JP2007250018A - 垂直磁気記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】主磁極層及び補助ヨーク層をトリミングすることなしに形成し、ネックハイトを高精度に規制できるとともに、フリンジングの抑制等、記録性能の向上を効果的に図ることが可能な形状を有する垂直磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を別々に形成するとともに、両層をトリミングすること無しに形成しているため、ネックハイトＮＨを主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１にて高精度に決定できるとともに、フリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａに導き入れることが可能な形状の垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造できる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、ディスクなどの記録媒体の媒体面に対して垂直方向に磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドの製造方法に関する。

垂直磁気記録ヘッドは、主磁極層と、前記主磁極層とハイト方向で重ねられる補助ヨーク層と、リターンヨーク層と、コイル層とを有して構成される。

前記主磁極層の記録媒体との対向面での面積は前記リターンヨーク層の前記対向面での面積に比べて十分に小さく形成され、これにより、前記主磁極層の先端に洩れ記録磁界が集中し、この集中している磁束により記録媒体が垂直方向へ磁化されて、前記記録媒体に磁気データが記録される。前記磁束は前記記録媒体内を通った後、前記リターンヨーク層に戻される。

図１９は、従来における垂直磁気記録ヘッドを構成する主磁極層及び補助ヨーク層の平面図である。

図１９に示すように、前記主磁極層１は、先端部１ａと後端部１ｂとで形成される。前記先端部１ａは前記対向面にトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて細長い形状にて形成されている。また、前記後端部１ｂは前記先端部１ａの後縁部１ｃで接続され、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法は前記先端部１ａの幅寸法より十分に広く形成されている。

前記補助ヨーク層２は、前記主磁極層１の先端部１ａに十分な磁束を導くために設けられた層である。前記補助ヨーク層２のトラック幅方向への最大寸法は、前記後端部１ｂのトラック幅方向への最大幅寸法と同程度かあるいはそれよりも広く形成されている。前記補助ヨーク層２は、例えば前記対向面側に向く前端面２ａが側端面２ｂに向かうにしたがってハイト方向に後退する傾斜面で形成される。

図１９に示す従来例では、前記補助ヨーク層２の前記前端面２ａは、前記対向面よりもハイト側に後退して形成されているが、前記主磁極層１の後端部１ｂの対向面側に向く前端面１ｄよりも対向面側に位置している。
特開２００４−１３９６６３号公報 特開２００５−９３０２９号公報 特開２００４−１８５７４２号公報 特開２００４−１２７４０６号公報

しかし、図１９に示す従来例の構造であると、平面視にて、前記補助ヨーク層２の前端面２ａのほうが、前記主磁極層１の後端部１ｂの前端面１ｄよりも前記対向面に近いために、前記補助ヨーク層２の前端面２ａから記録媒体へ漏れ磁界が生じ、フリンジング（fringing）が発生した。

またネックハイトが、前記補助ヨーク層２の前端面２ａと前記主磁極層１の先端部１ａとの重なり位置により決定されてしまい、垂直磁気記録ヘッドの記録性能が不安定化した。前記ネックハイトとは前記先端部１ａよりもハイト方向後方から前記先端部１ａに向けて磁束が導かれるときの前記磁束の集束位置である。このネックハイトが前記補助ヨーク層２の前端面２ａ位置により決められると、前記ネックハイトの位置のばらつきが生じやすく、また磁束の集束がスムーズに行われない等、前記垂直磁気記録ヘッドの記録性能に悪影響を与える結果となった。

よって、前記補助ヨーク層２の前端面２ａを、前記主磁極層１の後端部１ｂの前記前端面１ｄよりもハイト方向後方に後退させるという形態も考えられるが、係る場合、前記主磁極層１の先端部１ａから記録媒体に放出される磁界強度が弱くなる等、記録性能を低下させる原因となった。

上記した例えば特許文献１には、垂直磁気記録ヘッドの製造方法について記載されている。特許文献１では、ネックハイトのことを「フレアポイント」と称しているが、いずれにしても、特許文献１では前記フレアポイントを適切に規制できるとしている。

しかし特許文献１に記載された製造方法では、前記フレアポイントを、前記主磁極層のエッチングにより形成するため、位置ずれが生じやすいと考えられる。すなわち特許文献１によれば、前記主磁極層の上側に形成される層をマスクとしながら前記主磁極層をエッチングしていくが、前記マスクとなるべき層も削り込まれることで前記フレアポイントの位置ずれは生じやすくなるものと考えられる。また特許文献１では補助ヨーク層に対してもトリミングをしており、エッチング角度の調整や、マスクとすべき層の形成等、製造工程が煩雑化しやすいといった問題がある。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、ネックハイトを高精度に規制できるとともに、フリンジングの抑制等、記録性能の向上を効果的に図ることが可能な形状を有する垂直磁気記録ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。

本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。

（ａ） 平坦化面上に記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置から前記ハイト方向に延びて形成される細長形状の補助ヨーク先端部と、前記補助ヨーク先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記補助ヨーク先端部の幅寸法よりも広い補助ヨーク後端部とを有して成る補助ヨーク層をメッキ形成する工程、
（ｂ） 前記補助ヨーク層の周囲を絶縁層で埋め、前記補助ヨーク層の上面と前記絶縁層の上面を平坦化処理する工程、
（ｃ） 前記補助ヨーク層上及び前記絶縁層上に、前記対向面でトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に向けて細長形状で形成される磁極先端部と、前記磁極先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記磁極先端部の幅寸法よりも広い磁極後端部とを有して成る主磁極層をメッキ形成し、このとき、少なくとも一部の前記補助ヨーク先端部上に前記磁極先端部を重ねるとともに、前記磁極先端部の幅寸法を前記補助ヨーク先端部の幅寸法以上で形成し、さらに、平面視にて、前記磁極先端部の後縁部を、前記補助ヨーク先端部の後縁部と同位置、あるいは前記補助ヨーク先端部の後縁部よりも前記対向面側に位置させて、前記磁極先端部の後縁部によりネックハイトを規制する工程、
上記した発明は、補助ヨーク層の上に主磁極層を形成する製造方法である。前記（ａ）工程に示すように前記補助ヨーク層をメッキ形成し、前記（ｂ）での平坦化処理後、前記（ｃ）工程では、前記主磁極層をメッキ形成する。このとき平面視にて前記磁極先端部の後縁部を、前記補助ヨーク先端部の後縁部と同位置あるいは前記補助ヨーク先端部の後縁部よりも対向面側に位置させて、前記磁極先端部の後縁部によりネックハイトを規制するとともに、前記磁極先端部を前記補助ヨーク先端部上に重ね合わせ、このとき前記磁極先端部の幅寸法を、前記補助ヨーク先端部の幅寸法以上で形成している。このような制御を高精度に行うことが可能なのは、前記主磁極層及び補助ヨーク層を別々に形成するとともに、前記主磁極層及び補助ヨーク層をトリミングすること無しに形成しているからである。

