FI69211C - Kapacitiv styckgivare - Google Patents

Kapacitiv styckgivare Download PDF

Info

Publication number
FI69211C
FI69211C FI840700A FI840700A FI69211C FI 69211 C FI69211 C FI 69211C FI 840700 A FI840700 A FI 840700A FI 840700 A FI840700 A FI 840700A FI 69211 C FI69211 C FI 69211C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
plate
silicon
substrate
glass
film
Prior art date
Application number
FI840700A
Other languages
English (en)
Other versions
FI69211B (fi
FI840700A0 (fi
Inventor
Heikki Kuisma
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Publication of FI840700A0 publication Critical patent/FI840700A0/fi
Priority to FI840700A priority Critical patent/FI69211C/fi
Priority to US06/701,870 priority patent/US4594639A/en
Priority to FR8502193A priority patent/FR2559899B1/fr
Priority to BR8500738A priority patent/BR8500738A/pt
Priority to GB08504078A priority patent/GB2154747B/en
Priority to NL8500465A priority patent/NL8500465A/nl
Priority to IT12436/85A priority patent/IT1186831B/it
Priority to JP60033644A priority patent/JPS60195830A/ja
Priority to DE3505924A priority patent/DE3505924C2/de
Application granted granted Critical
Publication of FI69211B publication Critical patent/FI69211B/fi
Publication of FI69211C publication Critical patent/FI69211C/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)

