드 (140 및 145)는 각각 감지 전류(Is)가 전류 소스(도시되지 않음)로부터 MR 센서(100)으로 흐를 수 있도록 전기적으로 접속한다.

앞에서 언급한 바와 같이, MR 센서는 자계(magnetic field)가 변할 때 저항이 변하는 것을 보여준다. 이러한 저항 변화는 MR 소자를 통하여 일정한 감지전류가 흐르도록 함으로써 전압 신호로 변환된다. 주어진 MR 센서에 대한 DC 전압 값은, MR 센서 리드 사이의 총 저항과 일정한 감지전류를 곱한 것이다. MR 센서가 동작하는데 있어서 저항 변화가 중요한 요소이므로, 저항 변화는 MR 센서 및 MR 센서를 포함하는 디스크 드라이브의 성능에 상당한 영향을 미친다.

온도 급변(thermal asperity: TA)으로 알려진 현상은 MR 센서의 온도를 갑자기 100℃ 이상으로 증가시킬 수 있다. 이러한 갑작스런 온도 증가는 트랙으로부터 정보를 판독하는 동안 디스크 표면의 돌출부와 MR 센서가 충돌하거나 또는 거의 충돌하기 때문에 발생한다. 상기 충돌은 MR 센서의 DC 베이스 전압을 상당히 쉬프트(shift)시켜 정보 판독을 불가능하게 한다.

도 2는 DC 베이스(바이어스) 전압 (210), DC 베이스 전압 (210)이 쉬프트(shift)되어 일어나는 온도 급변 전압 (220), 온도 급변 (220)이 없는 경우 디스크로부터 판독되는 데이터 신호 (235), 및 온도 급변 (220)이 일어날 때 디스크로부터 판독되는 데이터 신호 (240)을 보여주는 그래프(graph)이다. 온도 급변 (220)은 DC 베이스 전압의 갑작스런 쉬프트(shift)를 포함하고, 갑작스런 쉬프트 후에는 DC 베이스 전압이 지수 함수적으로 소멸 (230)한다는 점을 유의하여야 한다. DC 베이스 전압의 지수 함수적인 소멸 (230)은 DC 베이스 전압 (210)에 도달할 때까지 계속된다. DC 베이스 전압의 갑작스런 쉬프트 (225)는 데이터 신호 (235)보다 몇 배 더 커서, MR 센서에 직접 또는 간접적으로 접속된 전자회로가 포화 상태가 되게 하고, 그 결과 데이터 손실이 일어난다. 온도 급변 (220)의 크기에 좌우되는 데이터의 손실은 흔히 수 바이트 길이가 될 수 있다.

데이터를 판독할 때 온도 급변에 의한 영향을 최소화하기 위한 디스크 드라이브의 종래 구성은, 값비싼 별도의 급변 감소회로(asperity reduction circuit: ARC)를 사용하거나 또는 정상 동작 모드 및 급변 회복 모드를 갖는 복잡한 데이터 채널(개량된 부분-응답 최대 가능성 채널과 같은 종류임)을 사용한다. 따라서, 복잡한 레코딩 채널(recording channel) 또는 별도의 ARC 모듈을 사용하지 않고도 온도 급변에 의한 영향을 최소화시키는 발명이 요구되어 왔다.

본 발명의 목적은 자기저항 판독 센서를 사용하는 디스크 드라이브에 있어서 온도 급변 현상을 감지하여 상당히 감소시키는 방법 및 수단을 개시하는 것이다.

제1도는 종래 기술 AMR 센서의 투시도.

제2도는 온도 급변 신호 및 트랙(track)에서 판독된 데이터 신호를 보여주는 그래프(graph).

제3도는 본 발명을 구현하는 자기 디스크 저장 시스템을 단순화한 도면.

제4a도는 일정한 비율로 되어있지않은 본 발명의 바람직한 실시예인 AMR 센서의 투시도.

제4b도는 일정한 비율로 되어있지않은 본 발명의 바람직한 실시예인 AMR 센서의 공기 베어링 표면을 나타낸 도면.

제5도는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 온도 급변 감소 방법 및 수단을 보여주는 개략도.

제6a도 내지 제6c도는 DC 바이어스 조건에서 전압신호를 도시한 것으로, 제6a도는 제 1 입력단에서의 전압신호이고, 제6b도는 제 2 입력단에서의 전압신호이며, 제6c도는 차동증폭기의 출력단에서의 전압신호로서, 신호의 앞부분은 온도 급변이 없는 경우에 자기 디스크로부터의 데이터 필드에 대한 전압신호이고, 신호의 뒷부분은 온도 급변이 존재하는 경우에 데이터 필드에 대한 전압신호를 나타내는 그래프.

제7도는 일정한 비율로 되어있지않은 본 발명 AMR 센서의 또다른 실시예의 공기 베어링 표면을 나타낸 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