上記の製造工程により、前記ネックハイトを適切に主磁極層の磁極先端部の後縁部にて高精度に決定できるとともに、フリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層の磁極先端部に導き入れることが可能な形状の垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造できる。

本発明では、前記（ｃ）工程で、平面視にて前記磁極後端部の前記対向面側に向く前端面全体を、前記補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面に沿って、あるいは前記補助ヨーク後端部の前記前端面よりも対向面側に形成することが好ましい。これにより、より適切にフリンジングの発生を抑制できる垂直磁気記録ヘッドを製造することが出来る。

また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記補助ヨーク先端部の前記対向面側に向く前端面及び補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面を、上面側から下面側に向かうにしたがってハイト方向に向けて傾く傾斜面で形成することが好ましい。具体的には、前記（ａ）工程よりも前に、前記平坦化面上に、前記（ａ）工程にて補助ヨーク層が形成される以外の箇所に絶縁層を形成し、このとき、前記絶縁層の前記補助ヨーク先端部の前端面と対向する後端面、及び前記補助ヨーク後端部の前端面と対向する後端面を、上面から下面に向けてハイト方向に向けて傾斜する傾斜面で形成し、前記（ａ）工程にて、前記絶縁層で囲まれたパターン内に前記補助ヨーク層をメッキ形成し、前記（ｂ）工程では、平坦化処理のみを行うことが好ましい。これにより、フリンジングの発生をより効果的に防止できるとともに、磁束をより十分且つスムーズに前記主磁極層の磁極先端部に導き入れることが可能な垂直磁気記録ヘッドを製造できる。

または、本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。

（ｄ） 平坦化面上に記録媒体との対向面にトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に向けて細長形状で形成される磁極先端部と、前記磁極先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記磁極先端部の幅寸法よりも広い磁極後端部とを有して成る主磁極層をメッキ形成し、このとき前記磁極先端部の後縁部の位置で、ネックハイトを規制する工程、
（ｅ） 前記主磁極層上に、前記対向面からハイト方向へ後退した位置から前記ハイト方向に延びて形成される細長形状の補助ヨーク先端部と、前記補助ヨーク先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記補助ヨーク先端部の幅寸法よりも広い補助ヨーク後端部とを有して成る補助ヨーク層をメッキ形成し、このとき、少なくとも前記補助ヨーク先端部の一部を前記磁極先端部上に重ねるとともに、前記補助ヨーク先端部の幅寸法を前記磁極先端部の幅寸法以下で形成し、さらに、平面視にて、前記補助ヨーク先端部の後縁部を、前記磁極先端部の後縁部と同位置、あるいは前記磁極先端部の後縁部よりもハイト方向に後退した位置に形成する工程、
上記した発明は、主磁極層の上に補助ヨーク層を形成する製造方法である。前記（ｄ）工程に示すように前記主磁極層をメッキ形成し、前記（ｅ）工程では、前記補助ヨーク層をメッキ形成する。このとき平面視にて前記補助ヨーク先端部の後縁部を、前記主磁極先端部の後縁部と同位置あるいは前記主磁極先端部の後縁部よりもハイト側に位置させて、前記磁極先端部の後縁部によりネックハイトを規制するとともに、少なくとも前記補助ヨーク先端部の一部を前記主磁極先端部上に重ね合わせ、このとき前記補助ヨーク先端部の幅寸法を、前記主磁極先端部の幅寸法以下で形成している。このような制御を高精度に行うことが可能なのは、前記主磁極層及び補助ヨーク層を別々に形成するとともに、前記主磁極層及び補助ヨーク層をトリミングすること無しに形成しているからである。

上記の製造工程により、前記ネックハイトを適切に主磁極層の磁極先端部の後縁部にて高精度に決定できるとともに、フリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層の磁極先端部に導き入れることが可能な形状の垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造できる。

本発明では、前記（ｅ）工程で、前記補助ヨーク層をリフトオフ用レジスト層を用いてスパッタ法により形成してもよい。これによっても前記補助ヨーク層をトリミングすること無しに形成できる。しかもかかる場合、前記補助ヨーク先端部の前記対向面側に向く前端面及び補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面を、下面側から上面側に向かうにしたがってハイト方向に向けて傾く傾斜面で形成できるため、フリンジングの発生をより効果的に防止できるとともに、磁束をより十分且つスムーズに前記主磁極層の磁極先端部に導き入れることが可能な垂直磁気記録ヘッドを製造することが可能になる。

また本発明では、前記（ｅ）工程にて、平面視にて前記補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面全体を、前記磁極後端部の前記対向面側に向く前端面に沿って、あるいは前記磁極後端部の前記前端面よりもハイト側に後退させて形成することが好ましい。これにより、より適切にフリンジングの発生を抑制できる垂直磁気記録ヘッドを製造することが出来る。

また本発明では、前記主磁極層を、前記補助ヨーク層よりも飽和磁束密度が高い磁性材料で形成し、前記補助ヨーク層を前記主磁極層よりも透磁率が高い磁性材料で形成することが好ましい。これにより、磁束を適切に主磁極層の磁極先端部に導くことが出来るとともに、前記主磁極層の磁極先端部での磁気飽和を抑制でき、高い記録性能を有する垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造することが可能である。

本発明によれば、主磁極層及び補助ヨーク層を別々に形成するとともに、両層をトリミングすること無しに形成しているため、ネックハイトを主磁極層の磁極先端部の後縁部にて高精度に決定できるとともに、フリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層の磁極先端部に導き入れることが可能な形状を有する垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造できる。

以下では、垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層２４及び補助ヨーク層４０の製造方法を中心に説明するが、説明の便宜上、まず最初に主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を含めた垂直磁気記録ヘッドの構造について、図１〜図４を用いて説明する。

図１は、垂直磁気記録ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、図２は、図１に示す垂直磁気記録ヘッドを構成する主磁極層と補助ヨーク層との部分平面図、図３は図２とは異なる形態の垂直磁気記録ヘッドを構成する主磁極層と補助ヨーク層との部分平面図、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、夫々異なる形態の主磁極層と補助ヨーク層とをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、である。

