JPH0533732B2 - - Google Patents
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- JPH0533732B2 JPH0533732B2 JP60224995A JP22499585A JPH0533732B2 JP H0533732 B2 JPH0533732 B2 JP H0533732B2 JP 60224995 A JP60224995 A JP 60224995A JP 22499585 A JP22499585 A JP 22499585A JP H0533732 B2 JPH0533732 B2 JP H0533732B2
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- absolute pressure
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- pressure transducer
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- capacitive absolute
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は容量式絶対圧力変換器に関する。
［発明の技術的背景と問題点］
以下の刊行物は先行技術に関する引例である。
(1) サンダー（C.S.Sander）、クヌツチ（J.W.
Knutti）、メインドル（J.D.Meindl）による、
電子装置についてのIEEEの会報（IEEE
transaction on electron devices）ED−27巻
（1980）No.５ pp.927−930 (2) 米国特許4261086 (3) 米国特許4386453 (4) 米国特許4384899 (5) 米国特許4405970 (6) 米国特許3397278 (7) ビーン（K.E.Bean）による、電子装置につ
いてのIEEEの会報（IEEE transaction on
electron devices）ED−25巻（1978）No.10
pp.1185−1193 引例１は、引例６に述べられた方法を用いて接
合された、シリコンの弾性素子とガラス板からな
る容量式絶対圧力変換器について述べている。弾
性素子とガラス板の間の空間は、変換器の真空室
として働く。弾性素子と、ガラス板上の金属薄膜
とにより、圧力応答コンデンサが形成され、ガラ
ス板上の金属薄膜との伝導路は、シリコン中に拡
散した不純物よつて形成される。この変換器の最
大の欠点は、大きくて、変換器の圧力応答コンデ
ンサと並列に接続されることになる空乏層容量
が、強く温度に依存することである。これによ
り、変換器の比較的能動な領域が減少し、温度依
存性が増加する。引例２、３、４は原理的には同
じな他の圧力変換器について述べているが、伝導
体の接続法は異なつている。この装置には、ガラ
ス板上にドリルで穴が開けられ、その内部は金属
化され溶融金属で満すことで、密閉接合されてい
る。その穴部によつては寄生容量は生じない。し
かしながら、大量生産時に、穴部を接合すること
は厄介である。
Knutti）、メインドル（J.D.Meindl）による、
電子装置についてのIEEEの会報（IEEE
transaction on electron devices）ED−27巻
（1980）No.５ pp.927−930 (2) 米国特許4261086 (3) 米国特許4386453 (4) 米国特許4384899 (5) 米国特許4405970 (6) 米国特許3397278 (7) ビーン（K.E.Bean）による、電子装置につ
いてのIEEEの会報（IEEE transaction on
electron devices）ED−25巻（1978）No.10
pp.1185−1193 引例１は、引例６に述べられた方法を用いて接
合された、シリコンの弾性素子とガラス板からな
る容量式絶対圧力変換器について述べている。弾
性素子とガラス板の間の空間は、変換器の真空室
として働く。弾性素子と、ガラス板上の金属薄膜
とにより、圧力応答コンデンサが形成され、ガラ
ス板上の金属薄膜との伝導路は、シリコン中に拡
