KR0137939B1

KR0137939B1 - 용량성 압력감지기 및 그의 기생용량 최소화 방법

Info

Publication number: KR0137939B1
Application number: KR1019890020310A
Authority: KR
Inventors: 에치. 그랜섬 다니엘; 에스. 라티나 마리오
Original assignee: 챨스 제이, 스펠란젤라 2세; 브리드 오토모티브 테크롤로지 인코포레이티드
Priority date: 1988-12-30
Filing date: 1989-12-30
Publication date: 1998-05-15
Also published as: DE68913177D1; EP0376632B1; AR243679A1; US4951174A; CA2006672A1; BR9000011A; IL92927A; IL92927A0; CA2006672C; JPH02264838A; EP0376632A1; KR900010374A; DE68913177T2

Abstract

내용 없음

Description

용량성 압력감지기 및 그의 기생 용량 최소화 방법.

제1A도는 본 발명의 감지기와 몇 개의 공통적인 구조 및 동작 특성을 가진 종래기술에 따른 실리콘-온-실리콘의 2-판 용량성 압력감지기를 부분적으로 절개한 투시도.

제1도는 제1A도에 도시된 실리콘-온-실리콘의 2-판 용량성 압력감지기를 개략적으로 보인 측면도로서, 본 발명에 보다 많이 관련되는 부분들이 보다 양호하게 보이도록 압력포트전이부를 제거한 측면도.

제2도는 부가적인 제3판이 감지기의 중앙구역내에 중심적으로 포함된 종래기술에 따른 실리콘-온-실리콘의 3-판 용량성 압력 감지기를 개략적으로 보인 측면도.

제3도는 기본적으로 원통형의 형상과 주앙구역내의 수직방향의 긴 중심선에 대한 대칭성을 가지며, 제3판이 중앙구역을 에워싸는 유리스페이서 측벽내에 위치하되 중앙구역의 외측에 위치하는 본 발명에 따른 실리콘-유리-실리콘(SGS)용량성 압력감지기의 대표적인 실시태양을 개략적으로 도시한 측면도.

제4도는 제3도에 도시한 감지기의 등가전기회로의 전기적인 개략도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

210 : 감지기211 : 전도성 실리콘격막

212 : 전도성 실리콘기재213 : 유리유전체층

214 : 챔버216 : 스페이서 측벽

217 : 외측면220 : 제3판

본 발명은 용량의 변화를 이용하여 압력의 변화를 감지하기 위한 압력 감지기에 관한 것이며, 특히, 작동 압력의 변화에 의해 만곡변위되는 실리콘 격막을 사용하여 감지기의 용량을 변화시켜 작동압력을 나타내는 출력을 제공하는 실리콘-유리-실리콘 압력감지기에서 생기는 장기간의 표류 및 기생(비-감압성)용량을 최소로 하는 것에 관한 것이다.

용량성 압력감지기는 잘 알려져 있으며, 용량변환기, 마이크로폰, 럽처디스크(rupture discs), 공진기, 진동기 및 동종의 장치에 이용된다. 이러한 용량성 압력감지기의 응용에서는 대부분의 감지기의 크기가, 예로서, 8mm×8mm 규모로 극히 작을 것이 요구된다.

실리콘 용량성 압력 변환기는 이 분야에 알려져 있다. 예를들면, 폴리에에게 주어진 미국 특허 제3,634,727호는 중앙에 구멍이 뚫린 한쌍의 전도성 실리콘 판을 공융(eutectic)금속 결합으로 한데 합쳐 실리콘 디스크 판이 작용 압력에 따라 만곡변위되게 함으로써 상기 구멍의 용량을 변화시켜 압력의 크기를 용량성 타입의 신호로 제공하는 종류의 감지기를 개시하고 있다. 따라서 이러한 형태의 압력 변환기에서는, 얇은 격막이 압력에 의해 변형되었는데, 유체 압력 함수로서의 그같은 격막 변형은 가변캐패시터 판을 형성하는 한쌍의 표면간의 거리에 변화를 야기시킨다. 다른 예의 그러한 실리콘 압력감지기 또는 변환기는 아래에 나열된 특허에 포함되어 있다.

