JPS5927233A - 差圧伝送器 - Google Patents
差圧伝送器Info
- Publication number
- JPS5927233A JPS5927233A JP13625782A JP13625782A JPS5927233A JP S5927233 A JPS5927233 A JP S5927233A JP 13625782 A JP13625782 A JP 13625782A JP 13625782 A JP13625782 A JP 13625782A JP S5927233 A JPS5927233 A JP S5927233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- main body
- differential pressure
- pressure transmitter
- property
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、差圧を靜電容蓋の変化として検知する差圧伝
送器に関する。
送器に関する。
従来、この種の差圧伝送器はその要部が第１図に示すよ
うに構成されていた。金属ダイヤフラム１があシ、この
金属ダイヤフラムｌは互いの対向面に凹陥部が形成され
た凹形ガラスレンズ３によって挾持されている。谷凹形
ガラスレンズ３の凹陥部面には蒸層によシ形成された金
属亀甑３１が被着されている。したがって各金属１１４
４３１と前記釜属ダイヤフラム１との間には容Ｎ２が形
成され、この容量２は＠記金属ダイヤフラム１の変位に
よって変化するものである。なお、前記凹形ガラスレン
ズ１はバックアッププレート３２によって補強され、金
属ダイヤフラムｌの変位は、前記各凹陥部に通じる貫通
孔３３からの圧力差ＰＩ −Ｐ２に応じて生じるように
なっている。
うに構成されていた。金属ダイヤフラム１があシ、この
金属ダイヤフラムｌは互いの対向面に凹陥部が形成され
た凹形ガラスレンズ３によって挾持されている。谷凹形
ガラスレンズ３の凹陥部面には蒸層によシ形成された金
属亀甑３１が被着されている。したがって各金属１１４
４３１と前記釜属ダイヤフラム１との間には容Ｎ２が形
成され、この容量２は＠記金属ダイヤフラム１の変位に
よって変化するものである。なお、前記凹形ガラスレン
ズ１はバックアッププレート３２によって補強され、金
属ダイヤフラムｌの変位は、前記各凹陥部に通じる貫通
孔３３からの圧力差ＰＩ −Ｐ２に応じて生じるように
なっている。
しかしながら、このように構成された差圧伝送器は、等
静圧が加わると金属ダイヤフラム１と凹形ガラスレンズ
３のヤング率差により金属ダイヤフラムの張力が変化し
差圧による変位感度が変動してしまい、また、異種材料
を組み合わせているために温度変化によって熱歪が生じ
温度誤差を生じ易いという欠点があった。また、一対の
各凹形ガラスレンズをそれぞれ全く左右対称に加工する
のは製作上−難となり、したがって金属ダイヤフラム１
を中−心とした２つの容量において初期不整が生ずると
いう欠点があった。さらに、金属タイャフラム１に過負
荷片圧が加わった際に図中破線に示すように凹形ガラス
レンズ３の凹陥部に当接してその変形を拘束し、片圧除
去後において金属ダイヤフラム１が中心位置に復帰する
構成になっているものであるが、片圧は通′帛測定する
差圧の数１００〜１０００倍にも及ぶことから、凹形ガ
ラスレンズ３の寸法、加圧仕上ＵＳ’Ｓ密ｔ−ｉするも
のであった。場らＶこ、金属タイ・′７ラム１の差圧に
対する変位の比例性ケ確保するため面内に光分な初期張
力を与えながら周辺部を固着させなければならない欠点
を有していた。
静圧が加わると金属ダイヤフラム１と凹形ガラスレンズ
３のヤング率差により金属ダイヤフラムの張力が変化し
差圧による変位感度が変動してしまい、また、異種材料
を組み合わせているために温度変化によって熱歪が生じ
温度誤差を生じ易いという欠点があった。また、一対の
各凹形ガラスレンズをそれぞれ全く左右対称に加工する