図示Ｘ方向は、トラック幅方向、図示Ｙ方向は、ハイト方向、図示Ｚ方向は、膜厚方向である。各方向は残り２つの方向に対して直交する関係となっている。

図１に示すように、スライダ（図示しない）上に形成された絶縁層１９の上面は平坦化面に形成され、この上面に、図示しないメッキ下地層が形成され、このメッキ下地層の上に、補助ヨーク層４０が形成される。なお前記スライダと前記絶縁層１９との間に再生ヘッドが設けられてもよい。図２に示すように、前記補助ヨーク層４０は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がＴ１で形成され、ハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて細長い形状で形成された補助ヨーク先端部４０ａと、前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１に接続され、前記補助ヨーク先端部４０ａよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い補助ヨーク後端部４０ｂとを有して構成される。前記補助ヨーク先端部４０ａは、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に後退した位置に形成される。図２に示すように、前記補助ヨーク後端部４０ｂは、前記補助ヨーク先端部４０ａと接続される側に位置しハイト方向に向けてトラック幅方向への幅寸法が徐々に広がる領域４０ｂ１と、前記領域４０ｂ１のハイト方向後方に位置しハイト方向に向けて一定の幅寸法Ｔ２で形成される領域４０ｂ２とで形成される。よって前記補助ヨーク後端部４０ｂの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面４０ｃは、前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１から前記補助ヨーク後端部４０ｂのトラック幅方向の両側に位置する両側端面４０ｄに向けて、徐々にハイト方向に後退する傾斜面で形成される。前記両側端面４０ｄは前記ハイト方向と平行な方向に形成される。

前記補助ヨーク層４０の周囲は絶縁層４１によって埋められており、前記補助ヨーク層４０の上面と前記絶縁層４１の上面は同一平面で形成されている。

前記補助ヨーク層４０上及び前記絶縁層４１上には主磁極層２４が形成される。図２に示すように、前記主磁極層２４は、前記対向面Ｈ１ａでトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に細長い形状で延びる磁極先端部２４ａと、前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１に接続され、前記磁極先端部２４ａよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い磁極後端部２４ｂとを有して構成される。図２に示すように、前記磁極後端部２４ｂは、前記磁極先端部２４ａと接続される側に位置しハイト方向に向けてトラック幅方向への幅寸法が徐々に広がる領域２４ｂ１と、前記領域２４ｂ１のハイト方向後方に位置しハイト方向に向けて一定の幅寸法Ｔ３で形成される領域２４ｂ２とで形成される。よって前記磁極後端部２４ｂの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面２４ｃは、前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１から前記磁極後端部２４ｂのトラック幅方向の両側に位置する両側端面２４ｄに向けて、徐々にハイト方向に後退する傾斜面で形成される。前記両側端面２４ｄは前記ハイト方向と平行な方向に形成される。

図１に示すように、前記主磁極層２４の上には、アルミナまたはＳｉＯ_２などの無機材料によって、ギャップ層２１が形成されている。

図１に示すように、前記ギャップ層２１上には、コイル絶縁下地層２２を介してコイル層２３が形成されている。前記コイル層２３上には、Ａｌ_２Ｏ_３などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層２６が形成されている。また図１に示す実施形態では、前記ギャップ層２１上に、無機または有機材料によってＧｄ決め層２８が形成されている。前記Ｇｄ決め層２８の前縁は、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に所定距離（ギャップデプス）だけ離れて形成されている。

図１に示すように、前記ギャップ層２１上からＧｄ決め層２８上及びコイル絶縁層２６上にかけてパーマロイなどの強磁性材料によってリターンヨーク層２７が形成されている。図１に示すように、前記リターンヨーク層２７のハイト方向の後端部は、前記補助ヨーク層４０と磁気的に接続する接続部２７ｂとなっている。なお磁気的な接続なしに、前記リターンヨーク層２７がシールドとして機能してもよい。図１に示すように、前記リターンヨーク層２７上は、無機絶縁材料などで形成された保護層３１に覆われている。

図２に示すように、平面視にて、前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１は、前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１よりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置している。また後述の製造方法で説明するように本実施形態では前記主磁極層２４はフレームメッキ法（レジスト等に主磁極層２４の抜きパターンのフレームを作って、前記抜きパターン内及び前記フレームの外側のダミー部にメッキを行い、前記フレーム及びダミーメッキを除去する方法）あるいはパターンメッキ法（レジスト等に抜きパターンを形成し、前記抜きパターン内にメッキした後、前記レジストを除去する方法）により形成されている。すなわち前記主磁極層２４は、エッチングに代表されるトリミングにより形作られたものでない。エッチングの場合、エッチング精度によって前記後縁部２４ａ１の位置ずれが生じやすいが、本実施形態では、適切に前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１の位置を規制できる。図２に示す実施形態では、前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１の位置で適切にネックハイトを規制できる。

また図２に示すように、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前記前端面４０ｃ全体が、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前記前端面２４ｃよりもハイト方向に後退している。すなわち図２に示す平面視にて、前記補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃは、前記磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃよりも対向面Ｈ１ａ側に飛び出していない。よってフリンジングの発生を適切に防止できる。

また図２に示す実施形態では、前記補助ヨーク層４０に補助ヨーク先端部４０ａの一部が前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａに重ねられている。このとき、平面視にて、前記補助ヨーク先端部４０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面は、前記磁極先端部２４ａの前記両側端面に沿って形成されているから（あるいは、補助ヨーク先端部４０ａの両側端面が、前記磁極先端部２４ａの両側端面の内側に位置してもよい）、前記補助ヨーク先端部４０ａからのフリンジングを適切に抑制しつつ、前記磁極先端部２４ａに十分な大きさの磁界をスムーズに集束させることができ、前記磁極先端部２４ａから記録媒体に向けられる磁界強度を強めることが出来る。この結果、本実施形態の垂直磁気記録ヘッドは、記録性能に優れたものとなる。

また図３のように、平面視にて、前記主磁極層２４の前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１と前記補助ヨーク層４０の前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１とが同位置で形成され、さらに、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前記前端面４０ｃが、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前記前端面２４ｃに沿って形成されていてもよい。また図３では、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂでの幅寸法と、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂでの幅寸法とが同じ幅寸法Ｔ４で形成されている。

図１ないし図３に示す実施形態では、前記主磁極層２４の上に前記補助ヨーク層４０が形成されており、断面形状は図４（ａ）と同じであるが、後述する製造方法によれば、他の断面形状の形成も可能である。図４（ａ）〜（ｄ）に示す断面形状はいずれも図１と同じ方向からの断面である。

図４（ａ）〜（ｄ）に示す矢印「ＮＨ」はネックハイトの位置を示している。また、図４（ａ）〜（ｄ）に示す主磁極層２４及び補助ヨーク層４０の平面形状は、いずれも例えば図２と同じである。図４（ａ）〜（ｄ）に示す断面形状は、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０をちょうどトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中心位置からハイト方向へ向けて膜厚方向と平行な方向に切断した形状である。

