JP2009252343A - 再生記録磁気ヘッド、ならびに多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法 - Google Patents

再生記録磁気ヘッド、ならびに多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】再生センサおよび主磁極層の突出量を独立して制御することが可能な再生記録磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】再生ヘッド１００Ａは、下部絶縁層２の内部における再生センサ６のセンサ先端部３１に近い側に、その再生センサ６を加熱して突出させるＤＦＨ（ダイナミックフライヒータ）３を含んでいる。記録ヘッド１００Ｂは、下部絶縁層１６の内部における主磁極層１８の記録磁極先端部１４に近い側に、その主磁極層１８を加熱して突出させるＤＦＨ１７を含んでいる。ＤＦＨ３，１７により、再生センサ６および主磁極層１８の突出量が独立して制御されるため、ガンマ比（再生センサ６の突出量／主磁極層１８の突出量）が１となるように調整される。
【選択図】図１

Description

本発明は、再生ヘッドおよび記録ヘッドを備えた再生記録磁気ヘッド、ならびに多層構造中にダイナミックフライヒータを有する多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法に関する。
２００ギガビット／インチ2 を越える高面記録密度のディスクドライブ用途では、長手磁気記録（ＬＭＲ：lateral magnetic recording）方式に代わり、垂直磁気記録（ＰＭＲ：perpendicular magnetic recording）方式が主流の技術になりつつある。これに伴い、ヘッドサイズは益々小型化される傾向にある。
垂直磁気記録方式では、単磁極ヘッドと、二層媒体型の磁気記録ディスクとが組み合わせて用いられている。記録磁界の強度が増加し、良好な再生バック信号が得られ、面記録密度が高くなるため、長手磁気記録方式を大幅に上回る利点が得られるからである。
磁気ヘッドの開発分野では、再生機能および記録機能の双方を有する磁気ヘッドが開発されている。このような磁気ヘッドは、再生センサを備えた再生ヘッドと主磁極層およびコイルを備えた記録ヘッドとを単一構造中に有する再生記録磁気ヘッドである。この再生記録磁気ヘッドは、磁気記録ディスクに対向するエアベアリング面を有しており、再生センサおよび主磁極層の一端部は、エアベアリング面の面内に含まれている。
再生記録磁気ヘッドの動作時における磁気記録ディスクまでの距離（磁気記録ディスクからの高さ）は、フライハイト（またはフライングハイト）と呼ばれている。面記録密度は、再生記録磁気ヘッドが磁気記録ディスクに近づくにしたがって増加することが知られているため、面記録密度を増加させるためには、できるだけフライハイトを小さくする必要がある。
ところが、製造時の工程的要因により、再生センサおよび主磁極層の一端部の位置が一致しにくい（不均一に分布する）ため、厳密にはエアベアリング面が平坦にならない傾向にある。しかも、上記した一端部の位置の不均一な分布状態は、スライダごとに異なる傾向にある。これにより、フライハイトがばらつくため、再生記録磁気ヘッドが動作時において磁気記録ディスクに接触しやすくなる。再生記録磁気ヘッドが磁気記録ディスクに接触すると、再生ヘッドまたは記録ヘッド、あるいは双方がダメージを受けるため、動作信頼性が低下してしまう。
また、再生記録磁気ヘッドの動作時において記録ヘッドのコイルに電流が流れて発熱すると、再生センサおよび主磁極層が熱膨張するため、それらが磁気記録ディスクに向かって突出する傾向にある。これにより、動作時の熱的要因によってもフライハイトがばらつくため、再生記録磁気ヘッドが動作時において磁気記録ディスクに接触しやすくなる。このフライハイトのばらつきを制御するためには、加熱用のヒータを用いることが考えられるが、単にヒータを用いただけでは、フライハイトを厳密に制御することが困難であると共に、再生センサの感度に悪影響を及ぼす可能性もある。
ここで、再生記録磁気ヘッドの性能を表すパラメータとして、再生ヘッド（再生センサ）と記録ヘッド（主磁極層）との間の距離と、記録ヘッドと磁気記録ディスクとの間の距離との間の相関を表すガンマ比が挙げられる。このガンマ比は、再生センサの突出量に対する主磁極層の突出量の比（再生センサの突出量／主磁極層の突出量）である。
再生記録磁気ヘッドの動作信頼性を確保するためには、摩擦力学および磁気的特性の観点から、ガンマ比はできるだけ１に近いことが好ましい。主磁極層の一端部の位置は、再生記録磁気ヘッドが動作時において磁気記録ディスクに最接近する位置であるが、動作信頼性を確保するためには、再生センサの一端部の位置は、主磁極層の一端部の位置と一致するべきではない。なぜなら、再生センサは機械的および磁気的な衝撃に敏感であるからである。望ましくは、再生センサの一端部は、主磁極層の一端部の位置から少なくとも０．５ｎｍは後退している必要がある。
このような状況の中、フライハイトを制御する方法としては、再生ヘッドまたは記録ヘッドのうち、エアベアリング面から遠い側（主磁極層の一端部から離れた側）に、ダイナミックフライヒータ（ＤＦＨ：dynamic fly heater）を設けることが考えられる。このダイナミックフライヒータは、主磁極層を加熱して意図的に熱膨張させることにより、その一端部を磁気記録ディスクに近づけるものである。このダイナミックフライヒータが作動すると、主磁極層だけでなく再生センサも熱膨張するため、その一端部も磁気記録ディスクに近づく。これにより、フライハイトが減少することになる。
このようにヒータを用いてフライハイトを制御する方法については、既にいくつかの具体的な方法が提案されている。
まず、２つのヒータを用いた熱制御メカニズムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この場合には、下部フレキシブル層と中間フレキシブル層との間に再生ヘッド素子および第１ヒータが配置されていると共に、中間フレキシブル層と上部フレキシブル層との間に記録ヘッド素子および第２ヒータが配置されている。３つのフレキシブル層は、２つのヒータの作動時に熱膨張し、その２つのヒータは、それぞれ独立して作動可能になっている。
また、誘導型磁気変換素子のリードに電流が流れる際に、磁気抵抗素子のリードに対するクロストークが抑制されるように、誘導型磁気変換素子および磁気抵抗素子のそれぞれのリードをヒータのリードにより離間させることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
