JP4071203B2 - 薄膜圧電体素子の接着方法 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜圧電体素子の接着方法に関する。

ハードディスク等の記録媒体に磁気情報を記録及び再生する薄膜磁気ヘッドは、いわゆるヘッドスライダに形成されている。このヘッドスライダを、サスペンションの先端領域に搭載することにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が構成される。一般的に、このサスペンションは、ＳＵＳ等で形成されたロードビームに可撓性のフレクシャを重ねたものであり、フレクシャには薄膜磁気ヘッドの記録／再生用の配線が施されている。また、このようなサスペンションの基端側は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で駆動されるアクチュエータアームに連結される。そして、サスペンションとアクチュエータアームを連結したものにＶＣＭコイル等を取り付けることにより、所謂ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）が構成されている。

ところで、近年のハードディスクの高記録密度化、特にトラック幅の狭小化に伴い、ヘッドスライダを高精度で微小量駆動させる技術が求められている。そこで従来、下記特許文献１に示すように、上記サスペンションとアクチュエータアームとの連結部分に、圧電素子を利用した圧電アクチュエータを配置するヘッドジンバルアセンブリが提案されていた。これは所謂２段変動式のアセンブリであり、第１段階として、薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるアクチュエータアームの駆動で制御し、第２段階として、トラッキング補正等の微小な移動は薄膜圧電体素子によるサスペンションの駆動により制御しようとするものである。

ところが、このような２段変動式のヘッドジンバルアセンブリでは、薄膜圧電体素子によって長尺のサスペンション全体を駆動させる必要があるため、トラッキングの高精度化に限界があった。

このため、例えば下記特許文献２に開示されているように、ヘッドスライダとサスペンションの間に薄膜圧電体素子を設ける装置が提案されている。この装置によれば、薄膜圧電体素子は長尺サスペンションそのものを駆動させる必要が無く、直接的にヘッドスライダを駆動させることができるため、より高精度のトラッキングを実現することができる。
特開２００２−１３４８０７号公報 特開２００２−２０３３８４号公報

しかしながら、上記従来のヘッドジンバルアセンブリには、次のような問題があった。すなわち、薄膜圧電体素子をサスペンションに搭載する際、接着剤で固定することになるが、該素子が薄膜であるため、機械アームによる狭持等のように機械的に保持することが困難である。このため、取り扱いのミス等により薄膜圧電体素子が破壊されてしまい、歩留りの低下を引き起こしてしまう。

本発明の目的は、薄膜圧電体素子を破壊することなく接着して、量産性を向上させることが可能な薄膜圧電体素子の接着方法を提供することにある。

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法は、薄膜圧電体素子を所定の部材に接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、第２の基体に接着する工程の後に、第１の基体を除去する工程と、第１の基体を除去する工程の後に、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子を所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して第２の基体を除去する工程と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法では、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子が第１の接着剤により第２の基体に接着された後に、第１の基体が除去される。そして、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子が第２の接着剤により所定の部材に接着される一方、紫外線が照射されることにより第１の接着剤が剥離し、第２の基体が除去されることとなる。薄膜圧電体素子を所定の部材に接着する際には、第２の基体が存在しており、薄膜圧電体素子の機械的強度が第２の基体により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションに薄膜圧電体素子を接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、第２の基体に接着する工程の後に、第１の基体を除去する工程と、第１の基体を除去する工程の後に、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子をサスペンションの所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して第２の基体を除去する工程と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法では、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子が第１の接着剤により第２の基体に接着された後に、第１の基体が除去される。そして、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子が第２の接着剤によりサスペンションの所定の部材に接着される一方、紫外線が照射されることにより第１の接着剤が剥離し、第２の基体が除去されることとなる。薄膜圧電体素子をサスペンションの所定の部材に接着する際には、第２の基体が存在しており、薄膜圧電体素子の機械的強度が第２の基体により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。

また、第２の接着剤は、紫外線硬化性を有することが好ましい。この場合、紫外線を照射して第１の接着剤を剥離させる際に、第２の接着剤が硬化することとなる。この結果、第２の接着剤を硬化させる工程を新たに設ける必要がなく、工程の簡素化を図ることができる。

