JP4226976B2 - 薄膜磁気ヘッドおよび磁気記録装置 - Google Patents

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Description

本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
近年、磁気記録媒体（例えばハードディスク）の面記録密度の向上に伴い、磁気記録装置（例えばハードディスクドライブ）に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きをハードディスクの面内方向（長手方向）にする長手記録方式や、信号磁界の向きをハードディスクの面と直交する方向にする垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、ハードディスクの面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では高い線記録密度を確保可能な上、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルのリーディング側においてエアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束をハードディスクに向けて放出する磁極層と、薄膜コイルのトレーリング側においてエアベアリング面から後方に向かって延在し、磁極層から放出された磁束の広がりを防止するライトシールド層（記録シールド層）とを備えている。この薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルに電流が流れると、その薄膜コイルにおいて記録用の磁束が発生する。そして、磁極層からハードディスクに向けて磁束が放出されると、その磁束に基づいて発生した記録用の磁界（垂直磁界）によりハードディスクが磁化されるため、そのハードディスクに磁気的に情報が記録される。この際、磁極層から放出された磁束のうちの広がり成分がライトシールド層に取り込まれるため、磁束の広がりが防止され、すなわち記録幅の拡大が防止される。
ところで、薄膜磁気ヘッドの記録動作時には、上記したように、磁束を発生させるために薄膜コイルに電流が流れるため、その薄膜コイルが発熱した結果、薄膜磁気ヘッド中の薄膜コイル近傍において蓄熱しやすくなる。この場合には、ライトシールド層において蓄熱量が大きくなりすぎると、そのライトシールド層が熱エネルギーの影響を受けて熱膨張することによりエアベアリング面から大きく突出するため、回転中のハードディスクにライトシールド層が衝突して薄膜磁気ヘッドが破損した結果、ハードディスクドライブが故障しやすくなる。この観点から、薄膜磁気ヘッドの記録動作を安定に確保し、ハードディスクドライブの故障を防止するためには、ライトシールド層の突出量を減少させるために、そのライトシールド層近傍の蓄熱量を可能な限り減少させる必要がある。
しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ライトシールド層の蓄熱対策が十分とは言えず、薄膜コイルの発熱量やライトシールド層の熱膨張率などの条件によってはライトシールド層が大きく突出して薄膜磁気ヘッドが破損し得るため、未だにハードディスクドライブが故障する可能性がある。特に、最近では、薄膜磁気ヘッドが取り付けられたヘッドスライダの浮上量、すなわち薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面とハードディスクの記録面との間の距離が約１０ｎｍまで低下しているため、そのハードディスクに対する薄膜磁気ヘッドの衝突を防止する上では、ライトシールド層の突出量を極力小さくする必要がある。
なお、薄膜磁気ヘッド中の蓄熱量を減少させる技術としては、例えば、熱伝導性の放熱層を設け、この放熱層を利用して放熱することにより薄膜磁気ヘッド中の熱蓄積を抑制する技術が挙げられる。この技術を適用した薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、薄膜コイルのトレーリング側、より具体的には磁極層の側方や上方に放熱層が配置されたものが具体的に知られている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この種の薄膜磁気ヘッドにおいても、上記したように、ヘッドスライダの浮上量が年々低下している動向を考慮すれば、薄膜磁気ヘッドの衝突を防止する上で、未だ改善の余地がある。
特開２００３−０８５７０７号公報
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、記録シールド層の突出量を減少させることにより記録媒体との衝突を防止し、記録動作を安定に確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載し、記録媒体に対する薄膜磁気ヘッドの衝突に起因した故障を防止することが可能な磁気記録装置を提供することにある。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向に移動する記録媒体に磁気的処理を施すものであり、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側において記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、薄膜コイルの媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、磁極層から放出された磁束の広がりを防止する記録シールド層と、薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側に配設され、その薄膜コイルにおいて発生した熱を放熱する放熱層とを備え、放熱層が薄膜コイルの配設領域に対応する領域に配設され、その放熱層の平面形状の輪郭が薄膜コイルの平面形状の輪郭よりも大きくなっているものである。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの発熱に起因して熱が発生すると、その熱が薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側に配設された放熱層へ誘導されて放熱される。これにより、薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側に熱が優先的に誘導される結果、その薄膜コイルの媒体進行方向側に配設されている記録シールド層において蓄熱しにくくなるため、その記録シールド層が熱膨張しにくくなる。
本発明に係る磁気記録装置は、媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドとを搭載し、この薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側において記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、薄膜コイルの媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在し、磁極層から放出された磁束の広がりを防止する記録シールド層と、薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側に配設され、その薄膜コイルにおいて発生した熱を放熱する放熱層とを備え、放熱層が薄膜コイルの配設領域に対応する領域に配設され、その放熱層の平面形状の輪郭が薄膜コイルの平面形状の輪郭よりも大きくなっているものである。
本発明に係る磁気記録装置では、上記した本発明に係る薄膜磁気ヘッドを搭載しているため、その薄膜磁気ヘッド中において記録シールド層が熱膨張しにくくなる。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、薄膜コイルの媒体進行方向側と反対側に放熱層が配設されていると共に、放熱層が薄膜コイルの配設領域に対応する領域に配設され、その放熱層の平面形状の輪郭が薄膜コイルの平面形状の輪郭よりも大きくなっている。これにより、薄膜コイルの媒体進行方向側に配設されている記録シールド層が熱膨張しにくくなるため、その記録シールド層が記録媒体対向面から突出しにくくなる。したがって、記録シールド層の突出量を減少させることにより記録媒体との衝突を防止し、記録動作を安定に確保することができる。
また、本発明に係る磁気記録装置によれば、本発明の薄膜磁気ヘッドを備えるようにしたので、記録シールド層の突出に起因して薄膜磁気ヘッドが記録媒体に衝突しにくくなる。したがって、記録媒体に対する薄膜磁気ヘッドの衝突に起因した故障を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１および図２は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１はエアベアリング面に垂直な断面（ＹＺ面に沿った断面）を示し、図２はエアベアリング面に平行な断面（ＸＺ面に沿った断面）を示している。また、図３は図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表している。なお、図１および図２に示した上向きの矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
以下の説明では、図１〜図３に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Ｄに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-resistive ）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層９（第２の分離層）と、放熱用の放熱層１０を含む放熱部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層１２（第１の分離層）と、垂直記録方式の記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド部１００Ｃと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１９とがこの順に積層された構成を有している。
