JP4895560B2 - データ記憶装置 - Google Patents

Description

本発明はデータ記憶装置及びその製造方法に関し、特に、データ記憶装置におけるヘッド素子部の突出量制御機構及びそのための製造手法に関する。

データ記憶装置として、光ディスク、磁気テープあるいは半導体メモリなどの様々な態様のメディアを使用する装置が知られているが、その中で、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）は、コンピュータの記憶装置として広く普及し、現在のコンピュータ・システムにおいて欠かすことができない記憶装置の一つとなっている。さらに、コンピュータにとどまらず、動画像記録再生装置、カーナビゲーション・システム、携帯電話、あるいはデジタル・カメラなどで使用されるリムーバブルメモリなど、ＨＤＤの用途は、その優れた特性により益々拡大している。

ＨＤＤで使用される磁気ディスクは、同心円状に形成された複数のデータ・トラックを有しており、各データ・トラックはアドレス情報を有する複数のサーボ・データとユーザ・データを含む複数のデータ・セクタが記録されている。各サーボ・データの間には、複数のデータ・セクタが記録されている。揺動するアクチュエータに支持されたヘッド・スライダのヘッド素子部が、サーボ・データのアドレス情報に従って所望のデータ・セクタにアクセスすることによって、データ・セクタへのデータ書き込み及びデータ・セクタからのデータ読み出しを行うことができる。

ヘッド・スライダは、動作時において、磁気ディスクの回転により発生する空気流を利用して、磁気ディスクとの間に数ナノ〜数十ナノ・オーダの隙間を形成する。この時の磁気ディスクとしては、ヘッド・スライダの安定した浮上、あるいは安定した滑走を実現させ得るものが必要であり、より平滑な面が望ましい。しかし、高密度記録実現の観点からは磁気ディスク面上に突き出した微小突起を形成したものを用いている。この微小突起を均一な高さで、均一に形成することは難しく、異常な高さの微小突起を完全に除去するのは困難である。

この異常な高さの微小突起がヘッド素子部に接触し、磁気抵抗効果素子を用いた場合には接触による摩擦熱により素子部の温度が上がり、一時的に抵抗変化が発生し、再生信号に異常が生じる。この異常をサーマルアスペリティ（Thermal Asperity：ＴＡ）という。さらに、この微小突起と磁気ヘッドとの接触が激しい場合は磁気ヘッドそのものを破壊することもある。

この対策としては、特許文献１に開示された磁気ディスク装置に搭載されるヘッド・スライダのように、薄膜形成技術で作られたヘッド素子部の磁気ディスク対向面を、スライダの磁気ディスク対向面に対して、磁気ディスクから離れる方向に後退させ、即ちスライダ・素子段差をつけて窪ませることにより、磁気ディスク上の微小突起が磁気ヘッドに接触するのを回避させようとする技術がある。

但しこのスライダ・素子段差（リセッション）をつける技術は、大きくすればするほど、サーマルアスペリティの発生を抑制できるが、ヘッド素子部・磁気ディスクの隙間を広げていくことなので、磁気記録の記録再生の観点からは性能の低下を引き起こす。よってリセッションを大きくすればするだけ良いというものではない。

このヘッド障害と性能の両面からの改善策としては、特許文献２に開示されたヘッド・スライダが考えられる。このヘッド・スライダは、ヘッド素子部に、ライト素子とリード素子の他に、それらの近傍に熱膨張体と接触検知部を備えている。さらに、予めヘッド素子部は、スライダの磁気ディスク対向面から後退している。この磁気ディスク装置は、書き込み、読み出しなど必要に応じて熱膨張体に通電し、膨張させてヘッド素子部を磁気ディスクに近づける。この際、あまり膨張させすぎると、ヘッド素子部はスライダの磁気ディスク対向面よりも突出し、磁気ディスク上の突起と接触する危険がある。このため、搭載した隙間検知部により過度の突出によって微小突起と接触しないように通電量を調整する。
特開平１０−２６９５２７号公報 特開２００３−２７２３３５号公報

この技術を用いることにより、ヘッド素子部が磁気ディスク上の突起との接触を回避しながら、かつヘッド素子部と磁気ディスク間の隙間をコントロールすることが可能となる。しかし、実際に装置に搭載されるヘッド・スライダは、浮上バラツキや素子段差（ヘッド素子部のリセッション量）のバラツキが発生する。

また、スライダ・素子段差が小で、浮上量の高いヘッドについては、スライダ・素子段差が大きくで、浮上量の低いヘッド・スライダに比べ、記録あるいは再生時に熱膨張体に通電し膨張させた時、ヘッド素子部がスライダの磁気ディスク対向面よりも突出することは判別することができない。

その結果、磁気ディスク装置の稼動中に発生するディスク欠陥部の成長等により生じる新たな磁気ディスク上の突起や、ヘッド・スライダと磁気ディスクとの間に侵入してきた塵埃との接触によりヘッド素子部を破壊するといった危険までは対策しきれていない。

本発明は上述のような事情を背景としてなされたものであって、製造バラツキによってヘッド素子部の後退量が変化するヘッド・スライダを使用する場合においても、磁気ディスクとヘッド素子部との衝突を効果的に抑制することを目的とするものである。

本発明の第１の態様に係るデータ記憶装置は、スライダとヘッド素子部とを備え、磁気ディスクに対して前記スライダよりも前記ヘッド素子部が後退しているヘッド・スライダと、前記ヘッド素子部の後退レベルに応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照し、前記ヘッド素子部の突出量を変化させうる発熱体への電流量を決定するコントローラと、前記コントローラの決定応じて前記発熱体へ電流を供給する電流供給回路とを備えるものである。ヘッド素子部の後退レベルに応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照してヘッド素子部の突出量を変化させうる発熱体への電流量を決定することによって、製造バラツキによって後退量がヘッド・スライダ毎に異なっていても、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突を効果的に抑制することができる。

本発明の第２の態様は、上記第１の態様において、前記発熱体は前記ヘッド素子部の突出量を調整するヒータであり、前記発熱体への電流はそのヒータに流すヒータ電流である。これによって、ヒータによってヘッド素子部を突出させることによって特性を向上すると共に、製造バラツキによって後退量がヘッド・スライダ毎に異なっていても、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突を効果的に抑制することができる。