散した不純物よつて形成される。この変換器の最
大の欠点は、大きくて、変換器の圧力応答コンデ
ンサと並列に接続されることになる空乏層容量
が、強く温度に依存することである。これによ
り、変換器の比較的能動な領域が減少し、温度依
存性が増加する。引例２、３、４は原理的には同
じな他の圧力変換器について述べているが、伝導
体の接続法は異なつている。この装置には、ガラ
ス板上にドリルで穴が開けられ、その内部は金属
化され溶融金属で満すことで、密閉接合されてい
る。その穴部によつては寄生容量は生じない。し
かしながら、大量生産時に、穴部を接合すること
は厄介である。
引例５は、シリコン基板と弾性素子が、ガラス
薄膜で接合され、スパツタまたは真空蒸着により
作られた変換器について述べている。ガラス膜の
厚さにより、コンデンサの電極間距離は制御され
ている。この構造の長所は、製造材料がほとんど
全てシリコンであるということである。これによ
り、良い温度安定特性が得られる。しかしなが
ら、ガラス接合により生ずる寄生容量により、変
換器の能力は低下する。この方法では、ガラス膜
の厚さは最大10μｍに制限され、その容量は2μｍ
の電極間距離を持つ空気コンデンに相当するにす
ぎない。変換器がそれほど大きくなければ、結果
的に、変換器の容量は密封された領域により決ま
る。
薄膜で接合され、スパツタまたは真空蒸着により
作られた変換器について述べている。ガラス膜の
厚さにより、コンデンサの電極間距離は制御され
ている。この構造の長所は、製造材料がほとんど
全てシリコンであるということである。これによ
り、良い温度安定特性が得られる。しかしなが
ら、ガラス接合により生ずる寄生容量により、変
換器の能力は低下する。この方法では、ガラス膜
の厚さは最大10μｍに制限され、その容量は2μｍ
の電極間距離を持つ空気コンデンに相当するにす
ぎない。変換器がそれほど大きくなければ、結果
的に、変換器の容量は密封された領域により決ま
る。
引例５は、高いガラス壁により、上に述べた二
つのシリコン部分が分割されている構造の変換器
についても述べている。この装置では、寄生容量
の問題は回避されている。他方、コンデンサの間
隙の許容誤差は少なくなつている。
つのシリコン部分が分割されている構造の変換器
についても述べている。この装置では、寄生容量
の問題は回避されている。他方、コンデンサの間
隙の許容誤差は少なくなつている。
シリコンとガラス膜の接合法については、引例
６に述べられている。弾性素子を製造する先行技
術は引例７に述べられている。
６に述べられている。弾性素子を製造する先行技
術は引例７に述べられている。
［発明の目的］
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、
その目的は新しいタイプの容量式絶対圧力変換器
を提供することにある。本発明では、変換器の製
造材料としてシリコンと珪酸ボロンガラスを使用
する。その変換器の構造は、圧力応答コンデンサ
の電極が真空室内に形成され、圧力媒体との直接
の接触が防がれるようになつている。その構造に
より、変換器の外部で、真空室内の容量を測定で
きる。
その目的は新しいタイプの容量式絶対圧力変換器
を提供することにある。本発明では、変換器の製
造材料としてシリコンと珪酸ボロンガラスを使用
する。その変換器の構造は、圧力応答コンデンサ
の電極が真空室内に形成され、圧力媒体との直接
の接触が防がれるようになつている。その構造に
より、変換器の外部で、真空室内の容量を測定で
きる。
［発明の概要］
本発明による変換器は以下のようである。
容量式絶対圧力変換器では、圧力応答コンデン
サはシリコン製の弾性素子と絶縁物上の金属膜に
よつて形成される。
サはシリコン製の弾性素子と絶縁物上の金属膜に
よつて形成される。
弾性素子または絶縁物が削られた凹部は、圧力
応答コンデンサの電極間の空間となる。
応答コンデンサの電極間の空間となる。
絶縁物と弾性素子を接合することにより、ある
望ましい圧力の、または真空の室が形成され、そ
の室の内部に、圧力応答コンデンサがある。
望ましい圧力の、または真空の室が形成され、そ
の室の内部に、圧力応答コンデンサがある。
基板は、薄いガラス膜と厚いシリコンを重ねる
ことで形成される。
