JP2006047279A - ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ - Google Patents
ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006047279A JP2006047279A JP2005125476A JP2005125476A JP2006047279A JP 2006047279 A JP2006047279 A JP 2006047279A JP 2005125476 A JP2005125476 A JP 2005125476A JP 2005125476 A JP2005125476 A JP 2005125476A JP 2006047279 A JP2006047279 A JP 2006047279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- silicon
- pressure
- electrode
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Abstract
【解決手段】ガラス基板11は、互いに対向する一対の主面11a,11bを有する。ガラス基板11には、シリコンで構成された島状体12a,12bが埋設されている。島状体12a,12bは、ガラス基板11の両主面でそれぞれ露出している。ガラス基板11の主面11a上には、島状体12aの一方の露出部分と電気的に接続するように電極13aが形成されており、島状体12bの一方の露出部分と電気的に接続するように電極13bが形成されている。ガラス基板11の主面11b上には、島状体12aの他方の露出部分と電気的に接続するように電極14が形成されている。ガラス基板11の主面11b上には、感圧ダイヤフラム15aを有するシリコン基板15が接合されている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るガラス基板を備えた静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
図8は、本発明の実施の形態2に係るガラス基板を備えた静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。なお、図8において、図1と同じ部分については図1と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図1及び図8に示す本発明の静電容量型圧力センサ、並びに従来の静電容量型圧力センサの気密性について調べた。具体的には、図1及び図8に示す静電容量型圧力センサ、並びにガラス基板に穴を開けた後にその穴にめっきで金属を埋め込んで作製した従来の静電容量型圧力センサを準備し、それぞれを加圧チャンバ内に置き、内部の圧力を加圧した。そのときの感圧ダイヤフラムが可動するかどうかについて調べた。その結果、図1及び図8に示す静電容量型圧力センサは、加圧することにより感圧ダイヤフラムが作動し、その状態を保持した。このことから、ガラス基板11と島状体12aとの界面11c及びガラス基板11とシリコン基板15との界面11dで高い密着性を発揮しており、空間部15cの気密性に優れていることが分かった。一方、従来の静電容量型圧力センサは、加圧すると一旦感圧ダイヤフラムが作動してガラス基板11側に撓んだが、僅かな時間後に感圧ダイヤフラムは元の位置に戻ってしまった。このことから、ガラス基板と島状体での密着性が悪く、空間部の気密性に劣ることが分かった。
11a,11b 主面
11c,11d 界面
12,15 シリコン基板
12a,12b,21a〜21d 島状体
12c 角部
13a,13b,14,16a,16b,17 電極
15a 感圧ダイヤフラム
15b 側面
15c 空間部
15d テーパ面
15e 面
18 シリコン酸化膜
19,19a,19b 金属層
22 マスク
23 ダイシングブレード
Claims (9)
- 相互に対向する一対の主面を有するガラス基板本体と、前記一対の主面の両方で少なくとも一部が露出するように前記ガラス基板本体に埋設されたシリコン島状体と、を具備することを特徴とするガラス基板。
- 前記シリコン島状体は、前記ガラス基板本体の一方の主面において該一方の主面上に形成されたシリコン層により相互に導通されていることを特徴とする請求項1記載のガラス基板。
- 前記シリコン島状体は、前記ガラス基板本体の少なくとも一方の主面で露出するように埋め込まれた金属層を有することを特徴とする請求項1記載のガラス基板。
- 前記ガラス基板本体と前記シリコン島状体との界面においてSi−Si結合又はSi−O結合を有することを特徴とする請求項1記載のガラス基板。
- 請求項1記載のガラス基板と、前記シリコン島状体が露出した主面上に設けられ、前記シリコン島状体と電気的に接続された電極と、前記電極が形成された主面上に設けられたシリコン基板と、を具備し、前記シリコン基板は、前記電極と所定の間隔をおいて位置し被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラムを有し、前記電極と前記感圧ダイヤフラムとの間の静電容量の変化を圧力変化として検知することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
- シリコン基板の表面に島状体を形成する工程と、加熱下において前記島状体をガラス基板に押し込んで前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接合する工程と、前記ガラス基板の表面を研磨して前記島状体を前記ガラス基板の表面から露出させる工程と、を具備することを特徴とするガラス基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の表面にマスクを形成し、このマスクを用いて前記シリコン基板をサンドブラスト処理することにより前記島状体を形成することを特徴とする請求項6記載のガラス基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の表面をハーフダイシングすることにより前記島状体を形成することを特徴とする請求項6記載のガラス基板の製造方法。
- 請求項6記載の方法によりガラス基板を製造する工程と、前記ガラス基板の表面から露出した前記島状体と電気的に接続するように前記ガラス基板上に電極を形成する工程と、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラムを有するシリコン基板を、前記感圧ダイヤフラムが前記電極と所定の間隔をおいて位置するように、前記ガラス基板上に接合する工程と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005125476A JP2006047279A (ja) | 2004-07-02 | 2005-04-22 | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ |
TW094117918A TWI281446B (en) | 2004-07-02 | 2005-05-31 | Glass substrate and electrostatic capacity type pressure sensor using the same |
US11/168,249 US7535096B2 (en) | 2004-07-02 | 2005-06-27 | Glass substrate and capacitance-type pressure sensor using the same |
EP05254001A EP1612533A1 (en) | 2004-07-02 | 2005-06-28 | Glass substrate and capacitance-type pressure sensor using the same |
US11/880,345 US20070264742A1 (en) | 2004-07-02 | 2007-07-19 | Glass substrate and capacitance-type pressure sensor using the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004196341 | 2004-07-02 | ||
JP2005125476A JP2006047279A (ja) | 2004-07-02 | 2005-04-22 | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006047279A true JP2006047279A (ja) | 2006-02-16 |
Family
ID=34993302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005125476A Withdrawn JP2006047279A (ja) | 2004-07-02 | 2005-04-22 | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7535096B2 (ja) |
EP (1) | EP1612533A1 (ja) |
JP (1) | JP2006047279A (ja) |
TW (1) | TWI281446B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118789A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
WO2011118787A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
WO2011118788A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
WO2011118785A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008101917A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Alps Electric Co Ltd | 圧力センサのパッケージ |
US20130001550A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | Invensense, Inc. | Hermetically sealed mems device with a portion exposed to the environment with vertically integrated electronics |
US9219020B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-12-22 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device, wafer assembly and methods of manufacturing wafer assemblies and semiconductor devices |