のは製作上−難となり、したがって金属ダイヤフラム１
を中−心とした２つの容量において初期不整が生ずると
いう欠点があった。さらに、金属タイャフラム１に過負
荷片圧が加わった際に図中破線に示すように凹形ガラス
レンズ３の凹陥部に当接してその変形を拘束し、片圧除
去後において金属ダイヤフラム１が中心位置に復帰する
構成になっているものであるが、片圧は通′帛測定する
差圧の数１００〜１０００倍にも及ぶことから、凹形ガ
ラスレンズ３の寸法、加圧仕上ＵＳ’Ｓ密ｔ−ｉするも
のであった。場らＶこ、金属タイ・′７ラム１の差圧に
対する変位の比例性ケ確保するため面内に光分な初期張
力を与えながら周辺部を固着させなければならない欠点
を有していた。
本発明の目的は、このような点に鑑みてなされたもので
あり、高温特性、尚耐圧特性を有し、簡単なＪＪｕ上、
組立により特性揃いのよい差圧伝送器を提供するもので
ある。
あり、高温特性、尚耐圧特性を有し、簡単なＪＪｕ上、
組立により特性揃いのよい差圧伝送器を提供するもので
ある。
このような目的全達成するために本発明は、外周部よシ
それ以外の領域の肉厚金薄くしてなるダイヤフラムと、
このダイヤフラムの両側面にそれぞれ配置され前自己外
周部にて固足挾持する一対の本体と、各本体と前記ダイ
ヤフラムとの間の空間と本体外部に通じる各ｊＱ導通孔
、からなり、前記ダイヤフラムと各本体はセラミックス
で構成されかつ前記タ゛イヤフラム面とこの面に対向す
る本体部は導電層からなる電極が形成されるように構成
したものである。
それ以外の領域の肉厚金薄くしてなるダイヤフラムと、
このダイヤフラムの両側面にそれぞれ配置され前自己外
周部にて固足挾持する一対の本体と、各本体と前記ダイ
ヤフラムとの間の空間と本体外部に通じる各ｊＱ導通孔
、からなり、前記ダイヤフラムと各本体はセラミックス
で構成されかつ前記タ゛イヤフラム面とこの面に対向す
る本体部は導電層からなる電極が形成されるように構成
したものである。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明による差圧伝送器の一実施例を示す全体
断面である。圧力ＰＩ＋Ｊ’２による差圧全検出するこ
とから全体は圧右苅称構造となっている。Ｓｉｃ、Ａ７
２０ｓ等の結晶性セラミックス材からなるダイヤフラム
１１がある。このダイヤフラム１１は第３図にて詳細を
示すように外周部が厚肉、それ以外の領域にて薄肉とな
っている円形形状で、厚肉の外周部は本体との支持部と
なるようになっている。また、このダイヤフラムの両面
にはそれぞれ４電層からなる電極１３が形成されこれら
各電極１３はダイヤフラム側面にて互いに接続されてい
る。このダイヤフラム１１←Ｌ本体３に挾持されること
によシ支持されている。この本体３のダイヤフラム１１
との対向面に接着用のガラス絶縁膜３２が被着されてお
り、前記ダイヤフラムｉＨ−支持する場合には、このダ
イヤフラム１１を一対の本体３に挾持した状態にてガラ
スの融点下に加熱しガラス間に畦土を加える静電接着法
によシ接着するようになっている。なお、前記ダイヤフ
ラム１１の挟持部以外の各本体３間にはスペーサ４がブ
し在されており、このスペーサ４は第２図に示すように
ダイヤフラム１１のｔ＆１１の取出し線１５、および前
記電極１１と対向する本体３Ｉｌ！ｊの各電極３１の取
出し線３６の取出し領域のみが切欠かれた形状をしてい
る。なお、前記接着用のガラス絶縁膜３２はその熱膨張
係数が本体３と近似したパイレックスガラス、あるいは
コバーガラスが用いられ、本体３面に約１０μｍの厚さ
に被着させて前記ダイヤフラム１１およびスペーサ４と
張り会わされるようになっている。ガラス絶縁膜３２の
本体３面への破着はたとえば高周波スパッタリング法、
成気泳動法あるいは遠心沈降法が使用される。本体３に
形成される各電極３１はたとえばイオン打込み法めるい
は拡散法によって導電層を形成することによって形成さ
れ、その層１４．は約１〜２μｍになっている。
断面である。圧力ＰＩ＋Ｊ’２による差圧全検出するこ
とから全体は圧右苅称構造となっている。Ｓｉｃ、Ａ７
