JP4581447B2 - 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 - Google Patents
薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4581447B2 JP4581447B2 JP2004083027A JP2004083027A JP4581447B2 JP 4581447 B2 JP4581447 B2 JP 4581447B2 JP 2004083027 A JP2004083027 A JP 2004083027A JP 2004083027 A JP2004083027 A JP 2004083027A JP 4581447 B2 JP4581447 B2 JP 4581447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- film piezoelectric
- manufacturing
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 174
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Description
まず、基板Sを用意する。そして、この基板Sの上に、第2の電極膜75bを構成する材料からなる第1の薄膜F1、及び薄膜圧電体73を構成する材料からなる第2の薄膜F2の順に積層して積層体L1を形成する(図9(a)及び(b)参照)。基板Sには、例えば酸化マグネシア(MgO)を材料とする単結晶基板等を用いることができる。第1の薄膜F1(第1の電極膜75a)には、例えばPtやIr等の金属の他、導電性酸化物(例えば、IrO等)や導電性樹脂といった導電性材料を用いることができる。第2の薄膜F2には、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム等の圧電材料を用いることができる。第1及び第2の薄膜F1,F2を形成する方法には、例えばスパッタリング法、CVD法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。
次に、積層体L1を所望の形状に加工(パターニング)する(図10(a)及び(b)参照)。この工程(2)では、まず、積層体L1上に、第1領域70a、第2領域70b、及び第2の電極膜75bにおける第1領域70aとの第2領域70bとの間に位置する部分に対応する位置にレジスト膜(図示せず)を形成し、当該レジスト膜をマスク層として第1及び第2の薄膜F1,F2をドライエッチングにより除去する。続いて、上記レジスト膜を除去する。なお、本明細書における「ドライエッチング」とは、上述した特許文献1にも開示されているように、例えばArガス等の希ガス及びO、F、Cl等の原子を含む反応性ガス等からなるエッチングガスに高周波電圧を印加して放電させてエッチングを行う反応性イオンエッチング(RIE)や、上記エッチングガスのイオンをビーム状にして試料に照射してエッチングを行うイオンビームエッチング等を含む。
次に、基板S、薄膜圧電体73、及び第2の電極膜75bの上にマスク層としてのレジスト膜91を形成する(図11(a)及び(b)参照)。レジスト膜91は、第1の電極膜75aを形成する予定位置に開口部93を有する。この開口部93の面積は薄膜圧電体73の表面73aの面積よりも小さく設定されており、レジスト膜91は、パターニングされた積層体L1の表面、すなわち薄膜圧電体73の表面73aの縁部分を覆うように形成されることとなる。
次に、レジスト膜91上及び開口部93に第1の電極膜75aを構成する材料からなる第3の薄膜F3を形成する(図12(a)及び(b)参照)。これにより、レジスト膜91上、及び、開口部93に露出する薄膜圧電体73上に第3の薄膜F3(第1の電極膜75a)が形成されることとなる。第3の薄膜F3(第1の電極膜75a)には、第1の薄膜F1(第2の電極膜75b)と同じく、例えばPtやIr等の金属の他、導電性酸化物(例えば、IrO等)や導電性樹脂といった導電性材料を用いることができる。第3の薄膜F3を形成する方法には、第1及び第2の薄膜F1,F2と同じく、例えばスパッタリング法、CVD法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。
次に、レジスト膜91上の第3の薄膜F3をリフトオフ法により除去する(図13(a)及び(b)参照)。これにより、第3の薄膜F3の開口部93に形成されている第3の薄膜F3は残存し、薄膜圧電体73の表面73a上に第1の電極膜75aが形成されることとなる。第1の電極膜75aの面積は、薄膜圧電体73の表面73aの面積よりも小さい。そして、レジスト膜91が薄膜圧電体73の表面73aの縁部分を覆うように形成されていたので、第1の電極膜75aの厚み方向から見て、第1の電極膜75aの周囲には薄膜圧電体73の表面73aが露出している。すなわち、第1の電極膜75aは薄膜圧電体73の縁部から離れた位置に形成される。
次に、第2の電極膜75b、薄膜圧電体73及び第1の電極膜75aの腐食を回避するために、基板S上において、第1領域70a、第2領域70b、及び第2の電極膜75bにおける第1領域70a及び第2領域70bとの間に位置する部分の表面を覆うように樹脂膜77を形成する(図14(a)及び(b)参照)。樹脂膜77は、当該樹脂膜77を構成する樹脂材料(例えば、ポリイミド樹脂等)を塗布した後にベークすることにより形成される。
次に、コンタクトホール78a〜78cに対応する位置に開口を有するレジスト膜(図示せず)を再度形成する。そして、このレジスト膜をマスク層として、コンタクトホール78a〜78cが形成されることにより露出した第1の電極膜75a及び第2の電極膜75b上に、蒸着とリフトオフ法とにより各電極71a〜71cを形成する(図15(a)及び(b)参照)。
Claims (2)
- 薄膜圧電体と、当該薄膜圧電体を挟むように配置される一対の電極膜とを有する薄膜圧電体素子の製造方法であって、
基体上に、一方の電極膜を構成する材料からなる第1の薄膜と前記薄膜圧電体を構成する材料からなる第2の薄膜とを積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成する前記工程の後に、ドライエッチングにより前記積層体を所望の形状に加工する工程と、
前記積層体を所望の形状に加工する前記工程の後に、他方の電極膜を形成する予定位置に開口部を有するマスク層を前記所望の形状に加工された積層体の表面の縁部分を覆うように形成する工程と、
前記マスク層を形成する前記工程の後に、前記マスク層上及び前記開口部に前記他方の電極膜を構成する材料からなる第3の薄膜を形成する工程と、
前記第3の薄膜を形成する前記工程の後に、前記マスク層上の前記第3の薄膜をリフトオフ法により除去して前記他方の電極膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする薄膜圧電体の製造方法。 - 薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダを相対的に変位させる薄膜圧電体素子を備えるサスペンションの製造方法であって、
前記薄膜圧電体素子は、薄膜圧電体と、当該薄膜圧電体を挟むように配置される一対の電極膜とを有しており、
基体上に、一方の電極膜を構成する材料からなる第1の薄膜と前記薄膜圧電体を構成する材料からなる第2の薄膜とを積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成する前記工程の後に、ドライエッチングにより前記積層体を所望の形状に加工する工程と、
前記積層体を所望の形状に加工する前記工程の後に、前記積層体の他方の電極膜を形成する予定位置に開口部を有するマスク層を前記所望の形状に加工された積層体の表面の縁部分を覆うように形成する工程と、
前記マスク層を形成する前記工程の後に、前記マスク層上及び前記開口部に前記他方の電極膜を構成する材料からなる第3の薄膜を形成する工程と、
前記第3の薄膜を形成する前記工程の後に、前記マスク層上の前記第3の薄膜をリフトオフ法により除去して前記他方の電極膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするサスペンションの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004083027A JP4581447B2 (ja) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004083027A JP4581447B2 (ja) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268723A JP2005268723A (ja) | 2005-09-29 |
