JP2003317211A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スキューに起因する記録パターンの拡大・屈
曲を抑制し、記録性能を向上させることが可能な薄膜磁
気ヘッドを提供する。 【解決手段】 媒体流入側に位置して第１の飽和磁束密
度Ｊ１を有する下部主磁極層１２Ａと、媒体流出側に位
置して第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和
磁束密度Ｊ２を有する上部主磁極層１２Ｂとの積層構造
をなすように主磁極層１２を構成する。主磁極層１２内
を磁束が流れる際、飽和磁束密度の小さい下部主磁極層
１２Ａでは磁束飽和が生じるが、飽和磁束密度の大きい
上部主磁極層１２Ｂでは磁束飽和が生じないため、磁束
は主に上部主磁極層１２Ｂ内を優先的に流れる。主磁極
層１２による書き込みは、主に媒体流出側の上部主磁極
層１２Ｂにおいて行われるため、主磁極層１２全体の飽
和磁束密度が大きい場合と比較して、スキューに起因す
る記録パターンの拡大が抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも記録用
の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法、ならびにその薄膜磁気ヘッドを搭載した例
えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種情報の記憶源として、例えば
ハードディスクドライブなどの磁気記録装置が普及して
いる。このハードディスクドライブの開発分野では、磁
気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という）、すなわ
ちハードディスクの面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気
ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドに
適用される磁気記録方式としては、例えば、信号磁界の
向きを記録媒体の面内方向（長手方向）にする長手記録
方式と、記録媒体の面に対して垂直な方向にする垂直記
録方式とが知られている。現在のところは長手記録方式
が広く利用されているが、面記録密度の向上に伴う市場
動向を考慮すれば、今後、長手記録方式に代わり垂直記
録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂
直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録
済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利
点が得られるからである。

【０００３】垂直記録方式を利用した記録態様として
は、例えば、（１）一端側においてギャップを介して互
いに対向し、かつ他端側において互いに磁気的に連結さ
れてなるヘッド（リング型ヘッド）と、単層構成の記録
媒体とを用いる態様や、（２）記録媒体に対して垂直に
配置されたヘッド（単磁極型ヘッド）と、２層構成の記
録媒体とを用いる態様などが提案されている。これらの
態様のうち、単磁極型ヘッドと２層構成の記録媒体との
組み合わせを用いる態様は、熱揺らぎに対する耐性が顕
著に優れている点に基づき、薄膜磁気ヘッドの性能向上
を実現し得るものとして注目されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、垂直記録方
式の薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させるためには、
例えば、ヘッドのスキューに起因する不具合の影響を可
能な限り抑制する必要がある。このスキューとは、ハー
ドディスクドライブの稼動時において、ハードディスク
の円周接線方向に対して薄膜磁気ヘッドが傾いて配置す
ることである。ヘッドがスキューすると、主に薄膜磁気
ヘッドの構造的要因により、記録パターンの拡大や屈曲
が生じる可能性がある。記録パターンの拡大や屈曲が生
じると、隣接トラックへのクロストークが発生して再生
時のエラーレート（誤り率）が増大するため、記録性能
が低下してしまう。

【０００５】しかしながら、従来の垂直記録方式の薄膜
磁気ヘッドでは、今後益々急増することが予想される面
記録密度の推移を考慮すると、スキュー時における記録
パターンの拡大・屈曲抑制に関する対策が未だ十分なも
のではなかった。さらに、スキューに起因する記録パタ
ーンの拡大・屈曲抑制を考慮して薄膜磁気ヘッドを設計
する際には、薄膜磁気ヘッドの量産性も考慮し、製造技
術を煩雑化することなく可能な限り簡単に製造可能とな
るようにすることが重要である。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、スキューに起因する記録パタ
ーンの拡大・屈曲を抑制し、記録性能を向上させること
が可能な薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

【０００７】また、本発明の第２の目的は、可能な限り
簡単に本発明の薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。

【０００８】さらに、本発明の第３の目的は、記録性能
を向上させることが可能な磁気記録装置を提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、所定の媒体進行方向に移動する記録媒体を備え
た磁気記録装置に用いられ、磁束を発生させる薄膜コイ
ルと、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向
けて放出する磁極層とを備えたものであり、磁極層が、
記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出する
と共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分
を有する主磁極層を含み、主磁極層が、媒体進行方向に
おける媒体流入側に位置し、第１の飽和磁束密度を有す
る第１の主磁極層部分と、媒体進行方向における媒体流
出側に位置し、第１の飽和磁束密度よりも大きい第２の
飽和磁束密度を有する第２の主磁極層部分とを含む積層
構造を有するようにしたものである。

【００１０】なお、「所定の媒体進行方向」とは、薄膜
磁気ヘッドに対して記録媒体が相対的に移動する方向の
ことである。媒体進行方向に向かう記録媒体の移動状態
を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側が
「媒体流出側」に相当し、その流れの流入する側が「媒
体流入側」に相当する。

【００１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、所定の媒体進行方向に移動する記録媒体を備えた磁
気記録装置に用いられ、磁束を発生させる薄膜コイル
と、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向け
て放出する磁極層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する
方法であり、磁極層を形成する工程が、記録媒体に対向
する記録媒体対向面に一端面が露出すると共に記録媒体
の記録トラック幅を規定する一定幅部分を有するよう
に、磁極層の一部をなす主磁極層を形成する工程を含
み、主磁極層が、媒体進行方向における媒体流入側に位
置し、第１の飽和磁束密度を有する第１の主磁極層部分
と、媒体進行方向における媒体流出側に位置し、第１の
飽和磁束密度よりも大きい第２の飽和磁束密度を有する
第２の主磁極層部分とを含む積層構造を有するように、
主磁極層を形成したものである。

【００１２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製
造方法では、記録時において、主磁極層のうち、主に、
飽和磁束密度が大きい媒体流出側の第２の主磁極層部分
により書き込みが行われる。

【００１３】本発明に係る磁気記録装置は、記録媒体
と、記録媒体に磁気的に情報を記録する薄膜磁気ヘッド
とを備え、薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コ
イルと、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に
向けて放出する磁極層とを含むものであり、磁極層が、
記録媒体に対向する記録媒体対向面に一端面が露出する
と共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分
を有する主磁極層を含み、主磁極層が、媒体進行方向に
おける媒体流入側に位置し、第１の飽和磁束密度を有す
る第１の主磁極層部分と、媒体進行方向における媒体流
出側に位置し、第１の飽和磁束密度よりも大きい第２の
飽和磁束密度を有する第２の主磁極層部分とを含む積層
構造を有するようにしたものである。

【００１４】本発明に係る磁気記録装置では、本発明の
薄膜磁気ヘッドにより、記録媒体に磁気的に情報が記録
される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００１６】［第１の実施の形態］ ＜薄膜磁気ヘッドの構成＞まず、図１〜図３を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
構成について説明する。図１は薄膜磁気ヘッドの断面構
成を表しており、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断
面，（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面をそれぞれ
示している。図２および図３は、図１に示した薄膜磁気
ヘッドの要部の拡大斜視構成および拡大平面構成をそれ
ぞれ表している。なお、図１に示した上向きの矢印Ｂ
は、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相
対的に進行する方向、すなわち記録媒体の進行方向（媒
体進行方向）を表している。

【００１７】以下の説明では、図１〜図３の各図中にお
けるＸ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長
さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚み」と表記する。また、Ｙ
軸方向のうちのエアベアリング面２０に近い側を「前側
または前方」、その反対側を「後側または後方」とそれ
ぞれ表記するものとする。これらの表記内容は、後述す
る図４以降においても同様とする。

【００１８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、例
えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載
されるものである。この薄膜磁気ヘッドは、例えば、記
録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであ
り、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂
Ｏ₃ ・ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板１上
に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ ；以下、単に
「アルミナ」という）よりなる絶縁層２と、磁気抵抗効
果（ＭＲ；Magneto-resistive ）を利用して再生処理を
実行する再生ヘッド１００Ａと、例えばアルミナよりな
る非磁性層７と、垂直記録方式により記録処理を実行す
る記録ヘッド１００Ｂと、例えばアルミナなどよりなる
オーバーコート層１５がこの順に積層された構成をなし
ている。

【００１９】《再生ヘッドの構成》再生ヘッド１００Ａ
は、例えば、下部シールド層３と、シールドギャップ膜
４と、上部シールド層５とがこの順に積層された構成を
なしている。シールドギャップ膜４には、記録媒体に対
向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に露出
するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されて
いる。

【００２０】下部シールド層３および上部シールド層５
は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（以
下、単に「パーマロイ（商品名）」という）；Ｎｉ：８
０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構
成されており、それらの厚みはいずれも約１．０μｍ〜
２．０μｍである。シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子
６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアル
ミナなどの非導電性非磁性材料により構成されている。
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Gi
ant Magneto-resistive ）またはトンネル磁気抵抗効果
（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）などを利用
したものである。

【００２１】《記録ヘッドの構成》記録ヘッド１００Ｂ
は、例えば、リターンヨーク８と、開口９Ｋを有するギ
ャップ層９により埋設された磁束発生用の薄膜コイル１
０と、開口９Ｋにおいてリターンヨーク８と磁気的に連
結されたヨーク１１と、このヨーク１１を介してリター
ンヨーク８と磁気的に連結された主磁極層１２と、この
主磁極層１２と対向し合う領域に非磁性層１３を挟む補
助磁極層１４と、非磁性層パターン３２Ｐとがこの順に
積層された構成をなしている。なお、図３では、非磁性
層１３および非磁性層パターン３２Ｐの図示を省略して
いると共に、主磁極層１２と補助磁極層１４との区別を
明確にするために、主磁極層１２に濃い網掛けを施し、
補助磁極層１４に淡い網掛けを施している。

【００２２】リターンヨーク８は、主に、主磁極層１２
から外部に放出された磁束を記録ヘッド１００Ｂに取り
込むものである。このリターンヨーク８は、例えばパー
マロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの
磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μ
ｍ〜５．０μｍである。

【００２３】ギャップ層９は、リターンヨーク８上に配
設され、開口９Ｋが設けられたギャップ層部分９Ａと、
このギャップ層部分９Ａ上に配設され、薄膜コイル１０
の各巻線間およびその周辺領域を覆うギャップ層部分９
Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂを部分的に覆うギャッ
プ層部分９Ｃとを含んで構成されている。ギャップ層部
分９Ａは、例えばアルミナなどの非導電性非磁性材料に
より構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜１．０
μｍである。ギャップ層部分９Ｂは、例えば、加熱され
ることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹
脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などにより構成され
ている。ギャップ層部分９Ｃは、例えばアルミナやシリ
コン酸化物（ＳｉＯ₂ ）などの非導電性非磁性材料によ
り構成されており、その厚みはギャップ層部分９Ｂの厚
みよりも大きくなっている。

【００２４】ヨーク１１は、リターンヨーク８と主磁極
層１２との間を磁気的に連結させるためのものであり、
例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）などの磁性材料により構成されている。このヨーク
１１は、例えば、その高さ方向における表面の位置がギ
ャップ層部分９Ｃの同方向における表面の位置と一致し
ており、すなわちギャップ層部分９Ｃと共に平坦面Ｍを
構成している。

【００２５】薄膜コイル１０は、例えば、銅（Ｃｕ）な
どの高導電性材料により構成されており、リターンヨー
ク８とヨーク１１との連結部分を中心としてスパイラル
状に巻回する巻線構造をなしている。なお、図１および
図３では、薄膜コイル１０を構成する複数の巻線のうち
の一部のみを示している。

【００２６】主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁
極層１４がこの順に積層された積層構造体は、主に、薄
膜コイル１０において発生した磁束を収容し、その磁束
を記録媒体（図示せず）に向けて放出するものである。
ここで、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層
１４よりなる積層構造体が本発明における「磁極層」の
一具体例に対応する。