また、磁気記録ヘッドの上側に形成されたオーバーコート層の内部にヒータを設けることが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。このヒータは、所定のシート抵抗値を有する加熱部と、その加熱部に直列に接続されると共にそれよりも低いシート抵抗値を有するリード部とを有している。
また、ヒータ素子の加熱制御層が溶解することを防止するために、ヒートシンク素子を用いることが提案されている（例えば、特許文献４参照。）。この場合において、ヒートシンク素子に取り込まれた熱は、上部シールド層、下部シールド層および磁極層に向かって優先的に流れるため、それ以外の方向に向かって流れる熱量が減少する。
また、電気機械制御メカニズムを用いて第１フライハイトを制御すると共に、熱制御メカニズムを用いて第２フライハイトを制御することが提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
米国特許第７０６８４６８号明細書 米国特許第７１１３３６９号明細書 米国特許第７２０３０３５号明細書 米国特許出願公開第２００６／００７７５９１号 米国特許第６９９９２６５号明細書
しかしながら、従来のヒータを備えた再生記録磁気ヘッドでは、再生センサおよび主磁極層の突出量を厳密に制御することが困難である。また、ガンマ比を調整してフライハイトを制御するために時間を要すると共に、ヒータの消費電力も多くなってしまう。よって、未だ改善の余地が十分にある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、再生センサおよび主磁極層の突出量を独立して制御することが可能な再生記録磁気ヘッド、ならびに多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、短時間かつ低消費電力でガンマ比を制御することが可能な再生記録磁気ヘッド、ならびに多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法を提供することにある。
本発明の再生記録磁気ヘッドは、（ａ）基板の上に形成され、（１）第１絶縁層と、（２）第１絶縁層の上に形成された下部シールド層と、（３）下部シールド層の上に形成され、エアベアリング面に一端部を有する再生センサを内部に有するギャップ層と、（４）第１絶縁層、ギャップ層、または第２絶縁層の内部における再生センサの一端部に近い側に形成されると共に、電源であるプリアンプまたはプリント回路板に接続され、再生時または記録時に再生センサを突出させて一端部を磁気記録ディスクに近づける第１ダイナミックフライヒータとを含む多層構造を有する再生ヘッドと、（ｂ）再生ヘッドの上に形成され、（１）第３絶縁層と、（２）第３絶縁層の上に形成され、エアベアリグ面に一端部を有する主磁極層と、（３）第３絶縁層または第４絶縁層の内部における主磁極層の一端部に近い側に形成されると共に、電源であるプリアンプまたはプリント回路板に接続され、再生時または記録時に主磁極層を突出させて一端部を磁気記録ディスクに近づける第２ダイナミックフライヒータとを含む多層構造を有する記録ヘッドとを備えたものである。
本発明の多層ダイナミックフライヒータ構造体は、（ａ）基板の上に形成され、エアベアリング面に一端部を有する再生センサと、絶縁層またはギャップ層の内部における再生センサの一端部に近い側に形成されると共に電源に接続された第１ダイナミックフライヒータとを含む再生ヘッドと、（ｂ）再生ヘッドの上に形成され、エアベアリング面に一端部を有する主磁極層と、絶縁層の内部における主磁極層の一端部に近い側に形成されると共に電源に接続された第２ダイナミックフライヒータを含む記録ヘッドとを備え、第１および第２ダイナミックフライヒータは、再生センサの突出量と主磁極層の突出量との比を決定するものである。
本発明の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法は、（ａ）基板の上に第１絶縁層を形成し、（ｂ）第１絶縁層に窪みを形成し、（ｃ）窪みの途中まで、第１抵抗値を有する第１ダイナミックフライヒータとなる第１導電層を埋め込み、（ｄ）窪みにおける第１導電層の上に第２絶縁層を形成し、（ｅ）第１および第２絶縁層の上に、再生センサを内部に有するギャップ層を形成し、（ｆ）ギャップ層の上に、（１）第２抵抗値を有する第２ダイナミックフライヒータとなる第２導電層を内部に有する第３絶縁層と、（２）第３絶縁層の上に形成された主磁極層とを含む多層構造体を形成し、（ｇ）再生センサおよび主磁極層の一端部を面内に有するエアベアリング面を形成することにより、第１ダイナミックフライヒータがエアベアリング面から第１距離後退して再生センサの一端部に近い側に位置すると共に、第２ダイナミックフライヒータがエアベアリング面から第２距離後退して主磁極層の一端部に近い側に位置するようにしたものである。
本発明の再生記録磁気ヘッド、または多層ダイナミックフライヒータ構造体あるいはその製造方法では、第１ダイナミックフライヒータにより再生センサの突出量が制御されると共に、第２ダイナミックフライヒータにより主磁極層の突出量が制御される。しかも、第１および第２ダイナミックフライヒータにおいて発生した熱が再生センサおよび主磁極層に伝わりやすいため、再生センサおよび主磁極層を突出させるために要する時間が短くなると共に、第１および第２ダイナミックフライヒータにおいて消費される電力が少なくて済む。
本発明の再生記録磁気ヘッド、または多層ダイナミックフライヒータ構造体あるいはその製造方法によれば、再生ヘッドは、第１絶縁層などの内部における再生センサの一端部に近い側に、その再生センサを突出させる第１ダイナミックフライヒータを含んでいる。また、記録ヘッドは、第３絶縁層などの内部における主磁極層の一端部に近い側に、その主磁極層を突出させる第２ダイナミックフライヒータを含んでいる。よって、再生センサの突出量および主磁極層の突出量を独立して制御することができると共に、短時間かつ低消費電力でガンマ比を制御することができる。