本発明の第３の態様は、上記第１の態様において、前記発熱体はライト素子であり、前記発熱体への電流は前記磁気ディスクにデータを書き込むためのライト電流である。これによって、ライト電流によるヘッド素子部の突出量を調整し、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突を効果的に抑制することができる。

本発明の第４の態様は、上記第１の態様において、前記データ記憶装置は複数のヘッド・スライダを備え、前記コントローラは、前記複数のヘッド・スライダの各ヘッド・スライダについて、そのヘッド素子部の後退量に応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照して各ヘッド・スライダへの電流量を決定し、前記登録されているデータが表す電流量は、後退のレベルが大きいヘッド・スライダが後退のレベルが小さいヘッド・スライダよりも大きくなるように設定されているものである。ヘッド・スライダ毎に後退量に応じた電流量を設定登録しておくことによって、製造バラツキによって後退量がヘッド・スライダ毎に異なっていても、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突を効果的に抑制することができる。

本発明の第５の態様は、上記第１の態様において、前記データが表す電流量は、予め測定により決定された前記ヘッド素子部の後退レベルの増加に応じて増加するように設定されている。予め製造工程において各ヘッド・スライダの後退レベルを測定決定し、このように電流量を登録することによって、磁気ディスクとヘッド素子部の衝突を抑制すると共に、ヘッド素子部と磁気ディスクとの間のクリアランスを小さくすることができる。

本発明の第６の態様は、上記第１の態様において、前記データが表す電流量として、温度レベルに応じた異なる複数の値が登録されている。温度によって電流量を変化させることによって、温度変化によりヘッド素子部の突出量が変化しても、磁気ディスクとヘッド素子部の衝突を抑制すると共に、ヘッド素子部と磁気ディスクとの間のクリアランスを小さくすることができる。

本発明の第７の態様に係るデータ記憶装置の製造方法は、スライダとヘッド素子部とを備えるヘッド・スライダを製造し、前記製造されたヘッド・スライダにおいて、そのスライダに対するそのヘッド素子部の後退レベルを測定により決定し、前記後退量を測定したヘッド・スライダとアクチュエータとを備えるアセンブリを組み立てて筺体に実装し、前記測定によって決定されたヘッド素子部の後退レベルに応じた電流量を表すデータを設定登録し、前記設定登録されたデータを参照して前記ヘッド素子部の突出量を変化させうる発熱体への電流量を決定するコントローラと、そのコントローラの決定応じて前記発熱体へ電流を供給する電流供給回路とを実装するものである。予め製造工程において各ヘッド・スライダの後退レベルを測定決定し、このように電流量を登録することによって、磁気ディスクとヘッド素子部の衝突を抑制すると共に、ヘッド素子部と磁気ディスクとの間のクリアランスを小さくすることができる。

本発明の第８の態様は、上記第７の態様において、前記ヘッド・スライダは前記発熱体として前記ヘッド素子部の突出量を調整するヒータを備え、前記電流量はそのヒータに流すヒータ電流量である。本発明の第９の態様は、上記第７の態様において、前記発熱体はライト素子であり、前記電流量は前記磁気ディスクにデータを書き込むためのライト電流量である。

本発明の第１０の態様に係るデータ記憶装置は、それぞれがスライダとヘッド素子部とを有し、磁気ディスクに対して前記スライダよりも前記ヘッド素子部が後退している複数のヘッド・スライダと、前記複数のヘッド・スライダ間において、ヘッド・スライダのヘッド素子部の突出量を増加させる発熱体への電流量がヘッド素子部の後退レベルの増加に応じて増加するように、各ヘッド・スライダへの供給電流量を決定するコントローラと、前記コントローラの決定応じて前記発熱体へ電流を供給する電流供給回路を備えるものである。ヘッド・スライダ毎に後退量に応じた電流量を設定登録しておくことによって、製造バラツキによって後退量がヘッド・スライダ毎に異なっていても、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突を効果的に抑制することができる

本発明の第１１の態様は、上記第１０の態様において、前記発熱体は前記ヘッド素子部の突出量を調整するヒータであり、前記発熱体への電流はそのヒータに流すヒータ電流である。本発明の第１２の態様は、上記第１０の態様において、前記発熱体はライト素子であり、前記発熱体への電流は前記磁気ディスクにデータを書き込むためのライト電流である。本発明の第１３の態様は、上記第１０の態様において、前記データが表す電流量は、予め測定により決定された前記ヘッド素子部の後退レベルに応じて設定されている。

本発明によれば、ヒータを使用してヘッドを突出させてメディアとのクリアランスを調整する技術において、ヘッドのデータ領域へのアクセスをより確実なものとすると共に、メディアとヘッドとの衝突の可能性を低減することができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。

以下においては、磁気記憶装置の一例であるハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）を例として、本発明の実施形態を説明する。本形態の特徴的な点の一つは、ＨＤＤにおけるヘッド素子部のライト電流制御、あるいは、ヘッド素子部と磁気ディスクとの間のクリアランスを調整するヒータのヒータ・パワー（ヒータ電流）制御である。本形態は、スライダに対するヘッド素子部のリセッション量を測定し、その測定されたリセッション量に応じたライト電流もしくはヒータ・パワーを与える。これによって、製造誤差によるリセッション量の違いに応じてヘッド素子部の突出量を制御し、ヘッド素子部と磁気ディスクとの衝突をより確実に回避する。

本形態の特徴点の理解を容易とするため、最初に、ＨＤＤの全体構成の概略を説明する。図１は、本実施の形態に係るＨＤＤ１の全体構成を模式的に示すブロック図である。図１に示すように、ＨＤＤ１は、密閉されたエンクロージャ１０内に、メディア（記録媒体）の一例である磁気ディスク１１、ヘッドの一例であるヘッド・スライダ１２、アーム電子回路（ＡＥ：Arm Electronics）１３、スピンドル・モータ（ＳＰＭ）１４、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１５、そしてアクチュエータ１６を備えている。