【００２７】主磁極層１２は、主要な磁束の流路となる
部分であり、その厚みは約０．１μｍ〜０．５μｍであ
る。この主磁極層１２は、エアベアリング面２０から後
方に向かって延在しており、互いに同一の平面形状をな
す２つの部分、すなわち、非磁性層１３の配設位置を基
準として主磁極層１２と補助磁極層１４との位置関係を
見た場合に、媒体流入側に位置する下部主磁極層１２Ａ
と、媒体流出側に位置する上部主磁極層１２Ｂとがこの
順に積層された構成をなしている。「媒体流入側」と
は、媒体進行方向Ｂに向かう記録媒体の移動状態を１つ
の流れと見た場合にその流れの流入する側をいい、一般
に「リーディング側」とも呼ばれている。一方、「媒体
流出側」とは、その流れの流出する側をいい、一般に
「トレーリング側」とも呼ばれている。ここでは、例え
ば、図中のＺ軸方向において、ギャップ層９に近い側
（図中の下側）が「媒体流入側」，遠い側（図中の上
側）が「媒体流出側」に相当する。下部主磁極層１２Ａ
は、第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する材料、例えば約
１．０Ｔ（テスラ）〜１．８Ｔのパーマロイ（Ｎｉ：８
０重量％，Ｆｅ：２０重量％）やコバルト鉄ニッケル合
金（ＣｏＦｅＮｉ）などにより構成されている。上部主
磁極層１２Ｂは、第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい
第２の飽和磁束密度Ｊ２（Ｊ２＞Ｊ１）を有する材料、
例えば約２．０Ｔ以上の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、
窒化鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ−Ｎ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，
３Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、あるいはこれらの各合金の
窒化物などにより構成されている。下部主磁極層１２Ａ
よりも飽和磁束密度が大きい上部主磁極層１２Ｂは、主
要な磁束の放出路となる部分であり、その厚みは、例え
ば、主磁極層１２全体の厚みの約７０％以下になってい
る。ここで、下部主磁極層１２Ａが本発明における「第
１の主磁極層部分」の一具体例に対応し、上部主磁極層
１２Ｂが本発明における「第２の主磁極層部分」の一具
体例に対応する。

【００２８】下部主磁極層１２Ａは、例えば、エアベア
リング面２０から順に、極微小な一定幅Ｗ１を有する先
端部１２Ａ１と、この先端部１２Ａ１よりも大きな幅Ｗ
２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１２Ａ２とを含んで構
成されている。上部主磁極層１２Ｂは、例えば、下部主
磁極層１２Ａを構成する先端部１２Ａ１および後端部１
２Ａ２にそれぞれ対応する先端部１２Ｂ１および後端部
１２Ｂ２を含んで構成されている。先端部１２Ａ１，１
２Ｂ１は、いずれもエアベアリング面２０に露出してお
り、それらの幅Ｗ１は、記録媒体の記録トラック幅を規
定するものである。後端部１２Ａ２，１２Ｂ２は、薄膜
コイル１０において発生した磁束を収容する主要な磁束
収容部分であり、例えば、前方において幅が徐々に大き
くなり、かつ後方において一定幅（Ｗ２）をなしてい
る。この後端部１２Ａ２，１２Ｂ２の前端縁により、主
磁極層１２の幅が拡がる位置、すなわちフレアポイント
ＦＰが規定されている。なお、フレアポイントＦＰより
も前方において、ギャップ層部分９Ｃのうち、先端部１
２Ａ１，１２Ｂ１に対応する部分以外の領域は、部分的
に掘り下げられている。ここで、先端部１２Ａ１，１２
Ｂ１の集合体が本発明における「一定幅部分」の一具体
例に対応する。

【００２９】補助磁極層１４は、主に、上部主磁極層１
２Ｂの先端部１２Ｂ１に磁束を供給すべく、薄膜コイル
１０において発生した磁束を収容するための補助的な磁
束収容部分であり、その厚みは約０．１μｍ〜０．６μ
ｍである。この補助磁極層１４は、エアベアリング面２
０から所定の距離（リセス距離Ｌ＝約０．２μｍ〜１．
０μｍ）だけ後退した領域において、主磁極層１２の媒
体流出側に配設されている。補助磁極層１４は、フレア
ポイントＦＰから後方に向かって延在しており、例え
ば、互いに同一の平面形状をなす２つの部分、すなわち
媒体流入側に位置する下部補助磁極層１４Ａと、媒体流
出側に位置する上部補助磁極層１４Ｂとがこの順に積層
された構成をなしている。上部補助磁極層１４Ｂは、第
３の飽和磁束密度Ｊ３を有する材料、例えば下部主磁極
層１２Ａと同様に第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する材料
により構成されている。下部補助磁極層１４Ａは、第３
の飽和磁束密度Ｊ３よりも大きい第４の飽和磁束密度Ｊ
４（Ｊ４＞Ｊ３）を有する材料により構成されている。
この第４の飽和磁束密度Ｊ４は、例えば、第１の飽和磁
束密度Ｊ１よりも大きく、より具体的には第２の飽和磁
束密度Ｊ２と等しい。ここで、上部補助磁極層１４Ｂが
本発明における「第１の補助磁極層部分」の一具体例に
対応し、下部補助磁極層１４Ａが本発明における「第２
の補助磁極層部分」の一具体例に対応する。

【００３０】下部補助磁極層１４Ａは、例えば、フレア
ポイントＦＰから順に、一定幅Ｗ１を有する先端部１４
Ａ１と、この先端部１４Ａ１よりも大きな幅Ｗ２を有す
る後端部１４Ａ２とを含んで構成されており、非磁性層
１３により上部主磁極層１２Ｂから完全に分離されてい
る。上部補助磁極層１４Ｂは、例えば、下部補助磁極層
１４Ａを構成する先端部１４Ａ１および後端部１４Ａ２
にそれぞれ対応する先端部１４Ｂ１および後端部１４Ｂ
２を含んで構成されている。後端部１４Ａ２，１４Ｂ２
の幅は、例えば、前方において徐々に大きくなり、かつ
後方において一定幅（Ｗ２）をなしている。

【００３１】非磁性層１３は、主に、主磁極層１２の形
成時において、エッチング処理の進行度を抑制するため
のストッパ層として機能するものであり、上部主磁極層
１２Ｂと下部補助磁極層１４Ａとの間に、両者を分離す
るように配設されている。なお、ストッパ層としての非
磁性層１３の機能に関する詳細については、後述する。
この非磁性層１３は、例えばアルミナなどにより構成さ
れており、その厚みは約０．０１５μｍ〜０．６５μｍ
である。非磁性層１３は、主磁極層１２とほぼ同様の平
面形状をなしている。

【００３２】非磁性層パターン３２Ｐは、主に、補助磁
極層１４の形成時において、エッチング処理の進行度を
抑制するためのストッパ層として機能するものである。
なお、ストッパ層としての非磁性層パターン３２Ｐの機
能に関する詳細については、後述する。この非磁性層パ
ターン３２Ｐは、例えばアルミナなどにより構成されて
おり、補助磁極層１４とほぼ同様の平面形状をなしてい
る。

【００３３】＜薄膜磁気ヘッドの動作＞次に、図１〜図
３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明す
る。

【００３４】この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時に
おいて、図示しない外部回路を通じて記録ヘッド１００
Ｂの薄膜コイル１０に電流が流れると、薄膜コイル１０
において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、ヨ
ーク１１を通じて主磁極層１２に収容されると共に、非
磁性層１３を通過して補助磁極層１４にも収容される。
主磁極層１２に収容された磁束は、下部主磁極層１２Ａ
内を後端部１２Ａ２から先端部１２Ａ１に向かって流れ
ると共に、上部主磁極層１２Ｂ内を後端部１２Ｂ２から
先端部１２Ｂ１へ向かって流れる。このとき、主磁極層
１２の幅の減少（Ｗ２→Ｗ１）に伴い、飽和磁束密度
（第１の飽和磁束密度Ｊ１）の小さい下部主磁極層１２
Ａでは磁束飽和が生じるが、飽和磁束密度（第２の飽和
磁束密度Ｊ２＞第１の飽和磁束密度Ｊ１）の大きい上部
主磁極層１２Ｂでは磁束飽和が生じないため、磁束は主
に上部主磁極層１２Ｂ内を優先的に流れて先端部１２Ｂ
１に流入する。一方、補助磁極層１４に収容された磁束
は、下部補助磁極層１４Ａ内を後端部１４Ａ２から先端
部１４Ａ１に向かって流れると共に、上部補助磁極層１
４Ｂ内を後端部１４Ｂ２から先端部１４Ｂ１へ向かって
流れる。このとき、主磁極層１２と同様に、飽和磁束密
度（第３の飽和磁束密度Ｊ３）の小さい上部補助磁極層
１４Ｂでは磁束飽和が生じるが、飽和磁束密度（第４の
飽和磁束密度Ｊ４＞第３の飽和磁束密度Ｊ３）の大きい
下部補助磁極層１４Ａでは磁束飽和が生じないため、磁
束は主に下部補助磁極層１４Ａ内を優先的に流れて先端
部１４Ａ１に流入し、その先端部１４Ａ１の先端近傍に
集中したのち、再び非磁性層１３を通過して上部主磁極
層１２Ｂの先端部１２Ｂ１に流入する。先端部１２Ｂ１
に流入した磁束は、主に、先端部１２Ｂ１のトレーリン
グ側部分に集中する。先端部１２Ｂ１のトレーリング側
部分に集中した磁束が放出されることにより、記録媒体
の表面と直交する方向（垂直方向）に磁界（垂直磁界）
が発生し、この垂直磁界によって記録媒体が垂直方向に
磁化されることにより、記録媒体に情報が記録される。

【００３５】一方、再生時においては、再生ヘッド１０
０ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体か
らの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変
化する。この抵抗変化をセンス電流の変化として検出す
ることにより、記録媒体に記録されている情報が読み出
される。

【００３６】＜第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の作用および効果＞以上説明したように、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドでは、媒体流入側に位置して第１
の飽和磁束密度Ｊ１を有する下部主磁極層１２Ａと、媒
体流出側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大き
い第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する上部主磁極層１２Ｂ
との積層構造をなすように主磁極層１２を構成したの
で、以下の理由により、スキューに起因する記録パター
ンの拡大を抑制し、記録性能を向上させることができ
る。

【００３７】図４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドに関する利点を説明するためのものであり、主磁極層
１２（下部主磁極層１２Ａ，上部主磁極層１２Ｂ）の先
端面を拡大して示している。図５は、本実施の形態に対
する比較例としての薄膜磁気ヘッドに関する問題点を説
明するためのものであり、主磁極層１２に対応する主磁
極層１１２の先端面を示している。この主磁極層１１２
は、例えば、下部主磁極層１２Ａと上部主磁極層１２Ｂ
とが一体をなし（幅Ｗ１）、全体が第２の飽和磁束密度
Ｊ２を有する点を除き、主磁極層１２と同様の構成をな
すものである。なお、図４および図５では、図中のＺ軸
方向における上側を媒体流出側（トレーリング側），下
側を媒体流入側（リーディング側）とする。

【００３８】比較例の場合（図５）には、主磁極層１１
２全体が第２の飽和磁束密度Ｊ２を有し、主磁極層１１
２全体の飽和磁束密度が大きいため、薄膜磁気ヘッドの
稼動時においてヘッドがスキューすると、主磁極層１１
２による記録媒体への書き込みは、主磁極層１１２全
体、すなわち主磁極層１１２のうち、媒体流出側の端縁
１１２Ｔと側端縁１１２Ｓとにより行われる。この場
合、主磁極層１１２の先端面の厚みをＴ２とし、記録媒
体の円周接線方向Ｈに対して主磁極層１１２の側端縁１
１２Ｓが角度（スキュー角度）ωだけ傾いたとすると、
実質的な記録トラック幅ＴＷ２は、ＴＷ２＝Ｗ１ｃｏｓ
ω＋Ｔ２ｓｉｎωとなる。

【００３９】これに対して、本実施の形態（図４参照）
では、主磁極層１２のうち、上部主磁極層１２Ｂが第２
の飽和磁束密度Ｊ２を有し、上部主磁極層１２Ｂのみの
飽和磁束密度が大きいため、上記したように、磁束飽和
が生じる部主磁極層１２Ａは磁束の放出路としての機能
をほとんど果たさず、上部主磁極層１２Ｂが主な磁束の
放出路となる。したがって、スキュー時における主磁極
層１２による書き込みは、上部主磁極層１２Ｂのみ、す
なわち上部主磁極層１２Ｂのうち、媒体流出側の端縁１
２ＢＴと側端縁１２ＢＳとにより行われることとなる。
この場合には、上部主磁極層１２Ｂの先端面の厚みをＴ
１とし、上記比較例の場合と同様のスキュー角度ωだけ
ヘッドがスキューすると、実質的な記録トラック幅ＴＷ
１は、ＴＷ１＝Ｗ１ｃｏｓω＋Ｔ１ｓｉｎωとなる。す
なわち、記録トラック幅ＴＷ１，ＴＷ２を比較すると、
厚みＴ１，Ｔ２についてＴ１＜Ｔ２の関係があることか
ら、本実施の形態における記録トラック幅ＴＷ１は、比
較例における記録トラック幅ＴＷ２よりも小さくなる
（ＴＷ１＜ＴＷ２）。したがって、本実施の形態では、
比較例の場合よりもスキューに起因する記録パターンの
拡大を抑制し、これにより記録性能を向上させることが
可能となる。