300 : 디스크 드라이브 312 : 회전 가능한 자기 디스크

314 : 스핀들 318 : 디스크 드라이브 모터

321 : 헤드 400 : AMR 센서

430 : 중앙 능동 영역 460 : 차단(shield)층

네 개의 리드를 갖는 AMR 센서중, 두 개의 리드(제 1 MR 리드 및 제 2 리드로서 MR 리드라고도 한다)는 MR층에 MR 감지 전류를 공급하는 용도이고, 두 개의 리드(제 1 SAL 리드 및 제 2 SAL 리드로서, SAL 리드라고도 한다)는 소프트 인접층(SAL)에 SAL 전류를 공급하는 용도의 네 개의 리드로 된 본 발명의 원리에 따라 상기 본 발명의 목적 및 기타 다른 목적들 및 장점들이 달성된다. 상기 AMR 센서는 중앙 영역에 의하여 서로 분리되는 종단 영역(end region)으로 더 나누어진다. 종단 영역 내에 형성된 하드 바이어스층은 중앙 영역에 형성된 MR층에 길이 방향의 바이어스를 제공한다. 각각의 하드 바이어스층은 MR층과 연속적인 접합을 더 형성한다. MR층에 횡방향 바이어스를 제공하는 SAL은 SAL층의 전체 폭과 높이를 따라 반강자성(反强磁性)(antiferromagnetic: AFM)층과 교환 결합(exchange coupling)에 의해 생긴 횡방향(즉, 공기 베어링 표면에 수직임) 내에 고정된 자화 벡터를 가지는 것이 바람직하다. 더욱이, 중앙 영역에 형성된 MR층뿐만 아니라 종단 영역에 형성된 하드 바이어스층도 절연체에 의하여 SAL로부터 전기적으로 절연되어 있다. MR 소재 및 SAL 소재는 동일한 소재로 되어 있어서 두층 사이의 온도 계수가 일치하도록 하는 것이 바람직하다.

DC 조건하에서, MR층 자항과 MR층에 흐르는 전류의 곱(R_MR* I_MR)은 SAL 저항과 SAL에 흐르는 전류의 곱(R_SAL* I_SAL)과 동일한 값이 되도록 선택된다. MR리드 양단에 발생된 전압은 차동 회로의 제 1 입력단에 인가되고, SAL 리드 양단에 발생된 전압은 차동 회로의 제 2 입력단에 인가된다. 상기 차동회로는 출력단 및 접지(공통임)단을 더 가지고 있다.

온도 급변이 존재하는 경우, MR 및 SAL층은 그 양자의 저항이 실질적으로 동일하게 변하므로 온도 급변 신호가 MR 리드 및 SAL 리드 양단에 발생하여 결과적으로 차동회로의 제 1 및 제 2 단자에 인가된다. 그러나, 디스크로부터 데이터 필드(field)가 존재하는 경우에는 MR층이 SAL로부터 전기적으로 절연되고 있고 SAL 자화가 AFM층에 의하여 고정되어 있으므로, MR층만의 저항이 변한다. 따라서, 디스크 상에 기록된 데이터에 기인하는 전압은 MR 리드 양단에만 발생하고 이 전압은 차동회로의 제 1 입력단에 인가된다.

온도 급변 신호가 차동 회로의 입력단 양자에서 공통으로 존재하므로 온도 급변 신호가 상쇄되고, 제 1 입력단에 존재하는 데이터 신호만이 자동회로에 의하여 감지되어 전파될 것이다.

이하에서 기술하는 것은 본 발명을 수행하기 위하여 지금까지 고안된 최선실시 태양(best mode)이다. 이하의 설명과 다수의 도시된 실시 예들은 본 발명의 일반적인 원리를 설명할 목적으로 기술된 것으로 특허 청구 범위의 발명 개념을 한정하기 위한 것이 아니다.

도 3에는, 본 발명을 구현하는 디스크 드라이브 (300)이 도시되어 있다. 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 적어도 하나의 회전 가능한 자기 디스크(magnetic disk) (312)가 스핀들(spindle) (314) 상에서 지지(support)되고 디스크 드라이브 모터 (318)에 의해서 회전된다. 각각의 디스크 상의 자기 레코딩 매체(magnetic recording media)는 디스크 (312) 상의 동심(同芯)원으로 형성되어 있는 데이터 트랙의 원형패턴 형태로 되어 있다.

적어도 하나의 슬라이더(slider) (313)이 디스크 (312) 상에 위치하고, 각각의 슬라이더 (313)은 하나 이상의 자기 판독/기록 헤드 (321)을 지지하는데, 상기 헤드 (321)은 본 발명의 MR 센서의 일부분을 이룬다. 디스크가 회전하면, 슬라이더 (313)이 디스크 표면 (322) 상에서 지름방향으로 전진 또는 후퇴하여 헤드 (321)이 원하는 데이터가 기록되어 있는 장소인 디스크의 여러 부분에 접근할 수 있다. 각각의 슬라이더 (313)은 서스펜션 (315)에 의하여 액츄에이터 암(actuator arm) (319)에 부착되어 있다. 서스펜션 (315)는 약간의 탄성력을 제공하여 슬라이더 (313)을 디스크 표면 (322)에 대하여 바이어스(bias)시킨다. 각각의 액츄에이터 암 (319)는 액츄에이터 (327)에 부착되어 있다. 도 3에서 보여지는 바와 같이, 액츄에이터 수단은 음성코일 모터(voice coil motor : VCM)일 수 있다. VCM은 고정된 자기장 내에서 움직일 수 있는 코일을 포함하는데, 상기 코일의 운동 방향과 속도는 제어기 (329)에 의해서 제공되는 모터 전류 신호에 의하여 제어된다.

디스크 저장 시스템의 동작 중에, 디스크 (312)가 회전하면 슬라이더 상에서상 방향의 힘 또는 부양력(lift)을 미치는 슬라이더 (313) 및 디스크 표면 (322) 사이의 공기 베어링(air bearing)이 발생한다. 따라서, 공기 베어링은 서스펜션 (315)의 약간의 탄성력과 균형을 이루고, 정상적인 동작시 슬라이더 (313)을 디스크 표면 위에서 대체적으로 일정한 간격만큼 약간 떠있도록 지지한다.

