DE3505924C2 - Kapazitiver Druckmesser - Google Patents
Kapazitiver DruckmesserInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen kapazitiven Druckmesser nach
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Kapazitive Druckmesser mit einer plattenförmigen Unterlage,
einer festen Kondensatorplatte, die auf der Unterlage aufgebracht
ist und einer Aneroiddose, die mit der Unterlage verbunden
ist und in einem Bereich mit einer beweglichen Kondensatorplatte
versehen ist, die der festen Kondensatorplatte
gegenüberliegt, sind aus folgenden Druckschriften bekannt:
- (1) U.S.-PS 4 386 543 (Giachino et al.),
- (2) U.S.-PS 4 257 274 (Shimada et al.),
- (3) U.S.-PS 4 332 000 (Petersen),
- (4) U.S.-PS 4 390 925 (Freund),
- (5) U.S.-PS 4 203 128 (Guckel et al.),
- (6) JP-Abstracts 56-98 630 (A),
- (7) DE-32 36 848 A1,
- (8) U.S.-PS 3 397 278 (Pomerantz) und
- (9) K. E. Bean, "Anisotropic Etching of Silicon", IEEE Transactions on Electron Devices, Heft ED-25 (1978), Nr. 10, Seiten 1185-93.
Aus den genannten Druckschriften (1) bis (7) sind miniaturisierte
kapazitive Druckmesser aus Silizium und Glas bekannt.
Derartige Konstruktionen basieren auf dem Ausformen von Silizium
mittels Mikrolithographie, dem Weiterverarbeiten durch
Ätzen und dem Verbinden der Glasteile mittels elektrostatischer
Methoden, wie dies aus der Druckschrift (8) bekannt
ist.
Aus der Druckschrift (5) ist es weiter bekannnt, auf der
plattenförmigen Unterlage eine Siliziumplatte aufzubringen,
in die ein membranartiger, als bewegliche Kondensatorplatte
funktionierender Mittelteil eingearbeitet ist. Auf der Siliziumplatte
ist eine plattenförmige Abdeckung hermetisch aufgebracht,
so daß ein Kesselraum zwischen Abdeckung und Mittelteil
gebildet wird.
Für Druckmesser sind niederalkalische Borosilikatgläser
(low-alkali borosilicate glass) am gebräuchlichsten, zum
Beispiel von Corning Glass, Typ 7740, bekannt unter dem Begriff
"Pyrex". Dieses Glas ist für diesen Zweck geeignet, da
Alkalimetallionen eine Voraussetzung für die Bildung einer
elektrostatischen Verbindung sind und ihr thermischer Expansionskoeffizient
in etwa dem entsprechenden Koeffizienten
von Silizium entspricht. Bei Raumtemperatur beträgt der
thermische Expansionskoeffizient von Glas 3,25 ppm/°C und
der von Silizium 2,5 ppm/°C. Bei hohen Temperaturen steigt
bei Silizium die thermische Expansion nicht-linear an und
übersteigt den entsprechenden Koeffizienten von Glas. Die
Differenz der thermischen Expansionskoeffizienten ist der
wichtigste Faktor, der das Temperaturverhalten eines
Druckmessers beeinflußt.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung der Grundlage
für die Temperaturabhängigkeit. Ein Siliziumstück 2, das
mit einem dünnen, druckempfindlichen Teil 3 bzw. mit einer
druckempfindlichen Membran 3 ausgebildet ist, auf eine
Glasplatte 1 aufgebracht. Der Druckunterschied verbiegt
die Membran 3 und ändert den Abstand zwischen der Membran
und einer stationären Kondensatorplatte 4, die auf der Glasplatte
1 aufgebracht ist, wodurch sich auch die Kapazität
dieser Anordnung ändert. Wird nun die Temperatur erhöht
und die Druckdifferenz unverändert gehalten, wirkt auf die
Membran 3 in horizontaler Ebene eine Zugbelastung, die von
der unterschiedlichen thermischen Expansion herrührt. Diese
Belastung versucht die durch den Druck verursachte
Durchbiegung zu verringern. Wenn die Druckempfindlichkeit
der Durchbiegung ohne Zugbelastung So ist, ist sie mit Zugbelastung
wobei a die Seitenlänge einer quadratischen Membran oder
der Durchmesser einer kreisförmigen Membran, h die Dicke
der Membran, ε die Längenausdehnung und der Koeffizient K
0,27 für eine quadratische Membran und 0,2 für eine kreisförmige
Membran ist.
