JP4051327B2 - 垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置 - Google Patents

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Description

本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびに上記した垂直磁気記録ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
近年、磁気記録媒体(例えばハードディスク)の面記録密度の向上に伴い、磁気記録装置(例えばハードディスクドライブ)に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きをハードディスクの面内方向(長手方向)にする長手記録方式や、信号磁界の向きをハードディスクの面と直交する方向にする垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、ハードディスクの面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では高い線記録密度を確保可能な上、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束をハードディスクに向けて放出する磁極層とを備えている。この磁極層は、例えば、エアベアリング面から後方に向かって延在すると共にハードディスクの記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されると共にその一定幅部分の幅よりも大きな幅を有する拡幅部分とを含んで構成されている。この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、磁極層がヨーク層に部分的に乗り上げて磁気的に連結された構成を有するものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。この種の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルにおいて発生した磁束が磁極層のうちの一定幅部分から外部に放出されると、その磁束に基づいて発生した磁界(垂直磁界)によりハードディスクが磁化されるため、そのハードディスクに磁気的に情報が記録される。
特開2002−197611号公報
ところで、薄膜磁気ヘッドの記録性能を安定に確保するためには、例えば、記録動作時において、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制する必要がある。この「意図しない隣接トラックへの書き込み」とは、ハードディスク上の記録対象トラックに情報を記録しようとした際に、磁極層のうちの一定幅部分から記録対象トラックに向けて磁束が放出された上、さらに、その一定幅部分を経由せずに拡幅部分から意図せずに隣接トラック(記録対象トラックに隣接するトラック)に向けて不要な磁束が放出されたことに起因して、その隣接トラックに既に記録されていた情報が意図せずに上書きされる現象であり、すなわち記録済みの情報が消去されてしまう不具合である。ハードディスクに記録済みの情報を保護する観点から言えば、当然ながら、意図しない隣接トラックへの書き込みに起因する情報の消去を可能な限り防止しなければならない。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁極層の構造的要因によっては意図しない隣接トラックへの書き込みを十分に抑制し得ないため、ハードディスクに記録済みの情報の消去を十分に防止し得ない可能性があるという問題があった。このことから、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの普及を図る上では、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制して情報の消去を防止することが可能な技術の確立が急務である。この場合には、特に、薄膜磁気ヘッドの量産性を考慮すれば、容易かつ安定に薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な製造技術の確立も重要である。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、本発明の垂直磁気記録ヘッドを容易かつ安定に製造することが可能な垂直磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の第3の目的は、本発明の垂直磁気記録ヘッドを搭載した磁気記録装置を提供することにある。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層とを備え、この磁極層が、記録媒体対向面から記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分とを含み、一定幅部分が一定の厚さを有し、拡幅部分のうちの拡幅端面の高さH2が一定幅部分のうちの露出面の高さH1よりも小さくなっているものである(H2<H1)。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドでは、一定幅部分が一定の厚さを有し、拡幅端面の高さH2が露出面の高さH1よりも小さくなっているため、拡幅端面の高さH2が露出面の高さH1に等しい場合と比較して、意図しない磁束の放出口としての拡幅端面が狭まる。これにより、情報の記録時において、拡幅部分に収容された磁束が一定幅部分を経由せずに拡幅端面から記録媒体に向けて放出されにくくなる。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層とを備えた垂直磁気記録ヘッドを製造する方法であり、記録媒体対向面から記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分とを含むように磁極層を形成する工程を含み、これらの一定幅部分と拡幅部分とを互いに別々の工程で形成することにより、一定幅部分が一定の厚さを有すると共に拡幅部分のうちの拡幅端面の高さH2が一定幅部分のうちの露出面の高さH1よりも小さくなるようにしたものである(H2<H1)。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法では、一定幅部分が一定の厚さを有すると共に拡幅端面の高さH2が露出面の高さH1よりも小さいような特徴的な構成を有する磁極層を形成するために、既存の製造プロセスしか使用せず、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。しかも、その既存の製造プロセスのみを使用して、上記した特徴的な構成を有する磁極層を反復的に再現性よく形成可能である。
本発明に係る磁気記録装置は、記録媒体と、この記録媒体に磁気的に情報を記録する垂直磁気記録ヘッドとを搭載し、この垂直磁気記録ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層とを備えたものであり、磁極層が、記録媒体対向面から記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分とを含み、一定幅部分が一定の厚さを有し、拡幅部分のうちの拡幅端面の高さH2が一定幅部分のうちの露出面の高さH1よりも小さくなっているものである(H2<H1)。
本発明に係る磁気記録装置では、上記した本発明に係る垂直磁気記録ヘッドを搭載しているため、情報の記録時において、拡幅部分に収容された磁束が一定幅部分を経由せずに拡幅端面から記録媒体に向けて放出されにくくなる。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドによれば、一定幅部分が一定の厚さを有していると共に拡幅部分のうちの拡幅端面の高さH2が一定幅部分のうちの露出面の高さH1よりも小さくなっている構造的特徴(H2<H1)に基づき、情報の記録時において拡幅部分に収容された磁束が一定幅部分を経由せずに拡幅端面から記録媒体に向けて放出されにくくなるため、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができる。