本発明の一実施の形態に係る再生記録磁気ヘッドの構成を表す断面図である。 再生記録磁気ヘッドの主要部の構成を表す平面図である。 ＤＦＨおよびプリアンプを含む電気配線図である。 再生記録磁気ヘッドの製造工程を説明するための断面図である。 図４に続く工程を説明するための断面図である。 図５に続く工程を説明するための断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、本発明の一実施の形態に係る再生記録磁気ヘッドの構成について説明する。図１は、再生記録磁気ヘッドの断面構成を表している。なお、本発明の多層ダイナミックフライヒータ構造体は、以下で説明する再生記録磁気ヘッドに適用されるものである。
以下では、エアベアリング面３０−３０に近い側（図１中左側）を「前」、遠い側（図１中右側）を「後」と表記する。また、ｘ方向の寸法を「長さ」、ｙ方向の寸法を「幅」、ｚ方向の寸法を「厚さ」と表記する。
この再生記録磁気ヘッドは、例えば、基板１の上に、再生ヘッド１００Ａと、記録ヘッド１００Ｂと、保護層２７とがこの順に積層されたものであり、それらに共通する一側面としてエアベアリング面３０−３０を有している。再生記録磁気ヘッドの動作時において、エアベアリング面３０−３０と磁気記録ディスクとの間の距離は、約８ｎｍである。なお、図１では、エアベアリング面３０−３０に垂直な方向における断面（ｘｚ面）を示している。
基板１は、例えば、アルティック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）などにより構成されたスライダである。ただし、基板１は、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの他の材料により構成されていてもよい。
再生ヘッド１００Ａは、例えば、下部絶縁層２と、下部シールド層４と、再生センサ６を内部に有するギャップ層５と、第１上部シールド層７と、上部絶縁層８とがこの順に積層されたものである。
下部絶縁層２は、基板１の上に形成された第１絶縁層である。この下部絶縁層２は、例えば、アルミナなどの誘電性材料により構成されており、その厚さは、約１μｍである。
下部シールド層４は、下部絶縁層２の上に形成されており、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの磁性材料により構成されている。
ギャップ層５は、下部シールド層３の上に形成されており、例えば、下部絶縁層２と同様の誘電性材料により構成されている。
再生センサ６は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：tunneling magnetoresistive effect ）または巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：giant magnetoresistive effect ）などを利用して実質的に再生処理を実行する磁気抵抗効果素子であり、エアベアリング面３０−３０に一端部（センサ先端部３１）を有している。
ＴＭＲ型の再生センサ６は、トンネルバリア層を挟むように２つの強磁性層が積層された構造体を含んでいる。トンネルバリア層は、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）またはアルミナなどの絶縁性材料により構成されている。一方の強磁性層では、磁化方向が所定の方向に固定されているのに対して、他方の強磁性層では、一方の強磁性層の磁化方向に対して平行または反平行となるように磁化方向が回転可能になっている。これにより、他方の強磁性層は、外部磁場に対して磁化方向が変化可能な磁気モーメントを有している。この他方の強磁性層の磁化方向により、一般に「０」または「１」と呼ばれる２つの異なる磁化状態が生じる。再生時には、他方の強磁性層がどちらの磁化状態にあるかが読み取られる。
ＧＭＲ型の再生センサ６は、トンネルバリア層に代えて非磁性層を含むことを除き、ＴＭＲ型の場合と同様の構成を有している。この非磁性層は、例えば、銅（Ｃｕ）などの非磁性材料により構成されている。
第１上部シールド層７は、例えば、下部シールド層４と同様の磁性材料により構成されている。
上部絶縁層８は、ギャップ層５よりも上側（記録ヘッド１００Ｂに近い側）に位置する第２絶縁層であり、例えば、下部絶縁層２と同様の誘電性材料により構成されている。
この再生ヘッド１００Ａでは、下部絶縁層２、ギャップ層５または上部絶縁層８の内部にダイナミックフライヒータ（ＤＦＨ）３を有している。これらの下部絶縁層２等の内部において、ＤＦＨ３は、センサ先端部３１に近い側に位置している。
ＤＦＨ３は、再生記録磁気ヘッドの動作時（再生時または記録時）に再生センサ６を加熱して熱膨張させる第１ＤＦＨである。詳細には、ＤＦＨ３は、再生センサ６を突出させてセンサ先端部３１を磁気記録ディスク（図示せず）に近づける機能を果たすものであり、例えば、レジスタである。このＤＦＨ３は、例えば、タングステン、タンタルまたはニッケル銅合金などの導電性材料により構成されており、その導電性材料の薄膜などである。ただし、ＤＦＨ３は、他の種類の導電性材料により構成されていてもよい。また、ＤＦＨ３は、プリアンプまたはプリント回路板（ＰＣＢ：printed circuit board）などの電源にリードを介して接続されている。
このＤＦＨ３は、できるだけ再生センサ６に近い層の内部に設けられていることが好ましい。ＤＦＨ３において発生した熱が短時間で再生センサ６に伝わるため、その再生センサ６を熱膨張させるために要する時間が短くなると共に電力が少なくて済むからである。ここでは、ＤＦＨ３は、例えば、下部絶縁層２の内部に設けられている。このＤＦＨ３は、例えば、エアベアリング面３０−３０から僅かに後退しており、その後退距離ｄ１は、約２μｍ〜２０μｍである。ＤＦＨ３からセンサ先端部３１までの距離が短くなるため、再生センサ６だけを選択的に加熱して突出させることができるからである。また、ＤＦＨ３は、例えば、約４０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さｔ１と、約１０μｍ〜３０μｍの長さｄ２と、約１０μｍ〜３０μｍの幅とを有している。なお、上記したように、長さｄ２とは、エアベアリング面３０−３０に垂直な方向（ｘ方向）における寸法であり、幅とは、エアベアリング面３０−３０に平行な方向（ｙ方向）における寸法である。
記録ヘッド１００Ｂは、例えば、第２上部シールド層９と、下部絶縁層１０，１１，１３，１６により埋設されたバッキングコイル層１２と、主磁極層１８と、ヨーク１９、第１記録シールド層２０および非磁性層２１と、上部絶縁層２２，２５により埋設された主コイル層２４と、第２記録シールド層２６とがこの順に積層されたものである。