Falls die Längenausdehnung eine Funktion der Temperatur
ist, gilt für den Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeit
Bei dieser Betrachtung wurden die Temperaturabhängigkeiten
der Elastizitätskoeffizienten außer acht gelassen, weil
diese für den Fall von Silizium klein sind.
Ausgehend von der US-PS 4 203 128 ist es
Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
einen Druckmesser nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu
schaffen, bei dem es möglich ist, die Auswirkung des thermischen
Expansionskoeffizienten zu eliminieren.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die
Merkmale des Anspruches 1.
Die Lösung der Erfindung stellt sich im wesentlichen wie folgt
dar.
- - Die Druckmesserkonstruktion weist zwei Teile aus Glas mit einer elastischen Siliziummembran dazwischen auf.
- - Die Siliziummembran ist nahe bei einem der Teile aus Glas und nahe bei einer aus einem Metallfilm auf der Oberfläche des Teiles aus Glas bestehenden Kondensatorplatte angeordnet.
- - Die Siliziummembrane ist jedoch an ihren Kanten nicht in direktem mechanischen Kontakt mit dem besagten Glasteil, sondern ist am Ende einer Röhrenstruktur aus Silizium mit der Form eines Konus, eines Zylinders etc. plaziert.
- - Das andere Ende der Röhre ist an eines der Glasteile angebracht.
- - Die Glasteile sind verbunden und ihr relativer Abstand zueinander wird durch ein Stützstück aus Silizium bestimmt.
- - Das Stützstück, die Röhre und die elastische Membrane sind alle aus Silizium hergestellt und aus einem Stück hergestellt, um eine ausreichende Präzision für die Abmessungen des Luftspaltes des druckempfindlichen Kondensators zu erreichen.
Es kann als der Hauptvorteil dieser Konstruktion angesehen
werden, daß es die Auswirkungen des von der unterschiedlichen
thermischen Expansion von Silizium und Glas erzeugten
Spannungszustandes auf die Eigenschaften der druckempfindlichen
Siliziummembran verhindert.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einer Ausführungsform
der Erfindung anhand der Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 2 eine schematische Seitenteilansicht eines
Druckmessers gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 einen Schnitt des Druckmessers von Fig. 2
durch die Ebenen A-A unnd B-B von unten betrachtet,
und
Fig. 4 die Übertragung der Verformung zwischen den
Enden der konischen Röhre anhand eines normierten
Kurvensystems.
Falls es nicht gewünscht wird, daß der Unterschied der
thermischen Expansion sich auf die Empfindlichkeit des
Druckmessers auswirkt, muß die Membrane des Druckmessers
isoliert werden, so daß in ihr keine Ausdehnungskräfte erzeugt
werden. Die Fig. 2 und 3 zeigen eine Druckmesserkonstruktion,
bei der die auf die Membran wirkenden horizontalen
Kräfte eliminiert worden sind.
Die Siliziumplatte wurde nach einem Verfahren bearbeitet,
wie dies aus der Druckschrift (9) bekannt ist, so daß auf
der einen Seite davon eine Mulde 6 ausgebildet ist. In die
andere Seite ist eine Aussparung 7 eingearbeitet. Die
druckempfindliche Membran 8 ist zwischen dem Boden der
Mulde 6 und der Aussparung 7 ausgebildet. Die Membrane 8
und die Aussparung 7 sind von einer geschlossenen V-Profilrille
10 umgeben. Die Wand zwischen der V-Profilrille 10
und der Mulde 6 bildet eine konische Röhre 11, von der
ein Ende mit der Siliziumplatte verbunden ist, während das
andere Ende durch die druckempfindliche Membrane 8 abgeschlossen
wird. Die Mulde 6 wird von einer Glasplatte 12
bedeckt, die auf die Siliziumplatte 5 in Vakuum hermetisch
aufgebracht wird, so daß die Mulde 6 eine Aneroiddose bildet.