그러나, 장기간의 표류 및 기생(비-감압성)용량은, 예로서, 그러한 용량성 압력감지장치를 우주항공분야에 응용하는데 필요한 고감도 및 정확도를 손상시키능 문제로 도니다.

현 기술수준의 실리콘-유리-실리콘(SGS)용량성 감지기들에 있어서, 감지기 둘레의 유리 환상부(16)(제1A 및 1도 참조)는 그 구조의 필수부분으로 되나 감지기의 감압성 용량에 부가되는 비감압성 용량의 근원으로 된다. 이것은 감지기의 동적 부위가 감소되고 압력변화에 대한 감지기의 감도가 감소되게 한다.

또한, 유리 유전체상수의 고유한 장기간의 불안정성 때문에, 그 같은 기생 유리 유전체 캐패시터에 의해 전체적인 장기간의 표류가 발생될 수 있는데, 이같은 표류는 우주항공 분야의 성능실현을 위해서 감소되거나 보상되어야만 한다.

다른 접근방식에서는, 3-터미날(또는 3-판 장치)을 적정한 측정회로와 조합하여 측정치로부터 기생용량을 제거하므로써 표류 및 불안정성이 제거되게 하는 것에 관해 교시하고 있다. 본 출원인에게 양도된 그랜섬 및 스윈달의 미국 특허 4,467,394호에 설명된 감지기들(제2도 참조)에서는, 제3의 금속판(120)이 기준공동부(114)내에 제공되며, 밀봉형 관통부가 상기 제3판(120)에 관련하여 유리밀봉링(116)내에 제공된다. 그러나, 이 접근방식에서는 특수한 밀봉의 문제를 제기하는 비-평면구조가 생기게 된다. 또한, 선정되는 금속의 한정으로 인해, 화확적 에칭으로 형상을 규정하는데 있어 특수한 문제들이 제기된다.

대표적인 선행기술 문헌으로서 본 출원인이 소유하고 있는 용량성 압력 감지기 또는 변환기 분야의 미국 특허로는 다음과 같은 것이 있다.

특허발명의 명칭발명자등록일

4,503,029저기생성 용량을씨.디.베리스테인1985.7.16

가진 용량성 압력 감지기

4,517,622용량성 압력변환기비.메일1985.5.14

신호조정회로

4,513,348저기생성 용량신호디.에치.그랜섬1985.4.23

변환기 및 부식

중지방법

4,467,3943판 실리콘-유리-실리콘디.에치.그랜섬1984.8.21

용량성 압력 변환기제이.엘.스윈달

4,463,336초박형 마이크로제이.에프.불랙1984.7.31

전자식 압력감지기티.다불유

그루드카우스키

에이.제이.디마리아

4,415,948정전기식 결합성디.에치.그랜섬1983.11.15

실리콘 용량성제이.엘.스윈달

압력 변환기

4,405,907실리콘-유리 실리콘제이.엘.스윈달1983.9.20

용량성 압력 변환기디.에치.그랜섬

본 발명의 목적은 비-전도성 유리 환상부의 부가적인 비감압성 용량의 문제를, 종래기술의 문제점에 대한 전술한 접근방식에 있어서의 어떤 문제도 일으키지 않으면서, 극복하거나 적어도 최소화하고자 하는 것이다.

본 발명은 이같은 목적을, 감지기의 중앙구역의 내측이 아닌 중앙구역의 외측에 얇은 제3의 용량성판을 제공하는 것에 의해, 달성한다.

본 발명의 태양들에는, 양호하게는 모든 세개의 판이 전도성의 도우핑된 실리콘 또는 양호하게는 적어도 동일물질로 되게 물질을 선택하고, 제3실리콘판을 중앙구여그이 내측이 아니라 중앙구역의 외측에 대칭적으로 배치하고, 보다 높은 수율 및 보다 양호한 장기간의 신뢰성을 제공하되, 바람직하게는 모든 층이 평면으로 되게 하는 개선된 어셈블리 기법이 포함도니다.

본 발명의 상기 및 기타 특징과 장점들은 다음과 설명 및 유사요소들 또는 구조들에는 전체 도면을 통해 동일한 예시부호를 사용했다.

2-판 감지기(종래기술-제1도 및 1A도)

본 발명의 2-판 부분의 일반구조 및 동작특성에 대한 이해를 돕고 일반적인 배경설명을 위해서, 제1A 및 제1도를 참고로하여 종래기술의 단순화된 2-A판 감지기를 설명하고자 한다.

대표적인 종래기술인 제1도 및 제1A도에 도시된 샌드위치형의 실리콘-유리-실리콘 단일 압력감지기 설계에 있어서는, 하나의 유전체측벽스페이서(16)가 실리콘 격막(11)과 실리콘베이스(12)사이에 위치한다. 그 유전체 측벽스페이서는 통상적으로 붕규산 유리로 만들어진다.

격막과 베이스간의 유전체층(13), 특히, 감지기의 작동주변부에 유전체층에 의해 형성된 상방으로 연장하는 벽지지부 또는 스페이서 영역(16)에 있어서의 유전체층은 감지요소의 총용량의 대략 50%를 포함한다. 본 발명에 있어서, 그 장치의 주변부에 전형적으로 위치하며, 일반적으로“Cp”로 표시되는 기생용량은 제거 또는 최소로 된다.

제1A도에서 볼 수 있듯이, 대표적인 종래기술인 실리콘-온-실리콘 압력가지기 또는 변환기(10)는 전형적으로 그의 외관이 사각형이나 중앙 구역 Cc를 이루는 그의 내부 작동하부구조는 종종 적어도 원형 또는 원통형인 것이 일반적이며 또한 바람직하다.

상기 감지기(10)는 하나의 전도성이고 사각형인 가요성의 적당히 도우핑된 상부 실리콘 격막(11)과, 하나의 전도성의 적당히 도우핑된 하부 실리콘 베이스 또는 기재(12)와, 그들 사이에 위치한 비전도성 유전층 및 스페이서(13)(이 스페이서는, 예를들면, 붕규산 유리로 만들어졌음)와, 상기 두개의 실리콘 층(11)과 (12)사이에 형성된 하나의 폐쇄이고, 진공 밀봉된 기준공동(14)을 포함한다.

상기 공동(14)은 전형적으로 제로 진공상태에 있거나 또는 좀더 높은 기준압력으로 밀봉될 수 있다. 그 기준압력에서, 격막(11)은 실리콘기재(12)에 평행하며, 통상적으로 그 양자간에는 2마이크로미터의 간격이 존재한다.

본 명세서에 첨부한 개략도에서는 설명용이므로 그 척도가 정확한 비례수치가 아님을 이해하여 주기바란다. 대표적인 50psi 압력 감지기의 경우, 상기 유리측벽 또는 스페이서(13/16)는 일반적으로 그 높이가 9마이크로미터인데 비해서, 상기 실리콘 층(11) 및 (12)의 두께는 각가 0.008 및 0.050인치이다.

중앙에 위치한 통상적으로 원형인 받침대(12A)는, 그 받침대의 상부를 덮는 얇은 절연유리층(13A)(제1A도에는 도시되지 않았음)과 함께 통상 일반적으로 원통형인 폐쇄공동(14)으로 연장된다. 상기 유리층(13A)은 얇기 때문에(이 유리층은 전형적으로 0.5마이크로미터에 불과하며, 전형적으로 9마이크로미터인 상대적으로 높은 상기 유리측벽(16) 다음에 형성된다.), 일반적으로, 감지기(10)의 기생용량에 거의 영향을 끼치지 않는다.

감지기(10)의 외면에 작용하는 외부주변 압력이 변화함에 따라, 격막(11)은 하방으로 움직여, 용량성 판역활을 하는 실리콘층(11)과 (12)사이의 간격을 변화 및 감소시킴으로써 감지기의 용량을 변화시킨다. 이러한 격막(11)의 외면 또는 상부(17)에 작용하는 외압의 변동으로 발생하는 용량의 변도은 그 압력 및 압력 변화의 척도로 사용된다.

실리콘 층(11) 및 (12)에 대한 전도체 또는 전극(18A) 및 (18B)은 상기 변환기 또는 감지지(10)를 압력의 함수로 변화하는 용량을 측정하는 적절한 회로(이러한 회로는 대부분 이 분야에 알려져 있음)에 연결시키기 위해서 포함되어 있다. 탄성 실리콘격막(11)의 외부감지표면(17)에 작용하는 변동하는 압력은 그 격막을 움직여 그 격막과 하부 실리콘 기재(12)의 전극간에 있는 용량치를 변동시킴으로써, 작용 압력이 측정가능한 전자신호로 변환되게 한다. 위에서 적시한대로, 일반적으로, 감지기가 제로 또는 기준 압력상태에 있을때 격막(11)의 내부 하부 면과 받침대(12A)의 상부하이에는 대표적으로 약 2마이크로미터의 간격이 존재하므로, 압력이 증가할 때 그 격막은 받침대(12A)를 향하여 내부방향으로 움직일 수 있다.

상기 측벽(16)은, 전형적으로, 예를들면, 0.036인치의 수평, 측 또는 반경방향 두께 및 9마이크로미터의 높이를 가지는 반면에, 별도로 도포되는 절연 유리받침층의 두께는 0.5마이크미터에 불과하다. 받침대(12A)는 실리콘재(12)의 주표면으로부터 대표적으로 6.5마이크로미터 연장되며, 대표적으로 0.15인치의 직경을 갖는다.

실리콘격막(11)과 실리콘베이스(12)는 전형적으로 사각형이며(단, 코너들은 도시한 바와같이 전기접촉을 위한 접근로를 제공하기 위하여 잘라 내었음)한 연부의 대표적 수평길이는 0.260인치이며, 상기 스페이서 측벽(16)은 그 내경이 대표적으로 0.190인치로 될 수 있다. 측벽 스페이서(16)의 외면은 실리콘 층(11/12)의 기본 사각형상을 따르거나 원형상을 가질 수 있다.

하나의 전이부(18)가 대표적인 유리층(20)을 통하여 격막(11)의 상부외면에 결합되어 있으며, 감지될 압력을 그 격막에 연락하는 하나의 압력포트(19)를 포함한다.

3-판 감지기(종래기술-제2도)

제3전도성판(120)이 감지기(110)의 중앙의 구역내에 부가되는 것을 제외하고는, 제2도에 도시한 종래기술의 3-판 감지기는 제1A도 및 제2도의 2-판 감지기와 유사하다. 제3판은, 전형적으로는, 도우핑된 실리콘이 아닌 금속으로 만들어지며, 챔버(114)로부터 측벽(116A)의 밀봉형 관통부를 통해 외부와 전기적 접속을 이룬다.

제2도에서 명백히 알 수 있는 바와같이, 비-평면 구조, 특히, 유리층(116/116A)에 대한 비-평면 구조가 발생된다.

실리콘 격막(111) 및 베이스(112)는 감지기(10)의 격막(11) 및 베이스(12)와 유사방식으로 동작한다. 이 같은 3-판 형태의 종래기술의 감지기에 관한 상세정보에 대해서는, 상기 언급된 그랜섬 및 스윈달의 미국 특허 제4,467,394호가 참조된다.

이러한 종래기술에 따른 3-판감지기들은 장기간의 표류 및 기생용량의 문제점을 가지나, 본 발명은 그러한 문제점을 극복 또는 적어도 최고화하되, 그를 위해 부가의 회로를 사용하지 않고서도 행할 수 있게 구성된다.

본 발명의 3-판 감지기(제3도 및 제4도)

제1도 및 제2도에 도시한 종래기술의 감지기들과는 대조적으로, 제3도 및 제4도에 연관하여 보다 상세히 설명될 바와같이 본 발명의 3-판감지기(210)는 바람직하게는 도우핑된 전도성의 실리콘으로 만들어지며, 감지기(20)의 중앙구역내에 위치하지 않고 유리스페이서측벽(216)내에 위치하여 감지기(210)의 중앙구역을 에워싸거나 그의 둘레에 연장하는 제3판(220)을 포함한다. 제3캐패시터 판(220)은, 감지기가 원통형과 외관을 갖는 경우, 감지기(210)의 수직방향의 긴 중심축에 대해 대칭적이며, 기본축으로는 편평한 와셔의 형상을 취하고 환상부를 형성한다. 이같은 접근방식에 의하면, 제3판(220)에 대한 전기적 접속을 위해 스페이서측벽(216)을 통한 챔버(214)로의 관통이 필요없게 되는데, 그 이유는 제3판(220)의 외측연부그 그에 대한 전기적 접속을 위해 이용 및 접근이 용이하기 때문이다.

제3도 및 제4도는 본 발명의 원리에 따른 용량성 압력 감지장치의 개략적인 도면으로서, 여기서, 제3판(220)은 양호하게는 전기적으로 전도하는 다결정성 실리콘의 매우 얇은 층이나, 원하는바에 따라 금속 또는 기타 전도성물질로 만들어진다. 세개의 판(211), (212) 및 (220)은 바람직하게는 동일한 물질들로 만들어지는데, 그 물질은 전기적으로 전도하는 다결정성 실리콘디다.

제3실리콘 판(220)은 물론 이거니와, 전도성 실리콘 격막(211) 및 전도성 실리콘(212)에 대한(제3도에는 간편한 목적상 도시하지 않았지만 제1A도의 (18A) 및 (18B)의 것과 유사한) 전도체 또는 전극들은 변환기 또는 감지기(210)와 이 분야에 알려진 적정한 외부 측정회로와의 접속을 위해 포함된다. 외부측정 회로는 벼하는 용량을 압력 포트(도사안함) 통해 격막(211)의 외측면(217)에 작용하여 격막을 만곡변위시킴으로써 용량의 값을 변화시키는 압력의 역함수로서, 측정하는 것으로, 이것은 작동 압력을 측정가능한 전자 신호로 변환한다.

제2도에 도시한 종래의 것과 같은 다른 3-판구성에 비하여 본 발명의 구조가 갖는 몇가지의 장점은 그의 원통형 대칭성, 양립할 수 있는 특성의 물질과 같은 실리콘의 바람직한 선택, 및 밀봉 표면들의 평면성 및 그에 따른 고완전성의 밀봉에 있다.

본 발명 구성은 다른 특허들, 즉, 예로서 본 출원인에게 양도된 전술한 그랜섬 및 스윈달의 미국특허 제4,415,948호에 이미 기술된 것과 유사한 방식으로 제작될 수 있다.

먼저, 유리층(213)을 성형된 실리콘 베이스(212)상에 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링 또는 기타 적합한 기법으로 부착한다. 그 다음, 본 발명에 따라 매우 얇은 다결정성(또는 비결정성)실리콘층을, 예로서, 약 1마이크로미터의 두께로 부착한다. 그렇지만, 이 치수는 여러 다른 사항들을 고려하여 원하는 성능의 변경없다면 다른 칫수들을 사용해도 좋다.

다음, 또다른 유리층(213)을 부착된다. 이때, 제3판의 코너는 애칭, 톱질 또는 기타의 방법에 의해 노출시킨다. 이같은 노출된 코너는 베이스구조에 대한 실리콘 격막(211)의 정전결합을 위해 사용될 수 있다.

기준 공통(214), 즉, 밀봉된 진공챔버의 제공을 위한 필수적인 사진 석판인쇄공정 및 에칭공정, 그리고 제3실리콘 판(220)의 외형 형성 기술은 통상의 기술을 가진자에게 잘 알려져 있는 것이므로, 간결의 목적상 본 명세서에서는 설명하지 않는다.

