KR950703140A - 고 초과압력 저범위 압력센서(high overpressure low range pressure sensor) - Google Patents

고 초과압력 저범위 압력센서(high overpressure low range pressure sensor) Download PDF

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KR950703140A
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Abstract

저범위 압력센서(10)는 메짐성 재료의 베이스판(12)과, 베이스판(12)상에 장착되고 주변부(16)둘레가 베이스판(12)에 밀봉되는 진동판 어셈블리(14)를 포함한다. 중앙 진동판부(18)가 베이스판(12)을 향해 편향하도록 압력을 받게되고, 진동판(18)의 편향은 압력 표시를 제공도록 스트레인 게이지 (32)를 통해 감지된다. 진동판(18)에는 베이스판(12)을 접하는 측면상에 개별적인 복수의 지지포스트(36)가 제공되어서 진동판(18)이 고초과 압력하에서 베이스판(12)을 향해 편향될때, 지지포스트(36)는 진동판(18)의 고장 또는 파손을 방지하기 위해 이동에 대하여 진동판(18)을 지지하게 된다. 지지 포스트(36)의 숫자는 필요한 만큼 변화될 수 있다. 본 발명의 바람직한 형태에 있어서, 베이스판은 초과압력 증가로서 진동판(18)내의 응력 생성을 감소시키시 위해 지지포스트가 베이스판(12)의 표면과 접촉함에 따라 지지포스트(36)의 약간의 이동을 조정가능하고 양호한 전기 절연체인 이산화 실리콘의 매우 얇은층(40)으로 제공된다.

Description

고 초과압력 저범위 압력센서(HIGH OVERPRESSURE LOW RANGE PRESSURE SENSOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 제조된 압력을 감지하기 위해 사용되는 전형적안 센서의 단면도이다,
제1A도는 진동판층이 제거된 베이스판 표면을 도시한 도면이다,
제2도는 제1도의 2-2선을 따라 절취된 제1도의 진동판 부분의 지지포스트를 도시한 도면이다,
제3도는 베이스층을 최소 접촉시에서 완전한 초과 압력 상태로의 지지포스트의 이동을 예시하는 도면이다,
제4도는 인접한 포스트가 없이 에칭되는 구성으로 개별 포스트의 에칭면의 세부를 도시한 단일 지지포스트의 세부 확대도이다,
제5도는 제4도의 5-5선을 따라 절취한 단면도이다.

Claims (9)

  1. 베이스판과, 베이스판에 고정되는 림과 베이스판을 향해 힘이 가해짐에 따라 편향가능한 중앙 진동판 웨브부를 포함하는 진동판을 구비하는 압력센서에 있어서, 상기편향 가능한 웨브부와 일체식으로 상기판들중 하나에 형성되고, 상기 편향가능한 웨브부가 사전 선택된 정도로 상기 베이스판을 향해 편향될때 정지부를 형성하는 복수의 포스트를 구비하는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포스트는 상기 진동판의 편향 가능한 웨브부와 일체식으로 형성되고, 베이스판과 결합하는 단부를 갖는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기포스트는 상기 진동판의 편향가능한 웨브부와 일체식으로 형성되고, 진동판이 상기 배이스판을 향해 사전 선택된 정도로 편항될때 베이스판의 접합면을 포함하는 외측 단부면을 갖는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 베이스판 상에 형성되는 산호물층은 포스트가 베이스판에 접촉하므로써 포스트의 단부의 이동이 가능하도록 포스트와 상이한 재료로 이루어진 얕은충을 형성하는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 베이스판은 실리콘으로 형성되고, 얕은층은 이산화 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이산화 실리콘은 3미크론 두께인 것을 특징으로 하는 압력센서.
  7. 제6항에 있어서, 상기 베이스판은 림부재의 하부에 놓인 베이스판의 에지 에서보다 편향 가능한 웨브부의 중앙부와 일체식으로 이루어진 영역에 보다 큰 깊이로 리세스 되는 포스트오 접하는 면을 갖는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  8. 제1항에 있어서, 진동판 웨브상에 복수의 최소한 4개의 포스트가 존재하는 것을 특징으로 하는 압력센서.
  9. 제1항에 있어서, 진동판 웨브부상에 16개의 포스트가 고르게 공간 이격되어 있는 것을 특지으로 하는 압력센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950700731A 1992-09-01 1993-08-30 고 초과압력 저범위 압력센서(high overpressure low range pressure sensor) KR950703140A (ko)