また、第２の接着剤は、紫外線硬化性及び熱硬化性を有し、第２の基体を除去する工程の後に、加熱して第２の接着剤を硬化させる工程を更に含むことが好ましい。この場合、紫外線を照射して第１の接着剤を剥離させる際に第２の接着剤が仮硬化し、その後の加熱により第２の接着剤が本硬化することとなる。この結果、薄膜圧電体素子を確実に接着することができる。

また、薄膜圧電体素子は、第１の基体の上に複数形成されており、第２の基体に接着する工程では、各薄膜圧電体素子を第２の基体に接着し、所定の部材に接着する工程の前に、薄膜圧電体素子毎に第２の基体を切断する工程を更に備えることが好ましい。

本発明によれば、薄膜圧電体素子を破壊することなく接着して、量産性を向上させることが可能な薄膜圧電体素子の接着方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
まず、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｃ）を参照して、本実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。

本接着方法では、以下の工程（１）〜（４）を順次実行する。

工程（１）
まず、薄膜圧電体素子１が複数形成された第１の基体３（図１（ａ）参照）と、少なくとも紫外線を透過する第２の基体５とを用意する。そして、第１の基体３の上に形成された各薄膜圧電体素子１と第２の基体５とを紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤７により接着する（図１（ｂ）参照）。これにより、複数の薄膜圧電体素子１、第１の基体３、及び第２の基体５を含む構造体ＳＡが形成されることとなる。

第２の基体５には、例えば石英ガラス基板、紫外線透過プラスチック基板、紫外線透過ガラス基板等を用いることができる。第１の接着剤７には、各社から出ている半導体バックグラインド用テープや同接着剤等を用いることができる。前述したようなテープは紫外線剥離用であり、当該テープのベースフィルムは紫外線を透過する。したがって、第１の接着剤７にこのようなテープを用いる場合、エッチングする際にベースフィルムが溶剤に溶けてしまう等の問題がなければ、このベースフィルムを第２の基体５として用いてもよい。

各薄膜圧電体素子１は、例えば第１の電極金属膜１１、薄膜圧電体１３、及び第２の電極金属膜１５を含み、第１の基体３の上に第１の電極金属膜１１、薄膜圧電体１３、及び第２の電極金属膜１５をこの順で成膜することにより形成される。薄膜圧電体素子１は、第１の電極金属膜１１と第２の電極金属膜１５との間に電圧が印加されると、薄膜圧電体１３が面内方向に伸縮運動し、この運動を用いてアクチュエータ等に用いられる。

第１の基体３には、例えば酸化マグネシア（ＭｇＯ）を材料とする単結晶基板等を用いることができる。第１の電極金属膜１１及び第２の電極金属膜１５には、例えばＰｔやＩｒ等の導電性材料を用いることができる。第１の電極金属膜１１及び第２の電極金属膜１５の成膜方法には、例えばスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の方法を用いることができる。薄膜圧電体１３には、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の圧電材料を用いることができる。薄膜圧電体１３の成膜方法には、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。

工程（２）
次に、第１の基体３を除去する（図１（ｃ）参照）。この工程では、工程（１）にて得られた構造体ＳＡを第１の基体３をエッチングすることができるエッチング液に浸すことで、構造体ＳＡから第１の基体３をエッチングにより除去する。これにより、複数の薄膜圧電体素子１が第２の基体５に接着された構造体ＳＢが形成されることとなる。

使用するエッチング液としては、第１の基体３にＭｇＯの単結晶基板を用いる場合、燐酸水溶液（燐酸の濃度が、例えば３０％程度である）が好ましい。また、エッチング速度を速くするために、燐酸水溶液を予め８０℃程度に加熱しておくことが好ましい。なお、各薄膜圧電体素子１をエッチング液から保護するために、樹脂等にてコーティングしてもよい。

工程（３）
次に、工程（２）にて得られた構造体ＳＢの第２の基体５を薄膜圧電体素子１毎に切断する（図２（ａ）参照）。これにより、構造体ＳＢは、第２の基体５に１つの薄膜圧電体素子１が接着された構造体ＳＣに分離されることとなる。第２の基体５の切断には、ダイシング技術等を用いることができる。