２０ｓ等の結晶性セラミックス材からなるダイヤフラム
１１がある。このダイヤフラム１１は第３図にて詳細を
示すように外周部が厚肉、それ以外の領域にて薄肉とな
っている円形形状で、厚肉の外周部は本体との支持部と
なるようになっている。また、このダイヤフラムの両面
にはそれぞれ４電層からなる電極１３が形成されこれら
各電極１３はダイヤフラム側面にて互いに接続されてい
る。このダイヤフラム１１←Ｌ本体３に挾持されること
によシ支持されている。この本体３のダイヤフラム１１
との対向面に接着用のガラス絶縁膜３２が被着されてお
り、前記ダイヤフラムｉＨ−支持する場合には、このダ
イヤフラム１１を一対の本体３に挾持した状態にてガラ
スの融点下に加熱しガラス間に畦土を加える静電接着法
によシ接着するようになっている。なお、前記ダイヤフ
ラム１１の挟持部以外の各本体３間にはスペーサ４がブ
し在されており、このスペーサ４は第２図に示すように
ダイヤフラム１１のｔ＆１１の取出し線１５、および前
記電極１１と対向する本体３Ｉｌ！ｊの各電極３１の取
出し線３６の取出し領域のみが切欠かれた形状をしてい
る。なお、前記接着用のガラス絶縁膜３２はその熱膨張
係数が本体３と近似したパイレックスガラス、あるいは
コバーガラスが用いられ、本体３面に約１０μｍの厚さ
に被着させて前記ダイヤフラム１１およびスペーサ４と
張り会わされるようになっている。ガラス絶縁膜３２の
本体３面への破着はたとえば高周波スパッタリング法、
成気泳動法あるいは遠心沈降法が使用される。本体３に
形成される各電極３１はたとえばイオン打込み法めるい
は拡散法によって導電層を形成することによって形成さ
れ、その層１４．は約１〜２μｍになっている。
前記取出し線１５．３６が取出される側の本体３には取
出しｌｆＭ１５．３６’ｉ内包させる円筒状のホルダ５
が接層されており、このホルダ５内にはモールドされた
樹脂５１が充填されている。さらにこのホルダ５には増
幅器ケース８が取イ」けられており、この増幅器ケース
８には増幅器９が内蔵さ扛、前記取出し線１５．３６か
らの出力が入力されるようになっている。
出しｌｆＭ１５．３６’ｉ内包させる円筒状のホルダ５
が接層されており、このホルダ５内にはモールドされた
樹脂５１が充填されている。さらにこのホルダ５には増
幅器ケース８が取イ」けられており、この増幅器ケース
８には増幅器９が内蔵さ扛、前記取出し線１５．３６か
らの出力が入力されるようになっている。
さらに、前記本体３の対向面にはシールダイヤフラム３
４が配置され、このシールダイヤフラム３４の外周には
Ａｕ−Ｇｅ、 Ａｕ−８ｉ等の低温共晶ろう、Ｍｏ−Ｍ
ｎ等の高温共晶ろう全弁して固層されこのシールダイヤ
フラム３４と本体３との間および本体３に貫通された導
通孔３３を通じてダイヤ −フラム１１と本体
３の内壁にはシリコン油６が封入されている。また、台
シールダイヤフラム３４の外面はそれぞれ７ランジ７に
よって空間室に而しするように前記フランジ７は気密パ
ツキン７′ｆｒ：介して本体３にボルト７２およびナツ
ト７で固定されている。
４が配置され、このシールダイヤフラム３４の外周には
Ａｕ−Ｇｅ、 Ａｕ−８ｉ等の低温共晶ろう、Ｍｏ−Ｍ
ｎ等の高温共晶ろう全弁して固層されこのシールダイヤ
フラム３４と本体３との間および本体３に貫通された導
通孔３３を通じてダイヤ −フラム１１と本体
３の内壁にはシリコン油６が封入されている。また、台
シールダイヤフラム３４の外面はそれぞれ７ランジ７に
よって空間室に而しするように前記フランジ７は気密パ
ツキン７′ｆｒ：介して本体３にボルト７２およびナツ
ト７で固定されている。
このように構成した差圧伝送器はダイヤフラム１１から
の取出し線１４と電極バッド３５からの取出し線３６の
間に靜亀容歇Ｃ１が、またもう一方の電極パッドからの
取出し線の間に静電容１ｋＣｚが形成される。この場合
、ダイヤフラム１１の凹陥部はアルカリエツチングある
いはイオンシリング法により数μｍ〜１０μｍ程度に精
度よく加工できることから前記Ｃ１とＣ２の各容重はほ
とんど同じ値にすることができる。７ランジ７に導びか