また、本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法によれば、既存の製造プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用せずに磁極層を反復的に再現性よく形成することが可能なため、本発明の垂直磁気記録ヘッドを安定かつ容易に製造することができる。
また、本発明に係る磁気記録装置によれば、本発明の垂直磁気記録ヘッドを搭載しているため、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図1〜図3を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図1は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、(A)はエアベアリング面に平行な断面(XZ面に沿った断面)を示し、(B)はエアベアリング面に垂直な断面(YZ面に沿った断面)を示している。また、図2は図1に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表し、図3は薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表している。なお、図1および図3に示した矢印Dは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体(図示せず)が相対的に移動する方向(媒体進行方向)を示している。
以下の説明では、図1〜図3に示したX軸方向の寸法を「幅」、Y軸方向の寸法を「長さ」、Z軸方向の寸法を「高さまたは厚さ」と表記する。また、Y軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図4以降においても同様とする。
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Dに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体(以下、単に「記録媒体」という。)に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図1に示したように、例えばアルティック(Al2 3 ・TiC)などのセラミック材料により構成された基板1上に、例えば酸化アルミニウム(Al2 3 ;以下、単に「アルミナ」という。)などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層2と、磁気抵抗効果(MR;Magneto-resistive )を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部100Aと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層7と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部100Bと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層17とがこの順に積層された構成を有している。
再生ヘッド部100Aは、例えば、下部リードシールド層3と、シールドギャップ膜4と、上部リードシールド層5とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜4には、記録媒体に対向する記録媒体対向面(エアベアリング面)40に一端面が露出するように、再生素子としてのMR素子6が埋設されている。
下部リードシールド層3および上部リードシールド層5は、いずれもMR素子6を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面40から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層3および上部リードシールド層5は、例えば、いずれもニッケル鉄合金(NiFe(例えばNi:80重量%,Fe:20重量%);以下、単に「パーマロイ(商品名)」という。)などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約1.0μm〜2.0μmである。
シールドギャップ膜4は、MR素子6を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
MR素子6は、例えば、巨大磁気抵抗効果(GMR;Giant Magneto-resistive )またはトンネル磁気抵抗効果(TMR;Tunneling Magneto-resistive )などの磁気抵抗効果を利用して再生処理を実行するものである。
記録ヘッド部100Bは、例えば、絶縁層9,11により周囲を埋設された磁極層20と、磁気連結用の開口(バックギャップ12BG)が設けられたギャップ層12と、絶縁層15により埋設された薄膜コイル14と、ライトシールド層30とがこの順に積層された構成を有している。なお、図2および図3では、図1に示した薄膜磁気ヘッドのうち、磁極層20およびその周辺構造のみを示している。
磁極層20は、薄膜コイル14において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出するものであり、エアベアリング面40から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層12に設けられたバックギャップ12BGに対応する位置まで延在している。
この磁極層20は、図2および図3に示したように、エアベアリング面40から記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅W1(W1=約0.15μm)を有して延在すると共にエアベアリング面40に露出した露出面M1を有する一定幅部分P1と、この一定幅部分P1の後方に連結されて幅W1よりも大きな幅W2を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面M2を有する拡幅部分P2とを含んで構成されている。この「拡幅端面M2」とは、幅方向(X軸方向)において一定幅部分P1の位置を基準とした場合に、拡幅部分P2のうちの一定幅部分P1に対して両側(両幅方向)に位置する部分(両翼部分P2W)の前端面を意味している。この磁極層20において、その幅が一定幅部分P1(幅W1)から拡幅部分P2(幅W2)へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの1つである「フレアポイントFP(拡幅位置)」である。拡幅端面M2の高さ(Z軸方向の寸法)H2は、露出面M1の高さH1よりも小さくなっている(H2<H1)。特に、拡幅部分P2のうちの両翼部分P2Wの厚さT2は、例えば、少なくとも拡幅端面M2に近い側において一定幅部分P1の厚さT1よりも小さくなっている(T2<T1)。一定幅部分P1の厚さT1に対する両翼部分P2Wの厚さT2の比(厚さ比)T2/T1は、0.3以上1.0未満の範囲内(0.3≦T2/T1<1.0)、好ましくは0.3以上0.75以下の範囲内(0.3≦T2/T1≦0.75)、より好ましくは0.3以上0.5以下の範囲内(0.3≦T2/T1≦0.5)である。
具体的には、磁極層20は、例えば、図1〜図3に示したように、リーディング側に配設された補助磁極層8と、トレーリング側に配設された主磁極層10とが積層された積層構造を有している。主磁極層10は、主要な磁束の放出部分として機能ものであり、エアベアリング面40からバックギャップ12BGに対応する位置まで延在している。補助磁極層8は、主磁極層10に対して補助的な磁束の収容部分として機能するものであり、エアベアリング面40から後退した位置からバックギャップ12BGに対応する位置まで延在している。上記した「トレーリング側」とは、図1および図3に示した媒体進行方向Dに向かって移動する記録媒体の移動状態を1つの流れと見た場合に、その流れの流出する側(媒体進行方向D側)をいい、ここでは厚さ方向(Z軸方向)における上側をいう。これに対して、流れの流入する側(媒体進行方向D側と反対側)は「リーディング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下側をいう。