디스크 저장 시스템의 여러 가지 구성요소들의 동작은 제어 유닛 (329)에 의해서 생성되는 액세스 제어 신호 및 내부 클럭 신호와 같은 제어 신호들에 의해 제어된다. 전형적으로, 제어유닛 (329)는 로직 제어 회로, 저장 수단 및 마이크로 프로세서를 포함한다. 제어 유닛 (329)는 라인 (323) 상의 드라이브 모터 제어 신호 및 라인 (328) 상의 헤드 위치 및 탐색 제어 신호와 같은 제어 신호를 발생시켜 여러 가지의 시스템 동작을 제어한다. 라인(328)상의 제어 신호는 원하는 전류 프로파일을 공급하여 슬라이더 (313)을 디스크 (312) 상의 원하는 데이터 트랙으로 최적으로 이동 및 위치시킨다. 판독 및 기록 신호는 레코딩 채널(recording channel) (325)에 의하여 기록 및 판독 허드 (321)과 양방향으로 통신한다.

상기에서 기술한 전형적인 자기 디스크 저장 시스템 및 도 3의 예시는 소개의 목적만을 가진다. 디스크 저장 시스템이 다수개의 디스크 및 액츄에이터를 포함할 수 있으며 각각의 액츄에이터가 다수의 슬라이더를 지지할 수 있다는 사실은 명백하다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일정한 비율로 되지 않은 본 발명의 바람직한 실시예인 AMR 센서 (400)의 투시도 및 공기 베어링 표면도가 나타나 있다. AMR 센서 (400)은 중앙 능동 영역(central active region) (430)에 의해서 분리된 수동 종단 영역(passive end region) (410 및 420)을 포함하고 있다. 자기 차폐층 (460) 및 갭 레이어(gap layer) (458)은 적당한 기판 (462) 위에 형성되는 것이 바람직하지만 필수적인 것은 아니다. 차폐층 (460)은 MR 센서 (400)을 자기적으로 절연시키는데, 전형적으로는 NiFe 또는 sendust(등록 상표임) 로 만들어진다. 갭 레이어(gap layer) (458)은 MR 센서 (400)을 자기적으로 절연시키는데, 일반적으로 Al₂O₃또는 SiO₂로 만들어진다. 갭 레이어 (458)을 형성한 후, 반강자성층(antiferromagnetic layer) (456), 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL) (454) 및 절연층 (452)가 갭 레이어 위에 형성된다. 반강자성(AFM)층 (456)은 SAL (454)의 자화를 일정한 방향으로 고정시키는데 사용된다. AFM층 (456)은 AFM (456)의 온도 계수가 SAL (454)에 의해서 감지되는 온도 급변 신호(thermal asperity signal)의 형상에 영향을 끼치지 않도록 보장하기 위하여 바람직하게 NiO로 만들어진다. 다른 방법으로는, AFM층 (456)은 FeMn 또는 NiMn 으로 만들 수도 있다. SAL (454)는 바람직하게는 NiFe로 만들어지며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 상기 SAL (454)의 자화가 공기 베어링 표면(air bearing surface: ABS) (466)에 수직이 되거 고정되어 있다(ABS는 MR 센서를 포함하고 자기 디스크 표면에 인접하는 자기 헤드의 표면을 말한다). MR 센서 (400)은 MR층 (436) 및 바람직하게는 시드층(seed layer) (446)을 포함하는데, 이들 두층은 절연체 (452) 위의 중앙 영역 (430) 내에 형성된다. 시드층 (446)은 MR층의 자기 특성을 향상시키기 위하여 사용되고, 탄탈륨(tantalum)으로 만들어진다. 외부 필드(external field) 내에서 자유롭게 회전하는 자화를 갖는 MR층 (436)은 NiFe 또는 NiFe/Co와 같은 일반적으로 소프트 강자성체로 만들어지고 바람직하게는 NiFe로 만들어진다. MR층 (436)의 자화는 일반적으로 외부 필드가 없는 경우 공기 베어링 표면에 평행하게 세트(set)된다. 종단 영역 (410 및 420) 내에 형성되는 하드 바이어스층 (442 및 444) 는 각각 MR층 (436)에 길이 방향의 바이어스 필드를 제공하여 MR층 (436)에 대한 단일 자기 자구 상태(single magnetic domain state)를 보장한다. 하드 바이어스층 (442 및 444)는 CoPtCrTa 또는 CoPtCrSiO₂로도 만들 수 있지만, 바람직하게는 CoPtCr 로 만들어진다. 하드 바이어스층 (442 및 444)는 MR층 (436)과 연속 접합을 더 형성한다.

MR 센서 (400)은 4개의 전기적인 리드를 더 포함한다. 종단 영역 (410 및 420) 내에 각각 형성된 리드 (448 및 450)은 제 1 및 제 2SAL 리드라고 하는데, 이들은 SAL (454) 및 SAL 전류 소스 (570 : 도 5참조)을 전기적으로 접속한다. SAL 전류소스(570)은 SAL(454)에 전류(SAL 전류라고 함)를 공급하여 SAL(454)를 가로질러 DC 베이스(바이어스) 전압을 형성한다. 종단 영역 (410 및 420) 내에 형성된 리드 (438 및 440) 각각을 제 1 및 제 2 MR 리드라고 하는데, 이들은 MR층 (436) 및 MR 전류 소스 (575 : 도 5참조) 사이를 전기적으로 접속한다. MR 전류 소스 (575)는 MR층 (436)에 필요한 감지 전류를 공급하여 MR층 (436)을 가로질러 DC 베이스(바이어스)전압을 형성한다.