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、絶縁層４により周囲を埋設された下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜５と、絶縁層７により周囲を埋設された上部リードシールド層６（再生シールド層）とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜５には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子８（磁気抵抗効果素子）が埋設されている。
下部リードシールド層３および上部リードシールド層６は、いずれもＭＲ素子８を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面２０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層６は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。この上部リードシールド層６は、再生ヘッド部１００ＡのうちのＭＲ素子８と放熱部１００Ｂのうちの放熱層１０との間に配設されている。
シールドギャップ膜５は、ＭＲ素子８を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
ＭＲ素子８は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）などの磁気抵抗効果を利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものであり、放熱部１００Ｂのうちの放熱層１０のリーディング側に配設されている。この「リーディング側」とは、図１および図２に示した媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｄ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｄ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。
放熱部１００Ｂは、例えば、上記した放熱層１０の周囲に分離層１１（第３の分離層）が埋設された構成を有している。この分離層１１は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁層材料により構成されており、放熱層１０は、分離層１１を介して周囲から磁気的に分離されている。なお、放熱層１０の構成等に関する詳細については後述する。
記録ヘッド部１００Ｃは、例えば、絶縁層１４により周囲を埋設された磁極層１３と、磁気連結用の開口（バックギャップ１５ＢＧ）が設けられたギャップ層１５と、絶縁層１７により埋設された薄膜コイル１６と、ライトシールド層１８（記録シールド層）とがこの順に積層された構成を有している。なお、図３では、図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの構成要素のうち、再生ヘッド部１００Ａのうちの上部リードシールド層６、放熱部１００Ｂのうちの放熱層１０、ならびに記録ヘッド部１００Ｃのうちの磁極層１３、薄膜コイル１６およびライトシールド層１８のみを示している。
磁極層１３は、薄膜コイル１６において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出するものであり、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などのめっき膜により構成されている。上記した「鉄コバルト系合金」としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。この磁極層１３は、薄膜コイル１６のリーディング側においてエアベアリング面２０から後方に向かって延在し、より具体的にはギャップ層１５に設けられたバックギャップ１５ＢＧに対応する位置まで延在している。この磁極層１３は、例えば、図３に示したように、エアベアリング面２０から後方に向かって延在し、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（Ｗ１＝約０．１５μｍ）を有する先端部１３Ａと、この先端部１３Ａの後方に磁気的に連結され、先端部１３Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１３Ｂとを含んで構成されている。磁極層１３の幅が先端部１３Ａ（幅Ｗ１）から後端部１３Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。なお、絶縁層１４は、磁極層１３を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
ギャップ層１５は、磁極層１３とライトシールド層１８とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１５は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
薄膜コイル１６は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１６は、例えば、図３に示したように、バックギャップ１５ＢＧ近傍に位置する一端部を中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造を有しており、その巻線幅および巻線間隔は前方において狭く、かつ後方において広くなっている。この薄膜コイル１６の一端部、すなわち内側の端部には通電端子１６ＴＡが設けられており、他端部、すなわち外側の端部には通電端子１６ＴＢが設けられている。なお、図１および図３では、薄膜コイル１６を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
絶縁層１７は、薄膜コイル１６を覆って周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１５ＢＧを塞がないようにギャップ層１５上に配設されている。この絶縁層１７は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成されており、その端縁近傍部分は丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層１７の前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。このスロートハイトゼロ位置ＴＰとエアベアリング面２０との間の距離は「スロートハイトＴＨ」であり、このスロートハイトＴＨは約０，３μｍ以下である。なお、図１および図３では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している。
ライトシールド層１８は、磁極層１３から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止するものである。このライトシールド層１８は、薄膜コイル１６のトレーリング側においてエアベアリング面２０から後方に向かって延在し、より具体的にはエアベアリング面２０に近い側においてギャップ層１５により磁極層１３から隔てられると共にエアベアリング面２０から遠い側においてバックギャップ１５ＢＧを通じて磁極層１３に隣接して磁気的に連結されるように延在している。特に、ライトシールド層１８は、例えば、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１８１と、このＴＨ規定層１８１から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１８２とを含んで構成されている。
ＴＨ規定層１８１は、ギャップ層１５に隣接し、エアベアリング面２０からこのエアベアリング面２０とバックギャップ１５ＢＧとの間の位置、より具体的にはエアベアリング面２０と薄膜コイル１６との間の位置まで延在している。このＴＨ規定層１８１は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、例えば、図３に示したように、磁極層１３の幅Ｗ２よりも大きな幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１８１には薄膜コイル１６を埋設している絶縁層１７が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１８１は絶縁層１７の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定し、より具体的にはスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
ヨーク層１８２は、絶縁層１７を覆うようにエアベアリング面２０からバックギャップ１５ＢＧに対応する位置まで延在しており、前方においてＴＨ規定層１８１に乗り上げて磁気的に連結されていると共に後方においてバックギャップ１５ＢＧを通じて磁極層１３に隣接して磁気的に連結されている。このヨーク層１８２は、例えば、ＴＨ規定層１８１と同様の磁性材料により構成されており、図３に示したように、ＴＨ規定層１８１と同様に幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
ここで、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの特徴部分である放熱部１００Ｂに関して詳細に説明する。
放熱部１００Ｂの主要部分である放熱層１０は、記録ヘッド部１００Ｃの薄膜コイル１６において発生した熱を放熱するものであり、薄膜コイル１６のリーディング側、より具体的には磁極層１３のリーディング側に配設されている。この放熱層１０は、例えば、非磁性材料、好ましくはライトシールド層１８よりも熱伝導性が高く、かつ熱膨張性が低い材料、より好ましくはさらに磁極層１３よりも熱伝導性が高く、かつ熱膨張性が低い材料により構成されている。具体的には、放熱層１０は、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）およびタングステン（Ｗ）を含む群のうちのいずれかを含んで構成されており、一例を挙げれば、上記した一連の材料群の中でも熱伝導性に優れた銅により構成されている。この放熱層１０は、例えば、上部シールド層６との間に配設された分離層９を介してその上部リードシールド層６から電気的に分離されていると共に、磁極層１３との間に配設された分離層１２を介してその磁極層１３から電気的に分離されている。