第２上部シールド層９は、いわゆる磁束リターン磁極として機能するものであり、例えば、下部シールド層４と同様の磁性材料により構成されている。
下部絶縁層１６は、バッキングコイル層１２と主磁極層１８との間に位置する第３絶縁層であり、下部絶縁層１３は、下部絶縁層１６よりも下側に位置する第４絶縁層である。下部絶縁層１０，１６は、それぞれバッキングコイル層１２の下側および上側に形成されており、下部絶縁層１１，１３は、それぞれバッキングコイル層１２の巻線間およびその周囲に形成されている。下部絶縁層１０，１３，１６は、例えば、下部絶縁層２と同様の誘電性材料により構成されており、下部絶縁層１１は、フォトレジストなどの絶縁性材料により構成されている。下部絶縁層１１，１３およびバッキングコイル層１２の上面は、例えば、同一面内に含まれている。
なお、下部絶縁層１０，１１，１６は、それらを貫通するように設けられた開口部を有しており、その開口部には、バックギャップ接続部１５が挿入されている。このバックギャップ接続部１５は、例えば、コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）などの磁性材料により構成されている。図１から明らかなように、下部絶縁層１０，１１，１６は、バックギャップ接続部１５よりも前側に位置する部分と後側に位置する部分とを含んでいる。
バッキングコイル層１２は、例えば、バックギャップ接続部１５を中心として巻回する構造（スパイラル構造）を有しており、銅などの導電性材料により構成されている。このバッキングコイル層１２の巻回数（ターン数）は、任意に設定可能である。
主磁極層１８は、磁束を放出して記録磁界を発生させることにより、実質的に記録処理を実行するものであり、エアベアリング面３０−３０に一端部（記録磁極先端部１４）を有している。この主磁極層１８は、エアベアリング面３０−３０から遠い側において、バックギャップ接続部１５を介して第２上部シールド層９に連結されており、例えば、バックギャップ接続部１５と同様の磁性材料により構成されている。ただし、主磁極層１８は、バックギャップ接続部１５とは異なる磁性材料により構成されていてもよい。
ヨーク１９は、主磁極層１８に磁束を供給するための補助的な磁束収容部分であり、例えば、その主磁極層１８と同様の磁性材料により構成されている。このヨーク１９は、エアベアリング面３０−３０よりも後退しており、主磁極層１８に連結されている。
第１記録シールド層２０は、主磁極層１８の記録磁極先端部１４に磁束を集中させる機能を果たすものであり、エアベアリング面３０−３０に一端部を有していると共に後方において非磁性層２１に隣接している。この第１記録シールド層２０は、例えば、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄ニッケル合金、ニッケル合金またはコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）などの磁性材料により形成されている。第１記録シールド層２０の上面は、例えば、ヨーク１９および非磁性層２１の上面と同一面内に含まれている。
非磁性層２１は、スロートハイトゼロ位置を規定するものである。このスロートハイトゼロ位置とは、非磁性層２１の最前端位置である。
上部絶縁層２２は、主コイル層２４の下側に形成されており、例えば、下部絶縁層２と同様の誘電性材料により構成されている。上部絶縁層２５は、主コイル層２４の巻線間およびその周囲に形成されており、例えば、下部絶縁層１１と同様の絶縁性材料により構成されている。
主コイル層２４は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、バッキングコイル層１２と同様の構成を有している。
第２記録シールド層２６は、第１記録シールド層２０に取り込まれた磁束を主磁極層１８に再供給する機能を果たすものであり、エアベアリング面３０−３０に近い側において第１記録シールド層２０に連結されていると共に遠い側においてヨーク１９に連結されている。この第２記録シールド層２６は、例えば、エアベアリング面３０−３０から後方に向かってアーチ状に湾曲しており、第１記録シールド層２０と同様の磁性材料により構成されている。
保護層２７は、例えば、アルミナなどの誘電性材料により構成されている。
この記録ヘッド１００Ｂでは、下部絶縁層１３または下部絶縁層１６の内部にダイナミックフライヒータ（ＤＦＨ）１７を有している。これらの下部絶縁層１６等の内部において、ＤＦＨ１７は、記録磁極先端部１４に近い側に位置している。
ＤＦＨ１７は、再生記録磁気ヘッドの動作時に主磁極層１８を加熱して熱膨張させる第２ＤＦＨである。詳細には、ＤＦＨ１７は、主磁極層１８を突出させて記録磁極先端部１４を磁気記録ディスクに近づける機能を果たすものであり、例えば、レジスタである。このＤＦＨ１７は、例えば、ＤＦＨ３と同様に、タングステン、タンタルまたはニッケル銅合金などの導電性材料により構成されている薄膜などであると共に、プリアンプまたはプリント回路板などの電源にリードを介して接続されている。なお、ＤＦＨ１７は、再生センサ６の突出量とは別個に主磁極層１８の突出量を制御するために、ＤＦＨ３とは異なる抵抗値を有していてもよい。これらの突出量の比は、ＤＦ３，１７の抵抗比を制御することにより調整される。
このＤＦＨ１７は、できるだけ主磁極層１８に近い層の内部に設けられていることが好ましい。ＤＦＨ１７において発生した熱が短時間で主磁極層１８に伝わるため、その主磁極層１８を熱膨張させるために要する時間が短くなると共に電力が少なくて済むからである。ここでは、ＤＦＨ１７は、例えば、下部絶縁層１６の内部に設けられていると共に、エアベアリング面３０−３０から後退している。なお、ＤＦＨ１７の後退距離ｄ３、厚さｔ２、長さｄ４および幅は、例えば、ＤＦＨ３の後退距離ｄ１、厚さｔ１、長さｄ２および幅と同様である。なお、ＤＦＨ１７がエアベアリング面３０−３０から僅かに後退しており、その後退距離ｄ３が約２μｍ〜２０μｍであるのは、ＤＦＨ１７から記録磁極先端部１４までの距離が短くなるため、主磁極層１８だけを選択的に加熱して突出させることができるからである。
図１から明らかなように、ＤＦＨ３，１７は、異なる階層内に位置しており、基板１の表面に対して垂直な方向（ｚ方向）に配列されている。この場合において、ＤＦＨ３，１７の後退距離ｄ１，ｄ３は、一致していてもよいし、異なっていてもよい。すなわち、後退距離ｄ１，ｄ３は、ｄ１＞ｄ３、ｄ１＜ｄ３またはｄ１＝ｄ３のうちのいずれの関係を満たしていてもよい。