구성물질들이 실리콘이 아닌 전도체이고 스페이서-절연체가 유리가 아닌 물질인 경우, 전술한 것과 유사한 방법이 적합하며, 제3판은 실리콘에 대해 전술한 바와 같은 구조에 합체된다.

제4도의 개략도를 참조하면, 기본적으로 슈미트트리거인 감지회로에 잇어서, 베이스의 전위(212C)는 연산증폭김(230)에 의해 제3판의 전위(220C)로 유지된다. 그 결과, 직렬접속 캐패시터들의 중간점이 항상 전원전압과 같은 전위로 유지되므로, 격막접속(211C)에 있어서 소스로부터 브랜치(B)를 통한 전하흐름은 생기지 않는다. 따라서, 기생 및 불안정유리체 특성들이 제거된다.

전술한 대표적인 2-판 압력감지기(10)에 대해 상술하지 않은 3-판 압력 감지기(210)의 대표적인 치수들의 개요는 다음과 같다.

제3판(220)은 1마이크로미터의 대표적인 두께를 가질 수 있으며, 제3판의 내경과 챔버(214)의 외경간의 유리는 0.5마이크로미터의 대표적인 두께를 갖는다. 제3판(220)의 외경은 대표적인 0.260인치일 수 있으며, 내경은 0.190인치에서 1마이크로미터를 뺀 것일 수 있다. 제3판(220)쪽 및 아래쪽의 유리층(213)의 두께는 대표적인 6마이크로미터일 수 있다.

“위쪽의” 또는 “아래쪽의”, “아래로” 또는 “위로”, 또는 “수직방향으로” 또는 “수평방향으로 ”란 용어들의 사용에 있어, 이들 용어는 도면에 나타낸 바와같이 대표적인 상관적 의미로 사용된다는 것을 알아야 한다. 따라서, 예를 들자면, 특정응용에 있어서, 실리콘 기재는 실제로 격막의 아래쪽에 있을 수 있다. 또한, 실리콘층들이 수평방향으로 배치되고 측벽 스페이서가 수직한 것이 아니라, 실리콘층들은 수직방향으로 배치되거나 수평에 대해 예각으로 배치되고 유전체층은 그들에 대해 적정하게 위치될 수 있다.

본 발명을 그의 상세한 대표적인 실시태양에 관해 도시하고 설명하였지만, 이 분야의 숙련자라면 형태, 상세, 방법론 및/또는 접근방식의 각종 변경이 본 발명의 정신 및 범주를 벗어나지 않고서 가능함을 알아야 할 것이다.

따라서, 본 발명의 적어도 하나의 대표적인 실시예를 설명했으나, 보호받고자 하는 모든 구성을 청구범위에 기재한다.

Claims

전도성-유전성-전도성 형태의 용량성 압력 감지기로서, 상기 감지기는,

제1용량성 판을 형성하는 전도성 기재와 ;

하나의 외측면을 갖는 것으로서, 상기 외측면에 대한 압력의 변화로 인해 만곡변위될 수 있고, 제2용량성 판을 형성하는 전도성의 가요적이고 탄성적인 격막과 ;

상기 전도성 기재와 상기 전도성 격막간에 위치하고 상기 전도성 기재와 상기전도성 격막간에서 연장하여 그들을 연결하는 주변측벽 스페이서(들)을 제공하는 비 전도성의 유전체층을 포함하며, 상기 기재와 상기 격막간에는 진공챔버가 형성되어 있고, 상기 진공챔버는 상기 기재와 상기 격막간의 상기 유전체층에 의해 형성된 스페이서 측벽(들)에 의해 폐쇄되며, 상기 외측면에 대한 압력의 변화에 따른 상기 만곡변위는 상기 감지기으 용량이 변하게 하며, 상기 챔저는 중앙구역을 규정하는 그의 외관이 적어도 일반적으로 원통형이며 ;