図４（ｂ）は、図４（ａ）と同様に、補助ヨーク層４０上に主磁極層２４が形成されているが、図４（ａ）と異なって、前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｆは、上面から下面に向けて徐々にハイト方向に後退する傾斜面となっている。すなわち、前記主磁極層２４から離れるに従って徐々にハイト方向に後退する傾斜面となっている。ここで前記前端面４０ｆは、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの前端面であり、さらに傾斜面となる前記前端面４０ｆは、前記補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃにも現れる。

図４（ｂ）に示すように前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｅを前記補助ヨーク層４０から離れるにしたがって徐々にハイト方向に後退する傾斜面で形成することで、前記前端面４０ｆからのフリンジングを適切に防止できるとともに、磁束をスムーズに前記主磁極層２４に導くことができ、記録性能を向上させることができる。

図４（ｃ）では、前記主磁極層２４上に補助ヨーク層４０が形成されている。前記補助ヨーク層４０と前記対向面Ｈ１ａ間は絶縁層４１によって埋められており、前記補助ヨーク層４０の上面と前記絶縁層４１の上面は同一の平坦化面で形成されている。

図４（ｄ）も図４（ｃ）と同様に、前記主磁極層２４上に補助ヨーク層４０が形成されているが、図４（ｃ）と異なって、前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｅは、下面から上面に向けて徐々にハイト方向に後退する傾斜面となっている。すなわち、前記主磁極層２４から離れるに従って徐々にハイト方向に後退する傾斜面となっている。ここで前記前端面４０ｅは、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの前端面であり、さらに傾斜面となる前記前端面４０ｅは、前記後端部４０ｂの前端面４０ｃにも現れる。

図４（ｄ）に示すように前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｅを前記補助ヨーク層４０から離れるにしたがって徐々にハイト方向に後退する傾斜面で形成することで、前記前端面４０ｅからのフリンジングを適切に防止できるとともに、磁束をスムーズに前記主磁極層２４に導くことができ、記録性能を向上させることができる。

次に説明する垂直磁気記録ヘッドの製造方法によれば、図４（ａ）〜（ｄ）のいずれの形態の垂直磁気記録ヘッドも適切に且つ容易に製造することが可能である。本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの製造方法では、ネックハイトＮＨを主磁極層２４にて形成でき、しかも前記ネックハイトＮＨの位置を高精度に決定できる。さらにフリンジングの発生を抑制できるとともに、前記主磁極層２４へ十分な磁界をスムーズに供給できるように、補助ヨーク層４０の形状や主磁極層２４との位置関係等を適切に制御することが出来る。

まず図１，図２及び図４（ａ）の垂直磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。以下では、主磁極層２４と補助ヨーク層４０の製造方法を中心に説明する。図５〜図１０の各図の左図は、製造工程中における垂直磁気記録ヘッドの部分断面図（図１や図４と同じ方向からの断面図）、各図の右図は、製造工程中における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図である。なお垂直磁気記録ヘッドの製造方法では実際には、記録媒体との対向面Ｈ１ａよりもさらに前方の領域にも成膜し（例えば主磁極層２４の形成時には前記前方の領域に前記主磁極層２４と連続するダミーパターンの形成等を行う）、最終段階で前記対向面Ｈ１ａに沿って切断して、前記前方の領域を削除するが、以下の製造方法の説明では前記前方の領域については、特に説明しない。

図５に示す工程では、平坦化された図１に示す絶縁層１９上の全面に、ＮｉＦｅ等の磁性材料によるメッキ下地層５０をスパッタ成膜する。次に、前記メッキ下地層５０上の全面にレジスト層５１を塗布し、前記レジスト層５１に、補助ヨーク層４０の抜きパターン５１ａを露光現像により形成する。

図５の右図に示すように、前記抜きパターン５１ａを、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離Ｌ１だけ離れた位置からハイト方向に向けて形成する。前記抜きパターン５１ａの形状は、図２に示す補助ヨーク層４０と同形状であるから、図５に示すように前記抜きパターン５１ａに、細長い形状の先端部５１ｂと、前記先端部５１ｂのハイト方向後方に前記先端部５１ｂよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い後端部５１ｃとを形成する。前記レジスト層５１の壁面５１ｅは、平坦化面（図示Ｘ−Ｙ平面）に対する垂直方向（図示Ｚ方向）に沿って形成されている。

図５の工程では、前記抜きパターン５１ａを形成するとき、前記抜きパターン５１ａを前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にＬ１だけ離して形成するとともに、前記抜きパターン５１ａの先端部５１ｂの後縁部５１ｂ１の前記対向面Ｈ１ａからの距離Ｌ２を適切に規制する。また、前記先端部５１ｂの幅寸法Ｔ１を、後の工程で製造される主磁極層２４の磁極先端部２４ａの幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）と同じかあるいはそれよりも小さく形成する。また前記先端部５１ｂの全体にわたって一定の幅寸法で形成しなくても、例えばハイト方向に向かって徐々に幅寸法が広がる形態で形成してもよい。また図５に示すように前記抜きパターン５１ａの後端部５１ｃの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面５１ｃ１を、幅方向の中心から側端面５１ｄに向かって徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する傾斜面で形成することが好ましい。また、図５では前記側端面５１ｄをハイト方向と平行な方向に形成しているため、前記側端面５１ｄが幅方向にて対向する領域では前記後端部５１ｃの幅寸法は一定となっているが、前記側端面５１ｄが対向する領域においてハイト方向に向かうにしたがって徐々に幅寸法が広がる形態で形成されてもよい。

次に図６に示す工程では、前記抜きパターン５１ａから露出する前記メッキ下地層５０上に、補助ヨーク層４０をメッキ形成する。前記補助ヨーク層４０を、後に形成される主磁極層２４よりも透磁率の高い磁性材料で形成することが好ましい。また前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１を、後に製造される主磁極層２４よりも厚い膜厚Ｈ２で形成することが好ましい。なお前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１は図６工程の段階のメッキ形成時よりも図７工程の平坦化処理工程を経て薄くなるので、その薄くなる膜厚を見込んで、前記膜厚Ｈ１を図６のメッキ段階で調整することが必要である。前記補助ヨーク層４０は、前記主磁極層２４の主磁極先端部２４ａに十分な量の磁束を導く役割を有するものであるため、前記補助ヨーク層４０を高い透磁率でしかも厚い膜厚Ｈ１で形成することで前記主磁極先端部２４ａへ十分な量の磁束を供給することが可能になる。前記補助ヨーク層４０は前記抜きパターン５１ａと同形状でメッキ形成され、図２に示す形状と同形状となる。すなわち前記補助ヨーク層４０は前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に離れた位置にハイト方向に向けて延びる細長い形状の補助ヨーク先端部４０ａと、前記補助ヨーク先端部４０ａのハイト方向後方に形成され幅寸法Ｔ２が前記補助ヨーク先端部４０ａよりも広い補助ヨーク後端部４０ｂとから構成される。また、前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１は、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）へＬ２だけ離れた位置に形成される。また前記補助ヨーク先端部４０ａの幅寸法Ｔ１は、後に形成される主磁極層２４の磁極先端部２４ａの幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）と同じかあるいはそれよりも小さく形成される。