次に、ＤＦＨ３，１７の詳細な構成について説明する。図２は、再生記録磁気ヘッドの主要部の平面構成を拡大して表しており、図３は、ＤＦＨ３，１７を含む回路構成を表している。なお、図２では、エアベアリング面３０−３０に垂直な方向の面（ｘｙ面）に沿って下部絶縁層２を切断した状態を示している。
ＤＦＨ３は、例えば、ｘｙ面内において直線形状、湾曲形状、多角形状または蛇行形状を有しており、それらが混在した形状を有していてもよい。なお、ＤＦＨ３の抵抗値は、例えば、厚さ、形状またはヒータの種類などを変更することにより調整される。また、ＤＦＨ３は、リード４１，４２に接続された２つの端部４１ｅ，４２ｅを有しており、そのリード４１，４２は、プリアンプなどの電源に接続されている。
ここでは、ＤＦＨ３は、例えば、図２に示したように、蛇行形状を有している。ＤＦＨ３に電流が流れて磁界が生じた際に、その磁界同士が打ち消し合うからである。この場合において、ＤＦＨ３は、例えば、エアベアリング面３０−３０に平行な方向（ｙ方向）に配列されると共に長さｄ５を有する複数のヒータ部分３ａ，３ｃ，３ｅ，３ｇ，３ｉ，２ｋと、エアベアリング面３０−３０に垂直な方向（ｘ方向）に配列されると共に長さｄ６を有する複数のヒータ部分３ｂ，３ｄ，３ｆ，３ｈ，３ｊとを含んでいる。このうち、ヒータ部分３ａ，３ｋは、それぞれリード４１，４２に接続されている。図２から明らかなように、ヒータ部分３ａ等の長さｄ５は必ずしも一致しておらず、ヒータ部分３ｂ等の長さｄ６は必ずしも一致していない。また、ヒータ部分３ａ等の長さｄ５は、図１に示した長さｄ２に必ずしも一致していない。これらの長さｄ５，ｄ６は、各部分ごとに任意に設定可能である。ただし、ヒータ部分３ａ〜３ｋの幅ｗは、互いに一致していることが好ましい。この幅ｗは、約０．５μｍ〜５μｍである。特に、幅ｗは、１００ｍＷ以下の供給電力で十分な熱量を発生させることが可能な抵抗値を得るために、約３μｍであることが好ましい。
なお、ここでは具体的に図面を参照しながら説明しないが、ＤＦＨ１７は、例えば、上記したＤＦＨ３と同様の構成を有している。ただし、ＤＦＨ１７の形状などの条件は、ＤＦＨ３と同様でもよいし、異なってもよい。
ＤＦＨ３，１７は、独立して作動可能であり、再生センサ６の突出量および主磁極層１８の突出量を独立して制御可能になっている。ＤＦＨ３の作動時における再生センサ６の突出量は、ＤＦＨ３の抵抗値および供給電力量により制御される。ＤＦＨ１７の作動時における主磁極層１８の突出量は、ＤＦＨ１７の抵抗値および供給電力量により制御される。これにより、再生センサ６のセンサ先端部３１と磁気記録ディスクとの間の距離と、主磁極層１８の記録磁極先端部１４と磁気記録ディスクとの間の距離とは、センサ先端部３１および記録磁極先端部１４の近傍における熱量（再生センサ６および主磁極層１８の熱膨張量）に基づいて別個独立して制御される。
なお、ＤＦＨ３，１７は、直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。ＤＦＨ３，１７が直列に接続される場合には、ＤＦＨ３の抵抗値とＤＦＨ１７の抵抗値との比が所定の値になる。これに対して、ＤＦＨ３，１７が並列に接続される場合には、ＤＦＨ３，１７の抵抗値がそれぞれ独立してリアルタイムで変更可能である。この場合には、記録時において、ＤＦＨ３を作動させて主磁極層１８を突出させる一方で、ＤＦＨ１７を作動させずに再生センサ６を突出させないことができる。これにより、再生センサ６が磁気記録ディスクに接触しにくくなると共に、その磁気記録ディスクから磁気的な影響を受けにくくなる。
ここでは、ＤＦＨ３，１７は、例えば、図３に示したように、直列に接続されている。詳細には、ＤＦＨ３，１７は、電源であるプリアンプ４６と共に電気回路を構成している。プリアンプ４６は、例えば、ＤＦＨ３，１７に個別に電力を供給するために、１つまたは２つ以上のドライバを含んでいる。ＤＦＨ３は、配線４１，５１と、制御ポイント４５を経由する配線４２，５２とを介して、プリアンプ４６に並列に接続されている。ＤＦＨ１７は、配線４４，５３と、制御ポイント４５を経由する配線４３，５２とを介して、プリアンプ４６に並列に接続されている。この場合には、ＤＦＨ３，１７およびプリアンプ４６により実質的に２つの回路が構築されている。一方の回路（第１回路）では、再生時において、プリアンプ４６から配線５２に流れた電流は、制御ポイント４５を経由しながら配線４２を通じてＤＦＨ３に流れたのち、配線４１，５１を通じてプリアンプ４６に戻る。これに対して、他方の回路（第２回路）では、記録時において、プリアンプ４６から配線５２に流れた電流は、制御ポイント４５を経由しながら配線４３を通じてＤＦＨ１７に流れたのち、配線４４，５３を通じてプリアンプ４６に戻る。
プリアンプ４６は、ある期間（第１期間）において一方の回路を介してＤＦＨ３に電力（第１電力）を供給すると共に、ある期間（第２期間）において他方の回路を介してＤＦＨ１７に電力（第２電力）を供給することができるように、２つのドライバを含んでいることが好ましい。これらの２つの期間は、オーバーラップしていてもよいし、オーバーラップしていなくてもよい。これにより、上記したように、ＤＦＨ１７を作動させて主磁極層１８を突出させる一方で、ＤＦＨ３を作動させずに再生センサ６を突出させないように制御することができる。もちろん、上記した場合とは逆の制御を行うこともできる。どちらの制御についても、再生記録磁気ヘッドの動作中にリアルタイムで行うことができる。
なお、ここでは図面を参照しながら説明しないが、ＤＦＨ３，１７は、プリアンプ４６に直列に接続されていてもよい。この場合には、ＤＦＨ３がある抵抗値（第１抵抗値）を有していると共に、ＤＦＨ１７がある抵抗値（第２抵抗値）を有していると、プリアンプ４６からＤＦＨ３，１７に電力が供給された際に、主磁極層１８の突出量に対する再生センサ６の突出量の比（ガンマ比）が所定の値となるように決定される。
次に、再生記録磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図６は、再生記録磁気ヘッドの主要部の形成工程を説明するものであり、図１に示した一部分に対応する断面構成を示している。以下では、一連の構成要素の構成材料などについては既に詳細に説明したので、それらの説明を随時省略する。なお、本発明の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法は、以下で説明する再生記録磁気ヘッドの製造方法に適用されるものである。