ことで形成される。
［発明の実施例］
本発明について、図面を参照して、実施例を以
下に詳細に説明する。
下に詳細に説明する。
弾性素子１は、＜100＞面が切出されたシリコン
単結晶ウエハから、化学的方法（引例７）によつ
て製造される。シリコンウエハ１の両面はエツチ
ングされ、周囲肉厚部１８に囲まれた凹部３と４
が形成される。凹部３の深さは１−10μｍで、圧
力応答コンデンサのための間隙と、真空室を形成
する。シリコンウエハの他の面に、エツチングに
よつて形成された凹部４は、か列に深く、200−
400μｍである。非常に高い圧力を測定するよう
な特別の場合には、凹部４をもつと浅くするか、
省略する。形成過程で、凹部３と４の間には10−
400μｍの厚さのシリコンダイアフラム５が残る。
変換器の圧力検出範囲は、その厚さにより決ま
る。両面間の圧力が釣合うと、シリコンダイアフ
ラム５は動かない。弾性素子の大きさは、標準的
には２×２−10×10mmである。
単結晶ウエハから、化学的方法（引例７）によつ
て製造される。シリコンウエハ１の両面はエツチ
ングされ、周囲肉厚部１８に囲まれた凹部３と４
が形成される。凹部３の深さは１−10μｍで、圧
力応答コンデンサのための間隙と、真空室を形成
する。シリコンウエハの他の面に、エツチングに
よつて形成された凹部４は、か列に深く、200−
400μｍである。非常に高い圧力を測定するよう
な特別の場合には、凹部４をもつと浅くするか、
省略する。形成過程で、凹部３と４の間には10−
400μｍの厚さのシリコンダイアフラム５が残る。
変換器の圧力検出範囲は、その厚さにより決ま
る。両面間の圧力が釣合うと、シリコンダイアフ
ラム５は動かない。弾性素子の大きさは、標準的
には２×２−10×10mmである。
弾性素子１の凹部３のある側は、引例６に述べ
られている方法で、基板２に接合されている。基
板２と凹部３によつて形成された密閉室７は、シ
ール領域６で密閉接合される。もし、その部分が
真空中で接合されれば、その室７は変換器の真空
室となり、変換器は絶対圧力変換器として働く。
られている方法で、基板２に接合されている。基
板２と凹部３によつて形成された密閉室７は、シ
ール領域６で密閉接合される。もし、その部分が
真空中で接合されれば、その室７は変換器の真空
室となり、変換器は絶対圧力変換器として働く。
基板２は、シリコンウエハ８と絶縁物（ガラス
膜）９を層状に重ねて形状される。シリコンウエ
ハの厚さは300−1000μｍが、絶縁物の厚さは100
−500μｍが望ましい。ウエハ８と絶縁物９は、
引例６で述べられている静電法で接合される。絶
縁物９の材料としては、シリコンに近い膨脹係数
と、より誘電特性（誘電率の低損失と低い温度係
数）を持つアルカリ珪酸ボロンガラス（コーニン
グガラス（Corning Glass）7070、およびスコツ
ト（Schott）8284の名前で市販されている）が、
よい。
膜）９を層状に重ねて形状される。シリコンウエ
ハの厚さは300−1000μｍが、絶縁物の厚さは100
−500μｍが望ましい。ウエハ８と絶縁物９は、
引例６で述べられている静電法で接合される。絶
縁物９の材料としては、シリコンに近い膨脹係数
と、より誘電特性（誘電率の低損失と低い温度係
数）を持つアルカリ珪酸ボロンガラス（コーニン
グガラス（Corning Glass）7070、およびスコツ
ト（Schott）8284の名前で市販されている）が、
よい。
金属薄膜でできた固定電極１０が、絶縁物９上
に形成される。その領域は、シール領域６で囲ま
れた領域内にある。その形は、正方形、円形、多
角形などのうち、いずれでも良い。固定電極１０
の直径は、標準的には１−５mmであり、その固定
電極１０は、圧力応答コンデンサの他方の電極と
なる。
に形成される。その領域は、シール領域６で囲ま
れた領域内にある。その形は、正方形、円形、多
角形などのうち、いずれでも良い。固定電極１０
の直径は、標準的には１−５mmであり、その固定
電極１０は、圧力応答コンデンサの他方の電極と
なる。
基板２上に作られ、絶縁物９を通り、シリコン
ウエハ８にまで達する穴部１１は、シール領域６
によつて囲まれた領域内にある。その穴部１１の
全表面は、金属薄膜の一部によつて覆われてい