れた圧力はソールタイヤフラム６に作用し、シリコン旧
６はコ鍾当なダンピング効果を受けなから導通孔３３を
移動し、タイヤフラム１．１ｉｉませる。このダイヤフ
ラム１１の変位量に応じてダイヤフラム１１と電佛３１
１田の隙間が差動的に変位する。この場合、人力である
圧力差ＰＩＰ２と静畦容諷とツノ間には次の（１）式が
成立する。
の取出し線１４と電極バッド３５からの取出し線３６の
間に靜亀容歇Ｃ１が、またもう一方の電極パッドからの
取出し線の間に静電容１ｋＣｚが形成される。この場合
、ダイヤフラム１１の凹陥部はアルカリエツチングある
いはイオンシリング法により数μｍ〜１０μｍ程度に精
度よく加工できることから前記Ｃ１とＣ２の各容重はほ
とんど同じ値にすることができる。７ランジ７に導びか
れた圧力はソールタイヤフラム６に作用し、シリコン旧
６はコ鍾当なダンピング効果を受けなから導通孔３３を
移動し、タイヤフラム１．１ｉｉませる。このダイヤフ
ラム１１の変位量に応じてダイヤフラム１１と電佛３１
１田の隙間が差動的に変位する。この場合、人力である
圧力差ＰＩＰ２と静畦容諷とツノ間には次の（１）式が
成立する。
ここでＫは比例定数
この容はの和と差の比を電気信号として増幅器９１で増
幅Ｊ−ることにょシ、各編に比例した電気信号を得る。
幅Ｊ−ることにょシ、各編に比例した電気信号を得る。
なお、差圧伝送器は両側に加わる１００気圧以上の等静
圧を受けながら微少な差圧ＰＩＦ２２０．１気圧を高精
度に検出する機能が要求されるため、全体の構成部品に
はこれに則１える耐圧、強度が必要となる。たとえばフ
ランジ７を締付けるボルト７２、ナンド７３は７ランジ
７の受圧面梢にかかる何トンもの力全受けるため、気密
を深つため本体３を光分に締イづけ゛〔おく必秩がある
。この力はタイヤフラム１２にも加わるため、これか変
形して有性に悲′＃譬を及ぼすため、タイヤフラムの外
周部にスペー？４を設は前−１力を分数させたものであ
る。
圧を受けながら微少な差圧ＰＩＦ２２０．１気圧を高精
度に検出する機能が要求されるため、全体の構成部品に
はこれに則１える耐圧、強度が必要となる。たとえばフ
ランジ７を締付けるボルト７２、ナンド７３は７ランジ
７の受圧面梢にかかる何トンもの力全受けるため、気密
を深つため本体３を光分に締イづけ゛〔おく必秩がある
。この力はタイヤフラム１２にも加わるため、これか変
形して有性に悲′＃譬を及ぼすため、タイヤフラムの外
周部にスペー？４を設は前−１力を分数させたものであ
る。
Ｐ＋またｋｉＰ ２のい−！゛れかの圧力が勾、に大気
解放される場合にも破壊してはならず、この上うな過負
ｆｄｆ片圧が解放された鏝はダイヤフラム１１−第４図
の実線に示すように元の位置に正確に復帰することが必
鮫となる。このような機能全満足させるためにはダイヤ
フラムは筒弾性材料であることが望ましく、たとえばＳ
ｉＣあるいはＡｔｚＯｓなどのように結晶性のセラミッ
クがそれに適応したものとなる。また、ダイヤフラム１
１の変形を極力小さく抑えるため本体３との隙間２を約
１０／Ａｍと小さくして応カケ小さくする。この場合、
セラミック自体は誘電体であることから固定電極との間
に形成した静電各線に対し直列容はとなりセンサの感度
を低下させることとなる。それ故、セラミックからなる
ダイヤフラム１１の表面にはボロン等の導電性金属ｔイ
オン打込法あるいは拡散法によって１〜２μｍの深さに
形成させ、この導電層を可動電極にしている。また、ダ
イヤフラム外周厚肉部に形成する絶縁膜はピンホールの
ない絶縁耐圧の尚い膜質が要求されるとともに、ダイヤ
フラム１１および本体３とほぼ熱）′Ｆ３張係斂が等し
いものが要求される。したがって、ダイヤフラム１１お
よび本体３と同一の材料あるいはこれに近似した熱膨張
係数のガラスをスパッタリング法等で表面に被着させ、
除歪温度でアニールした後、融点より低い温度に加熱し
、数巨ｖの電圧を印加することが適当となる。
解放される場合にも破壊してはならず、この上うな過負
ｆｄｆ片圧が解放された鏝はダイヤフラム１１−第４図