ＨＤＤ１は、さらに、エンクロージャ１０の外側に固定された回路基板２０を備えている。回路基板２０上には、リード・ライト・チャネル（Ｒ／Ｗチャネル）２１、モータ・ドライバ・ユニット２２、ハードディスク・コントローラ（ＨＤＣ）とＭＰＵの集積回路（以下、ＨＤＣ／ＭＰＵ）２３及びＲＡＭ２４などの各ＩＣを備えている。また、ＨＤＤ１は、温度検出器２９を備えている。尚、各回路構成は一つのＩＣに集積すること、あるいは、複数のＩＣに分けて実装することができる。また、温度検出器２９をエンクロージャ１０内に配置することができる。

外部ホスト５１からのユーザ・データは、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３によって受信され、Ｒ／Ｗチャネル２１、ＡＥ１３を介して、ヘッド・スライダ１２によって磁気ディスク１１に書き込まれる。また、磁気ディスク１１に記憶されているユーザ・データはヘッド・スライダ１２によって読み出され、そのユーザ・データは、ＡＥ１３、Ｒ／Ｗチャネル２１を介して、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３から外部ホスト５１に出力される。

磁気ディスク１１は、ＳＰＭ１４に固定されている。ＳＰＭ１４は所定の速度で磁気ディスク１１を回転する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３からの制御データに従って、モータ・ドライバ・ユニット２２がＳＰＭ１４を駆動する。本例の磁気ディスク１１はデータを記録する記録面を両面に備え、また、各記録面に対応するヘッド・スライダ１２が設けられている。各ヘッド・スライダ１２は、磁気ディスク１１上を浮上する（飛行する）スライダと、スライダに固定され磁気信号と電気信号との間の変換を行うトランスデューサとしてのヘッド素子部とを備えている。本形態のヘッド・スライダ１２は、加熱によってヘッド素子部を突出させ、その磁気ディスク１１との間のクリアランス（浮上高）を調整するＴＦＣ（Thermal Fly height Control）のためのヒータを備えている。ヘッド・スライダ１２の構造については後に詳述する。

各ヘッド・スライダ１２はアクチュエータ１６の先端部に固定されている。アクチュエータ１６はＶＣＭ１５に連結され、回動軸を中心に回動することによって、ヘッドヘッド・スライダ１２を回転する磁気ディスク１１上においてその半径方向に移動する。モータ・ドライバ・ユニット２２は、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３からの制御データ（ＤＡＣＯＵＴと呼ぶ）に従ってＶＣＭ１５を駆動する。なお、磁気ディスク１１は、１枚以上あればよく、記録面は磁気ディスク１１の片面あるいは両面に形成することができる。

ＡＥ１３は、複数のヘッド・スライダ１２（ヘッド素子部）の中から磁気ディスク１１へのアクセスを行う１つのヘッド・スライダ１２を選択し、選択されたヘッド・スライダ１２により再生される再生信号（リード信号）を一定のゲインで増幅（プリアンプ）し、Ｒ／Ｗチャネル２１に送る。また、Ｒ／Ｗチャネル２１からの記録信号（ライト信号）を選択されたヘッド・スライダに送る。ＡＥ１３は、さらに、クリアランス調整のためのヒータへ電流を供給し、その電流量（パワー）を調節する調節回路として機能する。ＡＥ１３は、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３が設定した設定データに従って、データ書き込みのためのライト電流及びヒータ電流を供給する。本形態においては、これらの値はスライダに対するヘッド素子部のリセッション量にしたがって決定される。この点については後に詳述する。

Ｒ／Ｗチャネル２１は、リード処理において、ＡＥ１３から供給されたリード信号を一定の振幅となるように増幅し、取得したリード信号からデータを抽出し、デコード処理を行う。読み出されるデータは、ユーザ・データとサーボ・データを含む。デコード処理されたリード・ユーザ・データは、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３に供給される。また、ライト処理において、Ｒ／Ｗチャネル２１はＨＤＣ／ＭＰＵ２３から供給されたライト・データをコード変調し、更にコード変調されたライト・データをライト信号に変換してＡＥ１３に供給する。

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３において、ＭＰＵはＲＡＭ２４にロードされたマイクロ・コードに従って動作する。ＨＤＤ１の起動に伴い、ＲＡＭ２４には、ＭＰＵ上で動作するマイクロ・コードの他、制御及びデータ処理に必要とされるデータが磁気ディスク１１あるいはＲＯＭ（不図示）からロードされる。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、リード／ライト処理制御、コマンド実行順序の管理、サーボ信号を使用したヘッド素子部１２のポジショニング制御（サーボ制御）、インターフェース制御、ディフェクト管理などのデータ処理に関する必要な処理の他、ＨＤＤ１の全体制御を実行する。

また、本形態のＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、リード／ライト処理制御におけるＴＦＣを実行する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ＴＦＣのヒータ・パワーをＡＥ１３にセットする。また、ライト処理のためにライト素子に供給するライト電流の値をＡＥ１３にセットする。これらの値はヘッド素子部のリセッション量に応じて予め登録されている。

次に、本形態におけるＴＦＣヘッド・スライダ１２の構成について説明を行う。図２は、アクチュエータ１６の先端部及びそれに固定されたヘッド・スライダ１２を示す模式図である。ヘッド・スライダ１２は、スライダ１２３とこのスライダ１２３に形成されたヘッド素子部１２２を備えている。ヘッド・スライダ１２は、ロード・ビーム１６１に固定されたジンバル１６２に固着されている。ジンバル１６２のヘッド・スライダ１２搭載面は、ディンプル１６３を中心としてロール方向やピッチ方向に変形し、トラッキングにおける追従性を発揮する。スライダ１２３は磁気ディスク１１が回転することにより発生する空気流を流入端から取り込むことにより磁気ディスク１１記録面から浮上する。この時、ヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１記録面との間にはナノ・オーダの隙間（クリアランス）が形成される。

図３は、ヘッド・スライダ１２の空気流出端面（トレーリング側端面）近傍におけるその一部構成を示す断面図である。磁気ディスク１１は、図３の左から右に向かって回転する。図２を参照して説明したように、ヘッド・スライダ１２は、ヘッド素子部１２２とヘッド素子部１２２を支持するスライダ１２３とを備えている。さらに、ＴＦＣのためのヒータ１２４を備えている。図３は、ヒータ電流及びライト電流が供給されていない通常状態のヘッド・スライダ１２の形状を示している。なお、本形態のＴＦＣは水平磁気記録及び垂直磁気記録のＨＤＤに適用することができる。

