JP2000000011U - 容量型センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シリコン−ガラス−シリコン型の容量型圧力セ
ンサにおいて、誘電スペーサの経年変化による誘電ドリ
フトの影響を減少して、センサ全体としての誘電ドリフ
トを減少させる。 【解決手段】導電性のシリコン基盤１１２と、変形可能
なシリコンダイアフラム１１１と、シリコン基盤１１２
とシリコンダイアフラム１１１間に介挿されるととも
に、検出面に作用する物理的変化によるシリコンダイア
フラム１１１の弾性変形によって容量が変化する可変容
量気密室を形成する非導電性、誘電性スペーサ１１６
と、によって構成される容量型センサにおいて、誘電性
スペーサ１１６の持つ容量を、センサ全体の容量に対し
て２０乃至２５％以下とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、検出する圧力の変動に応じて容量が変化する容量型圧力センサに 関するもので、特に、圧力変動に応じて変位するシリコン製のダイアフラムを用 いたシリコン重畳（Silicon-on-Silicon）型の小型圧力センサに関するものであ る。さらに、本考案は、二つのシリコンダイアフラム間にガラスを介挿して、固 定シリコン基盤の上方にシリコンダイアフラムをガラス壁によって支持するよう に構成したシリコン−ガラス−シリコン（Silicon-Glass-Silicon）型の圧力セ ンサに関するもので、さらにセンサに生じる誘電ドリフトを減少させる技術に関 するものである。

【０００２】

【従来の技術】

この種の容量型圧力センサは、容量型トランスデューサ、マイクロフォン、ラ プチャディスク（rupture disc）、共振器、バイブレータ等に用いられている。 これらの用途の多くにおいて、圧力センサの小型化が望まれている。例えば、こ の種のセンサにおいて求められる大きさは、８ｍｍ×８ｍｍ程度の大きさである 。

【０００３】 シリコン製容量型圧力センサは、従来より知られており、例えばポーリ（Poly e）に付与されたアメリカ特許第３，６３４，７２７号明細書には、所定の空隙 を存して対向するシリコン板を共晶金属バンドによって連結した構成が開示され ており、測定する圧力に応じて空隙の容量を変化させることによって、圧力に応 じた容量信号を発生するように構成されている。従って、この種の圧力センサは 、圧力によって生じる薄いダイアフラムの変形によって、圧力の検出を行ってい る。すなわち、可変容量を形成する二つの対向面間の距離をダイアフラムの変形 によって変化させ、この容量変化を検出することによって、圧力の測定を行うも のである。

【０００４】 航空宇宙工学製品等の、高精度を要するセンサの場合、この種の圧力センサに より達成され得る精度は、１２０℃程度の比較的高温での、例えば２０年以上の 長期間に圧力検出要素に生じるドリフトによって制限されている。

【０００５】 従来より公知のシリコン−ガラス−シリコン型の圧力センサの代表的な構成を 図４及び図５に示す。この図４及び図５の構成は、本考案の直接の従来技術を構 成するものであって、誘電層によって形成され、センサの検出空隙の周囲に形成 された誘電性スペーサによって、検出要素の容量の約５０％を形成している。ホ ウケイ酸ガラス等で形成されるこの誘電性スペーサに生じる経年変化及びドリフ トは、以下に“Ｃｐ”と表され、この誘電性スペーサの経年変化及びドリフトが 、検出要素のドリフトの主な原因となる。

【０００６】 図４及び図５に示すように、シリコン重畳型圧力センサ又はトランスデューサ １０の外形は、矩形形状に形成されており、内部の機能部Ｃｃは、図４に示すよ うに、円形又は円筒形に形成されている。この機能部Ｃｃには、導電性を有し、 矩形に形成され、可とう性を有し、かつ適当にドーピングされた上側シリコンダ イアフラム１１と、導電性を有し、適当にドーピングされた下側又は底部のシリ コンベース又は基盤１２と、ホウケイ酸ガラス等の誘電性材料で形成され、シリ コンダイアフラム１１とシリコン基盤１２間に介挿された非導電性の誘電性スペ ーサ１３と、シリコンダイアフラム１１とシリコン基盤１２間に形成され、閉塞 され、気密シールされた基準室１４とによって構成されている。この基準室１４ は、主にゼロ負圧又は高基準圧によってシールされた構成となっている。この基 準室１４の圧力は、この圧力が基準レベルとなっているときにシリコンダイアフ ラム１１とシリコン基盤１２が平行となるように調整されている。

【０００７】 なお、添付図面の寸法は、各部の構成を明瞭に示すために便宜的に実際の寸法 とは一致しない寸法で示されている。例えば、ガラススペーサ１３、１６は、実 際には、５０ｐｓｉ（pound per square inch）（３４４．７５ｋＰａ）の圧力 計測ユニットにおいて、厚さが９μｍであり、これに対してシリコン層１１、１ ２はそれぞれ０．０５０インチ（０．１２７ｍｍ）の厚さとなっている。

【０００８】 中央に形成され、円形突出部１２Ａは、基準室１４内に突出している。図５に 示すように、この円形突出部１２Ａの表面には、ガラス製の絶縁層１３Ａが形成 されている。このガラス製絶縁層１３Ａの厚さは１／２μｍとなっており、９μ ｍの厚さをもつガラス製スペーサ１６に連続している。このガラス製絶縁層１３ Ａは、センサ１０における長期間の使用によって生じるドリフトの問題にはほと んど影響を与えない。従って、この絶縁層１３Ａの２０年以上の長期間における 変化特性は無視できるものとなる。

【０００９】 センサ１０の外部における大気圧が変化した場合、シリコンダイアフラム１１ が変形して、シリコンダイアフラム１１とシリコン基盤１２間に形成された、容 量空間の容量が変化して、センサ１０の容量を変化させる。外側表面又は上側面 １７に負荷される外部圧力の変化による、このセンサ１０の容量が、圧力及び圧 力変化の測定に用いられる。

【００１０】 導電体又は電極１８Ａ、１８Ｂは、シリコンダイアフラム１１とシリコン基盤 １２に接続されており、この電極を介して、センサは外部回路に接続される。な お、外部回路においては、センサ１０の出力量に基づいて、測定する圧力の関数 として、センサの容量を検出する。すなわち、大気圧が変化した場合、この大気 圧がシリコンダイアフラム１１の外側表面に作用して、ダイアフラムに弾性変形 を生じさせ、これによってダイアフラムとシリコン基盤１２の電極間の容量を変 化させる。このとき生じる容量変化によって、圧力検出信号が発生する。なお、 シリコンダイアフラム１１の下側基準室１４対向面とシリコン基盤１２の突出部 １２Ａ間の距離が２μｍとなっており、センサの導入されている圧力が基準圧に 設定されており、圧力の上昇に伴って、ダイアフラムが、突出部に向かって変形 するように構成されている。

【００１１】 上記の構成において、シリコンダイアフラム１１と、誘電性スペーサ１６の内 側周縁部の円１５で示す部分には、大気圧の変化によってダイアフラムが変位し て、これと接触するために臨界応力が生じる。この誘電性スペーサ１６の半径方 向の幅は０．０３６インチとされ、厚さは９μｍとなっている。一方、突出部１ ２Ａのガラス製誘電層１３Ａ厚さは０．５μｍとなっている。この突出部１２Ａ の突出高さは６．５μｍであり、この突出部１２Ａの直径は０．１５０インチ（ ３．８１ｍｍ）となっている。

【００１２】 シリコンダイアフラム１１及びシリコン基盤１２は、前述したように略矩形に 形成されている。これらのシリコンダイアフラム１１及びシリコン基盤１２の周 縁部における水平方向の長さは０．２６０インチ（６．６０４ｍｍ）となってお り、一方誘電性スペーサ１６の内径は、０．１９０インチ（４．８２６ｍｍ）と なっている。なお、誘電性スペーサの外周は、シリコンダイアフラム１１及びシ リコン基盤１２と同様に矩形に形成してもよく、また円形に形成することもでき る。

【００１３】 図４に示すように、大気導入部１８は、ガラス層２０を介してセンサに接着さ れている。この大気導入部１８には、大気導入ポート１９が形成されており、こ の大気導入ポート１９の内側端部は、シリコンダイアフラム１１の上側の圧力検 出面１７に対向しており、大気はこの大気導入ポート１９より導入され、シリコ ンダイアフラムに作用する。なお、上記したセンサの構成は、本考案の対象とな る圧力センサの構成を説明するために例示した一例であって、本考案の構成はこ れに制限されるものではない。

【００１４】 また、上記と同様にシリコン−ガラス−シリコンの三層構造を持つ圧力センサ は、グランサム（Grantham）及びスウィンダル（Swindal）に付与され、本出願 人が所有するアメリカ特許第４，４６７，３９４号明細書に示されている。シリ コン及びガラスの各層の相対寸法及び電気特性によって、誘電性スペーサ１６は 、装置全体の電気容量の約５０％を構成する。この周縁部における容量は、不変 であり、圧力検出性能上は好ましくないものとなっている。

【００１５】 この周縁部又はダイアフラム支持部における容量の問題を解決するために、セ ンサ内の配線に複雑にものを用い、また、シリコン基盤を既存のものに変更する ことも可能である。しかしながら、この解決方法では、構造が複雑化することに よる生産コストの上昇が問題となり、しかも異なる物質を用いることによって、 熱膨張率の差が問題となる。

【００１６】 レート（Lehto）に付与されたアメリカ特許第４，５９７，０２７号明細書は 、シリコン基盤に凹溝を形成して、誘電層をこの溝にそって配設することによっ て誘電層がスペーサを形成しない構成を提案している。この構成においては、ダ イアフラムの周縁部を下向きに延長して、図４及び図５の誘電性スペーサと同様 のスペーサ機能を持たせる必要があり、上記と同様の問題を生じる。

【００１７】 上記以外の先行技術としては、以下のアメリカ特許がある。

【００１８】 １９８５年７月１６日にシイ．デイ．ベリスタイン（C. D. Beristain）に付 与された「低寄生容量の容量型圧力センサ（Capacitive Pressure Sensor with Low Parasitic Capacitance）」に関するアメリカ特許第４，５３０，０２９号 明細書、１９８５年５月１４日にビイ．メイル（B. Male）に付与された「容量 型圧力センサトランスデューサ信号の調整回路（Capacitive Pressure Sensor T ransducer Signal Conditioning Circuit）」に関するアメリカ特許第４，５１ ７，６２２号明細書、１９８４年４月２３日にデイ．エイチ．グランサム（D. H . Grantham）に付与された「低寄生容量圧力トランスデューサ及びそのエッチン グ停止処理方法（Low Parastic Capacitance Pressure Transducer and Etch St op Method）」に関するアメリカ特許第４，５１３，３４８号明細書、１９８４ 年８月２１日にデイ．エイチ．グランサム及びジェイ．エル．スウィンダル（J. H. Swindal）に付与された「シリコン−ガラス−シリコン容量型圧力センサ（T hree Plate Silicon-Glass-Silicon Capacitive Pressure Sensor）」に関する アメリカ特許第４，４６７，３９４号明細書、１９８４年７月３１日にジェイ． エフ．ブラック（J. F. Black）、テイ．ダブリュー．グルドコスキ（T. W. Gru dkoski）及びエイ．ジェイ．デマリア（A. J. DeMaria）に付与された「超薄型 マイクロエレクトロニック圧力センサ（Ultra-Thin Microelectronic Pressure Sensor）」に関するアメリカ特許第４，４６３，３３６号明細書、１９８３年１ １月１５日にデイ．エイチ．グランサム及びジェイ．エル．スウィンダルに付与 された「静電接着されたシリコン容量型圧力センサ（Electrostatic Bonded, Si licon Capacitive Pressure Sensor）」に関するアメリカ特許第４，４１５，９ ４８号明細書、及び１９８３年９月２０日にデイ．エイチ．グランサム及びジェ イ．エル．スウィンダルに付与された「シリコン−ガラス−シリコン容量型圧力 センサ（Three Plate Silicon-Glass-Silicon Capacitive Pressure Sensor）」 に関するアメリカ特許第４，４０５，９７０号明細書等がある。

【００１９】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記したいずれの従来技術においても、長期間の使用における 誘電ドリフトに関しては十分な低減が達成されておらず、この種のセンサの精度 向上の観点から改良が望まれていたものである。

【００２０】 そこで、本考案の目的は、長期間使用した場合の誘電ドリフトを減少させて、 センサの精度を向上させることにある。

【００２１】 さらに、本考案は、シリコン層−誘電スペーサ−シリコン層の積層構造で形成 する圧力センサ又はトランスデューサの誘電スペーサのセンサ全体の容量に対す る容量比を減少させることにより、誘電スペーサの経年変化による誘電ドリフト の影響を減少して、センサ全体としての誘電ドリフトを減少することを目的とし ている。