そして前記レジスト層５１を除去し、前記補助ヨーク層４０の下以外のメッキ下地層５０をエッチングで除去する。

図７に示す工程では、前記補助ヨーク層４０上及びその周囲に広がる絶縁層１９上に、絶縁層４１をスパッタ法等の蒸着法により形成する。前記絶縁層４１をＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料で形成する。

そして前記補助ヨーク層４０及び前記絶縁層４１をＣＭＰ技術等を用いてＡ−Ａ線の位置まで平坦化処理し、図８に示すように、前記補助ヨーク層４０の上面４０ｇと前記絶縁層４１の上面４１ａを同じ平坦化面に形成する。

次に図９に示す工程では、前記補助ヨーク層４０上の全面及び絶縁層４１上の全面にＮｉＦｅ合金等のメッキ下地層５２をスパッタ法等で形成し、前記メッキ下地層５２上にレジスト層５３を塗布する。次に形成される主磁極層２４を前記補助ヨーク層４０上にのみ重ねるなら、前記補助ヨーク層４０の上面がメッキ下地層として機能するため前記メッキ下地層５２の形成は必要ないが、本実施形態では、前記主磁極層２４を前記補助ヨーク層４０上のみならず絶縁層４１上にも一部はみ出して形成するため、前記絶縁層４１上にも適切にメッキをすべく、上記したメッキ下地層５２を形成する。

図９に示すように前記レジスト層５３に露光現像により主磁極層２４の抜きパターン５３ａを形成する。前記抜きパターン５３ａを前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて形成する。前記抜きパターン５３ａの形状は、図２に示す主磁極層２４と同形状であるから、図９の右図に示すように前記抜きパターン５３ａに、細長い形状の先端部５３ｂと、前記先端部５３ｂのハイト方向後方に前記先端部５３ｂよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い後端部５３ｃとを形成する。

図９の工程では、前記抜きパターン５３ａを形成するとき、前記抜きパターン５３ａの先端部５３ｂの後縁部５３ｂ１を、平面視にて、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１と同位置か、あるいは前記後縁部４０ａ１よりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置するように規制する。前記後縁部５３ｂ１の位置は、主磁極層２４を形成した際のネックハイトＮＨの位置となり高精度に位置決めする必要がある。よって図９のように、前記抜きパターン５３ａの先端部５３ｂの後縁部５３ｂ１を、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１よりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置させるほうが、位置決めを適切且つ簡単に行いやすく好ましい。また、前記先端部５３ｂの幅寸法Ｔ５を、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの幅寸法Ｔ１と同じかあるいはそれよりも大きく形成する。なお前記先端部５３ｂの幅寸法Ｔ５は、トラック幅Ｔｗとなり、前記トラック幅Ｔｗは予め決められているため、幅寸法の制御は前記補助ヨーク層４０の形成時に行うことが好ましい。すなわち前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの幅寸法Ｔ１が、前記トラック幅Ｔｗと同じかあるいはそれよりも小さくなるように、図５の工程での抜きパターン５１ａを形成する。また図９に示すように前記抜きパターン５３ａの後端部５３ｃの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面５３ｃ１を、幅方向の中心から側端面５３ｄに向かって徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する傾斜面で形成する。このとき、前記前端面５３ｃ１の全体を、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃよりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置させることが好ましい。ただし、前記前端面５３ｃ１の側に側端面５３ｄ近傍の一部が、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃよりもハイト側に位置してもよい。

次に図１０工程では、前記抜きパターン５３ａから露出するメッキ下地層５２上に主磁極層２４をメッキ形成する。前記主磁極層２４をメッキした後、前記レジスト層５３を除去する。前記主磁極層２４を前記補助ヨーク層４０よりも飽和磁束密度が高い磁性材料で形成することが好ましい。前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａはトラック幅Ｔｗで形成された細長い形状であるため、前記主磁極層２４を飽和磁束密度が低い磁性材料で形成すると前記磁極先端部２４ａで磁化飽和しやすく記録性能が低下してしまう。よって前記主磁極層２４を飽和磁束密度が高い磁性材料で形成する。一方、補助ヨーク層４０にも補助ヨーク先端部４０ａが設けられており、前記補助ヨーク先端部４０ａで磁化飽和は生じやすい。ただし主磁極層２４と異なって、仮に前記補助ヨーク先端部４０ａが磁化飽和に達しても、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂと前記主磁極層２４とは一部で重なるように形成されており、したがって前記補助ヨーク後端部４０ｂから前記主磁極層２４へ磁束を導くことが出来るので、主磁極層２４の場合ほど問題とはならない。しかし前記補助ヨーク先端部４０ａが磁化飽和に達すると、出来る限り対向面Ｈ１ａに近付けて前記磁極先端部２４ａに十分な磁束を直接的に供給するという補助ヨーク先端部４０ａの機能が失われるため、前記補助ヨーク先端部４０ａが磁気飽和しないようにすることが好ましく、そのためには前記補助ヨーク先端部４０ａのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法を前記磁極先端部２４ａのハイト方向への長さ寸法に比べて短くし、あるいは、上記したように前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１を前記主磁極層２４の膜厚Ｈ２よりも厚く形成し、又は、前記補助ヨーク先端部４０ａのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法を前記磁極先端部２４ａのハイト方向への長さ寸法に比べて短くし、且つ、前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１を前記主磁極層２４の膜厚Ｈ２よりも厚く形成して、前記補助ヨーク先端部４０ａが磁気飽和に達しないようにすることが好ましい。

