KR100668327B1 - 프로브 헤드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

프로브 헤드 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 프로브 헤드는 센서와, 상기 센서의 양 측에 소정 거리로 이격되어 배치된 제 1 쉴드(shield) 및 제 2 쉴드와, 상기 센서와 상기 제 1 쉴드 사이 및 상기 센서와 상기 제 2 쉴드 사이에 각각 마련되는 제 1 중간막과 제 2 중간막;을 구비하는 적어도 하나의 센서부가 결합된 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 프로브 헤드의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 제 1 쉴드(shield)를 형성하는 단계; 상기 제 1 쉴드 상에 제 1 중간막을 형성하는 단계; 상기 제 1 중간막 상에 센서를 형성하는 단계; 상기 센서 상에 제 2 중간막을 형성하는 단계; 상기 제 2 중간막 상에 제 2 쉴드를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 쉴드 상에 보호막을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 프로브 헤드 및 그 제조 방법에 의하면, 프로브 헤드의 분해능과 감도를 동시에 증가시킬 수 있고, 상기와 같은 높은 분해능과 감도를 가지는 프로브 헤드를 용이하게 제조할 수 있는 장점이 있다.

Description

프로브 헤드 및 그 제조 방법{Probe head, and the fabricating method of the same}
도 1은 본 발명에 따른 프로브 헤드를 나타내는 평면도.
도 2a는 도 1에 도시된 프로브 헤드를 B-B선을 따라 절단한 단면도.
도 2b는 도 1에 도시된 프로브 헤드를 A-A선을 따라 절단한 단면도.
도 3a 내지 도 13a는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 프로브를 도 2a에 도시된 단면에 대해 나타낸 공정도들.
도 3b 내지 도 13b는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 프로브를 도 2b에 도시된 단면에 대해 나타낸 공정도들.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 프로브 헤드 101 : 기판
110 : 절연막 120 : 제 1 쉴드
130 : 제 1 중간막 140 : 센서
150 : 제 2 중간막의 하막 160 : 금속막
161 : 센서 연결부 170 : 제 2 중간막의 상막
180 : 제 2 쉴드 181 : 쉴드 연결부
190 : 보호막
본 발명은 프로브 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히는, 높은 분해능을 가지는 프로브 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
프로브는 소정 기록 매체와 연계하여, 그 기록 매체에 데이터를 기록하거나, 그 기록 매체에 기록되어 있는 데이터를 재생한다. 이러한 프로브는 데이터에 대한 판독력을 높이기 위하여, 우수한 분해능을 갖출 것이 요구된다.
상기와 같은 프로브는 현재까지 여러 타입이 소개되었고, 그 중에서 FET(field effect transistor) 프로브, 저항(resistive) 프로브, EFM 프로브 등이 널리 사용되고 있다.
그러나, 상기와 같은 프로브들이 가진 감도와 분해능은 기록 매체에 대한 데이터의 기록 또는 재생에 사용되기에 충분하지 않다. 따라서 상기와 같은 프로브들을 이용하여 기록 매체에 데이터를 기록 또는 재생하는 것이 곤란하므로, 이러한 점이 개선된 프로브의 제시가 요구된다. 또한, 그러한 개선된 프로브를 제조할 수 있는 구체적인 방법의 제시도 요구된다.
본 발명은 프로브의 감도 및 분해능을 높일 수 있는 개선된 구조를 가진 프로브 헤드와, 그러한 프로브 헤드를 제조할 수 있는 구체적인 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 프로브 헤드는 소정 기록 매체에 데이터를 기록하고, 상기 기록 매체에 기록된 데이터를 재생시키는 센서; 상기 센서의 양 측에 소정 거리로 이격되어 배치된 제 1 쉴드(shield)와 제 2 쉴드; 및 상기 센서와 상기 제 1 쉴드 사이 및 상기 센서와 상기 제 2 쉴드 사이에 각각 마련되는 제 1 중간막과 제 2 중간막;을 구비하는 적어도 하나의 센서부가 결합된 것을 특징으로 한다.