【００２２】

【課題を解決するための手段】

上記及び上記以外の目的を達成するために、本考案の構成によれば、導電性シ リコン基盤と、 導電性を有し、弾性変形可能に形成されるとともに、一側面に測定する圧力が 作用する圧力検出面を持つシリコンダイアフラムと、 前記シリコン基盤と前記シリコンダイアフラム間に介挿されるとともに、前記 シリコン基盤の外周部にそって形成され、前記シリコン基盤と前記シリコンダイ アフラム間を連結して、前記シリコン基盤と前記シリコンダイアフラム間に前記 検出面に作用する圧力による前記シリコンダイアフラムの弾性変形によって容量 が変化する可変容量気密室を形成する非導電性、誘電性スペーサとによって構成 され、前記誘電性スペーサの持つ容量を、センサ全体の容量に対して２０乃至２ ５％以下としたことを特徴とする容量型圧力センサ又はトランスデューサが提供 される。

【００２３】 なお、上記の本考案の構成において、前記誘電性スペーサの前記シリコンダイ アフラム接合面の幅を０．０３６インチ（０．９１４４ｍｍ）未満とする。また 、好ましくは、前記誘電性スペーサの前記シリコンダイアフラム接合面の幅を０ ．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）未満とする。さらに、前記誘電性スペーサの 前記シリコンダイアフラム接合面の幅を０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）未 満とするとともに、前記シリコンダイアフラムが、前記接合面の放射方向外側ま で延長して形成することもできる。また、前記シリコンダイアフラムは、その周 縁部の厚さが、中央部の厚さ以下となるように形成されている。なお、上記した シリコンダイアフラムの厚さは、全面積において均一な厚さに形成することを包 含する。

【００２４】 さらに、前記誘電性スペーサの容量がセンサ全体の容量の１６％以下とするこ とが望ましい。また、前記シリコンダイアフラムの周縁部下面が、誘電性スペー サの対向する面に対して離間して配設することもでき、さらに、前記シリコン基 盤の周縁部の上面が、中央部の上面よりも低位に位置しており、前記周縁部の上 面上に前記誘電性スペーサが形成することもできる。

【００２５】

【実施例】 以下に、本考案の好適実施例を添付図面を参照しながら説明する。なお、以下 の説明において、図１乃至図３において図示のない部分に関しては、従来技術を 説明するために用いた図４及び図５と同様の構成となるため省略したもので、図 １乃至図３において図示しない要素に関しては図４及び図５の対応する部分に用 いた参照符号を用いて説明する。

【００２６】 図１は、本考案によるシリコン重畳型圧力センサの第一の実施例による構成を 示すもので、誘電ドリフトを減少させるように構成されている。この構成におい ては、誘電性スペーサの厚さ及び幅が縮小されている。このため、図１の構成に おいては、誘電性スペーサ１１６の破線で示す外側部分１１６Ａをエッチング等 によって切り欠いて構成している。この構成では、基準室１１４を形成するシリ コンダイアフラム１１１と誘電性スペーサ１１６の部分１１５における干渉を防 止する構成とはなっていない。しかしながら、先に説明した従来技術においては 誘電性スペーサが０．０３６インチ（０．９１４４ｍｍ）の厚みを持っていたの に対して、本実施例の構成による誘電性スペーサ１１６の厚さは、０．０１０イ ンチ（０．２５４ｍｍ）となっており、０．０２６インチ（０．６６０４ｍｍ） 分の誘電性スペーサ部分１１５が切り欠かれている。従って、シリコンダイアフ ラム１１１の周縁部は、この０．０２６インチ（０．６６０４ｍｍ）分、誘電性 スペーサ１１６の外周面１１６Ｂよりも外側に位置することになる。

【００２７】 なお、本実施例においても基準室１１４側部の気密保持のために、誘電性スペ ーサ１１６はある程度の厚みを有する必要があり、これと同時に、検出面１１７ に作用する大気圧の変動によりシリコンダイアフラム１１１が弾性変形する場合 における干渉部１１５における応力を過大としないために、誘電性スペーサ１１ ６にはある程度の幅が必要となる。

【００２８】 さらに、本実施例においては、誘電性スペーサ１１６の外周面１１６Ｂの切欠 処理を光学リソグラフ処理によって行うことによって、誘電性スペーサ１１６の 容量を、図４及び図５の構成における切削処理による切削面による場合と比較し て、精密に制御することが可能となる。またさらに、光学リソグラフを用いて誘 電性スペーサの切除処理を行うことによって、切削処理に比較してクラックの発 生を少なくすることが可能となる。