【００４０】さらに、本実施の形態では、上記した主磁
極層１２の構造的特徴に基づき、以下の理由により、比
較例の場合と比較して、スキューに起因する記録パター
ンの屈曲を抑制することもできる。

【００４１】すなわち、安定な記録特性を確保する上で
は、本来、記録パターンが直線状をなすことが好ましい
が、ヘッドがスキューすると、主に主磁極層の側面部か
ら放出される磁束に起因して、記録パターンが屈曲する
場合がある。この場合には、記録性能を安定化させるた
めに、記録パターンの屈曲現象を可能な限り抑制する必
要がある。上記した比較例（図５参照）では、主磁極層
１１２の媒体流出側の端縁１１２Ｔ（距離Ｗ１）と側端
縁１１２Ｓ（距離Ｔ２）とにより記録パターンが規定さ
れるのに対して、本実施の形態（図４参照）では、上部
主磁極層１２Ｂの媒体流出側の端縁１２ＢＴ（距離Ｗ
１）と側端縁１２ＢＳ（距離Ｔ１）とにより記録パター
ンが規定される。すなわち、比較例と本実施の形態とに
ついて記録パターンの屈曲の程度を比較すると、距離Ｔ
１，Ｔ２についてＴ１＜Ｔ２の関係があることから、本
実施の形態では、上部主磁極層１２Ｂの側端縁１２ＢＳ
から放出される磁束に起因する記録パターン長が比較的
短くなる。したがって、本実施の形態では、比較例の場
合よりも、スキューに起因する記録パターンの屈曲が抑
制される。

【００４２】また、本実施の形態では、主磁極層１２の
うちの広幅の後端部１２Ａ２，１２Ｂ２がエアベアリン
グ面２０から僅かなリセス距離Ｌ（＝約０．２μｍ〜
１．０μｍ）だけ離れて配設されているため、この後端
部１２Ａ２，１２Ｂ２の配設位置により規定されるフレ
アポイントＦＰがエアベアリング面２０に近くなる。こ
の場合には、上部主磁極層１２Ｂ内において、後端部１
２Ｂ２に収容された磁束が、エアベアリング面２０近傍
まで導かれたのち、先端部１２Ｂ１から外部に放出され
る直前において集束されることとなる。したがって、フ
レアポイントＦＰがエアベアリング面２０から遠い場合
と比較して、より多くの磁束が先端部１２Ｂ１に集中す
ることとなるため、垂直磁界の発生強度を増加させるこ
とができる。

【００４３】また、本実施の形態では、上部主磁極層１
２Ｂと共に、エアベアリング面２０から後退した領域に
おいて上部主磁極層１２Ｂの媒体流出側に配設された補
助磁極層１４を備えるようにしたので、上記＜薄膜磁気
ヘッドの動作＞の項において説明したように、薄膜コイ
ル１０において発生した磁束は、主磁極層１２内を流れ
て先端部１２Ｂ１に流入すると共に、補助磁極層１４を
経由して先端部１２Ｂ１に流入する。すなわち、補助磁
極層１４は、非磁性層１３により主磁極層１２から完全
に分離されているにもかかわらず、主要な磁束放出部分
である先端部１２Ｂ１に対して補助的に磁束を供給する
役割を担うこととなる。これにより、上部主磁極層１２
Ｂ内を後端部１２Ｂ２から先端部１２Ｂ１に向かって流
れる「主要な磁束の流入ルート」と共に、補助磁極層１
４から先端部１２Ｂ１に流れる「補助的な磁束の流入ル
ート」も得られるため、主磁極層１２のみで補助磁極層
１４を備えない場合と比較して、先端部１２Ｂ１のトレ
ーリング側部分に供給される磁束量はより多くなる。し
たがって、十分な量の磁束が先端部１２Ｂ１のトレーリ
ング側部分に供給されることにより、磁束の放出量が増
加すると共に磁場勾配が急峻化するため、この観点にお
いても垂直磁界の発生強度を増加させることができる。

【００４４】さらに、本実施の形態では、媒体流出側に
位置して第３の飽和磁束密度Ｊ３を有する上部補助磁極
層１４Ｂと、媒体流入側に位置して第３の飽和磁束密度
Ｊ３よりも大きい第４の飽和磁束密度Ｊ４を有する下部
補助磁極層１４Ａとの積層構造をなすように補助磁極層
１４を構成すれば、補助磁極層１４のうち、主要な磁束
の流路となる下部補助磁極層１４Ａにおける磁束の収容
量が増加する。したがって、補助磁極層１４から上部主
磁極層１２Ｂの先端部１２Ｂ１に供給される磁束量が増
加するため、垂直磁界の発生強度をより増加させること
ができる。また、補助磁極層１４に収容された磁束が上
部主磁極層１２Ｂへ供給されることに伴い、補助磁極層
１４内を流れる磁束が記録用磁界の発生に直接寄与しな
いため、補助磁極層１４の存在に起因する記録媒体への
悪影響、例えば補助磁極層１４による記録媒体への直接
書き込み等を防止することができる。

【００４５】なお、本実施の形態では、下部補助磁極層
１４Ａだけでなく、上部補助磁極層１４Ｂも「補助的な
磁束の流入ルート」として機能し得るが、先端部１２Ｂ
１への磁束供給能は、下部補助磁極層１４Ａよりも上部
補助磁極層１４Ｂにおいて低くなる。なぜなら、上部補
助磁極層１４Ｂは下部補助磁極層１４Ａよりも薄膜コイ
ル１０から離れているため、薄膜コイル１０において発
生した磁束の収容割合は、下部補助磁極層１４Ａよりも
上部補助磁極層１４Ｂにおいて小さくなるからである。

【００４６】＜第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
に関する変形例＞なお、本実施の形態では、下部補助磁
極層１４Ａおよび上部補助磁極層１４Ｂの２層構造をな
すように補助磁極層１４を構成したが、必ずしもこれに
限られるものではない。上記したように、先端部１２Ｂ
１に対する補助磁極層１４の磁束供給能を考慮した場
合、補助磁極層１４全体の磁束供給能に対して上部補助
磁極層１４Ｂの磁束供給能が寄与する割合が極めて低い
ならば、例えば、図６に示したように、上部補助磁極層
１４Ｂを含まず、下部補助磁極層１４Ａのみにより補助
磁極層１４を構成してもよい。この場合、補助磁極層１
４は、磁束収容量を確保する観点から、上部主磁極層１
２Ｂと同様に第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する材料によ
り構成されるのが好ましい。この場合においても、上記
実施の形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができ
る。なお、図６に示した薄膜磁気ヘッドに関する上記特
徴部分以外の構成は、上記実施の形態において図１に示
した場合と同様である。

【００４７】また、本実施の形態では、主磁極層１２と
補助磁極層１４との間に両者を分離するための非磁性層
１３を設けるようにしたが、必ずしもこれに限られるも
のではなく、例えば、図７に示したように、非磁性層１
３を設けず、補助磁極層１４（下部補助磁極層１４Ａ）
を主磁極層１２（上部主磁極層１２Ｂ）に隣接させるよ
うにしてもよい。この場合には、上部主磁極層１２Ｂと
下部補助磁極層１４Ａとが互いに隣接して磁気的に連結
されるため、非磁性層１３を設けた場合と比較して、主
磁極層１２と補助磁極層１４との間における磁束の流れ
を円滑化することができる。ただし、上記したように、
非磁性層１３は、主磁極層１２の形成時においてストッ
パ層として機能するものであるため、非磁性層１３を設
けない場合には、主磁極層１２の形成に際して不具合
（厚みの目減り）が生じる可能性があることに留意すべ
きである。

【００４８】また、本実施の形態では、非磁性層７によ
り上部シールド層５とリターンヨーク８とを分離し、こ
れらの上部シールド層５とリターンヨーク８とが互いに
別体をなすようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではなく、例えば、非磁性層７を設けず、上部シールド
層５とリターンヨーク８とを一体化させるようにしても
よい。この場合、上部シールド層５とリターンヨーク８
との一体化層（上部シールド層兼リターンヨーク）の厚
みは適宜設定可能であり、好ましくは約１．０μｍ〜
５．０μｍである。

【００４９】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞次に、図１
〜図３および図８〜図１８を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図８
〜図１３は薄膜磁気ヘッドの製造工程における各工程の
断面構成を表し、図１４〜図１８はそれぞれ図８〜図１
２に示した各工程に対応する斜視構成をそれぞれ表して
いる。

【００５０】以下では、まず、薄膜磁気ヘッド全体の製
造方法の概略について説明したのち、本発明の薄膜磁気
ヘッドの製造方法が適用される要部、すなわち主磁極層
１２、非磁性層１３および補助磁極層１４の積層構造体
の形成方法について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法およびその要部の形成方法を説明する際
には、各構成要素の形成材料、形成位置および構造的特
徴等については上記＜薄膜磁気ヘッドの構成＞の項にお
いて既に詳述したので、その説明を随時省略するものと
する。

【００５１】《薄膜磁気ヘッドの製造方法の概略》この
薄膜磁気ヘッドは、例えば、スパッタリングなどの成膜
技術、フォトリソグラフィ処理などを利用したパターニ
ング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング
技術などを含む既存の薄膜プロセスを用いて、各構成要
素を順次形成して積層させることにより製造される。す
なわち、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、こ
の絶縁層２上に、下部シールド層３と、ＭＲ素子６を埋
設したシールドギャップ膜４と、上部シールド層５とを
この順に形成して積層させることにより、再生ヘッド１
００Ａを形成する。

【００５２】続いて、再生ヘッド１００Ａ上に非磁性層
７を形成したのち、この非磁性層７上に、リターンヨー
ク８と、開口９Ｋを有し、薄膜コイル１０を埋設するギ
ャップ層９（ギャップ層部分９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）と、開
口９Ｋにおいてリターンヨーク８と連結されたヨーク１
１と、ヨーク１１を介してリターンヨーク８と磁気的に
連結された主磁極層１２（下部主磁極層１２Ａ，上部主
磁極層１２Ｂ）と、非磁性層１３と、補助磁極層１４
（下部補助磁極層１４Ａ，上部補助磁極層１４Ｂ）と、
非磁性層パターン３２Ｐとをこの順に形成して積層させ
ることにより、記録ヘッド１００Ｂを形成する。

【００５３】最後に、記録ヘッド１００Ｂ上にオーバー
コート層１５を形成したのち、機械加工や研磨加工によ
りエアベアリング面２０を形成することにより、薄膜磁
気ヘッドが完成する。

【００５４】《薄膜磁気ヘッドの要部の形成方法》薄膜
磁気ヘッドの要部を形成する際には、ヨーク１１を形成
し、このヨーク１１とギャップ層部分９Ｃとにより平坦
面Ｍを構成したのち、まず、図８および図１４に示した
ように、平坦面Ｍ上に、例えばスパッタリングを利用し
て、前駆主磁極層１２ＡＸと、前駆主磁極層１２ＢＸ
と、例えばアルミナなどよりなる前駆非磁性層１３Ｘ
と、前駆補助磁極層１４ＡＸと、前駆補助磁極層１４Ｂ
Ｘとをこの順に形成して積層させる。これらの一連の前
駆層、すなわち前駆主磁極層１２ＡＸ，１２ＢＸ、前駆
非磁性層１３Ｘ、前駆補助磁極層１４ＡＸ，１４ＢＸ
は、後工程においてパターニングされることによりそれ
ぞれ下部主磁極層１２Ａ，上部主磁極層１２Ｂ、非磁性
層１３、下部補助磁極層１４Ａ，上部補助磁極層１４Ｂ
となる前準備層である。前駆主磁極層１２ＡＸの形成材
料としては、第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する材料、例
えば約１．０Ｔ〜１．８Ｔのパーマロイ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）やコバルト鉄ニッケル合金
（ＣｏＦｅＮｉ）などを用いるようにし、前駆主磁極層
１２ＢＸの形成材料としては、第１の飽和磁束密度Ｊ１
よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する材料、例
えば約２．０Ｔ以上の鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、窒
化鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ−Ｎ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，３
Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、またはこれらの各合金の窒化
物などを用いるようにする。また、前駆補助磁極層１４
ＢＸの形成材料としては、第３の飽和磁束密度Ｊ３を有
する材料、例えば前駆主磁極層１２ＡＸと同様に第１の
飽和磁束密度Ｊ１を有する材料を用いるようにし、前駆
補助磁極層１４ＡＸの形成材料としては、第３の飽和磁
束密度Ｊ３よりも大きい第４の飽和磁束密度Ｊ４を有す
る材料、例えば、第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大き
く、より具体的には第２の飽和磁束密度Ｊ２と等しい材
料を用いるようにする。