상기 센서는 상기 기록 매체와 대향되는 면이 평면일 수 있다.
상기 제 1 쉴드와 상기 제 2 쉴드는 상호간에 연결될 수 있다.
상기 프로브 헤드의 작동 시에, 상기 제 1 쉴드 또는 제 2 쉴드 중 어느 하나는 그라운드되는 것이 바람직하다.
상기 센서부는 그를 지지하는 기판과, 상기 기판과 마주하는 쉴드를 절연시키는 절연막을 더 구비할 수 있다.
상기 센서부는 상기 제 2 쉴드를 덮는 보호막을 더 구비할 수 있다.
상기 센서부는 상기 센서와 전원을 연결하는 금속막을 더 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 프로브 헤드의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 제 1 쉴드(shield)를 형성하는 단계; 상기 제 1 쉴드 상에 제 1 중간막을 형성하는 단계; 상기 제 1 중간막 상에 센서를 형성하는 단계; 상기 센서 상에 제 2 중간막을 형성하는 단계; 상기 제 2 중간막 상에 제 2 쉴드를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 쉴드 상에 보호막을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 프로브 헤드의 제조 방법은 상기 센서와 전원을 연결하는 금속막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속막을 형성하는 단계는 상기 제 2 중간막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막 상에 제 3 중간막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 금속막을 형성하는 단계는 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 전자빔 증착과 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)과 습식 에칭(wet etching) 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 절연막을 형성하는 단계는 열적 산화공정(thermal oxidation)에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제 1 쉴드를 형성하는 단계와, 상기 제 2 쉴드를 형성하는 단계는 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 전자빔 증착과 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제 1 중간막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 중간막을 형성하는 단계와, 상기 보호막을 형성하는 단계는 산화물(oxide) 또는 질화물(nidtride)을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 산화물을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 플라스마 화학기상증착(PECVD, plasma enhance chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 센서를 형성하는 단계는 폴리 실리콘(Poly-Si)을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 실리콘을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 저압 화학기상증착(LPCVD, low pressure chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 프로브 헤드의 제조 방법은 상기 센서와, 상기 제 1 쉴드와, 상기 제 2 쉴드가 헤드 외부로 노출되도록, 상기 프로브 헤드를 다이싱하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 프로브 헤드에 의하면, 센서의 기록 매체에 대향하는 면의 폭과, 상기 센서와 제 1 쉴드 및 상기 센서와 제 2 쉴드 사이의 간격을 조절하여, 프로브 헤드의 분해능과 감도를 동시에 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 프로브 헤드의 제조 방법에 의하면, 상기와 같은 높은 분해능과 감도를 가지는 프로브 헤드를 용이하게 제조할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브 헤드 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다. 도면들에서, 층들 및 영역들의 두께는 명료성을 위해 과장되어 있다. 그리고, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 상에 있는 것으로 언급될 때, 이것은 다른 요소 위에 직접 있거나, 그 요소 사이에 중간 요소가 개입될 수도 있다.
