RU2137099C1 - Датчик давления - Google Patents

Датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU2137099C1
RU2137099C1 RU95106595A RU95106595A RU2137099C1 RU 2137099 C1 RU2137099 C1 RU 2137099C1 RU 95106595 A RU95106595 A RU 95106595A RU 95106595 A RU95106595 A RU 95106595A RU 2137099 C1 RU2137099 C1 RU 2137099C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
membrane
substrate
columns
pressure
sensor according
Prior art date
Application number
RU95106595A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95106595A (ru
Inventor
А.Луц Марк
Б.Крюгер Уильям
Original Assignee
Роузмаунт Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Роузмаунт Инк. filed Critical Роузмаунт Инк.
Publication of RU95106595A publication Critical patent/RU95106595A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2137099C1 publication Critical patent/RU2137099C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0618Overload protection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к датчикам давления с защитой хрупкой мембраны от избыточного давления. Датчик включает подложку из хрупкого материала и мембранную сборку, закрепленную на подложке и герметично соединенную по периферии с подложкой. При подаче давления центральная часть мембраны прогибается в сторону подложки. Прогиб мембраны воспринимается тензодатчиками, которые определяют давление. Мембрана снабжена множеством отдельных выполненных за одно целое с мембраной опорных столбиков на стороне, обращенной к подложке. При высоких избыточных давлениях мембрана прогибается к подложке и опорные столбики удерживают мембрану от перемещения с целью избежания отказа или поломки мембраны. Количество опорных столбиков может быть различным, например четыре или шестнадцать. На подложку может быть нанесен тонкий слой диоксида кремния для компенсирования небольшого перемещения опорных столбиков для уменьшения напряжения, возникающего в мембране при возрастании избыточного давления. Технический результат заключается в обеспечении надежной защиты мембраны от разрушения под воздействием чрезмерного давления. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Изобретение относится к датчику давления с прогибающейся мембраной, выполненной из хрупкого материала, которая прогибается под действием давления относительно основания и которая снабжена опорой, предохраняющей от повреждения при высоких избыточных давлениях относительно обычного диапазона измерений.
В технике известен полупроводниковый датчик давления, содержащий несущую подложку, мембрану с ободом, закрепленным на подложке, и мембранную перегородку, прогибающуюся под действием давления в сторону подложки (см. EP 0339981, МПК 6 G 01 L 9/06, 1989 г.).
Подвергающаяся избыточному давлению мембрана, выполненная из хрупкого материала, требует защиты от повреждений.
В общем такую защиту осуществляют путем установки поверхности мембраны поперек лицевой поверхности подложки, которой может быть придана такая конфигурация, которая совпадает с конфигурацией прогнутой мембраны так, что когда на мембрану действует давление, слегка превышающее максимальное расчетное давление, она опирается на подложку.
Предпочтительно, чтобы большая часть мембраны опиралась на лицевую поверхность подложки. Для обеспечения полной опоры по всей прогнутой части мембраны при избыточном давлении используют выемки, как в подложках, так и в мембранах.
Технический результат, на достижение которого направлено изобретение, заключается в обеспечении надежной защиты мембраны от разрушения под воздействием чрезвычайно высокого давления.
Указанный результат достигается тем, что датчик давления, содержащий подложку, мембрану, выполненную из хрупкого материала, причем мембрана имеет обод, закрепленный на подложке, и мембранную перегородку, которая выполнена с возможностью прогиба под действием давления в сторону подложки, содержит множество столбиков, сформированных на мембранной перегородке за одно целое с мембранной перегородкой, имеющих внешние концевые поверхности для контактирования с обращенной к мембране лицевой поверхностью подложки и образующих упор, когда мембранная перегородка прогнута в сторону подложки на заданную величину.
Кроме того датчик давления содержит слой оксида, сформированный на подложке и образующий поверхностный слой материала, который отличается от материала столбиков, для обеспечения легкого сдвига концов столбиков при их контакте с подложкой.
К тому же подложка датчика выполнена из кремния, а поверхностный слой сформирован из диоксида кремния.
Кроме того поверхностный слой подложки, выполненной из диоксида кремния, имеет толщину три микрона.
К тому же поверхность подложки, обращенная к столбикам, в областях, совмещенных с центральными частями прогибающейся мембранной перегородки, утоплена на большую глубину, чем у краев подложки, прилегающих к ободу.
Кроме того в датчике давления на мембранной перегородке имеется множество столбиков, содержащее по меньшей мере четыре столбика.
В датчике давления на мембранной перегородке могут быть равномерно размещены 16 столбиков.
Защита от избыточного давления в датчике обеспечивается множеством коротким столбиков или выпуклостей, сформированных на мембране или, если требуется, на подложке, которые будут поддерживать прогибающуюся при избыточном давлении мембрану в множестве точек на мембране, обеспечивая опору и защиту от избыточного давления. За счет использования множества коротких столбиков жесткость мембраны не увеличивается и она ведет себя так, как будто столбики отсутствуют до тех пор, пока не будет приложено избыточное давление. Это упрощает процесс производства датчика давления в связи с тем, что имеет место расширение интервала ограничения хода при превышении давления, поскольку мембрана с меньшей жесткостью имеет больший ход, чем мембрана с большим жестким центром.
В данном изобретении кремниевую кристаллическую пластину вытравливают для получения тонкого участка, который образует прогибающуюся перепонку мембраны, и маскируют, оставляя множество столбиков высотой, равной первоначальной толщине кристаллической пластины, из которой формируется мембрана. Для крепления мембраны к подложке оставляют обод, окружающий множество столбиков.
В процессе травления опорные столбики приобретают по существу пирамидальную форму.
Было также обнаружено, что наличие диоксида кремния на поверхности подложки, который не такой хрупкий, как чистый кремний, позволяет слегка сдвигать столбики в тонком слое диоксида кремния после того, как столбики соприкоснутся с опорным слоем и возникнет избыточное давление. Прогибающаяся по дуге мембрана вызывает некоторый наклон столбиков на небольшой угол, когда они соприкасаются с подложкой. При возрастании давления происходит небольшой сдвиг концов столбиков относительно опорного слоя. Слой диоксида кремния создает электрическую изоляцию подложки от поверхностного слоя, который на ней закреплен. Слой диоксида кремния также увеличивает возможности датчика по восприятию избыточного давления за счет того, что позволяет опорным столбикам изменять свое положение, тем самым избегая более опасных уровней напряжения в мембране. Твердая кремниевая поверхность базового слоя без слоя диоксида кремния уменьшает возможность сдвига столбиков при возрастании избыточного давления.
Изобретение поясняется конкретным вариантом его воплощения со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых:
фиг. 1 схематично изображает датчик давления (поперечное сечение);
фиг. 2 изображает поверхность подложки при удаленном слое мембраны;
фиг. 3 изображает опорные столбики мембраны, разрез по линии II-II на фиг. 1;
фиг. 4 схематично изображает в сильно увеличенном виде движение опорных столбиков от момента соприкосновения с подложкой до условия наложения избыточного давления;
фиг. 5 изображает один опорный столбик (вид сверху) с элементами вытравленной поверхности, если бы его конфигурация определялась травлением без соседних столбиков;
фиг. 6 - разрез по линии V-V на фиг. 5.
На фиг. 1 изображен датчик давления, обозначенный позицией 10. Датчик 10 давления является датчиком низкого давления, например, в диапазоне измерений до 206,8428 кПа, либо в масштабе, либо в абсолютных единицах, но который может измерять избыточное давление, во много раз большее этого диапазона. Датчик давления должен иметь отверстие в подложке для сообщения с областью мембраны. Датчик давления согласно изобретению должен быть блоком определения емкости. Аналогичные датчики давлений, известные в данной области техники, в общем случае должны выдерживать от трех до восьмикратного номинального давления без разрушения. Настоящий датчик давления выдерживает избыточное давление в 5-10 раз больше, чем аналогичная мембрана без столбиков.
Датчик 10 давления содержит подложку или слой хрупкого материала, обозначенный позицией 12. Такой материал может представлять собой полупроводник, например, кремний, который является предпочтительным вариантом, но также может быть таким хрупким материалом, как стекло, сапфир, кварц или тому подобное. Подложка поддерживает мембранную сборку 14, которая включает внешний элемент - обод 16, охватывающий прогибающуюся мембрану или перегородку 18. Прогиб мембранной перегородки 18 под действием давления определяется толщиной мембранной перемычки в области, прилегающей к ободу 16. Эта область показана позицией 20 на сторонах мембранной перегородки на фиг. 1 и 3, а также толщиной между столбиками. Величина прогиба в рабочем диапазоне мембранной перегородки очень мала, и, если происходит чрезмерный прогиб, то мембрана ломается.
Поверхность обода 16 прикреплена к подложке 12. Например, для соединения мембраны с верхней поверхностью 28 подложки может использоваться стеклянная смесь-фритта, обозначенная позицией 24, или основание и мембрана могут быть соединены на ободе посредством анодной сварки или сплавления. При соединении мембранного кольца с подложкой образуется камера, обозначенная номером 26 ниже мембранной перегородки 18 и над верхней поверхностью 28 подложки 12. Вакуум создается, когда мембранное кольцо герметично прикреплено к подложке 28 фриттой 24. Измеряемое давление или усилие прикладывается, как показано стрелкой 22, к верхней поверхности 30 мембранной перегородки 18. Это заставляет перегородку выгибаться по направлению к подложке 12. Величина прогиба может быть измерена соответствующими тензодатчиками, обозначенными позицией 22 на верхней поверхности 30 мембранной перегородки для индикации величины приложенного усилия или давления как функция прогиба.
В предпочтительном варианте осуществления изобретения для того, чтобы обеспечить опору для мембранной перегородки 18 при ее прогибе вниз, и предотвращения растрескивания мембраны, повреждения или другого разрушения, на мембранной перегородке 18 и на стороне, противоположной той, к которой приложено усилие или давление, формируется множество опорных столбиков, обозначенных позицией 36. Эти столбики 36 обращены к верхней поверхности 28 подложки или базового слоя 12. Как показано на фиг. 3, имеется 16 таких столбиков, но может использоваться разное количество. Например, для защиты от избыточного давления может использоваться четыре, восемь или девять столбиков в качестве упора для мембранной перегородки 18 в зависимости частично от размера мембраны.
Столбики 36 формируют путем вытравливания кристаллической пластинки кремния или другого материала, из которого изготовлена мембрана. Мембранная перегородка 18 вытравливается до требуемой толщины в пакетном процессе с использованием соответствующей маски, которая формирует столбики 36, по существу, в пирамидообразные образования, которые, как показано, имеют плоские вершины 38 такой же высоты от поверхности 30, что и высота поверхности обода 16, которая соприкасается с подложкой 12. Если требуется, столбики могут быть разной высоты, чтобы получить равномерный контакт подложки с плоской поверхностью по всей мембране, принимая во внимание, что под давлением мембрана имеет дугообразную форму.
Как показано на фиг. 2, верхняя поверхность 28 подложки 12 имеет в некоторых местах углубления относительно плоскости областей, близких к краям, где крепится обод мембраны. Для взаимодействия со столбиками вдоль двух сторон и между смежными угловыми участками 28C расположены участки 28A. Угловые участки 28C имеют меньшую глубину, чем другие участки. Участки 28A утоплены больше, чем участки 28C, но ближе к столбикам, чем центральный участок, обозначенный номером 28B (самая глубокая выемка). Разница в заглублении предусмотрена для адаптации к разности в прогибе, поскольку мембранная перегородка 18 будет прогибаться больше в центре, чем в областях, прилегающих в ободу 16. В ступеньки на поверхности 28 подложки 12 обеспечивают, по существу, одновременный контакт между углами и внешними рядами столбиков 36 и поверхностной частью 28C и 28A, и между столбиками, расположенными около центра мембранной перегородки 18, и участком поверхности 28B. Как было указано, тот же самый эффект может быть получен при плоской поверхности 12 и в столбиках 36 разной высоты, с самыми короткими столбиками 36 около центра мембранной перегородки 18.
Когда мембранная перегородка 18 прогибается, вершины 38 столбиков 36 соприкасаются с соответствующими участками поверхности 28A, 28B и 28C и удерживаются от дальнейшего прогиба при возрастающем давлении. Избыточное давление, приложенное по линии 22, может превышать обычное рабочее давление во много раз, не приводя к повреждению мембранной перегородки 18.
Следует указать, что когда в подложке используется кремний, желательно иметь на поверхности электрически изолирующий слой и, как показано на фиг. 1 и 4, слой 40 (около трех микрон толщиной), выделенный штриховкой, является диоксидом кремния, который выращивается на поверхности кремниевой подложки. Однако было обнаружено, что поскольку мембранная перегородка 18 выгибается по направлению к подложке, столбики 36 слегка наклоняются так, что угол или край, обозначенный позицией 42, плоской вершиной 38 может войти в контакт с верхней поверхностью 28 подложки 12 раньше, чем имеющие плоские поверхности 38 столбики 36 войдут в контакт со слоем 40 по всей ширине плоской поверхности 38. Когда мембранная перегородка 18 прогибается дальше под действием возрастающего давления, столбики 36 стремятся повернуться, как показано по стрелке 44 (поскольку тогда мембранная перегородка становится менее выгнутой) до полной опоры на концевые поверхности 38. Если мембранная перегородка 18 после первоначального контакта слегка движется, угол столбика погружается в диоксид кремния и стремится образовать в нем небольшой канал или выемку. Если зацепление происходит с необработанной кремниевой поверхностью, то скольжение будет меньше, что может привести к разрушению мембраны.
Необходимо отметить, что основания всех столбиков 36 (фиг. 1, 3 и 5) благодаря взаимодействию с травящими материалами и масками для столбиков образуют сложные поверхностные конфигурации 48. После травления образуется наклонная поверхность 48, идущая от углов, и небольшие острые выступы 48A отходят в сторону от наклонных поверхностей или ребер в местах, отстоящих от столбиков на некоторый угол, при этом наклонные поверхности оснований столбиков пересекаются в областях 50.
На фиг. 1 штрих-пунктирной линией 52 показана истинная форма столбика с толщиной оставшейся мембранной перемычки между столбиками, равной той, что показана под номером 20. Эти наклонные поверхности показаны на фиг. 3 очень схематично и не согласованы с главными сторонами столбиков. На фиг. 1 показано поперечное сечение наклонных поверхностей. Конфигурация поверхности между столбиками может быть различной без существенного влияния на эксплуатационные характеристики.
Слой 40 диоксида кремния позволяет столбикам слегка скользить и уменьшать поломки мембраны. Столбики 36 для защиты от избыточного давления, как и другие компоненты датчиков, достаточно легко изготавливать, поэтому стоимость не является существенным фактором. Столбики 36 для защиты от избыточного давления сформированы зацело как часть мембраны, но их также можно формировать выступающими из подложки.
Заглубленные поверхности подложки изменяются по форме, размерам и местоположению при изменении количества столбиков для обеспечения наилучшего контакта всех столбиков с поверхностью в одно и то же время. Например, мембрана с четырьмя столбиками будет использоваться с одной плоской поверхностью, заглубленной от обода. Для адекватной опоры различное число столбиков требует разной глубины поверхности для дискретной апроксимации выгнутой формы мембраны под давлением.
Для уменьшения давления на мембрану используется соответствующий корпус или защитная пластина. Такой корпус на чертежах не показан, поскольку он хорошо известен.
Та же самая конструкция может использоваться при емкостном распознавании прогибов мембраны путем использования проводящей пленки на плоскости, отделенной от мембраны, для формирования изолированной от мембраны емкостной пластины с соответствующими выводами, подключенными к проводящей пленке и мембране.

Claims (7)

1. Датчик давления, содержащий подложку, мембрану, выполненную из хрупкого материала, причем мембрана имеет обод, закрепленный на подложке, и мембранную перегородку, которая выполнена с возможностью прогиба под действием давления в сторону подложки, отличающийся тем, что содержит множество столбиков, сформированных на мембранной перегородке за одно целое с мембранной перегородкой, имеющих внешние концевые поверхности для контактирования с обращенной к мембране лицевой поверхностью подложки и образующих упор, когда мембранная перегородка прогнута в сторону подложки на заданную величину.
2. Датчик по п.1, отличающийся тем, что содержит слой оксида, сформированный на подложке и образующий поверхностный слой материала, который отличается от материала столбиков, для обеспечения легкого сдвига концов столбиков при их контакте с подложкой.
3. Датчик по п.2, отличающийся тем, что подложка выполнена из кремния, а поверхностный слой сформирован из диоксида кремния.
4. Датчик по п.3, отличающийся тем, что диоксид кремния имеет толщину три микрона.
5. Датчик по п.4, отличающийся тем, что поверхность подложки, обращенная к столбикам, в областях, совмещенных с центральными частями прогибающейся мембранной перегородки, утоплена на большую глубину, чем у краев подложки, прилегающих к обoду.
