JP2021105519A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極とメンブレンとの間の静電容量の変化について高い線形性を得る。【解決手段】圧力センサは、ベース部材12と、ベース部材12に設けられた固定電極14と、固定電極14に対して間隔をあけて対向して設けられ、可撓性及び導電性を有するメンブレン16と、固定電極14に設けられ、メンブレン16と対向する誘電体20と、メンブレン16と接触して誘電体20の一部分とメンブレン16との接触を制限する接触制限部材18bとを有する。【選択図】図2
Description
本発明は、気圧などの圧力を測定するための圧力センサに関する。
従来より、例えば特許文献1に記載するように、静電容量型圧力センサとして、タッチモード圧力センサが知られている。このようなタッチモード圧力センサは、固定電極と、固定電極に対して間隔をあけて配置され、圧力を受けてたわむダイアフラム(メンブレン)と、固定電極に設けられてメンブレンに対向する誘電体膜(誘電体)とを備えている。まず、メンブレンに圧力が作用してメンブレンがたわむと、固定電極とメンブレンとの間の距離が減少し、固定電極とメンブレンとの間の静電容量が増加する。メンブレンが誘電体に接触した後、すなわちタッチモード中は、メンブレンに対する誘電体の接触面積が増加することにより固定電極とメンブレンとの間の静電容量が増加する。このような圧力−容量特性を用いて、タッチモード圧力センサは、静電容量値から圧力を算出し、その算出結果を圧力測定値として出力する。
しかしながら、特許文献1に記載された圧力センサの場合、メンブレンが誘電体に接触した後では、圧力の変化に対する静電容量の変化の線形性は低い。そのため、静電容量値から圧力測定値を算出するための算出式が複雑化するとともに算出精度が低い。その結果、圧力センサの測定精度(圧力の算出精度)が低い。
そこで、本発明は、メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極とメンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができ、それにより高精度に圧力を測定することができる圧力センサを提供することを課題とする。
上記技術的課題を解決するために、本発明の第1の態様によれば、
ベース部材と、
前記ベース部材に設けられた固定電極と、
前記固定電極に対して間隔をあけて対向して設けられ、可撓性及び導電性を有するメンブレンと、
前記固定電極に設けられ、前記メンブレンと対向する誘電体と、
前記メンブレンと接触して前記誘電体の一部分と前記メンブレンとの接触を制限する接触制限部材と、を有する、圧力センサが提供される。
ベース部材と、
前記ベース部材に設けられた固定電極と、
前記固定電極に対して間隔をあけて対向して設けられ、可撓性及び導電性を有するメンブレンと、
前記固定電極に設けられ、前記メンブレンと対向する誘電体と、
前記メンブレンと接触して前記誘電体の一部分と前記メンブレンとの接触を制限する接触制限部材と、を有する、圧力センサが提供される。
本発明の第2の態様によれば、
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、前記メンブレンの中央部分に対向する前記誘電体の中央部分を挟むくびれを備える形状である、第1の態様の圧力センサが提供される。
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、前記メンブレンの中央部分に対向する前記誘電体の中央部分を挟むくびれを備える形状である、第1の態様の圧力センサが提供される。
本発明の第3の態様によれば、
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である、第1または第2の態様の圧力センサが提供される。
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である、第1または第2の態様の圧力センサが提供される。
本発明の第4の態様によれば、
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する外側に突出する2つの円弧と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する外側に突出する2つの円弧と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第5の態様によれば、
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する平行な2つの直線と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する平行な2つの直線と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第6の態様によれば、
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、略十字形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、略十字形状である、第1から第3の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第7の態様によれば、