特に、放熱層１０は、例えば、図３に示したように、薄膜コイル１６の配設領域に対応する領域に配設されており、その放熱層１０の平面形状の輪郭は、薄膜コイル１６の平面形状の輪郭よりも大きくなっている。この「放熱層１０の輪郭が薄膜コイル１６の輪郭よりも大きい」とは、薄膜コイル１６の配設領域を含み、かつその薄膜コイル１６の配設領域よりも広い範囲に渡って延在するように放熱層１０が配設されていることを意味している。この放熱層１０は、例えば、エアベアリング面２０に露出しておらず、そのエアベアリング面２０から後退した位置（始端位置Ｐ１）から後方の位置（終端位置Ｐ２）まで延在しており、その延在方向において複数に分割された分割構造を有して断続的に延在している。具体的には、放熱層１０は、例えば、互いに別体をなす２つの構成要素、すなわち始端位置Ｐ１からその始端位置Ｐ１と終端位置Ｐ２との間の位置（途中位置Ｐ３；第１の途中位置）まで延在する前方部１０Ａ（第１の放熱層部分）と、その途中位置Ｐ３よりも後退した位置（途中位置Ｐ４；第２の途中位置）から終端位置Ｐ２まで延在し、前方部１０Ａから分離された後方部１０Ｂ（第２の放熱層部分）とを含んで構成されている。これらの前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂは、例えば、いずれも幅Ｗ３よりも大きな幅Ｗ４（Ｗ４＞Ｗ３）を有する矩形状の平面形状を有している。なお、前方部１０Ａと後方部１０Ｂとの間の間隔は、自由に設定可能である。この放熱層１０の配設領域に基づき、再生ヘッド部１００Ａのうちの上部リードシールド層６は、放熱層１０の配設領域に対応する領域に配設されており、その上部リードシールド層６の平面形状の輪郭は、放熱層１０の平面形状の輪郭よりも大きくなっている。この上部リードシールド層６は、例えば、幅Ｗ４よりも大きな幅Ｗ５（Ｗ５＞Ｗ４）を有する矩形状の平面形状を有している。この「上部リードシールド６の輪郭が放熱層１０の輪郭よりも大きい」とは、放熱層１０の配設領域を含み、かつその放熱層１０の配設領域よりも広い範囲に渡って延在するように上部リードシールド層６が配設されていることを意味している。なお、放熱層１０を構成する前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂは、例えば、必ずしも互いに同一の材料により構成されていなければならないわけではなく、互いに異なる材料により構成されていてもよい。前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂを互いに異なる材料で構成する場合には、例えば、より熱膨張性が低い材料により前方部１０Ａを構成すると共に、より熱伝導性が高い材料により後方部１０Ｂを構成するのが好ましい。確認までに、上記したように放熱層１０が前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂを含んで構成されている場合には、分離層１１は放熱層１０の周囲のみならず、前方部１０Ａと後方部１０Ｂとの間にも埋設されている。
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から通電端子１６ＴＡ，１６ＴＢを通じて記録ヘッド部１００Ｃの薄膜コイル１６に電流が流れると、その薄膜コイル１６において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層１３に収容されたのち、その磁極層１３内を後端部１３Ｂから先端部１３Ａへ流れる。この際、磁極層１３内を流れる磁束は、その磁極層１３の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１３Ａのうちのトレーリング側の端縁（トレーリングエッジ）ＴＥ（図２参照）近傍に集中する。このトレーリングエッジＴＥ近傍に集中した磁束が先端部１３Ａから外部に放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界が発生し、この記録磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に磁気的に情報が記録される。なお、情報の記録時には、先端部１３Ａから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層１８に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。このライトシールド層１８に取り込まれた磁束は、バックギャップ１５ＢＧを通じて磁極層１３に環流される。
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子８にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子８の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
特に、この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時に薄膜コイル１６に電流が流れ、その薄膜コイル１６が発熱すると、このとき発生した熱が、薄膜コイル１６のリーディング側に配設された放熱層１０（前方部１０Ａ，後方部１０Ｂ）に優先的に誘導される。この放熱層１０に誘導された熱は、さらに、上部リードシールド層６、下部リードシールド層３および絶縁層２を経由して基板１まで誘導されることによって放熱される。
次に、図１〜図８を参照して、図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図８は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。
以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図８を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（放熱部１００Ｂ，記録ヘッド部１００Ｃ）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴等に関して既に詳述した事項については、その説明を随時省略するものとする。
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、絶縁層４により周囲を埋設された下部リードシールド層３と、ＭＲ素子８を埋設したシールドギャップ膜５と、絶縁層７により周囲を埋設された上部リードシールド層６とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層９を形成したのち、この分離層９上に、分離層１１により周囲を埋設された放熱層１０を形成することにより、放熱部１００Ｂを形成する。続いて、放熱部１００Ｂ上に分離層１２を形成したのち、この分離層１２上に、絶縁層１４により周囲を埋設された磁極層１３と、バックギャップ１５ＢＧが設けられたギャップ層１５と、薄膜コイル１６を埋設した絶縁層１７と、ライトシールド層１８（ＴＨ規定層１８１，ヨーク層１８２）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｃを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｃ上にオーバーコート層１９を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面２０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
薄膜磁気ヘッドの主要部を形成する際には、分離層９を形成したのち、まず、図４に示したように、例えばめっき処理を使用して、放熱層１０をパターン形成する。この放熱層１０の形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、分離層９上にめっき処理用のシード層（図示せず）を形成したのち、そのシード層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。続いて、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、放熱層１０を形成するためのフォトレジストパターンを形成する。続いて、シード層と共にフォトレジストパターンを使用してめっき膜を成長させることにより、そのめっき膜からなる放熱層１０を形成する。この放熱層１０を形成する際には、例えば、図３に示したように、最終的にエアベアリング面２０から後退するように位置合わせすると共に、エアベアリング面２０に近い側から順に前方部１０Ａとこの前方部１０Ａから分離された後方部１０Ｂとを含む分割構造を有するようにする。
続いて、図５に示したように、例えばスパッタリングを使用して、放熱層１０およびその周辺を覆うように前駆分離層１１Ｚを形成する。この前駆分離層１１Ｚは、後工程において研磨処理を施されることにより分離層１１となる前準備層である。この前駆分離層１１Ｚを形成する際には、例えば、その最下面Ｍ１が放熱層１０の最上面Ｍ２よりも高くなるように厚さを調整する。
続いて、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）を使用して、少なくとも放熱層１０が露出するまで前駆分離層１１Ｚを研磨することにより、図６に示したように、放熱層１０の周囲を埋設するように分離層１１を形成する。これにより、放熱部１００Ｂが完成する。
続いて、図７に示したように、例えばスパッタリングを使用して、放熱部１００Ｂ上に分離層１２を形成したのち、例えばめっき処理を使用して、分離層１２上に磁極層１３をパターン形成する。この磁極層１３を形成する際には、例えば、図３に示したように、最終的にエアベアリング面２０に露出するように位置合わせすると共に、エアベアリング面２０に近い側から順に狭幅の先端部１３Ａと広幅の後端部１３Ｂとを含むようにする。こののち、上記した分離層１１を形成した場合と同様の手法を使用して、磁極層１３の周囲を埋設するように絶縁層１４を形成する。