【００５５】続いて、前駆補助磁極層１４ＢＸ上にフォ
トレジスト膜（図示せず）を形成したのち、フォトリソ
グラフィ処理を利用してフォトレジスト膜をパターニン
グすることにより、図８および図１４に示したように、
エッチング用のマスク層３１を選択的に形成する。マス
ク層３１を形成する際には、フォトリソグラフィ処理時
においてフォトレジスト膜中の露光範囲を調整すること
により、前駆補助磁極層１４ＢＸのうち、最終的に形成
されることとなる主磁極層１２のフレアポイントＦＰ
（図１〜図３参照）よりも後方の領域を覆うようにす
る。具体的には、例えば、最終的にエアベアリング面２
０となる位置よりもリセス距離Ｌ（＝約０．２μｍ〜
１．０μｍ）だけ後退可能なように、マスク層３１の前
端縁を位置合わせする。

【００５６】続いて、マスク層３１を用い、例えばイオ
ンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すこと
により、前駆補助磁極層１４ＡＸ，１４ＢＸをパターニ
ングする。このエッチング処理により、前駆補助磁極層
１４ＡＸ，１４ＢＸのうち、フレアポイントＦＰよりも
前方の領域が選択的に除去され、図９および図１５に示
したように、前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１４Ｂ
Ｙが形成される。なお、前駆補助磁極層パターン１４Ａ
Ｙ，１４ＢＹを形成する際には、例えば、前駆補助磁極
層１４ＡＸ，１４ＢＸと共にマスク層３１自体もエッチ
ングされることを利用して、マスク層３１が消失するこ
ととなるまでエッチング処理を続けるようにする。この
場合、マスク層３１により覆われていなかった領域で
は、エッチングレートの遅いアルミナよりなる前駆非磁
性層１３Ｘがストッパ層として機能する。すなわち、フ
レアポイントＦＰよりも前方の領域では、前駆補助磁極
層１４ＡＸ，１４ＢＸが除去されたのち、前駆非磁性層
１３Ｘがエッチングされて僅かに掘り下げられる程度に
留まることとなる。これにより、エッチング処理の過剰
進行が回避され、エッチング対象でない前駆主磁極層１
２ＢＸまでエッチング処理が達することが回避される。
なお、上記では、前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１
４ＢＹの形成時においてマスク層３１が除去するまでエ
ッチング処理を続けるようにしたが、必ずしもこれに限
られるものではなく、例えば、前駆補助磁極層パターン
１４ＡＹ，１４ＢＹを形成した時点でエッチング処理を
終了した際、マスク層３１が残存している場合には、別
途エッチング処理を施すことにより、残存しているマス
ク層３１を選択的に除去するようにしてもよい。

【００５７】続いて、図１０および図１６に示したよう
に、前駆非磁性層１３Ｘの露出面および前駆補助磁極層
パターン１４ＢＹの表面を覆うように、例えばスパッタ
リングを利用して、例えばアルミナよりなる非磁性層３
２を形成する。この非磁性層３２は、主に、後工程にお
いて前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１４ＢＹや前駆
主磁極層１２ＡＸ，１２ＢＸをパターニングする際にマ
スクあるいはストッパとして用いられるものであり、前
駆非磁性層１３Ｘおよび前駆補助磁極層パターン１４Ａ
Ｙ，１４ＢＹにより構成された下地構造に対応して、段
差部Ｄを含むように形成される。

【００５８】続いて、図１０および図１６に示したよう
に、フォトリソグラフィ処理を利用して、非磁性層３２
上に、フォトレジスト膜よりなるエッチング用のマスク
層３３を選択的に形成する。マスク層３３を形成する際
には、例えば、最終的に形成されることとなる補助磁極
層１４（下部補助磁極層１４Ａ，上部補助磁極層１４
Ｂ）の平面形状にほぼ対応して、先端部１４Ａ１，１４
Ｂ１と同様の一定幅Ｗ１を有する前方部分３３Ｆと、こ
の前方部分３３Ｆよりも大きな幅を有する後方部分３３
Ｒとを含むパターン形状をなすようにし、特に、後工程
においてエアベアリング面２０となる位置から段差部Ｄ
を経由して後方まで前方部分３３Ｆが延在するようにす
る。

【００５９】続いて、マスク層３３を用い、例えば反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）
を利用して全体にエッチング処理を施す。このエッチン
グ処理により、図１１および図１７に示したように、マ
スク層３３とほぼ同様のパターン形状をなすように非磁
性層３２がパターニングされることにより、非磁性層パ
ターン３２Ｐが形成される。

【００６０】続いて、マスク層３３，非磁性層パターン
３２Ｐおよび前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１４Ｂ
Ｙをマスクとして用いて、例えばＲＩＥを利用して引き
続き全体にエッチング処理を施すことにより、前駆非磁
性層１３Ｘをパターニングする。このエッチング処理に
より、図１１および図１７に示したように、フレアポイ
ントＦＰよりも前方の領域において、前駆非磁性層１３
Ｘのうち、マスク３３の前方部分３３Ａに対応する部分
以外の領域が選択的に除去されることにより、非磁性層
１３が形成される。なお、エッチング処理により、マス
ク層３３自体もエッチングされ、その厚みが目減りす
る。

【００６１】続いて、マスク層３３および非磁性層パタ
ーン３２Ｐをマスクとして用い、例えばイオンミリング
を利用して引き続き全体にエッチング処理を施すことに
より、前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１４ＢＹをパ
ターニングする。このエッチング処理により、図１２お
よび図１８に示したように、フレアポイントＦＰよりも
後方の領域において、前駆補助磁極層パターン１４Ａ
Ｙ，１４ＢＹのうち、マスク層３３に対応する部分以外
の領域が選択的に除去されることにより、フレアポイン
トＦＰから順に先端部１４Ａ１および後端部１４Ａ２を
含むように下部補助磁極層１４Ａが形成されると共に、
先端部１４Ｂ１および後端部１４Ｂ２を含むように上部
補助磁極層１４Ｂが形成される。また、下部補助磁極層
１４Ａおよび上部補助磁極層１４Ｂが形成される際に
は、同時に、マスク層３３、非磁性層パターン３２Ｐお
よび前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１４ＢＹをマス
クとして前駆主磁極層１２ＡＸ，１２ＢＸがパターニン
グされる。このエッチング処理により、フレアポイント
ＦＰよりも前方の領域において、前駆主磁極層１２Ａ
Ｘ，１２ＢＸのうち、マスク層３３の前方部分３３Ｆに
対応する部分以外の領域が選択的に除去されることによ
り、フレアポイントＦＰにおいて互いに磁気的に連結さ
れた先端部１２Ａ１および後端部１２Ａ２を含むように
下部主磁極層１２Ａが形成されると共に、先端部１２Ｂ
１および後端部１２Ｂ２を含むように上部主磁極層１２
Ｂが形成される。これにより、下部補助磁極層１４Ａと
上部補助磁極層１４Ｂとの積層構造をなす補助磁極層１
４が形成されると共に、下部主磁極層１２Ａと上部主磁
極層１２Ｂとの積層構造をなす主磁極層１２が形成さ
れ、主磁極層１２（下部主磁極層１２Ａ，上部主磁極層
１２Ｂ）、非磁性層１３および補助磁極層１４（下部補
助磁極層１４Ａ、上部補助磁極層１４Ｂ）よりなる積層
構造体が完成する。補助磁極層１４（下部補助磁極層１
４Ａ，上部補助磁極層１４Ｂ）の形成時には、非磁性層
１３がエッチング処理に対するストッパ層として機能す
るため、非磁性層１３のうち、非磁性層パターン３２Ｐ
に対応する部分以外の領域が途中まで選択的に掘り下げ
られる。なお、図１２および図１８では、エッチング処
理によりマスク層３３が消失し、非磁性層パターン３２
Ｐが露出した状態を表している。

【００６２】最後に、非磁性層パターン３２Ｐをマスク
として用いて、引き続き全体にエッチング処理を施す。
このエッチング処理により、図１３および図２に示した
ように、非磁性層パターン３２Ｐがエッチングされて目
減りすると共に、フレアポイントＦＰよりも前方の領域
において、先端部１２Ａ１，１２Ｂ１周辺のギャップ層
部分９Ｃが選択的に掘り下げられることとなる。これに
より、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１
４よりなる積層構造体が完成する。

【００６３】なお、上記《薄膜磁気ヘッドの要部の形成
方法》の項では、説明の便宜上、エッチングによるパタ
ーニング処理が完了した時点で主磁極層１２（下部主磁
極層１２Ａ，上部主磁極層１２Ｂ）、非磁性層１３およ
び補助磁極層１４（下部補助磁極層１４Ａ，上部補助磁
極層１４Ｂ）が完成する旨を記載しているが、これらの
主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４は、
実際には、前駆主磁極層１２ＡＸ，１２ＢＸ、前駆非磁
性層１３Ｘおよび前駆補助磁極層パターン１４ＡＹ，１
４ＢＹのパターニング処理が完了したのち、エアベアリ
ング面２０の形成工程を経て最終的に完成することとな
る。

【００６４】＜第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する作用および効果＞以上説明したよう
に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４
よりなる積層構造体のうち、特に、第１の飽和磁束密度
Ｊ１を有する下部主磁極層１２Ａと第１の飽和磁束密度
Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する上部
主磁極層１２Ｂとの積層構造をなす主磁極層１２の形成
手法として、成膜技術、パターニング技術ならびにエッ
チング技術などを含む既存の薄膜プロセスしか用いない
ため、主に主磁極層１２について特徴的な構成を有し、
スキューに起因する記録パターンの拡大・屈曲を抑制可
能な本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを簡単に製造す
ることができる。

【００６５】＜第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する変形例＞なお、本実施の形態では、
パターニング処理を行う際のエッチング手法としてイオ
ンミリングやＲＩＥを利用するようにしたが、必ずしも
これに限られるものではなく、例えば、イオンミリング
に代えてＲＩＥを用い、一方、ＲＩＥに代えてイオンミ
リングを用いるようにしてもよい。もちろん、全てのパ
ターニング処理に、イオンミリングまたはＲＩＥのいず
れか一方のみを用いるようにしてもよい。

【００６６】また、本実施の形態では、前駆主磁極層１
２ＡＸ，１２ＢＸを形成したのち、マスク層３１，３３
等を用いて前駆主磁極層１２Ｘ，１２ＢＸをパターニン
グすることにより下部主磁極層１２Ａおよび上部主磁極
層１２Ｂを形成するようにしたが、必ずしもこれに限ら
れるものではなく、例えば、上記形成手法に代えて、め
っき処理を利用して下部主磁極層１２Ａおよび上部主磁
極層１２Ｂを形成するようにしてもよい。

【００６７】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。

【００６８】＜薄膜磁気ヘッドの構成＞図１９は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表してお
り、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面，（Ｂ）は
エアベアリング面に垂直な断面をそれぞれ示している。
図２０および図２１は、図１９に示した薄膜磁気ヘッド
の要部の拡大斜視構成および拡大平面構成をそれぞれ表
している。

【００６９】この薄膜磁気ヘッドは、上記第１の実施の
形態において説明した主磁極層１２（下部主磁極層１２
Ａ，上部主磁極層１２Ｂ）、非磁性層１３、補助磁極層
１４（下部補助磁極層１４Ａ，上部補助磁極層１４Ｂ）
よりなる積層構造体に代えて、主磁極層４２（下部主磁
極層４２Ａ，上部主磁極層４２Ｂ）、非磁性層４３、補
助磁極層４４（下部補助磁極層４４Ａ，上部補助磁極層
４４Ｂ）よりなる積層構造体を含んで記録ヘッド１００
Ｂが構成されている点を除き、上記第１の実施の形態と
同様の構成をなすものである。ここで、主磁極層４２、
非磁性層４３および補助磁極層４４がこの順に積層され
てなる積層構造体が本発明における「磁極層」の一具体
例に対応する。

【００７０】主磁極層４２は、上記第１の実施の形態に
おける主磁極層１２に対応するものであり、互いに同一
の平面形状をなす２つの部分、すなわち媒体流入側に位
置する下部主磁極層４２Ａと、媒体流出側に位置する上
部主磁極層４２Ｂとがこの順に積層された構成をなして
いる。上記第１の実施の形態において下部主磁極層１２
Ａおよび上部主磁極層１２Ｂについて説明した場合と同
様に、下部主磁極層４２Ａは、第１の飽和磁束密度Ｊ１
（約１．０Ｔ〜１．８Ｔ）を有する材料により構成され
ており、上部主磁極層４２Ｂは、第１の飽和磁束密度Ｊ
１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２（約２．０Ｔ以
上）を有する材料により構成されている。ここで、下部
主磁極層４２Ａが本発明における「第１の主磁極層部
分」の一具体例に対応し、上部主磁極層４２Ｂが本発明
における「第２の主磁極層部分」の一具体例に対応す
る。