Description

6921 1
Kapasitiivinen paineanturi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen kapasitiivinen paineanturi.
Tekniikan tason osalta viitattakoon aluksi seuraaviin jul-kaisuhin: [1] US-patenttijulkaisu M,386,543 (Giachino et ai.).
C2] m 4,257,274 (Shimada et ai.) [3] »* 4,332,000 (Petersen) [4] „ 4,390,925 (Freud) [53 »t 3,397,278 (Pomerantz)
[6] K.E. Bean: Anisotropic Etching of Silicon. IEEE
Transactions on Electron Devices, vol. ED-25 (1978)
No. 10, pp. 1185-93.
Miniatyrisoituja kapasitiivisia paineantureita voi tunnetusti valmistaa piistä ja lasista (viitteet [1]...[4]). Tunnetut rakenteet perustuvat piin kuviointiin mikrolitografiän avulla, sen työstämiseen syövyttämällä ja lasiosien liittämiseen sähkästaattisella menetelmällä (viite [5]).
Useimmiten antureissa on käytetty vähän alkalimetalleja sisältäviä barosilikaattilaseja (esim. Corning Glass, tyyppi 7740, "Pyrex"). Se sopii tähän tarkoitukseen, sillä alkali-metalli-ionit ovat edellytyksenä sähköstaattisen liitoksen synnylle ja sen lämpölaajenemiskerroin on varsin lähellä piin vastaavaa kerrointa. Huoneen lämpötilassa lasin kerroin on 3,25 ppm/°C ja piin kerroin 2,5 ppm/°C. Suurissa lämpötiloissa piin lämpölaajeneminen kasvaa epälineaarisesti ja ohittaa lasin vastaavan kertoimen. Lämpölaajenemiskertoi-mien ero on tärkein paineanturin lämpötilakäyttäytymiseen vaikuttava tekijä.
Kuviossa 1 on esitetty kaavamaisesti lämpötilariippuvuuden synty. Lasilevyyn 1 on liitetty piikappale 2, jossa on ohut, 2 69211 paineelle herkkä osa 3· Paine-ero taivuttaa kalvoa 3 ja muuttaa sen ja lasilevyllä 1 olevan kiinteän kondensaattori-levyn 4 etäisyyttä ja niiden välistä kapasitanssia. Jos nyt lämpötilaa nostetaan ja paine-ero pidetään ennallaan, kohdistuu kalvoon 3 vaakatasossa lämpölaajenemiserosta syntyvä vetovoima. Tämä voima pyrkii pienentämään paineen aiheuttamaa taipumaa. Jos taipuman paineherkkyys ilman vetojännitystä on S0, on se jännityksen kanssa
S
1+K(a/h)2 ε ’ missä a on neliömäisen kalvon sivun tai pyöreän kalvon halkaisija, h on kalvon paksuus, e on venymä ja kerroin K on 0,27 neliömäiselle ja 0,2 pyöreälle kalvolle.
Jos venymä on lämpötilan funktio, on herkkyyden lämpötila-kerroin 1 9S K(a/h)2( 3e/3T) S 3 T 1 + K(a/h)2e Tässä tarkastelussa ei ole otettu huomioon kimmokertoimien lämpötilariippuvuuksi , sillä piillä ne ovat pieniä.
Tämän keksinnön tarkoituksena on saada aikaan paineanturi, jossa lämpölaajenemiskertoimen vaikutus on voitu eliminoida.
Keksintö perustuu seuraaviin ajatuksiin: - Paineanturirakenteessa on kaksi lasiosaa ja niiden välissä elastinen piikalvo.
- Piikalvo sijaitsee lähellä toista lasiosaa ja lasiosan pinnalla olevaa metallikalvosta muodostuvaa toista kondensaattori levyä.
- Piikalvo ei kuitenkaan ole reunoistaan välittömästi mainitun lasiosan kanssa mekaanisessa yhteydessä, vaan sijaitsee kartion, lieriön tms. muotoisen piitä olevan putkirakenteen päässä.
3 6921 1 - Putken toinen pää on kiinni toisessa lasiosassa.
- Lasiosat yhdistää ja niiden etäisyyden määrää piitä oleva tukikappale.
- Piistä valmistetut tukikappale, putki ja elastinen kalvo on valmistettu samasta piikappaleesta, jotta voitaisiin saada kyllin hyvä mittatarkkuus paineherkän kondensaattorin ilmaraolle.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle paineanturira-kenteelle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Rakenteen tärkeimpänä etuna voidaan pitää sitä, että se estää piin ja lasin erilaisesta lämpölaajenemisesta syntyvän jännitystilan vaikutuksen paineelle herkän piikalvon ominaisuuksiin.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan pii-rustuskuvioiden 2-4 esittämän suoritusesimerkin avulla.
Kuvio 2 esittää osittain kaaviollisesti yhden keksinnön mukaisen anturin sivuleikkauskuvantoa.
Kuvio 3 esittää kuvion 2 mukaista anturia tasoja A-A ja B-B myöten leikattuna ja alhaalta katsottuna.
Kuvio 4 esittää normalisoidun käyrästön avulla muodonmuutoksen välittymisen kartiomaisen putken päiden välillä.
Jos lämpölaajenemiseron ei haluta vaikuttavan anturin herkkyyteen, on anturin kalvo eristettävä niin, ettei siihen synny venyttävää voimaa. Kuviot 2 ja 3 esittävät paineantu-rirakennetta, jossa kalvoon vaikuttavat vaakatasossa olevat voimat on eliminoitu.
Piilevyä on työstetty tunnetuilla menetelmillä (viite [6]) niin, että sen toiselle puolelle muodostuu allas 6. Toiselle puolelle on työstetty syvennys 7. Paineherkkä kalvo 8 muo- 24 6921 1 dostuu syvennysten 6 ja 7 pohjien väliin. Kalvoa 8 (ja syvennystä 7) ympäröi sulkeutuva V-mallinen ura 10. Uran 10 ja altaan 6 välinen seinämä muodostaa kartiomaisen putken 11, jonka toinen pää on kiinni piilevyssä 5 ja toisen pään sulkee paineherkkä kalvo 8. Allas 6 on peitetty lasilevyllä 12, joka on liitetty hermeettisesti piilevyyn 5 tyhjössä niin, että allas 6 muodostaa aneroidikapselin. Vaihtoehtoisesti voi lasilevyssä 12 olla reikä, jonka avulla kammioon 6 johdetaan vertailupaine. Piilevyn 5 toiseen pintaan on liitetty lasilevy 13, joka kannattaa ohuesta metallikalvosta muodostettua kiinteää kondensaattorilevyä 14.
Kun lämpötilaa kohotetaan, syntyy piilevyn 5 pintoihin veto-jännitys vaakatasossa. Jännitys aiheuttaa muodonmuutoksen kartiomaisen putken 11 lasilevyn 12 puoleiseen päähän. Jos putki 11 on sopivasti mitoitettu, ei muodonmuutos oleellisesti välity tai välittyy pienetyneenä putken päähän, jossa paineherkkä kalvo 8 sijaitsee. Näin lämpötilan vaikutus kalvon 8 vetojännitykseen häviää tai pienenee.
Kuviossa 4 on aiemmin mainitun mukaisesti esitetty normalisoidun käyrästön avulla muodonmuutoksen välittyminen kartiomaisen putken päiden välillä. Vaaka-akseli kuvaa putken 11 pituusakselia. Putken 11 päiden välinen etäisyys on normalisoitu yksikön suuruiseksi. Pystyakseli kuvaa putken muodonmuutosta, kun alkupään muodonmuutos on yksikön suuruinen, käyrä 15 kuvaa melko lyhyttä putkea, käyrä 16 pitempää ja käyrä 17 vielä pitempää putkea. Lyhyellä putkella akselia vastaan kohtisuora muodonmuutos on pienetynyt. Sopivan pituisella putkella se pienenee nollaan, mutta päätyyn syntyy vääntöä; muodonmuutoksen derivaatta on nollasta poikkeava. Kyllin pitkällä putkella sekä muodonmuutos että sen derivaatta lähestyvät nollaa. Putken toinen pää on silloin täysin eristetty toisessa päässä tapahtuvista muodonmuutoksista.
li