続いて、例えばスパッタリングを使用して、磁極層１３および絶縁層１４上にギャップ層１５を形成する。このギャップ層１５を形成する際には、バックギャップ１５ＢＧを覆わないようにする。
続いて、ギャップ層１５上のうち、後工程において薄膜コイル１６が形成されることとなる領域よりも前方の領域に、例えばめっき処理を使用して、ＴＨ規定層１８１をパターン形成する。このＴＨ規定層１８１を形成する際には、その後端位置に基づいてスロートハイトＴＨが決定される点を考慮して形成位置を調整する。
続いて、例えばめっき処理を使用して、ＴＨ規定層１８１とバックギャップ１５ＢＧとの間のギャップ層１５上に、薄膜コイル１６をパターン形成する。この薄膜コイル１６を形成する際には、例えば、図３に示したように、通電端子１６ＴＡが設けられた一端部を中心としてスパイラル状に巻回する巻回構造を有するようにする。
続いて、例えばフォトリソグラフィ処理を使用して、薄膜コイル１６の各巻線間およびその周辺を覆うと共に、その前方部分がＴＨ規定層１８１に隣接するようにフォトレジスト膜（図示せず）をパターン形成したのち、そのフォトレジスト膜を焼成することにより、図８に示したように、絶縁層１７をパターン形成する。この焼成によりフォトレジスト膜が流動するため、前方部分がＴＨ規定層１８１に隣接したまま、後方部分が丸みを帯びて傾斜するように絶縁層１７が形成される。なお、必ずしもＴＨ規定層１８１を形成したのちに薄膜コイル１６を形成する必要はなく、例えば、薄膜コイル１６を形成したのちにＴＨ規定層１８１を形成するようにしてもよい。
最後に、例えばめっき処理を使用して、絶縁層１７およびその周辺を覆うようにヨーク層１８２をパターン形成する。このヨーク層１８２を形成する際には、前方においてＴＨ規定層１８１に乗り上げて磁気的に連結されると共に、後方においてバックギャップ１５ＢＧを通じて磁極層１３に隣接して磁気的に連結されるようにする。これにより、ＴＨ規定層１８１およびヨーク層１８２を含むライトシールド層１８が形成され、記録ヘッド部１００Ｃが完成する。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１６において発生した熱を放熱するための放熱層１０を、その薄膜コイル１６のリーディング側に設けるようにしたので、以下の理由により、ライトシールド層１８の突出量を減少させることにより記録媒体との衝突を防止し、記録動作を安定に確保することができる。
図９および図１０は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（図１参照）に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図９は第１の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を示し、図１０は第２の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成を示している。図９に示した第１の比較例の薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッド部１００Ａと記録ヘッド部１００Ｃとの間に放熱部１００Ｂ（放熱層１０）が設けられておらず、その放熱部１００Ｂに対応する箇所が厚めの分離層１１により埋設されている点を除き、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。また、図１０に示した第２の比較例の薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッド部１００Ａと記録ヘッド部１００Ｃとの間、すなわち薄膜コイル１６のリーディング側に代えて、オーバーコート層１９中、すなわち薄膜コイル１６のトレーリング側に放熱部１００Ｂ（放熱層１０）が設けられていると共に、上記した第１の比較例と同様に厚めの分離層１１を備えている点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。
図９に示した第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、放熱層１０を根本的に備えていないため、情報の記録時に薄膜コイル１６が発熱すると、その熱が放熱されにくくなり、すなわち薄膜コイル１６近傍において蓄熱しやすくなる。具体的には、低熱伝導性で厚めのアルミナにより構成された分離層１１が記録ヘッド部１００Ｃのリーディング側に隣接していると共に、同様に低熱伝導性で厚めのアルミナにより構成されたオーバーコート層１９が記録ヘッド部１００Ｃのトレーリング側に隣接しており、すなわちこれらの分離層１１とオーバーコート層１９との間に記録ヘッド部１００Ｃが挟まれているため、記録ヘッド部１００Ｃとその周囲（分離層１１やオーバーコート層１９）との間の熱勾配が小さくなり、すなわち記録ヘッド部１００Ｃから分離層１１やオーバーコート層１９へ熱が逃げにくくなる結果、高熱伝導性のライトシールド層１８において蓄熱しやすくなる。これにより、第１の比較例では、ライトシールド層１８の蓄熱量が大きくなりすぎると、その熱エネルギーの影響を受けてライトシールド層１８が熱膨張することによりエアベアリング面２０から大きく突出するため、そのライトシールド層１８が回転中の記録媒体に衝突し、記録動作が阻害される可能性が高くなる。
一方、図１０に示した第２の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、低熱伝導性で厚めのアルミナにより構成された分離層１１が記録ヘッド部１００Ｃのリーディング側に隣接している一方で、高熱伝導性の放熱層１０がオーバーコート層１９中、すなわち記録ヘッド部１００Ｃのトレーリング側に設けられているため、情報の記録時に薄膜コイル１６が発熱しても、その熱は放熱層１０を経由して放熱される。しかしながら、この場合には、薄膜コイル１６のトレーリング側に放熱層１０が配設されている構造的要因に起因して、放熱層１０を経由して熱が放熱される過程において、その熱が薄膜コイル１６のトレーリング側、すなわちライトシールド層１８の配設位置側に優先的に誘導されるため、薄膜コイル１６の発熱量によってはライトシールド層１８において依然として蓄熱し得る。これにより、第２の比較例では、上記した第１の比較例と同様に、ライトシールド層１８の蓄熱量が大きくなりすぎると、そのライトシールド層１８の突出量が大きくなるため、記録媒体に対するライトシールド層１８の衝突に起因して記録動作が阻害され得る。
これに対して、図１に示した本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、低熱伝導性で厚めのアルミナにより構成されたオーバーコート層１９が記録ヘッド部１００Ｃのトレーリング側に隣接している一方で、高熱伝導性の放熱層１０が記録ヘッド部１００Ｃのリーディング側に設けられているため、当然ながら、放熱層１０を備えていない第１の比較例とは異なり、放熱層１０を備えた第２の比較例と同様に、薄膜コイル１６が発熱したとしても、その熱は放熱層１０を経由して放熱される。しかも、本実施の形態では、「薄膜磁気ヘッドの動作」として上記したように、情報の記録時に薄膜コイル１６が発熱すると、その熱が薄膜コイル１６のトレーリング側、すなわちライトシールド層１８の配設位置側に優先的に誘導されず、リーディング側、すなわちライトシールド層１８の配設位置側と反対側に優先的に誘導されて放熱されるため、薄膜コイル１６のトレーリング側に放熱層１０が設けられている構造的要因に起因して、その薄膜コイル１６において発生した熱がライトシールド層１８の配設位置側に誘導されて放熱される第２の比較例と比較して、ライトシールド層１８において蓄熱しにくくなり、そのライトシールド層１８が熱膨張しにくくなる。したがって、本実施の形態では、ライトシールド層１８の突出量を減少させることが可能になるため、そのライトシールド層１８が記録媒体に衝突することを防止し、記録動作を安定に確保することができるのである。
特に、本実施の形態では、薄膜コイル１６のリーディング側に放熱層１０を設けたため、上記したライトシールド層１８の蓄熱状況に関連した理由の他、以下の理由によっても、記録動作の安定確保に寄与することができる。
すなわち、薄膜コイル１６のリーディング側に放熱層１０が設けられている本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、上記したように、第２の比較例（図１０参照）と比較してライトシールド層１８が蓄熱しにくくなるものの、薄膜コイル１６の発熱量によってはライトシールド層１８の蓄熱量が大きくなりすぎる可能性があるため、場合によっては第２の比較例と同様に依然としてライトシールド層１８の突出量が増大し得るとも考えられる。しかしながら、この点に関して、本実施の形態では、薄膜コイル１６のリーディング側に放熱層１０が配設されている構造的特徴に基づき、その放熱層１０に誘導された熱が、さらに、高熱伝導性の上部リードシールド層６および下部リードシールド層３を経由して基板１まで誘導されるため、最終的に放熱層１０だけでなく基板１まで放熱経路として利用することが可能である。この基板１は、金属と比較すると熱伝導性に劣るものの、アルミナと比較すると熱伝導性に優れているアルティックにより構成されており、単純に材料特性から言えば、高熱伝導性の放熱層１０ほど優れた放熱特性を有していないものの、薄い膜状の放熱層１０とは異なり、その放熱層１０よりも極めて厚いバルク状構造を有しているため、熱伝導量の絶対値から言えば、放熱層１０よりも極めて優れた放熱特性を有するものである。したがって、本実施の形態では、放熱層１０と共に基板１まで放熱経路として利用することにより放熱効率が著しく向上し、ライトシールド層１８の突出量を極めて減少させることが可能となるため、この観点においても記録動作の安定確保に寄与することができるのである。
また、本実施の形態では、放熱層１０を設けたことにより、その放熱層１０の放熱作用を利用してライトシールド層１８だけでなく磁極層１３の蓄熱量も減少するため、その磁極層１３の突出量も減少する。したがって、磁極層１３が記録媒体に衝突することも防止することが可能になるため、この観点においても記録動作の安定確保に寄与することができる。
