JP3489563B2 - 容量型圧力センサ - Google Patents
容量型圧力センサInfo
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- JP3489563B2 JP3489563B2 JP2000537048A JP2000537048A JP3489563B2 JP 3489563 B2 JP3489563 B2 JP 3489563B2 JP 2000537048 A JP2000537048 A JP 2000537048A JP 2000537048 A JP2000537048 A JP 2000537048A JP 3489563 B2 JP3489563 B2 JP 3489563B2
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- diaphragm
- electrode
- pressure sensor
- temperature
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、容量型圧力センサに関し，特に，温度変化
による出力変動を抑えた容量型圧力センサに関する。
による出力変動を抑えた容量型圧力センサに関する。
背景技術
第４図は特開平３−１７０８２６号公報に開示されて
いる一般的な容量型圧力センサのコンデンサ構造を示す
断面図である。この容量型圧力センサは，Ｓｉダイアフ
ラム土台８とプレート６との間に真空室５が形成され，
これらＳｉダイアフラム土台８とプレート６が対向する
内壁面に電極３，４を装着した構成の本体と，Ｓｉダイ
アフラム土台８側に固定された圧力導入口１０を備えた
パッケージ９とを具備している。
いる一般的な容量型圧力センサのコンデンサ構造を示す
断面図である。この容量型圧力センサは，Ｓｉダイアフ
ラム土台８とプレート６との間に真空室５が形成され，
これらＳｉダイアフラム土台８とプレート６が対向する
内壁面に電極３，４を装着した構成の本体と，Ｓｉダイ
アフラム土台８側に固定された圧力導入口１０を備えた
パッケージ９とを具備している。
この容量型圧力センサは，Ｓｉダイアフラム１が圧力
導入口１０から印加される圧力によってひずみ，これに
より対向電極間の電気容量が変化することを利用して絶
対圧力を測定するものである。
導入口１０から印加される圧力によってひずみ，これに
より対向電極間の電気容量が変化することを利用して絶
対圧力を測定するものである。
発明の開示
上記の容量型圧力センサに温度変化が生じると，ダイ
アフラム１を主に構成しているシリコンとそのダイアフ
ラム上に形成されている電極３を構成している材料の線
膨張係数の違いにより，ダイアフラム１にたわみが生じ
る。その結果，温度変化により圧力の出力が変動すると
いう欠点があった。例として第５図は，電極３を構成し
ている材料の線膨張係数がダイアフラム１を主に構成し
ているシリコンの線膨張係数に比べ大きく，また温度変
化として温度が上昇した場合のダイアフラムの変形の様
子を示している。また，第６図は，電極３を構成してい
る材料の線膨張係数がダイアフラム１を主に構成してい
るシリコンの線膨張係数に比べ小さく，また温度変化と
して温度が上昇した場合のダイアフラムの変形の様子を
示している。第５図，第６図から，電極３とダイアフラ
ム１との熱膨張差により電極３と電極４との間隔が変化
し，電気容量が変化することがわかる。これにより従来
の容量型圧力センサでは，温度変化が圧力出力にに影響
する。
アフラム１を主に構成しているシリコンとそのダイアフ
ラム上に形成されている電極３を構成している材料の線
膨張係数の違いにより，ダイアフラム１にたわみが生じ
る。その結果，温度変化により圧力の出力が変動すると
いう欠点があった。例として第５図は，電極３を構成し
ている材料の線膨張係数がダイアフラム１を主に構成し
ているシリコンの線膨張係数に比べ大きく，また温度変
化として温度が上昇した場合のダイアフラムの変形の様
子を示している。また，第６図は，電極３を構成してい
る材料の線膨張係数がダイアフラム１を主に構成してい
るシリコンの線膨張係数に比べ小さく，また温度変化と
して温度が上昇した場合のダイアフラムの変形の様子を
示している。第５図，第６図から，電極３とダイアフラ
ム１との熱膨張差により電極３と電極４との間隔が変化
し，電気容量が変化することがわかる。これにより従来
の容量型圧力センサでは，温度変化が圧力出力にに影響
する。
本発明は，温度変化による圧力の出力変動を防止した
容量型圧力センサを提供することを目的とする。
容量型圧力センサを提供することを目的とする。
図面の簡単な説明
第１図は本発明の一実施例に係る容量型半導体圧力セ
ンサの要部構造例を示す断面図である。
ンサの要部構造例を示す断面図である。
第２図は第１図に示した容量型半導体圧力センサの温
度影響が防止される原理を説明するための模式図であ
る。
度影響が防止される原理を説明するための模式図であ
る。
第３図は第１図に示した容量型半導体圧力センサの温
度影響が防止される原理を説明るための模式図である。
度影響が防止される原理を説明るための模式図である。
第４図は従来の容量型半導体圧力センサの要部構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
第５図は第４図で示した従来の容量型半導体圧力セン
サの圧力出力が温度に影響されることを説明するための
模式図である。
サの圧力出力が温度に影響されることを説明するための
模式図である。
第６図は第４図で示した従来の容量型半導体圧力セン
サの圧力出力が温度に影響されることを説明するための
模式図である。
サの圧力出力が温度に影響されることを説明するための
模式図である。
第７図は従来の容量型半導体圧力センサの圧力出力が
温度に影響されることを説明するためのFEM解析モデル
である。
温度に影響されることを説明するためのFEM解析モデル
である。
第８図は第７図で示したFEM解析モデルの変形図であ
る。
る。
第９図は第７図で示したFEM解析モデルの変形図であ
る。
る。
第１０図は本発明の一実施例に係る容量型半導体圧力
センサの温度影響が防止される原理を説明するためのFE
M解析モデルである。
センサの温度影響が防止される原理を説明するためのFE
M解析モデルである。
第１１図は第１０図で示したFEM解析モデルの変形図
である。
である。
第１２図は第１０図で示したFEM解析モデルの変形図
である。
である。
第１３図は第１０図で示したFEM解析モデルの解析結
果を示す図である。
果を示す図である。
第１４図は第１０図で示したFEM解析モデルの解析結
果を示す図である。
果を示す図である。
第１５図は本発明の一実施例に係る容量型半導体圧力
センサの温度影響が防止される原理を説明するためのFE
M解析モデルである。
センサの温度影響が防止される原理を説明するためのFE
M解析モデルである。
第１６図は第１５図で示したFEM解析モデルの解析結
果を示す図である。
果を示す図である。
第１７図は第１５図で示したFEM解析モデルの解析結
果を示す図である。
果を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本願発明を実施するための最良の形態を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
（実施例１）
本発明の一実施例を第１図から第３図により説明す
る。第１図は本発明の容量型圧力センサのコンデンサ部
の断面図を示しており，シリコンからなる線膨張係数が
α1のダイアフラム１と，このダイアフラム１の上面に
形成された線膨張係数がα2の電極３と，上記ダイアフ
ラム１をダイアフラム土台８に保持するダイアフラム付
け根部分７と，ダイアフラム土台８と共に真空室５の外
壁を形成しているプレート６と，このプレート６の下面
に前記電極３と対向するように形成された電極４と，前
記ダイアフラム付け根部分７の上面に形成された線膨張
係数がα3である薄膜２と，上記ダイアフラム土台８を
支持するパッケージ９と外部圧力をダイアフラム１に伝
えるために形成された圧力導入口１０を有している。
る。第１図は本発明の容量型圧力センサのコンデンサ部
の断面図を示しており，シリコンからなる線膨張係数が
α1のダイアフラム１と，このダイアフラム１の上面に
形成された線膨張係数がα2の電極３と，上記ダイアフ
ラム１をダイアフラム土台８に保持するダイアフラム付
け根部分７と，ダイアフラム土台８と共に真空室５の外
壁を形成しているプレート６と，このプレート６の下面
に前記電極３と対向するように形成された電極４と，前
記ダイアフラム付け根部分７の上面に形成された線膨張
係数がα3である薄膜２と，上記ダイアフラム土台８を
支持するパッケージ９と外部圧力をダイアフラム１に伝
えるために形成された圧力導入口１０を有している。
ここで，ダイアフラムの付け根上の薄膜２の線膨張係
数α3は，α2＞α1のときα3＞α1，α1＞α2のときα1
＞α3とする。
数α3は，α2＞α1のときα3＞α1，α1＞α2のときα1
＞α3とする。
電極３の面内座標（ｘ，ｙ）で，電極３と電極４との
間隔がｄ（ｘ，ｙ）の場合，図１で示す容量型圧力セン
サの電気容量ｃは，近似的に次の（１）式になる。
間隔がｄ（ｘ，ｙ）の場合，図１で示す容量型圧力セン
サの電気容量ｃは，近似的に次の（１）式になる。
ここで，ε0は真空誘電率でε0＝８．８５４２×１０
2［Ｆ／ｍ］である。また，Ｓは電極面を示し，上記
（１）式の面積分は，電極面Ｓ内の座標（ｘ，ｙ）で行
う。上記電極３，４の形状が円形で，その直径が２Ｒ，
また特にダイアフラム１が変形していない状態での電気
容量Ｃ0は，その際の電極３，４の間隔をｄ0とすると，
次の（２）式になる。
2［Ｆ／ｍ］である。また，Ｓは電極面を示し，上記
（１）式の面積分は，電極面Ｓ内の座標（ｘ，ｙ）で行
う。上記電極３，４の形状が円形で，その直径が２Ｒ，
また特にダイアフラム１が変形していない状態での電気
容量Ｃ0は，その際の電極３，４の間隔をｄ0とすると，
次の（２）式になる。
このような容量型圧力センサに圧力導入口から圧力が
加わると第４図で示した従来の容量型圧力センサと同様
な原理により，圧力を測定できる。
加わると第４図で示した従来の容量型圧力センサと同様
な原理により，圧力を測定できる。
第２図は，本発明の容量型圧力センサに温度変化が生
じた場合，熱応力によって生じる電気容量の変化を防止
する原理を説明する図である。ここで第２図で示してい
るダイアフラム１と電極３そして薄膜２の変形は，
α2，α3＞α1の場合には温度上昇で，α2，α3＜α1の
場合には温度下降によって生じている。また，ｄ0は，
初期温度の間隔であり、ｄ1は，電極面内の中心付近で
の間隔であり，ｄ2は電極の外周付近での間隔を示して
いる。第２図で示すように温度が変化した場合ダイアフ
ラムを形成しているＳｉの線膨張係数α1とダイアフラ
ムの上面に形成されている電極との線膨張係数α2との
差から，例えばα2＞α1で温度が上昇した場合，ダイア
フラムは上に凸に歪む。しかし，ダイアフラムの付け根
上の薄膜の線膨張係数α3が，α3＞α1であるのでダイ
アフラム付け根部分も上に凸に歪むためダイアフラム３
は薄膜２が無い場合（第５図）に比べ下に移動する。薄
膜の線膨張係数がより大きい場合，または膜厚が厚い場
合，膜の面積が広い場合には，上記ダイアフラムの下へ
の移動量は，大きくなる。その結果，膜２が無い場合，
電極３と電極４との間隔はｄ0＞ｄ2＞ｄ1であるが，薄
膜２の線膨張係数α3と厚さ，そして面積を調整するこ
とにより，ｄ2＞ｄ0＞ｄ1とすることができ，温度変化
によりダイアフラム１が変形しても，電気容量Ｃの変化
量を小さくすることが可能である。すなわち，圧力の変
化として検出する容量式圧力センサの温度影響を小さく
することができる。
じた場合，熱応力によって生じる電気容量の変化を防止
する原理を説明する図である。ここで第２図で示してい
るダイアフラム１と電極３そして薄膜２の変形は，
α2，α3＞α1の場合には温度上昇で，α2，α3＜α1の
場合には温度下降によって生じている。また，ｄ0は，
初期温度の間隔であり、ｄ1は，電極面内の中心付近で
の間隔であり，ｄ2は電極の外周付近での間隔を示して
いる。第２図で示すように温度が変化した場合ダイアフ
ラムを形成しているＳｉの線膨張係数α1とダイアフラ
ムの上面に形成されている電極との線膨張係数α2との
差から，例えばα2＞α1で温度が上昇した場合，ダイア
フラムは上に凸に歪む。しかし，ダイアフラムの付け根
上の薄膜の線膨張係数α3が，α3＞α1であるのでダイ
アフラム付け根部分も上に凸に歪むためダイアフラム３
は薄膜２が無い場合（第５図）に比べ下に移動する。薄
膜の線膨張係数がより大きい場合，または膜厚が厚い場
合，膜の面積が広い場合には，上記ダイアフラムの下へ
の移動量は，大きくなる。その結果，膜２が無い場合，
電極３と電極４との間隔はｄ0＞ｄ2＞ｄ1であるが，薄
膜２の線膨張係数α3と厚さ，そして面積を調整するこ
とにより，ｄ2＞ｄ0＞ｄ1とすることができ，温度変化
によりダイアフラム１が変形しても，電気容量Ｃの変化
量を小さくすることが可能である。すなわち，圧力の変
化として検出する容量式圧力センサの温度影響を小さく
することができる。
第３図は，本発明の容量型圧力センサに温度変化が生
じた場合，熱応力によって生じる電気容量の変化を防止
する原理を説明する図である。ここで第３図で示してい
るダイアフラム１と電極３そして薄膜２の変形は，
α2，α3＞α1の場合には温度下降で，α2，α3＜α1の
場合には温度上昇によって生じている。また，ｄ0は，
初期温度の間隔であり、ｄ1は，電極面内の中心付近で
の間隔であり，ｄ2は電極の外周付近での間隔を示して
いる。第３図で示すように温度が変化した場合ダイアフ
ラムを形成しているＳｉの線膨張係数α1とダイアフラ
ムの上面に形成されている電極との線膨張係数α2との
差から，例えばα2＞α1で温度が下降した場合，ダイア
フラムは下に凸に歪む。しかし，ダイアフラムの付け根
上の薄膜の線膨張係数α3が，α3＞α1であるのでダイ
アフラム付け根部分も下に凸に歪むためダイアフラム３
は薄膜２が無い場合（第６図）に比べ上に移動する。薄
膜の線膨張係数がより大きい場合，または膜厚が厚い場
合，膜の面積が広い場合には，上記ダイアフラムの上へ
の移動量は，大きくなる。その結果，膜２が無い場合，
電極３と電極４との間隔はｄ1＞ｄ2＞ｄ0であるが，薄
膜２の線膨張係数α3と厚さ，そして面積を調整するこ
とにより，ｄ1＞ｄ0＞ｄ2とすることができ，温度変化
によりダイアフラム１が変形しても，電気容量Ｃの変化
量を小さくすることが可能である。すなわち，圧力の変
化として検出する容量式圧力センサの温度影響を小さく
することができる。
じた場合，熱応力によって生じる電気容量の変化を防止
する原理を説明する図である。ここで第３図で示してい
るダイアフラム１と電極３そして薄膜２の変形は，
α2，α3＞α1の場合には温度下降で，α2，α3＜α1の
場合には温度上昇によって生じている。また，ｄ0は，
初期温度の間隔であり、ｄ1は，電極面内の中心付近で
の間隔であり，ｄ2は電極の外周付近での間隔を示して
いる。第３図で示すように温度が変化した場合ダイアフ
ラムを形成しているＳｉの線膨張係数α1とダイアフラ
ムの上面に形成されている電極との線膨張係数α2との
差から，例えばα2＞α1で温度が下降した場合，ダイア
フラムは下に凸に歪む。しかし，ダイアフラムの付け根
上の薄膜の線膨張係数α3が，α3＞α1であるのでダイ
アフラム付け根部分も下に凸に歪むためダイアフラム３
は薄膜２が無い場合（第６図）に比べ上に移動する。薄
膜の線膨張係数がより大きい場合，または膜厚が厚い場
合，膜の面積が広い場合には，上記ダイアフラムの上へ
の移動量は，大きくなる。その結果，膜２が無い場合，
電極３と電極４との間隔はｄ1＞ｄ2＞ｄ0であるが，薄
膜２の線膨張係数α3と厚さ，そして面積を調整するこ
とにより，ｄ1＞ｄ0＞ｄ2とすることができ，温度変化
によりダイアフラム１が変形しても，電気容量Ｃの変化
量を小さくすることが可能である。すなわち，圧力の変
化として検出する容量式圧力センサの温度影響を小さく
することができる。
（実施例２）
本発明の他の実施例を第７図から第１７図により説明
する。第７図は，第４図で示した従来の電気容量型圧力
センサの要部の有限要素法（Finite Element Method，
以下 FEM）モデルであり軸対称でモデル化した断面図を
示している。上記モデルは，半径がＲ2で厚さＤ2のダイ
アフラム１と，半径がＲ1で厚さＤ1の電極３と，ダイア
フラム土台８からなる。
する。第７図は，第４図で示した従来の電気容量型圧力
センサの要部の有限要素法（Finite Element Method，
以下 FEM）モデルであり軸対称でモデル化した断面図を
示している。上記モデルは，半径がＲ2で厚さＤ2のダイ
アフラム１と，半径がＲ1で厚さＤ1の電極３と，ダイア
フラム土台８からなる。
表１は，ダイアフラム１がシリコン，電極３は例えば
表面が酸化シリコン，窒化シリコンなどの絶縁膜で皮膜
されたポリシリコンなどの電気伝導体からなる場合の剛
性の一例である。
表面が酸化シリコン，窒化シリコンなどの絶縁膜で皮膜
されたポリシリコンなどの電気伝導体からなる場合の剛
性の一例である。
ここでは，Ｄ1＝１［μｍ］，Ｄ2＝４［μｍ］，Ｒ1＝
５２［μｍ］，Ｒ2＝１１２［μｍ］，ｄ0＝１［μｍ］
としてある。第８図は，第７図と表１で示したFEM解析
モデルを初期温度２０℃から１２０℃まで温度上昇（１
００℃）させた場合の変形図を示している。また第９図
は，第７図と表１で示したFEM解析モデルを初期温度２
０℃から−８０℃まで温度降下（１００℃）させた場合
の変形図を示している。変形状態をわかりやすくするた
め，第８図と第９図において，変形の表示は拡大してい
る。
５２［μｍ］，Ｒ2＝１１２［μｍ］，ｄ0＝１［μｍ］
としてある。第８図は，第７図と表１で示したFEM解析
モデルを初期温度２０℃から１２０℃まで温度上昇（１
００℃）させた場合の変形図を示している。また第９図
は，第７図と表１で示したFEM解析モデルを初期温度２
０℃から−８０℃まで温度降下（１００℃）させた場合
の変形図を示している。変形状態をわかりやすくするた
め，第８図と第９図において，変形の表示は拡大してい
る。
第８図では初期温度２０℃から１２０℃まで温度上昇
（１００℃）による熱膨張によってダイアフラムが下に
凸に変形する。上記変形によって電極３と上部電極表面
との距離ｄ（ｘ，ｙ）は電極の全領域において，初期温
度での距離ｄ0より大きくなる。その結果，電気容量Ｃ1
は，次の（３）式 となり，温度変化により電気容量がΔＣ1＝｜Ｃ1−Ｃ0
｜＞０だけ変化し，出力が温度に影響される。
（１００℃）による熱膨張によってダイアフラムが下に
凸に変形する。上記変形によって電極３と上部電極表面
との距離ｄ（ｘ，ｙ）は電極の全領域において，初期温
度での距離ｄ0より大きくなる。その結果，電気容量Ｃ1
は，次の（３）式 となり，温度変化により電気容量がΔＣ1＝｜Ｃ1−Ｃ0
｜＞０だけ変化し，出力が温度に影響される。
第９図では初期温度２０℃から−８０℃までの温度下降
（１００℃）による熱収縮によってダイアフラム１が上
に凸に変形する。上記変形によって電極３と上部電極表
面との距離ｄ（ｘ，ｙ）は電極の全領域において，初期
温度での距離ｄ0より小さくなる。その結果，電気容量
Ｃ2は，次の（４）式 となり，温度変化により電気容量がΔＣ2＝｜Ｃ2−Ｃ0
｜＞０だけ変化し，出力が温度に影響される。
（１００℃）による熱収縮によってダイアフラム１が上
に凸に変形する。上記変形によって電極３と上部電極表
面との距離ｄ（ｘ，ｙ）は電極の全領域において，初期
温度での距離ｄ0より小さくなる。その結果，電気容量
Ｃ2は，次の（４）式 となり，温度変化により電気容量がΔＣ2＝｜Ｃ2−Ｃ0
｜＞０だけ変化し，出力が温度に影響される。
以上第８図，第９図で示したように従来の容量型圧力セ
ンサでは，温度変化によりダイアフラムが大きく変形
し，温度変化が出力に影響する。
ンサでは，温度変化によりダイアフラムが大きく変形
し，温度変化が出力に影響する。
これに対し，第１０図は本発明の容量型圧力センサの要
部のFEMモデルであり軸対称でモデル化した断面図を示
している。上記モデルは，半径がＲ2で厚さＤ2のダイア
フラム１と，半径がＲ1で厚さＤ1の電極３と，ダイアフ
ラムの付け根上に形成された幅Ｌで厚さＤ3の薄膜，そ
してダイアフラム土台８をからなり，電極３と上部電極
表面との距離はｄ0である。表２は，本発明の一例とし
て，ダイアフラム１とダイアフラム支持部７はシリコ
ン，電極３は例えば表面が酸化シリコン，窒化シリコン
などの絶縁膜で皮膜されたポリシリコンなどの電気伝導
体からなる場合の剛性の一例であり，また薄膜２はここ
では電極３と同じ剛性の場合であり，他の剛性でも各種
の寸法を適宜変えることによって，以後説明する最適寸
法を有した容量型圧力センサを構成することができる。
部のFEMモデルであり軸対称でモデル化した断面図を示
している。上記モデルは，半径がＲ2で厚さＤ2のダイア
フラム１と，半径がＲ1で厚さＤ1の電極３と，ダイアフ
ラムの付け根上に形成された幅Ｌで厚さＤ3の薄膜，そ
してダイアフラム土台８をからなり，電極３と上部電極
表面との距離はｄ0である。表２は，本発明の一例とし
て，ダイアフラム１とダイアフラム支持部７はシリコ
ン，電極３は例えば表面が酸化シリコン，窒化シリコン
などの絶縁膜で皮膜されたポリシリコンなどの電気伝導
体からなる場合の剛性の一例であり，また薄膜２はここ
では電極３と同じ剛性の場合であり，他の剛性でも各種
の寸法を適宜変えることによって，以後説明する最適寸
法を有した容量型圧力センサを構成することができる。
本実施例では，Ｄ1＝１［μｍ］，Ｄ2＝４［μｍ］，Ｒ
1＝５２［μｍ］，Ｒ2＝１１２［μｍ］，そしてＬ＝３
０［μｍ］とし，Ｄ3は種々変えて計算を行った。第１
１図は，第１０図と表２で示したFEM解析モデルを初期
温度２０℃から１２０℃まで温度上昇（１００℃）させ
た場合の変形図を示している。また第１２図は，第１０
図と表２で示したFEM解析モデルを初期温度２０℃から
−８０℃まで温度降下（１００℃）させた場合の変形図
を示している。第１１図と第１２図では，Ｄ3＝１［μ
ｍ］とし，また変形状態をわかりやすくするため，変形
の表示は拡大している。
1＝５２［μｍ］，Ｒ2＝１１２［μｍ］，そしてＬ＝３
０［μｍ］とし，Ｄ3は種々変えて計算を行った。第１
１図は，第１０図と表２で示したFEM解析モデルを初期
温度２０℃から１２０℃まで温度上昇（１００℃）させ
た場合の変形図を示している。また第１２図は，第１０
図と表２で示したFEM解析モデルを初期温度２０℃から
−８０℃まで温度降下（１００℃）させた場合の変形図
を示している。第１１図と第１２図では，Ｄ3＝１［μ
ｍ］とし，また変形状態をわかりやすくするため，変形
の表示は拡大している。
本発明の一実施例の容量型圧力センサのFEM解析結果で
ある第１１図では，初期温度２０℃から１２０℃までの
温度上昇（１００℃）による熱膨張によって電極が下に
凸に変形する。しかし，ダイアフラムより線膨張係数が
小さい薄膜２がダイアフラム付け根上にあるため上記ダ
イアフラム付け根部分が下に凸に変形する。この結果，
電極３は全体的に上に移動し，電極３と上部電極表面と
の距離ｄ（ｘ，ｙ）において，ｄ（ｘ，ｙ）＞ｄ0とな
る領域とｄ（ｘ，ｙ）＜ｄ0となる領域が存在する。そ
の結果，温度変化によりダイアフラム１が変形しても，
電気容量Ｃの変化量を小さくすることが可能である。す
なわち，容量式圧力センサの温度影響を小さくすること
ができる。また，本発明の一実施例の容量型圧力センサ
のFEM解析結果である第１２図では，初期温度２０℃か
ら−８０℃までの温度降下（１００℃）による熱収縮に
よって電極が上に凸に変形する。しかし，ダイアフラム
より線膨張係数が小さい薄膜２がダイアフラム付け根上
にあるため上記ダイアフラム付け根部分が上に凸に変形
する。この結果，電極３は全体的に下に移動し，電極３
と上部電極表面との距離ｄ（ｘ，ｙ）において，ｄ
（ｘ，ｙ）＞ｄ0となる領域とｄ（ｘ，ｙ）＜ｄ0となる
領域が存在する。その結果，温度変化によりダイアフラ
ム１が変形しても，電気容量Ｃの変化量を小さくするこ
とが可能である。すなわち，容量式圧力センサの温度影
響を小さくすることができる。
ある第１１図では，初期温度２０℃から１２０℃までの
温度上昇（１００℃）による熱膨張によって電極が下に
凸に変形する。しかし，ダイアフラムより線膨張係数が
小さい薄膜２がダイアフラム付け根上にあるため上記ダ
イアフラム付け根部分が下に凸に変形する。この結果，
電極３は全体的に上に移動し，電極３と上部電極表面と
の距離ｄ（ｘ，ｙ）において，ｄ（ｘ，ｙ）＞ｄ0とな
る領域とｄ（ｘ，ｙ）＜ｄ0となる領域が存在する。そ
の結果，温度変化によりダイアフラム１が変形しても，
電気容量Ｃの変化量を小さくすることが可能である。す
なわち，容量式圧力センサの温度影響を小さくすること
ができる。また，本発明の一実施例の容量型圧力センサ
のFEM解析結果である第１２図では，初期温度２０℃か
ら−８０℃までの温度降下（１００℃）による熱収縮に
よって電極が上に凸に変形する。しかし，ダイアフラム
より線膨張係数が小さい薄膜２がダイアフラム付け根上
にあるため上記ダイアフラム付け根部分が上に凸に変形
する。この結果，電極３は全体的に下に移動し，電極３
と上部電極表面との距離ｄ（ｘ，ｙ）において，ｄ
（ｘ，ｙ）＞ｄ0となる領域とｄ（ｘ，ｙ）＜ｄ0となる
領域が存在する。その結果，温度変化によりダイアフラ
ム１が変形しても，電気容量Ｃの変化量を小さくするこ
とが可能である。すなわち，容量式圧力センサの温度影
響を小さくすることができる。
（実施例３）
本発明の他の実施例として，圧力を印可していない場合
の電気容量の温度による影響（以下，零点影響）が小さ
くなることを第１３図を用いて示す。第１３図は，実施
例２で示した第１０図の圧力センサの電気容量の薄膜３
の膜厚依存性を示し，ここでは，圧力は印可していな
い。第１３図で膜厚が０［μｍ］の点は，第７図で示し
たFEM解析モデルでの電気容量値である。また，第１４
図に各種の膜厚での電気容量の温度変化を示す。第１３
図において，薄膜３の膜厚を０［μｍ］から増すことに
よって，温度変化による電気容量の変化量が小さくなり
約１．２［μｍ］（最適膜厚）で零点影響がほぼ無くな
る。また，第１４図において，膜厚０［μｍ］では温度
変化による電気容量の変化量が大きいが１［μｍ］では
小さくなり，最適膜厚では，ほとんど電気容量が温度に
依存しないことがわかる。よって，本実施例から，容量
型圧力センサにおいて，ダイアフラムの付け根部分にダ
イアフラムと材料物性値の違う薄膜を形成することによ
り，温度影響の小さな圧力センサを得ることができるこ
とがわかる。
の電気容量の温度による影響（以下，零点影響）が小さ
くなることを第１３図を用いて示す。第１３図は，実施
例２で示した第１０図の圧力センサの電気容量の薄膜３
の膜厚依存性を示し，ここでは，圧力は印可していな
い。第１３図で膜厚が０［μｍ］の点は，第７図で示し
たFEM解析モデルでの電気容量値である。また，第１４
図に各種の膜厚での電気容量の温度変化を示す。第１３
図において，薄膜３の膜厚を０［μｍ］から増すことに
よって，温度変化による電気容量の変化量が小さくなり
約１．２［μｍ］（最適膜厚）で零点影響がほぼ無くな
る。また，第１４図において，膜厚０［μｍ］では温度
変化による電気容量の変化量が大きいが１［μｍ］では
小さくなり，最適膜厚では，ほとんど電気容量が温度に
依存しないことがわかる。よって，本実施例から，容量
型圧力センサにおいて，ダイアフラムの付け根部分にダ
イアフラムと材料物性値の違う薄膜を形成することによ
り，温度影響の小さな圧力センサを得ることができるこ
とがわかる。
（実施例４）
本発明の他の実施例を第１５図から第１７図を用いて説
明する。第１５図は，本発明の容量型圧力センサの要部
のFEMモデルであり実施例２で示した第１０図のFEMモデ
ルに圧力Ｐを印可するモデルの断面図を示し，寸法は第
１０図のモデルと同じである。第１６図は，第１５図と
表２で示したFEM解析モデルの計算結果であり，薄膜２
の膜厚Ｄ3は０［μｍ］すなわち薄膜２は形成されてい
ない場合の，温度−８０℃，２０℃，そして１２０℃で
の電気容量の圧力特性を示している。一方，第１７図
は，第１５図と表２で示したFEM解析モデルの計算結果
であり，薄膜の膜厚Ｄ3は１［μｍ］で，温度−８０
℃，２０℃，そして１２０℃での電気容量の圧力特性を
示している。図１６から温度の違いにより電気容量が大
きく違い，温度変化に圧力出力が大きく影響することが
わかる。一方，第１７図では電気容量の圧力特性を示す
線が，第１６図と違い，ほぼ同一線上にある。このこと
から，ダイアフラムの付け根部分に薄膜２を形成させる
ことによって，圧力の出力の影響を小さくすることが可
能であることがわかる。
明する。第１５図は，本発明の容量型圧力センサの要部
のFEMモデルであり実施例２で示した第１０図のFEMモデ
ルに圧力Ｐを印可するモデルの断面図を示し，寸法は第
１０図のモデルと同じである。第１６図は，第１５図と
表２で示したFEM解析モデルの計算結果であり，薄膜２
の膜厚Ｄ3は０［μｍ］すなわち薄膜２は形成されてい
ない場合の，温度−８０℃，２０℃，そして１２０℃で
の電気容量の圧力特性を示している。一方，第１７図
は，第１５図と表２で示したFEM解析モデルの計算結果
であり，薄膜の膜厚Ｄ3は１［μｍ］で，温度−８０
℃，２０℃，そして１２０℃での電気容量の圧力特性を
示している。図１６から温度の違いにより電気容量が大
きく違い，温度変化に圧力出力が大きく影響することが
わかる。一方，第１７図では電気容量の圧力特性を示す
線が，第１６図と違い，ほぼ同一線上にある。このこと
から，ダイアフラムの付け根部分に薄膜２を形成させる
ことによって，圧力の出力の影響を小さくすることが可
能であることがわかる。
本発明の容量型圧力センサによれば，ダイアフラムを容
量型圧力センサの本体に支持する支持部分上に，前記支
持部分の線膨張係数と異なる材料からなる薄膜が形成さ
れていることにより，温度変化が生じても，対向する電
極間の間隔の変化が小さく抑えられ，これにより温度変
化による電気容量の変化が防止され，圧力出力の温度影
響を小さくできる。
量型圧力センサの本体に支持する支持部分上に，前記支
持部分の線膨張係数と異なる材料からなる薄膜が形成さ
れていることにより，温度変化が生じても，対向する電
極間の間隔の変化が小さく抑えられ，これにより温度変
化による電気容量の変化が防止され，圧力出力の温度影
響を小さくできる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−239938（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−18019（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01L 9/00 - 9/12
Claims (4)
- 【請求項１】圧力を受けることにより変形するダイアフ
ラムを備えた第１の部材と、前記第１の部材の一主面側
に固定された第２の部材と、前記第１の部材の前記一主
面側とは反対側に固定された第３の部材と、前記ダイア
フラムの一主面の中央部に設けられた第１の電極と、前
記第２の部材の前記第１の電極と対向する面に設けられ
た第２の電極とを備えた容量型圧力センサにおいて、 前記ダイアフラムには前記第１の電極の外縁部よりも外
側に薄膜が形成されていることを特徴とする容量型圧力
センサ。 - 【請求項２】圧力を受けることにより変形するダイアフ
ラムを備えた第１の部材と、前記第１の部材の一主面側
に固定された第２の部材と、前記第１の部材の前記一主