상기 감지기는 상기 측벽내에 위치된 제3전도성 판을 더 포함하며, 상기 제3전도성판은 상기 전도성 기재 및 상기 전도성 격막의 모두로부터 상기 유전체층에 의해 이격 및 분리되며, 또한 실질적으로 상기 중앙 구역의 외측에 우치되어 상기 중앙구역을 에워싸며, 제3용량성판을 형성하는 것인 용량성 압력감지기.
제1항에 있어서,

상기 판들의 모두는 동일 물질로 만들어진 용량성 압력 감지기.
제1항에 있어서,

상기 제3판은 실리콘으로 만들어진 용량성 압력 감지기.
제1항에 있어서,

상기 감지기는 그의 중앙구역의 형상이 기본적으로 원통형이고, 상기 제3판은 상기 감지기의 종방향 중심선축에 대해 대칭적인 환상부를 형성하는 용량성 압력감지기.
제4항에 있어서,

상기 제3판은 와셔와 같은 형태를 가진 용량성 압력 감지기.
제1항에 있어서,

상기 제3판은 상기 제1 및 2판에 비해 비교적 얇은 것으로 약 1마이크로미터의 두께를 가진 용량성 압려 감지기.
제1항에 있어서,

상기 세개 판들의 모두는 도우핑된 전도성 실리콘으로 만들어진 용량성 압력감지기.
제7항에 있어서,

상기 유전체층은 유리로 만들어진 용량성 압력 감지기.
제1항에 있어서,

상기 판들의 모두는 전도성 실리콘으로 만들어지고, 상기 유전체층은 유리로 만들어지며, 상기 제3층은 약 1마이크로미터 두께의 비교적 얇은 것인 용량성 압력 감지기.
전도성 기재와 ;

하나의 외측면을 갖는 것으로 상기 외측면에 대한 압력의 변화로 인해 만곡변위될 수 있는 전도성 격막과 ;

상기 전도성기재와 상기전도성 격막간에 위치하는 것으로 상기 전도성 기재와 상기 격막간에서 연장하여 그들을 연결하는 주변 측벽 스페이서(들)을 제공하는 비전도성의 유전체층을 구비하며, 상기 기재와 상기 격막간에는 중앙구역을 규정하는 진공챔버가 형성되어 있고, 상기 진공챔버는 상기 기재와 상기 격막간의 상기 유전체층에 의해 형성된 상기 주변 스페이서측벽(들)에 의해 폐쇄되며, 상기 외측면에 대한 압력으 변화로 인한 상기 격막의 만곡변위에 따라 용량이 변하도록 되어 있는 용량성압력 감지기의 기생 용량을 최소화하는 방법으로서,

실질적으로 상기 중앙구역의 외측에 위치하여 상기 중앙구역을 에워싸고 있으며, 상기 유전체에 의해 상기 전도성 기재 및 상기 전도성 격막의 모두로부터 이격 및 분리되는 제3전도성판을 상기 측벽 스페이서(들)내에 제공하는 단계를 포함하는 용량성 감지기의 기생용량 최소화 방법.
제10항에 있어서,

상기 세개의 판을 동일 물질로 형성하는 단계를 포함하는 용량성 감지기의 기생용량 최소화 방법.
제10항에 있어서,

상기 세개의 판을 전도성 실리콘으로 형성하는 단계를 포함하는 용량성 감지기의 기생용량 최소화 방법.
제12항에 있어서,

제1의 유전체 유리층을 부착하고, 그 다음으로 상기 제1의 유전체유리층 위에 약1마이크로미터 두께의 얇은 전도성 실리콘층을 부착하고, 그 다음으로 상기 실리콘층을 덮는 제2의 유전체 유리층을 부착하는 것에 의해 상기 제3판을 형성하고, 상기 유전체층을 상기 스페이서벽(들)로부터 사용하는 단계들을 더 포함하는 용량성 압력감지기의 기생용량 최소화 방법.
제13항에 있어서,

상기 두 유전체층 및 얇은 실리콘층의 부착에 있어 평면층을 생성하는 단계를 포함하는 용량성 압력 감지기의 기생용량 최소화 방법.