도 1은 본 발명에 따른 프로브 헤드를 나타내는 평면도이고, 도 2a는 도 1에 도시된 프로브 헤드를 B-B선을 따라 절단한 단면도이며, 도 2b는 도 1에 도시된 프로브 헤드를 A-A선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 2b를 함께 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 헤드(100)는 소정 기록 매체(200)에 데이터를 기록하고, 상기 기록 매체(200)에 기록된 데이터를 재생시키는 센서(140)와, 상기 센서(140)의 양 측에 소정 거리로 이격되어 배치된 제 1 쉴드(shield)(120) 및 제 2 쉴드(180)를 구비한다. 상기 센서(140)는 폴리 실리콘(Poly-Si)으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제 2 쉴드(180)는 쉴드 연결부(181)를 통해 상기 제 1 쉴드(120)와 연결되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 프로브 헤드(100)는 기판(101)에 의해 지지된다. 상기 기판(101)과 상기 제 1 쉴드(120) 사이에는 양자를 절연시키기 위한 절연막(110)이 형성되어 있고, 상기 제 1 쉴드(120)와 상기 센서(140) 사이에는 제 1 중간막(130)이 형성되어 있고, 상기 센서(140)와 상기 제 2 쉴드(180) 사이에는 제 2 중간막(150, 170)이 형성되어 있다. 상기 제 2 중간막(150, 170)은 상막(170)과, 하막(150)으로 구성된다. 상기 제 1 중간막(130)과 상기 제 2 중간막(150, 170)은 소정 산화물(oxide) 또는 질화물(nitride)로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 프로브 헤드(100)에는 상기 제 2 쉴드(180)를 보호하는 보호막(190)이 형성되어 있다. 상기 제 2 쉴드(180)는 소정 도선(201)을 통해 그라운드되는데, 상기 보호막(190)에는 상기 제 2 쉴드(180)와 상기 도선(201)을 연결하기 위한 홀(191)이 형성되어 있다. 상기 보호막(190)은 소정 산화물) 또는 질화물로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 프로브 헤드(100)에는 상기 센서(140)를 전원에 연결하기 위한 금속막(160)이 형성되어 있다. 절연을 위해 상기 금속막(160)은 상기 제 2 중간막의 하막(150)과 상기 제 2 중간막의 상막(170) 사이에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 금속막(160)은 센서 연결부(161)를 통해 상기 센서(140)와 연결되고, 소정 도선(202, 203)을 통해 전원과 연결된다. 상기와 같이 구성됨으로써, 상기 센서(140)는 상기 금속막(160)을 통해 전원과 연결된다. 도면상의 참조번호 172는 상기 도선(202, 203)과 상기 금속막(160)이 연결되기 위한 홀이며, 본 도면에서는 예시적으로 그 중 한 도선(202)이 연결된 상태를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 상기 센서(140)는 기록 매체(200)와 대향되는 면이 소정의 폭을 가진 면이고, 그 측면은 상기 대향 면과 수직으로 형성된다. 그리고, 상기 센서(140)와 상기 제 1 쉴드(120) 및 상기 센서(140)와 상기 제 2 쉴드(180) 사이가 소정 거리로 이격된다. 실험에 의해, 상기 프로브 헤드(100)의 재생 전압은 상기 센서(140)의 폭이 작아질 때 증가하고, 상기 센서(140)와 상기 제 1 쉴드(120) 및 상기 제 2 쉴드(180) 사이의 거리가 작아질 때도 증가하는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 상기 프로브 헤드(100)의 감도와 분해능을 동시에 증가시킬 수 있게 된다.
이하에서는 본 발명에 따른 프로브 헤드(100)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 13b는 본 발명에 다른 프로브의 제조 방법을 나타내는 공정도들이다. 여기서, 도 3a 내지 도 13a는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 프로브를 도 2a에 도시된 단면에 대해 나타낸 공정도들이고, 도 3b 내지 도 13b는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 프로브를 도 2b에 도시된 단면에 대해 나타낸 공정도들이다.
먼저, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 바와 같이, 기판(101)을 마련한다. 상기 기판(101)은 실리콘(Si)으로 이루어질 수 있다.
그런 다음, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 바와 같이, 상기 기판(101) 상에 절연막(110)을 형성한다. 상기와 같은 절연막(110)의 형성은 열적 산화공정(thermal oxidation)에 의해 수행될 수 있다. 이러한 공정에 의해 상기 절연막(110)을 수㎛ 의 두께로 형성할 수 있다.