主磁極層10は、例えば、図2に示したように、フレアポイントFPから後方に向かって延在すると共に拡幅部分P2の幅に対応する幅W2を有する下部主磁極層10A(第1の磁極層部分)と、エアベアリング面40からフレアポイントFPを経由して下部主磁極層10Aに乗り上げるように後方に向かって延在すると共に少なくともフレアポイントFPよりも前方において一定幅部分P1の幅に対応する幅W1を有し、トレーリング側の端面M3が全体に渡って平坦な上部主磁極層10B(第2の磁極層部分)とを含んで構成されている。下部主磁極層10Aは、絶縁層9および補助磁極層8に隣接して延在しており、その下部主磁極層10Aの幅は、例えば、後方において一定幅W2を有し、前方において幅W2から幅W1へ連続的に狭まっている。上部主磁極層10Bは、例えば、エアベアリング面40から絶縁層9に隣接してフレアポイントFPまで延在すると共に一定幅W1を有する先端部10B1と、この先端部10B1の後方に連結されて下部主磁極層10Aに乗り上げるように延在すると共に先端部10B1と同様に一定幅W1を有する中間部10B2と、この中間部10B2の後方に連結されて下部主磁極層10A上に延在すると共に幅W1よりも大きく、かつ幅W2よりも小さい幅W3を有する後端部10B3とが一体化された連続構造を有している。すなわち、拡幅部分P2は主に下部主磁極層10A(他に上部主磁極層10Bのうちの中間部10B2および後端部10B3も含む)に基づいて規定されており、一定幅部分P1は上部主磁極層10B(先端部10B1)に基づいて規定されている。特に、上部主磁極層10Bの飽和磁束密度J1は、下部主磁極層10Aの飽和磁束密度J2以上になっている(J1≧J2)。具体的には、上部主磁極層10Bは、例えば、鉄コバルト系合金などのめっき膜により構成されており、下部主磁極層10Aは、例えば、鉄コバルト系合金やパーマロイなどのめっき膜により構成されている。上記した鉄コバルト系合金とは、例えば、鉄コバルト合金(FeCo)や鉄コバルトニッケル合金(FeCoNi)などである。
補助磁極層8は、例えば、図2に示したように、幅W2を有する矩形状の平面形状を有している。なお、絶縁層9,11は、それぞれ補助磁極層8および主磁極層10を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、いずれもアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
ギャップ層12は、磁極層20とライトシールド層30とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層12は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約0.2μm以下である。
薄膜コイル14は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅(Cu)などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル14は、例えば、一端部を中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造を有している。なお、図1および図2では、薄膜コイル14を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
絶縁層15は、薄膜コイル14を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ12BGを塞がないようにギャップ層12上に配設されている。この絶縁層15は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト(感光性樹脂)やスピンオングラス(SOG)などにより構成されており、その端縁近傍部分が丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層15の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの1つである「スロートハイトゼロ位置TP」である。このスロートハイトゼロ位置TPとエアベアリング面40との間の距離は「スロートハイトTH」であり、このスロートハイトTHは、約0.3μm以下である。なお、図1および図2では、例えば、スロートハイトゼロ位置TPがフレアポイントFPに一致している場合を示している。
ライトシールド層30は、磁極層20から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層30は、磁極層20のトレーリング側においてエアベアリング面40から後方に向かって延在しており、そのエアベアリング面40に近い側においてギャップ層12により磁極層20から隔てられていると共にエアベアリング面40から遠い側においてバックギャップ12BGを通じて磁極層20に隣接して磁気的に連結されている。特に、ライトシールド層30は、例えば、互いに別体をなす2つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するTH規定層13と、このTH規定層13から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層16とを含んで構成されている。
TH規定層13は、ギャップ層12に隣接し、エアベアリング面40からこのエアベアリング面40とバックギャップ12BGとの間の位置、具体的にはエアベアリング面40と薄膜コイル14との間の位置まで延在している。このTH規定層13は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、図2に示したように、磁極層20の幅W2よりも大きな幅W4(W4>W2)を有する矩形状の平面形状を有している。このTH規定層13には薄膜コイル14を埋設している絶縁層15が隣接しており、すなわちTH規定層13は絶縁層15の最前端位置(スロートハイトゼロ位置TP)を規定し、より具体的にはスロートハイトTHを規定する役割を担っている。
ヨーク層16は、絶縁層15を覆うようにエアベアリング面40からバックギャップ12BGまで延在しており、前方においてTH規定層13に乗り上げて磁気的に連結されていると共に後方においてバックギャップ12BGを通じて磁極層20に隣接して磁気的に連結されている。このヨーク層16は、例えば、TH規定層13と同様の磁性材料により構成されており、図2に示したように、TH規定層13と同様に幅W4を有する矩形状の平面形状を有している。
次に、図1〜図3を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部100Bの薄膜コイル14に電流が流れると、その薄膜コイル14において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層20に収容されたのち、その磁極層20内を主に下部主磁極層10Aから上部主磁極層10Bのうちの先端部10B1へ流れる。この際、磁極層20内を流れる磁束は、その磁極層20の幅の減少に伴ってフレアポイントFPにおいて絞り込まれて集束するため、先端部10B1のうちのトレーリング側の端縁(トレーリングエッジ)TE近傍に集中する。このトレーリングエッジTE近傍に集中した磁束が先端部10B1から外部に放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界が発生し、この記録磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に磁気的に情報が記録される。なお、情報の記録時には、先端部10B1から放出された磁束の広がり成分がライトシールド層30に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層30に取り込まれた磁束は、バックギャップ12BGを通じて磁極層20に環流される。