【００７１】下部主磁極層４２Ａは、例えば、エアベア
リング面２０から順に先端部４２Ａ１および後端部４２
Ａ２を含んで構成されており、上部主磁極層４２Ｂは、
例えば、下部主磁極層４２Ａを構成する先端部４２Ａ１
および後端部４２Ａ２にそれぞれ対応する先端部４２Ｂ
１および後端部４２Ｂ２を含んで構成されている。先端
部４２Ａ１，４２Ｂ１は、記録媒体の記録トラック幅を
規定する一定幅Ｗ１をなしている。後端部４２Ａ２，４
２Ｂ２は、例えば、前方において幅が徐々に大きくな
り、かつ後方において一定幅（Ｗ２）をなしている。こ
の後端部４２Ａ２，４２Ｂ２の前端縁により、フレアポ
イントＦＰが規定されている。ここで、先端部４２Ａ
１，４２Ｂ１の集合体が本発明における「一定幅部分」
の一具体例に対応する。

【００７２】補助磁極層４４は、上記第１の実施の形態
における補助磁極層１４に対応するものであり、その補
助磁極層１４とほぼ同様の構成をなすものである。すな
わち、補助磁極層４４は、エアベアリング面２０からリ
セス距離Ｌ（＝約０．２μｍ〜１．０μｍ）だけ後退し
た領域において、主磁極層４２の媒体流出側に配設され
ており、互いに同一の平面形状をなす２つの部分、すな
わち媒体流入側に位置する下部補助磁極層４４Ａと、媒
体流出側に位置する上部補助磁極層４４Ｂとがこの順に
積層された構成をなしている。上記第１の実施の形態に
おいて下部補助磁極層１４Ａおよび上部補助磁極層１４
Ｂについて説明した場合と同様に、上部主磁極層４４Ｂ
は、第３の飽和磁束密度Ｊ３を有する材料、例えば下部
主磁極層４２Ａと同様に第１の飽和磁束密度Ｊ１を有す
る材料により構成されており、下部補助磁極層４４Ａ
は、第３の飽和磁束密度Ｊ３よりも大きい第４の飽和磁
束密度Ｊ４を有する材料、例えば、第１の飽和磁束密度
Ｊ１よりも大きく、かつ第２の飽和磁束密度Ｊ２と等し
い材料により構成されている。ここで、上部補助磁極層
４４Ｂが本発明における「第１の補助磁極層部分」の一
具体例に対応し、下部補助磁極層４４Ａが本発明におけ
る「第２の補助磁極層部分」の一具体例に対応する。

【００７３】下部補助磁極層４４Ａは、例えば、エアベ
アリング面２０に近いから順に先端部４４Ａ１および後
端部４４Ａ２を含んで構成されており、上部補助磁極層
４４Ｂは、例えば、先端部４４Ａ１および後端部４４Ａ
２にそれぞれ対応する先端部４４Ｂ１および後端部４４
Ｂ２を含んで構成されている。補助磁極層４４の幅が拡
がる位置、すなわち先端部４４Ａ１，４４Ｂ１と後端部
４４Ａ２，４４Ｂ２との連結位置は、例えば、主磁極層
４２のフレアポイントＦＰに一致している。

【００７４】非磁性層４３は、主に、上記第１の実施の
形態における非磁性層１３と同様の機能を担うものであ
り、主磁極層４２とほぼ同様の平面形状をなしている。
この非磁性層４３により、補助磁極層４４は主磁極層４
２から分離されている。

【００７５】＜薄膜磁気ヘッドの動作＞次に、図１９〜
図２１を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明
する。

【００７６】この薄膜磁気ヘッドでは、主に、上記第１
の実施の形態と同様の記録動作を行う。すなわち、薄膜
コイル１０において磁束が発生すると、この磁束が主磁
極層４２に収容されると共に、非磁性層４３を通過して
補助磁極層４４にも収容される。主磁極層４２の幅の減
少（Ｗ２→Ｗ１）に伴い、飽和磁束密度の小さい下部主
磁極層４２Ａでは磁束飽和が生じるが、飽和磁束密度の
大きい上部主磁極層４２Ｂでは磁束飽和が生じないた
め、主磁極層４２に収容された磁束は、上部主磁極層４
２Ｂ内を優先的に流れて先端部４２Ｂ１に流入する。一
方、主磁極層４２と同様に、飽和磁束密度の小さい上部
補助磁極層４４Ｂでは磁束飽和が生じるが、飽和磁束密
度の大きい下部補助磁極層４４Ａでは磁束飽和が生じな
いため、補助磁極層４４に収容された磁束は、下部補助
磁極層４４Ａ内を優先的に流れて先端部４４Ａ１に集中
したのち、再び非磁性層４３を通過して上部主磁極層４
２Ｂの先端部４２Ｂ１に流入する。先端部４２Ｂ１に流
入した磁束は、主に、先端部４２Ｂ１のトレーリング側
部分に集中する。先端部４２Ｂ１のトレーリング側部分
に集中した磁束が放出されることにより垂直磁界が発生
し、この垂直磁界により記録媒体に情報が記録される。

【００７７】＜第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の作用および効果＞本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、媒体流入側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１を
有する下部主磁極層４２Ａと、媒体流出側に位置して第
１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度
Ｊ２を有する上部主磁極層４２Ｂとの積層構造をなすよ
うに主磁極層４２を構成したので、主磁極層４２による
書き込みは、主に、飽和磁束密度が小さい下部主磁極層
４２Ａの先端部４２Ａ１によらず、飽和磁束密度が大き
い上部主磁極層４２Ｂの先端部４２Ｂ１により行われ
る。したがって、本実施の形態においても、上記第１の
実施の形態と同様の作用により、スキュー時における実
質的な記録トラック幅の拡大が抑制され、これにより記
録パターンの拡大・屈曲が抑制されるため、記録性能を
向上させることができる。

【００７８】なお、本実施の形態に関する上記特徴部分
以外の構成、動作、作用、効果および変形は、上記第１
の実施の形態と同様である。

【００７９】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞次に、図１
９〜図２８を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法について説明する。図２２〜図２５は薄
膜磁気ヘッドの製造工程における各工程の断面構成を表
し、図２６〜図２８はそれぞれ図２２〜図２４に示した
各工程に対応する斜視構成を表している。なお、以下で
は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用される薄
膜磁気ヘッドの要部の形成方法についてのみ説明し、そ
の説明では、各構成要素の形成材料、形成位置および構
造的特徴等について随時省略するものとする。

【００８０】薄膜磁気ヘッドの要部を形成する際には、
ヨーク１１を形成し、このヨーク１１とギャップ層部分
９Ｃとにより平坦面Ｍを構成したのち、図２２および図
２６に示したように、まず、平坦面Ｍ上に、例えばスパ
ッタリングを利用して、前駆主磁極層４２ＡＸと、前駆
主磁極層４２ＢＸと、例えばアルミナなどよりなる前駆
非磁性層４３Ｘと、前駆補助磁極層４４ＡＸと、前駆補
助磁極層４４ＢＸとをこの順に形成して積層させる。前
駆主磁極層４２ＡＸの形成材料としては、第１の飽和磁
束密度Ｊ１（約１．０Ｔ〜１．８Ｔ）を有する材料を用
いるようにし、前駆主磁極層４２ＢＸの形成材料として
は、第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁
束密度Ｊ２を有する材料を用いるようにする。また、前
駆補助磁極層４４ＢＸの形成材料としては、第３の飽和
磁束密度Ｊ３を有する材料を用いるようにし、前駆補助
磁極層４４ＡＸの形成材料としては、第３の飽和磁束密
度Ｊ３よりも大きい第４の飽和磁束密度Ｊ４を有する材
料、例えば、第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きく、よ
り具体的には第２の飽和磁束密度Ｊ２と等しい材料を用
いるようにする。ここで、上記した一連の前駆層が請求
項２３に記載した各前駆層に対応する。すなわち、前駆
主磁極層４２ＡＸが本発明における「第１の前駆主磁極
層」の一具体例に対応し、前駆主磁極層４２ＢＸが本発
明における「第２の前駆主磁極層」の一具体例に対応
し、前駆非磁性層４３Ｘが本発明における「前駆非磁性
層」の一具体例に対応し、前駆補助磁極層４４ＡＸが本
発明における「第２の前駆補助磁極層」の一具体例に対
応し、前駆補助磁極層４４ＢＸが本発明における「第１
の前駆補助磁極層」の一具体例に対応する。

【００８１】続いて、前駆補助磁極層４４ＢＸ上にフォ
トレジスト膜（図示せず）を形成したのち、フォトリソ
グラフィ処理を利用してフォトレジスト膜をパターニン
グすることにより、図２２および図２６に示したよう
に、エッチング用のマスク層５１を選択的に形成する。
マスク層５１を形成する際には、例えば、最終的に形成
されることとなる主磁極層４２（下部主磁極層４２Ａ，
上部主磁極層４２Ｂ）の平面形状に対応し、先端部４２
Ａ１，４２Ｂ１と同様の一定幅Ｗ１を有する前方部分５
１Ｆと、この前方部分５１Ｆよりも大きな幅を有する後
方部分５１Ｒとを含むパターン形状をなすようにし、特
に、フォトリソグラフィ処理時におけるフォトレジスト
膜中の露光範囲を調整することにより、前方部分５１Ｆ
と後方部分５１Ｒとの連結位置がフレアポイントＦＰに
一致するように、マスク層５１の形成位置を調整する。
ここで、マスク層５１が本発明における「第１のマスク
層（請求項２３）」の一具体例に対応する。

【００８２】続いて、マスク層５１を用い、例えばイオ
ンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すこと
により、前駆補助磁極層４４ＡＸ，４４ＢＸ、前駆非磁
性層４３Ｘおよび前駆主磁極層４２ＡＸ，４２ＢＸをパ
ターニングする。このエッチング処理により、前駆補助
磁極層４４ＡＸ，４４ＢＸ、前駆非磁性層４３Ｘおよび
前駆主磁極層４２ＡＸ，４２ＢＸのうち、マスク層５１
に対応する部分以外の領域が選択的に除去されることに
より、図２３および図２７に示したように、前駆補助磁
極層パターン４４ＡＹ，４４ＢＹおよび非磁性層４３が
形成されると共に、先端部４２Ａ１および後端部４２Ａ
２を含む下部主磁極層４２Ａと、先端部４２Ｂ１および
後端部４２Ｂ２を含む上部主磁極層４２Ｂとがこの順に
積層された積層構造をなすように主磁極層４２が形成さ
れる。なお、エッチング処理により、マスク層５１自体
もエッチングされ、その厚みが目減りする。下部主磁極
層４２Ａおよび上部主磁極層４２Ｂの形成時において、
マスク層５１が残存しないようにしてもよいし（図２
３，図２７参照）、残存するようにしてもよい。ここ
で、前駆補助磁極層パターン４４ＢＹが本発明における
「第１の前駆補助磁極層パターン（請求項２３）」の一
具体例に対応し、前駆補助磁極層パターン４４ＡＹが本
発明における「第２の前駆補助磁極層パターン（請求項
２３）」の一具体例に対応する。

【００８３】続いて、図２４および図２８に示したよう
に、フォトリソグラフィ処理を利用して、前駆補助磁極
層パターン４４ＡＹ，４４ＢＹの先端部分を除いた領域
を覆うように、フォトレジスト膜よりなるエッチング用
のマスク層５２を選択的に形成する。マスク層５２を形
成する際には、例えば、後工程において形成されること
となるエアベアリング面２０（図１９〜図２１参照）の
形成位置を基準として、そのエアベアリング面２０から
リセス距離Ｌ（＝約０．２μｍ〜１．０μｍ）だけ後退
可能な位置に、マスク層５２の前端を位置合わせする。
ここで、マスク層５２が本発明における「第２のマスク
層（請求項２３）」の一具体例に対応する。