工程（４）
次に、工程（３）にて得られた構造体ＳＣの薄膜圧電体素子１と所定の部材との少なくとも一方に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤９を塗布し、所定の部材１０の上に第２の接着剤９を介して構造体ＳＣを搭載する（図２（ｂ）参照）。第２の接着剤９には、紫外線硬化性を有する接着剤や、紫外線硬化性及び熱硬化性を有する接着剤を用いることができる。本実施形態では、第２の接着剤９として紫外線硬化性及び熱硬化性を有する接着剤を用いた例を説明する。

次に、第２の基体５を除去する。ここでは、所定の部材１０の上に第２の接着剤９を介して構造体ＳＣを搭載した状態で、紫外線ＵＶを照射する（同じく、図２（ｂ）参照）。照射された紫外線ＵＶは、第２の基体５を透過し、第１の接着剤７に入射する。これにより、第１の接着剤７が剥離することとなり、第２の基体５が除去される（図２（ｃ）参照）。一方、照射された紫外線ＵＶの一部は第２の接着剤９にも入射し、第２の接着剤９が仮硬化することとなる。

次に、薄膜圧電体素子１が仮接着された所定の部材１０を加熱し、第２の接着剤９を本硬化させる。これにより、所定の部材１０に薄膜圧電体素子１が接着されることとなる。

以上のように、本第１実施形態においては、第１の基体３の上に形成された薄膜圧電体素子１が第１の接着剤７により第２の基体５に接着された後に、第１の基体３が除去される。そして、第２の基体５に接着された薄膜圧電体素子１が第２の接着剤９により所定の部材１０に接着される一方、紫外線ＵＶが照射されることにより第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる。薄膜圧電体素子１を所定の部材１０に接着する際には、第２の基体５が存在しており、薄膜圧電体素子１の機械的強度が第２の基体５により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子１が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体５は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。

また、本第１実施形態において、第２の接着剤９は紫外線硬化性及び熱硬化性を有しており、第２の基体５を除去する工程の後に、加熱により第２の接着剤９を硬化させている。これにより、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる際に第２の接着剤９が仮硬化し、その後の加熱により第２の接着剤９が本硬化することとなる。この結果、薄膜圧電体素子１を確実に所定の部材１０に接着することができる。

なお、第２の接着剤９として紫外線硬化性を有する接着剤を用いる場合には、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる際に、第２の接着剤９が硬化することとなる。この結果、第２の接着剤９を硬化させる工程を新たに設ける必要がなく、工程の簡素化を図ることができる。

（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法について説明する。まず、本実施形態に係る接着方法が適用されるハードディスク装置の構成について説明する。

図３は、本実施形態のハードディスク装置を示す概略構成図である。ハードディスク装置ＨＤＤは、筐体ＣＨ内に、記録媒体としてのハードディスクＨＤと、これに磁気情報を記録及び再生するヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）２０とを備えている。ハードディスクＨＤは、図示を省略するモータによって回転させられる。更に、ハードディスク装置ＨＤＤには、ハードディスクＨＤへの情報の記録及び再生等の各種制御を行う制御部ＣＵ、及び、薄膜磁気ヘッドをハードディスクＨＤの上から退避させておくためのランプ機構Ｒが内蔵されている。

ヘッドスタックアセンブリ２０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により支軸２１周りに回転自在に支持されたアクチュエータアーム２２と、このアクチュエータアーム２２に接続されたヘッドジンバルアセンブリ（以下、「ＨＧＡ」と称す）３０とから構成される組立て体を、図の奥行き方向に複数個積層したものである。ＨＧＡ３０には、ハードディスクＨＤに対向するようにヘッドスライダ３２が取り付けられている。

ＨＧＡ３０は、薄膜磁気ヘッド３１を２段階で変動させる形式を採用しており、この形式を実現するために、薄膜圧電体素子としての薄膜圧電アクチュエータ７０が設けられている。薄膜圧電アクチュエータ７０は、ヘッドスライダ３２を支持ビーム部５０に対して相対的に変位させるものである。薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるサスペンション４０及びアクチュエータアーム２２の全体の駆動で制御し、微小な移動は薄膜圧電アクチュエータ７０によるヘッドスライダ３２の駆動により制御する。