본 발명의 MR 센서 (400)은, SAL층 (454)가 MR층 (436) 및 하드 바이어스층 (442 및 444)로부터 전기적으로 절연되어 있다는 점에 유의하여야 한다. 전기적으로 완전히 절연되면 MR 전류 소스 (575)에서 공급된 MR층 (436) 내의 전류의 흐름이 SAL에 의해 어느 방향으로도 분류(分流)되지 않도록 해준다. SAL (454) 와 MR층 (436) 및 하드 바이어스층 (442 및 444) 사이의 전기적 절연이 SAL (454) 및 MR층 (436) 및 하드 바이어스층 (444 및 442) 사이에 배치된 절연체 (452)층에 의하여 달성된다. 절연체 (452)는 전형적으로 Al₂O₃또는 SiO₂로 만들어진다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 온도 급변 감소 회로가 나타나 있다. 회로 (500)은 MR 센서 (400)을 포함하고 있는데, 이 MR 센서는 제 1 MR 리드 (438) 및 제 2 MR 리드 (440) 및 제 1 SAL 리드 (448) 및 제 2 SAL 리드 (450), MR 전류 소스 (575), SAL 전류 소스 (570) 및 차동회로(differential circuit) (580)을 갖는다. 차동회로 (580)은 제 1 및 제 2 입력단 (583 및 585), 출력단 (588) 및 접지 단자 (587)을 포함한다.

도 5를 다시 참조하면, MR 리드 (438 및 440)은 MR 전류 소스 (575)에 접속되고 MR층 (436)에 필요한 전류를 공급하여 MR층 (436)을 가로지르는 DC 바이어스 전압을 형성한다. SAL 리드 (448 및 450)들은 SAL 전류 소스 (570)에 접속되어서 SAL (454)에 필요한 전류를 공급하여 바이어스 조건(외부 자계가 존재하지 않음)하에서, MR층 (436) 저항과 MR층 (436)을 통과하는 전류를 곱한 값이 SAL (454) 저항과 SAL (454)를 통과하는 전류를 곱한 값 (SAL 양단의 전압 강하)과 같게 된다.

본 발명의 바람직한 실시예에서는,

MR 스트립의 높이(strip height) = 1 ㎛;

MR층 너비(layer width) = 2 ㎛;

MR층 두께(layer thickness) = 150 Å;

MR층의 비저항 (ρ) = 25μΩcm; 및

MR 저항 = 32 Ω 이다.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서는,

SAL 높이(height) = 1 ㎛;

SAL 너비(width) = 4 ㎛;

SAL 두께(thickness) = 100 Å;

SAL 의 비저항 (ρ) = 25μΩcm; 및

SAL 저항 = 100 Ω 이다.

본 발명의 바람직한 실시예에서는, MR 감지 전류는 10mA 인데, 이는 SAL 전류가 3.2mA로 세트되어 DC 바이어스 조건에서

R_MR* I_MR= R_SAL* I_SAL이 되게 한다.

도 5를 다시 참조하면, 제 1 MR 리드 (438)은 와이어 (582)를 통하여 차동회로 (580)의 제 1 입력단 (583)에 연결되어 있고, 제 1 SAL 리드 (448)은 와이어 (584)를 통하여 차동회로 (580)의 제 2 입력단 (585)에 연결되어 있다. 리드 (440 및 450)들은 바람직하게는 공통 와이어링 패드(common wiring pad) (577)에 연결되어 있다. 공통 패드 (577)은 와이어 (586)을 통하여 차동회로 (580)의 접지 (587)에 연결된다. 차동회로 (580)의 출력단 (588)은 그후 데이터 레코딩 채널 (525)에 연결되어 도 3에 기술된 바에 따라서 추가적으로 처리된다. 상기 레코딩 채널 (525) 및 차동회로 (580)을 합쳐서 레코딩 시스템 (590)이라 한다. 차동회로 (580)은 ㅂ람직하게는 단일 실리콘 칩 내에 집적된 실리콘-기반 고속 차동 증폭기인데, 칩 내에는 데이터 레코딩 채널 (525)도 집적되어 잇다. 차동회로 (580)은 차분 이득(differential gain)을 더 가지고 있어서, 제 1 및 제 2 입력단 (583 및 585)에 인가되는 전압 차이로 인한 노드 (588)에서의 출력전압은

V₅₈₈= A * (V₅₈₃- V₅₈₅)

로 표시될 수 있고, 수식에서 A는 차동회로 (580)의 차분 이득이다.

도 6a 내지 6c는 DC 바이어스 조건에서 전압신호를 도시한 것으로, 도 6a는 제 1 입력단 (583)에서의 전압신호이고, 도 6b는 제 2 입력단 (585)에서의 전압신호이며, 도 6c는 차동증폭기 (580)의 출력단 (588)에서의 전압신호로서, 신호의 앞부분은 온도 급변이 없는 경우에 자기 디스크로부터의 데이터 필드에 대한 전압신호이고, 신호의 뒷부분은 온도 급변이 존재하는 경우에 데이터 필드에 대한 전압신호를 나타내는 그래프이다.

도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 참조하면, DC 바이어스 조건에서(외부 자기장이 부존재함) 제 1 단자 (583)에서의 전압이 R_MR* I_MR(MR층 (436) 양단의 전압 강하) 인 DC 전압 (605)이고, 제 2단자 (585)에서의 전압이 R_SAL* I_SAL(SAL (454) 양단의 전압 강하)인 DC 전압 (610)이며, 출력단(588)에서의 전압이 DC 전압 (615)이다.

