JP5913038B2 - 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
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前記感圧ダイヤフラム、前記感圧ダイヤフラムの周囲に広がる接合領域、および前記接合領域内に形成された前記段差部を備える第1シリコン基板と、前記固定電極となる第2シリコン基板と、を用意し、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間に高さ方向への間隔を空けた状態で、絶縁層を介して前記接合領域と前記固定電極とを接合する工程と、
前記感圧ダイヤフラムと、前記接合領域のうち前記接合部および前記配線層と、を残して、前記接合領域の不要部分を除去する工程と、
前記配線層の表面に、前記段差部に平面視で重なるように前記第1電極パッドを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
図1は、第1の実施形態における静電容量型圧力センサの斜視図である。図2は、図1に示すA−A線に沿って切断した断面略図である。図3は、図1に示すB−B線に沿って切断した断面略図である。
感圧ダイヤフラム14に高さ方向(Z)から圧力が作用すると、感圧ダイヤフラム14が高さ方向に変位する。これにより感圧ダイヤフラム14と固定電極12との間の静電容量が変化する。したがって静電容量変化に基づいて圧力を検知することが可能である。
図6は、第1の実施形態の第1の変形例の静電容量型圧力センサの斜視図である。図7は、図6に示すC−C線に沿って切断した断面略図である。本変形例は、図6および図7に示すように、段差部21の全体が、配線層24の先端部24aに完全に覆われている場合である。
図8は、第1の実施形態の第2の変形例の静電容量型圧力センサの断面略図である。本変形例においては、図8に示すように、段差部21が絶縁層13のみで形成されている。すなわち、図2に示す空間部21aが、段差部21に形成されていない。
図9は、第2の実施形態における静電容量型圧力センサの断面略図である。本実施形態の静電容量型圧力センサは、図9に示すように、段差部21に接合された第2シリコン基板40に、窪み部12bが形成されている。そして、窪み部12bは、段差部21と平面視で重なると共に、段差部21と対向するように形成されている。
図10は、第3の実施形態における静電容量型圧力センサの裏面斜視図である。裏面斜視図とは、静電容量型圧力センサを裏側から見た斜視図のことである。図11は、図10に示すD−D線に沿って切断した断面略図である。
11 可動電極
11a、12a 外周側面
12 固定電極
12b 窪み部
13 絶縁層
14 感圧ダイヤフラム
14a 対向面
15 間隔
16 接合部
17 薄肉部
17a 側壁面
18 凸部
20、11b 延出表面
21 段差部
21a 空間部
22 第1端子部
23 第2端子部
24 配線層
25 第1電極パッド
26 分離層
27 コンタクトホール
28 第2電極パッド
30 第1シリコン基板
32 凹部
40 第2シリコン基板
Claims (8)
- シリコン基板からなる可動電極及び固定電極と、両電極間を接合する絶縁層と、を有して構成され、
前記可動電極は、前記固定電極との間に高さ方向への間隔を有して変位が可能な感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に位置し、前記固定電極と前記絶縁層を介して接合される接合部と、を有するとともに、前記シリコン基板上には前記固定電極もしくは前記可動電極から引き出される配線層と、前記配線層に設けられ前記配線層と電気的に接続される第1電極パッドと、前記配線層と前記固定電極もしくは前記可動電極との間の間隔が前記絶縁層の厚さより大きくなるように形成された絶縁性の段差部と、が備えられ、前記第1電極パッドが前記段差部に平面視で重なるように配置され、前記段差部が、前記シリコン基板と前記絶縁層との間に設けられた空間部を有することを特徴とする静電容量型圧力センサ。 - 前記段差部が、平面視で、前記第1電極パッドより面積が大きいことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記絶縁層が、SiO 2 であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記シリコン基板が、前記段差部に沿って形成された断面U字形状もしくは断面L字形状を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記空間部が真空封止されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記段差部に接合された前記シリコン基板に、前記段差部と平面視で重なると共に、前記段差部と対向するように窪み部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサ。
- シリコン基板からなる可動電極及び固定電極と、両電極間を接合する絶縁層と、を有して構成され、前記可動電極は、前記固定電極との間に高さ方向への間隔を有して変位が可能な感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に位置し、前記固定電極と前記絶縁層を介して接合される接合部と、を有し、前記固定電極もしくは前記可動電極から引き出される配線層と、前記配線層に設けられ前記配線層と電気的に接続される第1電極パッドと、前記配線層と前記固定電極もしくは前記可動電極かとの間の間隔が前記絶縁層の厚さより大きくなるように形成された絶縁性の段差部と、が備えられ、前記第1電極パッドが前記段差部に平面視で重なるように配置される静電容量型圧力センサの製造方法であって、
前記感圧ダイヤフラム、前記感圧ダイヤフラムの周囲に広がる接合領域、および前記接合領域内に形成された前記段差部を備える第1シリコン基板と、前記固定電極となる第2シリコン基板と、を用意し、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間に高さ方向への間隔を空けた状態で、絶縁層を介して前記接合領域と前記固定電極とを接合する工程と、
前記感圧ダイヤフラムと、前記接合領域のうち前記接合部および前記配線層と、を残して、前記接合領域の不要部分を除去する工程と、
前記配線層の表面に、前記段差部に平面視で重なるように前記第1電極パッドを形成する工程と、
を有することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。 - 前記接合領域と前記固定電極とを接合する工程の前に、前記第1シリコン基板の表面を除去した凹部を形成し、さらに前記凹部が形成された前記第1シリコン基板の表面を熱酸化し、前記段差部とする工程、
を有する請求項7に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
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Family Applications (1)
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