の実線に示すように元の位置に正確に復帰することが必
鮫となる。このような機能全満足させるためにはダイヤ
フラムは筒弾性材料であることが望ましく、たとえばＳ
ｉＣあるいはＡｔｚＯｓなどのように結晶性のセラミッ
クがそれに適応したものとなる。また、ダイヤフラム１
１の変形を極力小さく抑えるため本体３との隙間２を約
１０／Ａｍと小さくして応カケ小さくする。この場合、
セラミック自体は誘電体であることから固定電極との間
に形成した静電各線に対し直列容はとなりセンサの感度
を低下させることとなる。それ故、セラミックからなる
ダイヤフラム１１の表面にはボロン等の導電性金属ｔイ
オン打込法あるいは拡散法によって１〜２μｍの深さに
形成させ、この導電層を可動電極にしている。また、ダ
イヤフラム外周厚肉部に形成する絶縁膜はピンホールの
ない絶縁耐圧の尚い膜質が要求されるとともに、ダイヤ
フラム１１および本体３とほぼ熱）′Ｆ３張係斂が等し
いものが要求される。したがって、ダイヤフラム１１お
よび本体３と同一の材料あるいはこれに近似した熱膨張
係数のガラスをスパッタリング法等で表面に被着させ、
除歪温度でアニールした後、融点より低い温度に加熱し
、数巨ｖの電圧を印加することが適当となる。
したがって、上述した実施例によれば、（１）全体が同
−膜質であるため熱歪が少なく、温度変化による静′眠
容量変化が極めて少なくなる。（２）全体がセラミック
スで構成されているため、品い温度まで使用できかつ軽
量となる。（３）ダイヤフラムに設けたわずかの凹陥部
で静電容量全形成することから圧力差による静電容祉の
変化が大きく感度が高くなるとともに小型化、高耐圧化
が図れるようになる。（４）同陳の理由により、過負荷
片圧が加わってもダイヤフラムはわずかの撓みで本体３
に当接することになり、その発生応力か小さく、片圧除
去後は正確に元の位置に復帰させることができる。
−膜質であるため熱歪が少なく、温度変化による静′眠
容量変化が極めて少なくなる。（２）全体がセラミック
スで構成されているため、品い温度まで使用できかつ軽
量となる。（３）ダイヤフラムに設けたわずかの凹陥部
で静電容量全形成することから圧力差による静電容祉の
変化が大きく感度が高くなるとともに小型化、高耐圧化
が図れるようになる。（４）同陳の理由により、過負荷
片圧が加わってもダイヤフラムはわずかの撓みで本体３
に当接することになり、その発生応力か小さく、片圧除
去後は正確に元の位置に復帰させることができる。
（５）夕°イヤフラムは高弾性の結晶性セラミックであ
ることからヒステリシスを少なくすることができる。（
６）本体にモールドで１産できるためコス）ｋ低減させ
ることができる。（カダイヤフラムの凹陥部卵重はその
深さがわずかな量であるため、同一プロセスかつ短時間
で、各靜直容承を正確にバランスより製作することがで
きる。
ることからヒステリシスを少なくすることができる。（
６）本体にモールドで１産できるためコス）ｋ低減させ
ることができる。（カダイヤフラムの凹陥部卵重はその
深さがわずかな量であるため、同一プロセスかつ短時間
で、各靜直容承を正確にバランスより製作することがで
きる。
以上述べた実施例では、タイヤフラムに形成された１極
および本体に形成された電極との互いの接触全防止する
ために絶縁１ｉ！Ｉ’に介在させた構成としたものであ
るが、必ずしもこのような構成とする必侵はなく、第５
図に示すように、支持部を除く可動ダイヤフラム１１と
対向する本体３の領域のみに′電極３１を設け、この電
・陰３１は本体３内に組み込まれた取出線３６金介して
取出してもよイコとはいうまでもない。
および本体に形成された電極との互いの接触全防止する
ために絶縁１ｉ！Ｉ’に介在させた構成としたものであ
るが、必ずしもこのような構成とする必侵はなく、第５
図に示すように、支持部を除く可動ダイヤフラム１１と
対向する本体３の領域のみに′電極３１を設け、この電
・陰３１は本体３内に組み込まれた取出線３６金介して
取出してもよイコとはいうまでもない。
以上述べたことから明らかなように、本発明による差圧