前記接触制限部材として、前記メンブレンと前記誘電体との対向方向に対して直交する第1の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第1の接触制限部材を有する、第1から第6の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記接触制限部材として、前記メンブレンと前記誘電体との対向方向に対して直交する第1の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第1の接触制限部材を有する、第1から第6の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第8の態様によれば、
前記接触制限部材として、前記対向方向および前記第1の方向に対して直交する第2の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第2の接触制限部材を有する、第7の態様に記載の圧力センサが提供される。
前記接触制限部材として、前記対向方向および前記第1の方向に対して直交する第2の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第2の接触制限部材を有する、第7の態様に記載の圧力センサが提供される。
本発明の第9の態様によれば、
前記誘電体が、円形状、正方形状、長方形状のいずれかである、第1から第8の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記誘電体が、円形状、正方形状、長方形状のいずれかである、第1から第8の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第10の態様によれば、
前記メンブレンが、前記メンブレンの外周縁部分を支持する支持部材を介して前記ベース部材に設けられ、
前記接触制限部材が、前記支持部材から前記誘電体の中央に向かって内側に突出する突出部として前記支持部材に設けられている、第1から第9の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
前記メンブレンが、前記メンブレンの外周縁部分を支持する支持部材を介して前記ベース部材に設けられ、
前記接触制限部材が、前記支持部材から前記誘電体の中央に向かって内側に突出する突出部として前記支持部材に設けられている、第1から第9の態様のいずれか一の圧力センサが提供される。
本発明の第11の態様によれば、
前記突出部は一対であって、前記メンブレンと前記誘電体の対向方向に対して直交する方向に前記誘電体を挟んで対向するように設けられている、第10の態様の圧力センサが提供される。
前記突出部は一対であって、前記メンブレンと前記誘電体の対向方向に対して直交する方向に前記誘電体を挟んで対向するように設けられている、第10の態様の圧力センサが提供される。
本発明によれば、メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極とメンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができ、それにより高精度に圧力を測定することができる圧力センサを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る圧力センサにおける圧力センサ素子の斜視図である。図2は、本実施の形態に係る圧力センサにおける圧力センサ素子の部分的分解斜視図である。図3Aは図2におけるA−A線に沿った断面図であって、図3Bは図2におけるB−B線に沿った断面図である。なお、図に示すX−Y−Z直交座標系は本発明の理解を容易にするためのものであって、発明を限定するものではない。
図1および図2に示すように、本実施の形態に係る圧力センサ素子10は、静電容量型圧力センサ、特にタッチモード圧力センサに使用される圧力センサ素子である。圧力センサ素子10は、ベース部材12と、ベース部材12に設けられた固定電極14と、固定電極14に対して間隔をあけて配置された導電性のメンブレン16と、メンブレン16の外周縁部分を支持する環状の支持部材18と、固定電極14に設けられた誘電体20とを有する。なお、本実施の形態の場合、上方視すなわちZ軸方向視で、圧力センサ素子10は円形状であって、すなわちベース部材12、固定電極14、メンブレン16、および支持部材18の外形が円形状である。また、誘電体20も円形状である。
ベース部材12は、例えば絶縁材料から作製された絶縁基板である。
図3Aおよび図3Bに示すように、固定電極14は、ベース部材12上に設けられた円形状の導体であって、例えば導電性ポリシリコン材料から作製された導体である。また、固定電極14は、メンブレン16と対向する電極面14aを備える。