Alternativ kann die Glasplatte 12 auch mit einem
Loch versehen werden, wodurch die Kammer 6 mit einem Referenzdruck
beaufschlagt werden kann. Eine Glasplatte 13
wird an der anderen Seite der Siliziumplatte 5 angebracht,
wobei diese Glasplatte 13 eine stationäre bzw. feste
Kondensatorplatte 14 aus einem dünnen Metallfilm trägt.
Bei steigender Temperatur wird auf den Oberflächen der
Siliziumplatte 5 in horizontaler Ebene eine Zugbelastung
erzeugt. Diese Belastung verursacht eine Deformation an
dem Ende der konischen Röhre 11, das der Glasplatte 12
anliegt. Falls die Röhre 11 passend dimensioniert ist,
wird die Deformation im wesentlichen nicht auf das Röhrenende
übertragen oder sie wird nun sehr geringfügig auf das
Röhrenende übertragen, bei der sich die druckempfindliche
Membran 8 befindet. Auf diese Weise wird die Auswirkung
der Temperatur auf die Zugbelastung der Membrane 8 eliminiert
oder verringert.
In Übereinstimmung mit dem, was zuvor erläutert wurde, zeigt
Fig. 4 die Übertragung der Deformation zwischen den Enden
der konischen Röhre anhand eines normierten Kurvensystems.
Die horizontale Achse stellt die Längsachse der Röhre 11
dar. Die Entfernung zwischen den Enden der Röhre 11 wurde
auf eine Einheitslänge normiert. Die vertikale Achse
stellt die Deformation der Röhre dar, wenn die Deformation
am Ausgangspunkt 1 ist; Kurve 15 illustriert eine ziemlich
kurze Röhre, Kurve 16 eine längere und Kurve 17 eine noch
längere Röhre. Im Falle einer kurzen Röhre wird die Deformation
senkrecht zur Achse verringert. Im Falle einer
passend langen Röhre wird sie auf Null verringert, aber am
Ende wird eine Torsion, eine von Null verschiedene Ableitunng
der Deformation erzeugt. Mit einer genügend langen
Röhre nähern sich sowohl die Deformation als auch deren
Ableitung Null an. In so einem Fall wird das andere Ende
der Röhre vollständig von Deformationen abgeschirmt, die
an dem einen Ende der Röhre auftreten.
Die Tiefe der Mulde 6 ist vorzugsweise wenigstens 30%
des Durchmessers des Bodens der Mulde 6.
Eine beispielhafte Dimensionierung der Ausführungsform der
Erfindung gemäß den Fig. 2 und 3 ist nachfolgend aufgelistet,
wobei in Klammern jeweils typische Dimensionierungsbereiche
angegeben sind:
Breite und Länge: 7 mm (5 bis 10 mm)
Dicke: 1 mm (0,5 bis 1,5 mm)
Dicke: 1 mm (0,5 bis 1,5 mm)
Siliziumplatte 5
Dicke der Platte: 0,7 mm (0,2 bis 1,5 mm)
Dicke der Membran: 5 bis 50 µm
Dicke des Röhrenmantels: 50 bis 200 µm
Dicke der Platte: 0,7 mm (0,2 bis 1,5 mm)
Dicke der Membran: 5 bis 50 µm
Dicke des Röhrenmantels: 50 bis 200 µm
Stationäre Kondensatorplatte 14
Dicke: 0,2 µm (0,1 bis 1,0 µm)
Dicke: 0,2 µm (0,1 bis 1,0 µm)
Kondensatorspalte 7
Breite: 4 µm (1 bis 10 µm)
Breite: 4 µm (1 bis 10 µm)
Claims (3)
1. Kapazitiver Druckmesser mit einer plattenförmigen Unterlage,
einer festen Kondensatorplatte, die auf der Unterlage
aufgebracht ist, und einer Aneroiddose, die in Verbindung
mit der Unterlage aufgebaut ist und mit einem
Bereich mit einer beweglichen Kondensatorplatte versehen
ist, die der festen Kondensatorplatte gegenüberliegt und
den Abstand zu der festen Kondensatorplatte durch Druck
verändert, wobei
auf der plattenförmigen Unterlage (13) eine Siliziumplatte (5) aufgebracht ist, in die ein membranartiger Mittelteil (8) eingearbeitet ist, der als bewegliche Kondensatorplatte funktioniert, und wobei