支持ビーム部５０は、ベースプレート５１と、これに張り付けられた連結板５２と、ロードビーム５３とを備えている。図５に示すように、連結板５２は、ベースプレートよりも薄く且つ柔軟性が高くなっており、側方に突出した長方形状の突出部５２ａと、互いに離隔して延びる一対の連結片５２ｂ，５２ｂとが形成されている。各連結片５２ｂ，５２ｂには、ロードビーム５３が揺動自在に連結されている。ロードビーム５３の先端には、ヘッドスライダ３２がランプ機構Ｒに退避している際にスロープに乗り上がるタブ５３ａが形成されている。尚、ベースプレート５１におけるロードビーム５３が設けられた側の反対側が、アクチュエータアーム２２に接続される側である。また、連結板５２とロードビーム５３とは一体的に形成してもよい。

フレクシャ６０は、ポリイミド等で形成された可撓性の配線基板６１を有しており、この底面にはステンレス鋼等によって形成された薄板（図示略）が部分的に張り付けられている。フレクシャ６０は、レーザスポット溶接によって支持ビーム部５０に接着されている。配線基板６１は、その後端側にパッド搭載領域６１ａを有している。パッド搭載領域６１ａは、連結板５２の突出部５２ａの上に敷かれる形になる。

フレクシャ６０のパッド搭載領域６１ａには、記録用の電極６２ｂ，６３ｂ、薄膜圧電アクチュエータ用の電極６４ｂ〜６６ｂ、再生用の電極６７ｂ，６８ｂが搭載されている。一方、図６の拡大図に示すように、フレクシャ６０の先端側には、４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａが配列されている。また、フレクシャ６０の４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａの後方には、３つの電極６４ａ〜６６ａが配列されている。電極６２ａ〜６８ａと電極６２ｂ〜６８ｂは、それぞれ配線６２ｃ〜６８ｃで電気的に接続されている。各配線６２ｃ〜６８ｃは、実際は絶縁膜で覆われている。なお、配線基板６１上の配線６２ｃ〜６８ｃは、例えばめっき法等の成膜技術によって形成することができる。

電極６２ａ，６３ａはヘッドスライダ３２の記録パッド３３，３４にそれぞれ接続され、電極６７ａ，６８ａは再生パッド３５，３６にそれぞれ接続される。これらの電極同士の接続には、図４に示すようにゴールドボールボンディングが用いられる。

ここで、図６及び図７を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の詳細について説明する。薄膜圧電アクチュエータ７０は、伸縮方向が互いに異なるように構成された第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂを有している。各領域７０ａ，７０ｂは、ＰＺＴ等の薄膜の圧電素子で構成されており、その周囲は樹脂コーティングされている。尚、薄膜の圧電素子には、厚膜の素子と比較して、軽量、振動に対する周波数特性が良好、設置場所の幅が広い、低電圧で制御可能という様々な利点がある。

第１領域７０ａと第２領域７０ｂは、根元付近は樹脂によって一体化されているが、先細りになる先端側は互いに離間している。第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの外側の各辺は並行になっており、対向する内側の辺が外に広がっている。更に、薄膜圧電アクチュエータ７０の図中底面側には、それぞれ所定の駆動電圧が印加される電極７１ａ，７１ｂ、グランド電位にされる電極７１ｃが設けられている。そして、これらの電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、直接的に、又は、導電部材を介して間接的に、フレクシャ６０上の電極６６ａ，６４ａ，６５ａに電気的に接続される。

薄膜圧電アクチュエータ７０の電極７１ａ〜７１ｃ付近の根元領域は、フレクシャ６０の配線基板６１に接着される。一方、この根元領域よりも先端側の領域は、フレクシャ６０の開口領域に位置するため、ロードビーム５３と対面する形になる。