メンブレン16は、例えば導電性シリコン材料から作製されることにより、弾性と導電性とを備える円形状の導体である。また、メンブレン16は、圧力を受ける受圧面16aと、受圧面16aに対して反対側であって固定電極14の電極面14aと対向する電極面16bとを備える。本実施の形態の場合、メンブレン16は、電極面16bの外周縁部分が、支持部材18によって支持されている。そのため、受圧面16aに圧力が作用すると、外周縁部分を除くメンブレン16の中央部分が固定電極14側にたわむ、すなわちメンブレン16の電極面16bが固定電極14の電極面14aに接近する。
支持部材18は、例えば絶縁材料から作製された環状、すなわち枠状の部材である。本実施の形態の場合、支持部材18は、固定電極14を介して、ベース部材12上に設けられている。本実施の形態の場合、支持部材18が固定電極14とメンブレン16との間に介在した状態で該メンブレン16の外周縁部分を支持することにより、メンブレン16が固定電極14に対して間隔をあけて対向した状態で配置される。言い換えると、図3Aおよび図3Bに示すように、固定電極14、メンブレン16、および支持部材18により、内部空間22が画定されている。
誘電体20は、例えば誘電材料から作製され、また固定電極14の電極面14a上に形成された円形状の膜または層である。また、誘電体20は、支持部材18に囲まれるように、具体的には支持部材18の内壁面18aから等しい距離をあけるように、固定電極14の電極面14aの中央部分上に配置されている。さらに、誘電体20は、メンブレン16の電極面16bに対して間隔をあけて対向する対向面20aを備える。
図4は、本実施の形態に係る圧力センサの概略的構成図である。
図4に示すように、圧力センサ30は、圧力センサ素子10と、センサコントローラ40とを有する。
圧力センサ素子10における固定電極14は、固定電極用配線32を介してセンサコントローラ40に接続されている。また、圧力センサ素子10におけるメンブレン16は、メンブレン用配線34を介してセンサコントローラ40に接続されている。
センサコントローラ40は、圧力センサ素子10の固定電極14とメンブレン16との間の静電容量に基づいて、メンブレン16の受圧面16aが受ける圧力の検出値として出力圧力値Poutを算出し、その算出した出力圧力値Poutを外部に出力するように構成されている。
具体的には、センサコントローラ40は、固定電極14とメンブレン16との間の静電容量を検出する静電容量検出部42を有する。また、静電容量検出部42によって検出された静電容量から出力圧力値Poutを算出するための算出式である補正式Eqを記憶する記憶部44を有する。さらに、静電容量検出部42によって検出された静電容量の値と記憶部44に記憶された補正式Eqとを用いて出力圧力値Poutを算出する圧力算出部46を有する。
静電容量検出部42は、固定電極14とメンブレン16との間の静電容量を検出する静電容量型センサまたは回路の一部として組み込まれているキャパシタで構成される。メンブレン16の受圧面16aが受ける圧力である実圧力値Pinの変化に応じて、静電容量検出部42によって検出される静電容量も変化する。
記憶部44は、例えばメモリなどの記憶装置であって、静電容量検出部42によって検出された静電容量を補正して出力圧力値Poutを算出するための補正式Eq(算出式)を記憶している。出力圧力値Poutを算出するための補正式Eqは、圧力センサ素子10の圧力−容量特性に基づく静電容量の関数であって、例えば高次多項式である。
圧力算出部46は、静電容量検出部42によって検出された静電容量を静電容量信号として取得し、記憶部44から補正式Eqを補正式データとして取得し、静電容量信号と補正式データとに基づいて出力圧力値Poutを算出することができる、例えばプロセッサである。プロセッサは、例えば、記憶部44に記憶されている、補正式Eqを用いて静電容量検出部42によって検出された静電容量を補正するためのプログラムを実行することにより、出力圧力値Poutを算出する。
図5は、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子の圧力−容量特性を示す図である。圧力センサ30の動作について、図5に示す圧力センサ素子10の圧力−容量特性を参照しながら説明する。
圧力センサ30においては、まず、圧力センサ素子10におけるメンブレン16の受圧面16aに圧力が作用すると、外周縁部分を除くメンブレン16の中央部分が固定電極14側にたわみ、メンブレン16の中央部分が固定電極14側に接近する。これにより、固定電極14とメンブレン16との間の距離が減少し、固定電極14とメンブレン16との間の静電容量が増加する。メンブレン16の電極面16bが誘電体20の対向面20aに接触するまでの動作モードは、ノンタッチモードと呼ばれる。
メンブレン16の受圧面16aに作用する圧力がさらに増加すると、メンブレン16の電極面16bの中央部分と誘電体20の対向面20aの中央部分とが接触する。さらにメンブレン16の受圧面16aに作用する圧力が増加すると、メンブレン16を介して誘電体20に圧力が作用する。そこからさらにメンブレン16の受圧面16aに作用する圧力が増加すると、メンブレン16の電極面16bと誘電体20の対向面20aとの接触している部分の面積、すなわちメンブレン16と誘電体20との接触面積が増加する。すなわち、誘電体20の対向面20aにおけるメンブレン16の電極面16bと接触する部分が対向面20aの中央から外側に向かって拡がっていく。このメンブレン16と誘電体20との接触面積が増加していく動作モードは、タッチモードと呼ばれる。