auf der Siliziumplatte (5) eine plattenförmige Abdeckung (12) hermetisch aufgebracht ist, so daß ein Kesselraum (6) der Aneroiddose zwischen der Abdeckung (12) und dem Mittelteil (8) gebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der membranartige Mittelteil (8) auf der Siliziumplatte (5) mit dem Kantenbereich der Siliziumplatte (5) über einen relativ dünnwandigen Kragen oder eine Röhrenstruktur (11) verbunden ist, die sich von der Kante des Mittelteils (8) zu der nahen inneren Oberfläche der Abdeckung (12) erstreckt, wobei der Mittelteil (8) und der Kragen oder die Röhrenstruktur (11) aus einem Stück mit dem Kantenbereich der Siliziumplatte (5) gemacht sind und der Kantenbereich der Siliziumplatte (5) und der Kragen oder die Röhrenstruktur (11) zwischen sich eine im wesentlichen V-förmige Rille (10) definieren, die den Kesselraum (6) umgibt.
auf der plattenförmigen Unterlage (13) eine Siliziumplatte (5) aufgebracht ist, in die ein membranartiger Mittelteil (8) eingearbeitet ist, der als bewegliche Kondensatorplatte funktioniert, und wobei
auf der Siliziumplatte (5) eine plattenförmige Abdeckung (12) hermetisch aufgebracht ist, so daß ein Kesselraum (6) der Aneroiddose zwischen der Abdeckung (12) und dem Mittelteil (8) gebildet ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der membranartige Mittelteil (8) auf der Siliziumplatte (5) mit dem Kantenbereich der Siliziumplatte (5) über einen relativ dünnwandigen Kragen oder eine Röhrenstruktur (11) verbunden ist, die sich von der Kante des Mittelteils (8) zu der nahen inneren Oberfläche der Abdeckung (12) erstreckt, wobei der Mittelteil (8) und der Kragen oder die Röhrenstruktur (11) aus einem Stück mit dem Kantenbereich der Siliziumplatte (5) gemacht sind und der Kantenbereich der Siliziumplatte (5) und der Kragen oder die Röhrenstruktur (11) zwischen sich eine im wesentlichen V-förmige Rille (10) definieren, die den Kesselraum (6) umgibt.
2. Druckmesser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die plattenförmige Unterlage (13) und die Abdeckung
(12) aus Glas hergestellt sind.
3. Druckmesser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Tiefe des Kesselraumes (6) wenigstens 30%
des Durchmessers des Bodens des Kesselraumes (6) beträgt.
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Publications (2)
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4572204A (en) * | 1984-03-21 | 1986-02-25 | Hewlett-Packard Company | Pressure dome with compliant chamber |
FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
US4812199A (en) * | 1987-12-21 | 1989-03-14 | Ford Motor Company | Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer |
FI78784C (fi) * | 1988-01-18 | 1989-09-11 | Vaisala Oy | Tryckgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
US4960177A (en) * | 1988-06-03 | 1990-10-02 | University Of Hawaii | Silicon membrane micro-scale |
US4905575A (en) * | 1988-10-20 | 1990-03-06 | Rosemount Inc. | Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction |
US4954925A (en) * | 1988-12-30 | 1990-09-04 | United Technologies Corporation | Capacitive sensor with minimized dielectric drift |
DE3932618A1 (de) * | 1989-09-29 | 1991-04-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur messung mechanischer kraefte und kraftwirkungen |
DE3937522A1 (de) * | 1989-11-10 | 1991-05-16 | Texas Instruments Deutschland | Mit einem traegerelement verbundener halbleiter-drucksensor |
FI93059C (fi) * | 1993-07-07 | 1995-02-10 | Vaisala Oy | Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
FI93579C (fi) * | 1993-08-20 | 1995-04-25 | Vaisala Oy | Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi |
US6662663B2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-12-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pressure sensor with two membranes forming a capacitor |
DE102013204197A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektrochemischer Sensor und Verfahren zum Betreiben eines mikroelektrochemischen Sensors |