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図７に示されるように、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂが積層配置された２層構造を有している。図から見て上部に位置する第１の薄膜圧電体１３ａの上側および下側には、第１の電極金属膜１２ａと第２の電極金属膜１２ｂが形成されている。同様に第２の薄膜圧電体１３ｂは、第１の薄膜圧電体１３ａの下部に配置され、その両面には第３の電極金属膜１２ｃと第４の電極金属膜１２ｄとが設けられている。第２の電極金属膜１２ｂと第３の電極金属膜１２ｃとは接着剤１９で接着されている。

第１の電極金属膜１２ａ及び第４の電極金属膜１２ｄは、電極７１ａに電気的に接続されている。第２の電極金属膜１２ｂと第３の電極金属膜１２ｃとは、電極７１ｃに電気的に接続されている。電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂをそれぞれ駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図７に示されるように、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは矢印Ａ２方向に伸長する。

本実施形態のサスペンション４０は、薄膜圧電アクチュエータ７０の変位をヘッドスライダ３２に伝達する伝達板８０を有している。伝達板８０は、例えばステンレス鋼等によって形成され、幅方向に延びる帯状の後部８３と、幅細で長尺の連結部８４を介して後部８３に接続された前部８５とを有している。前部８５の両側には、細長で後部８３に向かって平行に延在する可撓性のアーム部８６，８７が形成されている。

以上がＨＧＡ３０の各要素の構成である。次に、このようなＨＧＡ３０の組立て過程の一例を説明する。

まず、図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｃ）を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の製造過程について説明する。図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｃ）は、薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。薄膜圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（５）に従って行う。

工程（１）
第１の基体３上に第１の電極金属膜１２ａ、第１の薄膜圧電体１３ａ、及び第２の電極金属膜１２ｂを形成する（図８（ａ）参照）。また、第１の基体３上に第３の電極金属膜１２ｃ、第２の薄膜圧電体１３ｂ、及び第４の電極金属膜１２ｄを形成する（図８（ｂ）参照）。第１〜第４の電極金属膜１２ａ〜１２ｄ、第１の薄膜圧電体１３ａ、及び第２の電極金属膜１２ｂの形成方法は、第１実施形態の工程（１）にて説明した方法と同じである。

工程（２）
次に、第２の電極金属膜１２ｂと第４の電極金属膜１２ｃを接着剤１９で接着する（図８（ｃ）参照）。

工程（３）
次に、一方の第１の基体３を除去する（図９（ａ）参照）。第１の基体３の除去方法は、第１実施形態の工程（２）における除去方法と同じである。

工程（４）
次に、２層構造の第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の電極金属膜１２ｂを薄膜圧電アクチュエータ７０の形状になるようにドライエッチングで成形加工する（図９（ｂ）参照）。

工程（５）
次に、薄膜圧電アクチュエータ７０の腐食を回避するために、第１の基体３上において、表面をコーティング樹脂７３で覆う（図９（ｃ）参照）。その後、電極７１ａ〜７１ｃ（図示略）を形成する。

これらの工程（１）〜（５）により、薄膜圧電アクチュエータ７０が第１の基体３の上に形成されることとなる。なお、図示は省略するが、薄膜圧電アクチュエータ７０は、第１の基体３の上に複数形成されている。

続いて、ＨＧＡ３０の組立て過程を説明する。

まず、フレクシャ６０をレーザスポット溶接にてロードビーム５３に接着する。次に、薄膜圧電アクチュエータ７０の根元付近をフレクシャ６０に接着する。ここで、薄膜圧電アクチュエータ７０のフレクシャ６０への接着は、以下の工程（１）〜（４）に従って行う。

工程（１）
第１の基体３の上に形成された各薄膜圧電アクチュエータ７０と第２の基体５とを第１の接着剤７により接着する（図１０（ａ）参照）。

工程（２）
次に、第１の基体３を除去する（図１０（ｂ）参照）。第１の基体３の除去方法は、第１実施形態の工程（２）における除去方法と同じである。

工程（３）
次に、複数の薄膜圧電アクチュエータ７０が接着された第２の基体５を薄膜圧電体素子１毎に切断する（図１０（ｃ）参照）。第２の基体５の切断方法は、第１実施形態の工程（３）における切断方法と同じである。

