JPS60201230A - 静電容量形圧力センサ - Google Patents
静電容量形圧力センサInfo
- Publication number
- JPS60201230A JPS60201230A JP5746884A JP5746884A JPS60201230A JP S60201230 A JPS60201230 A JP S60201230A JP 5746884 A JP5746884 A JP 5746884A JP 5746884 A JP5746884 A JP 5746884A JP S60201230 A JPS60201230 A JP S60201230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- pressure sensor
- temp
- diaphragm
- alumina
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は自動車部品、及び、民生機器に用いることが可
能である静電容量膨圧力センサに関するものである。
能である静電容量膨圧力センサに関するものである。
(従来例の構成とその問題点)
従来、静電容量膨圧力センサはダイヤフラムと基台間に
形成された電極間の静電容量を検出するものである。
形成された電極間の静電容量を検出するものである。
以下図面を参照しながら従来の静電容量膨圧力センサの
説明を行う。第1図は従来の静電容量膨圧力センサの断
面図であシ、1はアルミナ基台、2はダイヤフラム、3
は対向内面電極、4はシールド部、5は真空封止部、6
はリード線を示している。第2図は、基台の斜視図であ
る。ダイヤフラム2が圧力と共に変形し、その変化量に
応じてダイヤフラム2と基台1のそれぞれの電極間のギ
ャップが変化し、この電極間の静電容量が変化する現象
を利用する1のである。静電容量の値は圧力Pと共に次
に示す関係で変化する。
説明を行う。第1図は従来の静電容量膨圧力センサの断
面図であシ、1はアルミナ基台、2はダイヤフラム、3
は対向内面電極、4はシールド部、5は真空封止部、6
はリード線を示している。第2図は、基台の斜視図であ
る。ダイヤフラム2が圧力と共に変形し、その変化量に
応じてダイヤフラム2と基台1のそれぞれの電極間のギ
ャップが変化し、この電極間の静電容量が変化する現象
を利用する1のである。静電容量の値は圧力Pと共に次
に示す関係で変化する。
Cは静電容量値、dはギヤラグ寸法、Aは電極面積であ
る。εは真空の誘電率で1である。上記の関係よシ、圧
力−容量変換部が成シ立っている。
る。εは真空の誘電率で1である。上記の関係よシ、圧
力−容量変換部が成シ立っている。
圧力センサ全体の構成は、この圧力−容量変換部と、電
気回路による容量−電圧変換部である。通常、出力はあ
る圧力範囲内では、圧力と直線的に比例している。
気回路による容量−電圧変換部である。通常、出力はあ
る圧力範囲内では、圧力と直線的に比例している。
しかしながら、上記のような構成において、圧力センザ
の重要な点は精度であり、温度特性が関係する要因とな
る。検知部である圧力−容量変換部は、構成する各々の
材料の誘電率の温度係数によシ、圧力依存性を持つ特異
な温度特性を示す。
の重要な点は精度であり、温度特性が関係する要因とな
る。検知部である圧力−容量変換部は、構成する各々の
材料の誘電率の温度係数によシ、圧力依存性を持つ特異
な温度特性を示す。
電気回路部での補償も限界がある。故に、検知部の温度
特性を分離し、その温度特性を制御することが必要と言
える。従来の圧力センサでは以上のような問題点を有し
ていた。
特性を分離し、その温度特性を制御することが必要と言
える。従来の圧力センサでは以上のような問題点を有し
ていた。
(発明の目的)
本発明の目的は、アルミナダイヤフラムを用いた静電容
量膨圧力センサにおいて、静電容量の温度補償端子を設
けることによシ、温度補償することを目的とする。
量膨圧力センサにおいて、静電容量の温度補償端子を設
けることによシ、温度補償することを目的とする。
(発明の構成)
静電容量の温度特性はアルミナ、ガラスの誘電率の温度
係数、及び、熱膨張係数の2点の要因が考えられる。本
発明では、要因の中で最も大きいと考えられるガラスの
誘電率の温度係数の影響度を制御するもので、導電層の
一部を周辺部の封着ガラス部まで伸ばし、その導電層の
面積の大小により、ガラスの誘電率の温度係数の影響度
合いが変化し、静電容量の温度係数を制御するものであ
る。
係数、及び、熱膨張係数の2点の要因が考えられる。本
発明では、要因の中で最も大きいと考えられるガラスの
誘電率の温度係数の影響度を制御するもので、導電層の
一部を周辺部の封着ガラス部まで伸ばし、その導電層の
面積の大小により、ガラスの誘電率の温度係数の影響度
合いが変化し、静電容量の温度係数を制御するものであ
る。
(実施例の説明)