【００２９】 図２及び図３は、本考案の他の実施例を示すもので、これらの実施例は、上記 図１の実施例の形成工程に加えて余分な処理工程を必要とするが、一方、前記の 実施例に比べて誘電性スペーサの容量を更に減少することが可能となり、長期間 の使用によるドリフトを減少することが可能となる。しかも、誘電性スペーサ外 周面の処理精度を一層向上することができる。

【００３０】 図２の構成においては、シリコンダイアフラム２１１の周縁部の、誘電層２１ ３で形成した誘電性スペーサ２１６に対向する下面に、切り欠き部２１１Ａを形 成した構成となっている。一方、図３の構成においては、誘電性スペーサ３１６ に接合するシリコン基盤３１２の外周部上端縁３１２Ａを切り欠いた構成となっ ている。

【００３１】 図２のセンサ構造においては、シリコンダイアフラム２１１に切り欠き部２１ １Ａを形成して、外周部におけるシリコンダイアフラム２１１とシリコン基盤２ １２の離間距離を、図４及び図５に示す従来の構成における９μｍから０．００ ２インチ（５０．８μｍ）に拡大している。さらに、シリコンダイアフラム２１ １と誘電性スペーサ２１６のシリコンとガラスの当接面積を、従来の０．０３６ インチ（０．９１４４ｍｍ）から０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）に減少し ている。

【００３２】 一方、図３の構成によれば、上記の図２の構成と同様に、シリコン基盤３１２ の上端縁３１２Ａを切り欠き、この切り欠き部にそって誘電層を形成して誘電性 スペーサ３１６を構成することによって、シリコンダイアフラム３１１とシリコ ン基盤３１２の外周部における離間距離を増大させている。なお、本実施例にお けるシリコン基盤３１２の外周部３１２Ａの切り欠き部により、この外周部にお けるシリコンダイアフラム３１１とシリコン基盤３１２の距離は、従来の９μｍ から５０μｍに拡大している。この構成によっても先の実施例と同様に、シリコ ンダイアフラム３１１と誘電性スペーサ３１６の接触面積を減少することができ 、また、誘電性スペーサ３１６における容量を減少することが可能となる。

【００３３】 なお、図３における各部の寸法は、表記上の便宜により実際の寸法とは異なる 寸法比で示されており、実際には、シリコン基盤３１２に外周部３１２Ａの切り 欠き深さは、誘電性スペーサ３１６の厚さに対して約５．５倍の深さを持ってい る。すなわち、誘電性スペーサ３１６の厚さは９μｍであり、シリコン基盤３１ ２の外周部３１２Ａの切り欠き深さは５０μｍである。

【００３４】 図３の実施例によるセンサを製造して、試験を行った結果、センサ要素におけ る誘電ドリフトが減少するとともに、誘電率が８減少していた。

【００３５】 本考案は、上記の実施例以外にも構成可能であり、誘電性スペーサの厚みを増 大すると同時に、突出部の基準室内への突出高さを増加させて、基準圧における ２μｍのシリコンダイアフラムと突出部上面の離間距離を維持するように構成し てもよい。

【００３６】 なお、上記した本考案の構成は、必要に応じて適宜選択して使用されるもので ある。ガラス製誘電性スペーサ１６、１１６、２１６、３１６によるセンサ周縁 部の容量は、シリコンダイアフラム及びシリコン基盤で構成される容量プレート の離間距離、誘電性スペーサの形成材料の導電性、シリコンダイアフラムと誘電 性スペーサの接合面積等の種々の条件によって決定される。

【００３７】 上記の構成において、誘電性スペーサの持つ電気容量は、センサの全容量に対 して、２０乃至２５％以下、好ましくは１６％以下とする。

【００３８】

【考案の効果】 上記のように、本考案によれば、シリコンダイアフラムを支持する誘電性スペ ーサの電気容量をセンサ全体の電気容量に対して相対的に減少させることによっ て、センサの長期間の使用による経年変化及び主に誘電性スペーサの経年変化又 は損耗等による誘電ドリフトを著しく減少することができる。

【００３９】 なお、本考案は、前提技術として示した図４及び図５の形状の圧力センサに適 用するほか、いかなる形状及び構成の誘電ドリフトの減少が必要な容量型圧力セ ンサ又はトランスデューサにも適用可能なものである。