再生記録磁気ヘッドは、主に、既存の薄膜プロセスを用いて一連の構成要素を積層形成することにより製造される。この既存薄膜プロセスとは、例えば、電解鍍金法、物理蒸着（ＰＶＤ：physical vapor deposition ）法またはスパッタリング法などの膜形成技術、フォトリソグラフィ法などのパターニング技術、ドライエッチング法またはウェットエッチング法などのエッチング技術、化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing ）法などの研磨技術である。なお、バッキングコイル層１２および主コイル層２４を形成する場合には、公知のダマシン法などを用いてもよい。
再生記録磁気ヘッドの主要部を形成する場合には、まず、図４に示したように、基板１の上に絶縁層２を形成したのち、その絶縁層２の上に、開口部６１（長さｄ２）を有するフォトレジストパターン６０を形成する。このフォトレジストパターン６０を形成する場合には、例えば、基板１の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト膜をパターニング（露光および現像）する。この場合には、開口部６１がＤＦＨ３およびリード４１，４２に対応する形状を有するようにする。
続いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：reactive ion etching）法などを用いて、フォトレジストパターン６０をマスクとして下部絶縁層２をエッチングすることにより、窪み６２を形成する。この場合には、厚さｂとなるまで下部絶縁層２を途中まで掘り下げることにより、窪み６２に基板１が露出しないようにする。
続いて、フォトレジストパターン６０を除去したのち、図５に示したように、スパッタリング法などを用いて、窪み６２の途中まで導電性材料を埋め込むことにより、第１導電層であるＤＦＨ３（厚さｔ１）を形成する。
続いて、窪み６２におけるＤＦＨ３の上に下部絶縁層２ａ（厚さｃ）を形成することにより、下部絶縁層２，２ａ中にＤＦＨ３を埋設する。これにより、ＤＦＨ３を内部に有する下部絶縁層２，２ａが形成される。この場合には、例えば、下部絶縁層２と同様の形成材料を用いる。また、必要に応じてＣＭＰ法などを用いて下部絶縁層２，２ａを研磨して平坦化することにより、それらの上面が同一面内に含まれるようにする。なお、図１では、下部絶縁層２，２ａをまとめて下部絶縁層２として示している。
最後に、図６に示したように、下部絶縁層２の上に下部シールド層４などを形成したのち、ＣＭＰ法などを用いて基板１等の一側面を一括研磨してエアベアリング面３０−３０を形成することにより、再生記録磁気ヘッドの主要部が完成する。この場合には、ＤＦＨ３の後退距離ｄ１が所定の距離となるように研磨量を調整する。
なお、ここでは具体的に図面を参照しながら説明しないが、ＤＦＨ１７を内部に有する下部絶縁層１６は、例えば、上記したＤＦＨ３を内部に有する下部絶縁層２との同様の手順により形成される。
本実施の形態に係る再生記録磁気ヘッド（多層ダイナミックフライヒータ構造体およびその製造方法）では、再生ヘッド１００Ａが再生センサ６を加熱して突出させるＤＦＨ３を有していると共に、記録ヘッド１００Ｂが主磁極層１８を加熱して突出させるＤＦＨ１７を有している。ＤＦＨ３は、下部絶縁層２などの内部におけるセンサ先端部３１に近い側に設けられていると共に、ＤＦＨ１７は、下部絶縁層１６などの内部における記録磁極先端部１４に近い側に設けられている。よって、以下で説明するように、再生センサ６の突出量および主磁極層１８の突出量を独立して制御することができると共に、短時間かつ低消費電力でガンマ比を制御することができる。
再生記録磁気ヘッドがＤＦＨ１７だけを備える場合には、主磁極層１８の突出量だけが制御されるため、その主磁極層１８の突出量が再生センサ６の突出量よりも大きくなる傾向にある。この場合には、ガンマ比が１よりも小さくなるため、主磁極層１８と再生センサ６との間の距離が記録磁極先端部１４と磁気記録ディスクとの間の距離に対して相対的に小さくなる。これにより、再生センサ６の感度が低下してしまう。上記したように、再生記録磁気ヘッドの動作信頼性を確保するためには、再生センサ６のセンサ先端部３１の位置が主磁極層１８の記録磁極先端部１４の位置から少なくとも０．５ｎｍは後退している必要がある。この条件は、再生記録磁気ヘッドが置かれる環境温度およびＤＦＨ１７の作動の有無などに依存せずに満たされていることが好ましい。
一方、再生記録磁気ヘッドが再生センサ６の突出量を制御するＤＦＨ３だけを備える場合には、再生センサ６の突出量が主磁極層１８の突出量よりも大きくなる傾向にある。この場合には、ガンマ比が１よりも大きくなるため、再生センサ６が磁気記録ディスクに接触しやすくなる。これにより、やはり再生センサ６の感度が低下してしまう。
これに対して、本実施の形態では、ＤＦＨ３により再生センサ６の突出量が制御されると共に、ＤＦＨ１７により主磁極層１８の突出量が制御されるため、それらの突出量が独立して制御される。よって、ＤＦＨ３，１７のいずれか一方だけを備える場合とは異なり、再生センサ６の突出量および主磁極層１８の突出量を独立して制御することができる。この場合には、再生センサ６の感度が低下することを防止しながら、ガンマ比を１となるように調整することができる。しかも、ＤＦＨ３，１７がそれぞれセンサ先端部３１および記録磁極先端部３１に近い側に配置されているため、ＤＦＨ３，１７がそれぞれセンサ先端部３１および記録磁極先端部３１から遠い側に配置されている場合と比較して、ＤＦＨ３，１７とセンサ先端部３１および記録磁極先端部３１との間の距離が小さくなる。この場合には、ＤＦＨ３，１７において発生した熱が再生センサ６および主磁極層１８に伝わりやすくなるため、再生センサ６および主磁極層１８を熱膨張させるために要する時間が短くなる（熱膨張による応答が早くなる）と共に、ＤＦＨ３，１７において消費される電力が少なくて済む。よって、短時間かつ低消費電力でガンマ比を制御することができる。
また、再生磁気記録ヘッドの製造方法（多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法）では、下部絶縁層２に窪み６２を形成し、その窪み６２の途中までＤＦＨ３となる導電性材料を埋め込んだのち、その窪み６２に下部絶縁層２ａを形成している。このため、下部絶縁層２の内部にＤＦＨ３を簡単に埋設することができる。なお、同様の形成手順を経れば、下部絶縁層１６の内部にＤＦＨ１７を簡単に埋設することもできる。