この場合には、特に、磁極層１３に対して分離層１２を介して放熱層１０が近接配置されているため、放熱層１０が磁極層１３から遠く離れて配置されている第２の比較例（図１０参照）と比較して、磁極層１３の突出量をより減少させることができる。その理由は、以下の通りである。すなわち、磁極層１３では、磁束の集中に起因して狭幅の先端部１３Ａにおいて局所的に蓄熱しやすいため、磁極層１３の突出量を減少させる上では、可能な限り磁極層１３の近くに放熱層１０を配設し、その放熱層１０を利用して先端部１３Ａの蓄熱量を減少させることが重要である。この点を考慮すれば、本実施の形態では第２の比較例よりも放熱層１０が磁極層１３に対してより近い位置に配置されているため、放熱層１０を利用してより効果的に先端部１３Ａの蓄熱量を減少させることが可能となる。したがって、本実施の形態では、磁極層１３の突出量をより減少させることができるのである。
また、本実施の形態では、ライトシールド層１８よりも熱伝導性が高い材料により放熱層１０を構成したので、薄膜コイル１６が発熱した際に、その熱がライトシールド層１８よりも放熱層１０へ優先的に伝導する。したがって、ライトシールド層１８の蓄熱をより抑制することが可能となるため、そのライトシールド層１８の突出量をより減少させることができる。この点に関連しては、さらに、本実施の形態では、磁極層１３よりも熱伝導性が高い材料により放熱層１０を構成したので、ライトシールド層１８に関して上記した作用と同様の作用により、その磁極層１３の突出量をより減少させることができる。
この場合には、特に、ライトシールド層１８よりも熱膨張性が低い材料により放熱層１０を構成したため、そのライトシールド層１８に放熱層１０を併設した場合における放熱層１０の熱膨張量と、放熱層１０を併設しない場合におけるライトシールド層１８の熱膨張量とを比較すると、放熱層１０を併設した場合における放熱層１０の熱膨張量は、放熱層１０を併設しない場合におけるライトシールド層１８の熱膨張量よりも減少する。したがって、本実施の形態では、放熱層１０を併設したことに起因して、ライトシールド層１８の代わりに放熱層１０において蓄熱したとしても、その蓄熱に起因する放熱層１０の突出量を可能な限り減少させることができる。この点に関連しては、さらに、本実施の形態では、磁極層１３よりも熱膨張率が低い材料により放熱層１０を構成したため、ライトシールド層１８に関して上記した作用と同様の作用により、磁極層１３に放熱層１０を併設した場合におけるその放熱層１０の突出量を可能な限り減少させることができる。
また、本実施の形態では、非磁性材料により放熱層１０を構成したので、この放熱層１０が記録ヘッド部１００Ｃと再生ヘッド部１００Ａとの間を磁気的に分離する機能を果たす。したがって、情報の記録時に記録ヘッド部１００Ｃ（磁極層１３やライトシールド層１８）の内部を流れている磁束が意図せずに放熱層１０を経由して再生ヘッド部１００Ａ（上部リードシールド層６や下部リードシールド層３）に漏れることが防止されるため、この観点においても記録動作の安定確保に寄与することができる。
また、本実施の形態では、薄膜コイル１６の配設領域に対応する領域に放熱層１０を設け、その放熱層１０の平面形状の輪郭が薄膜コイル１６の平面形状の輪郭よりも大きくなるようにしたので、放熱層１０が薄膜コイル１６の全体に対して対向し、その薄膜コイル１６のうちの全ての箇所において放熱層１０へ至る熱の伝導経路が確保される。したがって、放熱層１０の平面形状の輪郭が薄膜コイル１６の平面形状の輪郭よりも小さい場合とは異なり、薄膜コイル１６において発生した熱の大部分が放熱層１０に円滑に伝導し、その熱が磁極層１３やライトシールド層１８において蓄熱しにくくなるため、この観点においても磁極層１３やライトシールド層１８の蓄熱量減少に寄与することができる。
また、本実施の形態では、放熱層１０の配設領域に対応する領域に上部リードシールド層６を設け、その上部リードシールド層６の平面形状の輪郭が放熱層１０の平面形状の輪郭よりも大きくなるようにしたので、薄膜コイル１６から放熱層１０へ伝導した熱を基板１まで導くための誘導経路として機能する上部リードシールド層６が放熱層１０の全体に対して対向し、その放熱層１０のうちの全ての箇所において上部リードシールド層６へ至る熱の誘導経路が確保される。したがって、上部リードシールド層６の平面形状の輪郭が放熱層１０の平面形状の輪郭よりも小さい場合とは異なり、放熱層１０に伝導された熱の大部分が上部リードシールド層６に円滑に伝導し、その熱が放熱層１０において蓄熱しにくくなるため、この観点においても放熱層１０の蓄熱量減少に寄与することができる。
また、本実施の形態では、放熱層１０がエアベアリング面２０から後退するようにしたので、薄膜コイル１６の発熱の影響を受けて放熱層１０自体が熱膨張した際に、その放熱層１０がエアベアリング面２０から突出することを防止することができる。
また、本実施の形態では、延在方向において複数に分割された分割構造を有し、具体的には前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂを含むように放熱層１０を構成したので、延在方向において１つの連続構造を有するように放熱層１０を構成した場合と比較して、放熱層１０自体が熱膨張した際に、その放熱層１０の前方（エアベアリング面２０へ近づく方向）への熱膨張量が小さくなる。したがって、放熱層１０の熱膨張に起因する突出量を可能な限り減少させることができる。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、分離層１１により放熱層１０の周囲が埋設された構成を有する放熱部１００Ｂを備えた薄膜磁気ヘッドを継続的に再現性よく製造するために、パターニング処理、成膜処理および研磨処理などの既存の製造プロセスしか使用せず、新規かつ煩雑な製造プロセスをしない。したがって、ライトシールド層１８の突出量を減少させることにより記録媒体との衝突を防止し、記録動作を安定に確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを安定かつ容易に製造することができる。
なお、上記実施の形態では、放熱層１０（前方部１０Ａ，後方部１０Ｂ）の周囲を埋設する分離層１１全体をアルミナなどの硬い材料により構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、その分離層１１のうちの一部をフォトレジストなどの弾性を有する軟らかい材料により構成してもよい。具体的には、例えば、図１１に示したように、分離層１１のうちの前方部１０Ａよりも後方の部分（分離層１１Ｂ）をフォトレジストにより構成し、その後方部分以外の部分、すなわちエアベアリング面２０に露出した部分（分離層１１Ａ）のみを硬いアルミナにより構成してもよい。この場合には、分離層１１全体が硬いアルミナなどにより構成されていることに起因して、放熱層１０の長さ方向（Ｙ軸方向）における端部、すなわち前方部１０Ａの前端および後端、ならびに後方部１０Ｂの前端および後端の全てが実質的に固定端となるおそれがある上記実施の形態とは異なり、硬いアルミナにより構成された分離層１１Ａの非変形作用を利用して前方部１０Ａの前端のみが実質的に固定端となるのに対して、軟らかいフォトレジストにより構成された分離層１１Ｂの弾性変形作用を利用して前方部１０Ａの後端、ならびに後方部１０Ｂの前端および後端が実質的に自由端となる。これにより、例えば、薄膜コイル１６の発熱に起因して放熱層１０が熱膨張したとしても、その熱膨張応力は前方（エアベアリング面２０に近づく方向）へ伝わらずに後方（エアベアリング面２０から遠ざかる方向）へ伝わり、フォトレジストの収縮変形作用を利用して薄膜磁気ヘッド中において相殺される。したがって、放熱層１０の熱膨張現象に起因して分離層１１が突出しにくくなるため、薄膜磁気ヘッド全体としての突出量をより効果的に減少させることができる。なお、図１１に示した薄膜磁気ヘッドの構成に関する上記以外の特徴は、図１に示した場合と同様である。
参考までに、図１１では、分離層１１のうちの前方部１０Ａよりも後方の部分（分離層１Ｂ）をフォトレジストにより構成し、その後方部分以外の部分（分離層１１Ａ）をアルミナにより構成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、上記したように、アルミナの非変形作用およびフォトレジストの弾性変形作用の双方を利用して分離層１１の突出を抑制することが可能な限り、その分離層１１の構成は自由に変更可能である。図示はしないが、図１１に示した以外の分離層１１の構成としては、例えば、分離層１１のうちのエアベアリング面２０に露出した一部分、すなわち上記した分離層１１Ａのうちのエアベアリング面２０に露出した前方の一部分をアルミナにより構成し、その一部分以外の部分、すなわち上記した分離層１１Ａの後方の一部分および分離層１１Ｂの双方をフォトレジストにより構成してもよい。このフォトレジストは、放熱層１０（前方部１０Ａ，後方部１０Ｂ）の周囲に埋設されることとなる。この場合においても、図１１に示した場合と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、図１に示したように、放熱層１０およびその周辺構造の構成に関して一例を挙げて説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、薄膜コイル１６の発熱量、薄膜磁気ヘッド中の蓄熱量、または磁極層１３やライトシールド層１８の突出量等の条件に応じて、放熱層１０およびその周辺構造の構成は自由に変形可能である。以下では、図１に対応する図１２〜図１６を参照して、放熱層１０およびその周辺構造の構成に関するいくつかの変形例を説明する。これらの図１２〜図１６に示したいずれの場合においても、上記実施の形態とほぼ同様の効果を得ることができる。なお、図１２〜図１６に示した一連の薄膜磁気ヘッドの構成に関する下記以外の特徴は、図１に示した場合と同様である。