ヘッド素子部１２２は、磁気ディスク１１との間で磁気データを読み書きする。ヘッド素子部１２２は、リード素子３２とそのトレーリング側のライト素子３１とを備えている。ライト素子３１は、ライト・コイル３１１を流れる電流で磁極３１２間に磁界を発生し、磁気データを磁気ディスク１１に記録するインダクティブ素子である。リード素子３２は磁気抵抗型の素子であって、磁気異方性を有する磁気抵抗素子３２ａを備え、磁気ディスク１１からの磁界によって変化するその抵抗値によって磁気ディスク１１に記録されている磁気データを読み出す。

ヘッド素子部１２２は、スライダ１２３を構成するアルチック基板に、メッキ、スパッタ、研磨などの薄膜形成プロセスを用いて形成される。磁気抵抗素子３２ａは、磁気シールド（磁極がその一部を兼ねる）によって挟まれており、ライト・コイル３１１は絶縁膜３１３で囲まれている。また、ヘッド素子部１２２はライト素子３１とリード素子３２の周囲にアルミナなどの保護膜３４を備え、ヘッド素子部１２２全体はその保護膜３４で保護されている。なお、磁気ディスク１１と対向する浮上面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface）３５上には、磁気ディスク１１との短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、またライト素子３１およびリード素子３２の腐食を防ぐため、厚さ数ｎｍの炭素保護膜が形成されている。

ライト素子３１およびリード素子３２の近傍には、薄膜で形成された抵抗体によるヒータ１２４が薄膜プロセスを用いて形成されている。本例において、ヒータ１２４は、リード素子３２とスライダ１２３との間に位置している。例えば、薄膜抵抗体として、パーマロイの細線を所定領域において蛇行させ、間隙はアルミナで埋めてヒータ１２４を形成することができる。ヒータ１２４の抵抗値は、例えば、５０Ωである。

ヘッド素子部１２２の磁気ディスク１１対向面とスライダ１２３の磁気ディスク対向面３５（ＡＢＳ）との間には、段差が存在する。つまり、ヘッド素子部１２は、スライダ１２３よりも、磁気ディスク１１に対して後退しており、それらの磁気ディスク対向面の間にはリセッションＲが存在する。このリセッションＲによって、ヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１の突起との間の衝突及びそれによるＴＡの発生あるいはヘッド素子部１２２へのダメージを回避することができる。

具体的には、磁気ディスク１１、スライダ１２３、ヘッド素子部１２２の各硬度は、スライダ１２３が最も大きく、その次が磁気ディスク１１そして最も硬度の小さいものがヘッド素子部１２２である。そのため、スライダ１２３の磁気ディスク対向面３５よりもヘッド素子部の磁気ディスク対向面３５を後退させることで、スライダ１２３で磁気ディスク１１上の突起を削るとともに、ヘッド素子部１２２へのダメージを回避する。

ヒータ１２４からの熱によって、ヘッド素子部１２２は磁気ディスク１１に向かって突出する。図４は、常温（２５度程度）における、ヒータ１２４のヒータ・パワーとヘッド素子部１２２の突出量との関係を模式的に示す図である。図４（ａ）のヒータ・パワー０ｍＷの状態から、図４（ｃ）に向かってヒータ・パワーが増加する。また、図４（ａ）−（ｃ）の各図において、リセッション量の異なる二つのヘッド・スライダ１２が例示されており、左側よりも右側のヘッド・スライダ１２のリセッション量Ｒが小さい。なお、図４の各要素の符号は図３と同様であり、また、一部の符号は省略している。この点は、図５及び６において同様である。

図４に示すように、ＡＥ１３がヒータ１２４に電流を流すと、発熱体であるヒータ１２４の熱によってヘッド素子部１２２が突出変形する。具体的には、ヒータ１２４近傍のヘッド素子部１２２とスライダ１２３の一部とが突出する。アルチックからなるスライダ１２３と比較して保護膜３４のアルミナが大きく熱膨張し、ヘッド素子部１２２がより大きく突出する。

図４（ａ）−（ｃ）の各図において、リセッション量Ｒの大きい左側のヘッド・スライダ１２は、ヒータ通電電流が０ｍＡの時（図４（ａ））、ヒータに小電流（小電力）が流れた時（図４（ｂ））及びヒータ１２４に大電流（大電力）が流れた時（図４（ｃ））のいずれの場合においても、ヘッド素子部１２２はスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面から磁気ディスク１１側には突出していない。一方、リセッション量Ｒの小さい右側のヘッド・スライダ１２は、ヒータ１２４に大電流（大電力）が流れた時（図４（ｃ））には、まだヘッド素子部１２２はスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面からから完全には突出した状態にはなっていないが、ほぼ同一面状態になっている。このように、同じヒータ・パワーであっても、通常状態のリセッション量Ｒが小さくなるに従って、スライダ１２３の磁気ディスク１１対向面とヘッド素子部１２２との間の間隔が小さくなる。

ヘッド素子部１２２は、ヒータ１２４による熱以外にも、周囲の環境温度あるいはライト素子３１の発熱によっても突出量が変化する。図５は、高温（６５度程度）におけるヘッド素子部１２２の突出量変化とヒータ・パワー変化との関係を模式的に示している。環境温度が異なる点以外は、図４のヘッド・スライダ構成と同様である。ヒータ１２４に電流が流れていない図４（ａ）及び図５（ａ）について比較した場合、温度の影響で図５はすでにヘッド素子部１２２が突出した状態になっている。

リセッション量が大きい左側のヘッド・スライダ１２については、ヒータ１２４通電電流が０ｍＡの時（図５（ａ））、ヒータに小電流が流れた時（図５（ｂ））、ヒータ１２４に大電流が流れた時（図５（ｃ））のいずれの場合においても、ヘッド素子部１２２はスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面から磁気ディスク１１側には突出していない。しかし、リセッション量が小さい右側のヘッド・スライダ１２については、ヒータ１２４に大電流が流れた時（図５（ｃ））には、ヘッド素子部１２２はスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面よりも磁気ディスク１１側に突出した状態になる。