그 후, 도 5a 및 도 5b에 나타낸 바와 같이, 상기 절연막(110) 상에 제 1 쉴드(120)를 형성한다. 상기 제 1 쉴드(120)를 이루는 소정 금속을 상기 절연막(110) 상에 증착시켜 박막을 형성한 다음 상기 박막을 패터닝함으로써, 상기 제 1 쉴드(120)를 형성할 수 있다. 여기서, 상기와 같은 박막의 형성은 전자빔 증착 또는 스퍼터링에 의해 수행될 수 있다. 그리고, 상기와 같은 박막의 패터닝은 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 습식 에칭에 의해 수행될 수 있다. 상기 제 1 쉴드(120)를 이루는 금속으로 Au, Pt, Pd 등의 금속을 사용할 수 있다. 이러한 공정에 의해 상기 제 1 쉴드(120)를 수㎛의 두께로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 50㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있다.
그런 다음, 도 6a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 쉴드(120) 상에 제 1 중간막(130)을 형성한다. 여기서, 도 6a에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 중간막(130)에는 제 2 쉴드(180)와 상기 제 1 쉴드(120)를 연결하기 위해 쉴드 연결부(181)가 관통하는 홀(131)이 형성된다.
상기 제 1 중간막(130)을 이루는 산화물(oxide) 또는 질화물(nitride)을 증착시켜 박막을 형성한 다음 상기 박막을 패터닝함으로써, 상기 제 1 중간막(130)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기와 같은 박막의 형성은 플라스마 화학기상증착(PECVD, plasma enhance chemical vapor deposition)에 의해 수행될 수 있다. 그리고, 상기와 같은 박막의 패터닝은 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 습식 에칭에 의해 수행될 수 있다. 이러한 공정에 의해 상기 제 1 중간막(130)을 수㎛의 두께로 형성 할 수 있는데, 바람직하게는 10㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있다.
그 후, 도 7a 및 도 7b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 중간막(130) 상에 센서(140)를 형성한다. 상기 센서(140)를 이루는 폴리 실리콘(Poly-Si)을 상기 제 1 중간막(130) 상에 증착시켜 박막을 형성한 다음 상기 박막을 패터닝함으로써, 상기 센서(140)를 형성할 수 있다. 여기서, 상기와 같은 박막의 형성은 저압 화학기상증착(LPCVD, low pressure chemical vapor deposition)에 의해 수행될 수 있다. 그리고, 상기와 같은 박막의 패터닝은 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 습식 에칭에 의해 수행될 수 있다.
그런 다음, 도 8a 및 도 8b에 나타낸 바와 같이, 상기 센서(140) 상에 제 2 중간막의 하막(150)을 형성한다. 여기서, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 하막(150)에는, 상기 쉴드 연결부(181)가 관통될 수 있도록 상기 제 1 절연막(130)에 형성된 홀(131)과 대응되는 위치에 홀(151)이 형성된다. 그리고, 도 8b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 하막(150)에는, 금속막(160)과 상기 센서(140)를 연결하기 위해 센서 연결부(161)가 관통하는 홀(152)이 형성된다.
상기 제 2 중간막의 하막(150)은 상기 제 1 중간막(120)을 형성하는 방법과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다. 이러한 공정에 의해 상기 제 2 중간막의 하막(150)을 수㎛의 두께로 형성할 수 있는데, 바람직하게는 10㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있다.
그 후, 도 9a 및 도 9b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 하막(150) 상에 금속막(160)을 형성한다. 상기 금속막(160)은 상기 센서(140)와 전원을 연결 하기 위한 것이므로, 도 9a에 나타낸 단면에는 상기 금속막(160)이 형성되지 않고, 도 9b에 나타낸 단면에 상기 금속막(160)이 형성된다. 상기 금속막(160)의 일부가 연장된 상기 센서 연결부(161)가 상기 제 2 중간막의 하막(150)에 형성된 홀(152)를 통해 상기 센서(140)와 연결된다.
상기 금속막(160)을 이루는 소정 금속을 상기 제 2 중간막의 하막(150) 상에 증착시켜 박막을 형성시킨 다음 상기 박막을 패터닝함으로써, 상기 금속막(160)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기와 같은 박막의 형성은 전자빔 증착 또는 스퍼터링에 의해 수행될 수 있다. 그리고, 상기와 같은 박막의 패터닝은 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching) 또는 습식 에칭(wet etching)에 의해 수행될 수 있다.