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19521275A1 (de) * 1995-06-10 1996-12-12 Leybold Ag Gasdurchlaß mit selektiv wirkender Durchtrittsfläche sowie Verfahren zur Herstellung der Durchtrittsfläche
DE19521832A1 (de) * 1995-06-16 1996-12-19 Bosch Gmbh Robert Druckmeßvorrichtung
US5824910A (en) * 1997-04-16 1998-10-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Miniature hydrostat fabricated using multiple microelectromechanical processes
US20020003274A1 (en) * 1998-08-27 2002-01-10 Janusz Bryzek Piezoresistive sensor with epi-pocket isolation
US6006607A (en) * 1998-08-31 1999-12-28 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US6346742B1 (en) 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
US6229190B1 (en) 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
EP1254356A1 (en) 2000-02-11 2002-11-06 Rosemount, Inc. Oil-less differential pressure sensor
US6642594B2 (en) * 2001-12-06 2003-11-04 Kulite Semiconductor Products, Inc. Single chip multiple range pressure transducer device
US6955073B2 (en) * 2002-10-16 2005-10-18 Alcon, Inc. Pressure sensing in surgical console
US6868720B2 (en) * 2002-10-16 2005-03-22 Alcon, Inc. Testing of pressure sensor in surgical cassette
US6941813B2 (en) * 2003-06-30 2005-09-13 Alcon, Inc. Noninvasive pressure sensing assembly
WO2005108946A1 (ja) * 2004-05-12 2005-11-17 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. 圧力センサ
US7997143B2 (en) 2009-04-09 2011-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Internally switched multiple range transducer
US8760637B2 (en) 2010-08-30 2014-06-24 Alcon Research, Ltd. Optical sensing system including electronically switched optical magnification
FR2982023B1 (fr) * 2011-10-26 2015-03-06 Auxitrol Sa Structure micromecanique a membrane deformable et a protection contre de fortes deformations
US8806964B2 (en) 2012-03-23 2014-08-19 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003899B2 (en) 2012-03-23 2015-04-14 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003897B2 (en) 2012-05-10 2015-04-14 Honeywell International Inc. Temperature compensated force sensor
DE102012109587A1 (de) * 2012-10-09 2014-04-10 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
US9410861B2 (en) * 2014-03-25 2016-08-09 Honeywell International Inc. Pressure sensor with overpressure protection
CN103994854A (zh) * 2014-04-22 2014-08-20 江苏森博传感技术有限公司 一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器
US10060813B2 (en) 2015-09-29 2018-08-28 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor
US9719872B2 (en) * 2015-09-29 2017-08-01 Rosemount Inc. High over-pressure capable silicon die pressure sensor with extended pressure signal output
US9963340B2 (en) * 2015-12-03 2018-05-08 Honeywell International Inc. Pressure sensor die over pressure protection for high over pressure to operating span ratios
US10197462B2 (en) 2016-05-25 2019-02-05 Honeywell International Inc. Differential pressure sensor full overpressure protection device
US10203258B2 (en) 2016-09-26 2019-02-12 Rosemount Inc. Pressure sensor diaphragm with overpressure protection
US11371899B2 (en) 2018-05-17 2022-06-28 Rosemount Inc. Measuring element with an extended permeation resistant layer
US11815412B2 (en) * 2018-11-15 2023-11-14 Intuitive Surgical Operations, Inc. Strain sensor with contoured deflection surface
EP4261513A1 (en) * 2022-04-14 2023-10-18 Infineon Technologies Dresden GmbH & Co . KG Pressure sensing device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1226806B (de) * 1960-11-29 1966-10-13 Siemens Ag Kraftmessdose
US3341794A (en) * 1965-07-26 1967-09-12 Statham Instrument Inc Transducers with substantially linear response characteristics
US4093933A (en) * 1976-05-14 1978-06-06 Becton, Dickinson Electronics Company Sculptured pressure diaphragm
US4236137A (en) * 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
JPS58151536A (ja) * 1982-03-05 1983-09-08 Hitachi Ltd 差圧検出器
US5062302A (en) * 1988-04-29 1991-11-05 Schlumberger Industries, Inc. Laminated semiconductor sensor with overpressure protection
US4905575A (en) * 1988-10-20 1990-03-06 Rosemount Inc. Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction
US4879627A (en) * 1988-12-30 1989-11-07 United Technologies Corporation Differential capacitive pressure sensor with over-pressure protection
US4930042A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Capacitive accelerometer with separable damping and sensitivity
US4930043A (en) * 1989-02-28 1990-05-29 United Technologies Closed-loop capacitive accelerometer with spring constraint
DE58905475D1 (de) * 1989-05-30 1993-10-07 Siemens Ag Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung.
US4949581A (en) * 1989-06-15 1990-08-21 Rosemount Inc. Extended measurement capability transmitter having shared overpressure protection means
DE4111119A1 (de) * 1991-04-03 1992-10-08 Univ Chemnitz Tech Stapelbare mikromechanische kapazitive druckmesszelle

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Publication number Publication date
US5333504A (en) 1994-08-02
DE69318847T2 (de) 1999-01-21
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HU9500617D0 (en) 1995-04-28
BR9306946A (pt) 1999-01-12
AU4841293A (en) 1994-03-29
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DE69318847D1 (de) 1998-07-02
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JP3327553B2 (ja) 2002-09-24
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FI950912A (fi) 1995-02-28
NO950777L (no) 1995-02-28
WO1994005986A1 (en) 1994-03-17
PL307591A1 (en) 1995-05-29

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