このように、各ヘッド・スライダ１２の固有のリセッション量Ｒによって、同一のヒータ・パワーを与えた場合であっても、ヘッド素子部１２２とスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面との間の距離は異なる。図５（ｃ）に示したリセッション量Ｒの小さいヘッド・スライダ１２は、高温時においてヒータ１２４による熱膨張によってヘッド素子部１２２がスライダ１２３から大きく突出する。これによってヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１との衝突しヘッド素子部１２２が破壊される可能性が大きく増加する。従って、ヘッド素子部１２２がスライダ１２３から大きく突出しないように設定することが必要である。

一方、ヘッド素子部１２２の磁気ディスク１１からのデータ読み出しあるいはデータ書き込みのためには、ヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１とができるだけ近い、つまりクリアランスが小さいことが好ましい。従って、各ヘッド・スライダ１２のリセッション量Ｒに応じてヒータ・パワーを設定することが必要であり、リセッション量Ｒの小さいヘッド・スライダ１２のヒータ・パワーは、リセッション量Ｒの大きいヘッド・スライダ１２と比べて、小さくすることが必要である。また、ヒータ・パワー１２２は、温度によって変化させることが重要である。つまり、高温においてヒータ・パワー１２２を小さくし、低温においてヒータ・パワー１２２を大きくする。

上述のように、ヘッド素子部１２２は、発熱体であるライト素子３１の発熱（ジュール熱）によっても突出量が変化する。ライト素子３１はコイル３１１に電流を流すことによって磁界を生成し、磁気ディスク１１にデータを書き込むため、そのライト電流によってライト素子３１が発熱する。図６は、常温（２５度程度）において、ライト電流とヘッド素子部１２２の突出量との関係を模式的に示す図である。図６に示したヘッド・スライダ１２は、ヒータ１２４を備えていない。その他の点は、上述のヘッド・スライダ１２と同様である。図６（ａ）のライト電流０の状態から、図６（ｃ）に向かってライト電流が増加する。また、図６（ａ）−（ｃ）の各図において、リセッション量の異なる二つのヘッド・スライダ１２が例示されており、左側よりも右側のヘッド・スライダ１２のリセッション量Ｒが小さい。

図６における各図左側のリセッション量Ｒが大きいヘッド・スライダについては、ライト電流が０ｍＡの時（図６（ａ））（すなわち情報の書込みを行っていない）、書き込み時に小電流が流れた時（図６（ｂ））、書き込み時に大電流が流れた時（図６（ｃ））のいずれの場合においても、ヘッド素子部１２２はスライダ１２３の磁気ディスク対向面よりも突出していない。しかし、各図右側のリセッション量Ｒが小さいヘッド・スライダ１２については、書き込み時に大電流が流れた時（図６（ｃ））には、ヘッド素子部はスライダ１２３の磁気ディスク対向面よりも突出した状態になっている。

ライト電流についても、ヒータ電流と同様のことが当てはまる。つまり、各ヘッド・スライダ１２の固有のリセッション量Ｒによって、同一のライト電流を与えた場合であっても、ヘッド素子部１２２とスライダ１２３の磁気ディスク１１対向面との間の距離は異なる。図６（ｃ）に示したリセッション量Ｒの小さいヘッド・スライダ１２は、高温時においてライト素子３１の熱によってヘッド素子部１２２がスライダ１２３から大きく突出する。これによってヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１との衝突しヘッド素子部１２２が破壊される可能性が大きく増加する。従って、ヘッド素子部１２２がスライダ１２３から大きく突出しないようにライト電流値を設定することが必要である。好ましくは、ヘッド素子部１２２がスライダの磁気ディスク対向面よりも突出しないように制御する。

従って、各ヘッド・スライダ１２のリセッション量Ｒに応じて、ライト電流を設定することが必要であり、通常状態におけるリセッション量Ｒの小さいヘッド・スライダ１２のライト電流は、リセッション量Ｒの大きいヘッド・スライダ１２と比べて、相対的に小さくすることが必要である。また、ライト電流は、温度によって変化させる、つまり高温で小さくすることが重要である。ここで、上述の説明から理解されるように、データ書き込み時には、ライト電流によってヘッド素子部１２２が突出する。このため、ライト電流がライト素子３２に供給されている間は、ヒータ電流を０とする、あるいはデータ読み出しの場合と比較してずっと小さい値のヒータ電流を供給する。

本形態は、ヘッド・スライダ１２のリセッション量に応じて、ライト電流の値及びヒータ・パワー（ヒータ電流）の値を設定する。製造ばらつきのため、リセッション量はヘッド・スライダ毎に異なる。本形態においては、ＨＤＤ１の製造工程において、各ヘッド・スライダ１２のリセッション量が測定される。ＨＤＤ１には、各ヘッド・スライダの測定されたリセッション量に応じたライト電流及びヒータ・パワーが予め登録され、ＨＤＤ１はその登録されている値のライト電流及びヒータ・パワーを供給する。これによって、各ヘッド・スライダにおいて、ヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１との衝突をより確実に抑制することができる。

なお、ヘッド素子部１２２と磁気ディスク１１との衝突を確実に回避すると共に、高い書き込み特性を得るため、ライト電流とヒータ・パワー（電流）の双方をリセッション量Ｒに応じて変化させることが好ましいが、各ヘッド・スライダのライト電流もしくはヒータの一方のみを、そのリセッション量Ｒに応じて変化させることもできる。また、ヘッド・スライダがＴＦＣのためのヒータを備えていない場合においては、ライト電流のみをそのリセッション量に応じて変化させる、つまり、リセッション量の大きいヘッド・スライダ１２には大きいライト電流を供給する。