6. Датчик по п.1, отличающийся тем, что на мембранной перегородке имеется множество столбиков, по меньшей мере четыре столбика.
7. Датчик по п.1, отличающийся тем, что на мембранной перегородке равномерно размещены 16 столбиков.
RU95106595A 1992-09-01 1993-08-30 Датчик давления RU2137099C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/938,954 US5333504A (en) 1992-09-01 1992-09-01 High overpressure low range pressure sensor
US07/938,954 1992-09-01
PCT/US1993/008142 WO1994005986A1 (en) 1992-09-01 1993-08-30 High overpressure low range pressure sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95106595A RU95106595A (ru) 1996-11-20
RU2137099C1 true RU2137099C1 (ru) 1999-09-10

Family

ID=25472280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95106595A RU2137099C1 (ru) 1992-09-01 1993-08-30 Датчик давления

Country Status (18)

Country Link
US (1) US5333504A (ru)
EP (1) EP0670995B1 (ru)
JP (1) JP3327553B2 (ru)
KR (1) KR950703140A (ru)
CN (1) CN1051155C (ru)
AU (1) AU680430B2 (ru)
BR (1) BR9306946A (ru)
CA (1) CA2141688A1 (ru)
DE (1) DE69318847T2 (ru)
FI (1) FI950912A0 (ru)
HU (1) HUT70345A (ru)
IL (1) IL106838A (ru)
MX (1) MX9305342A (ru)
NO (1) NO950777D0 (ru)
PL (1) PL173699B1 (ru)
RU (1) RU2137099C1 (ru)
SG (1) SG43764A1 (ru)
WO (1) WO1994005986A1 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19521275A1 (de) * 1995-06-10 1996-12-12 Leybold Ag Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche
DE19521832A1 (de) * 1995-06-16 1996-12-19 Bosch Gmbh Robert Druckmeßvorrichtung
US5824910A (en) * 1997-04-16 1998-10-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Miniature hydrostat fabricated using multiple microelectromechanical processes
US20020003274A1 (en) * 1998-08-27 2002-01-10 Janusz Bryzek Piezoresistive sensor with epi-pocket isolation
US6006607A (en) * 1998-08-31 1999-12-28 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm
US6346742B1 (en) 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US6229190B1 (en) 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
US6425290B2 (en) 2000-02-11 2002-07-30 Rosemount Inc. Oil-less differential pressure sensor
US6642594B2 (en) * 2001-12-06 2003-11-04 Kulite Semiconductor Products, Inc. Single chip multiple range pressure transducer device
US6868720B2 (en) * 2002-10-16 2005-03-22 Alcon, Inc. Testing of pressure sensor in surgical cassette
US6955073B2 (en) * 2002-10-16 2005-10-18 Alcon, Inc. Pressure sensing in surgical console
US6941813B2 (en) * 2003-06-30 2005-09-13 Alcon, Inc. Noninvasive pressure sensing assembly
JP5217163B2 (ja) * 2004-05-12 2013-06-19 セイコーエプソン株式会社 圧力センサ
US7997143B2 (en) * 2009-04-09 2011-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Internally switched multiple range transducer
WO2012030595A2 (en) 2010-08-30 2012-03-08 Alcon Research, Ltd. Optical sensing system including electronically switched optical magnification
FR2982023B1 (fr) * 2011-10-26 2015-03-06 Auxitrol Sa Structure micromecanique a membrane deformable et a protection contre de fortes deformations
US8806964B2 (en) 2012-03-23 2014-08-19 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003899B2 (en) 2012-03-23 2015-04-14 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003897B2 (en) 2012-05-10 2015-04-14 Honeywell International Inc. Temperature compensated force sensor
DE102012109587A1 (de) * 2012-10-09 2014-04-10 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
US9410861B2 (en) * 2014-03-25 2016-08-09 Honeywell International Inc. Pressure sensor with overpressure protection
CN103994854A (zh) * 2014-04-22 2014-08-20 江苏森博传感技术有限公司 一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器
US9719872B2 (en) 2015-09-29 2017-08-01 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor with extended pressure signal output
US10060813B2 (en) 2015-09-29 2018-08-28 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor
US9963340B2 (en) * 2015-12-03 2018-05-08 Honeywell International Inc. Pressure sensor die over pressure protection for high over pressure to operating span ratios
US10197462B2 (en) 2016-05-25 2019-02-05 Honeywell International Inc. Differential pressure sensor full overpressure protection device
US10203258B2 (en) 2016-09-26 2019-02-12 Rosemount Inc. Pressure sensor diaphragm with overpressure protection
CA3099745A1 (en) 2018-05-17 2019-11-21 Rosemount Inc. Measuring element and measuring device comprising the same
US11815412B2 (en) * 2018-11-15 2023-11-14 Intuitive Surgical Operations, Inc. Strain sensor with contoured deflection surface
EP4261513A1 (en) * 2022-04-14 2023-10-18 Infineon Technologies Dresden GmbH & Co . KG Pressure sensing device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1226806B (de) * 1960-11-29 1966-10-13 Siemens Ag Kraftmessdose
US3341794A (en) * 1965-07-26 1967-09-12 Statham Instrument Inc Transducers with substantially linear response characteristics
US4093933A (en) * 1976-05-14 1978-06-06 Becton, Dickinson Electronics Company Sculptured pressure diaphragm
US4236137A (en) * 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
JPS58151536A (ja) * 1982-03-05 1983-09-08 Hitachi Ltd 差圧検出器
US5062302A (en) * 1988-04-29 1991-11-05 Schlumberger Industries, Inc. Laminated semiconductor sensor with overpressure protection
US4905575A (en) * 1988-10-20 1990-03-06 Rosemount Inc. Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction
US4879627A (en) * 1988-12-30 1989-11-07 United Technologies Corporation Differential capacitive pressure sensor with over-pressure protection
US4930043A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Closed-loop capacitive accelerometer with spring constraint
US4930042A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Capacitive accelerometer with separable damping and sensitivity
EP0400165B1 (de) * 1989-05-30 1993-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
US4949581A (en) * 1989-06-15 1990-08-21 Rosemount Inc. Extended measurement capability transmitter having shared overpressure protection means
DE4111119A1 (de) * 1991-04-03 1992-10-08 Univ Chemnitz Tech Stapelbare mikromechanische kapazitive druckmesszelle

Also Published As

Publication number Publication date
FI950912A (fi) 1995-02-28
SG43764A1 (en) 1997-11-14
PL173699B1 (pl) 1998-04-30
WO1994005986A1 (en) 1994-03-17
CN1092164A (zh) 1994-09-14
HUT70345A (en) 1995-09-28
HU9500617D0 (en) 1995-04-28
RU95106595A (ru) 1996-11-20
BR9306946A (pt) 1999-01-12
US5333504A (en) 1994-08-02
FI950912A0 (fi) 1995-02-28
NO950777L (no) 1995-02-28
AU680430B2 (en) 1997-07-31
JPH08500903A (ja) 1996-01-30
DE69318847T2 (de) 1999-01-21
PL307591A1 (en) 1995-05-29
MX9305342A (es) 1994-06-30
DE69318847D1 (de) 1998-07-02
IL106838A0 (en) 1994-08-26
IL106838A (en) 1997-08-14
EP0670995A1 (en) 1995-09-13
KR950703140A (ko) 1995-08-23
JP3327553B2 (ja) 2002-09-24
CA2141688A1 (en) 1994-03-17
AU4841293A (en) 1994-03-29
CN1051155C (zh) 2000-04-05
EP0670995A4 (en) 1996-05-01
EP0670995B1 (en) 1998-05-27
NO950777D0 (no) 1995-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2137099C1 (ru) Датчик давления
EP0311613B1 (en) Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
EP1316786B1 (en) Capacity type pressure sensor and method of manufacturing the pressure sensor
KR0137965B1 (ko) 최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기
US5656781A (en) Capacitive pressure transducer structure with a sealed vacuum chamber formed by two bonded silicon wafers
KR0137931B1 (ko) 평면운동을 위한 힌지된 격막을 가진 용량성 반도체 감지기
US4905575A (en) Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction
FI74350B (fi) Kapacitiv absoluttryckgivare.
US7111518B1 (en) Extremely low cost pressure sensor realized using deep reactive ion etching
CN100353153C (zh) 电容压力传感器
CA1332883C (en) Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer
JP2000009573A (ja) 静電容量式圧力センサ