US9837935B2 (en) * | 2013-10-29 | 2017-12-05 | Honeywell International Inc. | All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01288747A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-11-21 | Vaisala Oy | 圧力センサ構造およびその製造方法 |
JPH0533732B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1993-05-20 | Vaisala Oy | |
JPH10111203A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Fujikura Ltd | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001177011A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-06-29 | Fujitsu Ltd | 実装基板の製造方法及びそれにより製造された実装基板 |
JP2002134659A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 電子素子用基板とその製造方法並びに電子素子とその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5050034A (en) * | 1990-01-22 | 1991-09-17 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co. | Pressure sensor and method of manufacturing same |
DE4006108A1 (de) | 1990-02-27 | 1991-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum aufbau von mikromechanischen bauelementen in dickschichttechnik |
JP2772111B2 (ja) | 1990-04-27 | 1998-07-02 | 豊田工機株式会社 | 容量型圧力センサ |
DE10291877B4 (de) * | 2001-04-26 | 2009-01-02 | Advantest Corp. | Mikroschalter und Verfahren zum Herstellen eines Mikroschalters |
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005125476A patent/JP2006047279A/ja not_active Withdrawn
- 2005-05-31 TW TW094117918A patent/TWI281446B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-27 US US11/168,249 patent/US7535096B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-28 EP EP05254001A patent/EP1612533A1/en not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-07-19 US US11/880,345 patent/US20070264742A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0533732B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1993-05-20 | Vaisala Oy | |
JPH01288747A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-11-21 | Vaisala Oy | 圧力センサ構造およびその製造方法 |
JPH10111203A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Fujikura Ltd | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2001177011A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-06-29 | Fujitsu Ltd | 実装基板の製造方法及びそれにより製造された実装基板 |
JP2002134659A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 電子素子用基板とその製造方法並びに電子素子とその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118789A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
WO2011118787A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
WO2011118788A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
WO2011118785A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | パナソニック電工株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
JPWO2011118788A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
JPWO2011118787A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | ガラス埋込シリコン基板の製造方法 |
JP5684233B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-03-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
JP5789788B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-10-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | シリコン配線埋込ガラス基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1612533A1 (en) | 2006-01-04 |
TWI281446B (en) | 2007-05-21 |
US20060001128A1 (en) | 2006-01-05 |
US7535096B2 (en) | 2009-05-19 |
US20070264742A1 (en) | 2007-11-15 |
TW200609129A (en) | 2006-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4585426B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2006047279A (ja) | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ | |
JP2007199011A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
TWI289879B (en) | Method of fabricating pressure sensor | |
JP2008039593A (ja) | 静電容量型加速度センサ | |
KR20040101048A (ko) | 커패시턴스형 동적량 센서 및 그 제조 방법 | |
TWI278119B (en) | Electrostatic capacitive pressure sensor | |
JP2005321257A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2007127440A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2008039595A (ja) | 静電容量型加速度センサ | |
JP2007304019A (ja) | 静電容量型力学量センサ | |
JP4549085B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
JP2004191137A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP4628018B2 (ja) | 容量型力学量センサとその製造方法 | |
JP2007101282A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2006047300A (ja) | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ | |
JP2006214812A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH049770A (ja) | 半導体感歪センサ | |
JP2007163456A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2007198820A (ja) | 静電容量型物理量センサ及びその製造方法 | |
JP2007064920A (ja) | 静電容量型力学量センサ | |
JPH10284737A (ja) | 静電容量型半導体センサの製造方法 | |
JP2005055284A (ja) | タッチモード容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
JP5652733B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ、圧力測定装置、及び、静電容量型圧力センサの製造方法 | |
JP2006184184A (ja) | ガラス基板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070926 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090414 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110114 |