図5に示すように、タッチモードにおいて、メンブレン16に作用する圧力の変化に対する固定電極14と該メンブレン16との間の静電容量の変化の線形性は、高い方が好ましい。すなわち、タッチモードにおけるメンブレン16に作用する圧力の増加に比例して該メンブレン16と誘電体20との接触面積が増加するのが好ましい。その方が、静電容量検出部42によって検出された静電容量から出力圧力値Poutを算出する際に用いる補正式Eqをより簡易化することができる。その結果、圧力センサ30が静電容量から高精度に圧力を算出することができ、圧力センサ30がより高精度に圧力を測定することが可能になる。
本実施の形態では、メンブレン16に作用する圧力の増加に比例して該メンブレン16と誘電体20との接触面積が増加するように、図2に示すように、支持部材18に一対の突出部18bが設けられている。一対の突出部18bは、メンブレン16と接触することにより、作用する圧力によって固定電極14側にたわむメンブレン16の変形を部分的に制限し、誘電体20の対向面20aの一部分とメンブレン16の電極面16bとの接触を制限するように構成されている。
具体的には、一対の突出部18bそれぞれは、支持部材18の内壁面18aから誘電体20の中央に向かって内側に突出している。また、一対の突出部18bは、メンブレン16と誘電体20の対向方向であるZ軸方向に対して直交する方向、すなわちX軸方向に誘電体20を挟んで対向するように設けられている。また、突出部18bの先端形状は、Z軸方向視で円弧状である。
一対の突出部18bが作用する圧力によってたわむメンブレン16に接触することにより、誘電体20の対向面20aの一部分とメンブレン16の電極面16bとの接触が制限される。このように、突出部18bが接触制限部材として機能する。このことを、具体的に、図6A、図6B、および図7を参照しながら説明する。
図6Aおよび図6Bは、圧力が作用した状態、具体的には測定上限の圧力が作用した状態の圧力センサ素子10の断面図である。図6Aは図2のA−A線に沿った断面図であり、図6Bは図2のB−B線に沿った断面図である。図7は、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンと誘電体との接触可能領域を示す上面図である。なお、図7において、接触可能領域ACRはクロスハッチングで示されている。
図6Aに示すように、メンブレン16における突出部18bから遠い部分では、中央部分から支持部材18の内壁面18a近傍の部分まで、固定電極14側にたわむことができる。それにより、図7に示すように、メンブレン16の電極面16bは、誘電体20の対向面20aの中央部分から外周縁の部分のうち突出部18bから遠い部分までと接触することが可能である。
一方、図6Bに示すように、メンブレン16における突出部18b近傍の部分では、突出部18bにより、支持部材18の内壁面18a近傍の部分が固定電極14側にたわむことができない。そのため、図7に示すように、メンブレン16の電極面16bは、誘電体20の対向面20aにおける突出部18b近傍の部分と接触することができない。言い換えれば、メンブレン16の電極面16bは、誘電体20の対向面20aの突出部18b近傍の部分を除く部分と接触することが可能である。
すなわち、図7に示すように、一対の突出部18bにより、誘電体20の対向面20aにおいて、メンブレン16の電極面16bに接触可能な接触可能領域ACRと、メンブレン16の電極面16bに接触できない非接触領域NCRが発生する。すなわち、一対の突出部18bにより、接触可能領域ACRは上方視すなわちZ軸方向視で、メンブレン16の中央部分に対向する誘電体20の中央部分を挟む1つのくびれを備える形状である。また、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、互いに対向する外側に突出する2つの円弧と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である。さらに、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である。
図8は、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンに作用する圧力の増加によって起こるメンブレンと誘電体の接触領域の変化を示す上面図である。なお、図8において、接触領域CRはクロスハッチングで示されている。図8に示すように、誘電体20の対向面20aとメンブレン16の電極面16bが接触する接触領域CRは、メンブレン16に作用する圧力が大きくなるにともなって拡大し、面積が増加する。そして、誘電体20の対向面20aとメンブレン16の電極面16bが接触する接触領域CRの形状は、メンブレン16に作用する圧力が大きくなるにともなって上方視すなわちZ軸方向視で円形からくびれを備える形状に変わっていく。
図9は、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンに作用する圧力の変化とメンブレンと誘電体の接触面積の変化との関係を示す図である。図9において、実線は本実施の形態に係る圧力センサ素子10を示し、破線は比較例に係る圧力センサ素子を示している。比較例に係る圧力センサ素子は、支持部材に一対の突出部が設けられておらず、支持部材が平面視して円環状である点のみが本実施の形態に係る圧力センサ素子10と異なっている。