伝送器によれば、高温特性、尚耐圧特性を有し、ｊ劇単
な加工、組立により特性揃いのよいものｋｉ４１ること
ができる。
伝送器によれば、高温特性、尚耐圧特性を有し、ｊ劇単
な加工、組立により特性揃いのよいものｋｉ４１ること
ができる。
第１図は従来の差圧伝送器の一例を示す四部断面図、第
２図は本発明による差圧伝送器の一実施例ケ示す全体（
ｎ成図、第３図は第２図の要部全拡大した断面図、第４
図は本発明による差圧伝送器の効果を示す説明図、第５
図は本発明による差圧１へ送器の他の実施例金示す要部
構成図である。 ３・・・本体、４・・・スベーナ、５・・・ホルダ、６
・・・シリコン油、１１・・・ダイヤフラム、１５．３
６・・・取出し線、３１・・・亀（１臥 ３２・・・ガ
ラス絶縁膜、３４・・・７−ルダイヤフラム。 茅Ｉ 目 茅２ 目 茅３０ ４１θＯ ＄４− 固
２図は本発明による差圧伝送器の一実施例ケ示す全体（
ｎ成図、第３図は第２図の要部全拡大した断面図、第４
図は本発明による差圧伝送器の効果を示す説明図、第５
図は本発明による差圧１へ送器の他の実施例金示す要部
構成図である。 ３・・・本体、４・・・スベーナ、５・・・ホルダ、６
・・・シリコン油、１１・・・ダイヤフラム、１５．３
６・・・取出し線、３１・・・亀（１臥 ３２・・・ガ
ラス絶縁膜、３４・・・７−ルダイヤフラム。 茅Ｉ 目 茅２ 目 茅３０ ４１θＯ ＄４− 固
Claims (1)
- １、外周部よシそれ以外の領域の肉厚ケ薄くしてなるダ
イヤフラムと、このダイヤフラムの両側面にそれぞれ配
置され前記外周部にて固定挾持する一対の本体と、各本
体と前記ダイヤフラムとの間の窒間と本体外部に通じる
各導通孔と、からなシ、前記ダイヤフラムと各本体はセ
ラミックスで構成されかつ前記ダイヤスラム面とこの而
に対向する本体面には導電層からなる電極が形成されて
いることを特徴とする差圧伝送器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13625782A JPS5927233A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 差圧伝送器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13625782A JPS5927233A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 差圧伝送器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927233A true JPS5927233A (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=15170948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13625782A Pending JPS5927233A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 差圧伝送器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221810A (ja) * | 1988-07-09 | 1990-01-24 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 物品処理装置 |
-
1982
- 1982-08-06 JP JP13625782A patent/JPS5927233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221810A (ja) * | 1988-07-09 | 1990-01-24 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 物品処理装置 |
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