前記主磁極層２４は前記抜きパターン５３ａと同形状でメッキ形成され、図２に示す形状と同形状となる。すなわち前記主磁極層２４は前記対向面Ｈ１ａにトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に延びる細長い形状の磁極先端部２４ａと、前記磁極先端部２４ａのハイト方向後方に形成され幅寸法Ｔ３が前記磁極先端部２４ａよりも広い磁極後端部２４ｂとから構成される。また前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１の位置から対向面Ｈ１ａまでの距離がネックハイトＮＨとなり、前記主磁極層２４により適切に前記ネックハイトＮＨを規制することが出来る。さらに、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃの全体が、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃよりもハイト方向後方に位置するため、前記補助ヨーク層４０からのフリンジングの発生を抑制できるとともに、前記補助ヨーク層４０に補助ヨーク先端部４０ａを設け、少なくとも前記補助ヨーク先端部４０ａの一部を前記磁極先端部２４ａの後方位置に重ね合わせているので、前記補助ヨーク層４０から前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａに十分な磁束を供給でき、前記磁極先端部２４ａから放出される磁界強度を強くでき、記録性能に優れた垂直磁気記録ヘッドを製造できる。なお、平面視にて、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃは、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃに沿って形成されていてもよく、また、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃの側端面４０ｄ近傍の一部が、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃよりも対向面Ｈ１ａ側に位置しても、主磁極先端部２４ａの位置からトラック幅方向にかなり離れた位置であるため、図１９の従来例に比べて、フリンジングの発生を抑制できる。ただし、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク後端部４０ｂの前端面４０ｃの全体が、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃよりもハイト方向後方に位置する形態が最も好ましい。

上記した製造方法によれば、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を平坦化面上にフレームメッキ法やパターンメッキ法を用いて形成し、前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１でネックハイトＮＨを規制している。これにより前記ネックハイトＮＨの位置を高精度に制御することが出来る。

このように本実施形態では、主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を夫々別々に形成するとともに、エッチング等に代表されるトリミングを行うことなく形成している。

従来では、例えば、前記主磁極層２４をエッチングすることでネックハイトＮＨの位置を決めていたが、係る場合では、前記ネックハイトＮＨの位置ずれが生じやすく高精度に前記ネックハイトＮＨの位置を決めることが出来なかった。一方、本実施形態では、上記のように、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を平坦化面上にフレームメッキ法やパターンメッキ法を用いて形成するため、前記ネックハイトＮＨの位置を高精度に決定できる。さらに本実施形態では、フリンジングの防止及び前記主磁極層２４の主磁極先端部２４ａへの磁束の十分な供給を確保するために、前記主磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１と前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１との位置関係のみならず、他の部位の位置関係も適切に制御することが必要であるが、このような位置制御を、本実施形態では、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０をフレームメッキ法やパターンメッキ法で形成することで、容易に行うことが可能御である。すなわち図９の工程では、前記主磁極層２４を形成するためレジスト層５３に抜きパターン５３ａを形成した状態であるが、この抜きパターン５３ａの形状及び位置を、既に形成された補助ヨーク層４０の平面形状と照らし合わせながら決定することで、その後、特にエッチング等のトリミングを行わなくても所定の形状や位置に高精度に形成できる。したがって本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの製造方法によれば、ネックハイトＮＨの位置を高精度に制御できるともに、ネックハイトＮＨ以外の位置関係や形状も高精度に制御できるため、フリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａに導き入れることが可能な形状の垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造することができる。

また前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を共にフレームメッキ法やパターンメッキ法により形成することで、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０の全ての壁面（前端面、後端面、側端面を全て含む）を垂直方向に立たせて形成できる。よって上記した位置制御が行いやすいとともに、記録性能のばらつきを抑制することが出来る。ただし、図４（ｂ）に示すように前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｆを斜めに傾けて形成することも可能である。例えば、図１１に示すように前記メッキ下地層５０上に、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料からなる絶縁層４１を所定膜厚で形成し、前記絶縁層４１上に、レジスト層６０を塗布し、前記レジスト層６０に露光現像により前記補助ヨーク層４０と同形状の抜きパターン６０ｂを形成する。次に、前記レジスト層６０に熱を加えることで、前記レジスト層６０がだれるので、これにより前記レジスト層６０の壁面６０ａを傾斜させることが出来る。そして、図１２に示すように、前記レジスト層６０に覆われていない前記絶縁層４１をエッチングにて除去し、前記エッチングを前記メッキ下地層５０が露出した段階で終了する。なお前記エッチングにより前記メッキ下地層５０が全て除去されないようにするために、前記メッキ下地層５０を厚めに成膜することが好ましい。

図１２に示すように前記絶縁層４１の壁面４１ｂは、前記レジスト層６０の壁面６０ａの形状が転写されて傾斜面となる。図１２に示す工程では前記メッキ下地層５０上に補助ヨーク層４０をメッキ形成すると、前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｆは図４（ｂ）に示すように、上面から下面に向かうにしたがって徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する傾斜面として形成される。その後、図７に示す平坦化処理を行い、続けて図８から図１０工程と同様の工程を施す。

次に図１３〜図１７に示す各工程図は、図４（ｃ）に示す主磁極層２４及び補助ヨーク層４０の製造方法を示す一工程図である。各図は製造工程中における前記主磁極層２４及び前記補助ヨーク層４０の部分断面図である。また図１３及び図１５では、前記部分断面図の右側に部分平面図も掲載している。

図１３に示す工程では、平坦化面である前記絶縁層１９上の全面にＮｉＦｅ等のメッキ下地層６３をスパッタ法等により形成した後、前記メッキ下地層６３上の全面にレジスト層６４を塗布する。次に前記レジスト層６４に露光現像により主磁極層２４の抜きパターン６４ａを形成する。前記抜きパターン６４ａを前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて形成する。前記抜きパターン６４ａの形状は、図２に示す主磁極層２４と同形状であるから、図１３の右図に示すように前記抜きパターン６４ａに、細長い形状の先端部６４ｂと、前記先端部６４ｂのハイト方向後方に前記先端部６４ｂよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い後端部６４ｃとを形成する。

図１３の工程では、前記抜きパターン６４ａを形成するとき、前記先端部６４ｂの後縁部６４ｂ１の位置を適切に規制する。前記先端部６４ｂの後縁部６４ｂ１は次に主磁極層２４がメッキ形成されたときのネックハイトＮＨとなる位置である。また前記抜きパターン６４ａの先端部６４ｂの幅寸法をトラック幅Ｔｗとなるように高精度に形成し、また前記抜きパターン６４ａの後端部６４ｃの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面６４ｃ１を、幅方向の中心から側端面６４ｄに向かうにしたがって徐々にハイト方向に後退する傾斜面で形成する。

次に前記抜きパターン６４ａから露出するメッキ下地層６３上に主磁極層２４をメッキ形成する。これにより前記主磁極層２４を図２と同形状で形成できる。すなわち前記主磁極層２４は前記対向面Ｈ１ａにトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に細長い形状で延びる磁極先端部２４ａと前記磁極先端部２４ａよりも幅寸法が広い磁極後端部２４ｂとで構成される。前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１はネックハイトＮＨの位置であり、よって本実施形態では、ネックハイトＮＨの位置を高精度に規制できる。