て、その穴部１１の底１２でシリコンウエハ８と
接触し、固定電極１０は伝導路を形成している。
その穴部１１はドリル、グラインダ、鋸、砂ジエ
ツト研磨機、レーザマシン、化学マシン、あるい
は先行技術で知られた同様な方法を用いて作られ
る。穴部の形は丸い点、長方形、リングなどで、
全ての側が固定電極１０で囲まれている。穴部の
直径（幅）は100−1000μｍである。
ウエハ８にまで達する穴部１１は、シール領域６
によつて囲まれた領域内にある。その穴部１１の
全表面は、金属薄膜の一部によつて覆われてい
て、その穴部１１の底１２でシリコンウエハ８と
接触し、固定電極１０は伝導路を形成している。
その穴部１１はドリル、グラインダ、鋸、砂ジエ
ツト研磨機、レーザマシン、化学マシン、あるい
は先行技術で知られた同様な方法を用いて作られ
る。穴部の形は丸い点、長方形、リングなどで、
全ての側が固定電極１０で囲まれている。穴部の
直径（幅）は100−1000μｍである。
金属薄膜でできた伝導領域１３のほとんどの部
分は、シール領域６の外側にあり、一部はシール
領域６の範囲にあるが、真空室７までは達してい
ない。シール領域６の範囲にある部分において、
弾性素子と電気的に接触している。変換器と測定
回路との接続は、伝導領域１３においてなされ
る。接続体の大きさは、接続方法により、 ．１
× ．１mmから２×２mmの間で変化する。
分は、シール領域６の外側にあり、一部はシール
領域６の範囲にあるが、真空室７までは達してい
ない。シール領域６の範囲にある部分において、
弾性素子と電気的に接触している。変換器と測定
回路との接続は、伝導領域１３においてなされ
る。接続体の大きさは、接続方法により、 ．１
× ．１mmから２×２mmの間で変化する。
基板２上には、金属薄膜でできた伝導領域１４
も形成されていて、伝導領域１３と弾性素子１を
囲んでいる。領域１４には、測定回路との接続の
ために、幅広くなつた部分１４ａがある。伝導領
域１４の目的は、ガラス膜９の表面を横切つて、
端部に向かつて、変換器の活性化した端子間を流
れるリーク電流を防ぐことである。領域１４は接
地され、リーク電流は、変換器の活性化した端子
から接地端子に向かつて流れる。
も形成されていて、伝導領域１３と弾性素子１を
囲んでいる。領域１４には、測定回路との接続の
ために、幅広くなつた部分１４ａがある。伝導領
域１４の目的は、ガラス膜９の表面を横切つて、
端部に向かつて、変換器の活性化した端子間を流
れるリーク電流を防ぐことである。領域１４は接
地され、リーク電流は、変換器の活性化した端子
から接地端子に向かつて流れる。
更に、伝導領域１５が基板の表面上に形成され
ている。領域１５には、穴部１１と同様な穴部１
６があり、ガラス膜９を通つてシリコンウエハ８
にまで達している。金属薄膜１５は穴部１６の表
面にもあり、シリコンウエハと点１７で電気的に
接触している。このようにして、金属薄膜１０と
１５の間には、シリコンウエハ８を経由して伝導
路が出来ている。穴部１６の作り方、形状、大き
さは穴部１１と同様である。領域１５は、少なく
とも部分的には穴部１６を覆い、さらに伝導体と
の接続部を形成している。
ている。領域１５には、穴部１１と同様な穴部１
６があり、ガラス膜９を通つてシリコンウエハ８
にまで達している。金属薄膜１５は穴部１６の表
面にもあり、シリコンウエハと点１７で電気的に
接触している。このようにして、金属薄膜１０と
１５の間には、シリコンウエハ８を経由して伝導
路が出来ている。穴部１６の作り方、形状、大き
さは穴部１１と同様である。領域１５は、少なく
とも部分的には穴部１６を覆い、さらに伝導体と
の接続部を形成している。
本発明では、第１図ＡとＢに示した実施例とは
異なる他の実施例も可能である。第２図、第３
図、第４図ＡとＢ、第５図には、本発明による変
換器の弾性素子（すなわち圧力によつて変化する
部分と、支持物）として考えられた実施例が示さ
れている。第２図と第３図のどちらも、弾性素子
に関しては都合が良いが、それらは引例１乃至４
に既に述べられている。
異なる他の実施例も可能である。第２図、第３
図、第４図ＡとＢ、第５図には、本発明による変
換器の弾性素子（すなわち圧力によつて変化する
部分と、支持物）として考えられた実施例が示さ