以下本発明の一実施例について、図面を参照にしながら
説明する。
説明する。
第3図は本発明の一実施例における静電容量膨圧力セン
サの基台を構成する上面図を示すものである。1はアル
ミナ基台、3は対向内面電極、3′は温度補償端子、4
は封着ガラス(シールド部)を示している。
サの基台を構成する上面図を示すものである。1はアル
ミナ基台、3は対向内面電極、3′は温度補償端子、4
は封着ガラス(シールド部)を示している。
以上のように構成された本実施例の静電容量膨圧力セン
サは、従来例と動作原理において変化はなく、対向内面
電極3の一部を温度補償端子3′としたものである。こ
の温度補償端子3′は第4図の09を示し、誘電率の温
度係数の大きい封着ガラス部の静電容量を利用したもの
でおる。
サは、従来例と動作原理において変化はなく、対向内面
電極3の一部を温度補償端子3′としたものである。こ
の温度補償端子3′は第4図の09を示し、誘電率の温
度係数の大きい封着ガラス部の静電容量を利用したもの
でおる。
(発明の効果)
以上のように本発明の静電容量膨圧力センサの基台に温
度補償端子を設け、静電容量の温度特性の最適値を選び
、センサ全体の温度特性を制御する効果を有する。
度補償端子を設け、静電容量の温度特性の最適値を選び
、センサ全体の温度特性を制御する効果を有する。
第1図は従来の静電容量膨圧力センサを示す断面図、第
2図は基台のfhJ1図、第3図は温度補償端子を設け
た基台の上面図、第4図はセンサの静電容量の構成図を
示す。 1・・・アルミナ基台、2・・・ダイヤフラム、3・・
・対向内面電極、3′・・・温度補償端子、4・・・シ
ールド部、5・・・真空封止部、6・・・リード線。 第1図
2図は基台のfhJ1図、第3図は温度補償端子を設け
た基台の上面図、第4図はセンサの静電容量の構成図を
示す。 1・・・アルミナ基台、2・・・ダイヤフラム、3・・
・対向内面電極、3′・・・温度補償端子、4・・・シ
ールド部、5・・・真空封止部、6・・・リード線。 第1図
Claims (1)
- アルミナ基台と、上記基台と所定の間隔を得るように配
置されたアルミナダイヤフラムと、両者の相対向する内
面に形成された薄膜電極を備え、上記ダイヤプラムと基
台の周辺部を封着するガラス封着部の誘電率の温度係数
を利用した温度補償端子を設けることを特徴とする静電
容量彫工力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5746884A JPS60201230A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 静電容量形圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5746884A JPS60201230A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 静電容量形圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60201230A true JPS60201230A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13056516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5746884A Pending JPS60201230A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 静電容量形圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60201230A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03501061A (ja) * | 1989-03-21 | 1991-03-07 | エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 導電性の貫通接続部および該貫通接続部を形成する方法 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5746884A patent/JPS60201230A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03501061A (ja) * | 1989-03-21 | 1991-03-07 | エンドレス ウント ハウザー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニー | 導電性の貫通接続部および該貫通接続部を形成する方法 |
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