面側とは反対側に固定された第３の部材と、前記ダイア
フラムの一主面の中央部に設けられた第１の電極と、前
記第２の部材の前記第１の電極と対向する面に設けられ
た第２の電極とを備えた容量型圧力センサにおいて、 前記ダイアフラムには前記第１の電極の外縁部よりも外
側に薄膜が形成されており、前記ダイアフラムを形成し
ている材料の線膨脹係数α1と、前記第１の電極を形成
している材料の線膨脹係数α2と、前記薄膜を形成して
いる材料の線膨脹係数α3との関係が α2＞α1 及び
α3＞α1で表されることを特徴とする容量型圧力セン
サ。 - 【請求項３】圧力を受けることにより変形するダイアフ
ラムを備えた第１の部材と、前記第１の部材の一主面側
に固定された第２の部材と、前記第１の部材の前記一主
面側とは反対側に固定された第３の部材と、前記ダイア
フラムの一主面の中央部に設けられた第１の電極と、前
記第２の部材の前記第１の電極と対向する面に設けられ
た第２の電極とを備えた容量型圧力センサにおいて、 前記ダイアフラムには前記第１の電極の外縁部よりも外
側に薄膜が形成されており、前記ダイアフラムを形成し
ている材料の線膨脹係数α1と、前記第１の電極を形成
している材料の線膨脹係数α2と、前記薄膜を形成して
いる材料の線膨脹係数α3との関係が α2＜α1 及び
α3＜α1で表されることを特徴とする容量型圧力セン
サ。 - 【請求項４】前記ダイアフラムを形成している材料がシ
リコンであり、 前記第１の電極および前記薄膜を形成している材料が表
面が酸化シリコンまたは窒化シリコンにより被膜された
ポリシリコンであることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載の容量型圧力センサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP1998/001093 WO1999047902A1 (fr) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | Sonde manometrique a effet capacitif |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3489563B2 true JP3489563B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=14207794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000537048A Expired - Fee Related JP3489563B2 (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 容量型圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3489563B2 (ja) |
| WO (1) | WO1999047902A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4678752B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力計の製造方法及びガス処理装置の製造方法 |
| GB0605576D0 (en) | 2006-03-20 | 2006-04-26 | Oligon Ltd | MEMS device |
| JP6961639B2 (ja) * | 2019-03-19 | 2021-11-05 | 株式会社東芝 | 圧力センサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2813721B2 (ja) * | 1990-02-16 | 1998-10-22 | 豊田工機株式会社 | 容量型圧力センサ |
-
1998
- 1998-03-16 WO PCT/JP1998/001093 patent/WO1999047902A1/ja active Application Filing
- 1998-03-16 JP JP2000537048A patent/JP3489563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1999047902A1 (fr) | 1999-09-23 |
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