그런 다음, 도 10a 및 도 10b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 하막(150)과 상기 금속막(160) 상에 제 2 중간막의 상막(170)을 형성한다. 상기 제 2 중간막의 상막(170)은 상기 제 2 중간막의 하막(150)과 함께 제 2 중간막을 형성한다. 여기서, 10a에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 상막(170)에는 상기 쉴드 연결부(181)가 관통될 수 있도록 상기 제 2 중간막의 하막(150)에 형성된 홀(151)과 대응되는 위치에 홀(171)이 형성된다. 그리고, 도 10b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 상막(170)에는, 상기 금속막(160)과 전원을 연결하기 위한 홀(172)이 형성된다.
상기 제 2 중간막의 상막(170)은 상기 제 1 중간막(120)을 형성하는 방법과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다.
그 후, 도 11a 및 도 11b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 중간막의 상막(170) 상에 제 2 쉴드(180)가 형성된다. 여기서, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 상기 쉴드 연결부(181)가 형성되어, 상기 제 1 중간막(130)과, 상기 제 2 중간막의 하막(150)과, 상기 제 2 중간막의 상막(170)에 각각 형성된 홀(131, 151, 171)을 통해 상기 제 2 쉴드(180)와 상기 제 1 쉴드(120)를 연결한다.
상기와 같은 제 2 쉴드(180)는 상기 제 1 쉴드(120)를 형성하는 방법과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다.
그런 다음, 도 12a 및 도 12b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 쉴드(180) 상에 보호막(190)을 형성한다. 여기서, 도 12a에 나타낸 바와 같이, 상기 보호막(190)에는 상기 제 2 쉴드(180)를 그라운드시키기 위한 도선(201)이 관통하는 홀(191)이 형성된다.
상기 보호막(190)은 상기 제 1 중간막(120)을 형성하는 방법과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다.
그 후, 도 12a 및 도 12b에 도시된 절단선을 따라, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 공정부터 도 12a 및 도 12b에 나타낸 공정까지에 의해 형성된 적층물을 다이싱(dicing)한다. 상기와 같은 다이싱에 의해, 상기 센서(140)와 상기 제 1 쉴드(120)와 상기 제 2 쉴드(180)가 헤드 외부로 노출된다. 그러면, 도 13a 및 도 13b에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브 헤드(100)의 제조가 완료된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 프로브 헤드에 의하면, 센서의 기록 매체에 대향하는 면의 폭과, 상기 센서와 제 1 쉴드 및 상기 센서와 제 2 쉴드 사이의 간격을 조절하여, 프로브 헤드의 분해능과 감도를 동시에 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 프로브 헤드의 제조 방법에 의하면, 상기와 같은 높은 분해능과 감도를 가지는 프로브 헤드를 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (24)

  1. 소정의 기록 매체에 데이터를 기록/재생하는 센서;
    상기 센서의 양 측에 소정 거리로 이격되어 배치되는 제 1 쉴드(shield)와 제 2 쉴드; 및
    상기 센서와 상기 제 1 쉴드 사이 및 상기 센서와 상기 제 2 쉴드 사이에 각각 마련되는 제 1 중간막과 제 2 중간막; 을 구비하는 적어도 하나의 센서부가 결합된 것으로,
    상기 센서, 제 1 쉴드 및 제 2 쉴드는 상기 센서 및 기록 매체의 대향면에 수직한 방향을 따라 적층되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 기록 매체와 대향되는 면이 평면인 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 쉴드와 상기 제 2 쉴드는 상호간에 연결된 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 프로브 헤드의 작동 시에, 상기 제 1 쉴드 또는 제 2 쉴드 중 어느 하나는 그라운드되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서부는 그를 지지하는 기판과, 상기 기판과 마주하는 쉴드를 절연시키는 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 제 2 쉴드를 덮는 보호막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 센서와 전원을 연결하는 금속막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드.