上述のように、リセッション量Ｒは、ＨＤＤ１の製造工程において測定される。図７を参照して、本形態のＨＤＤ１の製造工程を説明する。まず、ヘッド・スライダ１２を製造する（Ｓ１１）。ヘッド・スライダ製造工程は、アルチック基板上に薄膜形成プロセスによってヘッド素子部１２２及びヒータ１２４を形成する。続いて、製造された各ヘッド・スライダ１２２のリセッション量を測定する（Ｓ１２）。リセッション量の測定は、例えば、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）もしくは光学的な顕微鏡を使用して測定することができる。測定されたリセッション量はヘッド・スライダ１２の識別番号を対応づけて製造装置の記憶装置に記憶される。リセッション量Ｒの測定において、その値が最小基準値よりも小さい場合、あるいは、最大基準値よりも大きい場合、エラー・ヘッド・スライダとして製造プロセスから外される。

リセッション量Ｒが測定された各ヘッド・スライダ１２をサスペンションに実装し、ＨＧＡ（Head Gimbal Assembly）を組み立てる（Ｓ１３）。サスペンションは、ロード・ビーム１６１及びジンバル１６２を備えており、典型的には、ロード・ビーム１６１の回動軸側にはベース・プレートが固着されている。ヘッド・スライダ１２は、ジンバル１６２の舌片部上に接着剤などで固着され、さらに、信号伝送配線であるトレースに半田などによって接続される。

次に、組み立てられたＨＧＡをアーム部及びＶＣＭコイルと結合することによって、ＨＳＡ（Head Stack Assembly）を組み立てる（Ｓ１４）。ＨＳＡはアクチュエータ１６とヘッド・スライダ１２とを備えており、典型的には、複数のヘッド・スライダ１２が一つのＨＳＡに実装される。その後、組み立てられたＨＳＡにＡＥ１３を実装し、ＨＳＡ、磁気ディスク１１、ＳＰＭ１４などをエンクロージャ１０内に固定する。

さらに各回路が実装された回路基板２０を実装することによって、ＨＤＤ１が組み立てられる（Ｓ１５）。ＨＤＤ１のＲＯＭもしくは磁気ディスク１１には、各ヘッド・スライダ１２に対応したライト電流値とヒータ・パワー値とが設定登録される（Ｓ１６）。その後、ＨＤＤ１はテスト工程（Ｓ１７）を経て、製品として出荷される。テスト工程（Ｓ１６）において必要な特性を得ることができない場合、エラーＨＤＤ１として除外される。

続いて、ＨＤＤ１におけるライト電流及びヒータ・パワー制御について詳細に説明する。図８は、ライト電流及びヒータ・パワー制御のための、各機能ブロック間の伝送信号（データを含む）を示している。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３とＲ／Ｗチャネル２１との間において、リード処理及びライト処理のためのリード・データやライト・データの他サーボ・データ（これらをDataと示す）が伝送される。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、サーボ・データに従って、モータ・ドライバ・ユニット２２にＶＣＭ電流値を示すデータ（ＤＡＣＯＵＴ）を出力する。モータ・ドライバ・ユニット２４は、取得したＤＡＣＯＵＴに応じたＶＣＭ電流をＶＣＭ１５に供給する。

Ｒ／Ｗチャネル２１とＡＥ１３との間においては、リード・データ、ライト・データ及びサーボ・データに対応する信号（Data_Signal）がやり取りされる。ヘッド・スライダ１２はサーボ・データもしくはユーザ・データを読み出し、出力されたデータ信号（Data_Signal）は、ＡＥ１３が増幅してＲ／Ｗチャネル２１に転送する。Ｒ／Ｗチャネル２１は所定の信号処理を行い、サーボ・データもしくはユーザ・データ（Data）を生成し、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３に転送する。また、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３からのユーザ・ライト・データ（Data）は、Ｒ／Ｗチャネル２１が信号処理し、データ信号（Data_Signal）としてＡＥ１３に出力する。ＡＥ１３はそれを増幅してヘッド・スライダ１２に出力（Data_Signal）する。

ここで、ＡＥ１３は複数のレジスタからなるレジスタ・セット１３１を備えている。各レジスタには、ライト電流値、ヒータ・パワー値の他、モード指定やバイアス電流値などがセットされる。ＡＥ１３は、レジスタにセットされているライト電流値及びヒータ・パワー値に従って、ヘッド・スライダ１２にライト電流（Data_Signal）及びヒータ電流（Heater_Current）を供給する。

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、サーミスタなどの温度検出器２９からの環境温度を表す信号（Temp_Signal）に従ってライト電流値とヒータ・パワー値を決定し、ライト電流値を表すデータ（Write_Current_Data）と、ヒータ・パワー値を表すデータ（Heater_Power_Data）とをＡＥ１３のレジスタ・セット１３１に設定する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ＲＡＭ２４に格納されているテーブルを参照して、ライト電流値とヒータ・パワー値を決定する。

図９−図１１は、ＲＡＭ２４に格納されている各テーブルを示している。図９は、ヘッド・スライダとそのリセッション量のレベルを対応づけるヘッド−リセッション・レベル対応テーブル２４１である。図１０は、リセッション・レベル（ＲＬ）とライト電流値とを対応づけるライト電流テーブル２４２である。図１１は、リセッション・レベルとヒータ・パワー値とを対応づけるヒータ・パワー・テーブル２４３である。ライト電流値及びヒータ・パワー値は、リセッション・レベルと温度検出器２９が検出した環境温度とにもドづいて決定される。各テーブルは、ＨＤＤ１の製造工程において予めＨＤＤ１内に予め設定登録されている。

図９のヘッド−リセッション・レベル対応テーブル２４１に示すように、本例において、ＨＤＤ１は４つのヘッド・スライダ１２を備えており、各ヘッド・スライダ１２はヘッド番号０−３で特定される。また、各ヘッド・スライダ１２のリセッション量範囲が複数のセグメントに分割され、リセッション・レベルとして設定される。本例では、４つのリセッション・レベルが定義されている。つまり、例えば、１−２ｎｍ、２−３ｎｍ、３−４ｎｍ、４−５ｎｍの各リセッション量範囲に対して、リセッション・レベル０、１、２、３のそれぞれが対応する。つまり、各ヘッド・スライダ１２は、測定されたリセッション量に対応するリセッション・レベルが割り当てられている。リセッション・レベルの数及びその対応範囲は、設計によって適切なものが設定され、リセション量とリセッション・レベルを同一としてもよい。