Claims (3)

6921 1
1. Kapasitiivinen paineanturi, joka käsittää - levymäisen alustan (13), - alustan (13) päälle sovitetun kiinteän kondensaat-torilevyn (Hl), - alustan (13) yhteyteen sovitetun aneroidikapselin (6), jolla on alustaa (13) kohti osoittava ja paineen vaikutuksesta kiinteään kondensaattorilevyyn (14) mitattua etäisyyttään muuttava alue (8), johon liittyy liikkuva kondensaattorilevy, ja - levymäisen alustan (13) päälle sovitetun piile-vyn (5), johon on työstetty kalvomainen keskiosa (8), joka toimii liikkuvana kondensaattorilevynä ja joka on reunastaan yhdistetty piilevyn (5) reunaosaan alustasta (13) katsottuna ulospäin ulottuvalla, suhteellisen ohutseinäisellä kaulusta! putkirakenteella (11), jolloin keskiosa (8) ja kaulus- tai putkirakenne (11) ovat samaa kappaletta piilevyn (5) reunaosan kanssa, tunnettu siitä, että - piilevyn (5) päälle on hermeettisesti suljettu so-pivimmin levymäinen kansirakenne (12) niin, että kansirakenteen (12) ja piilevyn (5) väliin mainitun keskiosan (8) kohdalle jää aneroidikapselin allastila (6), ja - piilevyn (5) reunaosan ja kaulus- tai putkiraken-teen (11) erottaa toisistaan poikkileikkaukseltaan ainakin likimain V:n muotoinen, allastilaa (6) ympäröivä ura (10).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, tunnettu siitä, että levymäinen alusta (13) ja kansirakenne (12) ovat lasista valmistetut.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, tunnettu siitä, että allastilan (6) syvyys on ainakin 30 % allastilan (6) pohjan läpimitasta.
FI840700A 1984-02-21 1984-02-21 Kapacitiv styckgivare FI69211C (fi)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI840700A FI69211C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Kapacitiv styckgivare
US06/701,870 US4594639A (en) 1984-02-21 1985-02-15 Capacitive pressure detector
FR8502193A FR2559899B1 (fr) 1984-02-21 1985-02-15 Detecteur de pression capacitif
BR8500738A BR8500738A (pt) 1984-02-21 1985-02-15 Detector de pressao capacitivo
GB08504078A GB2154747B (en) 1984-02-21 1985-02-18 Capacitive pressure sensor
NL8500465A NL8500465A (nl) 1984-02-21 1985-02-19 Capacitieve drukdetector.
IT12436/85A IT1186831B (it) 1984-02-21 1985-02-20 Rivealtore capacitivo di pressione
JP60033644A JPS60195830A (ja) 1984-02-21 1985-02-21 静電容量形圧力検出器
DE3505924A DE3505924C2 (de) 1984-02-21 1985-02-21 Kapazitiver Druckmesser