続いて前記レジスト層６４を除去し、さらに前記主磁極層２４の下以外の前記メッキ下地層６３をエッチングにて除去する。続いて、前記主磁極層２４上から絶縁層１９上にかけてＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料から成る絶縁層６５をスパッタ法等により形成し、さらにＣＭＰ技術を用いて前記主磁極層２４の上面２４ｇ及び前記絶縁層６５の上面６５ａを同一の平坦化面に形成する（図１４参照）。

次に図１５に示す工程では、前記主磁極層２４上及び前記絶縁層６５上の全面に、ＮｉＦｅ等の磁性材料によるメッキ下地層６６をスパッタ成膜する。続いて、前記メッキ下地層６６上の全面にレジスト層６７を塗布し、前記レジスト層６７に、図２と同じ平面形状を有する補助ヨーク層４０の抜きパターン６７ａを露光現像により形成する。

図１５の右図に示すように、前記抜きパターン６７ａを、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離Ｌ１だけ離れた位置からハイト方向に向けて形成する。前記抜きパターン６７ａの形状は、図２に示す補助ヨーク層４０と同形状であるから、図１５に示すように前記抜きパターン６７ａに、細長い形状の先端部６７ｂと、前記先端部６７ｂのハイト方向後方に前記先端部６７ｂよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広い後端部６７ｃとを形成する。図１５の工程では、前記抜きパターン５１ａを形成するとき、前記抜きパターン６７ａを前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にＬ１だけ離して形成するとともに、平面視にて、前記抜きパターン６７ａの先端部６７ｂの後縁部６７ｂ１を、前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１と同位置、あるいは前記後縁部２４ａ１よりもハイト方向に位置させる。前記先端部６７ｂの後縁部６７ｂ１を前記対向面Ｈ１ａからハイト方向にＬ２だけ離して形成する。このとき、前記前記抜きパターン６７ａの先端部６７ｂの後縁部６７ｂ１を、前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１よりもハイト方向に位置させたほうが、ネックハイトＮＨを適切且つ簡単に前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１の位置に決定できるので好ましい。また、前記先端部６７ｂの幅寸法Ｔ１を、前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａのトラック幅Ｔｗと同じかあるいはそれよりも小さく形成する。このとき、前記先端部６７ｂの幅寸法Ｔ１が前記トラック幅Ｔｗよりも小さくなるように制御したほうが幅寸法の調整を行いやすい。また図１５に示すように前記抜きパターン６７ａの後端部６７ｃの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面６７ｃ１を、幅方向の中心から側端面６７ｄに向かって徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する傾斜面で形成するが、このとき、前記前端面６７ｃ１を、前記主磁極層２４の磁極後端部２４ｂの前端面２４ｃよりもハイト側に位置させる。

次に図１６に示す工程では、前記レジスト層６７の抜きパターン６７ａから露出する前記メッキ下地層６６上に、補助ヨーク層４０をメッキ形成する。前記補助ヨーク層４０を、前記主磁極層２４よりも透磁率の高い磁性材料で形成することが好ましい。また前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１を、前記主磁極層２４よりも厚い膜厚Ｈ２で形成することが好ましい。なお前記補助ヨーク層４０の膜厚Ｈ１は図１６工程の段階のメッキ形成時よりも図１７工程の平坦化処理工程を経て薄くなるので、その薄くなる膜厚を見込んで、前記膜厚Ｈ１を図１６のメッキ段階で調整することが必要である。前記補助ヨーク層４０は前記抜きパターン６７ａと同形状でメッキ形成され、図２に示す形状と同形状となる。すなわち図２に示すように、前記補助ヨーク層４０は前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に離れた位置にハイト方向に向けて延びる細長い形状の補助ヨーク先端部４０ａと、前記補助ヨーク先端部４０ａのハイト方向後方に形成され幅寸法Ｔ２が前記補助ヨーク先端部４０ａよりも広い補助ヨーク後端部４０ｂとから構成される。また、前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１は、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）へＬ２だけ離れた位置に形成される。前記補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１は、主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１よりもハイト側に位置する。よってネックハイトＮＨを前記磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１の位置にて決定できる。また前記補助ヨーク先端部４０ａの幅寸法Ｔ１は、主磁極層２４の磁極先端部２４ａのトラック幅Ｔｗと同じかあるいはそれよりも小さく形成される。

続いて前記レジスト層６７を除去し、前記補助ヨーク層４０の下以外のメッキ下地層６６をエッチングにて除去する。

次に図１７に示すように前記補助ヨーク層４０上、主磁極層２４及び絶縁層６５上にＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料からなる絶縁層４１を形成し、ＣＭＰ技術等を用いて前記補助ヨーク層４０及び絶縁層４１の上面をＢ−Ｂ線まで平坦化処理する。

上記では前記補助ヨーク層４０をメッキ形成していたが、前記補助ヨーク層４０をリフトオフ用レジスト層６８を用いてスパッタ法等の蒸着法で形成することも可能である。

図１８は、前記補助ヨーク層４０をスパッタ法で形成する製造方法を示す部分断面図である。図１４工程後、前記主磁極層２４上及び前記絶縁層６５上にリフトオフ用レジスト層６８を形成する。前記リフトオフ用レジスト層６８に覆われていない抜きパターン６８ｂは、前記補助ヨーク層４０と同形状で形成されている。前記リフトオフ用レジスト層６８では、下面近傍に凹部６８ａが形成されている。このためスパッタ法により、補助ヨーク層４０を成膜すると、前記凹部６８ａ内には成膜されにくく、前記補助ヨーク層４０の前端面４０ｅは図４（ｄ）で示すのと同様に下面から上面に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に傾いて形成される。前記補助ヨーク層４０を成膜したとき、前記リフトオフ用レジスト層６８の上面にも前記補助ヨーク層４０と同じ材質の磁性材料層６９が成膜される。そして前記リフトオフ用レジスト層６８を前記磁性材料層６９と共に除去する。その後、図１７と同じ工程を施す。

図１３〜図１７に示した製造方法によれば、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を平坦化面上にフレームメッキ法やパターンメッキ法で形成し、また図１８工程では、前記補助ヨーク層４０をリフトオフ用レジスト層６８を用いてスパッタ法により形成している。

このように本実施形態では、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を別々に形成するとともに、いずれもトリミングすること無しに形成している。

従来では、例えば、前記主磁極層２４をエッチングすることでネックハイトＮＨの位置を決めていたが、係る場合では、前記ネックハイトＮＨの位置ずれが生じやすく高精度に前記ネックハイトＮＨの位置を決めることが出来なかった。一方、本実施形態では、上記のように、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層４０を平坦化面上にトリミングすることなしに形成するため、前記ネックハイトＮＨの位置を高精度に決定できるとともに、ネックハイト以外の位置関係や形状も高精度に制御できるためフリンジングの発生を抑制でき、さらに、磁束を十分且つスムーズに前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａに導き入れることが可能な形状の垂直磁気記録ヘッドを適切且つ容易に製造できる。