図１０及び１１のライト電流テーブル２４２、ヒータ・パワー・テーブル２４３に示すように、ライト電流値及びヒータ・パワー値は、環境温度によって、低温（Low Temperature）、常温（Nominal Temperature）そして高温（High Temperature）の３つのセグメントに分割されている。ここで、ライト電流値（Write_Current_XY）及びヒータ・パワー値（Heater_Power_XY）の各拡張子ＸＹは、温度領域（Ｌ、Ｎ、Ｈ）及びリセッション・レベル（０−３）をそれぞれ示している。

温度領域は、例えば、５℃未満が低温、４５℃より高い温度が高温、その間が常温と設定される。ライト電流とヒータ・パワーとが同一の温度基準を使用することも、異なる温度基準を使用することも可能である。例えば、ライト電流が４つの温度領域を使用し、ヒータ・パワーが３つの温度領域を使用する。あるいは、低温、常温、高温の各領域の境界温度は、ライト電流とヒータ電流とで異なるものを使用する。

上述の説明から理解されるように、各リセッション・レベル（Ｙ）において、ライト電流テーブル２４２の各ライト電流値の関係は、
Write_Current_LY＞Write_Current_NY＞Write_Current_HY
であり、また、各温度領域（Ｘ）における各ライト電流値の関係は、
Write_Current_X0＜Write_Current_X1＜Write_Current_X2＜Write_Current_X3
である。

例えば、「１−２ｎｍ」と「４−５ｎｍ」のようにリセッション・レベルが４倍異なる場合、それぞれ２０ｍＡ、４０ｍＡと設定して、ライト電流を２倍に設定する。これは、ライト素子３１の発熱量がライト電流量の２乗で計算できるからである。なお実際にはライト素子３１の抵抗値も流す電流により変化するため、各値は実験により決定する。本形態の主旨としては、リセッション量の大きいヘッド・スライダ１２に対しては、小さいものよりもライト電流が大きく流れるように設定することにある。

同様に、ヒータ・パワー・テーブル２４３において、各リセッション・レベル（Ｙ）における各ヒータ・パワー値の関係は、
Heater_Power_LY＞Heater_Power_NY＞Heater_Power_HY
である。また、各温度領域（Ｘ）における各ヒータ・パワー値の関係は、
Heater_Power_X0＜Heater_Power_X1＜Heater_Power_X2＜Heater_Power_X3
である。

ライト電流と同様に、例えば、「１−２ｎｍ」と「４−５ｎｍ」のようにリセッション・レベルが４倍異なる場合、ヒータ・パワー値も４倍に設定する。なお、本形態の主旨としてはリセッション量Ｒの大きいものに対しては小さいものよりもヒータ１２４に印加する最大電力を大きく設定する（あるいは通電する電流を大きく設定する）ことにあり、実際の値は実験によって決定する。

ここで、本例においては、リード処理においてヒータ１２４を使用し、ライト処理においてはヒータ１２４を使用しないものとする。ヘッド素子部１２２は、ライト素子３１のジュール熱によって突出する。一方、リード・シーケンスにおいては、リード素子３２はライト素子３１のように発熱しないため、従って、データ書き込みにおいてはライト素子３１の発熱でヘッド素子部１２を突出させ（図６を参照）、データ読み出しにおいてヒータ１２４の発熱によってヘッド素子部１２を突出させる（図４、５を参照）。もちろん、データ書き込み時において、ライト素子３１の発熱に加えてヒータ１２４の発熱を使用することも可能である。

続いて、ヒータ・パワー値及びライト電流値の具体的設定処理を説明する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ライト処理におけるシーク開始前にＡＥ１３のレジスタにライト電流値をセットする。具体的には、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ターゲット・セクタにデータを書き込むヘッド・スライダのリセッション・レベルを、ヘッド−リセッション・レベル対応テーブル２４１を参照して特定する。さらに、温度検出器２９の検出温度から環境温度範囲を決定する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ライト電流テーブル２４２を参照して、特定されたリセッション・レベルと環境温度範囲から、ライト電流値を決定する。そのライト電流値を表すデータが、ＡＥ１３のレジスタ・セット１３１に設定される。

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ターゲット・トラックにヘッド・スライダ１２をシークし、さらに、ターゲット・セクタにライト・データを書き込むように制御する。ＡＥ１３は、データの書き込みにおいて、この設定されたライト電流をライト素子３１に供給してターゲット・セクタにデータを書き込む。

リード処理において、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、シーク開始前にＡＥ１３のレジスタにヒータ・パワー値をセットする。具体的には、ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ターゲット・セクタからデータを読み出すヘッド・スライダのリセッション・レベルを、ヘッド−リセッション・レベル対応テーブル２４１を参照して特定する。さらに、温度検出器２９の検出温度から環境温度範囲を決定する。ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ヒータ・パワー・テーブル２４３を参照して、特定されたリセッション・レベルと環境温度範囲から、ヒータ・パワー値を決定する。そのヒータ・パワー値を表すデータが、ＡＥ１３のレジスタ・セット１３１に設定される。

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ターゲット・トラックにヘッド・スライダ１２をシークし、さらに、ターゲット・セクタからリード・データを読み出すように制御する。ＡＥ１３は、この設定されたヒータ・パワー値のヒータ電流をヒータ１２４に供給する。ターゲット・セクタに到着すると、ＡＥ１３はヘッド・スライダ１２のリード素子３２出力を増幅し、データ信号（Data_Signal）をＲ／Ｗチャネル２１に伝送する。

上述の例において、ヒータ・パワーは設定された各温度領域内においては一定であるが、ヒータ・パワーを、検出温度を使用した演算式によって決定することができる。例えば通常のリード／ライトにおいて、予め定められた４つの温度ＬＴ／ＮＴ／ＨＴ／ＨＴ＿Ｌｉｍｍｉｔのそれぞれに対してヒータ・パワーを設定する。各設定温度の間の温度領域において、ヒータ・パワーは、温度の一次式で算出される。例えば、ＬＴのヒータ・パワーをPower_LT、ＮＴのヒータ・パワーをPower_NTとして、ＬＴ−ＮＴ間のヒータ・パワーは、
Power = (Power_LT−Power_NT) / (NT−LT)×(NT−T) + Power_NT
と表すことができる。