자기 디스크로부터 발생하는 데이터 필드와 같은 필드(field)가 있을때는, MR층 (436)의 저항 변화 때문에 MR층 (436) 양단의 전압이 변한다. 데이터 필드가 있을 때 MR층 (436)저항 변화 결과로 MR층 (436) 양단에 발생된 전압은 AC 신호 형태로 표시된다. 결과적으로, 제 1 MR 리드 (438)에 연결된 제 1 입력 단자 (583)에서의 전압신호는 AC 성분 (622) 및 DC 성분 (605)를 갖는 전압 (620)이다. 상기에서 언급한 AC 성분은 디스크로부터 발생하는 필드가 있을 때 MR층 (436)의 저항 변화 때문에 생기는 것이고,

I_MR* ΔR_MR

로 표시되며, 상기에서 언급한 DC 성분은

I_MR* R_MR

이므로,

V₆₂₀= I_MR* ΔR_MR+ I_MR* R_MR이다.

도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 다시 참조하면, 디스크로부터 필드(field)가 존재할 때 SAL (454) 양단의 전압은 변하지 않는데, 그 이유는 SAL (454)가 MR층 (436)으로부터 절연되어 있고 하드 바이어스층 (442 및 444) 및 하드 바이어스층 (442 및 444)의 자화(magnetization)가 AFM (456)에 의하여 고정되어 있기 때문이다. 그 결과, 제 2 입력 단자 (585)의 전압은 DC 바이어스 조건하에서의 전압과 같다. 즉,

V₆₁₀= I_SAL* R_SAL

이다.

디스크로부터의 필드가 존재할 때, 출력 단자 (588)의 전압은 제 1 입력단 (583)의 전압 신호와 제 2 입력단 (585)의 전압 신호의 차이에 회로 (580)의 차분 이득을 곱한 값과 같다. 이를 수식으로 표현하면 다음과 같다.

V₅₈₈= A * (V₅₈₃- V₅₈₅)

V₆₃₀= A * (V₆₂₀- V₆₁₀)

V₆₃₀= A * (I_MR* ΔR_MR+ I_MR* R_MR- I_SAL* R_SAL

SAL (454)에 흐르는 전류 및 저항이 I_MR* R_MR= I_SAL* R_SAL이 되도록 선택되므로, 상기 두 신호로부터 발생하는 기여량이 서로 상쇄되어

V₆₃₀= A * (I_MR* ΔR_MR)

이다.

아래에서는, MR 센서 (400)의 온도를 증가시키는 온도 급변 현상이 디스크트랙으로부터 데이터를 판독하는 동안 발생하는 것으로 가정한다. 이러한 조건에서는, 제 1 입력단 (583)의 전압은 AC 성분 (637) 및 DC 성분 (638)을 갖는 전압 (635)가 될 것이다. AC 성분은 디스크로부터 발생하는 필드(field)가 존재할 때 MR층 (436)의 저항 변화에 기인하며

I_MR* ΔR_MR

가 된다.

DC 성분 (638)은

I_MR* R_MR

이며, DC 전압이 갑작스럽게 쉬프트(shift)한 후 쉬프트된 DC 전압이 지수 함수적으로 소멸한다. 따라서,

V₆₃₅= I_MR* ΔR_MR+ I_MR* R_MR

가 된다.

온도가 급변하는 경우, SAL (454)양단의 바이어스 전압이 또한 변화하는데, 그 이유는 SAL (454)의 저항을 변화시키는 요인이 되는 갑작스런 온도 변화 때문이다. 바이어스 전압의 변화(온도 급변 신호)는 DC 전압이 갑작스럽게 쉬프트(shift)한 후 쉬프트된 DC 전압이 지수 함수적으로 소멸한다. 그 결과 제 2 입력단 (585)의 전압은

V₆₄₀= I_SAL* R_SAL

이다.

아래에서는, 온도 급변 현상이 디스크 트랙으로부터 데이터를 판독하는 동안 발생하는 것으로 가정한다. 이러한 조건에서는, 출력단 (588)의 전압은 제 1 입력단 (583)의 전압 신호와 제 2 입력단 (585)의 전압 신호의 차이에 회로 (580)의 차분이득을 곱한 값과 같다. 이를 수식으로 표현하면 다음과 같다.

V₅₈₈= A * (V₅₈₃- V₅₈₅)

V₆₄₅= A * (V₆₃₅- V₆₄₀)

V₆₄₅= A * (I_MR* ΔR_MR+ I_MR* R_MR- I_SAL* R_SAL

SAL (454)에 흐르는 전류 및 저항이 I_MR* R_MR= I_SAL* R_SAL이 되도록 선택되고, MR층 (436)의 소재(material) 및 SAL (454)의 소재가 같은 온도 계수를 갖도록 선택되므로, MR층 (436) 및 SAL층 (454) 양단에 발생하는 온도 급변 신호들은 대체적으로 동일한 모양, 크기 및 위상을 갖는다. 따라서, 상기 방정식에서 I_MR* R_MR및 I_SAL* R_SAL은 서로 상쇄되어,

V₆₄₅= A * (I_MR* ΔR_MR)

가 된다.