具体的には、第１に、上記実施の形態では、放熱層１０として前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂの双方を設けるようにしたが、例えば、図１２に示したように、放熱層１０として前方部１０Ａのみを設けるようにしてもよいし、あるいは図１３に示したように、放熱層１０として後方部１０Ｂのみを設けるようにしてもよい。前方部１０Ａのみを設けた場合（図１２参照）には、特に、図３に示したように、薄膜コイル１６の巻線幅および巻線間隔が後方よりも前方において狭くなっており、すなわち各巻線が近接している構造的要因に起因して、その薄膜コイル１６の発熱量が後方部分よりも前方部分において大きくなるため、その発熱量が大きくなる箇所、すなわち薄膜コイル１６の前方部分に対応する領域にのみ放熱層１０（前方部１０Ａ）を設けることにより、後方部１０Ｂのみを設ける場合と比較して、薄膜磁気ヘッド１６近傍の蓄熱現象を選択的かつ効果的に防止することができる。また、後方部１０Ｂのみを設けた場合（図１３参照）には、特に、上記したように、薄膜コイル１６の後方部分よりも前方部分において発熱量が大きくなるため、その発熱量が大きくなりすぎない箇所、すなわち薄膜コイル１６の後方部分に対応する領域にのみ放熱層１０（後方部１０Ｂ）を設けることにより、前方部１０Ａのみを設ける場合と比較して、放熱層１０自体の熱膨張現象に起因して薄膜磁気ヘッド全体としての突出量が増大することを防止することができる。
また、第２に、上記実施の形態では、上部リードシールド層６が１つの連続構造を有するようにしたが、例えば、上部リードシールド層６が放熱層１０（前方部１０Ａ，後方部１０Ｂ）と同様に分割構造を有するようにし、具体的には、図１４に示したように、前方部１０Ａに対応して配置された前方部６Ａ（第１の再生シールド層部分）と、後方部１０Ｂに対応して配置され、前方部６Ａから分離された後方部６Ｂ（第２の再生シールド層部分）とを含むように上部リードシールド層６を構成してもよい。これらの前方部６Ａと後方部６Ｂとの間には、絶縁層７が埋設されている。この場合には、特に、放熱層１０から上部リードシールド層６を経由して基板１まで熱を誘導する際に、薄膜コイル１６の前方部分において発生した熱が前方部１０Ａ，６Ａを経由して基板１まで誘導されると共に、後方部分において発生した熱が後方部１０Ｂ，６Ｂを経由して基板１まで誘導され、すなわち薄膜コイル１６の前方部分および後方部分のそれぞれにおいて発生した熱が互いに別個の経路を経由して基板１まで誘導される。したがって、例えば、薄膜コイル１６の前方部分においてより発熱量が大きくなる点を考慮して、後方部１０Ｂ，６Ｂよりも高熱伝導性の材料により前方部１０Ａ，６Ａを構成すれば、薄膜コイル１６において発生した熱をより効率よく放熱することができる。
また、第３に、上記実施の形態では、放熱層１０と上部リードシールド層６との間に分離層９を設け、この分離層９を介して放熱層１０を上部リードシールド層６から電気的に分離するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１５に示したように、分離層９を設けずに、放熱層１０が上部リードシールド層６に隣接するようにしてもよい。この場合には、低熱伝導性のアルミナにより構成された分離層９が放熱層１０と上部リードシールド層６との間に設けられておらず、放熱層１０が上部リードシールド層６に接触しているため、分離層９が設けられていた上記実施の形態の場合と比較して、放熱層１０から上部リードシールド層６への熱伝導効率が向上する。したがって、薄膜コイル１６において発生した熱をより効率よく放熱することができる。
また、第４に、上記実施の形態では、分割構造を有するように放熱層１０を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１６に示したように、１つの連続構造を有して連続的に延在するように放熱層１０を構成してもよい。この場合には、分割構造を有するように放熱層１０を構成する場合と比較して、その放熱層１０の形成を簡略化することができる。
また、上記実施の形態では、単層構造を有するように磁極層１３を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１に対応する図１７に示したように、リーディング側において絶縁層２１により周囲を埋設されるように配設され、エアベアリング面２０から後退した位置から後方に向かって延在する補助磁極層１３１（第１の磁極層部分）と、トレーリング側に配設され、エアベアリング面２０から後方に向かって延在する主磁極層１３２（第２の磁極層部分）とが積層された積層構造を有するように磁極層１３を構成してもよい。この主磁極層１３２は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、図３に対応する図１８に示したように、上記実施の形態において説明した磁極層１３と同様の平面形状を有している。一方、補助磁極層１３１は、主磁極層１３２の磁気ボリューム（磁束収容量）を確保するための補助的な磁束の収容部分として機能するものであり、例えば、図１８に示したように、幅Ｗ２を有する矩形状の平面形状を有している。なお、絶縁層２１は、例えば、絶縁層１４と同様の材料により構成されており、この絶縁層２１には、放熱層１０のうちの後方部１０Ｂに対応する領域に、分離層１２に設けられた開口部を通じて後方部１０Ｂに連結され、その後方部１０Ｂと同様に放熱機能を担う追加放熱層２２が埋設されている。この場合には、補助磁極層１３１および主磁極層１３２が積層された磁極層１３の構造的特徴に基づき、磁束の放出口（エアベアリング面２０に露出した主磁極層１３２の露出面）を小さくしつつ、磁気ボリュームが確保されるため、記録磁界強度を高めることができる。
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
図１９および図２０は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１９は図１に対応した断面構成を示し、図２０は図３に対応した平面構成を示している。なお、図１９および図２０では、上記第１の実施の形態において説明した構成要素と同一の要素に同一の符号を付している。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、延在方向において２つに分割された分割構造（前方部１０Ａ，後方部１０Ｂ）を有するように放熱層１０が構成されていた上記第１の実施の形態とは異なり、延在方向において３つに分割された分割構造（前方部１０Ａ，中間部１０Ｃ，後方部１０Ｂ）を有するように放熱層１０が構成されている点を除き、上記第１の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。
この薄膜磁気ヘッドの放熱部１００Ｂを構成する放熱層１０は、例えば、図１９および図２０に示したように、互いに別体をなす３つの構成要素、すなわちエアベアリング面２０から後退した始端位置Ｐ１から途中位置Ｐ３まで延在する前方部１０Ａと、その途中位置Ｐ３よりも後退した途中位置Ｐ４から終端位置Ｐ２まで延在する後方部１０Ｂと、これらの前方部１０Ａと後方部１０Ｂとの間の領域において薄膜コイル１６の一端部に設けられた通電端子１６ＴＡの位置に対応して配設され、それらの前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂから分離されると共に通電端子１６ＴＡに電気的に連結された中間部１０Ｃ（第３の放熱層部分）とを含んで構成されている。中間部１０Ｃは、例えば、前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂと同様に放熱機能を果たすと共に、通電端子１６ＴＡを通じて薄膜コイル１６に電流を供給するためのリードとして機能するものであり、前方部１０Ａや後方部１０Ｂと同様に熱伝導性および熱膨張性を有する上、導電性を有する材料により構成されている。この中間部１０Ｃは、例えば、前方部１０Ａと後方部１０Ｂとの間の領域から一端部が外部に導出されたＬ字型の平面形状を有している。中間部１０Ｃと前方部１０Ａとの間の間隔、および中間部１０Ｃと後方部１０Ｂとの間の間隔は、その中間部１０Ｃと通電端子１６ＴＡとの間の電気的接続を確保可能な限り、自由に設定可能である。
この薄膜磁気ヘッドでは、放熱層１０のうちの外部に導出された中間部１０Ｃの一端部を通じて薄膜コイル１６に電流が供給されることにより、上記第１の実施の形態と同様に、情報の記録動作が実行される。この際、薄膜コイル１６において発生した熱が放熱層１０、すなわち前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂと共に中間部１０Ｃを経由して放熱される。なお、この薄膜磁気ヘッドは、放熱層１０の形成工程において、前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂと共に中間部１０Ｃを含むように放熱層１０をパターン形成する点を除き、上記第１の実施の形態において説明した製造方法を使用して製造可能である。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂと共に、薄膜コイル１６の一端部に設けられた通電端子１６ＴＡに接続され、その薄膜コイル１６に電流を供給するためのリードとしての機能を兼ねる中間部１０Ｃを含むように放熱層１０を構成したので、前方部１０Ａおよび後方部１０Ｂと同様に中間部１０Ｃを利用して薄膜コイル１６において発生した熱を放熱しつつ、その中間部１０Ｃを利用して薄膜コイル１６に電流を供給することが可能となる。これにより、本実施の形態では、リードとしての機能を兼ねる中間部１０Ｃを含めずに放熱層１０を構成した上記第１の実施の形態とは異なり、薄膜コイル１６に電流を供給するためのリードの形成を簡略化し、薄膜磁気ヘッドの製造容易化を実現することができる。なぜなら、放熱層１０が中間部１０Ｃを含まない上記第１の実施の形態の場合では、薄膜コイル１６に電流を供給可能とするために、放熱層１０を形成する工程と、薄膜コイル１６を形成する工程と、その薄膜コイル１６とは別個に通電端子１６ＴＡに接続されるようにリードを形成する工程との３工程が必要となるが、放熱層１０が中間部１０Ｃを含む本実施の形態では、放熱層１０の形成工程において、通電端子１６ＴＡに接続されると共に前方部１０Ａと後方部１０Ｂとの間の領域から一端部が導出されるように、リードの一部として機能する中間部１０Ｃを形成しておけば、薄膜コイル１６に電流を供給可能とするために、中間部１０Ｃを含む放熱層１０を形成する工程と、薄膜コイル１６を形成すると同時に中間部１０Ｃの一端部にリードを形成する工程との２工程だけで済むため、電流供給用のリードを形成するために必要な工程数が減る結果、薄膜磁気ヘッドの製造工程が簡略化されるからである。
