KR900010375A - 최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도는 본 발명의 변경으로 본 발명의 양호한 결합 또는 적용을 제공하는 종래 기술의 실리콘-온-실리콘 용량성 압력감지기의 부분 절단 사시도, 제1도는 제1A도의 실리콘-온-실리콘 용량성 압력 감지기의 개략적인 측면도로서, 본 발명에 보다 관련되는 부분들을 보다 잘 나타내도록 압력포트 전이부가 제거되었으며, 실리콘 격막이 그지지 스페이서벽으로부터 분리되어 있다. 물론 그 최종적인 조립체에 있어서는 상시 격막이 실리콘베이스와 함께 밀봉체임버를 형성하도록 그 유리 지지 구조체에 결합되어 밀봉된다. 제2도는 제1도의 것과 유사한 개략적인 측면도로서, 감지기의 유전 표류를 최소화하기 위한 본 발명의 실리콘-온-실리콘 용량성 압력 감지기의 제1 실시예이며, 유효한 유전체 지지벽의 두께가 에칭에 의해 외측부분을 소정의 양만큼 제거함으로서 감소되어 있다. 제3도는 제1도의 것과 유사한 개략적인 측면도로서, 감지기의 유전 표류를 최소화하기 위한 본 발명의 실리콘-온-실리콘 용량성 압력 감지기 구조체의 제2 실시예이며, 2개의 실리콘층 사이의 유효한 주변 수직 높이가 상부 실리콘 격막의 주변모서리의 하부를 제거함으로서 증가되었다.

Claims (16)

1. 압력변경과 같은 물리적 변화를 감지하도록 사용되는 실리콘-유전체-실리콘형의 용량성 감지기에 있어서, 전도성 실리콘기재와, 감지되는 물리적 변동으로 인해서 휨이동이 가능하며, 외측부를 갖는 전도성이고 탄성이 있는 가요성 실리콘 격막과, 상기 실리콘 기재와 상기 실리콘 격막사이에 있으며, 상기 실리콘 기재위로 대체로 연장되어 상기 실리콘기재와 상기 실리콘 격막을 함께 연결하는 주변 벽을 제공하는 비전도성 유전체벽 스페이서 층과, 상기 실리콘기재와 상기 실리콘 격막사이에 형성되며, 상기 실리콘기재와 상기 실리콘격막사이의 상기 유전체층에 의해 형성된 상기 벽에 의해서 상기 기재 위의 양측에서 폐쇄되는 밀봉 폐쇄된 공동체임버를 포함하며, 감지되는 물리적 변동으로 인해서 발생하는 상기 실리콘격막의 휨이동은 감지기의 용량을 변경케하며, 상기 감지기의 전용량에 대한 상기 유전체층의 용량 기여도는 단지 감지기의 전용량의 20% 내지 25%인 용량성 감지기.
2. 제1항에 있어서, 상기 유전체층의 횡방향 벽 두께는 대체로 0.036인치 미만인 용량성 감지기.
3. 제2항에 있어서, 상기 횡방향 벽 두께는 단지 0.010인치인 용량성 감지기.
4. 제1항에 있어서, 상기 유전체층과 상기 격막사이에 방사방향 주변 접촉영역이 있으며, 상기 유전체층과 상기 격막 사이의 상기 반사방향 주변접촉 영역이 단지 0.010인치이며, 상기 격막이 상기 벽을 상당량 지나서 횡방향 외측으로 연장되는 용량성 감지기.
5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘격막은 그 중앙부에서 보다는 상기 스페이서 벽과 접촉하는 그 주변모서리에서 더 두껍지 않는 용량성 감지기.
6. 제5항에 있어서, 상기 격막은 그 횡방향 범위를 가로 질러서 균일한 두께로 되어 있는 용량성 감지기.
7. 제1항에 있어서, 상기 퍼센터이지는 단지 전체 용량의 약 16%인 용량성 감지기.
8. 제1항에 있어서, 상기 격막은 그의 최하부가 상기 스페이서 벽위로 이격되는 주변영역을 가지는 용량성 감지기.
9. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기재는 상기 스페이서벽 아래에 위치되는 내측부보다 낮은 주변부를 가지는 용량성 감지기.
10. 전도성 실리콘기재와, 감지되는 물리적 변동으로 인해서 휨 이동이 가능하며, 외측부를 갖는 전도성이고 탄성이 있는 가요성 실리콘 격막과, 상기 실리콘기재와 상기 실리콘격막사이에 있으며, 상기 실리콘 기재위로 대체로 연장되어 상기 실리콘 기재와 상기 실리콘 격막을 함께 연결하는 주변 벽을 제공하는 비전도성 유전체벽 스페이서 층과, 상기 실리콘 기재와 상기 실리콘 격막사이에 형성되며, 상기 실리콘기재와 상기 실리콘 격막사이의 상기 유전체층에 의해 형성된 상기 벽에 의해서 상기 기재위의 양측에서 폐쇄되는 밀봉 폐쇄된 공동 체임버를 포함하며, 감지되는 물리적 변동으로 인해서 발생하는 상기 실리콘 격막의 휨이동은 감지기의용량을 변경케하는 감지기로서, 압력변경과 같은 물리적 변동을 감지하도록 사용되는 용량성 실리콘-유전체-실리콘 감지기의 유전 표류를 최소화하는 방법에 있어서, 감지기의 전용량에 대한 상기 유전체벽스페이서층의 용량성 기여도를 단지 감지기의 전용량의 약 20% 내지 25%로 제한하는 단계를 포함하는 방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 유전체 지지벽층의 벽 두께를 대체로 0.036인치 미만으로서 제한하는 단계를 포함하는 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 유전체 지지벽 층의 벽 두께를 단지 약 0.010인치로 제한하는 단계를 포함하는 방법.
13. 제10항에 있어서, 상기 격막이 상기 유전체벽을 상당량 지나서 횡방향 외측으로 연장되게 하고 상기 유전체 벽층과 상기 격막사이의 상기 방사방향 주변 접촉영역을 단지 약 0.010 인치로 제한하는 단계를 포함하는 방법.
14. 제10항에 있어서, 상기 감지기를 제조하는 공정에 있어서 상기 유전체벽스페이서의 외측부분을 에칭에 의해서 제거하여 그 횡방향 두께를 상당히 감소시키는 단계를 더 포함하는 방법.
15. 제10항에 있어서, 상기 격막의 주변모서리 부분을 제거하여 상기 격막과 그 지지 유전체 벽 층사이의 접촉 영역의 양을 감소시키는 단계를 더 포함하는 방법.
16. 제10항에 있어서, 상기 기재의 상부 주변 모서리 부분을 제거하는 단계와, 상기 기재의 주변 모서리 부분과 상기 격막 사이의 유효한 이격 거리를 증가시키는 단계와, 상기 스페이서 벽층 아래에 있는 상기 기재의 내측부분보다 작은 두께를 갖는 영역을 생성하는 단계와, 상기 격막과 이들 사이의 선내에 직접적으로 상기 유전체 벽층을 가지는 상기 기재 사이의 접촉 영역을 감소시키는 단계를 포함하는 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.