一方、再生時においては、再生ヘッド部100AのMR素子6にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてMR素子6の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
次に、図1〜図9を参照して、図1〜図3に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図4〜図9は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図1に対応する断面構成を示している。
以下では、まず、図1を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図1〜図9を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部(主磁極層10)の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴等に関して既に詳述したものについては、その説明を随時省略するものとする。
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィなどのパターニング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図1に示したように、まず、基板1上に絶縁層2を形成したのち、この絶縁層2上に、下部リードシールド層3と、MR素子6を埋設したシールドギャップ膜4と、上部リードシールド層5とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部100Aを形成する。続いて、再生ヘッド部100A上に分離層7を形成したのち、この分離層7上に、絶縁層9,11により周囲を埋設された磁極層20(補助磁極層8,主磁極層10)と、バックギャップ12BGが設けられたギャップ層12と、薄膜コイル14を埋設した絶縁層15と、ライトシールド層30(TH規定層13,ヨーク層16)とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部100Bを形成する。最後に、記録ヘッド部100B上にオーバーコート層17を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面40を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
薄膜磁気ヘッドの主要部として主磁極層10を形成する際には、補助磁極層8の周囲に絶縁層9を埋設したのち、まず、図4に示したように、例えばめっき処理を使用して、補助磁極層8およびその周辺の絶縁層9上に、例えば鉄コバルト系合金やパーマロイなどの飽和磁束密度J2を有する磁性材料からなるめっき膜を成長させることにより、主磁極層10の一部を構成する下部主磁極層10Aをパターン形成する。この下部主磁極層10Aを形成する際には、例えば、図2に示したように、拡幅部分P2の幅に対応する幅W2を有し、具体的には後方において幅W2を有し、かつ前方において幅W2から幅W1へ幅が狭まるような平面形状を有するようにする。この際には、特に、最終的にフレアポイントFPとなる位置に前端を位置合わせし、具体的には、例えば、最終的にエアベアリング面40となる位置から約0.1μm〜1.0μmだけ前端が後退するようにすると共に、後工程において形成される前駆磁極層パターン10BX(図5参照)の厚さT0よりも小さい厚さT2を有するようにする(T2<T0)。
なお、めっき処理を使用した下部主磁極層10Aの形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、補助磁極層8およびその周辺の絶縁層9上にめっき処理用のシード層(図示せず)を形成したのち、そのシード層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜(図示せず)を形成する。続いて、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、下部主磁極層10Aを形成するためのフォトレジストパターンを形成する。続いて、シード層と共にフォトレジストパターンを使用してめっき膜を成長させることにより、そのめっき膜からなる下部主磁極層10Aを形成する。この下部主磁極層10Aを形成したのちには、その下部主磁極層10Aを形成するために使用したフォトレジストパターンを除去する。
続いて、図5に示したように、下部主磁極層10Aを形成するために先工程において形成したシード層を再び使用し、例えばめっき処理を使用して、下部主磁極層10Aよりも前方における絶縁層9の露出面上からその下部主磁極層10Aに乗り上げるように、例えば下部主磁極層10Aの飽和磁束密度J2以上の飽和磁束密度J1(J1≧J2)を有する磁性材料、具体的には例えば鉄コバルト系合金などの磁性材料からなるめっき膜を成長させることにより、上部主磁極層10Bを形成するための前準備層としての前駆磁極層パターン10BXを形成する。この前駆磁極層パターン10BXを形成する際には、例えば、図2に示した先端部10B1および中間部10B2の集合体に対応する対応部分10BX1を有し、この対応部分10BX1が幅W1よりも大きな幅W0を有する点を除き、上部主磁極層10Bと同様の構成を有するようにすると共に、先工程において形成された下部主磁極層10Aの厚さT2よりも大きな厚さT0を有するようにする。
続いて、図5に示したように、例えばイオンミリングを使用して前駆磁極層パターン10BXをエッチングし、具体的には、前駆磁極層パターン10BXの延在面に対する垂線Sから角度θ(例えば、θ=約40°〜70°)をなす方向からイオンビームを照射しながら前駆磁極層10パターンBXにエッチング処理を施す。このエッチング処理により、主に幅方向のエッチング作用を利用して対応部分10BX1の幅が幅W0から幅W1に狭められるため、図6に示したように、一定幅W1を有する対応部分10BY1を含む前駆磁極層パターン10BYが形成される。このエッチング処理では、さらに、上記したように前駆磁極層パターン10BYを形成すると同時に、下部主磁極層10Aおよび前駆磁極層パターン10BYの周囲に露出しているシード層をエッチングすることにより、そのシード層の不要部分を選択的に除去する。なお、上記では、主に、前駆磁極層パターン10BXのうちの対応部分10BX1がエッチングされる旨を説明したが、その前駆磁極層パターン10BXのうちの対応部分10BX1だけでなく、その対応部分10BXを除く他の箇所もエッチングされることは言うまでもない。
続いて、図7に示したように、例えばスパッタリングを使用して、下部主磁極層10Aおよび前駆磁極層パターン10BYならびにそれらの周辺を覆うように、絶縁層11を形成するための前準備層としての前駆絶縁層11Xを形成する。この前駆絶縁層11Xを形成する際には、例えば、下部主磁極層10Aおよび前駆磁極層パターン10BYを完全に埋設するようにし、より具体的には、前駆絶縁層11Xの最下面M4が前駆磁極層パターン10BYの最上面M5よりも高くなるようにする。