실제적인 구현에서는, 좁은 신호 스파이크 (665)(narrow signal spike)는 보통 DC 전압의 갑작스런 쉬프트가 발생할 때 출력단 (588)에 나타나는데, 상기 DC 전압의 갑작스런 쉬프트의 발생은

(1) MR층 (436) 및 SAL (454)의 저항,

(2) MR 및 SAL 리드의 저항,

(3) SAL 전류 소스 (570) 및 MR 전류 소스 (575) 및

(4) 차동회로의 내부적인 불일치

사이에 존재하는 유한한 물리적인 불일치에 기인한다. 그러나, 이러한 스파이크는 일반적으로 몇개의 비트 길이(a few bits long) 동안만 지속되므로 데이터 손실을 일으키지는 아니한다.

도 7에는, 일정한 비율로 되지 않은 본 발명의 또 다른 실시예인 AMR 센서의 공기 베어링 표면도가 나타나 있다. AMR 센서 (700)은 중앙 능동 영역 (720)에 의해 분리되는 수동 종단 영역 (705 및 710)을 포함한다. 자기 차폐층(magnetic shield layer) (762) 및 갭층(gap layer) (760)은, 일반적으로는 적당한 기판 (764) 위에 형성되어 있지만 필수적인 것은 아니다. 차폐층 (762)는 MR 센서 (700)을 자기적으로 절연시키고, 전형적으로는 NiFe 또는 sendust(등록 상표임)로 만들어진다. 갭레이어(gap layer) (760)은 MR 센서 (700)을 자기적으로 절연시키고, 일반적으로 Al₂O₃또는 SiO₂로 만들어진다. 갭 레이어 (760)을 형성한 후, 반강자성층(antiferromagnetic layer) (758). 온도 급변 보상층(asperity compensation layer: ACL) (760) 및 절연층 (754)가 갭 레이어 위에 형성된다. 반강자성(AFM)층 (758)은 ACL (756)의 자화를 일정한 방향으로 고정시키는데 사용된다. AFM층 (758)은 AFM (758)의 온도 계수가 ACL (756)에 의해서 감지되는 온도 급변 신호의 형상에 영향을 끼치지 않도록 하기 위하여 바람직하게 NiO로 만들어진다. 또 다른 방법으로는, AFM층 (758)은 FeMn 또는 NiMn으로 만들 수도 있다. ACL (756)은 바람직하게는 NiFe로 만들어지며 그 ACL (756)의 자화는 공기 베어링 표면(air bearing surface) (746)과 수직으로 고정되어 있다. 또다른 방법으로는, ACL (756)은 구리(copper) 또는 탄탈륨(tantalum)과 같은 MR층 (748)과 같거나 상당히 비슷한 온도 계수를 갖는 비-자성 전기도전체(non-magnetic electrically conducing material)로 만들 수도 있다. ACL (756)이 비-자성 소재로 만들어진다면 AFM층 (758)은 불필요하다는 점을 유의하여야 한다. MR 센서 (700)은 중앙 영역 (720) 내에 형성된 MR층 (748)을 더 포함한다. 상기 MR층 (748)은 비-자성 전기전도 스페이서(spacer) (750)에 의하여 소프트 인접층(SAL) (752)와 분리되어 있다. 중앙 영역 (720) 내에 형성된 SAL (752)는 MR층 (720)을 가로지르는 바이어스 필드를 제공한다. ACL (756)이 자성 소재(magnetic material)로 만들어진 경우에는 ACL의 자화 및 SAL의 자화는 동일방향이 되어야 한다. 외부 필드(external field) 내에서 자유롭게 회전하는 자화를 갖는 MR층 (748)은 NiFe/Co와 같은 일반적으로 소프트 강자 성체로 만들어지고 바람직하게는 NiFe로 만들어진다. MR층 (748)의 자화는 일반적으로 외부필드가 없는 경우 공기 베어링 표면과 평행하게 세트(set)된다. MR층 (748), 스페이서층 (750) 및 SAL (754)들을 MR 소자 (770)이라 한다.

종단 영역 (705 및 710) 내에 형성된 하드 바이어스층 (742 및 744)는 각각 MR층 (748)에 길이 방향의 바이어스 필드를 제공하여 MR층 (748)에 대하여 단일 자기 도메인(single magnetic domain) 상태가 되게 한다. 하드 바이어스층 (742 및 744)는 CoPtCrTa 또는 CoPtCrSiO₂로 만들 수 있지만, 바람직하게는 CoPtCr로 만들어진다. 하드 바이어스층 (742 및 744)는 MR층 (436)과 연속되는 접합을 더 형성한다.

MR 센서 (700)은 4개의 전기적인 리드를 더 포함한다. 종단 영역 (705 및 710) 내에 형성되는 리드 (728 및 730)은 각각 제 1 및 제 2 ACL 리드라고 하는데, 이들은 ACL (756) 및 ACL 전류 소스(나타나 있지 않음)사이를 전기적으로 접속한다. ACL 전류 소스는 ACL (756)에 전류(ACL 전류라고 함)를 공급하는 ACL (756) 양단의 DC 베이스(바이어스)전압을 형성한다. 종단 영역 (705 및 710) 내에 형성된 리드 (738 및 740)은 각각 제 1 및 제 2 MR 리드라고 하는데, 이들은 MR층 (748) 및 MR 전류 소스(나타나 있지 않음) 사이를 전기적으로 접속한다. MR 전류 소스는 MR층 (748)에 필요한 감지 전류를 공급하여 MR층 (748) 양단에 DC 베이스(바이어스) 전압을 형성한다.