図9に示すように、本実施の形態に係る圧力センサ素子10に比べて、比較例に係る圧力センサ素子では、接触領域CRの面積、すなわち誘電体20の対向面20aとメンブレン16の電極面16bの接触面積は、メンブレン16に作用する圧力の増加に比例して増加する。
このことについて具体的に説明する。まず、タッチモードにおいて、圧力センサ素子10では、一対の突出部18bが存在するために、メンブレン16は一対の突出部18bを備えていない比較例に係る圧力センサ素子に比べてたわみにくい。そのため、メンブレン16に作用する圧力が同一である場合、圧力センサ素子10の接触面積は、比較例に係る圧力センサ素子の接触面積に比べて小さい。
また、一対の突出部18bの有無に関係なく、タッチモードでは、メンブレン16に作用する圧力が測定上限圧力に近づくほど、接触面積の増加速度、すなわち単位圧力あたりの接触面積の増加量は小さくなる。これは、メンブレン16における支持部材18に近い外周縁部分が中央部分に比べてたわみにくいからである。すなわち、メンブレン16では、中央部分のたわみ量は外周縁部分のたわみ量より大きい。
本実施の形態に係る圧力センサ素子10では、一対の突出部18bを設けられていることにより、メンブレン16に作用する圧力が測定上限圧力に近づくより早い時点において、接触面積の増加速度が比較例に係る圧力センサ素子より低い。すなわち、図8に示すように、本実施の形態に係る圧力センサ素子10では、接触領域CRの形状が上方視すなわちZ軸方向視で円形からくびれを備える形状に変わり始めてから接触面積の増加速度が低下する。その結果、メンブレン16に作用する圧力の変化にともなう接触面積の増加速度が測定上限圧力に至るまで略一様になり、その結果として、メンブレン16に作用する圧力の増加に比例して接触面積が増加する。
したがって、図9に示すように、本実施の形態に係る圧力センサ素子10では、一対の突出部18bを設けることにより、一対の突出部が設けられていない比較例に係る圧力センサ素子に比べて、メンブレン16と誘電体20の接触面積は、メンブレン16に作用する圧力の増加に比例して増加する。それにより、メンブレン16に作用する圧力の変化に対する固定電極14とメンブレン16との間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができる。その結果として、このような圧力センサ素子10を用いる圧力センサ30は、高精度に圧力を測定することができる。
このような本実施の形態によれば、メンブレンへの圧力の変化に対する固定電極と該メンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができ、それにより高精度に圧力を測定することができる圧力センサを提供することができる。
以上、上述の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明の実施の形態はこれに限らない。
例えば、上述の実施の形態の場合、図1および図2に示すように、圧力センサ素子10は、メンブレン16と誘電体20との対向方向視すなわちZ軸方向視で円形状である。また、誘電体20もZ軸方向視で円形状である。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。
図10Aは、本発明の第2の実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子におけるメンブレンを取り除いた状態の上面図である。
図10Aに示すように、第2の実施の形態に係る圧力センサ素子110は、図示されていないメンブレンと誘電体120との対向方向視すなわちZ軸方向視で、矩形状、特に正方形状であって、誘電体120もZ軸方向視で正方形状である。
また、圧力センサ素子110では、支持部材118に一対の突出部118bが設けられている。一対の突出部118bそれぞれは、支持部材118の内壁面118aから、誘電体120の中央に向かって内側に突出している。また、一対の突出部118bは、メンブレンと誘電体120の対向方向であるZ軸方向に対して直交する方向、すなわちX軸方向に誘電体120を挟んで対向するように設けられている。また、突出部118bの先端形状は、Z軸方向視で円弧状である。図10Bは、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンと誘電体との接触可能領域を示す上面図である。なお、図10Bにおいて、接触可能領域ACRはクロスハッチングで示されている。図10Bに示すように、一対の突出部118bにより、誘電体120の対向面120aにおいて、メンブレンの電極面に接触可能な接触可能領域ACRと、メンブレンの電極面に接触できない非接触領域NCRが発生する。すなわち、一対の突出部118bにより、接触可能領域ACRは上方視すなわちZ軸方向視で、メンブレンの中央部分に対向する誘電体120の中央部分を挟む1つのくびれを備える形状である。また、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、互いに対向する平行な2つの直線と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である。さらに、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である。