続いて、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing )を使用して、前駆磁極層パターン10BYのうちのトレーリング側の端面が全体に渡って平坦になるまで、その前駆磁極層パターン10BYと共に前駆絶縁層11Xを研磨する。この研磨処理により、図8に示したように、前駆絶縁層11Xが研磨されたのち、引き続き前駆絶縁層11Xと共に前駆磁極層パターン10BYが研磨されるため、図9に示したように、主磁極層10の他の一部を構成する上部主磁極層10Bがパターン形成されると共に、その上部主磁極層10Bおよび下部主磁極層10Aの周囲を埋設するように絶縁層11が形成される。この上部主磁極層10Bは、例えば、図2に示したように、前方の先端部10B1が下部主磁極層10Aの厚さT2よりも大きな厚さT1を有して絶縁層9に隣接し、かつ後方の中間部10B2および後端部10B3が下部主磁極層10Aに乗り上げるように延在すると共に、トレーリング側の端面M3が全体に渡って平坦となるように形成される。これにより、図1〜図3に示したように、下部主磁極層10Aおよび上部主磁極層10Bを含み、拡幅部分P2が下部主磁極層10Aに基づいて規定されると共に一定幅部分P1が上部主磁極層10Bに基づいて規定された主磁極層10が完成する。この主磁極層10を形成する際には、図2に示したように、拡幅部分P2を規定する下部主磁極層10Aのうちの拡幅端面M2の高さH2が、一定幅部分P1を規定する上部主磁極層10B(先端部10B1)のうちの露出面M1の高さH1よりも小さくなるようにすると共に(H2<H1)、例えば、下部主磁極層10Aのうちの両翼部分P2Wの厚さT2が、上部主磁極層10B(先端部10B1)の厚さT2よりも小さくなるようにする(T2<T1)。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、一定幅部分P1および拡幅部分P2を含む主磁極層10に関して、拡幅部分P2のうちの拡幅端面M2の高さH2が一定幅部分P1のうちの露出面M1の高さH1よりも小さくなるようにしたので(H2<H1)、以下の理由により、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができる。
図10は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図3に対応する薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を示している。この比較例の薄膜磁気ヘッドは、主磁極層10に代えて主磁極層110を備えている点を除き、図3に示した本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。この主磁極層110は、一体化されて互いに磁気的に連結された2つの構成要素、すなわち厚さT1および高さH1(露出面M1)を有し、上部主磁極層10Bのうちの先端部10B1と同様の構成を有する先端部110Aと、この先端部110Aの厚さT1に等しい厚さT3(T3=T1)および高さH3(拡幅端面M2)を有する点を除き、下部主磁極層10Aと同様の構成を有する後端部110Bとを含んで構成されている。この比較例の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層110のうちの先端部110Aに基づいて一定幅部分P1が規定されていると共に、後端部110Bに基づいて拡幅部分P2が規定されている。
図10に示した比較例の薄膜磁気ヘッドでは、拡幅部分P2を規定する後端部110Bのうちの拡幅端面M2の高さH3が、一定幅部分P1を規定する先端部110Aのうちの露出面M1の高さH1に等しくなっており(H3=H1)、すなわち露出面M1の面積に対して拡幅端面M2の面積が大きすぎるため、情報の記録時において後端部110Bの内部を流れる磁束量が大きくなると、上記「発明が解決しようとする課題」の項において説明したように、その後端部110Bの内部を流れている磁束が先端部110Aを経由して露出面M1から記録媒体に向けて正常に放出される上、さらに、その磁束が先端部110Aを経由せずに拡幅端面M2から記録媒体に向けて意図せずに放出される結果、この後端部110Bから放出された不要な磁束に起因して意図せずに隣接トラックに書き込みが行われ、その隣接トラックに記録されていた情報が消去されてしまう。
これに対して、図3に示した本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、拡幅部分P2を規定する下部主磁極層10Aのうちの拡幅端面M2の高さH2が、一定幅部分P1を規定する上部主磁極層10Bのうちの露出面M1の高さH1よりも小さくなっているため(H2<H1)、露出面M1の面積に対して、意図しない隣接トラックへの書き込みを誘発する不要な磁束の放出口としての拡幅端面M2の面積が狭まって小さくなる。これにより、情報の記録時において下部主磁極層10Aの内部を流れる磁束量が大きくなったとしても、上記した比較例の場合と比較して、その下部主磁極層10Aの内部を流れている磁束が先端部10B1を経由せずに拡幅端面M2から記録媒体に向けて意図せずに放出されにくくなる。したがって、本実施の形態では、意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができるのである。
特に、本実施の形態では、拡幅部分P2を規定する下部主磁極層10Aのうちの両翼部分P2Wの厚さT2が、少なくとも拡幅端面M2に近い側において、一定幅部分P1を規定する上部主磁極層10B(先端部10B1)の厚さT1よりも小さくなるようにしたので(T2<T1)、その厚さT2を厚さT1よりも小さい範囲内で適宜設定することにより、後端部110Bのうちの両翼部分P2Wの厚さT3が前端部110Aの厚さT1に等しい比較例の場合(T3=T1,図10参照)と比較して、下部主磁極層10Aの磁気ボリューム、すなわち下部主磁極層10Aに収容可能な磁束の絶対量が大きくなりすぎないように適正に調整される。したがって、上部主磁極層10B(先端部10B1)へ必要十分な量の磁束を供給しつつ、拡幅端面M2から先端部10B1を経由せずに記録媒体に向けて意図せずに磁束が放出されないように下部主磁極層10Aの磁気ボリュームを制御することが可能になるため、この観点においても意図しない隣接トラックへの書き込みの抑制に寄与することができる。
この場合には、特に、厚さ比T2/T1、すなわち先端部10B1の厚さT1に対する両翼部分P2Wの厚さT2の比を0.3≦T2/T1<1.0とすれば、下部主磁極層10Aの内部を流れる磁束の絶対量を制御する観点において厚さ比T2/T1が適正化される。したがって、意図しない隣接トラックへの書き込みをより抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去をより防止することができる。この効果は、特に、厚さ比T2/T1を0.3≦T2/T1≦0.75、さらには0.3≦T2/T1≦0.5と狭めることにより向上する。
また、本実施の形態では、上部主磁極層10Bの飽和磁束密度J1が下部主磁極層10Aの飽和磁束密度J2以上(J1≧J2)となるようにしたので、下部主磁極層10Aよりも上部主磁極層10Bにおいて単位体積当たりの磁束収容率が大きくなる。したがって、厚さT1,T2間の関係(T2<T1)に関して上記したように、上部主磁極層10B(先端部10B1)へ必要十分な量の磁束を供給しつつ、拡幅端面M2から先端部10B1を経由せずに記録媒体に向けて意図せずに磁束が放出されないように下部主磁極層10Aの磁気ボリュームを制御することが可能になるため、この観点においても意図しない隣接トラックへの書き込みの抑制に寄与することができる。
また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、拡幅端面M2の高さH2が露出面M1の高さH1よりも小さい特徴的な構成を有する主磁極層10を備えた薄膜磁気ヘッドを反復的に再現性よく製造するために、既存の製造プロセスしか使用せず、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを容易かつ安定に製造することができる。
また、本実施の形態では、研磨処理を使用して前駆磁極層パターン10BYのトレーリング側の端面を平坦化することにより上部主磁極層10Bを形成するようにしたので、その平坦化後の端面M3に基づいて上部主磁極層10BのトレーリングエッジTEが規定される。したがって、磁極層20のうちの実質的な記録箇所であるトレーリングエッジTEが平坦となるように主磁極層10を容易に形成することができる。