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI840700 1984-02-21
FI840700A FI69211C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Kapacitiv styckgivare

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI840700A0 FI840700A0 (fi) 1984-02-21
FI69211B FI69211B (fi) 1985-08-30
FI69211C true FI69211C (fi) 1985-12-10

Family

ID=8518584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI840700A FI69211C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Kapacitiv styckgivare

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4594639A (fi)
JP (1) JPS60195830A (fi)
BR (1) BR8500738A (fi)
DE (1) DE3505924C2 (fi)
FI (1) FI69211C (fi)
FR (1) FR2559899B1 (fi)
GB (1) GB2154747B (fi)
IT (1) IT1186831B (fi)
NL (1) NL8500465A (fi)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4572204A (en) * 1984-03-21 1986-02-25 Hewlett-Packard Company Pressure dome with compliant chamber
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4812199A (en) * 1987-12-21 1989-03-14 Ford Motor Company Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer
FI78784C (fi) * 1988-01-18 1989-09-11 Vaisala Oy Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US4960177A (en) * 1988-06-03 1990-10-02 University Of Hawaii Silicon membrane micro-scale
US4905575A (en) * 1988-10-20 1990-03-06 Rosemount Inc. Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction
US4954925A (en) * 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
DE3932618A1 (de) * 1989-09-29 1991-04-18 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur messung mechanischer kraefte und kraftwirkungen
DE3937522A1 (de) * 1989-11-10 1991-05-16 Texas Instruments Deutschland Mit einem traegerelement verbundener halbleiter-drucksensor
FI93059C (fi) * 1993-07-07 1995-02-10 Vaisala Oy Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi
FI93579C (fi) * 1993-08-20 1995-04-25 Vaisala Oy Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi
US6662663B2 (en) * 2002-04-10 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pressure sensor with two membranes forming a capacitor
DE102013204197A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Robert Bosch Gmbh Mikroelektrochemischer Sensor und Verfahren zum Betreiben eines mikroelektrochemischen Sensors
US9902611B2 (en) * 2014-01-13 2018-02-27 Nextinput, Inc. Miniaturized and ruggedized wafer level MEMs force sensors
WO2016201235A1 (en) 2015-06-10 2016-12-15 Nextinput, Inc. Ruggedized wafer level mems force sensor with a tolerance trench
CN116907693A (zh) 2017-02-09 2023-10-20 触控解决方案股份有限公司 集成数字力传感器和相关制造方法
WO2018148510A1 (en) 2017-02-09 2018-08-16 Nextinput, Inc. Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor
CN111448446B (zh) 2017-07-19 2022-08-30 触控解决方案股份有限公司 在mems力传感器中的应变传递堆叠
US11423686B2 (en) 2017-07-25 2022-08-23 Qorvo Us, Inc. Integrated fingerprint and force sensor
WO2019023552A1 (en) 2017-07-27 2019-01-31 Nextinput, Inc. PIEZORESISTIVE AND PIEZOELECTRIC FORCE SENSOR ON WAFER AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
US11579028B2 (en) 2017-10-17 2023-02-14 Nextinput, Inc. Temperature coefficient of offset compensation for force sensor and strain gauge
WO2019090057A1 (en) 2017-11-02 2019-05-09 Nextinput, Inc. Sealed force sensor with etch stop layer
WO2019099821A1 (en) 2017-11-16 2019-05-23 Nextinput, Inc. Force attenuator for force sensor
US10962427B2 (en) 2019-01-10 2021-03-30 Nextinput, Inc. Slotted MEMS force sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1138401A (en) * 1965-05-06 1969-01-01 Mallory & Co Inc P R Bonding
US3808480A (en) * 1973-04-16 1974-04-30 Bunker Ramo Capacitive pressure transducer
US3965746A (en) * 1974-11-04 1976-06-29 Teledyne Industries, Inc. Pressure transducer
US4040118A (en) * 1975-06-18 1977-08-02 Bunker Ramo Corporation Pressure sensitive transducer
US4203128A (en) * 1976-11-08 1980-05-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrostatically deformable thin silicon membranes
JPS5516228A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4386453A (en) * 1979-09-04 1983-06-07 Ford Motor Company Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers
US4390925A (en) * 1981-08-26 1983-06-28 Leeds & Northrup Company Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer
US4415948A (en) * 1981-10-13 1983-11-15 United Technologies Corporation Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer
US4445383A (en) * 1982-06-18 1984-05-01 General Signal Corporation Multiple range capacitive pressure transducer
US4467394A (en) * 1983-08-29 1984-08-21 United Technologies Corporation Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer

Also Published As

Publication number Publication date
FR2559899A1 (fr) 1985-08-23
FI69211B (fi) 1985-08-30
DE3505924A1 (de) 1985-08-22
GB2154747B (en) 1987-05-07
BR8500738A (pt) 1985-10-08
IT8512436A0 (it) 1985-02-20
NL8500465A (nl) 1985-09-16
JPS60195830A (ja) 1985-10-04
FI840700A0 (fi) 1984-02-21
GB2154747A (en) 1985-09-11
FR2559899B1 (fr) 1987-02-13
IT1186831B (it) 1987-12-16
GB8504078D0 (en) 1985-03-20
US4594639A (en) 1986-06-10
DE3505924C2 (de) 1994-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI69211C (fi) Kapacitiv styckgivare
FI75426B (fi) Absoluttryckgivare.
CN100552453C (zh) 对称直梁结构电容式微加速度传感器及其制作方法
FI74350B (fi) Kapacitiv absoluttryckgivare.
EP0164413B2 (en) Pressure transducer
US5404749A (en) Boron doped silicon accelerometer sense element
CN109485011B (zh) 基于Si-Si-Si-玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺
EP0672898B1 (en) Semiconductor pressure sensor with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements and fabrication method therefor
JPH03175329A (ja) 静電容量式差圧検出器
FI93059B (fi) Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi
US5520054A (en) Increased wall thickness for robust bond for micromachined sensor
US20040025589A1 (en) Micromechanical component
JPH02290525A (ja) 低誘電ドリフト容量型圧力センサ
FI77328C (fi) Kapacitiv tryckgivare.
CN109855791A (zh) 基于多折叠梁梳齿谐振器的真空检测器件
Kober et al. Wafer level processing of overload-resistant pressure sensors
Peeters et al. A combined silicon fusion and glass/silicon anodic bonding process for a uniaxial capacitive accelerometer
EP1012554A1 (en) Pressure sensor
CN116609550B (zh) Mems加速度计及其制备方法
JP2512171B2 (ja) 加速度検出器
Zhou et al. A capacitive pressure sensor with a novel multi-layered composite membrane structure fabricated by a three-mask process
Rudolf et al. Silicon micromachining for sensor applications
CN118347392A (zh) 一种基于mems的线性差分电容式位移传感器
Chowdhury Design synthesis and testing of a capacitive type pressure transducer using micro-machining techniques
JPS5927233A (ja) 差圧伝送器

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired

Owner name: VAISALA OY