このような圧力センサ素子110においても、上述の第1の実施の形態の圧力センサ素子10と同様に、一対の突出部118bを設けることにより、メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極114とメンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができる。これにより、圧力センサ素子110を用いる圧力センサは、高精度に圧力を測定することができる。
しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。図11Aは、本発明の第3の実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子におけるメンブレンを取り除いた状態の上面図である。図11Aに示すように、第3の実施の形態に係る圧力センサ素子210は、図示されていないメンブレンと誘電体220との対向方向視すなわちZ軸方向視)で、長方形状であって、誘電体220もZ軸方向視で長方形状である。図11Bは、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンと誘電体との接触可能領域を示す上面図である。なお、図11Bにおいて、接触可能領域ACRはクロスハッチングで示されている。図11Aおよび図11Bに示すように、このような圧力センサ素子210においても、上述の第2の実施の形態の圧力センサ素子110と同様に、一対の突出部218bを設けることにより、メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極214とメンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができる。これにより、圧力センサ素子210を用いる圧力センサは、高精度に圧力を測定することができる。
図12Aは、本発明の第4の実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子におけるメンブレンを取り除いた状態の上面図である。
図12Aに示すように、第4の実施の形態に係る圧力センサ素子310は、図示されていないメンブレンと誘電体320との対向方向視すなわちZ軸方向視で正方形状であって、誘電体320もZ軸方向視で正方形状である。
また、圧力センサ素子310では、支持部材318に二対の突出部318b,318cが設けられている。二対の突出部318b,318cそれぞれは、支持部材318の内壁面318aから、誘電体320の中央に向かって内側に突出している。第1の接触制限部材である一対の突出部318bは、メンブレンと誘電体320の対向方向であるZ軸方向に対して直交する第1の方向に誘電体320を挟んで対向するように設けられている。具体的には、第1の方向は、Z軸方向視で正方形状の誘電体320における一方の対角方向である。
第2の接触制限部材である別の一対の突出部318cは、メンブレンと誘電体320の対向方向であるZ軸方向および一対の突出部318bの対向方向である第1の方向に対して直交する第2の方向に誘電体320を挟んで対向するように設けられている。具体的には、第2の方向は、Z軸方向視で正方形状の誘電体320における他方の対角方向である。
図12Bは、本実施の形態に係る圧力センサが備える圧力センサ素子における、メンブレンと誘電体との接触可能領域を示す上面図である。なお、図12Bにおいて、接触可能領域ACRはクロスハッチングで示されている。図12Bに示すように、一対の突出部318bと別の一対の突出部318cとにより、誘電体320の対向面320aにおいて、メンブレンの電極面に接触可能な接触可能領域ACRと、メンブレンの電極面に接触できない非接触領域NCRが発生する。すなわち、一対の突出部318bと別の一対の突出部318cとにより、接触可能領域ACRは上方視すなわちZ軸方向視で、メンブレンの中央部分に対向する誘電体320の中央部分を挟み、互いに直交する方向に設けられた2つのくびれを備える形状である。すなわち、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、互いに対向する平行な2つの直線と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状が2つ互いに直交する方向に重なり合った形状、すなわち、略十字形状である。さらに、接触可能領域ACRは、上方視すなわちZ軸方向視で、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である。
このような圧力センサ素子310においても、上述の第1の実施の形態の圧力センサ素子10と同様に、メンブレンに作用する圧力の変化に対する固定電極314とメンブレンとの間の静電容量の変化についてより高い線形性を得ることができる。これにより、圧力センサ素子310を用いる圧力センサは、高精度に圧力を測定することができる。