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例、ならびに薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する上記以外の作用および効果は上記第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了する。
次に、図２１および図２２を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図２１は磁気記録装置の切り欠き外観構成を表し、図２２は磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記第１または第２の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
この磁気記録装置は、図２１に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（ハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、先端にヘッドスライダ２１０が取り付けられた複数のアーム２０２とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０３を中心として回転可能になっている。アーム２０２は、動力源としての駆動部２０４に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０５を中心として、ベアリング２０６を介して旋回可能になっている。駆動部２０４は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。なお、図２１では、例えば、固定軸２０５を中心として複数のアーム２０２が一体的に旋回するモデルを示している。
ヘッドスライダ２１０は、図２２に示したように、アーム２０２の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が一面（エアベアリング面２２０）に設けられた略直方体状の基体２１１のうち、そのエアベアリング面２２０と直交する一側面（図２２中、右手前側の面）に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この薄膜磁気ヘッド２１２は、例えば、上記第１または第２の実施の形態において説明した構成を有するものである。なお、図２２では、ヘッドスライダ２１０のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図２１に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
なお、薄膜磁気ヘッド２１２の詳細な構成については、上記各実施の形態において既に詳細に説明したので、その説明を省略する。
この磁気記録装置では、情報の記録時においてアーム２０２が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）までヘッドスライダ２１０が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記各実施の形態において説明したように動作することにより、薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に情報を記録する。
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド２１２を備えるようにしたので、磁気ディスク２０１に対する薄膜磁気ヘッド２１２の衝突に起因した故障を可能な限り防止することができる。
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例等は上記各実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
次に、本発明に関する実施例について説明する。
上記各実施の形態において説明した一連の構成を有する本発明の薄膜磁気ヘッドを代表して、上記第１の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照；以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッド」という。）を磁気記録装置（図２１および図２２参照）に搭載して記録処理を実行した際の突出量を調べたところ、図２３に示した結果が得られた。図２３はヘッド位置と突出量との間の相関を表しており、「横軸」はヘッド位置、すなわち基板１の位置（基板１と絶縁層２との境界位置）を基準（０μｍ）とした場合における薄膜磁気ヘッド中の厚さ方向（Ｚ軸方向）における位置（μｍ）を示し、「縦軸」は突出量、すなわち薄膜磁気ヘッドを構成する各構成要素のエアベアリング面２０からの突出長さ（ｎｍ）を示している。本発明の薄膜磁気ヘッドの突出量を調べる際には、その突出量を比較評価するために、上記実施の形態において図９に示した第１の比較例の薄膜磁気ヘッドの突出量および図１０に示した第２の比較例の薄膜磁気ヘッドの突出量も調べた。なお、図２３に示した「２３Ａ」は第１の比較例の薄膜磁気ヘッドに関する結果を示し、「２３Ｂ」は第２の比較例の薄膜磁気ヘッドに関する結果を示し、「２３Ｃ」は本発明の薄膜磁気ヘッドに関する結果を示している。また、図２３に「（１）」として示した位置は磁極層１３の配設位置を示し、「（２）」として示した位置はライトシールド層１８の配設位置を示している。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの構成条件は、放熱層１０の材質，厚さ，幅＝銅，３．１μｍ，９０μｍ、薄膜コイル１６に印加した起磁力＝１５０ＡＴ、分離層９，１２の厚さ＝０．２μｍとした。
図２３に示した結果から判るように、薄膜磁気ヘッドの突出量は基板１から離れるにしたがって次第に大きくなり、特に、磁極層１３の配設位置（１）およびライトシールド層１８の配設位置（２）において顕著に大きくなった。ここで、第１の比較例（２３Ａ）、第２の比較例（２３Ｂ）および本発明（２３Ｃ）の間で磁極層１３およびライトシールド層１８の突出量を比較すると、その突出量は磁極層１３およびライトシールド層１８のいずれに関しても第１の比較例よりも第２の比較例において減少し、さらに、第２の比較例よりも本発明において減少した。具体的な突出量を挙げれば、磁極層１３の突出量Ｔ１およびライトシールド層１８の突出量Ｔ２は、第１の比較例においてＴ１＝２．６０ｎｍ，Ｔ２＝４．１０ｎｍ、第２の比較例においてＴ１＝２．３０ｎｍ，Ｔ２＝３．７０ｎｍ、本発明においてＴ１＝１．７４ｎｍ，Ｔ２＝１．９０ｎｍとなり、本発明において著しく減少した。この結果は、第１の比較例、第２の比較例および本発明の順に薄膜磁気ヘッドの放熱特性が向上し、その薄膜磁気ヘッド中の記録ヘッド部１００Ｃの蓄熱量が減少したことを示している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１および第２の比較例の薄膜磁気ヘッドよりも磁極層１３やライトシールド層１８の突出量を減少させることにより記録媒体との衝突を防止し、記録動作を安定に確保することができることが確認された。
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記各実施の形態では、本発明を単磁極型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、リング型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に平行な断面構成）を表す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの他の断面構成（エアベアリング面に平行な断面構成）を表す断面図である。 図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における一工程を説明するための断面図である。 図４に続く工程を説明するための断面図である。 図５に続く工程を説明するための断面図である。 図６に続く工程を説明するための断面図である。 図７に続く工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第１の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第２の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例を説明するための断面図である。 放熱層およびその周辺構造の構成に関する第１の変形例を説明するための断面図である。 放熱層およびその周辺構造の構成に関する第１の変形例の他の態様を説明するための断面図である。 放熱層およびその周辺構造の構成に関する第２の変形例を説明するための断面図である。 放熱層およびその周辺構造の構成に関する第３の変形例を説明するための断面図である。 放熱層およびその周辺構造の構成に関する第４の変形例を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する他の変形例を説明するための断面図である。 図１７に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成（エアベアリング面に垂直な断面構成）を表す断面図である。 図１９に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。 本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の切り欠き外観構成を表す斜視図である。 図２１に示した磁気記録装置の主要部の外観構成を拡大して表す斜視図である。 本発明の薄膜磁気ヘッドに関するヘッド位置と突出量との間の相関を表す図である。
符号の説明