なお、図１では、下部絶縁層２の内部にＤＦＨ３を設けるようにしたが、必ずしもこれに限られず、ギャップ層４または上部絶縁層８の内部にＤＦＨ３を設けるようにしてもよいし、それらの２つ以上の内部にＤＦＨ３を設けるようにしてもよい。もちろん、下部絶縁層２等に限らず、それら以外の他の絶縁層の内部にＤＦＨ３を設けるようしてもよい。
また、図１では、下部絶縁層１６の内部にＤＦＨ１７を設けるようにしたが、必ずしもこれに限られず、下部絶縁層１３の内部にＤＦＨ１７を設けるようにしてもよいし、それらの２つ以上の内部にＤＦＨ１７を設けるようにしてもよい。もちろん、下部絶縁層１６等に限らず、それら以外の他の絶縁層の内部にＤＦＨ１７を設けるようにしてもよい。
また、図１では、センサ先端部３１および記録磁極先端部１４に近い側に位置するＤＦＨ３，１７だけを設けるようにしたが、さらに、センサ先端部３１および記録磁極先端部１４から遠い側に位置する他のＤＦＨを設けるようにしてもよい。例えば、ここでは具体的に図面を参照しながら説明しないが、下部絶縁層１０の後側部分の内部に他のＤＦＨを設けるようにしてもよい。もちろん、他のＤＦＨは、下部絶縁層１０に限らず、再生ヘッド１００Ａおよび記録ヘッド１００Ｂにおけるいずれかの絶縁層の内部に設けられてもよい。また、他のＤＦＨの数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。さらに、他のＤＦＨは、ＤＦＨ３，１７と直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。プリアンプとの接続についても、同様である。なお、他のＤＦＨは、ＤＦＨ３，１７と同様に、再生センサ６および主磁極層１８などの特定の構成要素の突出量を制御するために用いられてもよいし、ＤＦＨ３，１７により制御されたガンマ比を微調整するために補助的に用いられてもよい。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記した実施の形態で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記した実施の形態では、ＤＦＨの位置、構成材料および寸法などの条件について、本発明の効果を得るために好ましい条件を説明しているが、その説明は、上記した条件から外れる可能性を完全に否定するものではない。すなわち、上記した条件は、あくまで本発明の効果を得る上で特に好ましい条件であるため、本発明の効果が得られるのであれば、上記した条件から外れてもよい。
１…基板、２，２ａ，１０，１１，１３，１６…下部絶縁層、３，１７…ＤＦＨ、４…下部シールド層、５…ギャップ層、６…再生センサ、７…第１上部シールド層、８，２２，２５…上部絶縁層、９…第２上部シールド層、１２…バッキングコイル層、１４…記録磁極先端部、１５…バックギャップ接続部、１８…主磁極層、１９…ヨーク、２０…第１記録シールド層、２１…非磁性層、２４…主コイル層、２６…第２記録シールド層、２７…保護層、３１…センサ先端部、４１，４２…リード、４６…プリアンプ、６０…フォトレジストパターン、６１…開口部、６２…窪み、１００Ａ…再生ヘッド、１００Ｂ…記録ヘッド。

Claims (20)

  1. （ａ）基板の上に形成され、
    （１）第１絶縁層と、
    （２）前記第１絶縁層の上に形成された下部シールド層と、
    （３）前記下部シールド層の上に形成され、エアベアリング面に一端部を有する再生センサを内部に有するギャップ層と、
    （４）前記第１絶縁層、前記ギャップ層または第２絶縁層の内部における前記再生センサの一端部に近い側に形成されると共に、電源であるプリアンプまたはプリント回路板に接続され、再生時または記録時に前記再生センサを突出させて一端部を磁気記録ディスクに近づける第１ダイナミックフライヒータと
    を含む多層構造を有する再生ヘッドと、
    （ｂ）前記再生ヘッドの上に形成され、
    （１）第３絶縁層と、
    （２）前記第３絶縁層の上に形成され、前記エアベアリグ面に一端部を有する主磁極層と、
    （３）前記第３絶縁層または第４絶縁層の内部における前記主磁極層の一端部に近い側に形成されると共に、電源であるプリアンプまたはプリント回路板に接続され、再生時または記録時に前記主磁極層を突出させて一端部を前記磁気記録ディスクに近づける第２ダイナミックフライヒータと
    を含む多層構造を有する記録ヘッドと
    を備えた再生記録磁気ヘッド。
  2. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記エアベアリング面から２μｍ〜２０μｍ後退している、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  3. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記電源に直列に接続されていると共に、それぞれ第１抵抗値および第２抵抗値を有しており、前記電源から前記第１および第２ダイナミックフライヒータに電力が供給されると、前記主磁極層の突出量に対する前記再生センサの突出量の比が所定の値となるように決定される、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  4. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記電源に並列に接続されており、第１期間において前記電源から前記第１ダイナミックフライヒータに第１電力が供給されると共に、第２期間において前記電源から前記第２ダイナミックフライヒータに第２電力が供給される、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  5. 前記第１期間は前記第２期間と重ならない、請求項４記載の再生記録磁気ヘッド。