【００４０】 また、本明細書の説明に上下の位置関係は、説明の理解を助けるために、図示 の位置関係を用いて示しているが、この方向性に関しては、センサの取り付け態 様によって位置関係がいかようにも変化するものである。

【００４１】 さらに、本考案は、上記の実施例に限定されるものではなく、実用新案登録請 求の範囲に記載した要件を満足するいかなる構成をも包含するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例による容量型圧力センサの要部
を示す部分断面図である。

【図２】図１に示す実施例の変形例を示す部分断面図で
ある。

【図３】図１に示す実施例の変形例を示す部分断面図で
ある。

【図４】従来の容量型圧力センサを一部切り欠いて示す
斜視図である。

【図５】図４の圧力センサの要部を示す部分断面図であ
る。

【符号の説明】

１０，１１０，２１０，３１０ センサ １１，１１１，２１１，３１１ シリコンダイアフ
ラム １２，１１２，２１２，３１２ シリコン基盤 １４，１１４，２１４，３１４ 基準室 １６，１１６，２１６，３１６ 誘電性スペーサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 ジェームス エル．スインダル アメリカ合衆国，コネチカット，イースト ハンプトン，エジャートン ストリート 27 (72)考案者 ウオルター ジェイ．ワインガンド アメリカ合衆国，コネチカット，グラスト ンバリー，ジョニー ケーキ レイン 75 (72)考案者 チャールズ ビイ．ブレーム アメリカ合衆国，コネチカット，エリント ン，グレンウッド ロード 20 (72)考案者 ハロルド デイ．メイヤー アメリカ合衆国，コネチカット，サウス ウインザー，デイアフィールド レイン 68

Claims (9)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性シリコン基盤と、 検出される物理的変化により変位する、導電性を有し、
   変形可能なシリコンダイアフラムと、 前記シリコン基盤と前記シリコンダイアフラム間に介挿
   されるとともに、前記シリコン基盤の外周部にそって形
   成され、前記シリコン基盤と前記シリコンダイアフラム
   間を連結して、前記シリコン基盤と前記シリコンダイア
   フラム間に前記検出面に作用する物理的変化による前記
   シリコンダイアフラムの弾性変形によって容量が変化す
   る可変容量気密室を形成する非導電性、誘電性スペーサ
   と、によって構成され、 前記誘電性スペーサの持つ容量を、センサ全体の容量に
   対して２０乃至２５％以下としたことを特徴とする、圧
   力変化などの物理的変化の検出に用いられる容量型セン
   サ。
2. 【請求項２】 前記誘電性スペーサの前記シリコンダイ
   アフラム接合面の幅を０．０３６インチ（０．９１４４
   ｍｍ）未満としたことを特徴とする請求項１に記載の容
   量型センサ。
3. 【請求項３】 前記誘電性スペーサの前記シリコンダイ
   アフラム接合面の幅を０．０１０（０．２５４ｍｍ）イ
   ンチ未満としたことを特徴とする請求項２に記載の容量
   型センサ。
4. 【請求項４】 前記誘電性スペーサの前記シリコンダイ
   アフラム接合面の幅を０．０１０インチ（０．２５４ｍ
   ｍ）未満とするとともに、前記シリコンダイフラムが、
   前記接合面の放射方向外側まで延長されていることを特
   徴とする請求項１に記載の容量型センサ。
5. 【請求項５】 前記シリコンダイアフラムは、その周縁
   部の厚さが、中央部の厚さ以下となるように形成されて
   いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
   記載の容量型センサ。
6. 【請求項６】 前記シリコンダイアフラムが、全面積に
   おいて均一な厚さに形成されている請求項５に記載の容
   量型センサ。
7. 【請求項７】 前記誘電性スペーサの容量がセンサ全体
   の容量の１６％以下に構成されていることを特徴とする
   請求項１乃至６のいずれか１項に記載の容量型センサ。
8. 【請求項８】 前記シリコンダイアフラムの周縁部下面
   が、誘電性スペーサの対向する面に対して離間して配設
   されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
   １項に記載の容量型センサ。
9. 【請求項９】 前記シリコン基盤は、周縁部の上面が、
   中央部の上面よりも低位に位置しており、前記周縁部の
   上面上に前記誘電性スペーサが形成されていることを特
   徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の容量型
   センサ。