なお、上記実施の形態では、図2および図3に示したように、先端部10B1(幅W1)、中間部10B2(幅W1)および後端部10B3(幅W3)を含むように上部主磁極層10Bを構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図11に示したように、後端部10B3を含まずに、先端部10B1および中間部10B2のみを含むように上部主磁極層10Bを構成してもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図11に示した薄膜磁気ヘッドの構成に関する上記以外の特徴は、図3に示した場合と同様である。
また、本実施の形態では、図1〜図3に示したように、一定幅部分P1および拡幅部分P2を含む主磁極層10を互いに別体をなす2つの構成要素、すなわちフレアポイントFPから後方に向かって延在する下部主磁極層10Aと、エアベアリング面40からフレアポイントFPを経由して下部主磁極層10Aに乗り上げるように延在する上部主磁極層10Bとで構成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、拡幅端面M2の高さH2が露出面M1の高さH1よりも小さい限り、主磁極層10の構成は自由に変更可能である。具体的には、例えば、図12および図13に示したように、一定幅部分P1および拡幅部分P2を含む主磁極層50を互いに別体をなす2つの構成要素、すなわちエアベアリング面40からフレアポイントFPを経由して後方に向かって延在して全体として一律な厚さT2を有し、上記実施の形態において説明した下部主磁極層10Aの平面形状と上部主磁極層10Bのうちの先端部10B1の平面形状とを合成した平面形状を有する下部主磁極層50Aと、この下部主磁極層50A上に配設され、エアベアリング面40からフレアポイントFPまで延在して厚さT4(T1−T2)を有し、上記実施の形態において説明した先端部10B1の平面形状と同様の平面形状を有する上部主磁極層50Bとで構成するようにしてもよい。この主磁極層50は、例えば、めっき処理を使用して下部主磁極層50Aをパターン形成したのち、引き続きめっき処理を使用して下部主磁極層50A上に上部主磁極層50Bをパターン形成することにより形成可能である。この場合においても、下部主磁極層50Aのうちの拡幅端面M2から記録媒体に向けて意図せずに磁束が放出されにくくなるため、意図しない隣接トラックへの書き込みを十分に抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができる。なお、図12および図13に示した薄膜磁気ヘッドの構成に関する上記以外の特徴は、図1および図3に示した場合と同様である。
この場合には、さらに、例えば、図14に示したように、一定幅部分P1および拡幅部分P2を含む主磁極層60を互いに別体をなす2つの構成要素、すなわちエアベアリング面40からフレアポイントFPまで延在して厚さT5(T1−T2)を有し、上記実施の形態において説明した先端部10B1の平面形状と同様の平面形状を有する下部主磁極層60Aと、この下部主磁極層60A上に配設され、エアベアリング面40からフレアポイントを経由して後方に向かって延在して全体として一律な厚さT2を有し、上記実施の形態において説明した下部主磁極層10Aの平面形状と先端部10B1の平面形状とを合成した平面形状を有する上部主磁極層60Bとで構成するようにしてもよい。この主磁極層60は、例えば、めっき処理を使用して下部主磁極層60Aをパターン形成したのち、引き続きめっき処理を使用して下部主磁極層60A上に上部主磁極層60Bをパターン形成することにより形成可能である。この主磁極層60を形成する場合には、例えば、主磁極層60と補助磁極層8との間の磁気的連結を確保するために、下部主磁極層60Aを形成すると同時に補助磁極層8に対応する領域に追加補助磁極層108を形成したのち、それらの下部主磁極層60Aおよび追加補助磁極層108上に上部主磁極層60Bを形成するのが好ましい。この場合においても、上部主磁極層60Bのうちの拡幅端面M2から記録媒体に向けて意図せずに磁束が放出されにくくなるため、意図しない隣接トラックへの書き込みを十分に抑制し、記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができる。この場合には、特に、上記実施の形態において図3に示した構成や変形例として図13に示した構成、すなわち高さ方向(図中のZ軸方向)において拡幅部分P2が一定幅部分P1に対してリーディング側に配置されている構成とは異なり、拡幅部分P2が一定幅部分P1に対してトレーリング側に配置されており、実質的な記録箇所であるトレーリングエッジTEにより磁束が集中しやすくなるため、記録磁界強度を高めることができる。なお、図14に示した薄膜磁気ヘッドの構成に関する上記以外の特徴は、図3に示した場合と同様である。
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了する。
次に、図15および図16を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図15は磁気記録装置の切り欠き概観構成を表し、図16は磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
この磁気記録装置は、図15に示したように、例えば、筐体200の内部に、情報が記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク201(例えばハードディスク)と、各磁気ディスク201に対応して配置され、先端にヘッドスライダ210が取り付けられた複数のアーム202とを備えている。磁気ディスク201は、筐体200に固定されたスピンドルモータ203を中心として回転可能になっている。アーム202は、動力源としての駆動部204に接続されており、筐体200に固定された固定軸205を中心として、ベアリング206を介して旋回可能になっている。駆動部204は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。なお、図15は、例えば、固定軸205を中心として複数のアーム202が一体的に旋回するモデルを示している。
ヘッドスライダ210は、図16に示したように、アーム202の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が一面(エアベアリング面220)設けられた略直方体状の基体211のうち、そのエアベアリング面220と直交する一側面(図16中、手前側の面)に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド212が取り付けられた構成を有している。この薄膜磁気ヘッド212は、例えば、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。なお、図16では、ヘッドスライダ210のうちのエアベアリング面220側の構造を見やすくするために、図15に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
この磁気記録装置では、情報の記録時においてアーム202が旋回することにより、磁気ディスク201のうちの所定の領域(記録領域)までヘッドスライダ210が移動する。そして、磁気ディスク201と対向した状態において薄膜磁気ヘッド212が通電されると、上記実施の形態において説明したように動作することにより、薄膜磁気ヘッド212が磁気ディスク201に情報を記録する。
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド212を備えるようにしたので、その薄膜磁気ヘッド212による意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、磁気ディスク201に記録済みの情報の消去を防止することができる。
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド212に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例等は上記各実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