  8. 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막 상에 제 1 쉴드(shield)를 형성하는 단계;
    상기 제 1 쉴드 상에 제 1 중간막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 중간막 상에 센서를 형성하는 단계;
    상기 센서 상에 제 2 중간막을 형성하는 단계;
    상기 제 2 중간막 상에 제 2 쉴드를 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 쉴드 상에 보호막을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 센서, 제 1 쉴드 및 제 2 쉴드는 상기 센서 및 기록 매체의 대향면에 수직한 방향을 따라 적층되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 센서와 전원을 연결하는 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속막을 형성하는 단계는 상기 제 2 중간막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막 상에 제 3 중간막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속막을 형성하는 단계는 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 전자빔 증착과 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)과 습식 에칭(wet etching) 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 절연막을 형성하는 단계는 열적 산화공정(thermal oxidation)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 쉴드를 형성하는 단계와, 상기 제 2 쉴드를 형성하는 단계는 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 소정 금속을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 전자빔 증착과 스퍼터링 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  18. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 중간막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 중간막을 형성하는 단계와, 상기 보호막을 형성하는 단계는 산화물(oxide) 또는 질화물(nitride)를 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 산화물 또는 질화물을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 플라스마 화학기상증착(PECVD, plasma enhance chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  21. 제 8 항에 있어서,
    상기 센서를 형성하는 단계는 폴리 실리콘(Poly-Si)을 증착시켜 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 폴리 실리콘(Poly-Si)을 증착시켜 박막을 형성하는 단계는 저압 화학기상증착(LPCVD, low pressure chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 박막을 패터닝하는 단계는 반응성 이온 에칭(RIE)과 습식 에칭 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
  24. 제 8 항에 있어서,
    상기 센서와, 상기 제 1 쉴드와, 상기 제 2 쉴드가 헤드 외부로 노출되도록, 상기 프로브 헤드를 다이싱하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 헤드의 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101260903B1 (ko) * 2007-12-24 2013-05-06 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 전계기록재생헤드, 이를 채용한 전계기록재생장치 및전계기록재생헤드의 제조방법
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0589433A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘツド
US5508866A (en) * 1994-08-15 1996-04-16 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having exchange-coupled stabilization for transverse bias layer
US5757591A (en) * 1996-11-25 1998-05-26 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read/inductive write magnetic head assembly fabricated with silicon on hard insulator for improved durability and electrostatic discharge protection and method for manufacturing same
JP3130811B2 (ja) * 1996-11-28 2001-01-31 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JPH11175931A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Nec Corp 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置
JP3843596B2 (ja) * 1998-04-08 2006-11-08 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US6477132B1 (en) * 1998-08-19 2002-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Probe and information recording/reproduction apparatus using the same
JP3473835B2 (ja) * 1999-06-10 2003-12-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法
KR100366701B1 (ko) * 1999-11-09 2003-01-06 삼성전자 주식회사 전계 효과 트랜지스터 채널 구조가 형성된 스캐닝 프로브마이크로스코프의 탐침 및 그 제작 방법
US6453542B1 (en) * 2000-02-28 2002-09-24 Headway Technologies, Inc. Method for fabricating balanced shield connections for noise reduction in MR/GMR read heads
US6396668B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-28 Seagate Technology Llc Planar double spin valve read head
US6515573B1 (en) * 2000-06-19 2003-02-04 Read-Rite Corporation Method and system for providing edge-junction TMR utilizing a hard magnet as a pinned layer
JP2002100009A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Mitsumi Electric Co Ltd 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP4128135B2 (ja) * 2003-12-10 2008-07-30 パイオニア株式会社 記録再生ヘッド、該記録再生ヘッドの製造方法、並びに記録装置及び再生装置。
KR100718154B1 (ko) * 2006-02-20 2007-05-14 삼성전자주식회사 정보 미디어 및 이를 이용하는 정보의 기록 및 재생 장치

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