れている。第２図と第３図のどちらも、弾性素子
に関しては都合が良いが、それらは引例１乃至４
に既に述べられている。
第４図ＡとＢ、第５図に示す構造はさらに複雑
で、その大きさは第２図と第３図に示すものより
大きくなつている。しかし、これらの実施例には
いくつかの長所がある。すなわち、第２図と第３
図とに示す構造と比べて、大じ大きさと製造誤差
で、２倍以上の圧力検出能力を持ち、非線形誤差
は10倍以上改善される。
で、その大きさは第２図と第３図に示すものより
大きくなつている。しかし、これらの実施例には
いくつかの長所がある。すなわち、第２図と第３
図とに示す構造と比べて、大じ大きさと製造誤差
で、２倍以上の圧力検出能力を持ち、非線形誤差
は10倍以上改善される。
第４図ＡとＢに示す弾性素子は、引例７に述べ
られた化学プロセス法、または同様な方法で作ら
れる。基本的な材料は厚さが ．２−１mmのシリ
コンウエハである。領域１９は、フオトエツチン
グ法を用いて、必要な深さだけエツチングされ
る。その深さにより、コンデンサの電極間距離が
決まる。シリコンウエハ１８の他方の側は、フオ
トエツチング法を用いて再びエツチングされ、必
要な深さの環状領域２９が形成される。領域１９
と２０の間には、最大で、元の材料1/5の厚さの
シリコンダイアフラム２１が残る。シリコンダイ
アフラム２１も環状である。その中心には、シリ
コンウエハ１８と同じ厚さで、シリコンダイアフ
ラム２１と比べて、少なくとも100倍の堅さをも
つ領域２２が残る。領域２２の幅はだいたい ．
２−５mmである。リング２０（シリコンダイアフ
ラム２１）の幅はだいたい ．２−２mmである。
シリコンウエハ１の表面間に、圧力差が加えられ
たとき、シリコンダイアフラムは動く。シリコン
の固体の部分２２は曲がらないが、シリコンダイ
アフラムの動きにつれて、、下方に動く。
られた化学プロセス法、または同様な方法で作ら
れる。基本的な材料は厚さが ．２−１mmのシリ
コンウエハである。領域１９は、フオトエツチン
グ法を用いて、必要な深さだけエツチングされ
る。その深さにより、コンデンサの電極間距離が
決まる。シリコンウエハ１８の他方の側は、フオ
トエツチング法を用いて再びエツチングされ、必
要な深さの環状領域２９が形成される。領域１９
と２０の間には、最大で、元の材料1/5の厚さの
シリコンダイアフラム２１が残る。シリコンダイ
アフラム２１も環状である。その中心には、シリ
コンウエハ１８と同じ厚さで、シリコンダイアフ
ラム２１と比べて、少なくとも100倍の堅さをも
つ領域２２が残る。領域２２の幅はだいたい ．
２−５mmである。リング２０（シリコンダイアフ
ラム２１）の幅はだいたい ．２−２mmである。
シリコンウエハ１の表面間に、圧力差が加えられ
たとき、シリコンダイアフラムは動く。シリコン
の固体の部分２２は曲がらないが、シリコンダイ
アフラムの動きにつれて、、下方に動く。
第５図に示す弾性素子は、その構造において第
４図に示すものと同様である。唯一の違いは、シ
リコンウエハ１で、リング２０と同じ表面に、コ
ンデンサの間隙となる領域１９が構成されている
ことである。シリコンダイアフラム２１の他の表
面は、シリコンウエハ１のまである。弾性素子の
基板２３への接合は、第４図ＡとＢを示す構造と
比べて、反対側から行われる。ガラス板９上に、
エツチングにより凹部２４が形成されたとき、そ
れがコンデンサの間隙となるように、第２図、第
３図、第４図ＡとＢ、第５図に示す弾性素子は、
第６図にしたがつて、基板２に接合される。
４図に示すものと同様である。唯一の違いは、シ
リコンウエハ１で、リング２０と同じ表面に、コ
ンデンサの間隙となる領域１９が構成されている
ことである。シリコンダイアフラム２１の他の表
面は、シリコンウエハ１のまである。弾性素子の
基板２３への接合は、第４図ＡとＢを示す構造と
比べて、反対側から行われる。ガラス板９上に、
エツチングにより凹部２４が形成されたとき、そ
れがコンデンサの間隙となるように、第２図、第
３図、第４図ＡとＢ、第５図に示す弾性素子は、
第６図にしたがつて、基板２に接合される。
［発明の効果］
本発明には、かなりの長所がある。真空室内で
固定電極に接続することにより、以下の様な長所
がある。余分なPN接合がなく、寄生容量が発生