WO2015106246A1 (en) * | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Nextinput, Inc. | Miniaturized and ruggedized wafer level mems force sensors |
CN107848788B (zh) | 2015-06-10 | 2023-11-24 | 触控解决方案股份有限公司 | 具有容差沟槽的加固的晶圆级mems力传感器 |
WO2018148510A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Nextinput, Inc. | Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor |
US11255737B2 (en) | 2017-02-09 | 2022-02-22 | Nextinput, Inc. | Integrated digital force sensors and related methods of manufacture |
WO2019018641A1 (en) | 2017-07-19 | 2019-01-24 | Nextinput, Inc. | STACK OF STRAIN TRANSFER IN A MEMS FORCE SENSOR |
WO2019023309A1 (en) | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | FORCE SENSOR AND INTEGRATED FINGERPRINTS |
WO2019023552A1 (en) | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | PIEZORESISTIVE AND PIEZOELECTRIC FORCE SENSOR ON WAFER AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
WO2019079420A1 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Nextinput, Inc. | SHIFT TEMPERATURE COEFFICIENT COMPENSATION FOR FORCE SENSOR AND STRAIN GAUGE |
WO2019090057A1 (en) | 2017-11-02 | 2019-05-09 | Nextinput, Inc. | Sealed force sensor with etch stop layer |
US11874185B2 (en) | 2017-11-16 | 2024-01-16 | Nextinput, Inc. | Force attenuator for force sensor |
US10962427B2 (en) | 2019-01-10 | 2021-03-30 | Nextinput, Inc. | Slotted MEMS force sensor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
US3808480A (en) * | 1973-04-16 | 1974-04-30 | Bunker Ramo | Capacitive pressure transducer |
US3965746A (en) * | 1974-11-04 | 1976-06-29 | Teledyne Industries, Inc. | Pressure transducer |
US4040118A (en) * | 1975-06-18 | 1977-08-02 | Bunker Ramo Corporation | Pressure sensitive transducer |
US4203128A (en) * | 1976-11-08 | 1980-05-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electrostatically deformable thin silicon membranes |
JPS5516228A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
US4390925A (en) * | 1981-08-26 | 1983-06-28 | Leeds & Northrup Company | Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer |
US4415948A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-15 | United Technologies Corporation | Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer |
US4445383A (en) * | 1982-06-18 | 1984-05-01 | General Signal Corporation | Multiple range capacitive pressure transducer |
US4467394A (en) * | 1983-08-29 | 1984-08-21 | United Technologies Corporation | Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer |
-
1984
- 1984-02-21 FI FI840700A patent/FI69211C/fi not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-02-15 BR BR8500738A patent/BR8500738A/pt unknown
- 1985-02-15 US US06/701,870 patent/US4594639A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-15 FR FR8502193A patent/FR2559899B1/fr not_active Expired
- 1985-02-18 GB GB08504078A patent/GB2154747B/en not_active Expired
- 1985-02-19 NL NL8500465A patent/NL8500465A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-02-20 IT IT12436/85A patent/IT1186831B/it active
- 1985-02-21 JP JP60033644A patent/JPS60195830A/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-21 DE DE3505924A patent/DE3505924C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4594639A (en) | 1986-06-10 |
FR2559899B1 (fr) | 1987-02-13 |
IT1186831B (it) | 1987-12-16 |
GB2154747A (en) | 1985-09-11 |
IT8512436A0 (it) | 1985-02-20 |
NL8500465A (nl) | 1985-09-16 |
GB8504078D0 (en) | 1985-03-20 |
BR8500738A (pt) | 1985-10-08 |
DE3505924A1 (de) | 1985-08-22 |
FI840700A0 (fi) | 1984-02-21 |
FI69211B (fi) | 1985-08-30 |
GB2154747B (en) | 1987-05-07 |
FR2559899A1 (fr) | 1985-08-23 |
FI69211C (fi) | 1985-12-10 |
JPS60195830A (ja) | 1985-10-04 |
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