JP5695741B2 - 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記可動電極は、前記固定電極との間に高さ方向への間隔を有して変位が可能な感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に位置し、前記固定電極と前記絶縁層を介して接合される周縁部と、を有し、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間の静電容量変化に基づき圧力検知が可能とされており、
前記可動電極は前記固定電極の外周側面よりも内側に形成されており、前記絶縁層は、前記周縁部と前記周縁部に前記高さ方向で対向する前記固定電極との間から前記可動電極の外側に位置する前記固定電極の表面であって、少なくとも前記可動電極の周囲全周にはみ出して形成されており、
前記周縁部の内側に位置する前記感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムと前記高さ方向で対向する前記固定電極との間には前記絶縁層が形成されておらず、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極とが前記高さ方向で前記間隔を空けて対向している静電容量型圧力センサであって、
前記感圧ダイヤフラムは、前記周縁部よりも前記固定電極との対向面が前記固定電極から離れる方向に凹む薄肉部を有しており、前記薄肉部と前記周縁部との間の側壁面から前記周縁部と前記固定電極間にかけて前記絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。
感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に広がる接合領域とを備える第1シリコン基板と、固定電極となる第2シリコン基板とを用意し、前記接合領域と前記接合領域に高さ方向で対向する前記固定電極との間を、前記第1シリコン基板の表面を熱酸化して形成した絶縁層を介してシリコンフュージョンボンディングにより接合するとともに、前記接合領域の内側に位置する前記感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムに前記高さ方向で対向する前記固定電極との間には前記絶縁層を形成しないで、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間に前記高さ方向への間隔を空ける工程、
前記感圧ダイヤフラム及び、前記接合領域のうち前記感圧ダイヤフラムの周縁部を、前記固定電極の外周側面よりも内側に残した状態で、前記接合領域の不要部分を除去し、このとき、前記感圧ダイヤフラム及び前記周縁部からなる前記可動電極の外側に位置する前記固定電極の表面であって前記可動電極の周囲全周にまではみ出すように前記絶縁層を残す工程、
を有する静電容量型圧力センサの製造方法であって、
前記感圧ダイヤフラムに、前記第1シリコン基板の表面を除去して凹ませた薄肉部を形成する工程、
前記第1シリコン基板の表面を熱酸化した後、前記薄肉部と前記周縁部との間の側壁面に熱酸化による前記絶縁層が残るように、前記感圧ダイヤフラムの凹み表面の前記絶縁層を除去する工程、
をさらに有することを特徴とするものである。
前記第1シリコン基板の表面を熱酸化した後、前記薄肉部と前記周縁部との間の側壁面に熱酸化による前記絶縁層が残るように、前記感圧ダイヤフラムの凹み表面の前記絶縁層を除去する工程、
をさらに有する。
前記第1シリコン基板の不要部分を除去する工程の前後であって、前記第1シリコン基板と前記第2シリコン基板とを前記絶縁層を介して接合した工程以後に、前記分離層の位置に、前記分離層及び前記絶縁層を貫通して前記第2シリコン基板からなる前記固定電極の表面にまで通じるコンタクトホールを形成する工程、
前記引き出し配線層の表面及び前記コンタクトホール内に電極パッドを形成する工程、
を有することが好ましい。
図8の工程では、図7のレジスト層35を除去した後、図7の第1シリコン基板30をひっくり返し、第1シリコン基板30の凹部32及び絶縁層13が形成された側を固定電極12となる第2シリコン基板40上に当接させる。そして両シリコン基板30,40間をシリコンフュージョンボンディングにより接合する。シリコンフュージョンボンディングはシリコン直接接合の一種であり、例えば熱酸化による絶縁層13を備える第1シリコン基板30と、シリコン基板40とを水素結合により貼り合わせた後、加熱処理してSi−O−Siにより接合する技術である。熱処理温度としては、700〜1100℃程度で、熱処理時間は、1時間以上とする。
その実験結果を下記の表1に示す。
11 可動電極
12 固定電極
13、33、53 絶縁層
14、50 感圧ダイヤフラム
15 間隔
16 周縁部
17、50a 薄肉部
17a 側壁面
18、50b 凸部
20 延出表面
22、23 端子部
24 引き出し配線層
25、28 電極パッド
26 分離層
27 コンタクトホール
30 第1シリコン基板
31、35、41、42 レジスト層
32 凹部
40 第2シリコン基板
Claims (10)
- シリコンからなる可動電極及び固定電極と、両電極間を接合する絶縁層と、を有して構成され、
前記可動電極は、前記固定電極との間に高さ方向への間隔を有して変位が可能な感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に位置し、前記固定電極と前記絶縁層を介して接合される周縁部と、を有し、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間の静電容量変化に基づき圧力検知が可能とされており、
前記可動電極は前記固定電極の外周側面よりも内側に形成されており、前記絶縁層は、前記周縁部と前記周縁部に前記高さ方向で対向する前記固定電極との間から前記可動電極の外側に位置する前記固定電極の表面であって、少なくとも前記可動電極の周囲全周にはみ出して形成されており、
前記周縁部の内側に位置する前記感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムと前記高さ方向で対向する前記固定電極との間には前記絶縁層が形成されておらず、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極とが前記高さ方向で前記間隔を空けて対向している静電容量型圧力センサであって、