他の規定温度の間の温度領域においても同様である。なお、ＬＴ未満及びＨＴ＿Ｌｉｍｍｉｔを超える温度領域においては、それぞれ一定のヒータ・パワーとすることができる。各設定温度、設定温度数およびヒータ・パワーは、リード、ライト毎に設定する。同一温度における各リセッション・レベル間のヒータ・パワーの大小関係は、上記の例と同様となる。

以上、本発明を好ましい実施形態を例として説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。例えば、リード素子あるいはライト素子のみを備えるヘッド・スライダを実装するＨＤＤに、本形態のＴＦＣを適用することも可能である。

本実施形態において、ＨＤＤの全体構成を模式的に示すブロック図である。 本実施形態において、アクチュエータの先端部及びそれに固定されたヘッド・スライダを示す模式図である。 本実施形態において、ＴＦＣのためのヒータを備えたヘッド・スライダの構成を模式的に示す断面図である。 本実施形態において、常温（２５度程度）において、ヒータを備えているヘッド・スライダにおける、ヒータ・パワーとヘッド素子部の突出量との関係を模式的に示す図である。 本実施形態において、高温（６５度程度）において、ヒータを備えているヘッド・スライダにおける、ヒータ・パワーとヘッド素子部の突出量との関係を模式的に示す図である。 本実施形態において、常温（２５度程度）において、ライト電流とヘッド素子部の突出量との関係を模式的に示す図である。ヘッド・スライダは、ヒータを備えていない。 本実施形態において、リセッション量Ｒの測定を含む、ＨＤＤの製造工程を示すフローチャートである。 本実施形態におけるライト電流及びヒータ・パワー制御のための、各機能ブロック間の伝送信号（データを含む）を示すブロック図である。 本実施形態において、ヘッド・スライダとそのリセッション量のレベルを対応づけるヘッド−リセッション・レベル対応テーブルである。 本実施形態において、リセッション・レベルとライト電流値とを対応づけるライト電流テーブルである。 本実施形態において、リセッション・レベルとヒータ・パワー値とを対応づけるヒータ・パワー・テーブルである。

符号の説明

１ ハードディスク・ドライブ、１０ エンクロージャ、１１ 磁気ディスク
１２ ヘッド・スライダ、１４ スピンドル・モータ、１５ ボイス・コイル・モータ
１６ アクチュエータ、２０ 回路基板、２１ リード・ライト・チャネル
２２ モータ・ドライバ・ユニット、２３ ハードディスク・コントローラ／ＭＰＵ
２９ 温度検出器、３１ ライト素子、３２ リード素子、３２ａ 磁気抵抗素子、
３４ 保護膜、５１ ホスト、１２２ ヘッド素子部、１２３ スライダ
１２４ ヒータ、２４１ ヘッド−リセッション・レベル対応テーブル
２４２ ライト電流テーブル、２４３ ヒータ・パワー・テーブル
３１１ ライト・コイル、３１２ 磁極、３１３ 絶縁膜

Claims (7)

1. スライダとヘッド素子部とを備え、磁気ディスクに対して前記スライダよりも前記ヘッド素子部が後退しているヘッド・スライダと、
   前記ヘッド素子部の後退レベルと前記ヘッド素子部の周辺の温度レベルとに応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照し、予め測定により決定された前記ヘッド素子部の後退レベルと、測定された前記ヘッド素子部の周辺の温度と、に基づいて、前記ヘッド素子部の突出量を変化させる発熱体への電流量を決定するコントローラと、
   前記コントローラの決定に応じて前記発熱体へ電流を供給する電流供給回路と、
   を備え、
   前記データが表す電流量は、前記ヘッド素子部の後退レベルの増加に応じて増加し、前記ヘッド素子部の周辺の温度レベルの増加に応じて減少するように設定されている、
   データ記憶装置。
2. 前記発熱体は前記ヘッド素子部の突出量を調整するヒータであり、前記発熱体への電流はそのヒータに流すヒータ電流である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
3. 前記発熱体はライト素子であり、
   前記発熱体への電流は前記磁気ディスクにデータを書き込むためのライト電流である、
   請求項１に記載のデータ記憶装置。
4. 前記データ記憶装置は複数のヘッド・スライダを備え、
   前記コントローラは、前記複数のヘッド・スライダの各ヘッド・スライダについて、そのヘッド素子部の後退レベルと前記ヘッド素子部の周辺の温度レベルとに応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照して各ヘッド・スライダへの電流量を決定し、
   前記データが表す電流量は、後退レベルが大きいヘッド・スライダへの電流量が、後退レベルが小さいヘッド・スライダへの電流量よりも大きくなるように設定されている、
   請求項１に記載のデータ記憶装置。
5. それぞれがスライダとヘッド素子部とを備え、磁気ディスクに対して前記スライダよりも前記ヘッド素子部が後退している複数のヘッド・スライダと、
   前記ヘッド素子部の後退レベルと前記ヘッド素子部の周辺の温度レベルとに応じた電流量を表す予め登録されたデータを参照し、予め測定により決定された各々の前記ヘッド素子部の後退レベルと、測定された前記ヘッド素子部の周辺の温度と、に基づいて、前記複数のヘッド・スライダ間において、ヘッド・スライダのヘッド素子部の突出量を増加させる発熱体への電流量がヘッド素子部の後退レベルの増加に応じて増加し、前記ヘッド素子部の周辺の温度レベルの増加に応じて減少するように、各ヘッド・スライダへの供給電流量を決定するコントローラと、
   前記コントローラの決定に応じて前記発熱体へ電流を供給する電流供給回路と、
   を備える、
   データ記憶装置。
6. 前記発熱体は前記ヘッド素子部の突出量を調整するヒータであり、前記発熱体への電流はそのヒータに流すヒータ電流である、請求項５に記載のデータ記憶装置。
7. 前記発熱体はライト素子であり、
   前記発熱体への電流は前記磁気ディスクにデータを書き込むためのライト電流である、
   請求項５に記載のデータ記憶装置。

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