次に、本発明に関する実施例について説明する。上記実施の形態において図1〜図3に示した本発明の薄膜磁気ヘッドを図15および図16に示した磁気記録装置に搭載して記録処理を実施した際の諸特性を調べたところ、以下の一連の結果が得られた。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの諸特性を調べる際には、フレア距離(エアベアリング面40とフレアポイントFPとの間の距離)=0.3μm、フレア角度(先端部10B1の延在方向(Y軸方向)と拡幅端面M2との間の角度)=70°、先端部10B1の幅W1,厚さT1=0.2μm,0.2μm、薄膜コイル14の起磁力=150mATとした。
まず、厚さ比T2/T1を0.5に固定した上で、意図しない隣接トラックへの書き込み状況を調べたところ、図17に示した結果が得られた。図17は記録媒体上のトラック位置と記録磁界強度との間の相関を表しており、「横軸」はトラック位置N、すなわち記録対象トラックからNトラック分だけ離れたトラック位置(N=1〜4)を示し、「縦軸」は各トラック位置において記録媒体が受けた記録磁界強度H(×103 /(4π)A/m=Oe)を示している。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの書き込み状況を調べる際には、その性能を比較評価するために、上記実施の形態において図10に示した比較例の薄膜磁気ヘッドに関しても同様に書き込み状況を調べた。図17に示した「○」は本発明の薄膜磁気ヘッドに関する結果を示し、「□」は比較例の薄膜磁気ヘッドに関する結果を示している。
図17に示した結果から判るように、記録媒体が受ける記録磁界強度は、本発明(○)および比較例(□)のいずれの場合においても、トラック位置Nが大きくなり、すなわち記録対象トラック(N=0)から離れるにしたがって顕著に減少した。ここで、本発明の薄膜磁気ヘッドと比較例の薄膜磁気ヘッドとを比較すると、各トラック位置Nにおける記録磁界強度Hは、比較例の薄膜磁気ヘッドよりも本発明の薄膜磁気ヘッドにおいてより減少した。特に、記録磁界強度Hが比較的大きくなり、意図しない隣接トラックへの書き込みに起因して最も情報が消去しやすい隣接トラック位置(N=1)における記録磁界強度Hは、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて比較例の薄膜磁気ヘッドよりも約200×103 /(4π)A/mほど減少した。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、隣接トラックにおいて記録媒体が受ける記録磁界強度を減少させることにより意図しない隣接トラックへの書き込みを抑制し、その記録媒体に記録済みの情報の消去を防止することができることが確認された。
続いて、厚さ比T2/T1に関する記録磁界強度比の依存性を調べたところ、図18に示した結果が得られた。図18は厚さ比T2/T1と記録磁界強度比との間の相関を表しており、「横軸」は厚さ比T2/T1を示し、「縦軸」は記録磁界強度比HC、すなわち記録対象トラックにおける記録磁界強度H1に対する隣接トラックにおける記録磁界強度H2の比H2/H1×100(%)を示している。図18に示した「○」は上部主磁極層10Bの飽和磁束密度J1=下部主磁極層10Aの飽和磁束密度J2=2.3T(テスラ)の場合(J1=J2)に関する結果を示し、「△」は上部主磁極層10Bの飽和磁束密度J1=2.3T,下部主磁極層10Aの飽和磁束密度J2=1.8T,の場合(J1>J2)に関する結果を示している。
図18に示した結果から判るように、記録磁界強度比HCは、厚さ比T2/T1が増加するにしたがって下向きの凸状に変化した。この場合には、特に、J1=J2の場合(○)およびJ1>J2の場合(△)のいずれにおいても、厚さ比T2/T1が1.0未満の範囲において記録磁界強度比HCが24%以下となり、その記録磁界強度比HCが十分に小さくなった。
続いて、厚さ比T2/T1に関する記録磁界強度の依存性を調べたところ、図19に示した結果が得られた。図19は厚さ比T2/T1と記録磁界強度との間の相関を表しており、「横軸」は厚さ比T2/T1を示し、「縦軸」は記録対象トラックにおいて記録媒体が受けた記録磁界強度H(×103 /(4π)A/m=Oe)を示している。図19に示した「○」および「△」は、図18に示した場合と同様である。
図19に示した結果から判るように、記録対象トラックにおいて記録媒体が受けた記録磁界強度Hは、厚さ比T2/T1が増加するにしたがって次第に大きくなった。この場合には、特に、J1=J2の場合(○)およびJ1>J2の場合(△)のいずれにおいても、厚さ比T2/T1が0.3以上の範囲において記録磁界強度Hが8000×103 /(4π)A/m以上となり、その記録磁界強度Hが十分に大きくなった。
ここで、図18および図19から得られた結果をまとめると、厚さ比T2/T1を0.3≦T2/T1<1.0とすれば、記録対象トラックにおいて十分な記録磁界強度を確保しつつ、隣接トラックにおいて不要な磁界強度を抑制することが可能であり、すなわち意図しない隣接トラックへの書き込みに起因する情報の消去を防止することができることが確認された。この場合には、さらに、厚さ比T2/T1を0.3≦T2/T1≦0.75とし、さらに0.3≦T2/T1≦0.5とすれば、意図しない隣接トラックへの書き込みに起因する情報の消去をより効果的に防止することができることが確認された。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明をシールド型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびにその垂直磁気記録ヘッドを備えた磁気記録装置は、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。 図1に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。 図1に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における一工程を説明するための断面図である。 図4に続く工程を説明するための断面図である。 図5に続く工程を説明するための断面図である。 図6に続く工程を説明するための断面図である。 図7に続く工程を説明するための断面図である。 図8に続く工程を説明するための断面図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの問題点を説明するための斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例を説明するための斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する他の変形例を説明するための断面図である。 図12に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関するさらに他の変形例を説明するための斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の切り欠き外観構成を表す斜視図である。 図15に示した磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表す斜視図である。 トラック位置と記録磁界強度との間の相関を表す図である。 厚さ比と記録磁界強度比との間の相関を表す図である。 厚さ比と記録磁界強度との間の相関を表す図である。
符号の説明
1…基板、2,9,11,15…絶縁層、3…下部リードシールド層、4…シールドギャップ膜、5…上部リードシールド層、6…MR素子、7…分離層、8…補助磁極層、10,50,60…主磁極層、10A,50A,60A…下部主磁極層、10B,50B,60B…上部主磁極層、10B1…先端部、10B2…中間部、10B3…後端部、10BX,10BY…前駆磁極層パターン、10BX1,10BY1…対応部分、11X…前駆絶縁層、12…ギャップ層、12BG…バックギャップ、13…TH規定層、14…薄膜コイル、16…ヨーク層、17…オーバーコート層、40…エアベアリング面、100A…再生ヘッド部、100B…記録ヘッド部、108…追加補助磁極層、200…筐体、201…磁気ディスク、202…アーム、203…スピンドルモータ、204…駆動部、205…固定軸、206…ベアリング、210…ヘッドスライダ、211…基体、212…薄膜磁気ヘッド、D…媒体進行方向、FP…フレアポイント、H1,H2…高さ、M1…露出面、M2…拡幅端面、M3…端面、M4…最下面、M5…最上面、P1…一定幅部分、P2…拡幅部分、P2W…両翼部分、S…垂線、T1,T2,T4,T5…厚さ、TE…トレーリングエッジ、TH…スロートハイト、TP…スロートハイトゼロ位置。