  6. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、４０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さと、前記エアベアリグ面に垂直な方向における１０μｍ〜３０μｍの長さと、前記エアベアリング面に平行な方向における１０μｍ〜３０μｍの幅とを有する、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  7. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、リードに接続された２つの端部を有する直線形状、湾曲形状または蛇行形状を有していると共に、前記エアベアリング面に平行な方向に配列された複数のヒータ部分および前記エアベアリング面に垂直な方向に配列された複数のヒータ部分を含む、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  8. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）またはニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）を含む、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  9. 前記再生ヘッドまたは前記記録ヘッドは、第５絶縁層の内部に形成されると共に前記電源に接続された第３ダイナミックフライヒータを含む、請求項１記載の再生記録磁気ヘッド。
  10. 前記第３ダイナミックフライヒータは、前記第１および第２ダイナミックフライヒータと直列または並列に接続されている、請求項９記載の再生記録磁気ヘッド。
  11. （ａ）基板の上に形成され、エアベアリング面に一端部を有する再生センサと、絶縁層またはギャップ層の内部における前記再生センサの一端部に近い側に形成されると共に電源に接続された第１ダイナミックフライヒータとを含む再生ヘッドと、
    （ｂ）前記再生ヘッドの上に形成され、前記エアベアリング面に一端部を有する主磁極層と、絶縁層の内部における前記主磁極層の一端部に近い側に形成されると共に電源に接続された第２ダイナミックフライヒータを含む記録ヘッドと
    を備え、前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記再生センサの突出量と前記主磁極層の突出量との比を決定する
    多層ダイナミックフライヒータ構造体。
  12. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、タングステン、タンタルまたはニッケル銅合金を含む、請求項１１記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体。
  13. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記電源に並列に接続されており、第１期間において前記電源から前記第１ダイナミックフライヒータに電力が供給されると、前記再生センサが突出して一端部が磁気記録ディスクに近づくと共に、第２期間において前記電源から前記第２ダイナミックフライヒータに電力が供給されると、前記主磁極層が突出して一端部が前記磁気記録ディスクに近づく、請求項１１記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体。
  14. （ａ）基板の上に、第１絶縁層を形成し、
    （ｂ）前記第１絶縁層に、窪みを形成し、
    （ｃ）前記窪みの途中まで、第１抵抗値を有する第１ダイナミックフライヒータとなる第１導電層を埋め込み、
    （ｄ）前記窪みにおける前記第１導電層の上に、第２絶縁層を形成し、
    （ｅ）前記第１および第２絶縁層の上に、再生センサを内部に有するギャップ層を形成し、
    （ｆ）前記ギャップ層の上に、
    （１）第２抵抗値を有する第２ダイナミックフライヒータとなる第２導電層を内部に有する第３絶縁層と、
    （２）前記第３絶縁層の上に形成された主磁極層と
    を含む多層構造体を形成し、
    （ｇ）前記再生センサおよび前記主磁極層の一端部を面内に有するエアベアリング面を形成することにより、前記第１ダイナミックフライヒータが前記エアベアリング面から第１距離後退して前記再生センサの一端部に近い側に位置すると共に、前記第２ダイナミックフライヒータが前記エアベアリング面から第２距離後退して前記主磁極層の一端部に近い側に位置するようにする
    多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  15. 前記第１および第２距離は２μｍ〜２０μｍである、請求項１４記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  16. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、４０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さと、前記エアベアリング面に垂直な方向における１０μｍ〜３０μｍの長さと、前記エアベアリング面に平行な方向における１０μｍ〜３０μｍの幅とを有する、請求項１４記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  17. 前記第１導電層は、前記第１ダイナミックフライヒータおよび電源に接続された２つのリードを含むと共に、前記第２導電層は、前記第２ダイナミックフライヒータおよび電源に接続された２つのリードを含む、請求項１４記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  18. 前記電源は、前記第１ダイナミックフライヒータに第１回路を介して第１電力を供給すると共に前記第２ダイナミックフライヒータに第２回路を介して第２電力を供給する２つのドライバを含む、請求項１７記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  19. 前記第１ダイナミックフライヒータに前記第１電力を供給し、前記再生センサを突出させて一端部を磁気記録ディスクに近づけると共に、前記第２ダイナミックフライヒータに前記第２電力を供給し、前記主磁極層を突出させて一端部を前記磁気記録ディスクに近づける、請求項１８記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
  20. 前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記エアベアリグ面に垂直な面内において直線形状、湾曲形状、多角形状または蛇行形状を有し、蛇行形状を有する前記第１および第２ダイナミックフライヒータは、前記エアベアリング面に垂直な方向に配列された複数のヒータ部分および前記エアベアリング面に平行な方向に配列された複数のヒータ部分を含む、請求項１４記載の多層ダイナミックフライヒータ構造体の製造方法。
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