【００８４】続いて、マスク層５２を用いて、例えばイ
オンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すこ
とにより、前駆補助磁極層パターン４４ＡＹ，４４ＢＹ
をパターニングする。このエッチング処理により、前駆
補助磁極層パターン４４ＡＹ，４４ＢＹのうち、マスク
層５２により覆われていない部分が選択的に除去される
ことにより、図２５および図２０に示したように、先端
部４４Ａ１および後端部４４Ａ２を含む下部補助磁極層
４４Ａと、先端部４４Ｂ１および後端部４４Ｂ２を含む
上部補助磁極層４４Ｂとがこの順に積層された積層構造
をなすように補助磁極層４４が形成される。なお、下部
補助磁極層４４Ａおよび上部補助磁極層４４Ｂの形成時
には、非磁性層４３がエッチング処理に対するストッパ
層として機能するため、非磁性層４３のうち、マスク層
５２に対応する部分以外の領域が途中まで選択的に掘り
下げられる。

【００８５】最後に、引き続きマスク層５２を用いて、
例えばＲＩＥを利用して全体にエッチング処理を施す。
このエッチング処理により、図２５および図２０に示し
たように、フレアポイントＦＰよりも前方の領域におい
て、先端部４２Ａ１，４２Ｂ１周辺のギャップ層部分９
Ｃが選択的に掘り下げられることとなる。これにより、
主磁極層４２（下部主磁極層４２Ａ，上部主磁極層４２
Ｂ）、非磁性層４３および補助磁極層４４（下部補助磁
極層４４Ａ，上部補助磁極層４４Ｂ）よりなる積層構造
体が完成する。なお、主磁極層４２、非磁性層４３およ
び補助磁極層４４は、上記第１の実施の形態において説
明したように、実際には、エアベアリング面２０を形成
することにより完成する。

【００８６】＜第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する作用および効果＞以上説明したよう
に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する下部主磁極層４２
Ａと、第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和
磁束密度Ｊ２を有する上部主磁極層４２Ｂとの積層構造
をなす主磁極層４２の形成手法として、既存の薄膜プロ
セスしか用いないため、上記第１の実施の形態と同様
に、主に主磁極層４２について特徴的な構成を有し、ス
キューに起因する記録パターンの拡大・屈曲を抑制可能
な本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを簡単に製造する
ことができる。

【００８７】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関する上記以外の作用、効果、変
形等は、上記第１の実施の形態と同様である。

【００８８】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態について説明する。

【００８９】図２９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面構成を表しており、（Ａ）はエアベアリング
面に平行な断面，（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断
面をそれぞれ示している。図３０は、図２９に示した薄
膜磁気ヘッドの要部の拡大斜視構成を表している。

【００９０】この薄膜磁気ヘッドは、上記第２の実施の
形態において説明した主磁極層４２（下部主磁極層４２
Ａ，上部主磁極層４２Ｂ）、非磁性層４３および補助磁
極層４４（下部補助磁極層４４Ａ，上部補助磁極層４４
Ｂ）よりなる積層構造体に代えて、下部主磁極層６２、
中間磁極層６３および上部補助磁極層６４よりなる積層
構造体を含んで記録ヘッド１００Ｂが構成されている点
を除き、上記第２の実施の形態と同様の構成をなすもの
である。ここで、下部主磁極層６２、非磁性層６３およ
び上部補助磁極層６４がこの順に積層されてなる積層構
造体が本発明における「磁極層」の一具体例に対応す
る。

【００９１】下部主磁極層６２は、上記第２の実施の形
態における下部主磁極層４２Ａに対応するものである。
この下部主磁極層６２は、下部主磁極層４２Ａと同様の
材質（第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する材料）および構
成をなしており、エアベアリング面２０から順に、一定
幅Ｗ１をなす先端部６２Ｆと、この先端部６２Ｆよりも
大きな幅Ｗ２を有する後端部６２Ｒを含んで構成されて
いる。

【００９２】中間磁極層６３は、上記第２の実施の形態
における上部主磁極層４２Ｂおよび下部補助磁極層４４
Ａの集合体に対応するものであり、すなわち上部主磁極
層４２Ｂと下部補助磁極層４４Ａとが同一の材料により
一体に形成されたものに対応する。この中間磁極層６３
は、上部主磁極層４２Ｂおよび下部補助磁極層４４Ａと
同様の材質（第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する材料）お
よび構成をなしており、エアベアリング面２０から順
に、先端部６３Ｆ（幅Ｗ１）と後端部６３Ｒ（幅Ｗ２）
とを含んで構成されている。先端部６３Ｆは、エアベア
リング面２０からリセス距離Ｌだけ後退した位置の前後
で厚さが異なっており、後方部分よりも前方部分におい
て厚みが薄くなっている。先端部６２Ｆの後方部分の厚
みは、後端部６３Ｒの厚みと等しくなっている。後端部
６３Ｒの前端縁により、フレアポイントＦＰが規定され
ている。

【００９３】上記した中間磁極層６３と上部主磁極層４
２Ｂおよび下部補助磁極層４４Ａとの具体的な対応関係
としては、図２９に示したように、中間磁極層６３のう
ち、先端部６３Ｆの前方部分の表面の位置よりも下方の
部分、すなわち中間磁極層６３中に示した一点鎖線Ｑよ
りも下方の部分（下方部分６３Ｌ）が上部主磁極層４２
Ｂに対応し、先端部６３Ｆの前方部分の表面位置よりも
上方の部分、すなわち一点鎖線Ｑよりも上方の部分（上
方部分６３Ｈ）が下部補助磁極層４４Ａに対応してい
る。

【００９４】上部補助磁極層６４は、上記第２の実施の
形態における上部補助磁極層４４Ｂに対応するものであ
り、エアベアリング面２０からリセス距離Ｌだけ後退し
た位置から後方に向かって延在している。この上部補助
磁極層６４は、上部補助磁極層４４Ｂと同様の材質（第
３の飽和磁束密度Ｊ３を有する材料）および構成をなし
ており、エアベアリング面２０に近い側から順に、先端
部６４Ｆ（幅Ｗ１）と後端部６４Ｒ（幅Ｗ２）とを含ん
で構成されている。

【００９５】ここで、下部主磁極層６２が本発明におけ
る「第１の主磁極層部分」の一具体例に対応し、上部補
助磁極層６４が本発明における「第１の補助磁極層部
分」の集合体に対応する。また、中間磁極層６３のうち
の下方部分６３Ｌが本発明における「第２の主磁極層部
分」に対応し、上方部分６３Ｈが本発明における「第２
の補助磁極層部分」の一具体例に対応し、先端部６３Ｆ
と先端部６２Ｆとの集合体が本発明における「一定幅部
分」の一具体例に対応する。さらに、下部主磁極層６２
と中間磁極層６３の下方部分６３Ｌとの集合体が本発明
における「主磁極層」の一具体例に対応し、上部補助磁
極層４４Ｂと中間磁極層６３のうちの上方部分６３Ｈと
の集合体が本発明における「補助磁極層」の一具体例に
対応する。

【００９６】この薄膜磁気ヘッドでは、主に、上記第２
の実施の形態と同様の記録動作を行う。すなわち、薄膜
コイル１０において磁束が下部主磁極層６２、中間磁極
層６３および上部補助磁極層６４に収容されると、飽和
磁束密度の小さい下部主磁極層６２および上部補助磁極
層６４では磁束飽和が生じるが、飽和磁束密度の大きい
中間磁極層６３では磁束飽和が生じないため、磁束は主
に中間磁極層６３内を流れてその前方部分に流入する。
中間磁極層６３の前方部分に流入した磁束は、主に、そ
の前方部分のトレーリング側部分に集中する。中間磁極
層６３の前方部分のトレーリング側部分から磁束が放出
されることにより垂直磁界が発生し、この垂直磁界によ
り記録媒体に情報が記録される。

【００９７】この薄膜磁気ヘッドの要部、すなわち下部
主磁極層６２、中間磁極層６３および上部補助磁極層６
４よりなる積層構造体は、以下の工程により形成され
る。図３１〜図３３は薄膜磁気ヘッドの製造工程におけ
る各工程の断面構成を表し、図３４〜図３６はそれぞれ
図３１〜図３３に示した各工程に対応する斜視構成を表
している。

【００９８】薄膜磁気ヘッドの要部を形成する際には、
ヨーク１１を形成し、このヨーク１１とギャップ層部分
９Ｃとにより平坦面Ｍを構成したのち、図３１および図
３４に示したように、まず、平坦面Ｍ上に、例えばスパ
ッタリングを利用して、前駆主磁極層６２Ｘと、前駆中
間磁極層６３Ｘと、前駆補助磁極層６４Ｘとをこの順に
形成して積層させる。前駆主磁極層６２Ｘの形成材料と
しては第１の飽和磁束密度Ｊ１（約１．０Ｔ〜１．８
Ｔ）を有する材料を用い、前駆補助磁極層６４Ｘの形成
材料としては第３の飽和磁束密度Ｊ３を有する材料を用
い、前駆中間磁極層６３Ｘの形成材料としては第１の飽
和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２
（約２．０Ｔ以上）を有する材料を用いるようにする。
ここで、上記した一連の前駆層が請求項２０に記載した
各前駆層に対応する。すなわち、前駆主磁極層６２Ｘが
本発明における「前駆主磁極層」の一具体例に対応し、
前駆中間磁極層６３Ｘが本発明における「前駆中間磁極
層」の一具体例に対応し、前駆補助磁極層６４Ｘが本発
明における「前駆補助磁極層」の一具体例に対応する。

【００９９】続いて、前駆補助磁極層６４Ｘ上にフォト
レジスト膜（図示せず）を形成したのち、フォトリソグ
ラフィ処理を利用してフォトレジスト膜をパターニング
することにより、図３１および図３４に示したように、
エッチング用のマスク層７１を選択的に形成する。マス
ク層７１を形成する際には、例えば、最終的に形成され
ることとなる下部主磁極層６２の平面形状に対応して、
先端部６２Ｆと同様の一定幅Ｗ１を有する前方部分７１
Ｆと、この前方部分７１Ｆよりも大きな幅を有する後方
部分７１Ｒとを含むパターン形状をなすようにし、前方
部分７１Ｆと後方部分７１Ｒとの連結位置がフレアポイ
ントＦＰに一致するように、マスク層７１の形成位置を
調整する。ここで、マスク層７１が本発明における「第
１のマスク層（請求項２０）」の一具体例に対応する。

【０１００】続いて、マスク層７１を用い、例えばイオ
ンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すこと
により、前駆補助磁極層６４Ｘ、前駆中間磁極層６３Ｘ
および前駆主磁極層６２Ｘをパターニングする。このエ
ッチング処理により、前駆補助磁極層６４Ｘ、前駆中間
磁極層６３Ｘおよび前駆主磁極層６２Ｘのうち、マスク
層７１に対応する部分以外の領域が選択的に除去される
ことにより、図３２および図３５に示したように、前駆
補助磁極層パターン６４Ｙおよび前駆中間磁極層パター
ン６３Ｙが形成されると共に、先端部６２Ｆおよび後端
部６２Ｒを含む下部主磁極層６２が形成される。なお、
エッチング処理により、マスク層７１自体もエッチング
され、その厚みが目減りする。下部主磁極層６２の形成
時において、マスク層７１が残存しないようにしてもよ
いし（図３２，図３５参照）、残存するようにしてもよ
い。ここで、前駆補助磁極層パターン６４Ｙが本発明に
おける「前駆補助磁極層パターン（請求項２０）」の一
具体例に対応し、前駆中間磁極層パターン６３Ｙが本発
明における「前駆中間磁極層パターン（請求項２０）」
の一具体例に対応にする。

【０１０１】続いて、図３３および図３６に示したよう
に、フォトリソグラフィ処理を利用して、前駆補助磁極
層パターン６４Ｙおよび前駆中間磁極層パターン６３Ｙ
の双方の先端部分を除いた領域を覆うように、フォトレ
ジスト膜よりなるエッチング用のマスク層７２を選択的
に形成する。マスク層７２を形成する際には、例えば、
後工程において形成されることとなるエアベアリング面
２０（図２９，図３０参照）の形成位置を基準として、
そのエアベアリング面２０からリセス距離Ｌ（＝約０．
２μｍ〜１．０μｍ）だけ後退可能な位置に、マスク層
７２の前端を位置合わせする。ここで、マスク層７２が
本発明における「第２のマスク層（請求項２０）」の一
具体例に対応する。

【０１０２】続いて、マスク層７２を用いて、例えばイ
オンミリングを利用して全体にエッチング処理を施すこ
とにより、前駆補助磁極層パターン６４Ｙをパターニン
グする。このエッチング処理により、前駆補助磁極層パ
ターン６４Ｙのうち、マスク層７２により覆われていな
い部分が選択的に除去されることにより、図２９および
図３０に示したように、先端部６４Ｆおよび後端部６４
Ｒを含む上部補助磁極層６４が形成される。