寸法について説明する。前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａと対向面Ｈ１ａ間の距離Ｌ１は０．０１〜３μｍであることが好ましい。前記主磁極層２４の磁極先端部２４ａの後縁部２４ａ１と前記対向面Ｈ１ａ間の距離（ネックハイトＮＨ）は０．０２〜３μｍの範囲内であることが好ましい。また、前記補助ヨーク層４０の補助ヨーク先端部４０ａの後縁部４０ａ１と前記対向面Ｈ１ａ間の距離Ｌ２は、０．０２〜５μｍの範囲内であることが好ましい。トラック幅Ｔｗは、０．０６μｍ〜０３０μｍの範囲内であることが好ましい。

垂直磁気記録ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、 図１に示す垂直磁気記録ヘッドを構成する主磁極層と補助ヨーク層との部分平面図、 図２とは異なる形態の垂直磁気記録ヘッドを構成する主磁極層と補助ヨーク層との部分平面図、 （ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、夫々異なる形態の主磁極層と補助ヨーク層とをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、 図４（ａ）の垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、 図５の次に行われる一工程図、 図６の次に行われる一工程図、 図７の次に行われる一工程図、 図８の次に行われる一工程図、 図９の次に行われる一工程図、 図４（ｂ）の垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、 図１１の次に行われる一工程図、 図４（ｃ）の垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、 図１３の次に行われる一工程図、 図１４の次に行われる一工程図、 図１５の次に行われる一工程図、 図１６の次に行われる一工程図、 図４（ｄ）の垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、 従来例の垂直磁気記録ヘッドの部分平面図、

符号の説明

２４ 主磁極層
２４ａ 主磁極先端部
２４ａ１ （主磁極先端部の）後縁部
２４ｂ 主磁極後端部
２７ リターンヨーク層
４０ 補助ヨーク層
４０ａ 補助ヨーク先端部
４０ｂ 補助ヨーク後端部
４０ｂ１（補助ヨーク先端部の）後縁部
５１、５３、６０、６４、６７ レジスト層
６８ リフトオフ用レジスト層

Claims (9)

1. 以下の工程を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
   （ａ） 平坦化面上に記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置から前記ハイト方向に延びて形成される細長形状の補助ヨーク先端部と、前記補助ヨーク先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記補助ヨーク先端部の幅寸法よりも広い補助ヨーク後端部とを有して成る補助ヨーク層をメッキ形成する工程、
   （ｂ） 前記補助ヨーク層の周囲を絶縁層で埋め、前記補助ヨーク層の上面と前記絶縁層の上面を平坦化処理する工程、
   （ｃ） 前記補助ヨーク層上及び前記絶縁層上に、前記対向面でトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に向けて細長形状で形成される磁極先端部と、前記磁極先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記磁極先端部の幅寸法よりも広い磁極後端部とを有して成る主磁極層をメッキ形成し、このとき、少なくとも一部の前記補助ヨーク先端部上に前記磁極先端部を重ねるとともに、前記磁極先端部の幅寸法を前記補助ヨーク先端部の幅寸法以上で形成し、さらに、平面視にて、前記磁極先端部の後縁部を、前記補助ヨーク先端部の後縁部と同位置、あるいは前記補助ヨーク先端部の後縁部よりも前記対向面側に位置させて、前記磁極先端部の後縁部によりネックハイトを規制する工程、
2. 前記（ｃ）工程で、平面視にて前記磁極後端部の前記対向面側に向く前端面全体を、前記補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面に沿って、あるいは前記補助ヨーク後端部の前記前端面よりも対向面側に形成する請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
3. 前記（ａ）工程にて、前記補助ヨーク先端部の前記対向面側に向く前端面及び補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面を、上面側から下面側に向かうにしたがってハイト方向に向けて傾く傾斜面で形成する請求項１又は２に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
4. 前記（ａ）工程よりも前に、前記平坦化面上に、前記（ａ）工程にて補助ヨーク層が形成される以外の箇所に絶縁層を形成し、このとき、前記絶縁層の前記補助ヨーク先端部の前端面と対向する後端面、及び前記補助ヨーク後端部の前端面と対向する後端面を、上面から下面に向けてハイト方向に向けて傾斜する傾斜面で形成し、
   前記（ａ）工程にて、前記絶縁層で囲まれたパターン内に前記補助ヨーク層をメッキ形成し、前記（ｂ）工程では、平坦化処理のみを行う請求項３記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
5. 以下の工程を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
   （ｄ） 平坦化面上に記録媒体との対向面にトラック幅Ｔｗで露出しハイト方向に向けて細長形状で形成される磁極先端部と、前記磁極先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記磁極先端部の幅寸法よりも広い磁極後端部とを有して成る主磁極層をメッキ形成し、このとき前記磁極先端部の後縁部の位置で、ネックハイトを規制する工程、
   （ｅ） 前記主磁極層上に、前記対向面からハイト方向へ後退した位置から前記ハイト方向に延びて形成される細長形状の補助ヨーク先端部と、前記補助ヨーク先端部の後縁部に接続されるとともにトラック幅方向への幅寸法が前記補助ヨーク先端部の幅寸法よりも広い補助ヨーク後端部とを有して成る補助ヨーク層をメッキ形成し、このとき、少なくとも前記補助ヨーク先端部の一部を前記磁極先端部上に重ねるとともに、前記補助ヨーク先端部の幅寸法を前記磁極先端部の幅寸法以下で形成し、さらに、平面視にて、前記補助ヨーク先端部の後縁部を、前記磁極先端部の後縁部と同位置、あるいは前記磁極先端部の後縁部よりもハイト方向に後退した位置に形成する工程、
6. 前記（ｅ）工程で、前記補助ヨーク層をリフトオフ用レジスト層を用いてスパッタ法により形成する請求項５記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
7. 前記補助ヨーク先端部の前記対向面側に向く前端面及び補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面を、下面側から上面側に向かうにしたがってハイト方向に向けて傾く傾斜面で形成する請求項６記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
8. 前記（ｅ）工程にて、平面視にて前記補助ヨーク後端部の前記対向面側に向く前端面全体を、前記磁極後端部の前記対向面側に向く前端面に沿って、あるいは前記磁極後端部の前記前端面よりもハイト側に後退させて形成する請求項５ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
9. 前記主磁極層を、前記補助ヨーク層よりも飽和磁束密度が高い磁性材料で形成し、前記補助ヨーク層を前記主磁極層よりも透磁率が高い磁性材料で形成する請求項１ないし８のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。

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