Claims (13)

  1. 磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備え、
    この磁極層は、前記記録媒体対向面から前記記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に前記記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて前記一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分と、を含み、
    前記一定幅部分は、一定の厚さを有し、
    前記拡幅部分のうちの前記拡幅端面の高さH2は、前記一定幅部分のうちの前記露出面の高さH1よりも小さくなっている(H2<H1)
    ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
  2. 前記拡幅部分は、前記一定幅部分に対して両側に位置する両翼部分を含み、
    この両翼部分の厚さT2は、少なくとも前記拡幅端面に近い側において前記一定幅部分の厚さT1よりも小さくなっている(T2<T1)
    ことを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。
  3. 前記一定幅部分の厚さT1に対する前記両翼部分の厚さT2の比T2/T1は、0.3以上1.0未満の範囲内である
    ことを特徴とする請求項2記載の垂直磁気記録ヘッド。
  4. 前記比T2/T1は、0.5以上1.0未満の範囲内である
    ことを特徴とする請求項3記載の垂直磁気記録ヘッド。
  5. 前記磁極層は、その磁極層の幅が前記一定幅部分から前記拡幅部分へ拡がる拡幅位置から後方に向かって延在すると共に前記拡幅部分の幅に対応する幅を有する第1の磁極層部分と、前記記録媒体対向面から前記拡幅位置を経由して前記第1の磁極層部分に乗り上げるように後方に向かって延在すると共に少なくとも前記拡幅位置よりも前方において前記一定幅部分の幅に対応する幅を有し、前記媒体進行方向側の端面が全体に渡って平坦な第2の磁極層部分と、を含み、
    前記拡幅部分は前記第1の磁極層部分に基づいて規定されており、前記一定幅部分は前記第2の磁極層部分に基づいて規定されている
    ことを特徴とする請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載の垂直磁気記録ヘッド。
  6. 前記第2の磁極層部分の飽和磁束密度J1は、前記第1の磁極層部分の飽和磁束密度J2以上になっている(J1≧J2)
    ことを特徴とする請求項記載の垂直磁気記録ヘッド。
  7. 磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備えた垂直磁気記録ヘッドの製造方法であって、
    前記記録媒体対向面から前記記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に前記記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて前記一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分と、を含むように前記磁極層を形成する工程を含み、
    これらの一定幅部分と拡幅部分とを互いに別々の工程で形成することにより、前記一定幅部分が、一定の厚さを有すると共に、前記拡幅部分のうちの前記拡幅端面の高さH2が、前記一定幅部分のうちの前記露出面の高さH1よりも小さくなるようにする(H2<H1)
    ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  8. 前記拡幅部分が、前記一定幅部分に対して両側に位置する両翼部分を含むようにし、
    この両翼部分の厚さT2が、少なくとも前記拡幅端面に近い側において前記一定幅部分の厚さT1よりも小さくなるようにする(T2<T1)
    ことを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  9. 前記一定幅部分の厚さT1に対する前記両翼部分の厚さT2の比T2/T1が、0.3以上1.0未満の範囲内となるようにする
    ことを特徴とする請求項8記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  10. 前記磁極層を形成する工程は、
    その磁極層の幅が前記一定幅部分から前記拡幅部分へ拡がる拡幅位置から後方に向かって延在すると共に前記拡幅部分の幅に対応する幅を有するように、前記磁極層の一部を構成する第1の磁極層部分をパターン形成する第1の工程と、
    前記拡幅位置よりも前方からその拡幅位置を経由して前記第1の磁極層部分に乗り上げるように後方に向かって延在すると共に少なくとも前記拡幅位置よりも前方において前記一定幅部分の幅に対応する幅を有するように、前駆磁極層パターンを形成する第2の工程と、
    前記媒体進行方向側の端面が全体に渡って平坦になるまで前記前駆磁極層パターンを研磨して前記磁極層の他の一部を構成する第2の磁極層部分を形成することにより、前記第1の磁極層部分および前記第2の磁極層部分を含むように前記磁極層を形成する第3の工程と、を含み、
    前記拡幅部分を前記第1の磁極層部分に基づいて規定すると共に、前記一定幅部分を前記第2の磁極層部分に基づいて規定する
    を含むことを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  11. 前記第2の工程と前記第3の工程との間に、さらに、前記第1の磁極層部分および前記前駆磁極層パターンならびにそれらの周辺を覆うように前駆絶縁層を形成する第4の工程を含み、
    前記第3の工程において、前記媒体進行方向側の端面が全体に渡って平坦になるまで前記前駆磁極層パターンと共に前記前駆絶縁層を研磨して絶縁層を形成することにより、その絶縁層を前記磁極層の周囲に埋設する
    ことを特徴とする請求項10記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  12. 前記第2の磁極層部分の飽和磁束密度J1が、前記第1の磁極層部分の飽和磁束密度J2以上となるようにする(J1≧J2)
    ことを特徴とする請求項10または請求項11に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  13. 記録媒体と、この記録媒体に磁気的に情報を記録する垂直磁気記録ヘッドと、を搭載し、
    この垂直磁気記録ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備えた磁気記録装置であって、
    前記磁極層は、前記記録媒体対向面から前記記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有して延在すると共に前記記録媒体対向面に露出した露出面を有する一定幅部分と、この一定幅部分の後方に連結されて前記一定幅よりも大きな幅を有して延在すると共にその幅の拡がりに沿った拡幅端面を有する拡幅部分と、を含み、
    前記一定幅部分は、一定の厚さを有し、
    前記拡幅部分のうちの前記拡幅端面の高さH2は、前記一定幅部分のうちの前記露出面の高さH1よりも小さくなっている(H2<H1)
    ことを特徴とする磁気記録装置。
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