前記感圧ダイヤフラムは、前記周縁部よりも前記固定電極との対向面が前記固定電極から離れる方向に凹む薄肉部を有しており、前記薄肉部と前記周縁部との間の側壁面から前記周縁部と前記固定電極間にかけて前記絶縁層が形成されていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 - 前記絶縁層は、前記周縁部と前記固定電極との間から、前記固定電極の外周側面と前記可動電極の周囲との間に位置する前記固定電極の延出表面の全域にかけて形成される請求項1記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記感圧ダイヤフラムの前記固定電極との対向面には、前記薄肉部の平面方向の内側に位置し前記固定電極に近づく方向に突出する凸部が形成されている請求項1又は2に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記固定電極の表面には、前記可動電極とともに第1端子部及び第2端子部が設けられ、前記第1端子部は、前記可動電極の前記周縁部から一体に引き出されたシリコンからなる部分を備えて前記固定電極と前記絶縁層を介して形成されており、前記第2端子部は、前記可動電極から分離され前記固定電極と前記絶縁層を介して形成されたシリコンからなる分離層と、前記分離層及び前記絶縁層を貫通し前記固定電極の表面に通じるコンタクトホール内に設けられ前記固定電極と電気的に接続される電極パッドとを備えて形成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサ。
- 前記絶縁層は、前記可動電極を構成するシリコンの表面を熱酸化したものである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサ。
- シリコンからなる可動電極及び固定電極と、両電極間を接合する絶縁層と、を有して構成され、
前記可動電極は、前記固定電極との間に高さ方向への間隔を有して変位が可能な感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に位置し、前記固定電極と前記絶縁層を介して接合される周縁部と、を有し、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間の静電容量変化に基づき圧力検知が可能とされており、
前記可動電極は前記固定電極の外周側面よりも内側に形成されており、前記絶縁層は、前記周縁部と前記周縁部に前記高さ方向で対向する前記固定電極との間から前記可動電極の外側に位置する前記固定電極の表面であって、少なくとも前記可動電極の周囲全周にはみ出して形成されており、
前記周縁部の内側に位置する前記感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムと前記高さ方向で対向する前記固定電極との間には前記絶縁層が形成されておらず、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極とが前記高さ方向で前記間隔を空けて対向している静電容量型圧力センサであって、
前記固定電極の表面には、前記可動電極とともに第1端子部及び第2端子部が設けられ、前記第1端子部は、前記可動電極の前記周縁部から一体に引き出されたシリコンからなる部分を備えて前記固定電極と前記絶縁層を介して形成されており、前記第2端子部は、前記可動電極から分離され前記固定電極と前記絶縁層を介して形成されたシリコンからなる分離層と、前記分離層及び前記絶縁層を貫通し前記固定電極の表面に通じるコンタクトホール内に設けられ前記固定電極と電気的に接続される電極パッドとを備えて形成されることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 - 感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムの周囲に広がる接合領域とを備える第1シリコン基板と、固定電極となる第2シリコン基板とを用意し、前記接合領域と前記接合領域に高さ方向で対向する前記固定電極との間を、前記第1シリコン基板の表面を熱酸化して形成した絶縁層を介してシリコンフュージョンボンディングにより接合するとともに、前記接合領域の内側に位置する前記感圧ダイヤフラムと、前記感圧ダイヤフラムに前記高さ方向で対向する前記固定電極との間には前記絶縁層を形成しないで、前記感圧ダイヤフラムと前記固定電極との間に前記高さ方向への間隔を空ける工程、
前記感圧ダイヤフラム及び、前記接合領域のうち前記感圧ダイヤフラムの周縁部を、前記固定電極の外周側面よりも内側に残した状態で、前記接合領域の不要部分を除去し、このとき、前記感圧ダイヤフラム及び前記周縁部からなる前記可動電極の外側に位置する前記固定電極の表面であって前記可動電極の周囲全周にまではみ出すように前記絶縁層を残す工程、
を有する静電容量型圧力センサの製造方法であって、
前記感圧ダイヤフラムに、前記第1シリコン基板の表面を除去して凹ませた薄肉部を形成する工程、
前記第1シリコン基板の表面を熱酸化した後、前記薄肉部と前記周縁部との間の側壁面に熱酸化による前記絶縁層が残るように、前記感圧ダイヤフラムの凹み表面の前記絶縁層を除去する工程、
をさらに有することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。 - 前記絶縁層を、前記固定電極の外周側面と前記可動電極の周囲との間に位置する前記固定電極の延出表面の全域に残す請求項7記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
- 前記薄肉部を形成する際、前記薄肉部よりも平面方向の内側に前記凹み表面から突出する凸部を残す請求項7又は8記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
- 前記第1シリコン基板の不要部分を除去する際、前記可動電極とともに、前記固定電極の表面に、前記可動電極の前記周縁部から一体となって引き出された引き出し配線層と、前記可動電極から分離された分離層とを残し、
前記第1シリコン基板の不要部分を除去する工程の前後であって、前記第1シリコン基板と前記第2シリコン基板とを前記絶縁層を介して接合した工程以後に、前記分離層の位置に、前記分離層及び前記絶縁層を貫通して前記第2シリコン基板からなる前記固定電極の表面にまで通じるコンタクトホールを形成する工程、
前記引き出し配線層の表面及び前記コンタクトホール内に電極パッドを形成する工程、
を有する請求項7ないし9のいずれか1項に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。
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