しない。穴を埋める必要がない。接続領域により
生じる並列接続の容量がない。基板はほとんど弾
性素子と同じ材料なので、膨脹係数に関する問題
がない。
固定電極に接続することにより、以下の様な長所
がある。余分なPN接合がなく、寄生容量が発生
しない。穴を埋める必要がない。接続領域により
生じる並列接続の容量がない。基板はほとんど弾
性素子と同じ材料なので、膨脹係数に関する問題
がない。
弾性素子は以下のような特性を持つ。
高感度。よいＩ／Ｃの線形性。素子の中心部
は、可働部分と比べて、十分厚く堅いので、曲げ
応力の温度依存がない。
は、可働部分と比べて、十分厚く堅いので、曲げ
応力の温度依存がない。
したがつて、金属膜によつて作られた領域は、
以下の特長がある。測定結果に悪影響を与える、
ガラス板上の表面リーク電流を防げる。（リーク
電流は相対湿度が50％RHを越えるとき、特に問
題となる。）。同じ表面上に変換器の全ての伝導体
を置くことがでる。
以下の特長がある。測定結果に悪影響を与える、
ガラス板上の表面リーク電流を防げる。（リーク
電流は相対湿度が50％RHを越えるとき、特に問
題となる。）。同じ表面上に変換器の全ての伝導体
を置くことがでる。
第１図ＡとＢは、それぞれ、本発明による変換
器の一実施例の横断面図と上断面図である。第２
図は、本発明による変換器の第２の実施例の横断
面図である。第３図は、本発明による変換器の第
３の実施例の横断面図である。第４図ＡとＢは、
それぞれ、本発明による変換器の第４の実施例の
上から見た図と横断面図である。第５図は、本発
明による変換器の第５の実施例の横断面図であ
る。第６図は、本発明による変換器の第６の実施
例の横断面図である。 １……弾性素子（シリコンウエハ）、２……基
板、３，４……凹部、５……ダイアフラム、６…
…密閉接合部、７……真空室、８……ウエハ、９
……絶縁物、１０……固定電極、１４……リーク
電流防止パターン。
器の一実施例の横断面図と上断面図である。第２
図は、本発明による変換器の第２の実施例の横断
面図である。第３図は、本発明による変換器の第
３の実施例の横断面図である。第４図ＡとＢは、
それぞれ、本発明による変換器の第４の実施例の
上から見た図と横断面図である。第５図は、本発
明による変換器の第５の実施例の横断面図であ
る。第６図は、本発明による変換器の第６の実施
例の横断面図である。 １……弾性素子（シリコンウエハ）、２……基
板、３，４……凹部、５……ダイアフラム、６…
…密閉接合部、７……真空室、８……ウエハ、９
……絶縁物、１０……固定電極、１４……リーク
電流防止パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁物と、前記絶縁物上に設けられた固定電
極と、前記固定電極の垂線方向から見て、少なく
とも一部が前記固定電極と重なるように、およ
び、前記固定電極との間に密閉室が形成されるよ
うに、前記固定電極から離れて形成された、電極
を持つた可働ダイアフラムと、前記固定電極およ
び前記可働ダイアフラムの電極に取付けられた各
電気的接点とからなり、前記絶縁物は、層状の基
板を得るために、伝導材料ウエハと接合されるこ
とと、コンデンサを形成する前記ダイアフラム電
極は、周辺において肉厚部に繋がつていること
と、真空室内の固定電極への伝導路は、前記絶縁
物を貫通し、前記伝導ウエハにまで達する穴部に
よつて形成されることとを特徴とする容量式絶対
圧力変換器。 ２ 前記伝導ウエハはシリコン製で、前記絶縁物
より厚いことを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の容量式絶対圧力変換器。 ３ 前記ウエハの前記絶縁物に面した表面は、多
量に不純物が注入され、伝導度が良くなつている
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の
容量式絶対圧力変換器。 ４ 前記肉厚部は、前記可働ダイアフラム電極か
ら、前記絶縁物の方向に広がつていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の容量式絶対
圧力変換器。 ５ 前記肉厚部は、前記ダイアフラムの外部表面
と前記肉厚部の内部表面が凹形となるように、前