본 발명의 MR 센서 (700)에서는 ACL (756)이 MR 소자 (770) 및 하드 바이어스층 (742 및 744)로부터 전기적으로 절연되어 있다는 점을 유의하여야 한다. 전기적으로 완전히 절연되면 MR 전류 소스에서 공급된 MR 소자 (770) 내의 전류의 흐름이 ACL (756)에 의해 분류(分流)되지 않도록 해준다. ACL (756) 및 MR 소자 (770) 및 하드 바이어스층 (742 및 744) 사이의 전기적 절연은 ACL (756) 및 MR 소자 (770) 및 하드 바이어스층 (744 및 742)사이에 배치된 절연 소재 (754)층에 의해 이루어진다. 절연체 (754)는 전형적으로 Al₂O₃또는 SiO₂로 만들어진다.

본 발명의 또 다른 실시예에서는, 도 5의 MR 센서 (400)은 다른 MR 센서 (700)에 의해 대체되어, 온도 급변 감소 회로 (500)을 사용하여 온도 급변을 감지하여 감소시키는 기능을 한다.

본 발명은 바람직한 실시 예를 참조하여 특별히 도시되고 기술되었지만, 본 발명의 정신, 범위, 및 개시내용에서 이탈함이 없는 당업자는 본 발명으로부터 다양한 변경을 가할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면, 비록 본 발명의 바람직한 실시예에서는 네 개의 리드를 갖되 그중 두 개는 함께 단락되어 있는, MR 센서와 관련하여 기술되었지만, 본 발명은 MR층 및 SAL 사이에서 하나의 공통 리드(접지 리드)를 갖는 3개의 리드만을 갖는 MR 센서에도 똑같이 적용될 수 있다.

따라서, 본 명세서에서 개시된 본 발명은 예시된 실시예에 의해 제한되는 것이 아니라, 첨부하는 특허청구범위에 의해서만 제한된다는 점을 이해하여야 한다.

내용 없음.

Claims

자기저항 센서에 있어서,

a) 자기저항(magnetoresistive: MR)층(layer);

b) 자기저항(MR)층에 의하여 서로 분리되어 있고, 자기저항(MR)층과 연속적인 접합을 형성하는 제 1 및 제 2 하드 바이어층(hard bias layer);

c) 전기 절연체;

d) 절연체에 의하여 상기 자기저항(MR)층 및 상기 하드 바이어스층으로부터 분리된 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL);

e) 자기저항(MR)층에 감지 전류를 공급하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층위에 배치된 제 1 및 제 2 자기저항(MR) 리드; 및

f) 소프트 인접층(SAL)에 소프트 인접층(SAL) 전류를 공급하기 위하여 소프트 인접층(SAL) 위에 배치된 제1 및 제 2 소프트 인접층(SAL) 리드를 포함하는 자기 저항(magnetoresistive: MR) 센서.
제 1 항에 있어서, 상기 소프트 인접층(SAL)의 자화(magnetization)를 고정(pin)하기 위한 반강자성(反强磁性)(antiferromagnetic(AFM))층을 더 포함하고, 상기 소프트 인접층은 상기 반강자성층 위에 배치되는 자기저항(MR) 센서.
제 1항에 있어서, 상기 자기저항(MR)층이 NiFe 및 NiFe/Co로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저항(MR) 센서.
제 1항에 있어서, 상기 전기 절연체가 Al₂O₃및 SiO₂로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저항(MR) 센서.
제 2항에 있어서, 상기 반강자성(AFM)층이 FeMn, NiMn 및 NiO를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저항(MR) 센서.
제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층들이 CoPtCr, CoPtCrTa 및 CoPtCrSiO₂를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저항(MR) 센서.
자기저장 시스템에 있어서,

a) 데이터를 기록하기 위한 자기 저장 매체;

b) 자기 저장 매체로부터 정보를 판독하기 위한 자기저항(MR) 센서－여기서 자기저항(MR) 센서는

ⅰ) 자기저항(MR)층(layer);

ⅱ) 자기저항(MR)층에 의하여 서로 분리되어 있고, 자기저항(MR)층과 연속적인 접합을 형성하는 제 1 및 제 2 하드 바이어스층(hard bias layer);

ⅲ) 전기 절연체;

ⅳ) 전기 절연체에 의하여 상기 자기저항(MR)층 및 상기 하드 바이어스층으로부터 분리된 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL);

ⅴ) 자기저항(MR) 소자에 감지 전류를 공급하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층위에 배치된 제 1 및 제 2 자기저항(MR)리드; 및

ⅵ) 소프트 인접층(SAL)에 소프트 인접층(SAL) 전류를 공급하기 위하여 소프트 인접층(SAL) 위에 배치된 제 1 및 제 2 소프트 인접층(SAL) 리드를 포함함－

c) 자기 저항 매체에 기록된 데이터를 나타내는 인가된 자기 필드에 응답하여 자기저항(MR) 감지 소자의 저항 변화를 감지하기 위하여 상기 자기저항(MR) 센서에 결합된 레코딩 채널(recording channel)을 포함하는 자기 저장 시스템.
제 7항에 있어서, 상기 소프트 인접층(SAL)의 자화(magnetization)를 고정(pin)하기 위한 반강자성(反强磁性)(antiferromagnetic(AFM))층을 더 포함하고, 상기 소프트 인접층은 상기 반강자성층 위에 배치되는 자기저장 시스템.
제 7항에 있어서, 상기 자기저항(MR)층이 NiFe 및 NiFe/Co 로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저장 시스템.
제 7항에 있어서, 상기 전기 절연체가 Al₂O₃및 SiO₂로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저장 시스템.
제 8항에 있어서, 상기 반강자성(AFM)층이 FeMn, NiMn 및 NiO를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저장 시스템.
제 7항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층들이 CoPtCr, CoPtCrTa 및 CoPtCrSiO₂를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저장 시스템.
제 7항에 있어서, 상기 레코딩 체널이 상기 자기 저장 매체내의 데이터를 판독하는 동안 온도 급변 현상(thermal asperity phenomena)에 응답하여 상기 자기저항(MR) 감지층 및 상기 소프트 인접층(SAL) 내의 저항 변화를 감지하기 위하여 제 1 자기저항(MR) 리드 및 제 1 소프트 인접층(SAL) 리드에 각각 연결된 제 1 및 제 2 입력단을 갖는 차동 회로를 더 포함하는 자기 저장 시스템.
자기저항 센서에 있어서,