工程（４）
切断された第２の基体５に接着されている薄膜圧電アクチュエータ７０とフレクシャ６０との少なくとも一方に第２の接着剤９を塗布し、フレクシャ６０の上に第２の接着剤９を介して薄膜圧電アクチュエータ７０（第２の基体５）を搭載する（図１１（ａ）参照）。

次に、フレクシャ６０の上に第２の接着剤９を介して薄膜圧電アクチュエータ７０（第２の基体５）を搭載した状態で、紫外線ＵＶを照射する。これにより、第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる（図１１（ｂ）参照）。一方、照射された紫外線ＵＶの一部は第２の接着剤９にも入射し、第２の接着剤９が仮硬化することとなる。

次に、薄膜圧電アクチュエータ７０が仮接着されたフレクシャ６０を加熱し、第２の接着剤９を本硬化させる。これにより、フレクシャ６０に薄膜圧電アクチュエータ７０が接着されることとなる。この際、薄膜圧電アクチュエータ７０の底面の電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃ（図示略）と電極６５ａ，６６ａ，６４ａ（図示略）を電気的に接続し、薄膜圧電アクチュエータ７０への配電ラインを確立する。薄膜圧電アクチュエータ７０は、電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃと電極６６ａ，６４ａ，６５ａとを接続することにより、フレクシャ６０に固定される。すなわち、薄膜圧電アクチュエータ７０は、電極７１ａ〜７１ｃ（電極６４ａ〜６６ａ）の位置でのみフレクシャ６０に接続され、ロードビーム５３から浮いた状態となっている。

再び、ＨＧＡの組立て過程の説明に戻る。フレクシャ６０に薄膜圧電アクチュエータ７０を接着すると、薄膜圧電アクチュエータ７０及びフレクシャ６０に対して伝達板８０を位置決め固定する。この際、図６中のポイントＸにおいて、伝達板８０の後部８３と薄膜圧電アクチュエータ７０を接着剤等で接着する。また、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分をそれぞれ対応するアーム部８６，８７に接着剤等で接着する。これにより、本実施形態のサスペンション４０が得られる。次いで、伝達板８０の前部８５にヘッドスライダ３２を接着することにより、ＨＧＡ３０が得られる。

更に、このようにして得られたＨＧＡ３０にアクチュエータアーム２２を連結してヘッドスタックアセンブリ２０を構成し、これをハードディスクＨＤ上に移動可能に組み立てることで、本実施形態のハードディスク装置ＨＤＤを作製することができる。

以上のように、本第２実施形態においては、第１の基体３の上に形成された薄膜圧電アクチュエータ７０が第１の接着剤７により第２の基体５に接着された後に、第１の基体３が除去される。そして、第２の基体５に接着された薄膜圧電アクチュエータ７０が第２の接着剤９によりサスペンション４０の所定の部材（フレクシャ６０）に接着される一方、紫外線ＵＶが照射されることにより第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる。薄膜圧電アクチュエータ７０をフレクシャ６０に接着する際には、第２の基体５が存在しており、薄膜圧電アクチュエータ７０の機械的強度が第２の基体５により保たれる。これにより、薄膜圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体５は、紫外線ＵＶを照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。

なお、ＨＧＡ３０の組立て手順は上記のものに限られず、次のような変形例も実施することができる。例えば、伝達板８０にヘッドスライダ３２を搭載した後に、これをフレクシャ６０に接着された薄膜圧電アクチュエータ７０に接続するという手順である。また、ヘッドスライダ３２、伝達板８０、及び薄膜圧電アクチュエータ７０を一体に組み立てた後に、これをフレクシャ６０上に載せてもよい。あるいは、伝達板８０及び薄膜圧電アクチュエータ７０を一体に組み立てたものをフレクシャ６０上に搭載し、伝達板８０にヘッドスライダ３２を載せてもよい。フレクシャ６０への搭載前に伝達板８０と薄膜圧電アクチュエータ７０とを接着する場合、当該接着の方法は、上述した薄膜圧電アクチュエータ７０をフレクシャ６０に接着する方法（工程（１）〜（４））においてフレクシャ６０を伝達板８０に置き換えることにより実現できる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、薄膜圧電体素子１及び薄膜圧電アクチュエータ７０の構成は、上述した層構成に限られるものではない。また、第２の接着剤９は、紫外線硬化性を有する接着剤以外の接着剤でもよい。紫外線硬化性を有する接着剤以外の接着剤を用いる場合、薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）の位置ズレ等を防ぐために、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる前に第２の接着剤９を硬化あるいは仮硬化させておくことが好ましい。