記可働ダイアフラムから外方向に広がつているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の容
量式絶対圧力変換器。 ６ 前記肉厚部は、前記可働ダイアフラムから外
方向と内方向に広がつていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の容量式絶対圧力変換
器。 ７ 前記肉厚部が、前記可働ダイアフラム電極の
中心部にあり、前記肉厚部を囲むように凹部が形
成されていることを特徴とする特請請求の範囲第
１項、および第４項乃至第６項のうちいずれか一
項に記載の容量式絶対圧力変換器。 ８ 前記絶縁物は、真空室ができるように、前記
ダイアフラム電極に面した表面に、凹部があるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の容
量式絶対圧力変換器。 ９ 前記穴部は、前記絶縁物を貫通し、前記ウエ
ハにまで達し、その表面上において金属化される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
容量式絶対圧力変換器。 １０ 前記穴部の金属化された部分は、前記固定
電極に接続されていることを特徴とする特許請求
の範囲第９項に記載の容量式絶対圧力変換器。 １１ 前記穴部とは別の他の穴部を、外部伝導領
域に設けることにより、前記真空室内の前記固定
電極を、前記ウエハを介して、前記外部伝導領域
に接続することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の容量式絶対圧力変換器。 １２ 前記絶縁物の表面には、前記肉厚部から離
れていて、前記肉厚部を囲む、接地用金属膜パタ
ーンがあることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の容量式絶対圧力変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI843989 | 1984-10-11 | ||
| FI843989A FI75426C (fi) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | Absoluttryckgivare. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221631A JPS61221631A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0533732B2 true JPH0533732B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=8519723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224995A Granted JPS61221631A (ja) | 1984-10-11 | 1985-10-11 | 容量式絶対圧力変換器 |
Country Status (12)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS61221631A (ja) |
| BR (1) | BR8505067A (ja) |
| DE (1) | DE3535904C2 (ja) |
| FI (1) | FI75426C (ja) |
| FR (1) | FR2571855B1 (ja) |
| GB (1) | GB2165652B (ja) |
| IT (1) | IT1186937B (ja) |
| NL (1) | NL8502795A (ja) |
| NO (1) | NO854029L (ja) |
| SE (1) | SE8504703L (ja) |
| ZA (1) | ZA857740B (ja) |
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Legal Events
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