【０１０３】最後に、引き続きマスク層７２を用いて、
例えばイオンミリングを利用して前駆中間磁極層パター
ン６３Ｙをパターニングすることにより、図２９および
図３０に示したように、先端部６３Ｆおよび後端部６３
Ｒを含み、先端部６３Ｆのうちの前方部分が後方部分よ
りも薄くなるように中間磁極層６３を形成する。中間磁
極層６３の形成時には、エッチング処理により、マスク
層７２の形成領域よりも前方の領域において主磁極層６
２以外の領域が選択的に掘り下げられることとなる。こ
れにより、下部主磁極層６２、中間磁極層６３および補
助磁極層６４よりなる積層構造体が完成する。なお、主
磁極層６２、中間磁極層６３および補助磁極層６４は、
上記第２の実施の形態において説明したように、実際に
は、エアベアリング面２０の形成工程を経て形成され
る。

【０１０４】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドでは、エアベアリング面２０近傍におい
て、媒体流入側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１を有
する下部主磁極層６２と、媒体流出側に位置して第１の
飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２
を有する中間磁極層６３との積層構造をなすようにした
ので、記録時における書き込みは、主に、飽和磁束密度
が大きい中間磁極層６３の先端部６３Ｆの前方部分によ
り行われる。したがって、本実施の形態においても、上
記第２の実施の形態と同様に、スキューに起因する記録
パターンの拡大・屈曲が抑制されるため、記録性能を向
上させることができる。

【０１０５】また、本実施の形態では、下部主磁極層６
２と中間磁極層６３との積層構造を形成するために既存
の薄膜プロセスしか使用しないため、上記第２の実施の
形態と同様に、スキューに起因する記録パターンの拡大
・屈曲を抑制可能な本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
を簡単に製造することができる。

【０１０６】なお、本実施の形態では、スパッタリング
を利用した成膜処理およびエッチングを利用したパター
ニング処理を用いて中間磁極層６３および上部補助磁極
層６４を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、めっき処理を用いて中間磁極
層６３および上部補助磁極層６４を形成するようにして
もよい。本実施の形態では、例えば上記第１の実施の形
態とは異なり、エッチング時にストッパ層として機能す
る非磁性層１３や非磁性層パターン３２Ｐが存在しない
ため、エッチング処理を用いて中間磁極層６３や上部補
助磁極層６４を形成した場合には、エッチング処理が過
剰進行して目減り等の不具合が生じるおそれがある。し
かしながら、エッチング処理の代わりにめっき処理を用
いれば、エッチング処理の過剰進行に係る目減り等の不
都合を回避しつつ、中間磁極層６３や上部補助磁極層６
４を形成することができる。なお、めっき処理を用いて
中間磁極層６３を形成する場合には、その下方部分６３
Ｌと上方部分６３Ｈとを単一の工程により一体形成して
もよいし、別個の工程により別体形成してもよい。

【０１０７】なお、本実施の形態に関する上記特徴部分
以外の構成、動作、作用、効果および変形は、上記第１
および第２の実施の形態と同様である。

【０１０８】以上をもって、本発明の第１〜第３の実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了す
る。

【０１０９】次に、図３７〜図３９を参照して、上記第
１〜第３の実施の形態において説明した構成の薄膜磁気
ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明す
る。図３７は磁気記録装置の切り欠き概観構成を表し、
図３８は磁気記録装置の要部（ヘッドスライダ）の拡大
外観構成を表し、図３９は磁気記録層に搭載される磁気
ディスク（記録媒体）の断面構成を表している。この磁
気記録装置は、上記第１〜第３の実施の形態において説
明した構成の薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例
えばハードディスクドライブである。

【０１１０】この磁気記録装置は、例えば、筐体２００
の内部に、情報が記録されることとなる記録媒体として
の複数の磁気ディスク２０１と、各磁気ディスク２０１
に対応して配設され、先端にヘッドスライダ２１０が取
り付けられた複数のアーム２０２とを備えている。磁気
ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドル
モータ２０３を中心として回転可能になっている。アー
ム２０２は、動力源としての駆動部２０４に接続されて
おり、筐体２００に固定された固定軸２０５を中心とし
て、ベアリング２０６を介して旋回可能になっている。
なお、図３７では、例えば、固定軸２０５を中心として
複数のアーム２０２が一体として旋回するモデルを示し
ている。

【０１１１】ヘッドスライダ２１０は、アーム２０２の
旋回時における空気抵抗を減少させるために溝部が設け
られた略直方体状の基体２１１のうち、エアベアリング
面２２０と直交する一側面（図３８中、手前側の面）
に、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド２１２が配設された
構成をなしている。この薄膜磁気ヘッド２１２は、例え
ば、上記第１〜第３の実施の形態において説明した構成
をなすものである。なお、図３８では、ヘッドスライダ
２１０のうち、エアベアリング面２２０側の構造を見や
すくするために、図３７に示した状態とは上下を反転さ
せた状態を示している。

【０１１２】磁気ディスク２０１は、例えば主要部が２
層構成をなす垂直記録用の記録媒体である。この磁気デ
ィスク２０１は、例えば、円盤状の基体ディスク３０１
上に、磁束帰還層３０２と、記録層３０３と、保護層３
０４とがこの順に積層された構成をなしている。磁束帰
還層３０２は、記録層３０３に情報を記録した磁束が薄
膜磁気ヘッド２１２に帰還する経路をなすものであり、
例えばパーマロイ，コバルトクロムジルコニウム合金
（ＣｏＣｒＺｒ），鉄アルミニウム合金ケイ化物（Ｆｅ
ＡｌＳｉ）などにより構成されている。記録層３０３
は、薄膜磁気ヘッド２１２から放出された磁束、すなわ
ち垂直磁界により磁気的に情報が記録されるものであ
り、例えばコバルトクロム白金合金（ＣｏＣｒＰｔ）な
どにより構成されている。保護層３０４は、周囲から記
録層３０３を保護するためのものである。

【０１１３】なお、薄膜磁気ヘッド２１２の詳細な構成
については、既に上記第１〜第３の実施の形態において
詳細に説明したので、その説明を省略する。

【０１１４】この磁気記録装置では、情報の記録時にお
いてアーム２０２が旋回することにより、磁気ディスク
２０１のうちの所定の領域（記録領域）までヘッドスラ
イダ２１０が移動する。そして、磁気ディスク２０１と
対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電され
ると、上記第１〜第３の実施の形態において説明した動
作機構と同様に動作することにより、薄膜磁気ヘッド２
１２が磁気ディスク２０１に情報を記録する。

【０１１５】この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気
ヘッド２１２を備えるようにしたので、上記第１〜第３
の実施の形態において説明したように、特徴的な構成の
主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッドを利用して記録処理を
行うことにより、スキュー時における記録パターンの拡
大・屈曲が抑制される。したがって、記録性能を向上さ
せることができる。

【０１１６】なお、この磁気記録装置に関する上記以外
の作用、効果、変形等は、上記第１〜第３の実施の形態
と同様である。

【０１１７】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。すなわち、上記各実施
の形態で示した薄膜磁気ヘッドの構成やその製造方法、
ならびに磁気記録装置に係る詳細等は、必ずしも上記各
実施の形態において説明したものに限られるものではな
く、媒体流入側に位置して飽和磁束が小さい層と媒体流
出側に位置して飽和磁束密度が大きい層との積層構造を
含むように、記録時において主要な役割を担う薄膜磁気
ヘッドの要部を構成することにより、スキューに起因す
る記録パターンの拡大・屈曲を抑制し、記録性能を向上
させることが可能な限り、自由に変更可能である。

【０１１８】また、上記各実施の形態では、本発明を
「単磁極型ヘッド」に適用する場合について説明した
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、
「リング型ヘッド」に適用してもよい。

【０１１９】また、上記各実施の形態では、本発明を複
合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明した
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書
き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜
磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を
有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。また、本発
明は、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層
順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用
可能である。さらに、本発明は、垂直記録方式の薄膜磁
気ヘッドに限らず、長手記録方式の薄膜磁気ヘッドにつ
いても適用可能である。

【０１２０】また、上記各実施の形態では、本発明の薄
膜磁気ヘッドをハードディスクドライブに適用する場合
について説明したが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば、ハードディスクドライブと同様の記録処
理を実行する他の各種機器に適用することも可能であ
る。

【０１２１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド、また
は請求項１２ないし請求項２４のいずれか１項に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、媒体流入側に位置
して第１の飽和磁束密度を有する第１の主磁極層部分
と、媒体流出側に位置して第１の飽和磁束密度よりも大
きい第２の飽和磁束密度を有する第２の主磁極層部分と
の積層構造をなすように主磁極層を構成したので、薄膜
コイルにおいて発生した磁束が主磁極層内を流れる際、
飽和磁束密度の小さい第１の主磁極層部分では磁束飽和
が生じるが、飽和磁束密度の大きい第２の主磁極層部分
では磁束飽和が生じない。この場合には、磁束が第２の
主磁極層部分内を流れるため、スキュー時において、主
磁極層による書き込みは、主に第２の主磁極層部分によ
り行われる。これにより、主磁極層全体の飽和磁束密度
が大きい場合と比較して、記録パターンの拡大・屈曲が
抑制されるため、記録性能を向上させることが可能とな
る。

【０１２２】また、請求項２５ないし請求項２７のいず
れか１項に記載の磁気記録装置によれば、請求項１ない
し請求項１１のいずれか１項に記載した薄膜磁気ヘッド
を備えるようにしたので、特徴的な構成の主磁極層を備
えた本発明の薄膜磁気ヘッドを利用して記録処理が行わ
れる。したがって、スキューに起因する記録パターンの
拡大・屈曲が抑制されるため、記録性能を向上させるこ
とができる。

【０１２３】また、上記の他、請求項３記載の薄膜磁気
ヘッドまたは請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、記録媒体対向面から後退した領域におい
て、主磁極層の媒体流出側に補助磁極層を含んで磁極層
を構成したので、主磁極層内をその先端に向かって流れ
る「主要な磁束の流入ルート」と共に、補助磁極層から
主磁極層の先端部に流れる「補助的な磁束の流入ルー
ト」も得られることとなり、主磁極層のみで補助磁極層
を備えない場合と比較して、主磁極層の先端部の媒体流
出側（トレーリング側）部分に供給される磁束量が多く
なる。したがって、主磁極層の先端部の媒体流出側部分
に十分な量の磁束が供給されることにより、磁束の放出
量が増加すると共に磁場勾配が急峻化するため、垂直磁
界の発生強度を増加させることができる。さらに、補助
磁極層に収容された磁束が主磁極層へ供給されることに
伴い、補助磁極層内を流れる磁束が記録用磁界の発生に
直接寄与しないため、補助磁極層の存在に起因する記録
媒体への悪影響、例えば補助磁極層による記録媒体への
直接書き込み等を防止することができる。

【０１２４】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、媒体流出側に位置して第３の飽和磁束密度を有する
第１の補助磁極層部分と、媒体流入側に位置して第３の
飽和磁束密度よりも大きい第４の飽和磁束密度を有する
第２の補助磁極層部分との積層構造をなすように補助磁
極層を構成することにより、補助磁極層のうち、主要な
磁束の流路となる第２の補助磁極層部分における磁束の
収容量が増加する。したがって、補助磁極層から主磁極
層に供給される磁束量をより増加し、磁場勾配をより急
峻化し、さらに補助磁極層による記録媒体への直接書き
込み等をより効果的に防止することができる。

【０１２５】また、請求項２０あるいは請求項２３に記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極層の形
成手法として、成膜技術、パターニング技術ならびにエ
ッチング技術などを含む既存の薄膜プロセスしか用いな
いため、記録性能の向上に関して利点を有する本発明の
薄膜磁気ヘッドを簡単に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面構成を表す断面図である。

【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の斜視構成
を拡大して表す斜視図である。

【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部の平面構成
を拡大して表す平面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの利点を説明するための図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドに関する問題
点を説明するための図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成に関する変形例を表す断面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成に関する他の変形例を表す断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１４】図８に示した断面構成に対応する斜視図であ
る。

【図１５】図９に示した断面構成に対応する斜視図であ
る。

【図１６】図１０に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図１７】図１１に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図１８】図１２に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面構成を表す断面図である。

【図２０】図１９に示した薄膜磁気ヘッドの要部の斜視
構成を拡大して表す斜視図である。

【図２１】図１９に示した薄膜磁気ヘッドの要部の平面
構成を拡大して表す平面図である。

【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２２に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図２７】図２３に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図２８】図２４に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面構成を表す断面図である。