また、本実施形態においては、第１の基体３の上に複数の薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）を形成しているので、第２の基体５を薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）毎に切断している。しかしながら、第１の基体３の上に１個の薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）を形成する場合は、必ずしも第２の基体５を切断する必要はない。

また、第１実施形態における第１及び第２の電極金属膜１１，１５、及び、第２実施形態における第１〜第４の電極金属膜１２ａ〜１２ｄの代わりに、ＩｒＯといった導電性酸化物や導電性樹脂等の導電性材料からなる電極膜を形成するようにしてもよい。また、第２実施形態において、伝達板８０を設けることなく、ヘッドスライダ３２を薄膜圧電アクチュエータ７０に直接搭載するように構成してもよい。更に、記録媒体に対して記録及び再生の双方を行う薄膜磁気ヘッドに代えて、記録又は再生の一方のみを行う薄膜磁気ヘッドを用いてもよい。

（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。 第２実施形態のハードディスク装置を示す図である。 第２実施形態のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を示す斜視図である。 図４に示したＨＧＡの分解斜視図である。 図４に示したＨＧＡのフレクシャ先端付近の分解斜視図である。 図４に示した薄膜圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの接着方法を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの接着方法を説明するための図である。

符号の説明

１…薄膜圧電体素子、３…第１の基体、５…第２の基体、７…第１の接着剤、９…第２の接着剤、１０…所定の部材、２０…ヘッドスタックアセンブリ、３１…薄膜磁気ヘッド、３２…ヘッドスライダ、３０…ヘッドジンバルアセンブリ、４０…サスペンション、５０…支持ビーム部、６０…フレクシャ、７０…薄膜圧電アクチュエータ、８０…伝達板、ＨＤＤ…ハードディスク装置、ＵＶ…紫外線。

Claims (6)

1. 薄膜圧電体素子を所定の部材に接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、
   薄膜圧電体素子が複数形成された第１の基体を用意する工程と、
   前記第１の基体の上に形成された前記各薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、
   前記第２の基体に接着する前記工程の後に、前記第１の基体を除去する工程と、
   前記第１の基体を除去する前記工程の後に、前記第２の基体に接着された前記薄膜圧電体素子を前記所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して前記第２の基体を除去する工程と、
   前記所定の部材に接着する前記工程の前に、前記薄膜圧電体素子毎に前記第２の基体を切断する工程と、を備えることを特徴とする薄膜圧電体素子の接着方法。
2. 前記第２の接着剤は、紫外線硬化性を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電体素子の接着方法。
3. 前記第２の接着剤は、紫外線硬化性及び熱硬化性を有し、
   前記第２の基体を除去する前記工程の後に、加熱して前記第２の接着剤を硬化させる工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電体素子の接着方法。
4. 薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションに薄膜圧電体素子を接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、
   薄膜圧電体素子が複数形成された第１の基体を用意する工程と、
   前記第１の基体の上に形成された前記各薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、
   前記第２の基体に接着する前記工程の後に、前記第１の基体を除去する工程と、
   前記第１の基体を除去する前記工程の後に、前記第２の基体に接着された前記薄膜圧電体素子を前記サスペンションの所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して前記第２の基体を除去する工程と、
   前記所定の部材に接着する前記工程の前に、前記薄膜圧電体素子毎に前記第２の基体を切断する工程と、を備えることを特徴とする薄膜圧電体素子の接着方法。
5. 前記第２の接着剤は、紫外線硬化性を有することを特徴とする請求項４に記載の薄膜圧電体素子の接着方法。
6. 前記第２の接着剤は、紫外線硬化性及び熱硬化性を有し、
   前記第２の基体を除去する前記工程の後に、加熱して前記第２の接着剤を硬化させる工程を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜圧電体素子の接着方法。
   

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