１…基板、２，４，１４，１７，２１…絶縁層、３…下部リードシールド層、５…シールドギャップ膜、６…上部リードシールド層、６Ａ，１０Ａ…前方部、６Ｂ，１０Ｂ…後方部、７，９，１１（１１Ａ，１１Ｂ），１２…分離層、８…ＭＲ素子、１０…放熱層、１０Ｃ…中間部、１１Ｚ…前駆分離層、１３…磁極層、１５…ギャップ層、１５ＢＧ…バックギャップ、１６…薄膜コイル、１６ＴＡ，１６ＴＢ…通電端子、１８…ライトシールド層、１９…オーバーコート層、２０，２２０…エアベアリング面、２２…追加放熱層、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…放熱部、１００Ｃ…記録ヘッド部、１３１…補助磁極層、１３２…主磁極層、１８１…ＴＨ規定層、１８２…ヨーク層、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…アーム、２０３…スピンドルモータ、２０４…駆動部、２０５…固定軸、２０６…ベアリング、２１０…ヘッドスライダ、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッドＭ…媒体進行方向、ＦＰ…フレアポイント、Ｐ１…始端位置、Ｐ２…終端位置、Ｐ３，Ｐ４…途中位置、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。























Claims (23)

  1. 媒体進行方向に移動する記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドであって、
    磁束を発生させる薄膜コイルと、
    この薄膜コイルの前記媒体進行方向側と反対側において前記記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
    前記薄膜コイルの前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記磁極層から放出された磁束の広がりを防止する記録シールド層と、
    前記薄膜コイルの前記媒体進行方向側と反対側に配設され、その薄膜コイルにおいて発生した熱を放熱する放熱層と、を備え、
    前記放熱層は、前記薄膜コイルの配設領域に対応する領域に配設され、その放熱層の平面形状の輪郭は、前記薄膜コイルの平面形状の輪郭よりも大きくなっている
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 前記放熱層は、前記磁極層の前記媒体進行方向側と反対側に配設されている
    ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 前記放熱層は、非磁性材料により構成されている
    ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 前記放熱層は、前記記録シールド層よりも熱伝導性が高く、かつ熱膨張性が低い材料により構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 前記放熱層は、前記磁極層よりも熱伝導性が高く、かつ熱膨張性が低い材料により構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 前記放熱層は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）およびタングステン（Ｗ）を含む群のうちのいずれかを含んで構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. さらに、前記放熱層と前記磁極層との間に配設された第１の分離層を備え、
    前記放熱層は、前記第１の分離層を介して前記磁極層から電気的に分離されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. さらに、前記放熱層の前記媒体進行方向側と反対側に配設され、磁気抵抗効果を利用して磁気的処理を実行する磁気抵抗効果素子と、
    この磁気抵抗効果素子と前記放熱層との間に配設され、前記磁気抵抗効果素子を周囲から磁気的に分離する再生シールド層と、
    を備えたことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 前記再生シールド層は、前記放熱層の配設領域に対応する領域に配設され、
    その再生シールド層の平面形状の輪郭は、前記放熱層の平面形状の輪郭よりも大きくなっている
    ことを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. さらに、前記放熱層と前記再生シールド層との間に配設された第２の分離層を備え、
    前記放熱層は、前記第２の分離層を介して前記再生シールド層から電気的に分離されて
    いる
    ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 前記放熱層は、前記再生シールド層に隣接している
    ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. さらに、前記放熱層の周囲に埋設された第３の分離層を備え、
    前記放熱層は、前記第３の分離層を介して周囲から電気的に分離されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 前記放熱層は、前記記録媒体対向面から後退した始端位置から後方の終端位置まで延在している
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 前記放熱層は、１つの連続構造を有して連続的に延在している
    ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 前記放熱層は、複数に分割された分割構造を有して断続的に延在している
    ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
  16. 前記放熱層は、前記始端位置からその始端位置と前記終端位置との間の第１の途中位置まで延在する第１の放熱層部分と、前記第１の途中位置よりも後退した第２の途中位置から前記終端位置まで延在し、前記第１の放熱層部分から分離された第２の放熱層部分と、の少なくとも一方を含んで構成されている
    ことを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  17. 前記第１の放熱層部分と前記第２の放熱層部分との間、ならびにそれらの第１の放熱層部分および第２の放熱層部分の周囲に第３の分離層が埋設され、前記第１の放熱層部分および前記第２の放熱層部分が前記第３の分離層を介して周囲から電気的に分離されており、
    前記第３の分離層のうちの前記第１の放熱層部分よりも後方の部分は、フォトレジストにより構成されている
    ことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッド。
  18. さらに、前記放熱層の前記媒体進行方向側と反対側に配設され、磁気抵抗効果を利用して磁気的処理を実行する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子と前記放熱層との間に配設され、前記磁気抵抗効果素子を周囲から磁気的に分離する再生シールド層と、を備え
    前記放熱層は、前記第１の放熱層部分および前記第２の放熱層部分の双方を含んで構成され、
    前記再生シールド層は、前記第１の放熱層部分に対応して配置された第１の再生シールド層部分と、前記第２の放熱層部分に対応して配置され、前記第１の再生シールド層部分から分離された第２の再生シールド層部分とを含んで構成されている
    ことを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の薄膜磁気ヘッド。
  19. 前記薄膜コイルは、一端部を中心としてスパイラル状に巻回された巻回構造を有し、
    前記放熱層は、前記第１の放熱層部分および前記第２の放熱層部分の双方と共に、さらに、前記第１の放熱層部分と前記第２の放熱層部分との間に配設され、それらの第１の放熱層部分および第２の放熱層部分から分離されると共に前記薄膜コイルのうちの前記一端部に連結された第３の放熱層部分を含んで構成され、
    この第３の放熱層部分は、導電性材料により構成され、前記一端部を通じて前記薄膜コイルに電流を供給するためのリードとしての機能を兼ねている
    ことを特徴とする請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  20. 前記放熱層は、めっき膜により構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  21. 前記磁極層は、前記媒体進行方向側と反対側に配設され、前記記録媒体対向面から後退した位置から後方に向かって延在する第１の磁極層部分と、前記媒体進行方向側に配設され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在する第２の磁極層部分と、が積層された構成を有している
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  22. 前記磁極層は、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されている
    ことを特徴とする請求項１または請求項２１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  23. 媒体進行方向に移動する記録媒体と、この記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドと、を搭載し、
    この薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルの前記媒体進行方向側と反対側において前記記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、前記薄膜コイルの前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記磁極層から放出された磁束の広がりを防止する記録シールド層と、前記薄膜コイルの前記媒体進行方向側と反対側に配設され、その薄膜コイルにおいて発生した熱を放熱する放熱層と、を備え、
    前記放熱層は、前記薄膜コイルの配設領域に対応する領域に配設され、その放熱層の平面形状の輪郭は、前記薄膜コイルの平面形状の輪郭よりも大きくなっている
    ことを特徴とする磁気記録装置。
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