JP4581447B2 true JP4581447B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=35092906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004083027A Expired - Lifetime JP4581447B2 (ja) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4581447B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168411A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法 |
JP2002324896A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-11-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法 |
JP2003046160A (ja) * | 2001-04-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子,アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
JP2003142750A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Hitachi Metals Ltd | 圧電式アクチュエータの形成方法および液体吐出ヘッド |
JP2003179281A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6051858A (en) * | 1996-07-26 | 2000-04-18 | Symetrix Corporation | Ferroelectric/high dielectric constant integrated circuit and method of fabricating same |
JPH11205898A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 誘電体薄膜素子用電極およびその製造方法とそれを用いた超音波振動子 |
-
2004
- 2004-03-22 JP JP2004083027A patent/JP4581447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168411A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法 |
JP2002324896A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-11-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法 |
JP2003046160A (ja) * | 2001-04-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子,アクチュエータ及びインクジェットヘッド |
JP2003179281A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP2003142750A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Hitachi Metals Ltd | 圧電式アクチュエータの形成方法および液体吐出ヘッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005268723A (ja) | 2005-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7420785B2 (en) | Suspension assembly, hard disk drive, and method of manufacturing suspension assembly | |
US7183696B2 (en) | Thin film piezoelectric element, suspension assembly, and hard disk drive | |
US8189301B2 (en) | Wireless microactuator motor assembly for use in a hard disk drive suspension, and mechanical and electrical connections thereto | |
JP4897767B2 (ja) | 薄膜圧電体素子及びその製造方法並びにそれを用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びそのヘッドジンバルアセンブリを用いたハードディスクドライブ | |
JP5943658B2 (ja) | 端子部構造、フレキシャ、及びヘッド・サスペンション | |
CN110085269B (zh) | 用于硬盘驱动器悬架的多层微致动器 | |
US7242132B2 (en) | Piezoelectric actuator and head assembly using the piezoelectric actuator | |
WO2000030080A1 (fr) | Mecanisme support pour tete d'enregistrement/de reproduction, et dispositif d'enregistrement/de reproduction | |
US20040183403A1 (en) | Thin film piezoelectric element, method of manufacturing the same, and actuator | |
JP5941332B2 (ja) | ヘッド・サスペンション | |
JP2001332041A (ja) | ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエーターおよびその製造方法 | |
JP6067347B2 (ja) | ヘッドジンバルアセンブリの製造方法およびそれを構成するフレクシャの製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびフレクシャの製造に用いられるフレクシャシート | |
WO2000030081A1 (fr) | Mecanisme de support de tete d'enregistrement/lecture et appareil d'enregistrement/lecture | |
JP4581447B2 (ja) | 薄膜圧電体素子の製造方法及びサスペンションの製造方法 | |
JP4806896B2 (ja) | 薄膜圧電体素子、アクチュエータおよびディスク装置 | |
US7518833B2 (en) | Micro-actuator with electric spark preventing structure, HGA, and disk drive unit with the same, and manufacturing method thereof | |
JPWO2003003369A1 (ja) | マイクロ移動装置およびその製造方法 | |
CN110931049B (zh) | 薄膜压电材料元件及其制造方法、磁头折片组件、硬盘驱动器 | |
JP4071203B2 (ja) | 薄膜圧電体素子の接着方法 | |
JP2007095275A (ja) | 電気的スパーク防止構造を備えたマイクロアクチュエータ、これを用いた磁気ヘッドアセンブリ及びディスク装置、マイクロアクチュエータの製造方法 | |
JP2005312200A (ja) | 圧電アクチュエータ及び圧電アクチュエータを用いたヘッドサスペンション装置 | |
JP3713258B2 (ja) | 圧電体駆動素子とその製造方法 | |
JP4167191B2 (ja) | サスペンション、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置 | |
JP4197654B2 (ja) | ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 | |
JP5085623B2 (ja) | 薄膜素子の製造方法及び薄膜素子並びにその薄膜素子を用いたヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスクドライブ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100729 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4581447 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |