JPS61221631A - 容量式絶対圧力変換器 - Google Patents
容量式絶対圧力変換器Info
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- JPS61221631A JPS61221631A JP60224995A JP22499585A JPS61221631A JP S61221631 A JPS61221631 A JP S61221631A JP 60224995 A JP60224995 A JP 60224995A JP 22499585 A JP22499585 A JP 22499585A JP S61221631 A JPS61221631 A JP S61221631A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は容量式絶対圧力変換器に関する。
［発明の技術的背景と問題点］
以下の刊行物は先行技術に関する引例である。
（１）サンダー（Ｃ，Ｓ、 ５ａｎｄｅｒ ） 、クヌ
ッチ（Ｊ、Ｗ、 ）（ｎｕｔｔｉ ） 、メインドル（
Ｊ、 Ｄ、 Ｍｅｉｎｄｌ ） ｔ、−ヨル、電子装置
ニツイテのＩＥＥＥの会報 （Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎ ０ｎｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉ
ｃｅｓ） Ｅ Ｄ−２７巻（１９８０） ｋ５ ｐｐ。
ッチ（Ｊ、Ｗ、 ）（ｎｕｔｔｉ ） 、メインドル（
Ｊ、 Ｄ、 Ｍｅｉｎｄｌ ） ｔ、−ヨル、電子装置
ニツイテのＩＥＥＥの会報 （Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎ ０ｎｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉ
ｃｅｓ） Ｅ Ｄ−２７巻（１９８０） ｋ５ ｐｐ。
〈２）米国特許 ４，２６１，０８６
（３）米国特許 ４，３８６，４５３
（４）米国特許 ４，３８４，８９９
（５）米国特許 ４，４０５，９７０
（６）米国特許 ３，３９７，２７８
（７）ビーン（Ｋ、 Ｅ、 Ｂｅａｎ ）による、電子
装置についてのＩＥＥＥの会報 （ＩＥＥＥｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ） Ｅ Ｄ−２５巻（１９７８）Ｎα１０ ｐｐ
、１１８５−１１９３引例１は、引例６に述べられた方
法を用いて接合された、シリコンの弾性素子とガラス板
からなる容１式絶対圧力変換器について述べている。弾
性素子とガラス板の間の空間は、変換器の真空室として
働く。弾性素子と、ガラス板上の金属１ｉＩＩＩｌとに
より、圧力応答コンデンサが形成され、ガラス板上の金
属薄膜との伝導路は、シリコン中に拡散した不純物によ
って形成される。この変換器の最大の欠点は、大きくて
、変換器の圧力応答コンデンサと並列に接続されること
になる空乏層容量が、強く温度に依存することである。
装置についてのＩＥＥＥの会報 （ＩＥＥＥｔｒａｎｓ
ａｃｔｉｏｎ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｖｉｃｅ
ｓ ） Ｅ Ｄ−２５巻（１９７８）Ｎα１０ ｐｐ
、１１８５−１１９３引例１は、引例６に述べられた方
法を用いて接合された、シリコンの弾性素子とガラス板
からなる容１式絶対圧力変換器について述べている。弾
性素子とガラス板の間の空間は、変換器の真空室として
働く。弾性素子と、ガラス板上の金属１ｉＩＩＩｌとに
より、圧力応答コンデンサが形成され、ガラス板上の金
属薄膜との伝導路は、シリコン中に拡散した不純物によ
って形成される。この変換器の最大の欠点は、大きくて
、変換器の圧力応答コンデンサと並列に接続されること
になる空乏層容量が、強く温度に依存することである。
これにより、変換器の比較的能動な領域が減少し、温度
依存性が増加する。引例２．３．４は原理的には同じな
他の圧力変換器について述べているが、伝導体の接続法
は異なっている。その装置には、ガラス板上にドリルで
穴が開けられ、その内部は金属化され、溶融金属で満す
ことで、密閉接合されている。
依存性が増加する。引例２．３．４は原理的には同じな
他の圧力変換器について述べているが、伝導体の接続法
は異なっている。その装置には、ガラス板上にドリルで
穴が開けられ、その内部は金属化され、溶融金属で満す
ことで、密閉接合されている。
その穴部によっては寄生容量は生じない。しかしながら
、大量生産時に、穴部を接合することは厄介である。
、大量生産時に、穴部を接合することは厄介である。
引例５は、シリコン基板と弾性素子が、ガラス薄膜で接
合され、スパッタまたは真空蒸着により作られた変換器
について述べている。ガラス膜の厚さにより、コンデン
サの電極間距離は制御されている。この構造の長所は、
製造材料がほとんど全てシリコンであるということであ
る。これにより、良い温度安定特性が得られる。しかし
ながら、ガラス接合により生ずる寄生容量により、変換
器の能力は低下する。この方法では、ガラス膜の厚さは
最大１０μｍに制限され、その容量は２μｍの電極間距
離を持つ空気コンデンに相当するにすぎない。変換器が
それほど大きくなければ、結果的に、変換器の容量は密
封された領域により決まる。
合され、スパッタまたは真空蒸着により作られた変換器
について述べている。ガラス膜の厚さにより、コンデン
サの電極間距離は制御されている。この構造の長所は、
製造材料がほとんど全てシリコンであるということであ
る。これにより、良い温度安定特性が得られる。しかし
ながら、ガラス接合により生ずる寄生容量により、変換
器の能力は低下する。この方法では、ガラス膜の厚さは
最大１０μｍに制限され、その容量は２μｍの電極間距
離を持つ空気コンデンに相当するにすぎない。変換器が
それほど大きくなければ、結果的に、変換器の容量は密
封された領域により決まる。
引例５は、高いガラス壁により、上に述べた二つのシリ
コン部分が分割されている構造の変換器についても述べ
ている。この装置では、寄生容量の問題は回避されてい
る。他方、コンデンサの間隙の許容誤差は少なくなって
いる。
コン部分が分割されている構造の変換器についても述べ
ている。この装置では、寄生容量の問題は回避されてい
る。他方、コンデンサの間隙の許容誤差は少なくなって
いる。
シリコンとガラス膜の接合法については、引例６に述べ
られている。弾性素子を製造する先行技術は引例７に述
べられている。
られている。弾性素子を製造する先行技術は引例７に述
べられている。
［発明の目的］
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的
は新しいタイプの容量式絶対圧力変換器を提供すること
にある。本発明では、変換器の製造材料としてシリコン
と珪酸ボロンガラスを使用する。その変換器の構造は、
圧力応答コンデンサの電極が真空室内に形成され、圧力
媒体との直接の接触が防がれるようになっている。その
構造により、変換器の外部で、真空室内の容量を測定で
きる。
は新しいタイプの容量式絶対圧力変換器を提供すること
にある。本発明では、変換器の製造材料としてシリコン
と珪酸ボロンガラスを使用する。その変換器の構造は、
圧力応答コンデンサの電極が真空室内に形成され、圧力
媒体との直接の接触が防がれるようになっている。その
構造により、変換器の外部で、真空室内の容量を測定で
きる。
［発明の概要］
本発明による変換器は以下のようである。
容量式圧力変換器では、圧力応答コンデンサはシリコン
製の弾性素子と絶縁物上の金属膜によって形成される。
製の弾性素子と絶縁物上の金属膜によって形成される。
弾性素子または絶縁物が削られた凹部は、圧力応答コン
デンサの電極間の空間となる。
デンサの電極間の空間となる。
絶縁物と弾性素子を接合することにより、ある望ましい
圧力の、または真空の室が形成され、その室の内部に、
圧力応答コンデンサがある。
圧力の、または真空の室が形成され、その室の内部に、
圧力応答コンデンサがある。
基板は、薄いガラス膜と厚いシリコンを重ねることで形
成される。
成される。
［発明の実施例コ
本発明について、図面を参照して、実施例を以下に詳細
に説明する。
に説明する。
弾性素子１は、＜１００＞面が切出されたシリコン単結
晶のウェハから、化学的方法（引例７）によって製造さ
れる。シリコンウェハ１の両面はエツチングされ、周囲
肉厚部１８に囲まれた凹部３と４が形成される。凹部３
の深さは１−１０μｍで、圧力応答コンデンサのための
間隙と、真空室を形成する。シリコンウェハの他の面に
、エツチングによって形成された凹部４は、かなり深く
、２００−４００μｍである。非常に高い圧力を測定す
るような特別の場合には、凹部４をもつと浅くするか、
省略する。形成過程で、凹部３と４の間には１０−４０
０μｍの厚さのシリコンダイアフラム５が残る。変換器
の圧力検出範囲は、その厚さにより決まる。両面間の圧
力が釣合うと、シリコンダイアフラム５は動かない。弾
性素子の大きざは、標準的には２Ｘ ２−１０Ｘ １０
１１１１ である。
晶のウェハから、化学的方法（引例７）によって製造さ
れる。シリコンウェハ１の両面はエツチングされ、周囲
肉厚部１８に囲まれた凹部３と４が形成される。凹部３
の深さは１−１０μｍで、圧力応答コンデンサのための
間隙と、真空室を形成する。シリコンウェハの他の面に
、エツチングによって形成された凹部４は、かなり深く
、２００−４００μｍである。非常に高い圧力を測定す
るような特別の場合には、凹部４をもつと浅くするか、
省略する。形成過程で、凹部３と４の間には１０−４０
０μｍの厚さのシリコンダイアフラム５が残る。変換器
の圧力検出範囲は、その厚さにより決まる。両面間の圧
力が釣合うと、シリコンダイアフラム５は動かない。弾
性素子の大きざは、標準的には２Ｘ ２−１０Ｘ １０
１１１１ である。
弾性素子１の凹部３のある側は、引例６に述べられてい
る方法で、基板２に接合されている。基板２と凹部３に
よって形成された密閉室７は、シール領Ｈａで密閉接合
される。もし、その部分が基板２は、シリコンウェハ８
と絶縁物（ガラスＩり ９を層状に重ねて形成される
。シリコンウェハの厚さは３００−１０００μｍが、絶
縁物の厚さは１００−５００μｍが望ましい。ウェハ８
と絶縁物９は、引例６で述べられている静電法で接合さ
れる。
る方法で、基板２に接合されている。基板２と凹部３に
よって形成された密閉室７は、シール領Ｈａで密閉接合
される。もし、その部分が基板２は、シリコンウェハ８
と絶縁物（ガラスＩり ９を層状に重ねて形成される
。シリコンウェハの厚さは３００−１０００μｍが、絶
縁物の厚さは１００−５００μｍが望ましい。ウェハ８
と絶縁物９は、引例６で述べられている静電法で接合さ
れる。
絶縁物９の材料としては、シリコンに近い膨張係数と、
よい誘電特性（誘電率の低損失と低い温度係数）を持つ
アルカリ珪酸ボロンガラス（コーニングガラス（Ｃｏｒ
ｎｉｎｇ Ｑｌａｓｓ） ７０７０、およびスコツト
（Ｓ ｃｈｏｔｔ ） ８２８４の名前で市販されてい
る）が、よい。
よい誘電特性（誘電率の低損失と低い温度係数）を持つ
アルカリ珪酸ボロンガラス（コーニングガラス（Ｃｏｒ
ｎｉｎｇ Ｑｌａｓｓ） ７０７０、およびスコツト
（Ｓ ｃｈｏｔｔ ） ８２８４の名前で市販されてい
る）が、よい。
金属薄膜でできた固定電極１０が、絶縁物９上に形成さ
れる。その領域は、シール領域６で囲まれた領域内にあ
る。その形は、正方形、円形、多角形などのうち、いず
れでも良い。固定電極１０の直径は、標準的には１−５
−一であり、その固定電極１０は、圧力応答コンデンサ
の他方の電極となる。
れる。その領域は、シール領域６で囲まれた領域内にあ
る。その形は、正方形、円形、多角形などのうち、いず
れでも良い。固定電極１０の直径は、標準的には１−５
−一であり、その固定電極１０は、圧力応答コンデンサ
の他方の電極となる。
基板２上に作られ、絶縁物９を通り、シリコンウェハ８
にまで達する穴部１１は、シール領域６によって囲まれ
た領域内にある。その穴部１１の全表面は、金属薄膜の
一部によって覆われていて、その穴部１１の底１２でシ
リコンウェハ８と接触し、固定電極１０は伝導路を形成
している。その穴部１１はドリル、グラインダ、鋸、砂
ジェット研磨機、レーザマシン、化学マシン、あるいは
先行技術で知られた同様な方法を用いて作られる。穴部
の形は丸い点、長方形、リングなどで、全ての側が固定
電極１０で囲まれている。穴部の直径（幅）は１００−
１０００μｍである。
にまで達する穴部１１は、シール領域６によって囲まれ
た領域内にある。その穴部１１の全表面は、金属薄膜の
一部によって覆われていて、その穴部１１の底１２でシ
リコンウェハ８と接触し、固定電極１０は伝導路を形成
している。その穴部１１はドリル、グラインダ、鋸、砂
ジェット研磨機、レーザマシン、化学マシン、あるいは
先行技術で知られた同様な方法を用いて作られる。穴部
の形は丸い点、長方形、リングなどで、全ての側が固定
電極１０で囲まれている。穴部の直径（幅）は１００−
１０００μｍである。
金属ＩＮ！でできた伝導領域１３のほとんどの部分は、
シール領域６の外側にあり、一部はシール領域６の範囲
にあるが、真空室７までは達していない。シール領域６
の範囲にある部分において、弾性素子と電気的に接触し
ている。変換器と測定回路との接続は、伝導領域１３に
おいてなされる。接続体の大きさは、接続方法により１
．ＩＸ、１１ｍから２ Ｘ ２１１１の間で変化する。
シール領域６の外側にあり、一部はシール領域６の範囲
にあるが、真空室７までは達していない。シール領域６
の範囲にある部分において、弾性素子と電気的に接触し
ている。変換器と測定回路との接続は、伝導領域１３に
おいてなされる。接続体の大きさは、接続方法により１
．ＩＸ、１１ｍから２ Ｘ ２１１１の間で変化する。
基板２上には、金属ｉ１躾でできた伝導領域１４も形成
されていて、伝導領域１３と弾性素子１を囲んでいる。
されていて、伝導領域１３と弾性素子１を囲んでいる。
領域１４には、測定回路との接続のために、幅広くなっ
た部分１４ａがある。伝導領域１４の目的は、ガラス躾
９の表面を横切って、端部に向かって、変換器の活性化
した端子間を流れるリーク電流を防ぐことである。領域
１４は接地され、リーク電流は、変換器の活性化した端
子から接地端子に向かって流れる。
た部分１４ａがある。伝導領域１４の目的は、ガラス躾
９の表面を横切って、端部に向かって、変換器の活性化
した端子間を流れるリーク電流を防ぐことである。領域
１４は接地され、リーク電流は、変換器の活性化した端
子から接地端子に向かって流れる。
更に、伝導領域１５が基板の表面上に形成されている。
領域１５には、穴部１１と同様な穴部１６があり、ガラ
ス１１９を通ってシリコンウェハ８にまで達している。
ス１１９を通ってシリコンウェハ８にまで達している。
金属薄ｌｌ１１５は穴部１６の表面にもあり、シリコン
ウェハと点１１で電気的に接触している。このようにし
て、金属薄［９１０と１５の間には、シリコンウェハ８
を経由して伝導路が出来ている。穴部１６の作り方、形
状、大きさは穴部１１と同様である。
ウェハと点１１で電気的に接触している。このようにし
て、金属薄［９１０と１５の間には、シリコンウェハ８
を経由して伝導路が出来ている。穴部１６の作り方、形
状、大きさは穴部１１と同様である。
領域１５は、少なくとも部分的には穴部１６を覆い、さ
らに伝導体との接続部を形成している。
らに伝導体との接続部を形成している。
本発明では、第１図Ａと８に示した実施例とは異なる他
の実施例も可能である。第２図、第３図、第４図Ａと８
、第５図には、本発明による変換器の弾性素子（すなわ
ち圧力によって変化する部分ては都合が良いが、それら
は引例１乃至４に既に述べられている。
の実施例も可能である。第２図、第３図、第４図Ａと８
、第５図には、本発明による変換器の弾性素子（すなわ
ち圧力によって変化する部分ては都合が良いが、それら
は引例１乃至４に既に述べられている。
第４図Ａと８、第５図に示す構造はさらに複雑で、その
大きさは第２図と第３図に示すものより大きくなってい
る。しかし、これらの実施例にはいくつかの長所がある
。すなわち、第２図と第３図とに示す構造と比べて、同
じ大きさと製造誤差で、２倍以上の圧力検出能力を持ち
、非線形誤差は１０倍以上改善される。
大きさは第２図と第３図に示すものより大きくなってい
る。しかし、これらの実施例にはいくつかの長所がある
。すなわち、第２図と第３図とに示す構造と比べて、同
じ大きさと製造誤差で、２倍以上の圧力検出能力を持ち
、非線形誤差は１０倍以上改善される。
第４図Ａと８に示す弾性素子は、引例７に述べられた化
学プロセス法、または同様な方法で作られる。基本的な
材料は厚さが、２−１ａ＋ｍのシリコンウェハである。
学プロセス法、または同様な方法で作られる。基本的な
材料は厚さが、２−１ａ＋ｍのシリコンウェハである。
領域１９は、フォトエツチング法を用いて、必要な深さ
だけエツチングされる。その深さにより、コンデンサの
電極間距離が決まる。
だけエツチングされる。その深さにより、コンデンサの
電極間距離が決まる。
シリコンウェハ１８の他方の側は、フォトエツチング法
を用いて再びエツチングされ、必要な深さの環状領域２
９が形成される。領域１９と２０の間には、最大で、元
の材料の１７７５の厚さのシリコンダイアフラム２１が
残る。シリコンダイアフラム２１も環状である。その中
心には、シリコンウェハ１８と同じ厚さで、シリコンダ
イアフラム２１と比べて、少なくとも１００倍の堅さを
もつ領域２２が残る。領域２２の幅はだいたい、２−５
ｍｍである。リング２０（シリコンダイアフラム２１）
の幅はだいたい、２−２ｕ＋である。シリコンウェハ１
の表面間に、圧力差が加えられたとき、シリコンダイア
フラムは動く。
を用いて再びエツチングされ、必要な深さの環状領域２
９が形成される。領域１９と２０の間には、最大で、元
の材料の１７７５の厚さのシリコンダイアフラム２１が
残る。シリコンダイアフラム２１も環状である。その中
心には、シリコンウェハ１８と同じ厚さで、シリコンダ
イアフラム２１と比べて、少なくとも１００倍の堅さを
もつ領域２２が残る。領域２２の幅はだいたい、２−５
ｍｍである。リング２０（シリコンダイアフラム２１）
の幅はだいたい、２−２ｕ＋である。シリコンウェハ１
の表面間に、圧力差が加えられたとき、シリコンダイア
フラムは動く。
シリコンの固体の部分２２は°曲がらないが、シリコン
ダイアフラムの動きにつれて、下方に動く。
ダイアフラムの動きにつれて、下方に動く。
第５図に示す弾性素子は、その構造において第４図に示
すものと同様である。唯一の遠いは、シリコンウェハ１
で、リング２０と同じ表面に、コンデンサの間隙となる
領域１９が構成されていることである。シリコンダイア
フラム２１の他の表面は、シリコンウェハ１のまである
。弾性素子の基板２３への接合は、第４図Ａと８に示す
構造と比べて、反対側から行われる。ガラス板９上に、
エツチングにより凹部２４が形成されたとき、それがコ
ンデンサの間隙となるように、第２図、第３図、第４図
Ａと８、第５図に示す弾性素子は、第６図にしたがって
、基板２に接合される。
すものと同様である。唯一の遠いは、シリコンウェハ１
で、リング２０と同じ表面に、コンデンサの間隙となる
領域１９が構成されていることである。シリコンダイア
フラム２１の他の表面は、シリコンウェハ１のまである
。弾性素子の基板２３への接合は、第４図Ａと８に示す
構造と比べて、反対側から行われる。ガラス板９上に、
エツチングにより凹部２４が形成されたとき、それがコ
ンデンサの間隙となるように、第２図、第３図、第４図
Ａと８、第５図に示す弾性素子は、第６図にしたがって
、基板２に接合される。
［発明の効果］
本発明には、かなりの長所がある。真空室内で固定電極
に接続することにより、以下の様な長所がある。 余分
なＰＮ接合がなく、寄生容量が発生しない。 穴を埋め
る必要がない。 接続領域により生じる並列接続の容量
がない。 基板はほとんど弾性素子と同じ材料なので、
膨張係数に関する問題がない。
に接続することにより、以下の様な長所がある。 余分
なＰＮ接合がなく、寄生容量が発生しない。 穴を埋め
る必要がない。 接続領域により生じる並列接続の容量
がない。 基板はほとんど弾性素子と同じ材料なので、
膨張係数に関する問題がない。
弾性素子は以下のような特性を持つ。
高感度。よいＩｌｏの線形性。素子の中心部は、可働部
分と比べて、十分厚く堅いので、曲げ応力の温度依存が
ない。
分と比べて、十分厚く堅いので、曲げ応力の温度依存が
ない。
したがって、金属膜によって作られた領域は、以下の特
長がある。 測定結果に悪影響を与える、ガラス板上の
表面リーク電流を防げる。（リーク電流は相対湿度が５
０％ＲＨを越えるとき、特に問題となる。）。同じ表面
上に変換器の全ての伝導体を置くことがでる。
長がある。 測定結果に悪影響を与える、ガラス板上の
表面リーク電流を防げる。（リーク電流は相対湿度が５
０％ＲＨを越えるとき、特に問題となる。）。同じ表面
上に変換器の全ての伝導体を置くことがでる。
４、図面の説明
第１図Ａと８は、それぞれ、本発明による変換器の一実
施例の横断面図と１断面図である。第２図は、本発明に
よる変換器の第２の実施例の横断面図である。第３図は
、本発明による変換器の第３の実施例の横断面図である
。第４図Ａ、！：Ｂは、それぞれ、本発明による変換器
の第４の実施例の上から見た図と横断面図である。第５
図は、本発明による変換器の第５の実施例の横断面図で
ある。
施例の横断面図と１断面図である。第２図は、本発明に
よる変換器の第２の実施例の横断面図である。第３図は
、本発明による変換器の第３の実施例の横断面図である
。第４図Ａ、！：Ｂは、それぞれ、本発明による変換器
の第４の実施例の上から見た図と横断面図である。第５
図は、本発明による変換器の第５の実施例の横断面図で
ある。
第６図は、本発明による変換器の第６の実施例の横断面
図である。
図である。
１−弾性素子（シリコンウェハ）、２一基板、３．４−
凹部、５−ダイアフラム、６−密閉接合部、７−真空室
、８−ウェハ、９−絶縁物、１〇−固定電極、１４−リ
ーク電流防止パターン 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 図面の浄店（内容に変更なし？ 第 １ 図 Ａ ゛ 第１図Ｂ 第 ２図 第３図 第４ 図 Ａ 第４図Ｂ 第５図 第６Ｐ５ 手続補正書（昼） ２、発明の名称 容、量式絶対圧力変換器 ３ 補正をする者 ＋に件との関係 特許出願人 名称 パイサラ・オーワイ ４、代 理 人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号第１７森ビル
、Ｊ二 ５、補正命令の日付 １゛′”
ｔｉＬ％、“′昭和６１年３月２５日 ′−へ・、〜ビ＼ゝ
凹部、５−ダイアフラム、６−密閉接合部、７−真空室
、８−ウェハ、９−絶縁物、１〇−固定電極、１４−リ
ーク電流防止パターン 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 図面の浄店（内容に変更なし？ 第 １ 図 Ａ ゛ 第１図Ｂ 第 ２図 第３図 第４ 図 Ａ 第４図Ｂ 第５図 第６Ｐ５ 手続補正書（昼） ２、発明の名称 容、量式絶対圧力変換器 ３ 補正をする者 ＋に件との関係 特許出願人 名称 パイサラ・オーワイ ４、代 理 人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号第１７森ビル
、Ｊ二 ５、補正命令の日付 １゛′”
ｔｉＬ％、“′昭和６１年３月２５日 ′−へ・、〜ビ＼ゝ
Claims (12)
- （１）絶縁物と、前記絶縁物上に設けられた固定電極と
、前記固定電極の垂線方向から見て、少なくとも一部が
前記固定電極と重なるように、および、前記固定電極と
の間に密閉室が形成されるように、前記固定電極から離
れて形成された、電極を持つた可働ダイアフラムと、前
記固定電極および前記可働ダイアフラムの電極に取付け
られた各電気的接点とからなり、前記絶縁物は、層状の
基板を得るために、伝導材料ウェハと接合されることと
、コンデンサを形成する前記ダイアフラム電極は、周辺
において肉厚部に繋がっていることと、真空室内の固定
電極への伝導路は、前記絶縁物を貫通し、前記伝導ウェ
ハにまで達する穴部によつて形成されることとを特徴と
する容量式絶対圧力変換器。 - （２）前記伝導ウェハはシリコン製で、前記絶縁物より
厚いことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の容
量式絶対圧力変換器。 - （３）前記ウェハの前記絶縁物に面した表面は、多量に
不純物が注入され、伝導度が良くなっていることを特徴
とする特許請求の範囲第２項に記載の容量式絶対圧力変
換器。 - （４）前記肉厚部は、前記可働ダイアフラム電極から、
前記絶縁物の方向に広がっていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の容量式絶対圧力変換器。 - （５）前記肉厚部は、前記ダイアフラムの外部表面と前
記肉厚部の内部表面が凹形となるように、前記可働ダイ
アフラムから外方向に広がっていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の容量式絶対圧力変換器。 - （６）前記肉厚部は、前記可働ダイアフラムから外方向
と内方向に広がつていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の容量式絶対圧力変換器。 - （７）前記肉厚部が、前記可働ダイアフラム電極の中心
部にあり、前記肉厚部を囲むように凹部が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、および第４
項乃至第６項のうちいずれか一項に記載の容量式絶対圧
力変換器。 - （８）前記絶縁物は、真空室ができるように、前記ダイ
アフラム電極に面した表面に、凹部があることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の容量式絶対圧力変換
器。 - （９）前記穴部は、前記絶縁物を貫通し、前記ウェハに
まで達し、その表面上において金属化されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の容量式絶対圧力変
換器。 - （１０）前記穴部の金属化された部分は、前記固定電極
に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第９
項に記載の容量式絶対圧力変換器。 - （１１）前記穴部とは別の他の穴部を、外部伝導領域に
設けることにより、前記真空室内の前記固定電極を、前
記ウェハを介して、前記外部伝導領域に接続することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の容量式絶対圧力
変換器。 - （１２）前記絶縁物の表面には、前記肉厚部から離れて
いて、前記肉厚部を囲む、接地用金属膜パターンがある
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の容量式
絶対圧力変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI843989A FI75426C (fi) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | Absoluttryckgivare. |
| FI843989 | 1984-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS61221631A true JPS61221631A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0533732B2 JPH0533732B2 (ja) | 1993-05-20 |
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ID=8519723
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224995A Granted JPS61221631A (ja) | 1984-10-11 | 1985-10-11 | 容量式絶対圧力変換器 |
Country Status (12)
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|---|---|
| US (1) | US4609966A (ja) |
| JP (1) | JPS61221631A (ja) |
| BR (1) | BR8505067A (ja) |
| DE (1) | DE3535904C2 (ja) |
| FI (1) | FI75426C (ja) |
| FR (1) | FR2571855B1 (ja) |
| GB (1) | GB2165652B (ja) |
| IT (1) | IT1186937B (ja) |
| NL (1) | NL8502795A (ja) |
| NO (1) | NO854029L (ja) |
| SE (1) | SE8504703L (ja) |
| ZA (1) | ZA857740B (ja) |
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