さらに、上述の第1の実施の形態の場合、図2に示すように、固定電極14とメンブレン16との間に配置されている支持部材18に設けられている一対の突出部18bが、作用する圧力によってたわむメンブレン16に接触することにより誘電体20の対向面20aの一部分とメンブレン16の電極面16bとの接触を制限するための接触制限部材である。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。例えば、接触制限部材は、支持部材と別部材であってもよい。また、接触制限部材は、メンブレンと誘電体との間に配置されてもよい。
加えて、上述の第1の実施の形態の場合、図2に示すように、固定電極14の電極面14aにおける中央部分に誘電体20が設けられている。すなわち、メンブレン16と誘電体20との対向方向視すなわちZ軸方向視で、誘電体20の面積が固定電極14の面積に比べて小さい。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。メンブレンと誘電体との対向方向視で、誘電体は固定電極と同一の面積を有していてもよい。
すなわち、本発明の実施の形態に係る圧力センサは、広義には、ベース部材と、前記ベース部材に設けられた固定電極と、前記固定電極に対して間隔をあけて対向して設けられ、可撓性及び導電性を有するメンブレンと、前記固定電極に設けられ、前記メンブレンと対向する誘電体と、前記メンブレンと接触して前記誘電体の一部分と前記メンブレンとの接触を制限する接触制限部材と、を有する圧力センサである。
以上、複数の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、ある実施の形態に対して少なくとも1つの実施の形態を全体としてまたは部分的に組み合わせて本発明に係るさらなる実施の形態とすることが可能であることは、当業者にとって明らかである。
本発明は、静電容量型圧力センサに適用可能である。
12 ベース部材
14 固定電極
16 メンブレン
18b 突出部
20 誘電体
14 固定電極
16 メンブレン
18b 突出部
20 誘電体
Claims (11)
- ベース部材と、
前記ベース部材に設けられた固定電極と、
前記固定電極に対して間隔をあけて対向して設けられ、可撓性及び導電性を有するメンブレンと、
前記固定電極に設けられ、前記メンブレンと対向する誘電体と、
前記メンブレンと接触して前記誘電体の一部分と前記メンブレンとの接触を制限する接触制限部材と、を有する圧力センサ。
- 前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、前記メンブレンの中央部分に対向する前記誘電体の中央部分を挟むくびれを備える形状である、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、中心から外周部までの直線距離が異なる部分を有する形状である、請求項1または2に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する外側に突出する2つの円弧と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、請求項1から3のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、互いに対向する平行な2つの直線と互いに対向する内側に突出する2つの円弧からなる外形を有する形状である、請求項1から3のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体におけるメンブレンと接触可能な領域が、略十字形状である、請求項1から3のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記接触制限部材として、前記メンブレンと前記誘電体との対向方向に対して直交する第1の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第1の接触制限部材を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記接触制限部材として、前記対向方向および前記第1の方向に対して直交する第2の方向に前記誘電体を挟んで対向し合う一対の第2の接触制限部材を有する、請求項7に記載の圧力センサ。
- 前記誘電体が、円形状、正方形状、長方形状のいずれかである、請求項1から8のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記メンブレンが、前記メンブレンの外周縁部分を支持する支持部材を介して前記ベース部材に設けられ、
前記接触制限部材が、前記支持部材から前記誘電体の中央に向かって内側に突出する突出部として前記支持部材に設けられている、請求項1から9のいずれか一項に記載の圧力センサ。
- 前記突出部は一対であって、前記メンブレンと前記誘電体の対向方向に対して直交する方向に前記誘電体を挟んで対向するように設けられている、請求項10に記載の圧力センサ。
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