【図３０】図２９に示した薄膜磁気ヘッドの要部の斜視
構成を拡大して表す斜視図である。

【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図３１に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図３５】図３２に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図３６】図３３に示した断面構成に対応する斜視図で
ある。

【図３７】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録
装置の切り欠き外観構成を表す図である。

【図３８】図３７に示した磁気記録装置の要部の外観構
成を拡大して表す図である。

【図３９】磁気ディスクの断面構成を表す断面図であ
る。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…シー
ルドギャップ膜、５…上部シールド層、６…ＭＲ素子、
７，１３，３２，４３…非磁性層、８…リターンヨー
ク、９…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…ギャップ層部
分、１０…薄膜コイル、１１…ヨーク、１２，４２…主
磁極層、１２Ａ，４２Ａ，６２…下部主磁極層、１２Ａ
１，１２Ｂ１，１４Ａ１，１４Ｂ１，４２Ａ１，４２Ｂ
１，４４Ａ１，４４Ｂ１，６２Ｆ，６３Ｆ，６４Ｆ…先
端部、１２Ａ２，１２Ｂ２，１４Ａ２，１４Ｂ２，４２
Ａ２，４２Ｂ２，４４Ａ２，４４Ｂ２，６２Ｒ，６３
Ｒ，６４Ｒ…後端部、１２ＡＸ，１２ＢＸ，４２ＡＸ，
４２ＢＸ，６２Ｘ…前駆主磁極層、１２Ｂ，４２Ｂ…上
部主磁極層、１３Ｘ，４３Ｘ…前駆非磁性層、１４，４
４…補助磁極層、１４Ａ，４４Ａ…下部補助磁極層、１
４Ｂ，４４Ｂ，６４…上部補助磁極層、１４ＡＸ，１４
ＢＸ，４４ＡＸ，４４ＢＸ，６４Ｘ…前駆補助磁極層、
１４ＡＹ，１４ＢＹ，４４ＡＹ，４４ＢＹ，６４Ｙ…前
駆補助磁極層パターン、１５…オーバーコート層、２０
…エアベアリング面、３１，３３，５１，５２，７１，
７２…マスク層、３２Ｐ…非磁性層パターン、４３Ｙ…
前駆非磁性層パターン、６３…中間磁極層、６３Ｘ…前
駆中間磁極層、６３Ｙ…前駆中間磁極層パターン、１０
０Ａ…再生ヘッド、１００Ｂ…記録ヘッド、２００…筐
体、２０１…磁気ディスク、２０２…アーム、２０３…
スピンドルモータ、２０４…駆動部、２０５…固定軸、
２０６…ベアリング、２１０…ヘッドスライダ、２１１
…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、３０１…基体ディス
ク、３０２…磁束帰還層、３０３…記録層、３０４…保
護層、Ｂ…媒体進行方向、ＦＰ…フレアポイント、Ｌ…
リセス距離、ＴＷ１…記録トラック幅、ω…スキュー角
度。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄司 茂 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 高野 研一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA08 BA12 BA13 CA01 CA02 DA03 DA08 DA31

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の媒体進行方向に移動する記録媒体
   を備えた磁気記録装置に用いられ、 磁束を発生させる薄膜コイルと、前記薄膜コイルにおい
   て発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層
   とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁極層は、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面
   に一端面が露出すると共に前記記録媒体の記録トラック
   幅を規定する一定幅部分を有する主磁極層を含み、 前記主磁極層は、 前記媒体進行方向における媒体流入側に位置し、第１の
   飽和磁束密度を有する第１の主磁極層部分と、 前記媒体進行方向における媒体流出側に位置し、前記第
   １の飽和磁束密度よりも大きい第２の飽和磁束密度を有
   する第２の主磁極層部分とを含む積層構造を有すること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記第１の飽和磁束密度は１．０テスラ
   以上１．８テスラ以下であり、 前記第２の飽和磁束密度は２．０テスラ以上であること
   を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記磁極層は、さらに、 前記記録媒体対向面から後退した領域において、前記主
   磁極層の媒体流出側に配設された補助磁極層を含むこと
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気
   ヘッド。
4. 【請求項４】 前記補助磁極層は、その全体が前記第２
   の飽和磁束密度を有することを特徴とする請求項３記載
   の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記補助磁極層は、 前記媒体流出側に位置し、第３の飽和磁束密度を有する
   第１の補助磁極層部分と、 前記媒体流入側に位置し、前記第３の飽和磁束密度より
   も大きい第４の飽和磁束密度を有する第２の補助磁極層
   部分とを含む積層構造を有することを特徴とする請求項
   ３記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記第４の飽和磁束密度は、前記第１の
   飽和磁束密度よりも大きいことを特徴とする請求項５記
   載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記補助磁極層は、前記主磁極層に隣接
   していることを特徴とする請求項３ないし請求項６のい
   ずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記第２の補助磁極層部分は、前記第２
   の主磁極層部分と同一の材料により形成されて一体をな
   していることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
9. 【請求項９】 前記磁極層は、さらに、 前記第２の主磁極層部分と前記第２の補助磁極層部分と
   の間に両者を分離するように配設された非磁性層を含む
   ことを特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれか１
   項に記載の薄膜磁気ヘッド。
10. 【請求項１０】 前記第４の飽和磁束密度は、前記第２
    の飽和磁束密度に等しいことを特徴とする請求項９記載
    の薄膜磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 前記磁極層は、前記記録媒体をその表
    面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するよ
    うに構成されていることを特徴とする請求項１ないし請
    求項１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 所定の媒体進行方向に移動する記録媒
    体を備えた磁気記録装置に用いられ、 磁束を発生させる薄膜コイルと、前記薄膜コイルにおい
    て発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層
    とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記磁極層を形成する工程が、前記記録媒体に対向する
    記録媒体対向面に一端面が露出すると共に前記記録媒体
    の記録トラック幅を規定する一定幅部分を有するよう
    に、前記磁極層の一部をなす主磁極層を形成する工程を
    含み、 前記主磁極層が、 前記媒体進行方向における媒体流入側に位置し、第１の
    飽和磁束密度を有する第１の主磁極層部分と、 前記媒体進行方向における媒体流出側に位置し、前記第
    １の飽和磁束密度よりも大きい第２の飽和磁束密度を有
    する第２の主磁極層部分とを含む積層構造を有するよう
    に、前記主磁極層を形成することを特徴とする薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１の飽和磁束密度を１．０テス
    ラ以上１．８テスラ以下とし、 前記第２の飽和磁束密度を２．０テスラ以上とすること
    を特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
14. 【請求項１４】 前記磁極層を形成する工程が、さら
    に、 前記記録媒体対向面から後退した領域において前記主磁
    極層の媒体流出側に、前記磁極層の他の一部をなす補助
    磁極層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１
    ２または請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
15. 【請求項１５】 前記補助磁極層を、その全体が前記第
    ２の飽和磁束密度を有するようにすることを特徴とする
    請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記補助磁極層が、 前記媒体流出側に位置し、第３の飽和磁束密度を有する
    第１の補助磁極層部分と、 前記媒体流入側に位置し、前記第３の飽和磁束密度より
    も大きい第４の飽和磁束密度を有する第２の補助磁極層
    部分とを含む積層構造を有するように、前記補助磁極層
    を形成することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記第４の飽和磁束密度を、前記第１
    の飽和磁束密度よりも大きくすることを特徴とする請求
    項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記補助磁極層を、前記主磁極層に隣
    接させることを特徴とする請求項１４ないし請求項１７
    のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記第２の補助磁極層部分を、前記第
    ２の主磁極層部分と同一の材料により一体に形成するこ
    とを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
20. 【請求項２０】 前記磁極層を形成する工程が、 前記第１の飽和磁束密度を有する材料よりなる前駆主磁
    極層と、前記第２飽和磁束密度を有する材料よりなる前
    駆中間磁極層と、前記第３の飽和磁束密度を有する材料
    よりなる前駆補助磁極層とをこの順に形成して積層させ
    る工程と、 前記前駆補助磁極層上に、前記主磁極層に対応するパタ
    ーン形状を有する第１のマスク層を選択的に形成する工
    程と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆補助磁極層をパターニングする
    ことにより、前駆補助磁極層パターンを形成する工程
    と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆中間磁極層をパターニングする
    ことにより、前駆中間磁極層パターンを形成する工程
    と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆主磁極層をパターニングするこ
    とにより、前記第１の主磁極層部分を形成する工程と、 前記前駆中間磁極層パターンおよび前記前駆補助磁極層
    パターンのうち、前記記録媒体対向面となる側に近い側
    の一部分が部分的に露出することとなるように、第２の
    マスク層を選択的に形成する工程と、 前記第２のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆補助磁極層パターンの露出部分
    を選択的に除去することにより、前記第１の補助磁極層
    部分を形成する工程と、 前記第２のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆中間磁極層パターンの露出部分
    を選択的に除去し、前記第２の主磁極層部分と前記第２
    の補助磁極層部分とを一体に形成することにより、前記
    第１および第２の主磁極層部分を含む前記主磁極層と、
    前記第１および第２の補助磁極層部分を含む前記補助磁
    極層とを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項
    １９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
21. 【請求項２１】 前記磁極層を形成する工程が、さら
    に、 前記第２の主磁極層部分と前記第２の補助磁極層部分と
    の間に両者を分離するように、前記磁極層のさらに他の
    一部をなす非磁性層を形成する工程を含むことを特徴と
    する請求項１４ないし請求項１７のいずれか１項に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
22. 【請求項２２】 前記第４の飽和磁束密度を、前記第２
    の飽和磁束密度に等しくすることを特徴とする請求項２
    １記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
23. 【請求項２３】 前記磁極層を形成する工程が、 前記第１の飽和磁束密度を有する材料よりなる第１の前
    駆主磁極層と、前記第２の飽和磁束密度を有する材料よ
    りなる第２の前駆主磁極層と、前駆非磁性層と、前記第
    ４の飽和磁束密度を有する材料よりなる第２の前駆補助
    磁極層と、前記第３の飽和磁束密度を有する材料よりな
    る第１の前駆補助磁極層とをこの順に形成して積層させ
    る工程と、 前記第１の前駆補助磁極層上に、前記主磁極層に対応す
    るパターン形状を有する第１のマスク層を選択的に形成
    する工程と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記第１および第２の前駆補助磁極層を
    パターニングすることにより、第１および第２の前駆補
    助磁極層パターンを形成する工程と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記前駆非磁性層を選択的に除去するこ
    とにより、前記非磁性層を形成する工程と、 前記第１のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記第１および第２の前駆主磁極層をパ
    ターニングすることにより、前記第１および第２の主磁
    極層部分を含む前記主磁極層を形成する工程と、 前記第１および第２の前駆補助磁極層パターンのうち、
    前記記録媒体対向面となる側に近い側の一部分が部分的
    に露出することとなるように、第２のマスク層を選択的
    に形成する工程と、 前記第２のマスク層をマスクとして用いて、エッチング
    処理を利用して前記第１および第２の前駆補助磁極層パ
    ターンの露出部分を選択的に除去することにより、前記
    第１および第２の補助磁極層部分を含む前記補助磁極層
    を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２２記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
24. 【請求項２４】 前記磁極層を、前記記録媒体をその表
    面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するよ
    うに構成することを特徴とする請求項１２ないし請求項
    ２３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
25. 【請求項２５】 記録媒体と、前記記録媒体に磁気的に
    情報を記録する薄膜磁気ヘッドとを備え、前記薄膜磁気
    ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、前記薄膜コ
    イルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出
    する磁極層と、を含む磁気記録装置であって、 前記磁極層が、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面
    に一端面が露出すると共に前記記録媒体の記録トラック
    幅を規定する一定幅部分を有する主磁極層を含み、 前記主磁極層が、 前記媒体進行方向における媒体流入側に位置し、第１の
    飽和磁束密度を有する第１の主磁極層部分と、 前記媒体進行方向における媒体流出側に位置し、前記第
    １の飽和磁束密度よりも大きい第２の飽和磁束密度を有
    する第２の主磁極層部分とを含む積層構造を有すること
    を特徴とする磁気記録装置。
26. 【請求項２６】 前記磁極層が、前記記録媒体をその表
    面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するよ
    うに構成されていることを特徴とする請求項２５記載の
    磁気記録装置。
27. 【請求項２７】 前記記録媒体が、前記磁極層から放出
    された磁束により情報が記録される記録層と、前記記録
    層に情報を記録した磁束が前記磁極層に帰還する経路と
    して機能する磁束帰還層とを含むことを特徴とする請求
    項２６記載の磁気記録装置。