a) 자기저항(MR)층, 스페이서(spacer), 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL)을 포함하며, 자기저항층이 스페이서에 의하여 소프트 인접층(SAL) 로부터 분리되어 있는 자기저항(MR) 소자;

b) 자기저항(MR) 소자에 의하여 서로 분리되어 있고, 자기저항(MR) 소자와 연속적인 결합을 형성하는 제 1 및 제 2 하드 바이어스층(hard bias layer);

c) 전기 절연체;

d) 절연체에 의하여 자기저항(MR) 소자 및 하드 바이어스층으로부터 분리된 급변 보상층(asperity compensation layer: ACL);

e) 자기저항(MR) 소자에 감지 전류를 공급하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층위에 배치된 제 1 및 제 2 자기저항(MR) 리드; 및

f) 급변 보상층(ACL)에 전류를 공급하기 위하여 급변 보상층(ACL) 위에 배치된 제 1 및 제 2 급변 보상층(ACL) 리드를 포함하는 자기 저항(magnetoresistive: MR) 센서.
제 14항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL) 이 NiFe를 포함하는 자기 저항(MR) 센서.
제 15항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL)의 자화(magnetization)를 고정(pin)하기 위하여 반강자성(反强磁性)(antiferromagnetic(AFM))층을 더 포함하고, 상기 급변 보상층은 상기 반강자성층 위에 배치되는 자기저항(MR) 센서.
제 14항에 있어서, 상기 자기 저항(MR)층이 NiFe 및 NiFe/Co로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저항(MR) 센서.
제 14항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL) 이 구리(copper) 및 탄탈륨(tantalum) 으로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저항(MR) 센서.
제 16항에 있어서, 상기 반강자성(AFM)층이 FeMn, NiMn 및 NiO를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저항(MR) 센서.
제 14항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층들이 CoPtCr, CoPtCrTa 및 CoPtCrSiO₂를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저항(MR) 센서.
자기저장 시스템에 있어서,

a) 데이터를 기록하기 위한 자기 저장 매체;

b) 상기 자기 저장 매체로부터 정보를 판독하기 위한 자기저항(MR) 센서－여기서 자기저항(MR) 센서는

ⅰ) 자기저항(MR)층, 스페이서(spacer), 소프트 인접층(soft adjacent layer: SAL)을 포함하며, 스페이서에 의하여 소프트 인접층(SAL) 로부터 분리되어 있는 자기저항(MR) 소자;

ⅱ) 자기저항(MR) 소자에 의하여 서로 분리되어 있고, 자기저항(MR) 소자와 연속적인 접합을 형성하는 제 1 및 제 2 하드 바이어스층(hard bias layer);

ⅲ) 전기 절연체;

ⅳ) 전기 절연체에 의하여 자기저항(MR) 소자 및 하드 바이어스층으로부터 분리된 급변 보상층(asperity compensation layer:ACL);

ⅴ) 자기저항(MR) 소자에 감지 전류를 공급하기 위하여 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층위에 배치된 제 1 및 제 2 자기저항(MR) 리드; 및

ⅵ) 급변 보상층(ACL)에 전류를 공급하기 위하여 급변 보상층(ACL)위에 배치된 제 1 및 제 2 급변 보상층(ACL) 리드를 포함함－;

c) 상기 자기 저항 매체에 기록된 데이터를 나타내는 인가된 자기 필드에 응답하여 상기 자기저항(MR) 감지 소자의 저항 변화를 감지하기 위하여 상기 자기 저항(MR) 센서에 결합된 레코딩 채널을 포함하는 자기 저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL)이 NiFe를 포함하는 자기 저장 시스템.
제 22항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL)의 자화(magnetization)를 고정(pin)하기 위한 반강자성(反强磁性)(antiferromagnetic(AFM))층을 더 포함하고, 상기 급변 보상층은 상기 반강자성층 위에 배치되는 자기저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 자기 저항(MR)층이 NiFe 및 NiFe/Co로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 급변 보상층(ACL) 이 구리(copper) 및 탄탈륨(tantalum) 으로 이루어진 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 반강자성(AFM)층이 FeMn, NiMn 및 NiO를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기 저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 하드 바이어스층들이 CoPtCr, CoPtCrTa 및 CoPtCrSiO₂를 포함하는 군(group) 중에서 선택되어지는 물질로 된 자기저장 시스템.
제 21항에 있어서, 상기 레코딩 체널이 상기 자기 저장 매체내의 데이터를 판독하는 동안 온도 급변 현상에 응답하여 상기 자기저항(MR) 감지 소자 및 상기 급변 보상층(ACL) 내의 저항 변화를 감지하기 위하여 제 1 자기저항(MR) 리드 및 제 1 급변 보상층(ACL) 리드에 각각 연결된 제 1 및 제 2 입력단을 갖는 차동 회로를 더 포함하는 자기 저장 시스템.